산업기술 통합검색
본 기술은 희토류 원소가 첨가된 고밀도 초미립의 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스의 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술의 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스의 제조 방법은 통상의 고상 반응법에 따라 BaTiO 3 분말에 La 2 O 3 및(또는) M 2 O 3 (M은 Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er 및 Yb으로 이루어진 군 중에서 선택된 희토류 원소이다) 분말을 5 mol% 이하의 양으로 첨가하여 혼합 분말을 제조한 후, 이를 산소 분위기 하에서 소결시키는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따르면, BaTiO 3 에 희토류 원소를 첨가하고 소결 공정을 산소 분위기로 제어함으로써 고밀도 초미립의 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스를 얻을 수 있다.
본 기술은 유기금속 화학증착법에 의한 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막의 성장 방법에 있어서 질소의 공급원으로서 활성 상태의 질소 원자 (N * , 질소 원자-활성종)를 사용하는 것에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 종래의 III족 금속 질화물의 유기금속 화학증착법에서 질소 공급원으로 사용되는 암모니아 기체 (NH 3 ) 대신, 질소 원자-활성종, 특히 유전체 장벽 방전에 의한 질소 원자-활성종을 사용함으로써, 약 700 ℃ 내지 1000 ℃의 저온에서 단결정 사파이어 (α-Al 2 O 3 ) 뿐만 아니라, 실리콘 (Si), 갈륨비소 (GaAs) 또는 석영 웨이퍼, 또는 다결정의 실리카 유리 (SiO 2 -유리) 기판 위에도 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막을 성장시킬 수 있다. 또한, 암모니아를 사용하는 경우처럼 질소 원자-활성종을 불필요하게 많은 양으로 공급하지 않아도 될 뿐 아니라, 필요에 따라 충분한 양의 질소 원자-활성종을 공급할 수 있기 때문에 III족 금속 질화물 박막의 성장 속도가 빨라진다.
본 기술은 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드(AND) 논리 연산방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 비선형 특성을 갖는 마하젠더 간섭계 형태의 반도체 광증폭기로 구성된 XPM 파장변환기를 이용하여 소형이면서 작은 입력강도의 초고속 논리연산을 구현토록 하는 기술에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 일정 수준의 연산속도를 구현하기 위한 광펄스를 생성하는 광섬유 모드록 레이저와, 광출력을 감쇠시키는 광 감쇠기와, 다중화기와, 제 1광지연선로와, 50 : 50으로 광세기를 분리시키는 3-dB 광섬유커플러와, 최대의 광파장 효율을 얻기 위한 편광상태를 맞추기 위한 편광조절기와, 제 2광지연선로와, 광파장을 전송시키는 광 격리기와, XPM 파장변환기와, 어븀첨가광증폭기와, 광파장 필터와, 광신호분석기를 포함하여 구성됨으로서 XPM 파장변환기에서 도파로 부분의 전류를 조절하여 신호 A의 출력이 정상적으로 신호 C로 출력되도록 간섭계를 구성하는 두 도파로의 전류를 조절하고, 신호 A의 지연시간을 적절히 조절하여 신호 B와 동조시킴으로서 앤드(AND) 논리 연산을 수행하는 것을 특징으로 하는 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드 논리 연산방법에 관한 것이다.
