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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

하천의 유속 및 수심 동시 측정 방법 및 장치

하천등의 유량 및 수심 동시측정을 위한 초음파 유속 및 수심 동시 측정기술에 관한 것으로, 수심이 비교적 깊지 않은 경우에 사용가능한 새로운 형태의 하천 유속 및 수심의 동시 측정방법 및 장치를 제공한다. [구성]유속 측정장치에서 진동차(4,4')간의 거리 L은 미리 선택하여 경사봉(9)을 실린더(10)에 고정시킨뒤 수직봉(7)을 하천 바닥에 곶아 수직으로 세워놓고, 유속계측기(16)을 작동시킨다. 이때 수심방향의 진동자(6,6')만 작동하게 한다. 동시에 실린더(8)을 수직봉(7)을 따라 밑으로 이동시키면서 경사봉(9)도 수면으로 내리고, 실린더(8)을 밑으로 이동시키다가 진동자(6')가 하천 물 표면에 접촉되어 유속 계측기 디스플레이에 델타t1=tBC-tCB가 나타나면, 경사봉(9)를 하천 바닥에 닿을 때까지 투입시킨다. 수평계(11)을 이용하여 수지공(7)이 수직이 되도록 하고, 이 둘사이의 각을 유속 계측기(16)에 입력시켜 수직봉(7)을 수직 위치로 변환해 진동자(4,4')을 작동시키면서 유속 계측기(16)는 유속 수심을 측정계산한다.하천 유량을 측정하기 위해 물흐름의 여러 지점에서 평균 유속을 초음파를 이용하여 측정하는 하천의 유속 및 수심 동시 측정 방법에 있어서, (가) 초음파 진동자를 하천 바닥의 임의의 지점(A)와, 수면상의 임의의 지점(B)와, 지점(B)와 연직선 상인 하천 바닥의 지점(C)에 설치하고, 지점(A,B)를 연결하는 선이 수면과 이루는 각( )와 지점(A,B) 사이의 거리(L)을 저장시키는 단계와, (나) 지점(B,C)에 설치된 초음파 진동자를 동작시켜 각각 B에서 C로 그리고 C에서 B로 초음파가 전파되는 시간(tBC 및 tCB)를 측정하고, 시간차(델타t1=tBC-tCB)가 0이 되게 하고, 그리고 지점(B,C)를 연결하는 선이 연직선과 이루는 각도(베타)를 측정하여 저장시키는 단계와, (다) 지점(B)를 원래의 위치로 복귀시킨 후, tBC 및 tCB를 측정하여 저장시키는 단계와, (라) 지점(A,B)에 설치된 초음파 진동자를 동자시켜 A에서 B로 그리고 B에서 A로 초음파가 전파되는 시간(tAB 및 tBA)를 측정하여 저장시키는 단계와, (마) 저장된 L, , tBC, tCB, tAB 및 tBA를 이용하여 수직평균 유속(Vx)를, 시간차(델타t=tBA-tAB) 측정 방법에 의한 식 Vx=[2L(tBA-tAB)cos베타]/[(tAB+tBA)2cos( - - 베타)] 에 의해, 또는 주파수차 (델타t=1/tAB-1/tBA) 측정 방법에 의한 식 Vx= [L(1/tAB-1/tBA)cos베타]/[2cos( - + 베타)]에 의해 계산하고, 수심 H`를 식 H`=(tCB+tBC)/tAB+tBA) * L 에 의해 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유속 및 수심 동시 측정 방법.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 재료 > 전기·전자기 기능재료

전계 방출용 마이크로-팁 및 그 제조방법

본 발명은 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 모울드를 형성하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 뒤, 상기 기능성막 상에 반도체(또는 금속)팁을 형성하는 공정과; 상기 반도체(또는 금속)팁 상에 전도성 박막을 형성하는 공정과; 상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 공정을 포함하여 마이크로-팁 제조를 완료함으로써, 1) 기능성 막을 팁의 모양과 일치하도록 형성할 수 있게 되어 반도체 팁이 가지는 구조적인 장점들과 함께 기능성 막 재료의 장점들도 동시에 공유할 수 있을 뿐 아니라 2) 모울드의 모양을 매우 뾰족한 모양으로부터 둥그스름한 모양에 이르기까지 조절할 수 있어 기능성 막의 도포 방법에 따라 모울드의 모양을 유연성 있게 선택 사용할 수 있는 잇점을 갖는 고신뢰성의 전계 방출용 마이크로-팁을 구현할 수 있게 된다.1. 실리콘 모울드를 형성하는 모울드 형성 공정과;상기 실리콘 모울드 상에 기능성막을 형성한 후, 상기 기능성막 상에 팁을 형성하는 기능성박막이 코팅된 팁형 성공정과; 상기 팁의 일면에 전도성 박막을 형성하는 전도성 박막 형성공정과;상기 전도성 박막에 기판을 접합하는 지지수단 형성공정과; 상기 실리콘 모울드를 제거하는 기능성막 노출공정을 포함하느 ㄴ전계 방출용 마이크로-팁 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 모울드를 형성한 후, 그 실리콘 모울드에 산화막을 형성하여 이후에 형성되는 기능성막이 코팅된 팁의 형상을 조절하는 팁형상 조절공정을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 모울드형성공정은 결정방향이 100인 반도체 기판상에 결정방향이 110인 기판의 일면에 대하여, 수직 혹은 평행인 방향으로 식각마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 패터닝하여 기판의 일부를 노출시킨 후, 그 노출되 ㄴ기판을 결정 의존성 식각하여 단면이 V형인 홈을 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 제거하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하느 ㄴ전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.3.제 1항에 있어서, 상기 팁은 반도체 또는 금속 물질을 선택하여, 박막 증착법 또는 프린팅 법 또는 전기 도금법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.4. 제 1항에 있어서, 지지수단 형성공정에서 접합하는 기판은 반도체나 유리 혹은 금속기판중 어느 하나를 선택적으로 사용하는 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.5.제 1항에 있어서, 상기 팁형상 조절공정은 상기 실리콘 모울드의 상부에 열산화막을 성장시키는 단계와;상기 열산화막을 식각하여 이후에 형성하는 기능성막이 코팅된 팁의 끝부분을 둥글게 형성되도록 하는 열산화막 식각단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계 방출용 마이크로-팁 제조방법.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-12-15
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일반기술 화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술

