일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 발명은 디지털 마스킹 기법을 이용한 실시간 입체영상 합성방법 및 장치에 관한 것으로, 종래의 렌티큐라 혹은 패러랙스 배리어 방식에 의한 입체영상 방식에 있어서는 아날로그 방식과 디지탈 방식으로 나눌 수 있는데, 아날로그 방식은 영상합성이 용이한 장점이 있는 반면에 입력이 2채널로 고정되어 시스템의 확장성에 제약을 받고, 이전의 영상처리에 어려움을 갖게 되었으며, 디지탈 방식 역시 시스템의 유연성이 제한되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안하여 디지탈 신호로 변환된 좌, 우 입력영상을 좌, 우 영상의 마스크 패턴영상과 각기 화소별로 논리곱 연산을 수행하여 스트라이프 형태의 영상을 얻고, 상기 2개의 스트라이프 형태의 영상을 화소별로 논리합 연산을 수행하여 입체영상으로 출력하게 함으로써, 컴퓨터와의 접속 및 영상처리기법의 적용 등이 용이하고, 영상데이타의 저장 및 전송이 편리하게 하고, 소프트웨어적인 데이터 처리방식을 통한 패턴의 변화가 용이하여 카메라 채널 수를 유연하게 확장할 수 있고, 실험에 쉽게 적용할 수 있게 한다.1.디지탈 신호로 변환된 좌, 우입력영상의 마스크 패턴 영상과 각기 화소별로 논리곱(logical AND)연산을 수행하여 스트라이프 형태의 영상을 얻는 단계와, 상기 2개의 스트라이프 형태의 영상을 화소별로 논리합(logical OR)연산을 수행하여 입체영상으로 출력하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 디지탈 마스킹 기법을 이용한 실시간 입체영상 합성방법.2. 좌, 우 카메라의 출력영상 신호를 입력받아 디지탈 신호로 변환하는 제1, 제2 아날로그/디지탈 변환수단과, 상기 제 1, 제2 아날로그/디지탈 변환 수단의 출력영상신호를 입력받아 저장하는 제1, 제 2 마스크 저장수단의 마스크 패턴 영상신호와 논리곱 연산을 수행한 후 그 입력 영상신호에 따른 영상신호를 교번으로 출력하는 제1, 제2 마스크 저장수단의 마스크 패턴 영상신호와 논리곱 연산을 수행한 후 그 입력 영상신호에 따른 영상신호를 교번으로 출력하는 제1, 제2연산수단과,상기 제1, 제2연산수단으로부터 교번으로 출력되는 교번 영상신호를 저장하는 교번영상 저장수단과, 상기 교번 영상 저장수단에 저장된 교번영상을 입력받아 영상매체에 표시하는 출력제어수단으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 디지찰 마스킹 기법을 이용한 실시간 입체영상 합성장치.3.제 2항에 있어서, 제1, 제2마스크 저장수단에 저장된 좌, 우 영상의 마스크 패턴 영상은 논리 0부분 및 논리 1부분이 서로 반대로 배열되어 구성된 것을 특징으로 하는 디지탈 마스킹 기법을 이용한 실시간 입체영상 합성장치.4.제 2항에 있어서, 카메라 4대를 사용하게 마스크 패턴의 수를 4개로 증가시켜 구성된 것을 특징으로 하는 디지탈 마스킹 기법을 이용한 실시간 입체영상 합성장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학 > 기타 무기화학
본 발명은 페로센과 일반식(Ⅱ)의 알릴클로로실란을 알루미늄 클로라이드 등의 루이스 산 촉매하에서 프리델-크라프트 반응으로 얻어지는 신규한 일반식(Ⅰ)로 표시되는 실릴알킬화 페로센 유도체 및 그들의 제조방법에 관한 것이다. 이 화합물은 유기금속화합물인 페로센을 함유하고 있어 실리콘 폴리머의 원료로 사용할 경우, 내열성과 전기적인 특성을 향상시킬 것으로 기대된다.일반식(Ⅰ)에 있어서, m은 0 혹은 1의 정수이고, n은 1 혹은 2의 정수이다. 다만 m이 0인 경우에는 아래 구조식과 같이 n이 1이다.일반식(Ⅰ)과 (Ⅱ)에서 R1는 수소, 탄소 1∼12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1∼12까지의 알킬기이다. R2는 염소, 탄소 2∼12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1∼12까지의 알킬기이다.1. 일반식(Ⅰ)로 표시되는 실릴알킬화 페로센 유도체;일반식(Ⅰ)에 있어서, n은 1혹은 2의 정수이며, m은 0혹은 1의 정수이고, 다만 m이 0인 경우에는 n이 1이며, R<1>는 수소, 탄소 1~12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1~12까지의 알킬기이며, R<2>는 염소이거나 탄소 2~12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1~12까지의 알킬기이다.2. 페로센과 일반식(Ⅱ)의 알릴클로로실란을 알루미늄 클로라이드 촉매 존재하에 프리델-크라프트 반응시키는 것이 특징인 일반식(Ⅰ)의 실릴알킬화 페로센 유도체의 제조방법;일반식(Ⅰ)에 있어서, n은 1혹은 2의 정수이며, m은 0혹은 1의 정수이고, 다만 m이 0인 경우에는 n이 1이며, R<1>는 수소, 탄소 1~12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1~12까지의 알킬기이며, R<2>는 염소이거나 탄소2~12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1~12까지의 알킬기이고, 일반식(Ⅱ)에서 R<1>는 수소, 탄소 1~12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1~12까지의 알킬기이며, R<2>는 염소이거나 탄소 2~12까지의 알킬기, 또는 페닐기를 포함하는 탄소 1~12까지의 알킬기이다.3. 제 2항에 있어서, 알루미늄 클로라이드 촉매가 알릴클로로실란에 대하여 5~10몰% 사용되는 것이 특징인 일반식(Ⅰ)의 실릴알킬화 페로센 유도체의 제조방법.
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본발명은 플라스틱 필름의 표면에 알루미늄박막을 증착하기 전 또는 증착한 후에, 알루미늄/구리 합금박막을 증착하는 것으로 이루어지는 알루미늄증착플라스틱 필름의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 알루미늄증착 플라스틱 필름은 자기회복 특성이 우수하면서 장기간 사용하여도 캐패시턴스가 일정하게 유지되는 MF 콘덴서를 제조할 수 있으며, 또한 식품 저장용 용기를 제조하는데 이용될 수 있다.1.플라스틱 필름의 표면에 0.5~10중량%의 구리를 함유하는 알루미늄/구리 합금박막을 증착하고, 그 위에 알루미늄 박막을 증착하는 것으로 이루어지는 알루미늄증착 플라스틱 필름의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막을 합금박막의 면저항값이 4-300Ω/...(네모)범위가 되도록 증착하는 방법.3.제 1항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막과 상기 알루미늄 박막이 진공증착법에 의해 증착되는 방법.4. 플라스틱 필름의 표면에 알루미늄 박막을 증착하고, 그 위에 0.5~10중량%의 구리를 함유하는 알루미늄/구리 합금박막을 증착하는 것으로 이루어지는, 알루미늄증착 플라스틱 필름의 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막을 합금박막의 면저항값이 4-300Ω/...(네모)범위가 되도록 증착하는 방법.6.제4항에 있어서, 상기 알루미늄/구리 합금박막과 상기 알루미늄 박막이 진공증착법에 의해 증착되는 방법.