본 기술은 광시분할 방식의 광통신에 활용될 수 있는 광 위상 동기 루프 회로에 관한 것으로, 입사하는 광펄스 신호와 위상과 주파수가 동일한 펄스열을 재생시키는 것을 목적으로 한다. 이러한 광 위상 동기 루프 회로는 미리 설정된 제1 고주파 신호를 생성하는 고주파 발생기, 이 고주파 발생기에 의해 구동되어 클럭 광펄스를 출사하는 광원, 제2 고주파 신호를 생성하는 전압 제어 발진기(voltage-controlled oscillator), 입사하는 광펄스 신호와 클럭 광펄스를 혼합함으로써 생성된 광파만을 필터링 및 증폭하여 제1 신호로 변환하는 제1 제어부, 고주파 발생기와 전압 제어 발진기로부터 각기 생성된 제1 및 제2 고주파 신호를 혼합하여 저주파 신호로 하향 변환하는 다운-컨버터 믹서(down-converter mixer), 제1 신호와 저주파 신호를 각기 전기적 펄스 신호로 변환하는 펄스 변환기, 및 펄스 변환기로부터 출력되는 각각의 전기적 펄스 신호의 위상차를 측정하여 이 위상차에 비례하는 제어 전압을 출력하는 제2 제어부를 포함하여, 제어 전압으로 전압 제어 발진기를 제어하여 입사하는 광펄스 신호와 제2 고주파 신호를 동기시키는 것과 광 클럭을 안정되게 구동시키는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 실리카와 금속산화물로 이루어진 세공성 촉매 및 이를 이용하여 시클로헥사논 옥심 (cyclohexanone oxime)으로부터 ε-카프로락탐(ε-Caprolactam)을 제조하는 방법에 관한 것이다.카프로락탐 제조 공정에 종래에 사용되었던 황산 촉매를 대체할 수 있어 환경, 안정성 및 부산물의 발생을 방지할 수 있고, 종래의 고체산 촉매들의 짧은 수명으로 인한 문제점을 해결함과 아울러, 선택도와 전환율이 높은 촉매를 제공하는 장점이 있다.
본 기술은 플라즈마 디스플레이 패널의 미세격벽 제조방법에 관한 것이다.종래 플라즈마 디스플레이 패널의 미세격벽 제조방법은 유리분말에 의한 소결법에 의하여 기공이 남게 되어 플라즈마 디스플레이 패널의 특성이 저하되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 기술은 소다회 유리기판의 상부에 하지층을 형성하고, 그 하지층의 상부에 은전극을 형성한 다음, 적심성과 접합특성이 우수한 유리분말을 도포하는 유리분말 도포단계와, 유리분말의 상부에 연화점이 상대적으로 높고 강산에 대한 에칭특성이 우수한 유리판을 적층한 후 압력과 열을 가해 유리분말과 유리판을 소결 및 접합하여 백색유전막과 그 상부에 격벽용 유리판을 접합하는 소결단계와, 포토레지스트 패턴을 이용하여 격벽용 유리판의 일부영역을 선택적으로 노출시킨 후, 희석된 강산으로 그 하부의 백색유전막이 노출될 때까지 에칭하여 격벽을 형성하는 에칭단계를 포함하여 유리후막을 격벽용 유리판을 적층한 후 소결하여 형성함으로써, 격벽용 유리후막에 내부 기공이 발생하는 것을 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 효과와 아울러 백색유전막을 유전체로 사용함과 아울러 그 백색유전막을 적심성이 우수하고, 접합특성이 우수한 것을 사용하여 상대적으로 낮은 온도에서 소성 및 격벽용 유리후막판을 접합함이 가능하여 기판의 변형을 방지하는 효과가 있다.
본 기술은 저온 소성용 초미립 BaTiO 3 계 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 기술의 저온 소성용 초미립 BaTiO 3 계 유전체 세라믹 조성물은 약 1100℃의 저온에서 평균 입경이 0.1 ㎛ 이하인 저온 소성용 초미립 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스를 얻을 수 있다.
본 기술은 저온 소성용 초미립 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로, 0 ~ 5 mole의 Cu 3 TiO 4 를 조합한 BaTiO 3 를 주조성으로 하고, 특히 양호한 소결성을 가지는 2 mole의 Cu 3 TiO 4 와의 조합에 대해 첨가제로서 M 2 O 3 가 0 ~ 5 mole로 구성되는 것을 특징으로 한다. 여기서 M은 La, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er 및 Yb 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 성분이다. 본 기술에 따르면 1100℃ 의 저온에서 평균 입경이 0.2㎛ 이하인 저온 소성용 초미립 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스를 얻을 수 있다.