카바메이트류의 제조방법

Cu[NCMe4]X, K[CuX2], [(CuX)(S)]n (X=Cl, Br, I ; S =용매)의 구조식 (X=Cl, Br, I)을 갖는 1가의 할로겐화 구리화합물, 또는 구조식[Cu(CO)XaLb]mYn (X=CF3CO2, Cl, HB(pz)3 (pz = pyrazoyl, C3H3N2), LBF2 {LBF2 = difluoro-3,3-(trimethylenedinitrilo)bis(2-butanone oximato)borate}; L = en, diene; Y=BPh4, AsF6; a,b =0, 1 ; m =1-4; n=0,1)의 카르보닐기 (Cu-CO)를 갖는 1가의 구리 화합물 중에서 선택된 1종 이상의 촉매 존재 하에서 아민을 알코올 및 CO/O2 혼합가스와 반응시키는 것으로 되는 카바메이트류의 제조방법이 제공된다.1.Cu[NCMe(4)2n (X=Cl,Br,l:S=용매)의 구조식(X=Cl,Br,I)을 갖는 1가의 할로겐화 구리 화합물, 또는 구조식([Cu(CO)X(a)L(b)mY(a) (X=CF3CO2,Cl,HB(PZ)3 (PZ=pyrazoyl,C3H3N2),LBF(z){LBF=difluoro-3,3`-(trimethylenedinitrilo)bis(2-butanone oximato)borate};L=en,diene;Y=BPh,AsF;a,b=0.1;m=1;n=0.1)의 카르보닐기(Cu-CO)를 갖는 1가의 구리 화합물 중에서 선택된 1종 이상의 촉매 존재하에서 아민을 알올 및 CO/O2혼합가스와 반응시키는 것으로 되는 다음 일반식을 갖는 카바메이트류의 제조 방법:식 중, R은 탄소수 1~8개의 알킬기, 탄소수 4~6개의 시클로알킬기, 탄소수 6~15개의 치환되거나 치환되지 않은 아릴기를 나타내고;R`는 탄소수 1~12개의 알킬기, 시클로헥실기, 페닐기 또는 벤질기를 나타내며; n은 1또는 2임.2. 제 1항에 있어서, 원료로 사용되는 아민류를 메틸아민, 에틸아민, 이소프로필아민, 부틸아민, 이소부틸아민, 헥실아민, 아닐린, 시클로부틸아민, 시클로헥실아민, 헥사메틸렌디아민, 1,-페닐렌디아민, 4,4`-메틸렌디아닐린, 1,4-시클로헥산디아민 및 시클로알킬디아민 중에서 선택하는 방법.3. 제 1항에 있어서, 탄소수 1-12개의 알코올을 원료 알코올로 사용하는 방법.4. 제 3항에 있어서, 탄소수 1-4개의 알코올을 원료 알코올로 사용하는 방법.5. 제 1항에 있어서, 반응 온도 및 압력이 각각 80-250℃,30-200기압인 방법.6. 제 1항에 있어서, 촉매로 사용되는 1가의 구리 화합물을 원료 아민에 대해 0.05-50몰%의 양으로 사용하는 방법.7. 제 6항에 있어서, 촉매로 사용되는 1가의 구리 화합물을 원료 아민에 대해 0.5-50몰%의 양으로 사용하는 방법.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 환경 > 기타 사전오염예방·청정요소 기술

유동상을 이용한 간접 가열식 유류 오염 토양의 열 탈착 처리방법 및 장치

본 발명은 유류 등으로 오염된 토양을 유동상을 이용 열 탈착하여 정화 처리하는 데 있어서 탈착 가스를 주기적으로 공급하여 토양에 흡착되어 있는 유류를 탈착하는 데 필요한 가스의 총량을 저감시키고, 반응기 자체의 탈착 효율을 처리 가스 연속 공급시와 거의 같게 할 수 있는 열 탈착 처리 장치를 제공하는 것으로서, 별도의 구동 장치를 요하지 않으면서도 연소열이 고효율로 탈착기에 전달되며, 유동상 처리 장치는 주기적으로 조작되므로 폐가스의 발생량을 원천적으로 억제할 수 있다.1.유동상 열 탈착 시스템 내에서 간접 가열을 통해 토양에 묻은 오염 유류를 탈착시키는 단계와, 유동상 열 탈착 시스템에서 탈착된 유류분을 산화 촉매를 이용하는 열 파괴 시스템에서 분해 및 제거하는 단계를 포함하는, 유류로 오염된 토양을 간접 가열하여 열 탈착 처리하는 방법에 있어서, 상기 열 탈착 시스템의 가스 공급용 분산판을 다수의 독립적 가스 영역으로 분할하는 단계와, 각 독립적 가스 공급 영역 마다 간헐적으로, 단위 시간에 가스가 공급되는 기간과 공급되지 않는 기간을 교대로 가지면서 주기적으로 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.2. 유류 오염 토양의 유류를 탈착시키기 위한 유동상 열 탈착 시스템 내에서 간접 가열을 통해 토양에 묻은 오염 유류를 열 탈착 처리하는 장치에 있어서, 상기 유동상 열 탈착 시스템에 이용되는 가스 공급용 분산판이 다수의 독립적인 영역으로 분할되어 있고, 상기 각 영역 마다 밸브 및 이 밸브를 제어할 수 있는 제어기가 설치되어 있어서, 상기 각 영역 마다 간헐적으로 가스 공급 및 차단을 교대로 행하면서 주기적으로 가스 공급을 행할 수 있게 한 것을 특징으로 하는 장치.3. 제 2항에 있어서, 분산판 대신 플리넘을 분할한 것을 특징으로 하는 장치.4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 분할 방향이 열 탈착 처리 장치의 높이 방향인 것을 특징으로 하는 장치.5. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 탈착 처리 장치가 다단으로 배치된 것을 특징으로 하는 장치.6. 제 5항에 있어서, 분산판의 분할 방향이 열 탈착 처리기의 높이 방향인 것을 특징으로 하는 장치.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 전기·전자 > 전자부품

광전소자의 전류차단구조 형성방법

본 발명은 활성층과 전류차단구조를 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 활성층을 형성한 후, 이온 주입법 또는 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성함으로써 공정단계가 복잡하고, 미세한 구조를 형성하는 것이 용이하지 않아 그 수율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 V자형의 홈이 형성된 갈륨비소기판의 방향에 따라 성장되는 P형 갈륨비소에피층의 정공농도의 차를 이용하여, 동시에 그 V자형 홈의 사면에는 전류차단구조를 형성하고 갈륨비소기판의 평탄한 면에는 활성층을 형성함으로써 공정단계를 간략화하는 효과와, 미세한 패턴의 공정이 가능해짐으로써 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 기판의 기울기에 따라 그 기판위에 성장되는 P형 갈륨비소 에피층의 정공농도차를 이용하여,경사면을 갖는 기판에 P형 갈륨비소 에피층을 성장시켜 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 기판은(Ⅲ)방향의 경사면을 갖는 V자홈이 형성된(100)방향의 갈륨비소기판인 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, P형 갈륨비소 에피층은 유기금속 화학증착방법을 사용하여 상기 V자홈이 형성된 갈륨비소기판상에 성장시켜 된 것을 특징으로 하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

