일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
MaTiO3계에서 MgO의 양을 조절하고 섭씨 1400도 이상의 고온에서 소결함으로써 마이크로파 주파수 영역에서 낮은 손실값을 갖도록 한다. <구성>95% 이상의 순도를 갖는 MgTiO3에 3-30몰%의 MgO와 0.01-0.5몰%의 CaO를 첨가한 혼합 조성물에 증류수를 붓고 우레탄 용기중에서 우레탄 볼을 사용하여 습식으로 혼합 및 분쇄한 슬러리를 섭씨 100도에서 24시간동안 건조한다. 건조된 혼합물을 섭씨 1200도의 대기중에서 2시간 하소하여 혼합물에 화학 반응이 일어나도록한 후, 하소된 혼합물을 다시 습식 분쇄하고 건조시켜 미립으로 만든 다음, 하소 분말에 유기 바인더로서 1주량 분율의 폴리비닐알콜을 넣고 입상화시켜 분류하여 분말을 제조한다. <효과>섭씨1400도 이상의 고온에서 소결함므로써 기공의 발생을 크게 줄이고 소결 밀도가 높은 상태에서 평균 입경을 크게 함으로써 입계와 기공에 의한 유전손실을 줄일 수 있다.1. 압전 세라믹스 입자를 압전 고분자내에 분산시켜 복합화한 압전 세라믹-고분자 복합재료에 있어서, 압전고분자로 PVdF를 매트릭스로 하여 최대 5중량%의 실란이 첨가된 PZT 압전 세라믹스 입자가 10∼60용량% 분산됨과 아울러최대 3용량%의 카본이 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 압전 세라막-고분자 복합재료.2.압전 세라믹스 입자를 압전 고분자 내에 분산시켜 복합화한 압전 세라믹-고분자 복합재료의 제조방법에 있어서, PZT 압전 세라믹스에 최대 5중량%의 실란을 알콜과 함께 첨가하여 PZT 입자의 표면에 실란이 코팅되도록 한 후,PVdF 압전 고분자에 10∼60용량%의 실란처리된 PZT와 최대 3용량%의 카본 미립자를 첨가하여 건식 혼합한 다음 압출 성형법으로 50∼300㎛ 두께의 쉬트형으로 성형함을 특징으로 하는 압전 세라막-고분자 복합재료의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 압출성형시의 온도는 210℃인 것을 특징으로 하는 압전 세라믹-고분자 복합재료의 제조방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
통신 > 기타 무선·이동통신
본 발명은 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그(test jig)에 관한 것으로 두 개의 원형 도체판 각각에 원형 구멍을 뚫고 금속 원기둥으로 하여 금속 바디에 고정시키고, 원형 구멍과 원기둥 사이에 슬라이드 공차를 주어 유전체 시편 두께에 따라 자유로운 측정이 가능하도록 하고, 안테나와 금속 바디를 결합시켜 나사에 의한 안테나의 높이 제어와 오른 나사와 왼 나사가 가공된 기다란 봉의 회전에 의해서 좌우 운동을 가능하게 하여 측정 손실과 오차를 최소화하도록 구성한 것이다.1. 이동 통신용 대역통과 필터용 유전체 시편의 특성을 테스트하는 테스트 지그에 있어서,상기 유전체 시편을 그 위에 배치하도록 되어 있고 원형 구멍이 뚫려 있는 금속 바디 위에 고정되어 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 다수의 구멍이 뚫려 있는 제1 원형 도체판;상기 금속 바디와 상기 제1 원형 도체판에 뚫려 있는 상기 다수의 구멍을 관통하도록 되어 있는 다수의 금속 원기둥;상기 금속 바디와 결합형으로 제작되고, 계측기와 신호를 주고 받는 안테나, 및상기 금속 원기둥이 관통하도록 되어 있는 상기 원형 구멍과 일치되는 위치에 구멍이 뚫려 있고 상기 제1 원형 도체판위에 간격을 두고 배치되어 그 사이에 상기 유전체 시편을 배치하도록 되어 있는 제2 원형 도체판을 구비하여,상기 원형 구멍과 상기 원기둥들간에 슬라이드 공차를 주어 상기 유전체 시편 두께에 따른 자유로운 측정이 가능한 것을특징으로 하는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.2. 제1항에 있어서, 상기 안테나는 나사에 의한 높이 제어가 가능하고 오른 나사와 왼 나사가 동시에 작동하여 한쪽 방향의 회전으로 안테나의 좌우 운동이 동시에 이루어지는 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 원형 도체판에 상기 원기둥이 관통하여 슬라이드 공차에 의해서 상기 제2 원형 도체판의 상하 이동이 가능하고 상기 금속 바디에 연결된 지지대에 설치된 나사에 의한 안테나의 높이 제어와 오른 나사 및 왼 나사가 가공되어있는 봉에 의해 좌우 동시운동이 가능하도록 한 이동 통신용 대역통과 필터의 유전 특성 테스트 지그
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
서로 다른 반응 촉매를 사용하거나 또는 서로 다른 반응 온도로가동되는 2개 이상의 불균일계 촉매 반응기가 직렬로 연결되어구성된 방응계에 유기 반응원료로서 두가지 이상의 서로 다른 할로겐화탄소 또는 할로겐화 탄화수소 화합물을 각각 적합한 반응조건의 반응기로 공급하여 불화수소와 반응시키는 것으로 이루어진 두가지 이상의 서로 다른 불화탄화수소 화합물의 병산 제조방법.1. 서로 다른 반응 촉매를 사용하거나 또는 서로 다른 반응 온도로 가동되는 2개 이상의 불균일계 촉매 반응기가 직렬로 연결되어 구성된 반응계에 유기 반응원료로서 두가지 이상의 서로 다른 할로겐화탄소 또는 할로겐화탄화수소화합물을 각각 적합한 반응 조건의 반응기로 공급하여 불화수소와 반응시키는 것으로 이루어진 두가지 이상의 서로 다른불화탄화수소 화합물의 병산 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 할로겐화탄소 또는 할로겐화탄화수소 화합물리 CHaXb(X=Cl 또는 F, a=1 또는 2이고, b=4-a, 적오도 한개의 Cl을 포함), CX3CHa'Xb'(X=Cl 또는 F, a'=1, 2 또는 3이고 b'=3-a', 적어도 1개 이상의 Cl을 포함) 및 C2HaClb(a=0, 1, 2 또는 3이고, b=4-a)중에서 선택되는 것이 특징인 제조 방법.3. 제 1항에 있어서, 다음 반응기의 유기 반응원료가 상기 할로겐화탄소 또는 할로겐화탄화수소 화합물중 적어도 한가지 성분 이외에 전 반응기의 반응 생성물을 전부 또는 일부를 함유하는 것이 특징인 제조방법.4. 제 1항에 있어서, 얻어진 불화탄화수소 화합물이 CHxFy(X=1또는 2이고 y=4-x) 및 CF3CHaFb(a=1, 2또는 b=3-a)중에서 선택된 적어도 두가지 이상의 화합물인 것이 특징인 제조방법.5. 제 1항에 있어서, 반응촉매가 산화크롬, 불화크롬 및 산화크불화크롬중에서 선택된 적어도 한가지 성분,또는 이 성분과 불화마그네슘, 불화알루미늄 및 산화알루미늄중에서 선택된 적어도 한가지 성분과의 조합물인 것이 특징인 제조방법.6. 제 1항에 있어서, 각각의 유기 반응원료와 불화수소의 비 및 유기반응원료 전체와 불화수소의 비가 몰비로1:2 내지 1:50인 것이 특징인 제조방법.7. 제 1항에 있어서, 최종 반응기에서 유출되는 반응 생성물중 미반응 원료 및 중간 생성물을 회수하여 다시반응원료 순환 공급하는 것이 특징인 제조방법.8. 제 1항에 있어서, 반응 온도가 200℃~400℃인 것이 특징인 제조방법.9. 제 1항에 있어서, 서로 다른 반응기에 동일한 반응 촉매를 사용할 경우 이들 반응기 간의 온도 차이가 20℃ 이상인 것이 특징인 제조방법.10. 제 1항에 있어서, 반응 압력이 4kg/㎤-10kg/㎤인 것이 특징인 제조방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매 및 그것의 제조방법18817마그네슘 및 칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 아연세륨 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속성분과 크롬으로 이루어지며, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1:1 내지 1:32이고, 상기 크롬과 상기 금속 성분의 몰비가 1:0.5 이하인 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매.