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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
최대 1 MPa 압력 90도C까지 온도를 재는 온수 체적과 40도C에서 수량계를 통과하는 냉수 체적 측정을 행하는 냉수 온수 수량계로 DN(직경) 15, 20, 25, 32, 40, 50mm 측정을 포함하여 2개의 정상 시리즈(각각 냉수 온수)를 가지고 있다. 이 측정기는 계수 장치와 탄젠셜 물공급을 가진 유압 트랜스듀서의 2개의 기능을 가진 어셈블리로 구성되어 있다. 수량계의 C급은 다음과 같은 값을 가진다. 최대 Qmax로부터 체적 측정의 상대적 오차는 온수 수량계에 대하여 +-3%, 냉수 수량계에 대하여 +-2.0% 이내로 제한된다. 천이 유량 Qt에서 최소 유량 Qmin(0.0075*Qmax) 범위 내의 유량에서 체적 측정의 상대적 오차는 냉수 수량계와 온수 수량계에서 +-5% 이내로 제한된다. 수량계의 측정 범위는 직경 15는 3 m^3/h까지, 직경 20은 5 m^3/h까지, 직경 25는 7 m^3/h까지, 직경 32는 12 m^3/h까지 ,직경 40은 20 m^3/h까지, 직경 50는 30 m^3/h까지이다. C급 추진기 수량계는 최소 유량비 값에서 통과되는 물의 체적을 측정하며, 다른 회사에서 제작한 단일 수량기들은 냉수 온수 수량계에서 제공하는 측정 범위에 이를 수 없다. 러시아 국내 또는 외국의 수량계에 대한 비슷한 제품이 없다. 수량계의 C급은 다음과 같은 값을 가진다. - 최대 Qmax로부터 체적 측정의 상대적 오차는 온수 수량계에 대하여 +-3%, 냉수 수량계에 대하여 +-2.0% 이내로 제한된다. 천이 유량 Qt에서 최소 유량 Qmin(0.0075*Qmax) 범위 내의 유량에서 체적 측정의 상대적 오차는 냉수 수량계와 온수 수량계에서 +-5% 이내로 제한된다. 수량계의 측정 범위는 직경 15는 3 m^3/h까지, 직경 20은 5 m^3/h까지, 직경 25는 7 m^3/h까지, 직경 32는 12 m^3/h까지 ,직경 40은 20 m^3/h까지, 직경 50는 30 m^3/h.
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
냉수와 온수 수량계의 상태 평균 통합 오차는 전기적 출력 신호 또는 스타형 신호에 의해 결정된다. 유량 플랜트는 (물채널 영역) 생산 공장, 수량계 운용 장소에서 직접 사용할 수 있다. 동작 원리는 수량계를 통과하는 제어 물부피에서 얻어진 시험 수량계와 제어에 의해 얻어진 물부피의 측정 결과를 비교하여 측정한다. 측정 과정은 PC나 휴대용 컴퓨터의 지원 아래 자동화되어 있다. PROLIV-M10 유량 플랜트는 DN(직경) 10, 15, 20, 25, 32, 40, 50mm의 어느 유량계에서도 검사할 수 있으며 PROLIV-M50은 직경 50, 65, 80, 100, 150, 200, 250mm에 대하여 검사할 수 있다. 이 제품의 기술적 데이터는 측정 매질이 공공 물공급 시스템에 있는 휴대용 물, 측정된 매질 파라미터로는 온도 5-90도C, 압력 0.2-1 MPa, 검사 유량은 PROLIV-M10이 0.02-1.8, PROLIV-M50이 0.55-18이며, 유량 플랜트에 의해 측정된 제어 물부피의 평균 집적 상대 오차는 5-40도C의 온도에서 최대 +-0.5%, 40-90도C 매질 온도에서 +-0.75이며, 전력 공급은 AC 220V, 중량은 PROLIV-M10이 8kg, PROLIV-M50이 12kg이다. 외국의 어느 제품도 이와같은 성능의 제품을 제공할 수 없다.측정 매질이 공공 물공급 시스템에 있는 휴대용 물, 측정된 매질 파라미터로 : 온도 5-90도C, 압력 0.2-1 MPa, 검사 유량은 PROLIV-M10이 0.02-1.8, PROLIV-M50이 0.55-18유량 플랜트에 의해 측정된 제어 물부피의 평균 집적 상대 오차 : 5-40도C의 온도에서 최대 +-0.5%, 40-90도C 매질 온도에서 +-0.75이며, 전력 공급은 AC 220V, 중량은 PROLIV-M10이 8kg, PROLIV-M50이 12kg이다