원료 가스중에 함유된 철 카르보닐 화합물의 제거 방법

합성 가스 또는 일산화탄소 원료 가스 중의 철 카르보닐 화합물을 효율적으로 제거할 수 있는 간편하고 개선된 새로운 방법에 관한 것이다. 공급되는 원료 가스의 일정량을 할로겐 화합물, 즉 염소, 브롬, 요오드 가스로 충진된 탑을 통과시켜 증기압 정도의 할로겐 가스 화합물을 원료 가스에 투입하므로써 원료 가스 중의 철 카르보닐 화합물을 비휘발성의 철 할로겐 화합물로 전환시키고, 이와 같이 처리된 원료 가스를 흡착제가 충진된 탑을 통과시켜 존재하는 철 성분을 모두 제거하는 방법을 특징으로 한다.1. 철 카르보닐 화합물을 함유하는 우너료 가스를 할로겐 가스와 반응시켜 철 카르보닐 화합물을 비휘발성의 철 할로겐 화합물로 전환시킨 다음, 이것을 불활성 흡착체 층에 통과시키는 것을 특징으로 하는 원료 가스 중에 함유된 철 카르보닐 화합물의 제거 방법.2. 제1항에 있어서, 원료 가스가 일산화탄소 가스 또는 합성가스인 방법.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 할로겐 가스가 염소 가스, 브롬 가스 및 요오드 가스로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 흡착제층이 활성탄, 점토, 알루미나, 실리카 및 실리카-알루미나로 이루어진 군 중에서 선택되는 방법.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

염화수소의 산화에 의한 염소제조용 염화세륨-삼산화이크롬 촉매 및 이의 제조방법

비교적 낮은 온도에서 반응 활성이 높은 신규한 염화세륨-삼산화이크롬 촉매를 제조하는 방법을 제공한다. <구성>염화세륨(CeCl3) 5중량% 이하와 삼산화크롬(CrO3) 95중량% 이상의 배합비로 혼합 수용액을 만들고, 이것을 섭씨 90도 이상의 온도에서 에탄올과 환류 반응시켜 수화된 염화세륨-삼산화이크롬(CeCl3-Cr2O3)을 얻은 후, 섭씨 100-140도에서 건조하고, 생성된 반응물을 섭씨 350 내지 500도에서 1 내지 10시간 동안 공기 중에서 소성함으로써 염소 제조용 촉매인 염화세슘-삼산화이크롬 촉매를 제조한다. 이 촉매는 첨가된 세륨이 4가와 3가의 가역적 산화 환원제를 형성하면서 산화크롬 촉매에 산소를 공급하여, 염화수소의 산화 반응의 중간체로 알려진 Cr2O3-O의 형성을 촉진하기 때문에 비교적 낮은 온도에서도 염화수소의 전환율을 높이게 된다. <효과>반응 온도 섭씨 360-380도에서 염화수소를 산화시켜 높은 수율의 염소를 제조하게 하는 촉매로 유용하다.1. 염화세륨과 삼산화이크롬으로 이루어짐을 특징으로 하는 염화수소의 산화에 의한 염소제조용 촉매.2. 제1항에 있어서, 염화세륨 5중량% 이하와 삼산화이크롬 95중량% 이상으로 이루어진 것이 특징인 촉매.3. 삼산화크롬 및 염화세륨의 혼합 수용액을 에탄올과 반응시킨 다음 얻어진 반응생성물을 소성하는 것으로 됨을 특징으로 하는 제1항에 따른 염화세륨-삼산화이크롬 촉매의 제조방법.4. 삼산화크롬과 에탄올과의 반응생성물을 소성하여 이로부터 얻어진 삼산화이크롬에 염화세륨 수용액을 담지시키는 것으로 됨을 특징으로 하는 제1항에 따른 염화세륨-삼산화이크롬 촉매의 제조방법.5. 제3항에 있어서, 에탄올과의 반응온도를 90℃ 이상으로 하는 것이 특징인 제조방법.6. 제3항에 있어서, 350℃ 내지 500℃에서 3 내지 6시간 동안 공기중에서 소성하는 것이 특징인 방법.7. 제4항에 있어서, 에탄올과의 반응온도를 90℃ 이상으로 하는 것이 특징인 제조방법.8. 제4항에 있어서, 350℃ 내지 500℃에서 3 내지 6시간 동안 공기중에서 소성하는 것이 특징인 방법.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

중공구형 고분자 기공 전구체를 이용한 다공성 세라믹스의 제조방법

기공율, 기공 크기, 기공 형상 및 기공 기구를 조정할 수 있는 물리적 특성이 개선된 다공성 세라믹스를 제조한다. <구성>액상 매체 중에서 기공 전구체는 슬러리 내의 전체 고형 분말을 기준으로 약70부피% 이하의 양으로 첨가하고 슬러리 내의 전체 고형 분말의 부피 분율은 약25부피%-42부피%로 조정한다. 여기에 세라믹 분말을 혼합하여 구성 입자 간의 분리가 없는 슬러리를 형성하여 세라믹 분말/기공 전구체 분말의 복합 성형체를 얻는다. 그런 다음 복합 성형체를 탈지 및 소결한다.1. (a) 액상 매체 중에서 기공 전구체와 세라믹 분말을 혼합하여 구성 입자간의 분리가 없는 슬러리를 형성하는 단계, (b) 상기 슬러리를 성형하여 세라믹 분말/기공 전구체 분말의 복합 성형체를 얻는 단계, 및 (c) 상기 복합 성형체를 탄지 및 소결하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 세라믹스의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 기공 전구체는 슬러리 내의 전체 고형 분말을 기준으로 약 70부피% 이하의 양으로 첨가하고, 슬러리 내의 전체 고형 분말의 부피 분율은 약 25부피% 내지 42부피%로 조정되는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체 분말로서 밀도 약 0.05g/㎤ 이하, 평균 입경 약 40㎛인 중공 구형 고분자 분말을 사용하는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 분말이 알루미나, 지르코니아 및 질화 알루미늄 분말로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.5. 제1항에 있어서, 기공 전구체의 첨가량이 40부피% 미만인 방법.6. 제1항에 있어서, 기공 전구체의 첨가량이 40부피% 이상 65부피% 이하인 방법.7. 제1항에 있어서, 복합 성형체의 소결 선수축율이 순수한 세라믹 분말안의 소결 선수축율의 약 1.5%까지 조절될 수 있는 것인 방법.8. 제1항의 방법에 따라 제조된 기공율이 약 0.2% 내지 70%이고, 기공이 구형이며, 균일한 미세구조를 갖는 다공성 세라믹스9. 제8항에 있어서, 폐기공 상태의 기공 구조를 갖는 것인 다공성 세라믹스.10. 제8항에 있어서, 개기공 상태의 기공 구조를 갖는 것인 다공성 세라믹스.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 재료 > 기타 세라믹재료