[구성],1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매 및 그것의 제조방법18817마그네슘 및 칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 아연세륨 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속성분과 크롬으로 이루어지며, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1:1 내지 1:32이고, 상기 크롬과 상기 금속 성분의 몰비가 1:0.5 이하인 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매.[구성],1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매 및 그것의 제조방법18817마그네슘 및 칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 아연세륨 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속성분과 크롬으로 이루어지며, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1:1 내지 1:32이고, 상기 크롬과 상기 금속 성분의 몰비가 1:0.5 이하인 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화 촉매.1. 마그네슘 및 칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 아연, 세륨 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속성분과 크롬으로 이루어지며, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1 : 1 내지 1 : 32이고, 상기 크롬과 상기 금속 성분의 몰비가 1 : 0.5 이하인 1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화촉매.2. 제1항에 있어서, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1 : 4 내지 1 : 16인 촉매.3. 제1항에 있어서, 상기 크롬과 금속 성분의 몰비가 1 : 0.05 내지 1 : 0.25인 촉매.4. 제1항에 있어서, 상기 촉매의 표면적이 130m2/g 이상인 촉매.5. 불화마그네슘 및 불화칼슘으로 구성되는 군에서 선택되는 화합물과, 불화아연, 불화세륨 및 불화니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 화합물과 삼산화크롬을, 상기 크롬과 상기 마그네슘 또는 칼슘의 몰비가 1 : 1 내지1 : 32이고, 상기 크롬과 아연, 세륨 및 니켈로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 성분의 총합의 몰비가 1 :0.5 이하가 되도록 물에 첨가하고, 그 혼합물을 메탄올 또는 에탄올과 60-100℃에서 반응시키는 것으로 이루어지는,1,1,1-트리플루오로-2,2-디클로로에탄의 불소화촉매의 제조 방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 고주파용 유존체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 고주파 유전체 조성은 소결온도가 적어도 1300∼1600℃의 고온일 뿐 아니라, 소결조제(sintering aids)를 첨가하지 않고는 소자로서 사용될 수 있는 충분한 기계적 강도와 유전특성을 가진 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다. 이에 1mol의 ZnO와 2mol의 TiO2를 조합으로 하는 ZnTi2O5에서 Zn2+이온을 Ca2+, Ba2+, Sr2+중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]Ti2O5 이때, x = 0.001∼0.90 mol인 고주파용 유전체 자기조성물 또는 1mol의 TiO₂대해 ZnO를 0.04∼1.00mol까지 첨가한 TiO2-x(ZnO)에서 Zn2+이온을 Ca2+, Ba2+, Sr2+중 선택된 하나의 이온으로 치환한 [(1-x)Zn x(Ca, Ba, Sr)]TiO₃이때, X = 0.01∼0.90 mol인 본 발명을 제공함으로써 900∼1250℃의 비교적 낮은 온도에서 소결되고, 소결조제 없이도 치밀한 미세구조와 우수한 유전특성을 가지며, 다양한 온도보상 범위를 갖고, 비교적 값싼 금속산화를 원료만으로 구성된 3성분계 조성을 갖는 온도보상용 마이크로웨이브 유전체 조성을 제공하도록 한 것이다.1. 다음 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물:TiO2-x(ZnO), 이때 0.04≤x≤1.002. 제1항에 있어서, Zn<2+> 이온을 Ca<2+>, Ba<2+>, Sr<2+>로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 이온으로 치환한 다음의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물:[Zn(1-y)(Ca,Ba,Sr)yO]xTiO3-x, 이 때, 0.04≤x≤1.00이고, 0＜y≤0.90.3. 산화아연 및 산화티타늄과, 칼슘 카보네이트, 바륨 카보네이트 및 스트론튬 카보네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 종을 다음 조성을 만족하도록 혼합하고, 습식 분쇄한 후, 하소하고, 900~1250℃에서 2~4시간 소성하는 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물의 제조방법:[Zn(1-y)(Ca,Ba,Sr)yO]xTiO3-x, 이 때, 0.04≤x≤1.00이고, 0＜y≤0.90.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 하기 구조식(IIa)의 3관능성 메타크릴산 에스테르 및 그의 이성체로 이루어진 치과 수복 재료용 광경화성 수지 프리폴리머 및 그를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 피상기 프리폴리머, 광개시제 시스템 및 무기 충전제 등을 함유하는 치과용 수복 재료로 사용되는 광경과성 복합 수지 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 조성물로부터 제조된 광경화물은 감소된 수분 홉수성으로 인해 종래의 수복 재료보다 우수한 물리적 특성 및 심미성을 갖는다.1. 프리폴리머 총중량을 기준으로 하여 하기 구조식(2a)의 메타크릴산 에스테르 60 중량% 이상과 그의 이성체인 하기 구조식(2b)의 메타크릴산 에스테르의 잔량으로 이루어진 것을 특징으로 하는 3 관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머.2. 하기 구조식 (1a), (1b) 및 (1c)의 메타크릴산 에스테르로 이루어진 2 관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머를 유기 아민의 존재하에 등몰량의 메타크릴로일 클로라이드와 반응시키는 것을 특징으로 하는, 제1항 기재의 하기 구조식(2a) 및 (2b)의 메타크릴산 에스테르로 이루어진 3관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머의 제조 방법.3. 