본 기술은 저전압 바리스터-커패시터 복합소자 제조방법에 관한 것으로, 종래 SrTiO 3 바리스터는 비직선계수가 작고, 항복전압이 크기 때문에 이용범위에 제한이 많아 상용화가 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 기술은 SrTiO 3 시편을 제조하는 단계와, SrTiO 3 에 900℃의 온도에서 Bi 2 O 3 를 확산시키는 단계와, Bi 2 O 3 가 확산된 SrTiO 3 시편의 양측면에 은전극을 형성하는 단계로 구성되어 SrTiO 3 의 입계에 Bi 2 O 3 를 확산시켜, 저전압에서 동작하며, 항복전압이 낮고 비선형 계수를 증가시킨 저전압 바리스터-커패시터 복합소자를 형성할 수 있게 되어, 그 적용범위를 확대시켜 SrTiO 3 바리스터-커패시터를 상용화 할 수 있는 효과가 있다.
본 기술은 얇은 반도체 시료가 깨지지 않도록 마운팅(mounting) 기술을 이용하여 반도체 광소자의 전,후 단면에 무반사 코딩을 하도록 하는 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치에 관한 것이다. 따라서, 본 기술은 무반사 코팅시 시료 깨짐을 방지하기 위한 마운팅 기술을 이용하는 시료 홀더 장치에 있어서, 제 1스테인레스 상에는 스페이서와, 고정판과, 제 2스테인레스가 순차적으로 적층되되, 각 홀을 통하여 제 2스테인레스으로부터 제 1스테인레스까지 도달되도록 홀더결합수단에 의해 체결되고, 각 홀을 통하여 제 2스테인레스으로부터 고정판까지 도달되도록 시료고정수단에 의해 체결되며, 고정판과 제 1스테인레스 사이에 놓여지는 위치에 스페이서와 수평으로 레이저바가 연장되어 설치되도록 구성되어, 제 2스테인레스의 면적 크기를 제 1스테인레스의 면적 크기 보다 작게 설계함으로서 무반사 코팅시 레이저바에 가해지는 힘의 세기를 분산시키도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 음이온 킬레이트 리간드로서, 말론산에스테르의 짝염기인 β-디(알콕시카르보닐)레이트를 포함하는 신규한 휘발성 유기 금속 전구체 및, 이 유기 금속 전구체를 화학 증착에 이용하여 해당 산화금속 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 기술에 의한 유기 금속 전구체들은 기존의 전구체들에 비해 휘발성이 뛰어나고 대기 및 열안정성도 비교적 좋으며, 특히, 본 발명에 의한 β-디(알콕시카르보닐)레이트 유기 금속 전구체가 기존의 불화물 곁가지를 가진 β-디키토네이트 유기 금속 화합물과 구별되는 우수성으로는, 불소를 포함하고 있지 않으므로 기판에 증착 및 열분해후에도 불화금속염(MFx , M은 +x가의 양이온) 불순물에 의한 막의 오염에 대한 염려가 전혀 없다는 점과, 기상 반응및 기타의 방법에 의한 기능성 복합 산화물 분말 제조에 사용하여도 불화염 불순물에 의한 오염이 없다는 점, 그리고 값비싼 불화물 곁가지를 가진 β-디키톤 리간드를 사용하지 않아 경제적이면서도 전구체의 휘발성이 우수하다는 점 등을 들 수 있다. 또한, 디키토네이트류의 리간드에 비해 분해 온도가 낮아서 분해를 위해 수증기를 함께 흘려 넣어 주는 등의 첨가적인 과정을 필요로 하지 않는 등의 장점이 있다
본 기술은 상업적으로 대량 생산되고 있는 전기동(99.99% 순도)을 단 1회의 전해정련 과정을 통하여 고순도 전기동(99.9999% 순도)을 제조하는 방법에 관한 것이다.상용 전기동 양극과 음극 사이에 장착되는 다공성 벽면을 갖는 카트리지와, 카트리지내에 충진되는 비표면적이 큰 동 재료로 이루어지고, 양극으로부터 용출된 전해액은 동 재료로 충진된 카트리지 및 격막을 통과하여 음극으로 진행하는 고순도 전기동 전해장치를 제공한다. 여기서 동 재료는 동세선 및 동분으로 구성되는 군 중에서 선택되는 어느 하나 이상일 수 있고, 카트리지내에 불활성 가스 주입을 위한 주입구를 추가적으로 포함하는 것이 바람직하다. 아울러, 전해 중 전해 용액의 pH를 초기 pH와 같도록 일정하게 유지시키는 것이 바람직하다.
