일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
유기금속화학증착법에 의하여 실리콘기판위에 성장된 GaAs에피택셜층에서 700-750도씨의 성장온도로 델타-도핑을 하는 방법을 제공하는데 있다. <구성>실리콘기판위에 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정;GaAs에피택셜층의 성장을 중단한 상태에서 그 위에 유기금속화학 증착법에 의해 700-750도씨의 성장온도에서 델타-도핑하는 공정;이후 700-790도씨에서 덮개층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정으로 구성한다. <효과>델타-도핑층내의 델타-도핑층에 있는 도우펀트의 열확산이 GaAs/Si계면에서 발생된 전위결합에 의하여 가속되는 것을 방지할 수 있다.청구항 1. 실리콘기판위에 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정과, 이 GaAs에피택셜층의 성장을 중단한상태에서 그 위에 유기금속화학 증착법에 의해 700-750℃의 성장온도에서 델타-도핑하는 공정과, 이후 700-790℃에서 덮개층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 실리콘기판상의 성장된 GaAs에피택셜층의유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑형성방법.청구항 2. 제 1 항에 있어서, 상기 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 3㎛이상의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘기판상에 성장된 GaAs에피택셜층의 유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑 형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 반도체 금속박막의 배선방법에 관한 것으로, 저압 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 하여 구리를 증착시키도록 한 것이다.이러한 금속배선방법은 먼저 기판(3)상에 플라즈마 화학증착법으로 질화 텅스텐 확산 방지막(7)을 도포하고, 금속층(1)(6)인 Cu를 증착시키며, 접촉창으로서의 비아콘택 영역(5)과 금속층(1)을 연결시킬 때는 역시 플라즈마 화학증착법으로 증착된 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 사용하여 금속배선하도록 한 것으로, 확산방지막인 질화 텅스텐 박막은 실리콘 기판(3)과 금속층(1)이 접촉되는 콘택 영역(2), 금속층(1)(6)과 절연막(4)사이, 금속층(1)(6)이 접촉되는 비아콘택 영역(5)에 적용되는 것이다. 이와 같이 Cu 확산방지를 위한 확산방지막으로 텅스텐 질화박막이 우수한 특성을 지님을 알 수 있다.1.실리콘 기판상에 화학 기상 증착법으로 500Å 이상의 두께를 가진 질화텅스텐을 사전 도포한 후, 구리를금속 배선하여 600℃ 이상의 고온에서 후속 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 금속 박막의 배선방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 저압 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법.3. 제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 플라즈마 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 광범위한 항균력을 지닌 신규한 일반식(I)로 표시되는 프로페닐 세펨계 화합물과 그의 약제학적으로 허용되는 염 및 그 제조 방법에 관한 것으로 입체 구조적으로 syn, anti의 두가지 형태의 이성체를 가질 수 있다. 본 발명은 일반식(III)의 3-클로로메틸 세팔로스포린에 트리페닐포스핀과 요오드를 반응시켜 일반식(IV)의 포스포늄일리드를 제조하는 제1공정 ; 일반식(IV)의 포스포늄일리드를 알데히드 화합물과 비티히반응으로 일반식(V)의 3-클로로프로페닐 화합물을 제조하는 제2공정 ; 일반식(V)의 3-클로로프로페닐화합물을 아세톤 존재하에 염화 요오드와 반응시켜 (E)이성체 프로페닐요오드화합물인 일반식(II)의 3-요오드프로페닐 화합물을 제조하는 제3공정과 ; 일반식(II)의 3-요오드프로페닐 화합물과 일반식(VI)의 피리딘-4-티온 유도체를 용매존재하에 짝지음 반응으로 일반식(VII)의 아세테이트 유도체를 제조하는 제4공정 및 일반식(VII)의 아세테이트 유도체에 아니솔과 트리플루오르아세트산을 사용하는 제5공정으로 이루어진 신규한 일반식(I)로 표시되는 프로페닐 세펨계 화합물을 제조하는 것으로, 본 발명의 화합물들은 그람 양성균이나 그람 음성균에 뛰어난 항균력을 나타내므로 세팔로스포린 화합물계열 의약품에 유용하게 사용할 수 있다. 상기 일반식(I)∼(VII)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기, 2-플루오르에톡시기를 의미하며 R2는 메틸기 또는 수소를 의미하고 R3는 벤조기나 수소로서 이중고리구조이거나 단환구조를 의미한다.1.일반식(I)로 표시되는 프로페닐 세펨계 화합물 및 그의 약제학적으로 허용되는 염, 및 그의 입체 구조적으로 syn, anti 형태의 이성체일반식(I)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기 또는 2-플루오르에톡시기를 의미하며, R2는 메틸기 또는 수소를 의미하고, R3는 벤조기나 수소로서 이중고리구조이거나 또는 단환구조를 의미한다.2.