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나노 자성 물질 입자를 포함하는 복합체를 개시한다. 유전체 기지 내에 어느 한 방향으로 형태상 배열된 비대칭 형상을 가지는 나노 자성체 입자들을 포함하는 복합체를 제공할 수 있다. 이때, 기지는 실리카(silica), 알루미나(alumina) 또는 수소실세스퀴옥산(hydro silsesquioxane) 등과 같은 무기 물질로 이루어지거나 폴리이미드(polyimide), 에폭시(epoxy), PMMA(poly methyl methacrylate) 또는 메틸실세스퀴옥산(methyl silsesquioxane) 등과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 나노 자성체 입자는 γ-Fe 2 O 3 , CrO 2 , EuO, Co 또는 Ni로 이루어질 수 있다. 유전체 기지; 및 상기 기지 내에 어느 한 방향으로 형태상 배열된 비대칭 형상을 가지는 나노 자성체 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체.
본 발명은 탄소 나노튜브의 기상 합성방법에 관한 것으로서, 500 내지 3,000torr의 압력 하에서 촉매 및 탄화수소 가스를 함유하는 반응기 내에 고전압 방전시켜 플라즈마를 발생시키는 본 발명의 탄소 나노튜브 기상 합성방법에 의하면, 온화한 반응 조건하에서 탄소 나노튜브를 대량으로 간단하게 합성할 수 있다. 500 내지 3,000torr의 압력 및 260 내지 600℃의 온도 조건하에서 촉매 및 탄화수소 가스를 함유하는 반응기 내에 10 내지 20KV의 교류 전압을 방전시켜 플라즈마를 발생시키는 것을 포함하는, 탄소 나노튜브의 기상 합성방법.
본 발명은 설포로부스 솔파타리쿠스 ( Sulforobus. solfataricus ) 유래의 내열성 에스터라아제 유전자가 클로닝된 재조합 벡터 pEST3 및 그 형질전환체, 그리고 이러한 형질전환체가 생산하는 재조합 내열성 에스터라아제에 관한 것이다. 또한 본 발명은 그러한 재조합 내열성 에스터라제에 의한 고온에서의 광학 선택적인 가수분해를 통하여 카르복실산 에스터 라세미체에서 광학적으로 순수한 카르복실산을 제조하는 방법에 관한 것이다.; 본 발명의 설포로부스 솔파타리쿠스( Sulforobus solfataricus ) 유래의 내열성 에스터라제는 열에 대한 안정성이 높아 고온에서 효소의 활성 시간이 길고 고온에서 반응을 시킬 수 있어 물질의 확산이나 화학반응 속도를 빠르게 진행시킬 수 있으며, 용해도가 낮은 물질을 온도를 올려 용해도를 증가시켜 반응을 시킬 수 있다. 또한 화학촉매와 달리 높은 광학 선택적 가수분해 특성을 이용하여 케토프로펜과 같은 카르복실산 의약품의 광학적으로 순수한 광학활성 의약품 개발과 생물촉매 공정기술의 핵심기술로서 사용될 수 있을 것으로 기대된다. 서열번호 1의 아미노산 서열을 갖는 에스터라아제.
본 발명은 계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 폴리실리콘 반도체막 위에 이산화규소 절연막을 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소로 플라즈마 처리하고, 이어서 절연막을 추가로 증착시키는 본 발명의 방법에 따르면, 반도체막과 절연막 간의 계면부 및 전이영역의 결함을 감소시키고 전기적 화학적 특성을 개선시켜 우수한 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 폴리실리콘 반도체막 및 이산화규소 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 반도체막 위에 절연막을 3 내지 9 nm의 두께로 1차 증착시킨 다음, 증착된 절연막을 산소, 질소 또는 산화질소 플라즈마로 처리하고, 이어서 나머지 두께의 절연막을 추가로 증착시키는 것을 특징으로 하는, 박막 트랜지스터의 제조방법.