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
부식 물체를 포함한 액체의 유량 측정과 차동 압력 게이지법을 이용한 시스템에서 관을 통과하는 가스의 유량 측정을 측정하는 유량계로 유체 유량계와 가변 압력 차동 측정기는 관을 통과하여 설치되고 피드백 채널에 의해 구성된 쌍안정 유체 소자이다. 매체가 관을 통과하여 흐르는 동안 능동 발진기에서 올라온 관을 통하여 매질 유량에 비례한 주파수 발진이 일어나게 된다. 주요 기술적 데이터로서 측정 범위는 40:1이며, 차동 압력 범위는 액체에서 0.1에서 160kPa, 기체에서 0.1에서 63kPa이며, 오리피스를 가진 완전한 상태에서 유량 측정 오차는 액체에서 1%, 기체에서 1.5%이며, 출력 신호는 0-5, 4-20mA, 주파수이며, 설계 버전은 방폭성(Explosion-proof)이다. 차동 압력 나노 측정기의 단점을 피하기 위하여 개발된 이 제품의 장점은 좁은 측정 범위(3:1), 측정된 매질 밀도상의 특성 의존성에 있다. 유체 유량계와 가변 압력 차동계는 높은 신뢰성(이동 부품이 없기 때문에), 손상과 영점 이동이 없는 압력하에서 큰 과부하에 견디는 성능과 기술적 생산 유효성을 가지고 있다. 외국의 비슷한 제품은 Moore Product사의 유량계가 있으며 국내(러시아)에서는 비슷한 측정기가 없다. 잠재적 사용자들은 화학 산업, 석유 산업, 물과 열 공급 설비 업체이다.1. 기술특징측정 범위는 40:1이며, 차동 압력 범위는 액체에서 0.1에서 160kPa, 기체에서 0.1에서 63kPa이며, 오리피스를 가진 완전한 상태에서 유량 측정 오차는 액체에서 1%, 기체에서 1.5%이며, 출력 신호는 0-5, 4-20mA, 주파수이며, 설계 버전은 방폭성(Explosion-proof)이다.2. 장점 좁은 측정 범위(3:1), 측정된 매질 밀도상의 특성 의존성에 있다. 유체 유량계와 가변 압력 차동계는 높은 신뢰성(이동 부품이 없기 때문에), 손상과 영점 이동이 없는 압력하에서 큰 과부하에 견디는 성능과 기술적 생산 유효성을 가지고 있다.
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전기·전자 > 전력설비
고정밀 운동의 각도와 직선 파라미터 재생산을 위한 고정밀 전기 구동 장치로 구동 동작은 광범위한 발전기에 의해 설정된 속도, 위상 제어 원리에 기초한다. 기계적 시스템은 기체 정역학 베어링에 위치한다. 각속도 재생 오차는 0.3-50rad/s* 10^(-7)이다. 다른 비슷한 제품은 없다.기계적 시스템은 기체 정역학 베어링에 위치하며, 각속도 재생 오차는 0.3-50rad/s* 10^(-7)이다.
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전기·전자 > 시험측정 기술 (B63)
오차 0.005-0.03도C를 가지고 -30에서 150도C 범위의 유리와 액체 표면의 온도를 측정하는 반도체 저항 온도계로 험한 매질, 식품 산업, 의약에서 사용할 수 있도록 다양하게 설계 되어있다. 이 온도계는 20도C에서의 저항 10-5k오옴, 20도C에서의 감도 0.4-2.0 k오옴, 안정도 0.002도C/년의 특성을 가지며 2등급의 기준 측정을 가진다.이 온도계는 20도C에서의 저항 10-5k오옴, 20도C에서의 감도 0.4-2.0 k오옴, 안정도 0.002도C/년의 특성을 가지며 2등급의 기준 측정을 가진다.
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
비구면 광학 소자의 제조하기 위한 기술이다. 구면 유리 기판 위에 중합체 박막을 증착시킴으로써 비구면 광학 소자를 제작할 수 있다. 광학 소자의 비구면 표면은 결정기와 기판 간의 올리고머 복합 재료의 광 경화에 의해 만들어진다. 비구면 표면의 정밀도는 이온 에칭에 의해 달성된다. 최대 두께 500 마이크로미터와 최대 직경 80mm의 중합체 층을 가진 비구면 렌즈를 최소 각도 0.5-2.0의 표면 정밀도를 가지고 개발된 기술에 의해 생산한다.최대 두께 500 마이크로미터와 최대 직경 80mm의 중합체 층을 가진 비구면 렌즈를 최소 각도 0.5-2.0의 표면 정밀도를 가지고 개발된 기술에 의해 생산한다.