SIC 휘스커 강화 세라믹스 복합 재료의 제조 방법

혼합 분말 과립의 미세구조 조정에 의하여 일축 가압 소결에 의한 휘스커의 2차원적 배향성을 극대화시키는 새로운 방법을 제공한다. <구성>고형분율이 약 25부피% Al2O3 수용액 슬러에 3부피%의 SiC 휘스커 수용액 슬러리를 첨가하여 형성한 혼합 슬러리를 동결 건조하여 가압 소결용 혼합 과립을 제조한다. 이 과립을 금형에 체운 후 섭씨 1800도에서 45MPa의 압력으로 약 40-60분갼 아르곤 분위기하에서 가압 소결하여 SiC 휘스커(25부피%)/Al2O3 복합제로를 제조한다. <효과>휘스커의 이차원적 배향성을 촉진시켜 기계적 물성과 공정 재현성이 향상된 휘스커 강화 세라믹스 복합재료를 제조할 수 있게 된다.1. a) 열처리한 SiC 휘스커에 약 0.4-1.0중량%의 중성 고분자 PVA를 첨가하여 PVA 흡착량을 최대로 증가시키고 분산성이 우수한 SiC 휘스커 슬러리를 제조하는 단계, b) 상기ㅏ SiC 휘스커 슬러리를 pH 4에서 형성한 세라믹스 기재상 슬러리와 혼합하여 동결 건조시켜 균일하고 소밀한 충전 구조를 갖는 과립을 준비하는 단계, 및 c) 상기 과립을 가압 소결하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 SiC 휘스커 강화 세라믹스 복합 재료의 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 단계 a)의 휘스커 슬러리는 500℃ 내지 700℃의 온도 및 공기 또는 아르곤 분위기 하에서 전기로에서 약 1시간 동안 열처리하여 수득한 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 가압 소결 단계 c)를 1800℃에서 45MPa의 압력에서 약 40내지 60분간 Ar 분위기 하에서 수행하는 것이 특징인 방법.4. 제1항에 있어서, 세라믹스 기재상 슬러리가 Al₂O₃ 또는 Al₂O₃ZrO₂인 것인 방법.

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한국과학기술연구원
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일반기술 화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술

황함유 6각 고리 화합물 및 그의 제조 방법

포도 방고병균, 사과 탄저병균 및 벼 도열병균에 의해 살균 효과를 나타내는 살균제 또는 항바이러스제로서 유용한 황-함유 육각 고리 화합물을 제공한다. <구성>일반식(X)의 화합물을 비활성 유기 용매인 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 아세트산 에틸, 벤젠, 톨루엔 또는 아세트산 중에서 촉매인 벤젠 셀레닌산의 존재하에서 산화제인 과산화수소 또는 메타클로로과벤조산으로 산화시켜 일반식(I)의 황 함유 6각 고리 화합물인 메틸-2-메틸-1,4-옥사티인-3-카르복실레이트, 2-메틸-N-페닐-1,4-옥사티인-3-카르복스아미드 또는 메틸-2-메틸-1,4-디티인-3-카르복실레이트를 제조한다. 일반식에서 A는 O, S, NCOCH3, SO 또는 SO2이고, R1은 페닐이고, R2는 -COR3이고, R3은 아미노기 또는 알콕시기이고, N은 0,1 또는 2이다.1. 다음 일반식(I)으로 표시되는 황 함유 6각 고리 화합물식 중, A는 O, S, NCOCH3,SO 또는 SO2이고 R1및 R2는 그 위치가 서로 바뀔수 있으며, R1은 메틸기 또는 페닐기이고, R2는 -COR3기이고, 여기서 R3는 아미노기 또는 알콕시기이고, n은 0,1또는 2이다.2. 제 1항에 있어서, 상기 아미노기가 -NR4(R5)로 표시되고, 여기서 R4및 R5는 서로 같거나 다를 수 있으며, 각각 수소, 탄소 원자 수 6개 이하의 알킬기, 페닐기, 할로페닐기, 알킬페닐기, 알콕시페닐기, 방향족기, 또는 모르폴리노기인 화합물.3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 할로페닐기가 클로로페닐기, 브로도페닐기 또는 플루오로페닐기인 화합물.4. 제 1항에 또는 2항에 있어서, 상기 알킬펜리기가 에틸페닐기, 에틸페닐기, 프로필페닐기, 이소프로필페닐기, 디메틸페닐기 또는 디에틸페닐기인 화합물.5. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 알콕시페닐기가 메톡시페닐기, 에톡시페닐기, 디메톡시페닐기 또는 디에톡시페닐기인 화합물.6. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 방향족기가 니트로페닐기, 시아노페닐기, 히드록시페닐기, 페닐페닐기, 아세틸페닐기, 벤조일페닐기 또는 상플루오르메틸페닐기인 화합물.7. 제 1항에 있어서, 알콕시기가 -OR8로 표시되고, R6가 수소, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부딜기, 펜딜기 또는 헥실기인 화합물.8. 다음 일반식(X)로 표시되는 황 함유 6각 고리 화합물식 중, A,R1, 및 R2는 제 1~7항에서 정의한 바와 같다.9. 다음 일반식(X)의 화합물을 비활성 유기용매 중에서, 촉매 존재하에 산화시킴을 특징으로 하는 다음 일반식(I)의 황 함유 6각 고리 화합물의 제조방법.위 식중, A, R1, R2및 n은 제 1~7항에서 정의한 바와 같다.10. 제 9항에 있어서, 유기용매가 메틸렌 클로라이드, 클로로포롬, 아세트산 에틸, 벤젠, 톨루엔 또는 아세트산인 것을 특징으로 하는 제조방법.11. 제 9항에 있어서, 촉매가 벤젠셀레닌산인 것을 특징으로 하는 제조방법.12. 제 9항에 있어서, 산화를 산화제로서 과산화수소 또는 메타클로로피벤조산을 사용해서 행하는 것을 특징으로 하는 제조방법.

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고인성.내저온열화 정방정 지르코니아 복합체의 제조 방법(1)

~90MOL%, ZRO2, 5~7MOL% Y2O3, 3~6MOL% NB2O5나 TA2O5보다 많이 첨가되어 제조된 비전이성 TZP에 93-97MOL% ZRO2, 2~4MOL% Y2O3, 1~3MOL% NB2O5또는 TA2O5로 이루어진 조성중 Y2O5가 NB2O5나TA2O5보다 많이 첨가된 조성을 갖는 전이성 TZP 60WT%이하로 혼합하여 소결함을 특징으로 하는 고인성.내정온열화 정방정 지르코니아 복합체의 제조방법.1. 비전이성 정방성 지르코니아(TZP)에 전이성 TZP를 비전이성 TZP에 대해 무게로 60% 이하 혼합.소결하는 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 보갛ㅂ체의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 비전이성 TZP가 몰%를 기준하여 ZrO₂:88-91%, Y₂O₃:5-7% 혼합된 혼합물에, Nb...O...:3-6% 또는 Ta₂O....:1-3% 첨가하여 된 것을 특징으로 하는 고인성.내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.3. 제1항에 있어서, 전이성 TZP가 몰%를 기준하여 ZrO₂: 93-97%, Y₂O₃: 2-4% 혼합된 혼합물에, Nb...O...: 1-3% 또는 Ta₂O....:1-3% 첨가하여 된 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.4. 제1항에 있어서, 소결조건으로 1550℃에서 2-10시간 소결하는 것을 특징으로 하는 고인성, 내저온열화정방형 지르코니아 복합체의 제조방법.