본 발명은 플라스틱과 같이 내열성이 낮은 기판 상에 고품위의 절연막을 증착할 수 있도록 하는 저온 증착 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 방법은 a) 플라즈마에 의해 절연물질 전구체를 포함하는 반응기체를 기판 상에 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 반응기체 공급을 중단하고 플라즈마 처리만을 단독으로 실시하는 단계;를 포함하며, 절연막이 소정 두께에 도달할 때까지 상기 a) 및 b) 단계를 반복하는 것을 특징으로 한다. a) 플라즈마에 의해 절연물질 전구체를 포함하는 반응기체를 기판 상에 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 b) 반응기체 공급을 중단하고 플라즈마 처리만을 단독으로 실시하는 단계;를 포함하며, 절연막이 소정 두께에 도달할 때까지 상기 a) 및 b) 단계를 반복하는 절연막 증착 방법.
본 발명은 반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드 원료기체를 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 기존의 방법보다 획기적으로 낮은 온도에서 목적하는 조성의 금속 실리케이트 박막을 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 원자층 화학증착법에 의한 금속 실리케이트 박막의 제조에 있어서, 원료기체로서 금속 알콕시드 및 실리콘 할라이드를 사용하는 것을 특징으로 하는, 금속 실리케이트 박막의 제조방법.
본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 상온에서 액상으로 존재하며 기화온도가 낮으므로 화학증착법에 의해 실리콘 또는 하프늄을 포함하는 산화물 박막을 효율적으로 제조할 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; (상기 식에서, M은 Hf 또는 Si이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 5이다) 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 [IMAGE 3] 상기 식에서, M은 하프늄(Hf) 또는 실리콘(Si)이고, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬이고, m은 2 내지 5이다.
본 발명은 신규한 유기금속 화합물에 대한 것으로, 하기 화학식 1의 유기금속 화합물은 황색의 발광특성을 가지며 유기전기발광소자에 유용하게 사용될 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, R1 내지 R9은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 또는 C 6-20 헤테로방향족 그룹이다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물: 화학식 1 [IMAGE 5] 상기 식에서, R1 내지 R9은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 또는 C 6-20 헤테로방향족 그룹이다.
본 발명은 신규한 유기금속 화합물에 대한 것으로, 하기 화학식 1의 유기금속 화합물은 황색의 발광특성을 가지며 유기전기발광소자에 유용하게 사용될 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 및 C 6-20 헤테로방향족 기로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기 금속 화합물: 화학식 1 [IMAGE 5] 상기 식에서, R1 내지 R6은 각각 수소, 할로겐, 하이드록실, 니트로, 카보닐, 카복실, 아미노, 아미드, 설포네이트, C 1-10 알킬, C 6-20 아릴 및 C 6-20 헤테로방향족 기로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다.
본 발명은 마이크로 채널에 시간 주기적 전기장을 걸어서 전기 삼투 흐름을 카오스적으로 교란하여 유체를 혼합하는 방법을 제공한다.; 상기 전기장의 적정 진폭 및 진동수를 찾아 마이크로 채널에 시간 주기적 전기장을 걸어 주어 유체의 혼합 효율을 향상시킬 수 있다. 이는 기존의 마이크로 채널의 형태에만 의존하던 시료의 혼합을 전기 역학적 방법으로 전환함으로써 채널 형태의 변형에 따른 부가적인 비용, 혼합시간, 시료의 양 등을 절약하는 결과를 얻어 마이크로 채널을 포함하는 마이크로칩의 상용화에 크게 기여할 것이다. 채널 표면의 전위가 주기적으로 비균일한 마이크로 채널에 시간 주기적 전기장을 주어 전기 삼투 흐름을 카오스적으로 교란하는 단계를 포함하며, 상기 시간 주기적 전기장이 하기 수학식 1의 전기장을 사용하는 것을 특징으로 하는 유체 혼합 방법: <수학식 1> [IMAGE 10] 식중, a는 진폭, ω는 진동수를 나타낸다.