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 적층형 복합소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 후막적층기법을 사용하여 공정이 복잡한 문제점과, 회로의 전기적 특성을 미세 조정하는 것이 용이하지 않은 문제점 및 이종 재료간의 동시소성에 의한 박리 및 열팽창률의 차이에 따라 휨이 발생하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 인덕터 패턴과 캐패시터 패턴이 형성된 후막을 그 성질이 다른 후막이 상호 성질이 같은 후막의 사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층하여 소성에 의한 휨을 감소시키는 효과가 있다.1.다수개의 인덕터패턴을 포함하는 인덕터 후막과, 캐패시터패턴을 포함하는 캐패시터 후막을 적층하여 구성되는 적층형 복합소자에 있어서, 상기 인덕터 후막과 캐패시터 후막을 성질이 다른 하나의 후막이 성질이 같은 두 개의 후막 사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층한 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 인덕터패턴은 3/4회전인 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자.3.그린 시트에 은을 도포하여 인덕터패턴 및 캐패시터패턴과 인덕터 및 캐패시터 내부전극을 형성하는 단계와; 상기 인덕터패턴 및 캐패시터패턴이 형성된 그린 시트에 스루홀 방법을 사용하여 천공하고 각 패턴을 연결하여 인덕터 후막 및 캐패시터 후막을 형성하는 단계와;상기 인덕터 후막과 캐패시터 후막을 그 성질이 다른 하나의 후막을 상호 성질이 같은 두 개의 후막사이에 위치하도록 세 개의 층으로 적층하는 단계와;상기 적층된 후막에 은을 도포하여 외부전극을 형성하고 소성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.4. 제 3항에 있어서, 그린 시트는 Ni-Zn-Cu계의 연자성 세라믹 조성과 TiO₂계 저온소결 유전체 세라믹 조성의 합성 원료 분말을 40~60W/O의 유기바인더와 혼합하여 제조하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.5.제 3항에 있어서, 적층된 후막을 동시 소성하는 단계는 800~900℃에서 2시간동안 소성하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.6. 제 3항에 있어서, 외부전극을 소성하는 단계는 800℃에서 10분간 소성하는 것을 특징으로 하는 적층형 복합소자 제조방법.
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 고온에서의 기계적 성질은 우수하나 내산화성이 열악한 몰리브덴 금속에 고온 내산화성을 부여하기 위한 몰리브덴-규소-망간 3원계 합금으로 구성된 피복층 및 몰리브덴 금속 표면에 상기 몰리브덴-규소-망간 3원계 합금으로 구성되는 피복층을 형성시키는 방법에 관한 것이다.1. 망간이 피복층의 총원자량 백분율로 0.2%~40%범위로 함유된 것을 특징으로 하는, 몰리브덴 재료 상에 피복된 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층.2. (Si 1~70 중량%)-(Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 10~97 중랑%)팩으로 망간과 규소를 몰리브덴 재료 상에 동시에 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 0.2%~4.5%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.3. (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그위에 (Si 1~70 중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 20~98 중랑%)팩으로 규소를 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자랴야 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.4. (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 먼저 몰리브덴 재료상에 피복하고, 그위에 화학증착법으로 규소를 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는, 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.5. (Si 1~70 중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성데 1~10중량%)-(Al2O3 20~98 중랑%)팩으로 규소를 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그 위에 (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 방간을 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자량 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.6. 화학증착법으로 규소를 먼저 몰리브덴 재료 상에 피복하고, 그 위에 (Mn 1~10중량%)-(알칼리 금속의 염화물, 알칼리 금속의 불화물, 알칼리 토금속의 염화물 및 알칼리 토금속의 불화물로 구성되는 군 중에서 선택된 활성제 1~10중량%)-(Al2O3 80~98 중랑%)팩으로 망간을 피복하여 망간의 함량을 피복층의 총원자랴야 백분율로 3%~40%범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 내산화성이 우수한 MO-MN-Si 3원계 피복층의 형성방법.7. 제 2항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 활성제가 NaF인 방법.
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자소자의 제조는 직접 GaAs 기판에 V홈에 파거나 GaAs/AlGaAs 기판위에 V홈에 파고 그 위에 양자세선 또는 양자점을 형성하는 방법이 사용되었는데, 이러한 방법은 발광소자의 경우 V홈 뿐만 아니라 V홈 이외의 표면에서 형성된 소자에서도 빛이 발광되어 V홈에서 나오는 광의 우수한 양자점 특성을 상대적으로 약화시키게 되며, 여러 가지 구조와 공존하게 되면 양자선이나 양자점 등의 신호가 약해지거나 벌크(bulk) 신호에 묻혀 그 우수한 특성을 얻을 수 없게 되는 문제가 있었다.이에 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 에피층을 형성하는 제1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography) 방법으로 상기 에피층의 식각될 부분으르 정의하는 제2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs) 기판에 V홈에 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조 및 그 제조방법을 제공하는데, 이러한 본 발명은 기판과 에피층 간의 격자 부정합을 이용하여 V홈에 성장된 활성 영역으로만 광과 전류를 효과적으로 제어함으로써, V홈 이외의 표면에서는 빛이 나오지 않게 하고 V홈 내에서 발생되는 신호가 상대적으로 더 강하게 밖으로 나올 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 고효율의 광전소자, 광전소가 어레이, 양자우물, 양자세선 및 양자점 등의 구조를 갖는 양자소자에 적용할 수 있다.1. 에피층이 형성된 다음 에피층과 함께 식가되어 V홈을 구비하는 기판과, 상기 기판과 에피층간의 격자 부정합으로 인해 형성된 전류차단층인 비활성 영역과, 상기 V홈을 따라 형성된 활성 영역으로 구성된 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조.2. 갈륨비소(GaAs)기판 위에 에피층을 형성하는 제 1공정과, 포토레지스트를 이용한 사진식각(Photolithography)방법으로 상기 에피층의 식각될 부분을 정의하는 제 2공정과, 상기 에피층 및 갈륨비소(GaAs)기판에 V홈을 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제 4공정과, 상기 V홈이 형성된 시편 위에 활성 영역 및 비활성 영역을 형성하는 제 5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.3.제 2항에 있어서, 상기 에피층을 InGaAs 혹은 InGaP를 0.1~5㎛두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.4. 제 2항에 있어서, 상기 활성 영역 및 비활성 영역은 GaAs/AlGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.5. 제 3항 및 제 4항에 있어서, 상기 에피층과 활성영역 및 비활성영역은 유기금속 화학기상증착법(Metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 격자 부정합을 이용한 광전소자용 광 및 전류차단구조의 제조방법.