조성물 총중량을 기준으로 하여 제1항에 기재된 3관능성 메타크릴산 에스테르 프리폴리머 5 내지 50중량%, 광개시제 0.1 내지 5 중량%, 환원제 0.1 내지 5 중량%, 무기 충전제 50 내지 90 중량% 및 희석제 5 내지 30 중량%를 함유하는 것을 특징으로 하는 치과 수복 재료용 광경화성 조성물.4. 제3항에 있어서, 광개시제는 캄포르퀴논이고, 환원제는 N,N-디메틸아미노에틸 메타크릴레이트이며, 무기 충전제는 실란 커플링제로 표면 처리되고 입자크기가 0.01 내지 10μm인 석영, 바륨 글래스, 실리카, 지르코니아/실리카, 알루미노 실리 케이트, 리튬 알루미노 실리케이트 또는 바륨 알루미노 실리케이트이고, 희석제는 메틸 메타크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트, 트리에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트(TEGDMA), 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트, 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트, 1-메틸-1,3-프로판디올 디메타크릴레이트 또는 1,6-비스(메타크릴로일옥시-2-에톡시카르보닐아미노)-2,2,4-트리메틸헥산인 것인 조성물.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명에 의한 전계방출표시소자(field emission display:FED) 및 그 제조방법은,기판 상에 소정 패턴의 식각마스크를 형성하는 공정과; 식각마스크를 이용하여 기판을 식각하여, 기판의 중앙 부분에는 끝이 뾰족한 V형 모양의 홈이 형성되고, 그 좌/우측 부분에는 밑면이 평평한 V형 모양의 홈이 형성된 구조의 실리콘 모울드를 형성한 후, 식각마스크를 제거하는 공정과; 상기 실리콘 모울드 상에 기능성 박막을 증착하여 모울드 내를 채우는 공정 및; 상기 실리콘 모울드를 제거하여, 기능성박막 재질의 기판 상에 스페이서와 마이크로-팁 어레이를 동시에 형성하는 공정으로 이루어져. 1) 스페이서 제조를 위한 별도의 공정이 불필요하고, 2) 실리콘 모울드의 깊이나 폭 등의 조절에 의해 스페이서의 높이나 폭 등을 임의로 조절할 수 있고, 3) 스페이서-팁간의 거리를 최소화할 수 있어 소자의 패키징 밀도(packaging density)를 높일 수 있으며, 4) 형광층이 형상된 유리기판과의 접합을 통하여 용이하게 표시소자를 제작할 수 있게 된다.1. 임의의 깊이를 갖는 홈이 형성된 반도체기판과; 상기 홈 밑면의 반도체기판에 형성된 n형 우물과; 상기 n형 우물 상에 형성된 에미터와; 홈이 형성되지 않은 상기 반도체기판 상에 형성된 절연막과; 상기 절연막위에 접합된 투명전극과; 상기 에미터 상측부에 배열되도록 투명전극 내측에 형성된 발광층 및; 상기 투명전극 상에 형성된 유리기판으로 이루어짐을 특징으로 하는 전계방출표시소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 반도체기판은(110)기준면에 대해 수직방향으로 스트라이프 모양의 홈이 현속교번되도록 형성된 특징으로 하는 전계방출표시소자.3. 제 1항에 있어서, 상기 반도체기판은 서로 소정간격 이격되고 사각형상을 가지는 공동 모양의 홈이 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.4. 제 1항에 있어서, 상기 에미터는 서로 소정간격 이격되도록 배열된 금속 팁 어래이나 실리콘 팁 어래이 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.5. 제 1항에 있어서, 상기 에미터는 박막 또는 후막 형상을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.6. 제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 유리기판 내측에 형성된 투명전극은 반도체기판 내에 형성된 공동 모양의 홈 폭보다 넓은 폭을 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자.7. 반도체기판 상에 절연막을 증착하고 선택 식각하는 공정과; 상기 절연막 패턴을 마스크로 기판을 소정 깊이 삭각하여 상기 기판 일부가 드러나도록 홈을 형성하는 공정과;상기 홈 밑면에 n형 우물을 형성하는 공정 및; 투명전극과 발광층이 형성된 유리기판을 상기 반도체기판과 접합시키는 공정을 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.8.제 7항에 있어서, 상기 절연막은 반도체 기판의 (11)기준면에 대해 수직방향으로 스트라이프 형상을 가지도록 식각하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법9. 제 7항에 있어서, 상기 절연막은 상기 반도체기판 표면이 서로 분리된 사각형상으로 드러나도록 식각하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.10. 제 7항 또는 제 9항에 있어서, 상기 투명전극은 반도체기판 내에 형성된 공동 모양의 홈 폭보다 넓은 폭을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.11.제 7항에 있어서, 상기 반도체 기판은 절연막 패턴을 마스크로 결정 의존성 식각처리하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.12. 제 11항에 있어서, 상기 반도체기판은 EPW용액, KOH수용액 및, 하이드라진 수용액 중 선택된 어느 하나로 식각하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.13. 제 7항에 있어서, 상기 n형 우물상기 홈 밑면에 5가 불순물인 인이나 비소등을 이온주입 또는 확산하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.14. 제 7항에 있어서 상기 에미터는 습식식각을 이용하여 실리콘 팁 어래이나 금속팁 어래이 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.15. 제 7항에 있어서, 상기 에미터는 박막 혹은 후막 형상을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.16. 제 7항에 있어서, 상기 반도체기판과 유리기판의 접합 공정은 정전 열접합, 저온 융점 유리물질을 이용한 접합, 저온기판 접합 및, 폴리머 접합중 선택된 어느 한 방법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
<목적>고집적 반도체 소자의 제조 공정중 금속 배선의 형성에 관한 것으로 특히 플라즈마 화학 증착법을 이용하여 맞은 저항의 텅스텐 박막을 증착시키기 위한 것이다. <구성>반응 기체인 WF6-H2 반응계의 H2:WF6 의 분압비를 15:1 이상으로 유지하고 0.1-1 torr의 증착 압력으로 250-500 도의 증착 온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 한다. <효과>텅스텐 박박을 제조할 때 급속 열처리 등의 번거러운 공정을 배제한 채 사용되는 반응 기체의 분압비를 분압비를 일정 범위내로 유지하여 증착이 이루어져 낮은 비저항값을 나타내는 텅스텐 박막을 얻을 수 있다.1. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF4-H2반응계의 H2:WF6의 분압비를 15:1이상으로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250-500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.2. 