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중곡 구형 고분자 기공 전구체를 사용한 적층 세라믹스의 제조 방법

세라믹 분말과 중공 구형 고분자 기공 천구체 분말을 부피비 로 100:0 내지 30: 70 의 범위로 혼합하여 슬러리를 얻는 단계, 상기 슬러리를 테이프 캐스팅하여 세라믹 분말/기공 전구체 복합 테이프를 얻는 단상기 복합 테이프를 적층시켜 적층체를 형성하는 단계, 상기 적층체를 탈지시키는 단계, 및 상기 탈지된 적층체를 소결하여 소결 적층체를 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공질층을 포함하는 적층 세라믹스 의 제조방법.1. (a) 세라믹 분말과 중공 구형 ㄱ고분자 기공 전구체 분말을 부피비로 100:0 내지 30:70의 범위로 혼합시켜 슬러리를 수득하는 단계, (b) 상기 슬러리를 테이프 캐스팅시켜 세라믹 분말/기공 전구체 복합 테이프를 수득하는 단계, (c) 상기 복합 테이프를 적층시켜 적층체를 형성시키는 단계, (d) 상기 적층체를 탈지시키는 단계, 및 (e) 상기 탈지된 적층체를 소결시켜 소결 적층체를 수득하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 다공질층을 포함하는 적층 세라믹스의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 적층이 약 65℃의 가열 온도에서 약 10kg/㎠이하의 적층압으로 약 15분 동안 수행되는 것인 방법.3. 제1항에 있어서, 상기 탈지가 약 50-110℃의 온도 구간에서 약 0.5℃/분의 승온 속도로 수행하는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 다공질층이 약 0.2-55%의 기공율을 갖는 것인 방법.5. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체가 약 40부피% 이하의 양으로 사용되는 것인 방법.6. 제1항에 있어서, 상기 기공 전구체가 50-70부피%의 양으로 사용되는 것인 방법.

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세팔로스포린계항생제 및 그의 제조 방법

다음 일반식(I)으로 표시되는 세팔로스포린 화합물.상기 식에서 Q는 질소 혹은 CH이고, P는 하나의 질소를 가지는동시에 한개 또는 두개의 히드록실기를 가지는 비고리형 아민 또는 헤테로시클릭아민으로서 N-메틸-비스(2-히드록시에틸)아민,라세믹-3,4-트란스-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (3S,4S)-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (3R,4R)-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, 메조-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (2S,4R)-4-히드록시-1-메틸-2-피롤리딘메탄올, 3,4-시스-디히드록시-1-메틸피페리딘,3,4-트란스-디히드록시-1-메틸피페리디, 또는 트로핀이다.1. 다음 일반식(I)으로 표시되는 세팔로스포린 화합물.상기 식에서 Q는 질소 혹은 CH이고, P는 하나의 질소를 가지는 동시에 한개 또는 두개의 히드록실기를 가지는 비고리형 아민 또는 헤테로시클릭아민으로서 N-메틸-비스(2-히드록시에틸)아민, 라세믹-3.4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, 멘조-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (2S,4R)-4-히드록시-1-메틸-2-피롤리딘메탄올, 3,4-시스-디히드록시-1-메틸피페리딘, 3,4-트란스-디히드록시-1메틸피페리딘, 또는 트로핀이다.2. 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 요오드메틸세펨을 20-25℃에서 용매존재하에 일반식(Ⅲ)의 비고리형 아민 또는 헤테로클릭아민과 반응시켜 생성된 중간체를 연속적으로 구조식(Ⅳ)으로 표시되는 화합물과 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(I)로 표시되는 세팔로스포린 화합물의 제조방법.상기 식에서 Q는 질소 혹은 CH이고, P는 하나의 질소를 가지는 동시에 한개 또는 두개의 히드록실기를 가지는 비고리형 아민 또는 헤테로시클릭아민으로서 N-메틸-비스(2-히드록시에틸)아민, 라세믹-3.4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, 멘조-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (2S,4R)-4-히드록시-1-메틸-2-피롤리딘메탄올, 3,4-시스-디히드록시-1-메틸피페리딘, 3,4-트란스-디히드록시-1메틸피페리딘, 또는 트로핀이다.3. 제 2항에 있어서, 일반식(Ⅱ)의 요오드메틸세펨에 대해 일반식(Ⅲ)의 비고리형 아민 또는 헤테로시클릭아민 유도체를 1-10당량으로 첨가하는 것을 특징으로 하는 일반식(I)의 세팔로스포린 화합물의 제조방법.4. 제 2항에 있어서, N,N 디메틸포롬이미드를 용매로 사용하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 세팔로스포린 화합물의 제조방법.

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표면에 관능기가 있는 분산 고분자의 제조 방법

동일한 반응기 내에서 입체 안정화제와 분산고분자를 동시에 제조할 수 있고, 입자 표면에 다양한 관능기를 도입시킬 수 있는 분산 고분자의 제조를위한 특수 중합방법을 제공한다. [구성]알킬알칼리 금속 개시제의 존재하에 환상 비극성 용매 및 펜탄, n-헥산, n-헵탄등의 비극성 탄화수소 용매중에서 식(I)의 스티렌계 단량체, 식(II)의 아크릴계 단량체 또는 식(III)의 디엔계 단량체를 리빙중합시켜 입체 안정화제를 얻는다. 알킬알칼리 금속 개시제를 추가로 혼합하고 섭씨 영하78-영상70도의 온도에서 입체 안정화제가 용해되지 않는 비닐계 또는 디엔계 단량체를 중합시켜 리빙분산 고분자를 얻는다. 동일 반응기 내에서 리빙분산 고분자를 카르복실기, 히드록실기 또는 술폰산기를 갖는 물질과 반응시켜 고분자 입자 표면에 다양한 관능기를 도입시킨다.1. (a) 알킬알칼리 금속 개시제 존재하에 환상 비극성 용매 및 CnH(2n+2) 계통의 파라핀계 비극성 탄화수소 용매 중에서 비닐계 또는 디엔계 단량체를 리빙 중합시켜 입체 안정화제를 얻는 단계, (b) 계속해서 알킬알칼리 금속 개시제를 혼합하고 상기 용매 중에서 상기 입체 안정화제가 용해되지 않는 비닐계 또는 디엔계 단량체를 중합시켜 리빙 분산 고분자를 얻는 단계, 및 (c) 동일 반응기 내에서 상기 리빙 분산 고분자를 카르복실기, 히드록실기 또는 술폰산기를 갖는 물질과 반응시키는 단계로 이루어진 것이 특징인 표면에 관능기가 있는 분산 고분자의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 알킬알칼리 금속이 하기 식으로 표시되는 화합물인 방법. R-Mt+식중, R는 메틸, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸 또는 디이소프로필아미노기를 나타내고, Mt는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb) 또는 세슘(Cs)을 나타낸다.3. 제1항에 있어서, 비닐계 단량체가 하기 식(1)의 스티렌계 단량체 및 하기 식(2)의 아크릴계 단량체중에서 선택되는 것인 방법. 식중, R1은 H 또는 CH3를 나타내고, R2는 C(CH3)3 또는 CH3를 나타낸다.4. 제1항에 있어서, 디엔계 단량체가 하기 식(3)으로 표시되는 단량체인 방법. CR1R2=CR3-CR$=CR5R6 식중, R1,R4 및 R5는 각각 수소 또는 메틸기를 나타내고, R3은 수소, 염소 또는 메틸기를 나타내며, R2 및 R6은 각각 수소를 나타낸다.5. 제1항에 있어서, 용매가 펜탄, n-헥산 및 n-헵탄으로 이루어진 군 중에서 선택된 파라핀계 비극성 탄화수소 용매인 방법.6. 제1항에 있어서, 용매가 시클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 군 중에서 선택된 환상 비극성 용매인 방법.7. 제1항에 있어서, 입체 안정화제가 10,000 내지 100,000범위의 분자량 및 1.0*1/10exp4 내지 2.0*1/10exp2몰/리터 범위의 농도를 갖는 것인 방법.8. 제1항에 있어서, 카르복실기 함유 물질이 드라이 아이스 및 이산화탄소로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.9. 제1항에 있어서, 히드록실기 함유 물질이 에틸렌 옥사이드 및 케톤으로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.10. 제1항에 있어서, 술폰산기 함유 물질이 트리알킬아민 술포트리옥사이드 및 술폰으로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.