본 기술은 평판 표시 소자, 진공 전자 소자 등에 사용되는 전계 방출 소자에 관한 것이다. 본 기술은 전기적 특성과 기계적 특성이 우수한 유리화 비정형 탄소를 전계 방출 소자의 음극으로 사용한다. 본 발명에 사용되는 유리화 비정형 탄소는 다량의 결함을 가지고 있는 유리질의 고상 탄소 재료로서, 전기 전도도가 우수하면서 기계적 강도가 뛰어나다는 장점을 가지고 있다. 본 기술에 따르면, 유리화 비정형 탄소의 분말을 유리 기판 위에 형성된 금속 전극상에 전기 영동법으로 도포함으로써, 평판 표시 소자나 진공 전자 소자에 적합한 전계 방출 음극을 제조하게 되며, 이러한 음극은 전계 방출의 효율이나 안정성 면에서 뛰어난 효과를 나타낸다.
본 기술은 표면 개질된 리튬이차전지용 탄소계 음극, 그 제조방법 및 리튬이차전지에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 흑연, 코크스 및 하드 카본 등과 같은 탄소 입자의 표면에 금속 또는 금속 산화물을 코팅시켜 전도성, 고율 충방전 특성, 전극 용량 및 싸이클 특성이 개선된 리튬이차전지용 음극, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지에 관한 것이다. 특히 여러 가지 우수한 특성에도 불구하고 전극의 싸이클 특성의 저하 및 초기 비가역 용량의 증가 등으로 그 사용이 어려웠던 PC에 기초한 전해질에서도 안정하여 전극용량 및 싸이클 특성이 우수하였다. 따라서 그간에 문제점 중의 하나였던 전해질의 선택 폭을 넓일 수 있게 된다. 전극의 전도성이 향상되고 용매의 삽입을 억제하므로 싸이클특성 및 전극용량의 증가가 있던 것에 더하여 전극의 성형성이 우수하였으며 전류 집전체와의 결합력이 우수하였고 또한 전극 활물질간의 결합력이 우수하였다. 이들 결합력의 증가로 국부적인 전극내부 저항이 감소되어 결과적으로 전도성이 향상되고, 또한 탄소 활물질이 전자전도통로에서 이탈되는 것을 억제하여 지속적으로 일어나는 전극용량 감소를 줄여 전극특성을 향상시켰다. 본 기술은 고성능 이차전지의 제조방법을 제공할 수 있으므로, 각종 소형 전자기기, 통신기기 및 전기자동차의 전원용등 다양한 산업분야에 응용할 수 있고, 각종 기기의 국산화 수입대체 및 수출증대 효과를 가질 수 있다.
본 기술은 크로마토그래피 컬럼에 방사 방향으로 전기장을 가함으로써, 전기장의 세기 조절에 의한 분리 대상 물질의 체류시간 조절로 크로마토그래피의 분리 효능을 조절할 수 있는 신규의 방사 방향 전기장 적용 크로마토그래피 분리 방법 및 이에 사용되는 크로마토그래피 컬럼 장치에 관한 것이다.절연체를 이용하여 다른 연결 시스템과 절연시킨 크로마토그래피 컬럼에 양극과 음극으로 이루어진 한 쌍의 전극을 한 쪽 전극은 컬럼 내부에 장착하고 다른 쪽 전극은 컬럼 외부에 장착하여 크로마토그래피 컬럼에 방사 방향으로 전기장을 가함으로써, 전기장의 세기 조절에 의해 분리 대상 물질의 체류시간을 조절하는, 방사 방향의 전기장을 사용한다.