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착함에 있어서, 반응기체인 WF6-SiH4-H2반응계의 SiH4:WF6의 분압비를 0.5~1.5:1로 유지하고 0.1~1Torr의 증착압력으로 250~500℃의 증착온도에서 텅스텐 박막의 증착을 수행함을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법에 의한 텅스텐 박막 증착방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 고온부 전기로 주위에 링형 전자석을 설치하여 결정성장축 방향으로 약 1600 가우스의 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만법의 단결정 성장장치로서, 결정성장시 민감한 온도구배의 변화를 기할 수 있을 뿐만 아니라 고온부 전기로를 내부로 냉각수가 순환되는 이중관으로 형성하여 그 내주면에 금박막을 코팅하고, 안쪽으로 열선으로부터 방출되는 적외선을 일차적으로 흡수하도록 열선과 이중관 사이에 원통형의 단열담요 또는 보호석영관을 설치하여 상기 전자석의 자기장이 효과적으로 인가되도록 함으로써 저결함, 대직경의 갈륨비소 단결정을 성장시킬 수 있도록 한 것이다.1. 상부측의 고온부와 전기로와, 하부측의 저온부 전기로 및 고온부 전기로 내부에 설치됨과 아울러 그 내부에 반응용기가 내장되는 결정성장용 반응관 및, 상기 고온부 전기로의 중간부 외주를 포위하는 전자석을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 고온부 전기로는 내면에 금박막이 코팅된 내부관과, 이 내부관을 포위하는 외부관 및 내, 외부관 사이에 냉각수 순환공간을 가지는 이중관으로 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.3. 제 2항에 있어서, 상기 이중관은 스텐레스관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.4. 제 2항에 있어서, 상기 이중관은 석영관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고온부 전기로 및 저온부 전기로의 내주면과 그 내주면에 근접설치되는 열선 사이에는 비교적 얇은 단열담요가 설치된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.6. 제 5항에 있어서, 상기 열선에는 열선간의 접촉을 방지하는 단열 스페이서가 끼워지며 이 단열 스페이서를 프레임에 수직설치된 지지관에 접착고정하여 열선의 변형이 방지되도록 구성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.7. 제 1항에 있어서, 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석은 베이스 플레이트에 수직 입설된 가이드 레일을 따라서 승강가능한 승강대에 정착되어 승강가능하게 설치되는 것임을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.8. 제 7항에 있어서, 상기 승강대는 상기 가이드 레일에 안내되는 상, 하 한쌍의 슬라이더와 이 상, 하 한쌍의 슬라이더가 결합되어 상기 전자석을 지지하는 상부 받침대와, 상기 저온부 전기로를 지지하는 하부 받침대와, 이 상, 하부 받침대를 연결하는 연결간으로 구성되어 연결간을 결합 및 분리하는 것에 의하여 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석이 동시 또는 독립적으로 승강되도록 구성됨을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.9. 제 1항에 있어서, 상기 전자석은 링형으로 형성되며, 그 내경이 고온부 전기로의 외경보다 3cm이하로 크게 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.10. 제 1항에 있어서, 상기 전자석의 높이는 성장시키고자 하는 단결정 길이의 2배인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 CBr4개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법에 관한 것으로, 패터닝된 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr4개스를 유 입시키므로써, 상기 CBr4유입량에 따라 에피층 패턴의 측면 성장율을 조절할 수 있을 뿐 아니라 이로 인해 소자의 평탄화를 기할 수 있게 된다.1. 반도체 소자 제조공정에 있어서, 패터닝된 GaAs기판 위에 유기금속 화학증착법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 CBr₄을 유입하여 에피층을 성장시키는 과정에서 에피층 성장온도 또는 원료 개스인 5족 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비를 변화시켜 에피층의 측면 성장율을 조절하는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 패터닝된 GaAs기판은 광노광법 또는 습식식각법으로 식각처리하여 메사 또는 V홈 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.4. 제 2항에 있어서, 상기 에피층 성장온도는 600℃내지 800℃범위 내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.5. 제 2항에 있어서, 상기 원료 개스인 5종 원료 유입량/3족 원료 유입량의 비는 5내지 120 범위내에서 변화시키는 것을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN) 및 질화알루미늄(AlN)과 같은 Ⅲ족 금속우너소의 질화물의 미세 결정을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 회전날개가 부착된 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 Ⅲ족 금속우너소 용융물 내부로 주입하여 암모니아 가스와 Ⅲ족 금속원소를 직접 화학반응 시킴으로써 간편한 방법으로 수~ 수십 ㎛ 크기의 미세한 Ⅲ족 금속원소의 미세결정을 제조할 수 있다.1.850℃~1100℃의 온도에서, 갈륨, 알루미늄 및 인듐 중에서 선택된 Ⅲ족 원소 용융뮬 내부로 나선형 모양의 회전 날개가 부착된 암모니아 가스도입관을 잠기게 하여, 상기 가스도입관을 통해 암모니아 가스를 상기 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 주입하는 한편, 상기 회전날개를 정방향 또는 역방향으로 회전시킴으로써 Ⅲ족 원소와 암모니아 가스를 직접 화학반응시킴을 특징으로 하는 Ⅲ족 원소 질화물의 미세결정의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, Ⅲ족 원소가 갈륨인 것이 특징인 방법.3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 화학반응 후에 염산(HCl)혹은 부피비 1:1의 질산(HNO₃)+불산(HF)의 혼합물 또는 왕수(3염산+1질산)의 용액을 잔류하는Ⅲ족 원소를 제거함으로써 Ⅲ족 원소 질화물 미세정을 추출함을 특징으로 하는 방법.4. Ⅲ족 원소 용융물을 수납할 반응용기(4)가 내장된 반응관(2), 반응관(2)를 지지하는 상하 이동가능한 받침대(5), 정방향 또는 역방향으로 회전가능한 나선형 회전날개(6)가 구비되어 있는 Ⅲ족 원소 용융물 내부로 암모니아 가스를 도입하기 위한 가스도입관(7), 및 반응관(2)의 외주부에 형성된 1200℃까지 승온가능한 전기로(1)로 이루어진 Ⅲ족 원소의 질화물 미세결정 제조용 장치.5. 제 4항에 있어서, 나선형 모양의 회전날개가 부착된 가스도입관이 석영재료 또는 PBN(pyrolytic boron nitiride)으로 제작된 것이 특징인 장치.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