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화학 > 기타 무기화학
본 발명은 일반식 (III)으로 표시되는 신규 (풀루오레닐알킬)실란 화합물과 이의 제조방법에 관한 것으로 이는 올레핀화합물의 중합촉매에 활용될 수 있으며, 이의 제조는 일반식 (I)로 표시되는 바이페닐 유도체와 일반식 (II)로 표시되는 (디클로로부틸)실란을 루이스산 촉매하에 프리델-크라프트 알킬화 반응에 의해 일반식 (III)으로 표시되는 (풀루오레닐알킬)실란을 제조하는 것이다.(I) (II)(III)1. 다음 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 (풀루오레닐알킬)실란 화합물(Ⅲ)일반식(Ⅲ)에 있엇, n은 0~1의 정수이며, Y<1>와 Y<2>는 각각 수소, 브로모 또는 페닐이다.2. 일반식(Ⅰ)로 표시되는 바이페닐 유도체와 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 (디클로로부틸)실란을 루이스산 촉매하에 프리텔-크라프트 알킬화 반응시키는 것이 특징인 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 (풀루오레닐알킬)실란 화합물의 제조방법.일반식(Ⅰ)에 있어서, Y<1>와 Y<2>는 각각 수소, 브로모 또는 페닐이며, 일반식(Ⅲ)에 있어서, n은 0~1의 정수이고, 일반식(Ⅲ)에 있어서, n은 0~1의 정수이며, Y<1>와 Y<2>는 각각 수소, 브로모 또는 페닐이다.3. 제 2항에 있어서, 반응촉매인 루이스산을 일반식(Ⅱ)표시되는 (디클로로부틸)실란에 대하여 1~100몰 퍼센트 사용하는 것이 특징인 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 (풀루오레닐알킬)실란 화합물의 제조방법.4. 제 2항에 있어서, 루이스산 촉매가 알루미늄클로라이드 또는 알루미늄과 같은 일반적인 프리델-크라프트 촉매를 사용하는 것이 특징인 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 (풀루오레닐알킬)실란 화합물의 제조방법.5. 제 2항에 있어서, 25~200℃에서 반응시키는 것이 특징인 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 (풀루오레닐알킬)실란 화합물의 제조방법.6. 제 2항에 있어서, 1~12시간 동안 반응시키는 것이 특징인 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 (풀루오레닐알킬)실란 화합물의 제조방법.
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
메틸아세테이트를 원료로 사용하여 초산에스테르를 저렴한 가격으로 제조하는 방법을 제공한다. <구성>초산에스테르의 제조방법이 (A) 로듐 촉매 및 할라이드계 조촉매 존재하에 상압-10.55KG/CM2 (150PSI)의 압력 및 100-300도C의 온도에서 메탄올을 일산화탄소와 기상 카르보닐화 반응시켜 메틸아세테이트와 초산을 얻는다; (B) 생성된 혼합물로부터 메틸아세테이트를 분리하고, 또 할라이드 조촉매를 분리하여 공정(A)로 재순환한다; ⓒ 알코올을 증류탑 상단에서 비점 이하의 온도로 주입하고 분리된 과량의 메틸아세테이트를 증류탑 하단에서 비점 이상의 온도로 주입하여 탑 중간에 충전된 산 촉매층 (이온교환수지) 내에서 에스테르 교환 반응시켜 초산에스테르와 메탄올을 생산한다; (D) 생성 혼합물로부터 초산에스테르를 분리하고 메탄올을 회수하여 공정 (A)로 재순환시키는 공정으로 구성된다. 로듐촉매는 불활성 담체의 양을 기준으로 0.1-20중량% (RH 환산)의 로듐 화합물을 물 또는 유기용매중에 용해시키고, 이것을 로듐의 양을 기준으로 1-1000몰%의 알칼리토금속 또는 전이금속과 함께 불활성 담체에 담지시킨 후 100 내지 500도C에서 소결시켜 제조된다. <효과>메탄올을 초기 반응물질로 하여 메틸아세테이트를 얻고 이로부터 초산에스테르를 제조함으로써, 최종 반응의 부산물로 생성된 메탄올을 회수하여 재순환시켜 카르보닐화 반응공정에 사용하므로 매우 경제적으로 초산에스테르를 제조할 수 있다.1. 알콜을 증류탑 상단에서 비점 이하의 온도로 주입하고 과량의 메틸아세테이트를 증류탑 하단에서 비점 이상의 온도로 주입하여 탑 중간에 충전된 산 촉매층 내에서 에스테르 교환 반응시켜 초산에스테르를 제조하는 방법.2. 제1항에 있어서, 산 촉매가 이온 교환 수지인 것을 특징으로 하는 방법.3. 제1항에 있어서, 초산에스테르를 탑 하단에서 수득하고, 메틸아세테이트와 메탄올의 혼합물을 탑 상단으로 제거하는 것을 특징으로 하는 방법.4. 카르보닐화 반응용 로듄 촉매 및 할라이드계 조촉매 존재하에서 메탄올을 일산화탄소와 기상 카르보닐화 반응시켜 메틸아세테이트와 초산을 얻는 제1공정, 생성된 초산과 메팅아세테이트의 혼합물로부터 메팅아세테이트를 분리하는 제2공정, 분리된 메팅아세테이트를 산 촉매 존재하에 알콜과 에스테르 교환 반응시켜 초산에스테르와 메탄올을 생산하는 제3공정, 및 생성 혼합물로부터 초산에스테르를 분리하고 메탄올을 회수하여 제1공정으로 재순환시키는 제4공정으로 이루어지는 초산에스테르의 제조 방법.5. 제4항에 있어서, 상기 제1공정의 기상 메탄올 카르보닐화 반응을 상압 내지 10.55kg/㎠(150psi)의 압력하에 100 내지 300℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 방법.6. 제4항에 있어서, 상기 제1공정에서 사용된 로듐 촉매가 불활성 담체의 양을 기준으로 0.1 내지 20중량%(Rh 환산)의 로듐 화합물을 물 또는 유기 용매중에서 용해시키고, 이것을 로듐의 양을 기준으로 1 내지 1,000몰%의 알칼리 또는 알칼리토금속 또는 전이금속과 함께 불활성 담체에 담지시킨 후 100 내지 500℃에서 소결시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.7. 제4항에 있어서, 제2공정에서 분리된 할라이드 조촉매를 다시 제1공정의 카르보닐화 반응기로 재순환시키는 것을 특징으로 하는 방법.8. 제4항에 있어서, 제3공정이 에스테르 교환 반응과 동시에 생성물을 분리하는 촉매 반응 증류에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.9. 제4항에 있어서, 산 촉매가 이온교환 수지인 것을 특징으로 하는 방법.