본 발명은 원자층 화학증착법(ALCVD)을 이용한 다성분 박막의 증착에 관한 것으로서, ALCVD의 원료 주입 단계에서, 서로 반응성이 없는 2종 이상의 원료기체를 동시에 주입하고, 이때 상기 원료기체는 증착시키고자 하는 조성비에 해당하는 각각의 양으로 조절하여 주입됨을 특징으로 하며, 본 발명의 방법에 의하면, 목적하는 조성의 다성분 박막을 용이하고 신속하게 증착시킬 수 있다. 원자층 화학증착법을 이용하여 지르코늄 실리케이트 박막을 제조하는 방법에 있어서, 원료기체로서 서로 반응성이 없는 Si(N(C 2 H 5 ) 2 ) 4 기체와 Zr(N(C 2 H 5 ) 2 ) 4 기체를 증착시키고자 하는 조성비에 해당하는 각각의 양으로 동시에 주입하는 것을 특징으로 하는 방법.
본 발명은 BTO에 이트륨(yttrium)이 도핑(dopping)된 BYT 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 BYT 박막은 분극 수치 및 전기적 피로 수준이 향상되어 우수한 강유전 특성을 가지며, 따라서 고속, 대용량, 저전력 및 비휘발성 특성을 갖는 FRAM(ferroelectric random access memory) 소자 등에 유용하게 사용될 수 있다. 하기 화학식 1의 조성을 가진 비스무스 이트륨 티타네이트(BYT) 박막: 화학식 1 Bi 4-x Y x Ti 3 O 12 상기 식에서, x는 0.1 내지 2이다.
본 발명은 반도체 소자용 하프늄 실리케이트(HfSi x O y , 이때 0.1<x<9이고, 2<y<40이다) 게이트 절연막의 제조방법에 관한 것으로서, 0.1 내지 2 torr의 반응기 압력 하에서 실리콘 알콕시드, 및 하프늄 할라이드 또는 하프늄 아미도 화합물 원료기체의 증기압을 0.1 내지 2 torr로 조절하여 상기 원료기체를 250 내지 500℃로 가열된 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 불순물의 혼입이 적은, 목적하는 조성의 하프늄 실리케이트 박막을 빠르고 재현성 있게 제조할 수 있으며, 이와 같이 제조된 하프늄 실리케이트 박막은 게이트 절연막으로서 다양한 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 0.1 내지 2 torr의 반응기 압력 하에서 실리콘 알콕시드, 및 하프늄 할라이드 또는 하프늄 아미도 화합물 원료기체의 증기압을 0.1 내지 2 torr로 조절하여 상기 원료기체를 250 내지 500℃로 가열된 기판에 접촉시켜 원자층 화학증착시키는 것을 포함하는, 하프늄 실리케이트 박막의 제조방법.
본 발명은 하기 화학식 1의 유기금속 착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기금속 화학증착법에 관한 것으로, 본 발명의 유기금속 착물은 상온에서 고상으로 존재하며 기존의 유기금속 착물에 비해 휘발성이 우수하여 화학증착법에 의해 란타나이드 또는 산화수가 3인 금속을 포함하는 산화물 박막을 효율적으로 제조할 수 있다.; ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기 식에서, M은 란타나이드 금속 및 산화수가 3인 금속원소 중에서 선택되는 원소이고; R은 C 1 -C 4 알킬이며; m은 2 내지 5 범위의 정수이다. 하기 화학식 1로 표시되는 유기금속 착물: 화학식 1 [IMAGE 3] 상기 식에서, M은 란타나이드 금속 및 산화수가 3인 금속원소 중에서 선택되는 원소이고; R은 C 1 -C 4 알킬이며; m은 2 내지 5 범위의 정수이다.