고주파 영역에서 실효 투자율이 높고 낮은 자심 손실을 갖는 저렴한 Fe계 비정질 합금을 제공한다. 고투자율 및 저자심 손실의 FeE계 비정질 연자성 합금은 조성식 Fe(x)Zr(y)B(z)M(w) (식 중, M은 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo이고, x,y,z 및 w는 각각 원자%로 76.5<=x<=82.5, 7<=y<=9, 10<=z<=13, 0.5<=w<=1.5이며, 단 x+y+z+w=100임)으로 나타내고; 76.5-82.5 원자%의 Fe, 7-9원자%의 Zr, 10-13 원자%의 B, 0.5-1.5원자% Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo을 주성분으로 하는 모합금을 마련하고, 이 모 합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고 이것을 용해합금의 퀴리 온도에서 결정화 온도 사이의 온도 범위로 열처리 한 후 냉각시켜 제조한다1. 다음 조성식, FexZryBxMw (식 중, M은 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 조는 Mo이고 x,y,z 및 w는 각각 원자%로 76.5≤x≤82.5, 7≤y≤9, 10≤z≤13, 0.5≤w≤1.5이며, 단 x+y+z+w=100임)으로 나타내는 고투자율 및 저자심 손실의 Fe계 비정질 연자성 합금.2. 76.5~82.5원자%의 Fe, 7~9원자%의 Zr, 10~13원자%의 B, 0.5~1.5원자%의 Ni, Nb, Co, Cr, Cu 또는 Mo을 주성분으로 하는 모합금을 마련하고, 이 모합금을 용해시킨 용탕을 급냉시켜 비정질화시키고, 이것을 열처리한 후 냉각시키는 것을 특징으로 하는 Fe계 비정질 연자성 합금의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 열처리를 용해 합금의 퀴리 온도에서 결정화 온도 사이의 온도 범위에서 행하는 것인 Fe계 비정질 연자성 합금의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
종래의 용매법에 의한 다이아몬드의 합성시 존재하는 다이아몬드 형성 밀도의 제어 한계를 극복하여 고품위 다이아몬드 분립체의 크기와 밀도를 인위적으로 제어하는 것이 가능하도록 한 다이아몬드 합성 방법을 제공하는 데 발명의 목적을 두고 있다. 흑연판 사이사이에 적층 배열되는 용매 금속판을 서로 다른 두 종류의 금속 물질로 이루어진 복합 구조로 형성한 것으로 중간층의 상하면에 중간층과는 다른 금속 물질로 이루어지고 내부에 일정 크기(직경 10 마이크로미터-2 MM)의 구멍이 형성된 바깥층을 겹쳐지게 하여 흑연판 사이에 위치하는 복합 구조의 용매 금속판에서 바깥층의 외면이 흑연판과 직접 접촉하도록 하여 다이아몬드를 형성토록 함으로써 다이아몬드 분립체의 크기 및 밀도를 인위적으로 제어하는 것이 가능하며, 원하는 크기를 갖는 고품위의 다이아몬드를 소정의 형성 밀도로 제조할 수 있다. 이와 같이 중간층을 사이에 두고 다공성의 바깥층이 겹쳐진 복합 용매 금속판과 흑연판을 교대로 적층 배열한 다음 이를 고압 용기 중에 장입하여 고압을 가한 상태에서 고온으로 가열하게 되면 복합 용매 금속판의 구멍이 뚫린 부분에서는 두 종류의 용매 금속(중간층과 바깥층)과 탄소(흑연판)의 공정 반응에 의해 다른 부분보다 빨리 용해되고, 이에 따라 각 구멍 형성 부위에서 다이아몬드 결정의 성장이 일어나게 된다.1. 흑연판과 용매금속판을 교대로 적응배열하여 고온, 고압하에서 다이아몬드를 형성시키는 합성방법에 있어서, 용매금속판을 이중금속으로 이루어진 중간층과 내부에 통공이 형성된 양 바깥층이 겹쳐진 복합 용매 금속판을 구성하여 봉공형성부위에서의 우선적인 용해에 이은 다이아몬드의 형성이 이루어지도록 함으로써 다이아몬드의 형성밀도를 조절할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법.2. 제1항에 있어서, 바깥층에 형성된 통공의 직경은 10㎛~2mm인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
CFC-113 또는 111-TCE의 대체 세정제로서 오존층 파괴 지수가 없는 로진계 플럭스 제거용 디리모넨계 수용성 세정제에 관한 것이다. <구성>로진게 플럭스 제거용 세정제는 물 5.9-33.3 무게%, 디-리모넨 40.0-72.7 무게%, 계면 활성제 13.6-39.5무게% 및 결합 물질 1.1-11.8무게%로 이루어지며, 위에서 사용된 계면 활성제는 비이온계 계면 활성제로서 폴리에틸렌 알킬에테르(5EO) 13.6-39.5 무게%, 폴리옥시에틸렌 노닐페놀에테르 (9EO) 28.6-39.5 무게% 및 폴리옥시에틸렌 노닐페놀에테르 (10EO) 28.6-39.5 무게% 등이 단독으로 또는 혼합하여 사용될 수 있으며, 또한 결합 물질로는 헥실렌글리콜 1.1-11.8 무게%, 프로필렌글리콜 1.3-7.1 무게%, 에틸렌글리콜 1.3-1.4 무게%, 트리에틸렌글리콜 1.3-1.4 무게% 및 다이프로필렌글리콜 1.3-7.1 무게%로 구성되는 군에서 선택되어 사용된다.1. 물 5.9-33.3 무게% ; 디-리모넨 40.0-72.7 무게% ; 에틸렌 옥사이드 부가 몰수가 5인(5EO) 폴리에틸렌 알킬에테르 13.6-39.5 무게%, 폴리옥시에틸렌 노닐페톨에테르(9EO) 28.6-39.5 무게% 및 폴리옥시에틸렌 노닐페놀에테르(10EO) 28.6-39.5 무게%로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 계면활성제와 헥실렌글리콜 1.1-11.8 무게%, 프로필렌글로 1.3-7.1 무게%, 에틸렌글리콜 1.3-1.4 무게%, 트리에틸렌글리콜 1.3-1.4 무게% 및 다이프로필렌글리콜 1.3-7.1 무게%로 구성되는 군에서 선택되는 결합물질로 이루어지는, 로진계 플럭스 제거용 세정제 조성물.2. 제1항에 있어서, 상기 계면활성제가 에틸렌 옥사이드 부가 몰수가 5인(5EO) 폴리에틸렌 알킬에테르인 것이 특징인 로진계 플럭스 제거용 세정제 조성물.3. 제1항에 있어서, 탁도 100 이하, 표면장력 28dyne/cm 이ㅏ, 점도 21cP 이하이고 인화점이 58℃ 이상인 것이 특징인 로진계 플럭스 제거용 세정제 조성물.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학 > 기타 무기화학
본 발명은 새로운 유기규소 화합물인 일반식(Ⅰ)과 (Ⅱ)의 의 실릴프로필아민 및 그의 제조방법과 식물의 진균성 질병에 대한 살균제로서 그의 용도에 관한 것이다. 상기식에서 X1과 X2는 독립적으로 수소 또는 C1-C4의 알킬기, 페닐, 페녹시, 플루오로, 클로로, 브로모이며, R은 수소 또는 메틸기이고, Z는 메틸렌, 에틸렌, 산소 또는 비어 있고 이어져 있는 경우를 표시하며, R1과 R2는 메틸, 알릴, 부틸, 페닐, 4-클로로페닐, 4-플루오르페닐, 히드록시, 트리메틸실록시기이고, n은 4 또는 5를 나타낸다.1. 다음 일반식(1)과 (2)로 표시되는 실릴프로필아민 화합물; 상기식에서, X1과 X2는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-C4의 알킬기, 페닐, 페녹시, 플루오르, 클로로, 브로모이며, R은 수소 또는 메틸기이고, Z는 메틸렌, 에틸렌, 산소 또는 비어 있고 이어져 있는 경우를 표시하며, R1과 R2는 메틸, 알릴, 부틸, 페닐, 4-클로로페닐, 4-플루오르페닐, 히드록시, 트리메틸실록시기이고, n은 4 또는 5를 나타낸다.2. 다음 일반식(2)과 (4)로 표시되는 실릴프로필클로라이드 화합물: 상기 식에서, X1, X2, R1, R2 및 n은 각각 제1항에 정의된 것과 같다.3. 2.6-디케틸모르폴린, 피페리딘, 헥사메틸렌이민 및 피몰리딘중의 한가지에 NaI를 넣고 제2항의 일반식(3)과 (4)의 실릴프로필클로라이드와 반응시키는 것으로 이루어진 제1항의 일반적(1)과 (2)의 실릴프로필아민 화합물의 제조방법.4. 다음 일반식(5)의 1,4,4-트리클로로-6-아릴-4-실라헥탄을 다음 일반식(6)과 (7)의 그리냐르 시약과 반응시키거나 클로로트리메틸실란과 공가수분해시키는 것으로 이루어진 제2항의 일반식(3)의 실릴프로필클로라이드 화합물의 제조방법; 상기식에서 X1, X2, R1, R2는 제1항에 정의된 것과 같고 X는 염소 또는 브롬 원소이다.5. 다음 일반식(5)의 1,4,4-트리클로로-6-아릴-4-실라헵탄을 다음 일반식(8)의 다그리냐르 시약과 반응시키는 것으로 이루어진 제2항의 일반식(4)의 실릴프로필클로라이드 화합물의 제조방법: XMg(CH)3)nMgX 상기 식에서 X1,X2,R1,R2는 제1항에 정의된 것과 같고 X는 염소 또는 브롬 원소이며, n=4, 5이다.6. 주성분이 제1항의 실릴프로필아민 화합물로 이루어진 식물의 진균성 질병에 효과적인 살균제