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
용침법으로 제조된 텅스텐-구리 재료를 반복적으로 열처리하는 공정을 통해서 용침된 구리의 양을 변화시키는 한편 미세 조직을 균일하게 변화시키도록 한 텅스텐-구리계 재료의 제조 방법을 제공한다. <구성>용침법으로 제조된 텅스텐-구리계 재료의 미세 조직에서 비저항의 증가를 가져오는 텅스텐 입자간의 직접 접촉을 줄이면서 구리의 함량을 65 내지 85 퍼센트 범위로 조절하는 것과 동시에 용침후에 잔류하는 기공을 제거하기 위해 전해동 혹은 무산소동이 용침된 텅스텐-구리 계 재료를 구리의 용융 온도인 섭씨 1083도 보다 높은 섭씨 1150도까지 빠르게 가열한 후에 5분 이상 유지한 다음, 섭씨 800도까지 빠른 속도로 냉각하는 것을 1회 이상 반복하여 열처리하는 공정으로 구성되며, 용융과 응고시 텅스텐과 구리의 서로 다른 부피 변화를 이용하여 텅스텐 입자 사이에 있던 잔류 기공 속으로 구리가 채워져 들어가도록 해서 잔류 기공의 제거가 이루어지도록 구성된다.1. 용침법으로 제조된 W-Cu 계 재료의 미세조직에서 비저항의 증가를 가져오는 텅스텐 입자간의 직접 접촉을 줄이면서 Cu의 함량을 65-85% 범위로 조절하는 것과 동시에 용침후에 잔류하는 기공을 제거할 목적으로 전해동 혹은 무산소동이 용침된 W-Cu계 재료를 구리의 용융온도(1083℃)보다 높은 1150℃까지 빠르게 가열한 후에 5분 이상 유지한 다음, 800℃까지 빠른 속도로 냉각하는 것을 1회이상 반복하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 텅스텐-구리계 재료의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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보건·의료 > 임상시험·진단관련
알키닐 화합물에 아세틸렌기를 도입하고 알렌화합물을 거쳐 16-페녹시 프로스타트리에노 산 유도체를 보다 간단하게 제조할 수 있다 <구성>1알파-히드록시-4알파-(테트라하이드로피란-2-일옥시)-3베타-(3알파-테트라하이드로피란-2-일옥시)-4-페녹시-1(이)-부텐-1-일)시클로펜트-2알파-일)아세트알데히드 락톨상기식에서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴,또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며 서로 같거나다를 수 있다. P는 수소, 트리메틸실릴 또는 트리부틸틴이며, 파상선을 에피입체 혼합물이다.청구항 2. 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌을 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 알키닐화합물의 제조방법.일반식(Ⅰ)에 있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며서로 같거나 다를 수 있다. 일반식(Ⅵ)에 있어서, M은 리튬, 클로로마그네슘, 또는 브로모마그네슘이며, 일반식(Ⅰ) 및일반식(Ⅵ)에 있어서 P는 수소, 트리메틸실릴, 또는 트리부틸렌이며 파상선을 에피입체 혼합물을 표시한다. 일반식(Ⅴ)에있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. 청구항 3. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리메틸실릴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)b의 알키닐 화합물(P=-S)을 제조한 다음 1.2당량의 테트라부틸암모늄 플루오라이드와 다시 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 4. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리부틸틴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)c의 알키닐 화합물(P=Sn(n-Bu)3)을 제조한 후 1-2당량의 n-부틸리튬을 -78℃에서 가한 후 15~25℃로 가온하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 5. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 6. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과, 10당량의 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 에티닐 마그네슘 브로마이드 또는 에티닐 마그네슘 클로라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -5~20℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 7. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅰ)d의 알키닐 화합물인 프로파르길 에스테르 화합물을 제조하기 위하여 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)을 트리에틸아민과 염화메틸렌 및 촉매량의 4-디메틸아미노피리딘 존재하에 20~25℃에서 무수아세트산 또는 아세틸 클로라이드와 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)d의 프로파르길 에스테르 화합물의 제조방법.청구항 8. 일반식(Ⅰ)d의 알키닐 화합물과 10-20당량의 일반식(Ⅶ)의 3-t-부틸디메틸실릴옥시마그네슘 브로마이드와10-20당량의 커퍼(Ⅰ) 이오다이드 트리에틸포스파이트 혼합액을 테트라하이드로푸란 용매하에 -40~0℃에서 첨가시킨 후15~25℃에서 반응시켜 일반식(Ⅷ)의 알렌 화합물을 제조하는 제1공정과, 일반식(Ⅷ)의 알렌 화합물과 테트라부틸암모늄플루오라이드를 테트라하이드로푸란 용매 존재하에 15~20℃에서 반응시켜 일반식(Ⅸ)의 1-히드록시 화합물을 제조하는 제2공정, 일반식(Ⅸ)의 1-히드록시 화합물에 메탄올 용매하에서 1.2-2당량의 무수 탄산칼륨을 15~25℃에서 반응시켜 일반식(Ⅹ)의 1,9-디히드록시 화합물을 제조하는 제3공정, 일반식(Ⅹ)의 1,9-디히드록시 화합물과 5-10당량의 피리디늄 디크로메이트를 염화메틸렌 용매하에서 15~25℃에서 반응시켜 일반식(XI)b의 9-옥소 화합물(R3=CHO)을 제조한 다음 이를 메탄올과 N,N-디메틸포름아미드에 용해하고 다시 5-10당량의 피리디늄 디크로메이트와 15~25℃에서 반응시켜 일반식(XI)c의 9-옥소 화합물(R3=CO2CH3)을 제조하는 제4공정, 일반식(XI)c의 9-옥소 화합물(R3=-CO2CH3)을 포름산과 물 및 테트라하이드로푸란 혼합액(19 : 11 : 3)에서 201. 