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전기·전자 > 기타 반도체
절연 재료의 이온 세척 및 절연 재료의 이온 처리를 위하여 개발된 장치로서, 이 장치는 글로 방전 플라스마로부터 동시 이온 중화를 이용하여 이온 빔을 형성한다. 이 장치는 진공실 내에 설치하는데, 이 때 진공실은 백열광 소자를 포함하고 있지 않으며 냉각이 필요 없다. 개발된 장치를 사용하여 단일 기술 주기 내에서 코팅 증착 이전에 기판의 이온 세척 기술 공정이 개발되었으며, 코팅의 접착력이 2.5-3 배 증가되었고 MgF2 층과 대규모 (직경 200mm 이상)의 광학 부품 상의 반사 방지 간섭 코팅에 기반한 색지움 공정을 비롯한 반사 방지 코팅 증착의 무열 기술 공정의 개발이 가능하다.개발된 장치를 사용하여 단일 기술 주기 내에서 코팅 증착 이전에 기판의 이온 세척 기술 공정이 개발되었으며, 코팅의 접착력이 2.5-3 배 증가되었고 MgF2 층과 대규모 (직경 200mm 이상)의 광학 부품 상의 반사 방지 간섭 코팅에 기반한 색지움 공정을 비롯한 반사 방지 코팅 증착의 무열 기술 공정의 개발이 가능하다.
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전기·전자 > 기타 반도체
조직의 활력을 측정하는 내부 수술 발광 탐침자는 이식 활력 평가를 위한 경우와 장 무감각의 경우에 절제하고자 하는 절제 부분을 결정하는데 이용하며 형광 램프를 가진 조명 기구, 형광의 세기를 지시하는 광도 측정 장치의 광수신기로 형광을 모아 주고 여기광을 가진 물체의 조명을 위한 광섬유 번들의 광원 필터로 구성되어 있다.형광 램프를 가진 조명 기구, 형광의 세기를 지시하는 광도 측정 장치의 광수신기로 형광을 모아 주고 여기광을 가진 물체의 조명을 위한 광섬유 번들의 광원 필터로 구성
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전기·전자 > 기타 반도체
무선 항해, 무선 측위, 정보 통신 시스템에 사용하는 것 뿐만 아니라 플라스마 화학을 포함한 플라스마 가열 공정에 사용하기 위한 전자기 SHF 방사의 증폭기와 발생기인 빔플라스마 장치는 봉인 제품이며 출력은 10-20kW, 효율은 30-40%, 작업 대역 30%, 파장 범위 cm/dm, 동작 모드는 주파수 펄스와 영구, 가속 전압은 20V, 전자빔 전류는 2.5-3.5를 가진다. 동작 주파수의 광대역과 높은 전자 효율을 가진 고출력의 조합으로 이루어진 본 장비는 진공 광대역 SHF 장비와 비교하여 높은 우수성을 보장한다출력은 10-20kW, 효율은 30-40%, 작업 대역 30%, 파장 범위 cm/dm, 동작 모드는 주파수 펄스와 영구, 가속 전압은 20V, 전자빔 전류는 2.5-3.5를 가진다
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
광학적으로 비투과 매질(다리 지원, 항만, 공항 계류, 가스 파이프라인 수송 통로)에 놓여있는 목표물을 초음파 영상으로 연속 감시 또는 유지 보수가 가능한 광학 영상 장치로 수중 목표물의 감시와 비밀 검출에서 TV 카메라를 위한 변경된 방법을 이용한다. 음향 공학 영상 장치는 초음파 주입기에 의한 주위 매질 소리 활동에 의존한다. 초음파 물체에 반사된 신호와 초음파 영상의 트랜스듀서에 도착한 신호는 TV 표준에서 형성된 광학 영상으로 변환한다. 기술적 특성은 각 분해능이 1, 음원 전파 주파수가 1-3MHz, 시야각 40, 최대 거리 40m, 최대 깊이 기울기 50m, 중량 최대 30kg, 수중 부품 크기 640*450*250이다. 실시간 영상 처리와 영상 표시를 위한 인터페이스를 가진 개인용 컴퓨터, 모니터, 전원 공급을 가진 제어 패널로 구성되어 있다.각 분해능이 1, 음원 전파 주파수가 1-3MHz, 시야각 40, 최대 거리 40m, 최대 깊이 기울기 50m, 중량 최대 30kg, 수중 부품 크기 640*450*250이다. 실시간 영상 처리와 영상 표시를 위한 인터페이스를 가진 개인용 컴퓨터, 모니터, 전원 공급을 가진 제어 패널로 구성되어 있다.