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학 > 기타 무기화학
수소 규소화 반응이나 알킬 규소화 반응을 통해 새로운 유기 규소 화합물이나 유기 규소 고분자 화합물을 제조할때 출발물질로 사용될 수 있는 실릴시클로펜탄 및 그의 제조방법을 제공한다. [구성]알루미늄클로라이드와 같은 루이스산 촉매하에서 일반식(I) 또는 (II)의 디엔 화합물과 일반식(III)의 알릴실란을 반응시켜 일반식(IV) 또는 (V)의 알켄일기와 실릴기가 동시에 치환된 새로운 시클로펜탄 화합물을 제조한다. R1,R2는 수소 또는 탄소원자수 1-4개이 알킬기를 표시하며, R3,R4,R5,R6는 각각 수소 또는 메틸기이며, n=1-4를 표시한다. R7,R8,R9는 각각 수소 또는 메틸기를 표시하며, R10은 탄소원자수 1-8개의 알킬, 페닐, 벤질, 2-페닐에틸, 할로겐 치환 페닐(할로겐=F,Cl,Br)을 표시한다.1. 다음 일반식(4)와 (5)을 가진 실릴시클로펜탄: 상기식에서 R1,R2는 각각 수소 또는 C1-C8의 알킬기를 표시하며, R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸기를 표시하고, R10은 탄소원자수 1-8개의 알킬, 페닐, 벤질, 2-페닐에틸, 할로겐 치환 페닐(할로겐=F,Cl,Br)을 표시하며, n=1-4의 정수이다.2. 다음 일반식(1) 또는 (2)을 가진 직쇄형 또는 고리형의 콘쥬게이션의 이중 결합을 가진 디엔 화합물을 루이스산 촉매하에 다음 일반식(3)의 알릴실란과 반응시켜 제1항의 일반식(4) 또는 (5)을 가진 실릴시클로 펜탄의 제조방법. 상기식에서 R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9,R10, n은 각각 제1항에 정의된 것과 같다.3. 제2항에 있어서, 용매가 벤젠, 헥산, 메틸렌클로라이드, 클로로포름, 사염화탄소중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.4. 제2항에 있어서, 루이스산 촉매가 알루미늄클로라이드, 티타늄클로라이드, 틴클로라이드, 브롬클로라이드 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.5. 제2항에 있어서, 일반식(3)의 알릴실란의 몰비가 디엔 화합물에 비해 1-10배인 것이 특징인 제조방법.6. 제2항에 있어서, 반응 온도가 -40℃ 내지 40℃인 것이 특징인 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
보건·의료 > 임상시험·진단관련
화학식(Ⅶ)로 표시되는 세펨 화합물과 화학식(Ⅶ)로 표시되는 히드록시프로펜일틴 화합물을 팔라듐계 촉매, 리간드계 및 할로겐 촉매하에 반응하여 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨 화합물을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 화학식(Ⅰ)로 표시되는 프로페닐세펨계 화합물은 광범위한 항균 범위와 우수한 항균력을 가지는 유용한 항생제인 3-치환 프로페닐세팔로스포린 화합물 제조에 사용되는 유용한 중간체이다. 화학식(Ⅰ)에 있어서, R1은 수소, 페닐아세틸, 페녹시아페틸, 티오펜아세틸, 푸란아세틸, t-부톡시아세틸, 트리메틸아세틸, t-부톡시카르보닐, 2-(2-아미노티아졸-4-일)-2-(Z)메톡시이미노아세틸, 2-(2-트리틸아미노티아졸-4-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸, 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸 혹은 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3-일)-2-(Z)-플루오로메톡시이미노아세틸이다. R2는 수소, 디페닐메틸, p-메톡시벤질, 혹은 p-니트로벤질이다. X는 히드록시, 아세톡시, 클로로, 혹은 요오도, 그리고 이들의 산이 부가된 염의 형태이다. 화학식(Ⅶ)에서, R1, R2는 화학식(Ⅰ)에서 정의한 R1, R2와 동일하며, P는 트리플루오로메탄술포닐옥시, 메탄술포닐옥시, 플루오로술포닐옥시, 클로로, 브로모, 혹은 요오도이다.1. 화학식(Ⅶ로 표시되는 펨럼 화합물과 화학식(Ⅷ)로 표시되는 히드록프로펜일틴 화합물을 팔라듐(O) 촉매와포스핀 계열 리간드와 할로겐 촉매 존재하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.화학식(Ⅰ)에 있어서, R1은 수소, 페닐아세틸, 페녹시아세틸, 티오펜아세틸, 푸란아세틸, t-부톡시아세틸, 트리메틸아세틸, t-부톡시카르보닐, 2-(2-아미노티아졸-4-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸, 2-(2-트리틸아미노티아졸-4-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸, 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸 혹은, 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3일)-2-(Z)-플루오로 메톡시 아미노세틸이다. R2는 수소, 디페닐메틸, p-메톡시벤질, 혹은 p-니트로벤질이며, X는 히드록시이다.화학식(Ⅶ)에 있어서, R1은 페닐아세틸, 페녹시아세틸, 티오펜아세탈, 푸란아세틸, t-부톡시아세틸, 트리메틸아세틸, t-부톡시카르보닐, 2-(2-아미노티아졸-4-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸, 2-(2-트리틸아미노티아졸-4-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸, 메톡시아미노아세틸 혹은 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3일)-2-(Z) 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3-일)-2-(Z)-플루오로메톡시이미노아세틸이다. R2는 디페닐메틸, p-메톡시벤질, 혹은 p-니트로벤질이다. 그리고 P는 트리플루오로메탄술포닐옥시, 메탄술포닐옥시, 플루오로술포닐옥시, 클로로, 브로모, 혹은 요오도이다.2. 제1항에 있어서, 팔라듐 촉매가 팔라듐 비스(디벤질리딘아세톤), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐, 트리스(디벤질리딘아세톤)디팔라듐, 트리스(디벤질리딘아세톤)디팔라듐-클로로포름, 혹은 팔라듐아세테이트와 같은 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 촉매 첨가량이 0.005∼0.5당량 사용하는 것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.4. 