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새로운 아크릴단 섬유의 제조 방법

80중량% 이상의 아크릴로니트릴 및 20중량% 이하의 공중합 가능한 단량체로 이루어지고, 점도 평균 분자량이 10,000 내지 1,000 000인 아크릴로니트릴 단독 중합체 또는 공중합체 100중량부와 물 및(또는) 친수성 고분자 20 내지 40중량부를 혼합하는 단계, 2)수화 아크릴 용융용 압출기와 슬릿 또는 원형 다이로 구성되고 밀폐 및 가열 보온이 가능한 압출기의 배럴 내에 상기 혼합물을 다져 놓고 165 내지 180도씨에서 완전히 용용시키는 단계, 3)유동체의 균일성을 향상시키기 위하여 상기 용융용 압출기와 압출 금형 사이에 레저버와 기어 펌프를 도입시켜 150 내지 180도씨 및 400 내지 1,000psi로 조정된 레저버에서 용융 균일성을 향상시키고, 150 내지 180도씨의 기어 펌프로 펌핑하는 단계, 및4)다이에서 140 내지 170도씨로 온도를 내려 슬릿 또는 원형 다이를 통하여 분당 3 내지 50m의 토출 속도로 상온 상압의 대기 중으로 직접 압출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 굵기가 0.1 내지 5마이크로m인 미소 섬유들이 가지런히 배열 집합된 내부 구조 및 x선 회절 패턴에서 배향도가 80 내지 97%, 비표면적이 1내지 20m2/g, 굵기 분포가 5 뼉500마이크로m 및 길이 대 굵기으 비(l/d)가 100 내지 100,000이고, 다양한 단면 모양과측면에 다수의 미세 균열 및 분지 섬유를 갖고 있는 아크릴 단섬유의 제조방법.1. 1) 80중량% 이상의 아크릴로니트릴 및 20중량% 이하의 공중합 가능한 단량체로 이루어지고, 점도 평균 분자량이 10,000 내지 1,000,000인 아크릴로니트릴 단독 중합체 또는 공중합체 100중량부와 물 및(또는) 친수성 고분자 20 내지 40중량부를 혼합하는 단계, 2) 수화 아크릴 용융용 압출기와 슬릿 또는 원형 다이로 구성되고 밀폐 가열 보온이 가능한 압출기의 배럴 내에 상기 혼합물을 다져 넣고 165 내지 180℃에서 완전히 용융시키는 단계. 3) 유동체의 균일성을 향상시키기 위하여 상기 용융용 압출기와 압출 금형 사이에 레저버와 기어 펌프를 도입시켜 150 내지 180℃ 및 400 내지 1,000psi로 조정된 레저버에서 용융 균일성을 향상시키고, 150 내지 180℃의 기어 펌프로 펌핑하는 단계, 및 4) 다이에서 140 내지 170℃로 온도를 내려 슬릿 또는 원형 다이를 통하여 분당 3 내지 50m의 토출 속도로 상온 상압의 대기 중으로 직접 압출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여 굵기가 0.1 내지 5㎛인 미소 섬유들이 가지런히 배열 집합된 내부 구조 및 X선 회전 패턴에서 배향도가 80 내지 97%, 비표면적이 1 내지 20mz/g, 굵기 분포가 5 내지 500㎛ 및 길이 대 굵기의 비(L/D)가 100 내지 100,000이고, 다양한 단면 모양과 측면에 다수의 미세 균열 및 분지 섬유를 갖고 있는 아크릴 단섬유의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 단계 2)에서 밀폐 및 가열 보온이 가능한 램 압출기를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.3. 제1항에 있어서, 단계 2)에서 밀폐 및 가열 보온이 가능하고 호퍼(hopper)쪽 제1 미터링 구역(metering section)에 용융실(melt seal)을 형성할 수 있는 2단계 단축 스쿠루(two-stage single screw)로 이루어진 압출기를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.4. 제1항에 있어서, 단계 2)에서 밀폐 및 가열 보온이 가능하고 혼합 용융용 다축 스쿠루(multi-screw) 압출기와 미터링용 단축 스쿠루 압출기가 조합된 압출기를 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.

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질화 규소막 또는 산화 규소막으로 코팅된 고온용 흑연 실험 용기 및 그의 제작 방법

흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.1. 흑연을 주재질로 하여 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막이 증착 코팅된 고온용 실험 용기.2. a) 시판되는 흑연을 기계 가공하여 원하는 모양으로 성형하는 단계, b) 성형된 흑연을 화학증착 반응기에서 먼저 규소막으로 증착시킨 후 열처리하여 반응물 확산 방지막을 형성함으로써 코팅시키는 단계, 및 c) 코팅 작업이 완결되면 기체 분위기를 막의 증류에 따라 질소 혹은 산소로 맞추고 약 1시간 동안 600~900℃에서 열처리하여 존재할 수 있는 핀 홀(pin hole)을 제거하는 단계로 이루어진 흑연 실험 용기의 제작 방법.3. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 저압 화학증착(low pressure dhemical vapor deposition) 반응기이고, SiH₄/H₂ 기체를 사용하여 기판 온도 250~400℃ 및 압력 1~10torr에서 승착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 산화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.4. 제2항에 있어서, 단계 b)에서 사용된 화학증착 반응기가 플라즈마 화학증착(plasma enhanced chemical vapor depostition) 반응기이고, SiH₄/H₂/NH₃ 기체를 사용하여 기판 온도 300~400℃, 압력 0.1~0.5torr 및 전력 50~100W의 조건에서 증착 과정을 수행하며, 형성된 반응물 확산 방지막이 질화규소막인 것을 특징으로 하는 방법.5. 제3항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 600~800℃의 온도에서 산소 분위기하에 행하여 산화 규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.6. 제4항에 있어서, 단계 b)에서의 열처리 과정을 750~900℃의 온도에서 질소 분위기하에 행하여 질화규소막을 형성함으로써 코팅시키는 것을 특징으로 하는 방법.7. 흑연을 주재질로 하며 그 위에 산화규소막 또는 질화규소막을 형성시킨 열전대용 흑연 캡.