일반식(Ⅰ)로 표시되는 신규한 알키닐 화합물.상기식에서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴,또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며 서로 같거나다를 수 있다. P는 수소, 트리메틸실릴 또는 트리부틸틴이며, 파상선을 에피입체 혼합물이다.2. 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌을 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 알키닐화합물의 제조방법.일반식(Ⅰ)에 있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는 트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. R1과 R2는 각각 수소 또는 아세틸기를 표시하며서로 같거나 다를 수 있다. 일반식(Ⅵ)에 있어서, M은 리튬, 클로로마그네슘, 또는 브로모마그네슘이며, 일반식(Ⅰ) 및일반식(Ⅵ)에 있어서 P는 수소, 트리메틸실릴, 또는 트리부틸렌이며 파상선을 에피입체 혼합물을 표시한다. 일반식(Ⅴ)에있어서 R은 테트라하이드로피라닐, 테트라하이드로푸라닐, 2-에톡시에틸, 3-t-부틸디메틸실릴, 트리이소프로필실릴, 또는트리에틸실릴기를 나타내며, 서로 같거나 다를 수 있다. 3. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리메틸실릴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)b의 알키닐 화합물(P=-S)을 제조한 다음 1.2당량의 테트라부틸암모늄 플루오라이드와 다시 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 트리부틸틴아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃로 가온하여 일반식(Ⅰ)c의 알키닐 화합물(P=Sn(n-Bu)3)을 제조한 후 1-2당량의 n-부틸리튬을 -78℃에서 가한 후 15~25℃로 가온하여 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.5. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 10당량의 리튬 아세틸라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -78℃에서 가한 다음 15~25℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 6. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅴ)의 락톨과, 10당량의 일반식(Ⅵ)의 금속 아세틸렌인 에티닐 마그네슘 브로마이드 또는 에티닐 마그네슘 클로라이드를 테트라하이드로푸란 용매하에 -5~20℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)의 제조방법.청구항 7. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅰ)d의 알키닐 화합물인 프로파르길 에스테르 화합물을 제조하기 위하여 일반식(Ⅰ)a의 알키닐 화합물(P=-H)을 트리에틸아민과 염화메틸렌 및 촉매량의 4-디메틸아미노피리딘 존재하에
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
기상에서 합성된 다이아몬드의 성장시 빠른 성장 속도를 갖는 입자의 결정 방향을 조절하여 다이아몬드 박막의 집합 조직의 방향과 박막의 표면을 구성하는 성장면의 종류 및 형상을 조절한다. <구성>적절한 흡착 원소를 이용하고, 표면 재구성 정도를 변화시킬 수 있는 적정 기판 온도를 변화시켜 단결정 입자의 형태를 원하는 형태로 변화시키고, 이를 기반으로 생성 선택법(evolutionary selection rule)에 기초한 집합 조직의 방향을 조절하는 것이다. 즉, 기상 합성법을 이용하여 다이아몬드 박막을 형성할 때, 기판 온도를 700도C에서 900도C까지 연속적으로 증가시키고, 수소와 탄화수소의 혼합 기체에 산소의 첨가량을 증가시켜 다이아몬드 입자를 구성하는 면의 흡착 정도를 변화시킴으로써, 다이아몬드 박막의 집합 조직 방향과 박막 표면 성장면의 종류를 변화시킬 수 있다.1. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 산소의 첨가량을 증가시켜 다이아몬드 입자를 구성하는 (111)면과 (100)면에서의 흡착정도를 변화시킴으로써 집합조직의 방향을 <100>에서 <1110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특징으로 한느 다이아몬드 박막의 집합조직 방향 조절방법.2. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 일정한 혼합기체의 조성하에서 기판의 온도를 700℃에서 900℃까지 연속적으로 증가시켜 다이아몬드 표면의 격자 재구성 정도의 상대값을 변화시킴으로써 집합조직의 방향을 <100>에서 <110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 박막의 집합조직 방향 조절방법.3. 기상합성을 이용하여 다이아몬드 결정을 성장시킴에 있어 수소에 혼합된 메탄의 양을 줄여주어 다이아몬드 입자를 구성하는 (111)면과 (9100)면에서의 흡착정도를 변화시킴으로서 집합조직의 방향을 <100>에서 <110>을 거쳐 <111>로 연속적으로 조절하는 것을 특ㅈ이으로 하는 다이아몬드 박막의 집합좆기 방향 조절방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 단위기계 요소부품