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- 2001-06-13
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전기·전자 > 계측기기
검사 영역 전역에서 수행되는, 금속 물체의 인식을 위한 경비 시스템에서 사용되는 기술에 대해 서술하였다. 이 기술의 기본 원리는 쌍극자 모멘트, 이차 가변장의 위상, 사중극 및 팔중극 자기 모멘트에 의해 자기장의 요동을 측정하여, 이동되는 물체의 다중 극점 자기 모멘트를 결정하는 것이다. 이 기술에 의해 이동 무기의 형태, 이동 금속의 형태, 이동되는 물품 위치의 좌표(벨트 위, 가방 안, 주머니 안 등)를 결정하는 것이 가능하다. 그리고 무기의 형태(수류탄, 총, 자동 소총, 등)가 인식될 수 있는 것을 기본으로 하여, 이동 무기의 등가 길이를 결정할 수 도 있다.이 기술의 기본 원리는 쌍극자 모멘트, 이차 가변장의 위상, 사중극 및 팔중극 자기 모멘트에 의해 자기장의 요동을 측정하여, 이동되는 물체의 다중 극점 자기 모멘트를 결정하는 것이다
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- 2001-06-13
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
화상 인식 인쇄용 기계와 전문 레이저 프린터에 대해 서술하였다. 이 장치는 그래픽 정보를 기록하는데 있어 넓은 형태의 캐리어로 화상을 수평 스윕하는 기능을 지니고 있다. 주사 장치의 시작 및 정지시에는 가스 서스펜션은 압축 공기로 과충전되게 된다. 작동 조건에서는 과충전이 중단되고, 가스 동적 서스펜션은 자기-조절된다.그래픽 정보를 기록하는데 있어 넓은 형태의 캐리어로 화상을 수평 스윕
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- 2001-06-13
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전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
위치 센서로 자석의 기계적 이동을 기록하고, 회전 카운터와 전류의 무접촉 센서와 밸브 전자 엔진으로 회전 주파수 제어 행할 수 있는 비접촉 전기 계전기와 스위치의 감지 장치로 구성된 저전력 자기 감도 CMOS IC이다. 자성 감지 IC(MIC)는 공정 회로, 증폭 회로와 자성 감지 MOSFET로 구성되어 있으며 CMOS 기술과 단일칩으로 실현하였다. MIC는 칩표면의 수직 자계 성분에 민감하며 아날로그와 임계값의 두 가지 출력 신호를 가진다. 인가된 자계값에 의존하는 임계 MIC 출력 신호에 대하여 논리적 0의 레벨에서 1로 변화하며 미리 결정된 히스테리시스를 가진다. MIC는 저전류와 저소비 전력을 가진다. CMOS IC는 칩표면에 수직이고 출력 전압을 나타내는 외부 자계 성분으로 이루어진 집적화된 트랜스듀서이다. MIC는 공정 회로, 증폭 회로, 자성 감지 MOSFET로 구성되며 단일칩 (1.1mm*1.2mm)으로 제작되었다. 이 칩은 접지, 전원, 출력, 2개의 제어 입력으로 구성된 5개의 핀을 가지고 있다. 제어핀들은 자계의 여러 범위에서 동작하도록 MIC 동조를 허용한다. 소자를 소형으로 제작하고 신뢰도를 높이며 비용 절감을 위해서 그룹 공정을 이용하였다. 저전력 IC가 가능한 표준 CMOS 기술에 기초하여 형성된 자성 감지 IC 개발의 필요성이 명시되었으며 이것은 특별히 자율 전원, 휴대용 제어, 계측 장비를 가진 다양한 소자에 있어서 중요하다. 집적 자성 감지 IC와 이들 개발에 대한 다양한 센서를 제작하는 외국 주요 업체는 미국의 스프라규, 하니웰, 텍사스 인스트루먼트, 독일의 지멘스이다. 개발된 자성 감지 CMOS IC의 장점과 특징은 소형이면서 강력한 회로 구성이 가능하며, 자성 감지 트랜스듀서의 전력 소비를 줄여줄 수 있다는 점이다. 개발된 MIC는 2개의 제어 입력에 의해 자계의 여러 영역에서 동작할 수 있는 제어가 가능한 확장된 기능 성능도 가진다.소형이면서 강력한 회로 구성이 가능하며, 자성 감지 트랜스듀서의 전력 소비를 줄여줄 수 있으며, 개발된 MIC는 2개의 제어 입력에 의해 자계의 여러 영역에서 동작할 수 있는 제어가 가능한 확장된 기능 성능도 가진다.