제1항에 있어서, 포스핀 계열 리간드가 트리(2-푸릴)포스핀, 트리(2-티엔일)포스핀, 트리페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 디메틸페닐포스핀, 트리(4-클로로페닐)포스핀, 트리페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 디메틸페닐포스핀, 트리(4-클로로페닐)포스핀, 트리페닐포스파이트 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.5. 제4항에 있어서, 포스핀 계열 리간드 첨가량이 0.005∼0.5당량 사용하는 것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.6. 제1항에 있어서, 할로겐 촉매가 염화아연, 염화알루미늄, 염화철, 염화리튬, 브로모리튬 중에서 선택하는것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.7. 제6항에 있어서, 할로겐 촉매 첨가량이 0.5∼5당량 사용하는 것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.8. 제1항에 있어서, 반응용매가 1-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 디메틸아세트아미드, 테트라하이드로푸란, 아세토니트릴, 클로로포름 중에서 단독 또는 이들의 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.9. 제1항에 있어서, 반응온도가 15∼60℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계화합물의 제조방법.10. 제1항에 있어서, 반응시간이 5∼72시간 반응시키는 것을 특징으로 하는 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.11. 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물에 있어서, X가 히드록시기인 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물을유기용매와 염기에서 반응 시키는 것을 특징으로 하는 X가 아세톡시기인 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.화학식(Ⅰ)에 있어서, R1은 수소, 페닐아세틸, 페녹시아세틸, 티오펜아세틸, 푸란아세틸, t-부톡시아세틸, 트리메틸아세틸, t-부톡시카르보닐, 2-(2-아미노티아졸-4-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸, 2-(2-트리틸아미노티아졸-4-일)-2-(Z)-메톡시이미노아세틸, 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3-일)-2-(Z)메톡시이미노아세틸 혹은 2-(5-아미노-1,2,4-티아디아졸-3-일)-2-(Z)-플루오로메톡시이미노아세틸 R2는 수소, 디페닐메틸, p-메톡시켄질 혹은 p-니트로벤질이다. 그리고, X는 아세톡시기 그리고 산이 부가된 염의 형태이다.12. 제11항에 있어서, 유기용매로 무수아세트산, 아세틸 클로라이드, 아세틸 브로마이드 중에 하나 혹은 두가지 이상 사용하는 것을 특징으로 하는 X가 아세톡시인 화학식(Ⅰ)의 프로페닐세펨계 화합물의 제조방법.13. 제11항에 있어서, 염기로 피리딘, 2,6-루티딘, 3,5-푸티딘, 2,4,6-콜리딘, 디이소프로필에틸아민, 트리에틸아민 중에서 선택하는 것을 특징으로 하는 X가 아세톡
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
본 발명은 초경 공구의 다이아몬드막 피복방법에 관한 것으로, 다이아몬드막을초경 공구의 표면에 증착하기 전에 초경 공구 모재의 표면을 NaOH 혹은 KOH 수용액으로 전해 엣칭하거나, KMnO4 + KOH 수용액으로 화학 엣칭하여 다이아몬드막과 초경 모재와의 접착력을 향상시키도록 한 것이다. 이와 같은 본 발명에서는 전해 엣칭을 실시함으로써 종래 기술에서 사용되는 무라까미 용액 중의 페리시안화칼륨 성분이 그 용액 중의 다른 성분인 KOH와 반응을 거쳐 발생기 산소를 발생시키게 되므로 무라까미 용액 중의 산화제 성분인 페리시안화칼륨을 제외시키는 대신에, 피엣칭재에 전기적 전압을 가해주는 전해 엣칭 방법을 사용하여 동일한 효과를 얻도록 한 것이며, KMnO4 + KOH 수용액을 사용하는 엣칭 방법은 페리시안화칼륨의 산화 작용을 KMnO4가 대신함으로써 KMnO4의 가격이 저렴하여 제조비용이 절감되는 효과가 있고, 산화 작용이 있는 것을 제외하고는 시안화물과 같은 독성이 없기 때문에 인체에 무해함과 아울러 폐기물처리가 훨씬 간단하다는 이점이 있으며, 엣칭 효과가 무라까미 용액에 비하여 더 강력하게 이루어지는 장점이 있다. 또한, 상기 방법에 의해 초경 공구 표면을 화학 처리하면 초경 공구의 탄화물상이 불규칙하게 식각되어 초경 공구의 표면의 조도가 증가하게 되며, 이와 같이 조도가 증가한 초경 공구의 표면은 다이아몬드막과 기계적인 맞물림 효과를 발휘하여 그 상호간의 결합력이 증가하는 효과가 있는 것이다.1. 초경 공구 표면을 세척한 후, NaOH 혹은 KOH 수용액으로 전해 엣칭하는 공정과; 상기 전해 엣칭 공정 후다시 세척을 실시하고, H2SO4 + H2O2 혼합 용액을 사용하여 Co결합상을 행하는 공정과; 다시 세척을 실시하고, 다이아몬드분말 슬러리로 시딩처리하는 공정과; 다시 세척을 실시한 후, 다이아몬드막을 증착하는 공정의 순서로 진행함을 특징으로하는 초경 공구의 다이아몬드막 피복방법.2. 제1항에 있어서, 상기 전해 엣칭 공정에서 NaOH 혹은 KOH의 농도는 5∼50%로 하여 전해 엣칭함을 특징으로하는 초경 공구의 다이아몬드막 피복방법.3. 초경 공구 표면을 세척한 후, KMnO4 + KOH 수용액으로 화학 엣칭하는 공정과; 상기 화학 엣칭 공정 후 다시세척을 실시하고, H2SO4 + H2O2 혼합 용액을 사용하여 Co결합상을 행하는 공정과; 다시 세척을 실시하고, 다이아몬드 분말슬러리로 시딩처리하는 공정과; 다시 세척을 실시한 후, 다이아몬드막을 증착하는 공정의 순서로 진행함을 특징으로 하는초경 공구의 다이아몬드막 피복방법.4. 제3항에 있어서, 상기 화학 엣칭 공정에서 엣칭액의 조성은 KMnO4 5∼30%, KOH 1∼15%, H2O 55∼94%로 하고,처리시간은 1분 이상 엣칭함을 특징으로 하는 초경 공구의 다이아몬드막 피복방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명에 의한 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자(electro-luminescentdisplay device) 및 그 제조방법은, Si 기판 상에 소정 패턴의 식각마스크를 형성하는 공정과; 상기 식각마스크를 이용한 식각공정으로 Si 기판을 식각하여 측면에 Si 마이크로-미러를 갖는 웰을 형성하는 공정과; 상기 기판의 웰 밑면 상에 하부절연층을 형성하는 공정과; 상기 하부절연층 상에 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층상에 상부절연층을 형성하는 공정 및; 상기 상부절연층 상에 상부전극을 형성하는 공정으로 이루어져, 1)종래 SiO2 박막 미러에 의해 Si 마이크로-미러의 식각 표면특성을 매우 평탄(smooth)하게 형성할 수 있게 되므로 난반사를 줄일 수 있고, 공정재현성이 뛰어나다는 잇점을 가지며, 2)발광층의 측면으로 방출되는 빛을 마이크로-미러를 통해 전면방출시 효과적으로 이용할 수 있으므로, 전면방출 만을 갖는 종래의 ELD 소자에 비해 휘도 특성을 10배 이상 개선할 수 있을 뿐 아니라 발광효율도 2배 이상 상승시킬 수 있게 된다.1. 