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1,1,1- 트리플루오로-2,2- 디클로로에탄의 불소화 촉매 및 그것의 제조 방법

1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매 및 그것의 제조방법18817마그네슘 및 칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 아연세륨 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속성분과 크롬으로 이루어지며, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1:1 내지 1:32이고, 상기 크롬과 상기 금속 성분의 몰비가 1:0.5 이하인 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매.1. 마그네슘 및 칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 아연, 세슘 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속성분과 크롬으로 이루어지며, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1:1: 내지 1:32이고, 상기 크롬과 상기 금속 성분의 몰비가 1:0.5 이하인 1,1,1-트리플루오로-2.2-디클로로에탄의 불소화촉매.2. 제1항에 있어서, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1:4 내지 1:16인 촉매.3. 제1항에 있어서, 상기 크롬과 금속 성분의 몰비가 1:0.05 내지 1:0.25인 촉매.4. 제1항에 있어서, 상기 촉매의 표면적이 130㎡/g 이상인 촉매.5. 불화마그네슘 및 불화칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 불화아연, 불화세륨 및 불화니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물과 삼산화크롬을, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1:1 내지 1:32이고, 상기 크롬과 아연, 세륨 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 성분의 총합의 몰비가 1:0.5 이하가 되도록 물에 첨가하고, 그 혼합물을 메탄올 또는 에탄올과 60-100℃에서 반응시키는 것으로 이루어지는, 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화촉매의 제조 방법.

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2- 아릴 프로필 알킬폴리실록산 형태의 실리콘 오일 및 그의 제조 방법

디유기실록시기와 2-아릴프로필알킬폴리실록시기를 동시에 가지는, 공중합체 형태인 다음 일반식(I)의 고리형 또는 직쇄형의 실리콘 오일. 상기 일반식에서, X1과 X2는 독립적으로 수소 또는 C1-C3 알킬기, 페닐, 페녹시, 플루오로, 클로로, 브로모, 메트캅토, 메르캅토메틸기이고, M은 수소 또는 SIME2를 나타내거나, M이 수소인 경우 양말단의 OH가 결합하여 고리를 형성할 수 있으며, R1은 시클로헥실 또는 CH2-CH2-R이고, R은 CNH2N-2(N=1-16),클로로메틸렌, 시아노메틸렌, 페닐, 시아노기를 나타내고, R2와 R3는 독립적으로 메틸기와 페닐기를 나타내며, N와 M는 2-200이고 N와 M의 비는 1:0.01-1:100일 수 있다.1. 디유기실록시기와 2-아릴프로필알킬폴리실록시기를 동시에 가지는 공중합체 형태인 다음 일반식(1)의 고리형 또는 직쇄형의 실리콘 오일. 상기 일반식에서, X1과 X2는 독립적으로 수소 또는 C1-C3 알킬기, 페닐, 페녹시, 플루오로, 클로로, 브로모, 에르캅토, 메르캅토메틸기이고, M은 수소 또는 SiMe3를 나타내거나, M이 수소인 경우 양 말단의 OH가 결합하여 고리를 형성할 수 있으며, R1은 시클로헥실 또는 CH2-CH2-R이고, R은 CnH(2n+2)(n=1-16), 클로로메틸렌, 시아노메틸렌, 페닐, 시아노기를 나타내고, R2와 R3은 독립적으로 메틸기와 페닐기를 나타내며, n과 m는 2-200이고, n과 m의 비는 1:0.01-1:100일수 있다. 2. 다음 일반식(2)의 2-아릴프로필알킬디클로로실란을 유기용매하에 또는 유기용매없이 가수분해하여 실란올기를 말단기로 가진 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 따른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법. 상기 식에서 X1과 X2, 및 R은 제1항에서 정의된 것과 같다.3. 다음 일반식(2)의 2-아릴프로필알킬클로로실란과 다음 일반식(3)의 디유기디클로로실란의 혼합물에 클로로트리메틸실란을 혼합한 다음 반응시켜 M이 SiMe3인 말단기를 가진 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 따른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법. 상기 식에서 X1,X2,R,R2 및 R3는 제1항에서 정의된 것과 같다.4. 다음 일반식(2)의 2-아릴프로필알킬클로로실란과 다음 일반식(3)의 디유기디클로로실란을 유기용매하에 또는 유기용매없이 가수분해하여 실란올기를 말단기로 가진 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 따른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법. 상기 식에서,X1,X2,R,R2 및 R3는 제1항에서 정의된 것과 같다.5. 다음 일반식(2)의 2-아릴프로필알킬클로로실란과 다음 일반식(3)의 디유기디클로로실란을 유기용매하에 또는 유기용매없이 공가수분해하여 실란올기를 말단기로 가진 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 따른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법. 상기 식에서, X1,X2,R,R2 및 R3는 제1항에서 정의된 것과 같다.6. 제5항에서 얻어진 실리콘 오일을 유기용매하에 추가로 클로로트리메틸실란과 반응시켜 M이 SiMe3인 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 따른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법

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2- 아릴 프로필 히드로겐 폴리실록산 형태의 실리콘 오일 및 그의 제조 방법