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- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
게이지의 새로운 등급 개발 즉 마이크로 전자 압력 센서(MPS) 개발을 위한 마이크로 전자 압력 트랜스듀서로서 마이크로 전자 압력 센서(MPS)를 사용한 경우와 사용하지 않는 2가지 경우를 고려하여 마이크로 전자 모듈, 실리콘 멤브레인 스트레인 게이지(IPD)를 개발하였다. IPD와 그 모듈들은 비정규화된 출력을 가진다. MPS는 0.25, 0.4, 1의 정밀도를 가지는 4-20mA 또는 0-5mA의 표준 출력 신호를 가진다. 이 제품에 대한 주요 특성은 공칭 압력 범위 0.04-30MPa, 공칭 압력에서 출력 신호 50-70mV, 온도 범위 -50도C에서 +60도C까지, 온도 감도 0.03%/도C 미만, 영점 이동 0.03%/도C 미만, 영점 히스테리시스 전압 0.1mV 미만, 출력 신호 비선형성 0.3% 미만, 압력 과부하 허용 범위 5Pnom 이하이다. 외국의 주요 비슷한 제품(예를들어 미국의 엔덴보코, 하니웰)과 본 트랜스듀서의 주요한 기술적 특성이 일치하며 과부하 허용과 가격면에서 다른 외국 제품에 비해 우수하다. 공칭 압력 범위 0.04-30MPa, 공칭 압력에서 출력 신호 50-70mV, 온도 범위 -50도C에서 +60도C까지, 온도 감도 0.03%/도C 미만, 영점 이동 0.03%/도C 미만, 영점 히스테리시스 전압 0.1mV 미만, 출력 신호 비선형성 0.3% 미만, 압력 과부하 허용 범위 5Pnom 이하.
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- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 제어·자동화
다층 금속화가 가능한 VLSI 클러스터 장비의 유전체층(SiO2, 유리)에서 다양한 에칭 프로파일을 가진 에칭 접촉 윈도우와 단결정 실리콘에서 유전체 트렌치 분리 형성 영역을 위한 리액터를 제작하였다. (A) 내부층 유전체의 등방성 에칭(IE)의 단계를 위한 리액터의 전력 공급은 고주파 13.56MHz, 직경 150mm의 공정 웨이퍼를 위한 리액터의 크기는 300*300*300mm를 넘지 않으며 다른 특성으로는 SiO2의 등방성 에칭 속도(SF6에 가스 혼합)는 2500-4000A/min, 에칭 불연속성, 3-5%, SiO2/포토레지스트의 선택도 5:1-20:1, HF 전력(13.56MHz) 1000Wt까지, 웨이퍼 온도 +80에서 90도C까지이다. (B)웨이퍼의 헬륨 냉각 즉 도핑 다결정 실리콘의 동시 에칭 또는 다결정 실리콘에서 트렌치 구조를 만들기 위해 설계된 마그네트론 방전 소자를 가진 리액터(Cl2에 기초한 기체 혼합을 이용하였을 때)의 주요 시험 결과는 트렌치 모드에서 에칭 단결정 속도는 0.3마이크로미터/분, 에칭 이방성 0.98, SiO2 마스크에의 에칭 선택도 10-15, 트렌치의 도달 깊이는 12마이크로미터 이상 가능하다 이용 가능한 다른 리액터에 비하여 IE 리액터는 후글로우 시스템과 같은 포토레지스트 마스크의 "부드러운" 제거 또는 "부드러운 세정"을 위해 IE 사용을 허용하는 다른 래디컬(예를 들면 산소) 뿐만 아니라 불소의 강한 흐름원을 견딜 수 있다. 가장 유사한 제품으로는 무지개 유닛(Rainbow Unit)에 근거한 램(Lam) 연구소의 시제품이 있다. IE 리액터는 스크린 그리드가 없는 즉 포토레지스트에 대한 고감도(20이상)를 가진 빠른 에칭 속도와 부가적인 결함을 줄여줄 수 있는 보다 간단한 설계로 구성되어 있다. 유사 제품을 정밀도 5000 마크 5 유닛에서 적용된 재료들로 의해 실현하였다. 제안한 버전은 현저히 저가격의 리액터에서 유사한 에칭 특성을 보장한다.(A) 내부층 유전체의 등방성 에칭(IE)의 단계를 위한 리액터의 전력 공급은 고주파 13.56MHz, 직경 150mm의 공정 웨이퍼를 위한 리액터의 크기는 300*300*300mm를 넘지 않으며 다른 특성으로는 SiO2의 등방성 에칭 속도(SF6에 가스 혼합)는 2500-4000A/min, 에칭 불연속성, 3-5%, SiO2/포토레지스트의 선택도 5:1-20:1, HF 전력(13.56MHz) 1000Wt까지, 웨이퍼 온도 +80에서 90도C까지이다. (B)웨이퍼의 헬륨 냉각 즉 도핑 다결정 실리콘의 동시 에칭 또는 다결정 실리콘에서 트렌치 구조를 만들기 위해 설계된 마그네트론 방전 소자를 가진 리액터(Cl2에 기초한 기체 혼합을 이용하였을 때)의 주요 시험 결과는 트렌치 모드에서 에칭 단결정 속도는 0.3마이크로미터/분, 에칭 이방성 0.98, SiO2 마스크에의 에칭 선택도 10-15, 트렌치의 도달 깊이는 12마이크로미터 이상 가능하다