본 발명은 질소산화물 제거용 Cu/제올라이트 촉매 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 Si/Al의 몰비가 14 내지 95인 제올라이트 담체 상에 4 ℃ 내지 상온 범위의 저온에서 구리이온으로 이온교환 반응을 실시한 후 소성하여 제조된 Cu/제올라이트 촉매는 질소산화물 제거활성 및 열수(hydrothermal) 안정성이 우수하여 배기가스 내의 질소산화물 제거용 촉매로서 유리하게 사용될 수 있다. Si/Al의 몰비가 14 내지 95인 제올라이트를 2가 구리이온 함유 수용액과 혼합하여 4 ℃ 내지 상온에서 이온교환 반응을 실시한 후 건조 및 공기 중에서 소성하는 것을 포함하는, 질소산화물 제거용 Cu/제올라이트 촉매의 제조방법.
본 발명의 장갑은, 손등과 손가락 관절의 동작에 상응하게 신축하는 신축부가 손의 각 관절을 따라 구비되며, 손의 윗부분을 덮게 형성된 손등면;과, 손바닥을 감싸도록 형성된 손바닥면;을 포함하고, 상기 손바닥면이 상기 손등면보다 상대적으로 작게 재단된 후에, 이를 서로 봉합해서 형성된다. 손등과 손가락 관절의 동작에 상응하게 신축하는 신축부가 손의 각 관절을 따라 구비되며, 손의 윗부분을 덮도록 형성된 손등면;과, 손바닥을 감싸도록 형성된 손바닥면;을 포함하고, 상기 손바닥면이 상기 손등면보다 상대적으로 작게 재단된 후에, 이를 서로 봉합해서 형성한 것을 특징으로 하는 장갑.
본 발명은 전기삼투 현상을 이용하여 미세 액적의 흔적을 제어하는 발명이다. 미세 전극을 이용한 전기삼투 흐름을 액적 내부에 유발시켜 증발 후의 액적 흔적을 균일하게 분포하도록 하여 DNA 또는 단백질 칩등의 분석의 효율을 높일 수 있다. 이는 분석 시간과 시료의 양을 줄임으로써 분석 장비 경제화에 크게 기여할 것이다. 기판 상의 스팟주위에 형성된 원형 전극과 스팟중심에 형성된 점 전극, 그리고 상기 원형띠 전극과 점 전극에 연결된 패드들을 포함하고, 상기 패드를 통해 전위차를 걸어주어 스팟상 액체 시료내에 방사형 전기 삼투 유동을 유발시키는 것을 특징으로 하는 미세 액적 흔적 제어장치.
본 발명은 화학촉매를 사용하는 라세미화 반응과 생물촉매를 사용하는 광학분할 반응을 하나의 반응계에서 상호 연결시켜 광학적으로 순수한 형태의 프로펜류를 생산하는 방법에 관한 것으로, 화학촉매를 사용하는 라세미화 공정과 고온에서도 안정하며 최적의 활성을 보이는 초호열성 효소의 생물촉매를 사용하는 광학분할 공정을 조합하여 하나의 반응계에서 일어나도록 하는 DKR(Dynamic Kinetic Resolution) 공정을 이용함으로 광학적으로 순수한 프로펜류 고수율로 얻을 수 있는 생산방법을 제공한다. 상기와 같이, 본 발명은 초호열성 효소를 생물촉매로 사용함으로 전체 DKR 공정이 높은 온도에서 수행될 수 있어 라세미화 반응 속도를 보다 빠르게 함으로 최종 산물의 수율 및 광학순수도를 향상하고, 종래의 화학공정에 비해 유기용매의 사용이 현저히 줄임으로 환경친화적인 프로펜류의 생산방법을 제공한다. 화학촉매를 이용한 라세미화 반응과 40~100℃에서 안정성이 유지되며 에스테르 분해능을 갖는 생물촉매를 이용한 광학분할 반응을 하나의 반응계에서 상호 결합시켜 케토프로펜, 수프로펜, 플루비프로펜, 이부프로펜 및 나프록센으로 이루어진 군으로부터 선택되는 프로펜류를 생산함을 특징으로 하는 광학이성질체 프로펜류의 생산방법.