수직 원형관 내면벽에 흡수액이 흘러내리며 증기 등을 흡수하는 과정에서 열 및 물질 전달을 촉진시키기 위해 쌍으로 이루어진 링을 관내에 설치하여 용액의 분포와 혼합을 촉진시키는 수직 흡수관을 제공한다. <구성>수직 흡수관내에 설치되는 쌍으로 구성된 환형인 상부링(12)과 하부링(16), 내측으로부터 외측으로 하방 경사진 경사면(18), 링의 반경 방향으로 형성한 틈(14,17), 상부링(12)은 직경이 큰 상부와 직경이 작은 하부로 이루어지며, 외주에는 외향팁(15)이 형성되고, 외주연 전체에 형성된 복수개의 홈(16A)와, 반경 방향 수직으로 형성된 틈(17)을 구비한 입구링(19)가 수직관의 용액 유입구에 설치되어 있다.1. 흡수 용액을 사용하여 수직 흡수관 내부를 지나가는 증기 등을 흡수하기 위한 수직 흡수관에 있어서, 내축으로부터 외축으로 하방 경사진 경사면(18)과 이 경사면으로부터 측면까지 연장되어 외주연 전체에 형성된 복수개의 흠(16a)와, 반경 방향 수직으로 형성된 틈(17)을 구비한 입구링(19)가 수직관의 용액 유입구에 설치된 것을 특징으로 하는 수직 흡수관.2. 제1항에 있어서, 외측으로부터 내측으로 하방 경사진 경사면(12c)를 구비한 상부(12a)와 이 상부(12a)보다 직경이 작은 동시에 그 하단부 외주연에 환형의 외향 팁(15)가 형성된 하부(12b)로 구성되고 반경 방향 수직으로 형성된 틈(14)를 구비한 상부링(12)와, 상기 입구링(19)와 동일 형상으로 상기 상부링의 하단에 설치되어 상기 상부링(12)와 쌍을 이루는 하불이(16)을 포함하고, 상기 상부링(12) 및 하부링(16) 쌍이 상기 입구링(19)의 하부에 설치된 것을 특징으로 하는 수직 흡수관.3. 제2항에 있어서, 복수개의 상부링(12) 및 하부링(16) 쌍이 설치된 것을 특징으로 하는 수직 흡수관.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 단위기계 요소부품
단순 선회형 급기구의 외부에 외부 원통체를 동축으로 형성하고 내외 원통체 사이에 형성된 비선회 기류 통로로부터 토출되는 비선회 공기 유량을 조절할 수 있도록 한 동축 선회형 급기구를 제공하기 위함이다. <구성>내부 원통체(5)의 안쪽인 선회 기류 통로 내에 선회익(7)이 고정 설치되어 있고 그 중앙부에 조절 나사봉(6)이 고정되며, 내부 원통체(5)의 외측으로는 이보다 큰 직경의 외부 원통체(8)가 동축적으로 설치되어 내외부 원통체 사이에 비선회 기류 통로(9)가 형성되는 한편 내부 원통체의 하단 주연부에는 조절 나사봉의 하부 외측에 형성된 나사부(6a)에 나사 결합된 비선회 기류 유량 조절 수단(10)의 원통부(10a)가 결합된다. 비선회 기류 유량 조절 수단은 조절 나사봉에 축방향으로 이동 가능하도록 형성되고 이의 상하 이동에 따라 비선회 기류 통로의 출구측에 변화가 일어나게 되어 비선회 공기의 유량이 조절된다. 비선회 기류 통로로부터 배출된 비선회 공기의 에어커튼 작용으로 주위의 오염된 공기가 혼합되는 것을 막을 수 있다. <효과>공기 조화 등 설비의 기류를 조절할 수 있고, 에어커튼 효과에 의하여 오염되고 더운 공기의 혼합을 차단할 수 있다.1. 급기되는 공기가 선회기류를 형성하게 하는 선회익(7)이 내장된 선회기류급기통로를 가지는 내부원통체(5)와, 이 내부원통체(5)의 외측에 동축적으로 설치되어 내부원통체(5)와의 사이에 환형의 비선회급기통로(9)를 형성하는 외부원통체(8)로 되는 것에 있어서, 상기 내부원통체(5)의 하단부에 나사식으로 상하이동 조절가능하게 설치되어 비선회급기통로에서의 유량을 조절하는 비선회기류 유량조절수단(10)을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 기류조절이 가능한 동축선회형 급기구.2. 제1항에 있어서, 상기 비선회기류 유량조절수단(10)은 내부원통체(5)의 하단외주연부에 결합되는 원통부(10a)와, 이 원통부(10a)의 하단에서 연장되어 기류를 확산시키는 확개부(10b)와, 이 확개부(10b)의 내주면과 그 중심부 사이에 방사상으로 연결고정되는 연결봉(10d)와, 이 연결봉(10d)의 중심부에 고정설치된 너트(10c)와, 상기 선회익(7)에 고정되어 하향연장되어 상기 너트(10c)와 나사결합되는 조절나사봉(6)으로 구성됨을 특징으로 하는 기류조절이 가능한 동축선회형 급기구.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
크롬염을 용해, 반응, 침전, 여과, 세척 및 건조의 조작을 거치지 않고 직접 소성시키는 산화크롬 촉매의 제조방법을 제공한다. <구성>크롬염을 상온에서 섭씨 350도 내지 550도까지 3분 내지 4시간에 걸쳐 서서히 승온시킨 후, 이 온도에서 30분 내지 7시간 동안 소성시켜 미립상태의 크롬 산화물을 제조하거나 상온에서 섭씨 450도 내지 500도의 온도에서 3 내지 5시간 동안 소성시켜 크롬산화물을 제조한다.1.크롬염을 상온에서 350℃ 내지 550℃까지 30분 내지 4시간에 걸쳐 서서히 승온시킨 다음, 이 온도에서 30분 내지 7시간 동안 직접 소성시키는 것을 특징으로 하는, 염소 제조용 산화크롬 (Cr2O3) 촉매의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 크롬염이 크롬의 질산염 [Cr(NO3)2H2O]인 방법.3. 제1항에 있어서, 크롬염이 크롬의 암모늄염 [(NH4)2Cr2O7]인 방법.4. 제1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 450℃ 내지 500℃의 온도에서 3 내지 5시간 동안 소성시키는 방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
기계 > 기타 자동화 기술
본 발명에서는 3차원 형상으로부터 디지털 형상정보를 얻는 스캐너 장치와 스캐너에서 얻은 포인트 데이터로부터 3차원 모형을 제작하는 장치를 결합함으로써, 보다 신속히 모형을 복제 또는 전송할 수 있는 3차원 모형 복제 및 전송 장치와 그 방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 따르면, 3차원 형상의 표면의 점들에 대한 좌표값을 측정하여 다수의 포인트 데이터를 얻고(202), 포인트 데이터 중에서 측정 오류를 가진 포인트 데이터들을 제거하며(203), 측정 오류가 제거된 포인트 데이터로부터 얻어지는 형상을 일정한 두께로 얇게 슬라이싱하여 단면을 나타내는 데이터를 얻고(204), 슬라이싱된 단면의 내부를 채우고 각 단면을 쌓아 올려서 3차원 모형을 복제한다(205).1.3차원 형상으로부터 상기 3차원 형상과 동일한 형태의 모형을 복제하기 위한 3차원 모형 복제 방법에 있어서, 상기 3차원 형상의 표면 위에 있는 다수의 점들에 대한 좌표값을 측정하여 다수의 포인트 데이터를 얻기 위한 단계, 상기 포인트 데이터에서 측정 오류를 가진 포인트 데이터들을 제거하기 위한 단계, 상기 측정 오류가 제거된 포인트 데이터로부터 얻어지는 형상을 일정한 두께로 얇게 슬라이싱한 단면을 나타내는 데이터를 얻기 위한 단계, 및 상기 슬라이싱된 단면의 내부를 채우고 각 단면을 아 올려서 3차원 모형을 복제하기 위한 단계를 포함하는 방법.2.