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
힘, 하중. 운동과 가속을 전기적 신호로 변환하는 트랜스듀서로서 낮은 가격과 높은 도량학적 특성을 가진 TKB 시리즈의 집적 스트레인 빔 트랜스듀서에 대한 독점 설계와 기술이다. 트랜스듀서는 표면에 스트레인 임피던스 브리지를 가진 특수 형태의 교차 오목형에서 제작된 기계적 응력 집중기의 직사각형 실리콘 빔으로 구성되어 있다. 이 제품의 주요 기술적 특성은 공칭 부하 0.15-0.20 N, 최대 부하 0.45-0.60N, 공급 전압 5, 6.4, 8, 9V, 공칭 출력 신호 (100, 130, 160, 200) +-20%mV, 출력 신호 비선형성 0.2% 미만, 동작 온도 범위 -40도C에서 +100도C까지, 드리프트 온도 감도 0.02%/도C 미만이다. 빔 트랜스듀서를 가진 단일칩상의 집적 온도 보상 회로는 트랜스듀서 칩의 영역에서 온도의 정밀 측정을 위해 -40도C에서 +100도C까지 범위의 큰 온도 보상(가장 좋은 외국 제품에서는 -20도C에서 +70도C까지), 0.02%/도C보다 작은 온도 감도 드리프트를 가진 공개된 온도 범위에서 주요 트랜스듀서의 특성을 얻을 수 있다. 빔 트랜스듀서에서 과부하 수송 능력의 기술적 경로로 인한 특수한 기술 때문에 칩의 수는 증가한다. 2측면 정렬의 독점 기술은 빔 트랜스듀서의 전기-물리적 특성에서 재생산성을 향상시켜 결정의 생산성을 증가시킨다. 외국의 주요 비슷한 제품(예를 들어 미국의 엔데보코, 하니웰)의 트랜스듀서와 기술적 특성이 일치하며 과부하 허용과 가격이 다른 제품에 비해 우수하다.공칭 부하 0.15-0.20 N, 최대 부하 0.45-0.60N, 공급 전압 5, 6.4, 8, 9V, 공칭 출력 신호 (100, 130, 160, 200) +-20%mV, 출력 신호 비선형성 0.2% 미만, 동작 온도 범위 -40도C에서 +100도C까지, 드리프트 온도 감도 0.02%/도C 미만이다. 빔 트랜스듀서를 가진 단일칩상의 집적 온도 보상 회로는 트랜스듀서 칩의 영역에서 온도의 정밀 측정을 위해 -40도C에서 +100도C까지 범위의 큰 온도 보상(가장 좋은 외국 제품에서는 -20도C에서 +70도C까지), 0.02%/도C보다 작은 온도 감도 드리프트를 가진 공개된 온도 범위에서 주요 트랜스듀서의 특성을 얻을 수 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
마이크로 전자 압전 저항 가속도계는 다른 기술적 대상, 교통 차량, 산업 기기의 동작과 연구에서 진동과 충격 가속 측정을 행한다. 액체 제동을 가진 AVI1과 MTA1 시리즈의 소형 압전 저항 가속계는 실리콘 스트레인 빔 트랜스듀서(TKB)에 기초한다. 감지 요소들은 집중기를 가진 콘솔빔의 형태와 온도 보상 회로로 구성된 집적 회로의 스트레인 저항 브리지와 얕은층에서 단결정 실리콘 형태로 제작되었다. 측정 범위는 MTA 1 20이 +-20g, AVI 1 100과 MTA 1 100이 +-100g, AVI 1 200과 MTA 1 200이 +-200g, AVI 1 500이 +-500g이며, 감도는 MTA 1 20이 4mV/g 이상, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0.5mV/g 이상,, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0.3mV/g 이상, AVI 1 500이 0.1mV/g 이상이며, 공급 전압은 5V, 비선형성, 히스테리시스는 1%FS 미만, 주파수 범위는 MTA 1 20이 0-300Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0-500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0-1000Hz, AVI 1 500이 0-1200Hz이며 고유 주파수 MTA 1 20이 500Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 1500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 2000Hz, AVI 1 500이 3500Hz이며, 제동 인자 0.4, Uss=5mV에소 영출력 신호는 25 미만, 온도 감도 계수 0.2%/10K 미만, 중량은 AVI 1 2.5g, MTA 1이 6g을 넘지 않으며, 크기는 AVI 1이 직경 14*5.1, MTA 1이 직경 14.2*19.2이고 모두 부착형으로 되어 있다. 러시아와 외국의 다른 비슷한 제품(예를 들어 미국의 엔데보코)과 기술적 특성이 동일한 압전 저항 가속기가 개발되었고 소형화와 낮은 가격이 다른 외국 제품에 비해 우수하다.