기판의 상부에 하부절연층, 미러, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 순차적으로 적층된 전계발광표시소자에 있어서, 상기 기판은 측면부가 경사지게 형성되며, 그 측면부에 Si 마이크로-미러를 갖으며, 그 저면이 평탄한 함몰지역이 형성되어 있으며, 상기 미러를 제외한 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극이 상기 기판의 함몰지역 저면으로 부터 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.2. 제 1 항에 있어서, 상기 Si 마이크로-미러는 사면 또는 이면 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.3. 제 1 항에 있어서, 상기 전계발광표시소자는 기판의 웰 밑면과 하부절연층 사이에 위치하는 하부전극을 더포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.4. 제 1 항에 있어서, 상기 함몰지역을 갖는 기판의 상부와 하부절연층의 사이에 위치하여 그 기판의 상부면형상을 그대로 유지하며, 그 재질이 Al, Mo, Ta, W중 선택된 어느 하나로 이루어지는 금속층을 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자.5. Si 기판의 상부에 하부절연층을 증착하는 하부절연층 형성공정과; 그 하부절연층의 상부에 산화막, 다결정실리콘, 산화막을 순차적으로 증착하여 평면형박막 미러를 형성하는 미러형성공정과; 상기 박막 미러의 상부에 발광층.상부절연층 및 상부전극을 순차적으로 증착하고, 기판상에 증착된 상기 하부절연층, 박막 미러, 발광층, 상부절연층 및상부전극을 패터닝하는 박막 증착 및 패턴 형성공정으로 이루어지는 전계발광 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 Si 기판을 그 Si 기판의 상부일부영역을 소정두께로 식각하여 측면이 경사지며, 그 저면이 평탄한 함몰지역을 형성하고, 그 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 하부절연층을 증착하고, 상기 미러형성공정을 제조공정에서 제외시킴과 아울러 상기 박막 증착 및 패턴 형성공정은 상기한 박막을 증착한 후, 상기 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및상부전극의 일부를 식각하여, 그 잔존하는 하부절연층, 발광층, 상부절연층 및 상부전극의 적층구조가 상기 기판에 형성한 함몰지역의 평탄한 저면상에 위치하도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.6. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판에 함몰지역을 형성할때 사용하는 식각마스크는 직사각형 모양의 창이 형성된 구조 또는 스트라이프 모양의 창이 형성된 구조를 가지는 것을 사용하여 그 함몰지역의 측면이 하부절연층, 발광층,상부절연층 및 상부전극 적층구조의 이면 또는 사면에 위치하도록 그 함몰지역을 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.7. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판은 KOH + 물로 이루어진 혼합 수용액으로 식각하여 그 함몰지역의 측면 및저면에 미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.8. 제 5 항에 있어서, 상기 하부절연층 형성공정은 함몰지역이 형성된 Si 기판상에 Al, Mo, Ta, W중 선택된어느 하나를 증착하여 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를 갖는 전계발광표시소자의 제조방법.9. 제 5 항에 있어서, 상기 Si 기판을 유리기판으로 대체하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로-미러를갖는 전계발광표시소자의 제조방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전기장발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 전기장발광소자는 인가되는 전기장의 세기에 비해 발광층의 내부로 주입되는 전자의 수가 적어 휘도특성 및 발광효율이 저하되는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 감안한 본 발명은 발광층과 절연층의 사이에 계면구조물을 삽입하여 화소 면적의 변화없이 발광층과 절연층의 사이의 계면의 표면적을 증가시킴으로써, 전기장발광소자의 휘도와 발광효율을 증가시키는 효과가 있다.1. 배면전극(6)의 상부에 형성한 하부 절연층(3)과; 상기 하부 절연층(3)의 상부에 형성한 요철형의 계면구조물(7)과; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 상부에 순차적으로 형성한 발광층(4), 상부 절연층(5), 투명전극(2)으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.2. 제 1항에 있어서, 상기 요철형의 계면구조물(7)은 원추형 또는 사각뿔형 또는 사각형의 요철구조를 갖는것으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 상기 요철형의 계면구조물(7)은 실리콘 기판 또는 실리콘을 기초로한 유리계또는 Al, Mo, Ta, W, Ti 등의 금속인 것을 특징으로 하는 전기장발광소자.4. 실리콘 기판을 사용하여 요철형의 계면구조물(7)을 형성하는 단계와; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 하부에 물리적 또는 화학적 기상 증착법을 사용하여 SiO2, SiOXNY, BaTa2O6, Ta2O5, Al2O3, BaTiO3 등을 증착하여 하부 절연층(3)을 형성하는 단계와; 상기 요철형의 계면구조물(7)의 상부에 ZnS, SrS, CaS, CaGa2S4, BaGa2S4,SrGa2S4 등의 모체에 Mn 또는희토류원소(Tb, Ce, Tm, Eu, Pr)를 첨가한 발광층(4)을 전자선증착법으로 증착하는 단계와; 상기 발광층(4)의 상부에 상부 절연층(5)을 증착하는 단계와; 상기 상부 절연층(5)의 상부 및 하부 절연층(6)의 하부에 ITO막이 증착된 실리콘 또는ZnO:Al 박막을 증착하여 투명전극(2) 및 배면전극(6)을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 요철형의 계면 구조물을 형성하는 단계는 실리콘 기판의 상부에 식각 마스크용의열산화막을 성장시키는 단계와; 사진식각공정을 사용하여 상기 기판의 일면에 원형, 정사각형 또는 직선형의 창을 형성하는 단계와; 소정 온도에서 상기 노출된 원형, 사각형 또는 직선형으로 노출된 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 4인치의 크기, 530 청구항 7. 제 5항에 있어서, 상기 열산화막은 0.2 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법. 청구항 8. 제 4항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계는 110~115℃의 온도분위기에서 식각하는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법.청구항 9. 제 4항에 있어서, 상기 요철형 계면구조물은 실리콘을 기초로한 유리계 또는 Al, Mo, Ta, W, Ti 등의 금속재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 전기장발광소자 제조방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기