본 발명은 고분자 복합재료로 구성된 미생물막 담체, 그 제조 방법 및 이를 이용한 생물학적 오/폐수 처리와 악취가스의 생물학적 여과(biofiltering) 방법에 관한 것으로, 비중이 1.0 이하인 고분자에 상기 고분자에 잘 용해되지 않고 비중이 1.0 이상인 고분자 물질을 일정 비율로 혼합하여 비중 범위를 0.96 내지 1.0으로 하여 압출성형하므로, 표면이 거칠어 미생물을 고농도로 부착하기가 용이하며 반응조에서 유동성인 고분자 복합재료로 구성된 미생물막 담체 및 그 제조방법을 제공한다. 상기한 바와 같이 구성되는 본 발명의 고분자 복합재료로 구성된 미생물막 담체 및 그 제조 방법은 담체 표면의 거칠기가 크고 특정의 비중을 가지므로 생물이 보다 쉽게 부착 성장하면서도 생물막의 두께가 항상 얇게 유지되고 슬러지 발생량이 적으며 침강성이 개선된 담체를 제공하고, 또한 상기 담체를 이용하여 용이하고 효율적으로 오/폐수 및 악취가스를 생물학적 처리할 수 있게 한다.비중이 1.0 이하인 고분자 물질로 된 제1성분과 상기 제1성분에 잘 용해되지 않고 비중이 1.0 이상인 고분자 물질로 된 제2성분을 비중 범위가 0.96 내지 1.0으로 되도록 일정 비율로 혼합하여 표면이 거칠게 압출 성형하여 얻어짐을 특징으로 하는 고분자 복합재료로 구성된 미생물막 담체.
음향을 활용하여 다양한 재료의 건조를 가능케 하는 기술입니다. 농산물 제품 (곡물, 야채, 과일 등), 목재, 면화, 의료 준비 및 허브, 종이, 화학 제품 및 기타 산업의 제품 수많은 재료의 음향 건조에 관한 일련의 실험이 수행되었습니다분석 결과, 특히 곡물의 발아력은 음향 건조 후에 더 나빠지지 않았다는 결과가 나왔습니다. 소규모 건조실 모형을 제작하였습니다. 수행된 실험으로 제안한 방법에 대한 경제적인 지표를 산정할 수 있게 되었습니다. 가장 중요한 경제적 지표는 건조 시 전력 소모입니다. 밀 : 곡물 1 톤의 수분을 20 %에서 14 %로 줄이기 위해서는 전통적인 방법을 사용하면 전력 150 kWh를 소모해야 합니다. 음향 방법에 따르면, 50-100 kWh만 소모됩니다.목재 : 전통적인 증기 건조 방법으로 목재 1 입방 미터의 수분을 감소시키려면 500 kWh의 전력이 소모되며 조건에 따라 더 많은 전력이 소모되기도 합니다. 음향 건조 방법을 사용하면 100-200 kW h가 소모됩니다. 전통적인 방법의 시간 소모량은 음향 건조 방법의 시간 소모량의 5~10배나 됩니다.음향 소스에 공기를 공급하기 위하여 5-6atm의 압축 공기의 압력을 제공하는 압축기가 필요합니다. 이 공기 소모량은 건조기의 출력에 따라 달라집니다. 2-5t/h의 출력을 갖는 곡물 건조기나 연간 3000 입방 미터의 목재를 건조시키려면 압축기의 생산량이 분당 30-40 입방 미터가 되어야 합니다.건조기의 디자인은 전통적인 건조기와 비교하여 매우 단순합니다. 건조기 가격은 전통적인 건조기 가격보다 몇 배다 더 낮을 것입니다. 건조기의 디자인은 모듈의 원리에 따라 달라집니다. 곡물 및 목재 건조의 기본 모듈의 출력은 상기 언급한 바와 같습니다.