측정 범위: MTA 1 20이 +-20g, AVI 1 100과 MTA 1 100이 +-100g, AVI 1 200과 MTA 1 200이 +-200g, AVI 1 500이 +-500g이며, 감도는 MTA 1 20이 4mV/g 이상, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0.5mV/g 이상,, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0.3mV/g 이상, AVI 1 500이 0.1mV/g 이상이며, 공급 전압은 5V, 비선형성, 히스테리시스는 1%FS 미만, 주파수 범위는 MTA 1 20이 0-300Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0-500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0-1000Hz, AVI 1 500이 0-1200Hz이며 고유 주파수 MTA 1 20이 500Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 1500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 2000Hz, AVI 1 500이 3500Hz이며, 제동 인자 0.4, Uss=5mV에소 영출력 신호는 25 미만, 온도 감도 계수 0.2%/10K 미만, 중량은 AVI 1 2.5g, MTA 1이 6g을 넘지 않으며, 크기는 AVI 1이 직경 14*5.1, MTA 1이 직경 14.2*19.2이고 모두 부착형임.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
하중과 힘게이지와 이들에 기반한 소자를 개발하였다. 감지 요소는 기계적 응력 집중기를 가진 단결정 실리콘빔이며 단결정 실리콘빔 표면에 온도 보상 회로와 집적 스트레인 임피던스 브리지를 구성하였다. 감지 요소는 평형 사변형 Roberval 형태에서 실리콘 또는 강철로 구성된 탄성 형태속에 고정된 강체이다. 본 제품의 주요 특성은 공칭 부하 PS 1 100이 100g, PS 1 500이 500g, PS 1 10K 10kg, PS 2 100이 100kg, PS 2 1000이 1000kg, PS 2 10000이 10000kg이며, 공칭 출력 신호(FS)는 모두 70-100mV, 공급 전압 5V, 최대 부하 PS 1 100DL 1.0kg, PS 1 500이 2.0kg, PS 1 10K가 20kg, PS 2 100이 200kg, PS 2 1000이 2000kg , PS 2 10000이 20000kg이며, 비선형성 히스테리시스는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.1%FS 미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.2%FS 미만 이며, 온도 범위는 -40도C에서 +70도C까지, 온도 감도 계수는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.2%/10K미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.5%10K미만이며 영온도 계수는 .5%FS/10K, 중량은 PS 1 100이 25g, PS 1 500이 30g, PS 1 10K 50g, PS 2 100이 200g, PS 2 1000이 1000g, PS 2 10000이 8000g이다. 개발된 힘 센서들은 외국의 유사한 제품과 특성과 비슷하며 출력 신호는 다른 외국 및 러시아 제품보다 우수하다.공칭 부하 PS 1 100이 100g, PS 1 500이 500g, PS 1 10K 10kg, PS 2 100이 100kg, PS 2 1000이 1000kg, PS 2 10000이 10000kg이며, 공칭 출력 신호(FS)는 모두 70-100mV, 공급 전압 5V, 최대 부하 PS 1 100DL 1.0kg, PS 1 500이 2.0kg, PS 1 10K가 20kg, PS 2 100이 200kg, PS 2 1000이 2000kg , PS 2 10000이 20000kg이며, 비선형성 히스테리시스는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.1%FS 미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.2%FS 미만 이며, 온도 범위는 -40도C에서 +70도C까지, 온도 감도 계수는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.2%/10K미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.5%10K미만이며 영온도 계수는 .5%FS/10K, 중량은 PS 1 100이 25g, PS 1 500이 30g, PS 1 10K 50g, PS 2 100이 200g, PS 2 1000이 1000g, PS 2 10000이 8000g이다.