본 기술은 양극활물질과, 도전재 및/또는 결합제를 포함하는 통상의 리튬이차전지용 양극을 기저층으로 갖고, 기저층 상에 피복된 도전재 및 결합제를 포함하고, 그 중량비가 10 - 100 배인 도전층을 포함하는 리튬이차전지용 양극, 그 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지를 제공한다. 본 기술의 제조방법은 양극활물질과, 도전재 및/또는 결합제를 포함하고, 집전체 상에 코팅, 건조 및 압연된 리튬이차전지용 양극 상에 도전재의 성분이 강화된 도전성 슬러리를 코팅, 건조 및 압연시키는 첫번째 방법과, 양극활물질과, 도전재 및/또는 결합제를 포함하는 혼합물을 집전체 상에 코팅시키고, 그 위에 도전재 성분이 강화된 도전성 슬러리를 코팅시킨 후, 건조 및 압연시키는 두번째 방법이 있다. 도전성 슬러리로 표면처리된 본 발명의 양극에 의해 전극의 전위분포 및 계면 특성이 향상되었고, 이것에 의해 리튬이차전지의 용량, 고율 충방전특성 및 수명특성이 크게 향상되었다. 따라서, 도전성 슬러리로 표면처리된 본 기술의 양극을 포함하는 리튬이차전지는 각종 소형 전자기기, 통신기기 및 전기자동차의 전원용 등 다양한 산업분야에 응용될 수 있다.
본 기술은 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 양극 활물질인 산화바나늄에 첨가된 리튬이차전지용 양극에 관한 것이다.산화바나늄을 양극 활물질로 포함하는 리튬이차전지에 백금과 같이 산소 또는 황화 분위기에 안정한 전도성 물질이 첨가될 경우 리튬 이차전지의 사이클 및 용량 특성이 크게 향상되었다. 따라서 본 기술에 따른 리튬이차전지용 양극은 박막 전지 및 벌크 전지를 포함한 다양한 리튬이차전지의 제작에 사용될 수 있다.
본 기술은 박막형 슈퍼 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 하부 전극 박막과, 하부 전극 박막 위에 형성된 5㎛ 이하의 두께를 갖는 전해질 박막 및, 전해질 박막 위에 형성된 4㎛ 이하의 두께를 갖는 상부 전극 박막을 포함하여 구성되는 박막형 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술에 의하면 초소형 정밀 부품 및 정보 통신 기기의 전력원으로 응용할 수 있는 소형 및 경량의 슈퍼 캐패시터를 제공하며, 박막 공정을 적용하여 슈퍼 캐패시터의 제조시 셀 적층의 획기적 개선을 기대할 수 있다. 또한, 박막전지와 혼성으로 사용되어 특정 전압에서 오랜 시간 동안 안정적으로 동작할 뿐만 아니라 순간 피크 전력을 제공할 수 있어, 박막전지의 응용 범위를 확대할 수 있다.
본 기술은 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 관한 것으로, 반도체 광스위칭 소자나 파장변환기에 사용되는 반도체 광증폭기를 광섬유 격자를 이용하여 그 이득을 용이하게 조절할 수 있는 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 관한 것이다. 본 기술은 광신호를 입력받는 입력부와, 증폭된 광신호를 출력하기 위한 출력부와, 입력부 및 출력부에 연결되어 입력 광신호 및 출력 광신호의 경로 설정을 하기 위한 입력측 광 고립기 및 출력측 광고립기를 구비하는 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치에 있어서, 입력측 광고립기에 연결되어, 반사 중심파장을 미세 조정할 수 있는 인장 조절 가능 광섬유 격자와, 인장 조절 가능 광섬유 격자와 연결되어, 광신호를 증폭시키는 반도체 광증폭기와, 반도체 광증폭기에 전원을 공급해주는 광증폭기 구동용 전원 공급기와, 반도체 광증폭기에 연결되어, 소정의 반사 중심파장을 가지는 광섬유 격자를 포함한다.
본 기술은 정전 열 접합(Electrostatic bonding)을 이용한 진공실장방법에 관한 것으로, 구체적으로는 반도체 기판과 유리 기판 또는 유리기판과 유리기판간의 정전 열 접합을 이용하여 디스플레이나 마이크로 소자를 진공 실장하는 기술에 관한 것이다. 본 기술은 기존의 배기용 세관 공정에 비해 저온에서 체적이 작은 패널 내부의 진공 효율을 극대화시키고, 실리콘 기판의 입자투과율과 물리적 강도등의 단점을 극복하며, 마이크로 소자의 피드쓰루(Feed-through)를 효율적으로 형성하는 고진공실장방법을 제공한다.