디유기실록시기와 2-아릴프로필히드로폴리실록시기를 동시에 가지는, 공중합체 형태인 다음 일반식(I)의 고리형 또는 직쇄형의 실리콘 오일. 상기 일반식에서, X1과 X2는 독립적으로 수소 또는C1-C3 알킬기, 페닐, 페녹시, 플루오로, 클로로, 브로모, 메트캅토, 메르캅토메틸기이고, M은 수소 또는 SIME3를 나타내거나, M이 수소인 경우 양말단의 OH가 결합하여 고리를 형성하며, R1과 R2는 같거나 다를 수 있으며, 독립적으로 수소, 메틸기 또는 페닐기를 나타내며, X와 Y는 2-200이고 Y와 X의 비는 1:100일 수 있다.1. 디유기실록시기와 2-아릴프로필히드로폴리실록시기를 동시에 가지는, 공중합체 형태인 다음 일반식(1)의 고리형 또는 직쇄형의 실리콘 오일. 상기 일반식에서, X1과 X3는 독립적으로 수소 또는 C1-C3 알킬기, 페닐, 페녹시, 플루오로, 클로로, 브로모, 메르캅토, 메르캅토메틸기이고, M은 수소 또는 SiMe3를 나타내거나, M이 수소인 경우 양말단의 OH가 결합하여 고리를 형성하며, R1과 R3는 같거나 다를 수 있으며, 독립적으로 수소, 메틸기 또는 페닐기를 나타내며, x와 y는 2-200이고 y와 x의 비는 1:0.01-1:100일 수 있다. 2. 다음 일반식(2)의 2-아릴프로필히드로디클로로실란을 유기용매하에 또는 유기용매없이 가수분해하여 실란올기를 말단기로 가진 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 따른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법. 상기 식에서 X1과 X2는 상기 제1항에서 정의된 것과 같다.3. 다음 일반식(2)의 2-아릴프로필히드로클로로실란과 다음 일반식(3)의 디유기니클로로실란의 혼합물에 클로로트리메틸실란을 혼합한 다음 반응시켜 M이 SiMe3인 말단기를 가진 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 다른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법. 상기 식에서 X1,X2,R1 및 R2는 제1항에서 정의한 것과 같다.4. 다음 일반식(2)의 2-아릴프로필히드로클로로실란과 다음 일반식(3)의 디유기디클로로실란을 유기용매하에 또는 유기용매 없이 공가수분해하여 실란올기를 말단기로 가진 실리콘 오일을 얻는 것이 특징인 제1항에 따른 일반식(1)의 실리콘 오일의 제조방법. 상기 식에서 X1,X2,R1 및 R2는 제1항에서 정의한 것과 같다.

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한국과학기술연구원
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2000-12-15
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치 및 그 방법

차원 형상 정보획득 장치 및 그 방법15655대상물(6)에 평면광을 조사시키는 레이저 빔 발생부(2)와, 이 레이저 빔 발생부(2)의 레이저 빔 발생을 제어하는 레이저 빔 구동제어부(1)와, 상기 대상물(6)을 회전 테이블(7) 상에서 회전시키는 모처(8)와, 상기 레이저 빔 발생부(2)의 평면광 조사에 의해 가우시안(gaussian)분포를 갖는 선이 형성된 상기 대상물(6)의 영상을 획득하는 씨씨디 카메라(4)와, 상기 레이저 빔 발생부(2)및 씨씨디 카메라(4)를 가이드 테이블(5)상에서 수평 이동시키는모터(3)와, 구동제어신호를 전류로 변환함에 따라 상기 모터(3)(7)를 구동시키는 모터 구동부(9)와, 이 모터 구동부(9)에 구동제어신호를 출력하는 모터 구동 제어부(10)와, 상기 씨씨디 카메라(4)의 출력을 메로리에 저장함과 아울러 3차원의 영상 데이타에 따른 2차원의 영상 데이타를 교정, 합성하여 상기 대상물(6)의 3차원 좌표값을 산출하는 영상 처리부(11)와, 이 영상 처리부(11)의 출력에 따라 상기 대상물(6)의 주사선별 영상및 근사 곡면을표시하는 모니터(12)로 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.1. 대상물(6)에 평면광을 조사시키는 레이저 빔 발생부(2)와, 이 레이저 빔 발생부(2)의 레이저 빔 발생을 제어하는 레이저 빔 구동 제어부(1)와, 사기 대상물(6)을 회전 테이블(7) 상에서 회전시키는 모터(8)와, 상기 레이저 빔 발생부(2)의 평면광 조사에 의해 가우시안(gaussian) 분포를 갖는 선이 형성된 상기 대상물(6)의 영상을 획득하는 씨씨디 카메라(4)와, 상기 레이저 빔 발생부(2) 및 씨씨디 카메라(4)를 가이드 테이블(5) 상에서 수평 이동시키는 모터(3)와, 구동 제어신호를 전류로 변환함에 따라 상기 모터(3)(7)를 구동시키는 모터 구동부(9)와, 이 모터 구동부(9)에 구동 제어신호를 출력하는 모터 구동 제어부(10)와, 상기 씨씨디 카메라(4)의 출력을 메모리에 저장함과 아울러 3차원의 영상 데이타에 따른 2차원의 영상 데이타를 교정, 합성하여 상기 대상물(6)의 3차원 좌표값을 산출하는 영상 처리부(11)와, 이 영상 처리부(11)의 출력에 따라 상기 대상물(6)의 주사선별 영상및 근사 곡면을 표시하는 모니터(12)로 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.2. 제1항에 있어서, 레이저 빔 발생부(2)는 레이저 빔을 발생시키는 레이저 다이오드(21)와, 이 레이저 다이오드(21)에서 발생된 레이저 빔을 평면광으로 변환하는 원통 렌즈(22)로 구성한 것을 특징으로 하는 자유곡면의 3차원 형상 정도 획득 장치3. 제1항에 있어서, 영상 처리부(11) 및 모터 구동 제어부(10)는 개인용 컴퓨터(13)에 내장하여 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정도 획득 장치.4. 제3항에 있어서, 개인용 컴퓨터(13)은 윈도우(WINDOW) 환경이 설정되어 모터(3)(7)의 구동을 제어함과 아울러 상기 대상물(6)의 형상을 획득하기 위한 설정 화면을 표시하고 능동 비젼으로 대상물(6)의 영상을 획득하여 반사식으로 3차원 좌표값을 계산함으로써 가공위치를 산출하게 구성한 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.5. 형상 획득을 위한 파라메터의 초기값으로 설정하는 초기화 단계와, 상기 초기화 단계가 종료되면 2차원 영상 좌표를 3차원의 좌표로 변화하기 위하여 교정 파라메터를 결정하는 좌표 교정 단계와, 상기 좌표 교정 단계에서 좌표값의 교정이 완료되면 설정치를 셋업한 후 대상물이 회전형상이면 대상물(6)을 회전시킴에 따른 영상을 획득하고 회전 형상이 아니면 카메라(4)와 레이저 다이오드(21)를 수평 이동시킴에 따른 영상을 획득하는 영상 획득 단계와, 상기 영상 획득 단계에서 획득한 영상을 문턱값과 비교함에 따라 그레이 베벨로 변환하는 영상 변환 단계와, 상기 영상 변환단계에서 변환된 영상 데이타를 세선화(thinning)하여 측정 위치의 3차원 좌표를 산출하고 대상물의 좌표값이 모두 산출되었는지 판별하여 모두 산출되면 다면체의 근사 곡면을 생성하는 좌표 산출 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정도 획득 방법.6. 제5항에 있어서, 좌표 교정 단계는 파라메터에 의한 교정 블럭에 월드 좌표(world coordinate)를 설정하므로써 기준점의 좌표값을 산출하도록 함을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 장치.7. 제5항에 있어서, 좌표 산출 단계는 이웃하는 두 주사선 상의 위치벡터를 꼭지점으로 하는 삼각면을 만들어 다면체의 근사 곡면을 생성하는 것을 특징으로 하는 자유 곡면의 3차원 형상 정보 획득 방법.

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