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- 2001-06-14
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전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
고체 물체 표면 뿐 아니라 액체, 기체, 과립 매질의 온도 측정을 위한 넓은 공칭 저항값과 높은 변환 정밀도, 넓은 측정 범위를 가진 저항 열변환기 박막 온도 감지 원소를 제작하였다. 이 기술은 이온 플라스마 근사, 전자빔 증착, 포토리소그래피, 레이저 조절 등과 같은 기술을 포함하며 제작시 높은 생산성을 제공한다. 주요 특성은 0도C에서 공칭 저항 50,100(500, 1000)오옴이며, W100값은 1.424-1.428, 측정 온도 범위 -50도C에서 +200도C까지, 액체에서 열 지체 지수 50s 이상 되지 않는 특성을 가진다. 또한 수K 오옴까지 공칭 저항값을 증가시킬 수 있으며, 개별 온도 감지 요소의 상호 교환 가능성, 감지 요소의 모든 크기와 재료들의 고유 소비 감소, 집적 회로 출력에서 특성화된 플랜트의 고속 제품 생산이 가능하다. 세계 최초로 완전 규모 생산에서 제작한 유선 열 컨버터와 유사한 실제 특성을 구현하였다. 이 기술은 브루셀에서 개최된 유레카 95 발명 경진 대회에서 수상한 기술이다. 온도 감지 요소(온도-감지 저항)들은 아직까지 생산된 것이 없으며 그들 특성은 국내외의 유사한 측정기보다 우수하다.0도C에서 공칭 저항 50,100(500, 1000)오옴이며, W100값은 1.424-1.428, 측정 온도 범위 -50도C에서 +200도C까지, 액체에서 열 지체 지수 50s 이상 되지 않는 특성을 가진다. 또한 수K 오옴까지 공칭 저항값을 증가시킬 수 있으며, 개별 온도 감지 요소의 상호 교환 가능성, 감지 요소의 모든 크기와 재료들의 고유 소비 감소, 집적 회로 출력에서 특성화된 플랜트의 고속 제품 생산이 가능.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
일반 산업에 이용하는 압력과 차동 압력 송신기에 대한 개별 또는 특수 사용 송신기를 제작하였다. 압전 공진기 압력과 힘 트랜스듀서들은 부호의 변형에 10% 정도 변할 수 있는 40kHz 고유 주파수를 가진 포크 힘-감지 공진기의 수정 마이크로 동조에 기초하여 제작하였다. 스트레인 게이지 트랜스듀서들은 내장 온도 감지 마이크로 동조 포크 공진기 또는 송신기에서 요구하는 부가적인 온도 오차 설정에 의존하지 않는 하나 또는 2개의 공진기로 설계할 수 있다. 주요 기술적 경제적 특성을 살펴보면 힘에 따른 측정 범위 0-0.5kgf와 0-5kgf, 압력에 따른 측정 범위 0-2.5, 0-16,0-25, 0-100MPa, 힘스트레인 게이지 트랜스듀서를 위한 최대 부하에서 힘 점변위 250+-50mm, 공진기 양의 편차(최대) 1kHz, 출력 신호 변동(최대) 0.05%, 2개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 0.25%, 1개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 1%, 특성의 비재생산성(최대) 0.05%. 과부하 최대 1.5, 동작 온도 범위 -50도C에서 +80도C까지, 추가 온도 오차(최대) 0.05%/도C, 0.5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 25MPa, 5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 40MPa, 조립 온도 감지 공진기의 감도 2+-0.15 Hz/도C, 자원 최대 150000H이다. 압전 공진 스트레인지 게이지 트랜스듀서 생산에 대한 정보는 러시아나 외국에는 없다. 압전 공진 압력과 힘스트레인 게이지 트랜스듀서들은 사용자들의 몇 가지 실제적인 작업을 해결하는 최초의 방법을 제공하게 될 것이다.힘에 따른 측정 범위 0-0.5kgf와 0-5kgf, 압력에 따른 측정 범위 0-2.5, 0-16,0-25, 0-100MPa, 힘스트레인 게이지 트랜스듀서를 위한 최대 부하에서 힘 점변위 250+-50mm, 공진기 양의 편차(최대) 1kHz, 출력 신호 변동(최대) 0.05%, 2개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 0.25%, 1개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 1%, 특성의 비재생산성(최대) 0.05%. 과부하 최대 1.5, 동작 온도 범위 -50도C에서 +80도C까지, 추가 온도 오차(최대) 0.05%/도C, 0.5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 25MPa, 5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 40MPa, 조립 온도 감지 공진기의 감도 2+-0.15 Hz/도C, 자원 최대 150000H이다.
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