제 1항에 있어서, 상기 복제될 모형의 정밀도를 결정하는 단계를 더 포함하고, 상기 다수의 포인트 데이터를 얻기 위한 단계는 상기 정밀도에 따라 상기 포인트 데이터가 구해지는 점의 개수를 조절하는 것인 방법.3.3차원 형상과 동일한 형태의 모형을 전송하기 위한 제 1장치 및 제 2장치를 포함하는 3차원 모형 전송 방법에 있어서, 상기 제 1장치에서, 상기 3차원 형상의 표면 위에 있는 다수의 점들에 대한 좌표값을측정하여 다수의 포인트 데이터를 얻기 위한 단계, 상기 포인트 데이터에서 측정 오류를 가진 포인트 데이터들을 제거하기 위한 단계, 상기 측정 오류가 제거된 포인트 데이터를 송신하기 위한 단계, 상기 제 2장체에서, 상기 제 1장치에서 송신된 송신 신호를 수신하기 위한 단계, 상기 수신된 신호로부터 측정오류가 제거된 포인트 데이터를 얻기 위한 단계, 상기 측정 오류가 제거된 포인트 데이터로부터 얻어지는 형상을 일정한 두께로 얇게 슬라이싱한 단면을 나타내는 데이터를 얻기 위한 단계, 및 사이 슬라이싱 된 단면의 내부를 채우고 각 단면을 쌓아 올려서 3차원 모형을 복제하기 위한 단계를 포함하는 방법.4.3차원 형상과 동일한 형태의 모형을 전송하기 위한 제 1장치 및 제 2장치를 포함하는 3차원 모형 전송 방법에 있어서, 상기 제 1장치에서, 상기 3차원 형상의 표면 위에 있는 다수의 점들에 대한 좌효값을 측정하여 다수의 포인트 데이터를 얻기 위한 단계, 상기 포인트 데이터에서 측정 오류를 가진 포인트 데이터들을 제거하기 위한 단계, 상기 측정 오류가 제거된 포인트 데이터로부터 얻어지는 형상을 일정한 두께로 얇게 슬라이싱한 단면을 나타내는 데이터를 얻기 위한 단계, 상기 슬라이싱한 단면을 나타내는 데이터를 송신하기 위한 단계, 상기 제 2장치에서, 상기 제 1장치에서 송신된 송신 신호를 수신하기 위한 단계, 상기 수신된 신호로부터 슬라이싱한 단면을 나타내는 데이터를 얻기 위한 단계, 및 상기 슬라이싱된 단면의 내부를 채우고 각 단면을 쌓아 올려서 3차원 모형을 복제하기 위한 단계를 포함하는 방법.5. 3차형상으로부터 상기 3차원 형상과 동일한 형태의 모형을 복제하기 위한 3차모형 전송 방법에 있어서, 상기 3차원 형상의 표면 위에 있는 다수의 점들에 대한 좌표값을 측정하여 다수의 포인트 데이터를 얻기 위한 수단, 상기 포인트 데이터에서 측정 오류를 가진 포인트 데이터들을 제거하기 위한 수단, 및 상기 슬라이싱된 단면의 내부를 채우고 각 단면을 쌓아 올려서 3차원 모형을 복제하기 위한 수단을 포함하는 장치.7. 제 5항에 있어서, 상기 3차원 모형을 복제하기 위한 수단은 절단용 레이저 광선을 발생시키기 위한 수단, 상기 절단용 레이저 광선을 상기 슬라이싱된 단면에 관한 데이터를 이용하여 정확한 위치에 반사시키기 위한 수단을 포함하고, 상기 다수의 포인트 데이터를 얻기 위한 수단은 상기 절단용 레이저 광선을 발생시키기 위한 수단과 일체로 되어 있으며, 3차원 형상 정보에 대한 데이터를 얻기 위한 레이저 광선을 발생시키기 위한 수단, 및 상기 절단용 레이저 광선을 반사시키기 위한 수단과 일체로 되어 있으며, 3차원 형상의 표면을 측정하기 위한 수단을 포함하는 장치.8.제 5항에 있어서, 상기 측정 오류가 제거된 포인트 데이터를 송신하기 위한 수단, 및 다른 장치에서 송신된 측정 오류가 제거된 포인트 데이터를 수신하기 위한 수단을 더 포함하는 장치.9.제 5항에 있어서, 상기 슬라이싱한 단면을 나타내는 데이터를 송신하기 위한 수단, 및 다른 장치에서 송신된 슬라이싱한 단면을 나타내는 데이터를 수신하기 위한 수단을 더 포함하는 장치.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
환경 > 기타 환경오염제어·관리 기술
본 발명은 비소 오염 토양 및 폐기물을 가성소다 수용액을 사용하여 비소 성분을 용출한 다음, 여기에 염화칼슘을 첨가하여 수용액 중의 비소를 칼슘 비소 화합물로 침전시키는 것을 포함하는 비소 오염 토양 및 폐기물로부터 비소를 제거하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 방법을 이용하여 비소 오염 토양 및 폐기물을 처리하는 경우, 초기 함량 기준으로 95 % 이하의 비소를 용출시킬 수 있는 동시에, 수용액 중의 아세네이트를 최대 99.8 % 이하로 제거할 수 있게 된다.또한, 본 발명의 방법으로 비소 오염 토양 및 폐기물을 처리하는 경우, 종래의 방법에 의한 경우에 비하여 처리 비용을 획기적으로 절감시킬 수 있다는 장점과 함께, 비소 성분을 안전하고 거의 완전히 제거할 수 있게 됨으로써, 비소에 의한 환경 오염을 방지할 수 있게 된다.1.비소 오염 토양 및 폐기물을 입자 크리 3mm 이하의 고체 입자로 분쇄시킨 다음,여기에 가성소다 수용액을 가하여 비소를 용출시키고, 고형물을 분리 제거한 가성소다 수용액에 염화칼슘을 첨가하여, 수용액 중의 비소 성분을 칼슘 비소 화합물 형태로 침전시키는 것을 특징으로 하는 비소 오염 토양 및 폐기물로부터 비소의 제거 방법.2.제 1항에 있어서, 상기 가성소다 수용액의 농도가 0.5-5.0N이고, 상기 고체 입자와 상기 가성소다 수용액의 혼합 비율이 10 내지 300gr/l인 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 가성소다 수용액을 80℃이하로 가열하여 상기 비소 용추를 수행하는 것인 방법.4.제 1항에 있어서, 염화칼슘 첨가량이 상기 가성소다 수용액에 아세네이트 기준의 당량비로 5내지 40배 범위인 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
본 발명은 이산화탄소와 알코올을 할라이드 이온 촉매의 존재하에서 액상 반응시켜 디알킬카보네이트를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 폐가스로서 다량 생성되는 이산화탄소를 유용하게 이용할 수 있으면서도 높은 전환율과 선택도로 디알킬카보네이트를 제조할 수 있다.1.이산화탄소와 알콜을 할라이드 이온 촉매의 존재하에서 액상 반응시켜 디알킬카보네이트를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 폐가스로서 다량 생성되는 이산화탄소를 유용하게 이용할 수 있으면서도 높은 전환율과 선택도로 디알킬카보네이트를 제조할 수 있다. 2. 제 1항에 있어서, 상기 할라이드 이온이 요오드 이온인 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 알콜이 탄소수 1내지 20개를 갖는 방법.4. 제 1항에 있어서, 상기 반응을 상온 내지 300℃범위의 반응 온도 및 상압 이상의 압력하에서 수행하는 방법. 5. 제 1항에 있어서, 반응물에 하기 화학식(2)의 트리알킬오르토에스테르 또는 아세탈을 추가로 첨가하는 방법: [화학식2] R5-C(OR6)n(XR7)m상기식에서 R5, R6 및 R7은 탄소수 1내지 20개의 알킬이고, n+m은 3이며, X는 N,O,S,P또는 Se이다.6.제 1항에 있어서, 반응물에 탈수제로서 P2O5또는 제올라이트를 추가로 첨가하는 방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
FE-HF 2원계 합금을 기본으로하여 C, N 및 O를 상호 조합하여 합금화시키므로써 MHZ 대역의 고주파 영역에서 고포화 자속밀도와 고투자율을 지니면서 내열성이 우수한 박막 합금을 제공한다. <구성>고주파 2극 마그네트론 스퍼터링 장치에서, 순철, FE-HF-C 합금 등의 타겟 위에 HF, HF의 질화물, HF의 산화물, HF의 탄화물 및 C의 소편을 배치하거나, FE-HF-C-N 또는 FE-HF-C-N-O 합금 등의 타겟을 불활성 스퍼터링 가스 중이나 AR 및 N2 분위기 중에서 300W의 전력과 1 MTORR의 혼합가스 압력하에서 열처리하여 철계 초미세 결성 연자성 박막합금을 제조한다.1. 다음의 조성식, Fe...Hf..C..N..O..이 때, x,y,z,v,w는 각각 원자%로서, 71≤x≤86 5.5≤y≤10.5 1≤z≤13 1≤v≤13 0≤w≤3 7.5≤z+v+w≤18.5 (단, x+y+z+v+w=100)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기헤드용 철계 연자성 박막합금.2. 순철, Fe-Hf 합금, Fe-Hf-C 합금 등의 타게트 위에 Hf, Hf의 질화물, Hf의 산화물, Hf의 탄화물 및 C의 소편을 배치하거나, Fe-Hf-C-N 또는 Fe-Hf-C-N-O 합금 등의 타게트를 불활성 스퍼터링 가스 중이나, 스퍼터링 가스 중에 C이나 N 또는 O을 함유하는 분위기 하에서 스퍼터링하여 박막을 형성한 후 진공중이나 Ar 및 N₂분위기 중에서 열처리하여 철계 초미세 결정 연자성 박막합금을 제조하는 것을 특징으로 하는 자기헤드용 철계 연자성 박막합금의 제조 방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
산소 함유 기체로 염화수소를 산화시켜 염소를 제조하는 방법으로서 산화크롬 촉매를 사용하는 방법에 관한 것이다. <구성>사용될 촉매는 에탄올을 6가의 산화크롬 수용액과 섞어서 5-20시간 동안 환류시켜 수화된 산화크롬을 얻은 후 섭씨 100-140도에서 건조하고 다시 350-500도에서 1-10시간 동안 소성하여 미립 상태의 크롬 산화물을 수득한다. 여기에 촉매 성형 첨가제로 스테아린산을 클로로포름에 용해시켜 미립 분말 상태의 산화크롬을 처리한 후 성형 소성하여 스테아린산을 제거한 최종의 산화크롬 촉매를 얻는다. 제조한 촉매는 반응기에 투입하여 고정상 촉매층을 만든 뒤 촉매층 중앙 온도를 섭씨 350도로 유지하며 염화수소와 산소의 몰비를 4:1-4:4로 공급하며 반응시켜 염소를 제조한다. <효과>위의 촉매 제조 방법에 의해 제조된 촉매를 사용하는 경우 촉매의 비표면적이 30-40M2/G으로서 종래의 수용성 크롬염의 촉매에 베해 2배 정도 크므로 촉매의 활성이 향상되어 비교적 낮은 온도에서도 염화수소의 염소로의 전환율을 높일 수 있다. 또한 촉매 제조법이 간편하고 신속하며 진한 용액을 사용할 수 있어 공업용 촉매 제조 방법으로 적합하다.1. 6가의 산화크롬(CrO₃) 수용액을 에탄올과 혼합하여 가열 환류한 다음 침전물을 분리하여 건조한 후 소성시켜 성형하는 단계로 됨을 특징으로 하는 염소 제조용 삼산화이크롬(Cr₂O₃) 촉매의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 환류시 90℃ 이상 유지하며 교반시키는 것이 특징인 방법.3. 제1항에 있어서, 400 내지 500℃에서 3-10시간 소성시키는 것이 특징인 방법.4. 제1항에 있어서, 촉매 성형시 첨가제로 산화크롬 중량의 3-10% 스테아린산을 클로로포름에 용해시켜 성형하는 것이 특ㅈ이인 방법.5. 제1항 내지 4항중 어느 한항에 따른 방법으로 제조된 삼산화이크롬 촉매의 존재하에 염화수소를 산소와 반응시키는 것이 특징인 염소의 제조방법.6. 제5항에 있어서, 염화수소의 산화반응시 염화수소/산소의 몰비를 4/1-4/4로 하는 것이 특징인 방법.7. 제5항에 있어서, 반응온도를 350-375℃로 하는 것이 특징인 방법.8. 제5항에 있어서, 염화수소와 산소를 2-6초 동안 접촉시키는 것이 특징인 방법.9. 제5항에 있어서, 사용촉매 1kg당 매시간당 염화수소를 250리터 내지 800리터 공급하는 것이 특징인 방법.
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- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
인쇄회로기판에 남아 있는 플럭스를 제거하기 위한 세정제 조성물에 관한 것으로, 오존층 파괴 지수가 없는 CFC 113의 대체세정제로서 로진계 플럭스 제거용 디-리모넨계 수용성 세정제이며, 친수성이 증가되어 물에 의한 헹굼 단계에서 기계적 에너지의 사용량을 줄이고 건조를 신속하게 한다. [구성]CFC 113의 대체세정제로서 개발된 로진계 플럭스 제거용 세정제는 물 20.4무게% 이하,디-리모넨 33.9-87.0무게%, 에틸렌 옥사이드의 부가 몰수가 5인 폴리에틸렌 알킬에테르(5EO) 10.8무게% 이하, 에틸렌 옥사이드의 부가 몰수가 7인 폴리에틸레 알킬에테르(7EO)1.0-13.3%, 디옥실 설포석 시네이트 23.5무게% 이하, 헥실렌 글리콕 9.5무게% 이하 및 이소프로필 알코올 5.1 무게% 이하로 이루어진다.1. 디-리모넨, 물, 계면활성제 및 결합물질로 이루어진 로진계 플럭스 제거용 세정제에 있어서, 비이온 계면활성제로서 에틸렌 옥사이드의 부가 몰수가 5인 폴리에틸렌 알킬에테르(5EO) 및 에틸렌 옥사이드의 부가몰수가 7인 폴리에틸렌 알킬에테르(7EO)를 함유하고 음이온계 계면활성제로서 디옥틸 설포석시네이트를 함유하며, 디-리모넨과 물이 결합 물질로 헥실렌 글리콜 및 임의로 이소프로필알코올을 함유하는 것이 특징인 로진계 플럭스 제거용 테르펜계 세정제 조성물.2. 제1항에 있어서, 물 0.1-20.4무게%, 디-리모넨 33.0-87.0무게%, 폴리에틸렌 알킬에테르(5EO) 0.1-10.8무게%, 폴리에틸렌 알킬에테트(7EO) 1.0-13.3무게%, 디옥틸 설포석시네이트 0.1-23.5무게%, 헥실렌글리콜 0.1-9.5무게% 및 이소프로필 알코올 0.1-5.1무게%이며 디-리모넨을 제외한 나머지 성분의 합산 총량이 13.0-66.1무게%로 이루어진 것이 특징인 로진계 플럭스 제거용 테르펜계 세정제 조성물.3. 제1항에 있어서, 물 2.5-6.0무게%, 디-리모넨 73.2-85.3무게%, 폴리에틸렌 알킬에테르(5EO) 4.2-8.8무게%, 폴리에틸렌 알킬에테르(7EO) 1.7-2.8무게%, 디옥틸 설포석시네이트 3.5-8.5무게% 및 헥실렌 글리콜 0.7-2.8무게%이며 디-리모넨을 제외한 나머지 성분들의 합산 총량이 14.7-26.8무게%로 이루어진 것이 특징인 로진계 플럭스 제거용 테르펜계 세정제 조성물.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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