일반식(III)의 3-클로로메틸 세팔로스포린에 트리페닐포스핀과 요오드를 반응시켜 일반식(IV)의 포스포늄일리드를 제조하는 제1공정 ; 일반식(IV)의 포스포늄일리드를 알데히드 화합물과 비티히반응으로 일반식(V)의 3-클로로프로페닐 화합물을 제조하는 제2공정 ; 일반식(V)의 3-클로로프로페닐화합물을 아세톤 존재하에 염화 요요드와 반응시켜(E)이성체 프로페닐요오드화합물인 일반식(II)로 표시되는 3-요오드프로페닐 화합물을 제조하는 제3공정과 ; 일반식(II)로 표시되는 3-요오드프로페닐 화합물과 일반식(VI)로 표시되는 피리딘-4-티온 유도체를 용매존재하에 짝지음 반응시켜일반식(VII)로 표시되는 아세테이트 유도체를 제조하는 제4공정 ; 일반식(VII)의 아세테이트 유도체에 아니솔과 트리플루오르아세트산을 반응시키는 제5공정으로 이루어진 것이 특징인 일반식(I)로 표시되는 프로페닐 세펨계 화합물의 제조방법일반식(III)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기 또는 2-플루오르에톡시기를 의미하며, 일반식(IV)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기 또는 2-플루오르에톡시기를 의미하고, 일반식(V)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기 또는 2플루오르에톡시기를 의미하며, 일반식(II)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기 또는 2-플루오르에톡시기를 의미하며, 일반식(VI)에 있어서, R2는 메틸기 또는 수소를 의미하고, R3는 벤조기나 수소로서 이중고리구조이거나 또는 단환구조를 의미하며, 일반식(VII)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기 또는 2-플루오르에톡시기를 의미하며, R2는 메틸기 또는 수소를 의미하고, R3는 벤조기나 수소로서 이중고리구조이거나 또는 단환구조를 의미하고, 일반식(I)에 있어서, R1은 메톡시기, 히드록시기 또는 2-플루오르에톡시기를 의미하며, R2는 메틸기 또는 수소를 의미하며, R3는 벤조기나 소소로서 이중고리구조이거나 또는 단환구조를 의미한다.3.제2항에 있어서, 제4공정에서의 용매가 테트라히드로푸란, 디클로로메탄, 에틸아세테이트 및 클로로포름으로 구성된 군 중에서 하나 이상 선택되는 것이 특징인 방법.4.제2항에 있어서, 제4공정에서의 반응온도가 20∼30℃에서 수행되는 것이 특징인 방법.5.제2항에 있어서, 제5공정이 아니솔과 트리플루오르아세트산 존재하에 -5∼5℃에서 반응시키는 것이 특징인방법
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재료 > 기타 세라믹재료
기공층이 세라믹 유전체 전후표면의 대략 중앙부와 연통된 별도의 주입통로를 갖도록 형성하고, 내부전극의 주입 전에 세라믹 유전체의 양측면부에 일차 외부전극층을 소부한 다음 용융금속중에 담그어 주입통로를 통하여 용융금 속의 주입이 저압하에서 신속하게 이루어지도록 할 수 있다. <구성>가연성물질로 이루어진 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양쪽면중의 한쪽과 연결돼도 유전체 시이트의 단부까지 돌출되도록 도포하여 소결후에 생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 금속전극 페이스트를 도포하여 소부함으로써 일차 외부전극을 형성한 후에 이를 용탕중에 담그어 주입통로를 통하여 기공층내부로 용융금속이 주입되도록 하여 내부 전극을 형성한 다음 일차 외부전극 위에 Ni나 Ni 합금층을 피복하여 이차 외부전극을 형성한다.1.가연성물질로 이루어진 카본페이스트가 도포된 유전체 시이트를 다수매 적층 소결하여 생성된 기공층의 내부로 전면 후면과 측면중의 한쪽과 연결된 외부통로를 통하여 용융금속을 주입하여 내부전극을 형성하는 적층세라믹 캐패시터의 제조방법에 있어서, 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양쪽면중의 한쪽과 연결되도록 유전체 시이트의단부까지 돌출되도록 도포하여 소결 후에 생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 금속전극 페이스트를 도포하여 소부함으로써 일차 외부전극을 형성한 후에 이를 용탕중에 담그어 상기 주입통로를 통하여 기공층내부로 용융금속이 주입되도록 하여 내부전극을 형성한 다음 일차 외부전극 위에 Ni나 Ni합금층을 피복하여 이차 외부전극을 형성함을 특징으로 하는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법.2. 제 1 항에 있어서, 내부전극 형성용 금속이 Pb나 PB합금 또는 Sn합금인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹캐패시터의 제조방법.3. 가연성물질로 이루어진 카본페이스트가 도포된 유전체 시이트를 다수매 적층 소결하여 생성된 기공층의 내부로 용융금속을 주입하여 내부전극을 형성하는 적층세라믹 캐패시터의 제조방법에 있어서, 카본페이스트의 전방 또는 후방단부의 일측이 양측면중의 한쪽과 연결된 외부통로를 통하여 유전체 시이트의 단부까지 돌출되도록 도포하여 소결 후에생성된 기공층에 세라믹 유전체의 측면과 외부로 연통되는 주입통로를 형성하고, 세라믹 유전체의 양측면에 은이나 백금/은의 금속 페이스트를 소부하여 일차 외부전극을 형성한 후 그 위에 도금이나 증착 또는 전극 페이스트 소부의 방법으로Ni나 Ni합금층을 피복하여 외부전극을 형성한 다음 상기 주입통로를 통하여 용융금속의 주입을 행하여 내부전극을 형성함을 특징으로 하는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법.4.제 3 항에 있어서, 내부전극 형성용 금속이 Pb나 Pb합금 또는 Sn합금인 것을 특징으로 하는 적층 세라믹캐패시터의 제조방법
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
대기중 소결공정만을 통해 소결체의 결정입계에 입계 절연층이 형성되도록 한 입계형 반도성 자기 콘덴서 재료 및 콘덴서를 제공한다. <구성>주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO30.005-0.012몰 및 5가이온의 산화물인 Nb2O5,Ta2O5,Sn2O5가 단독 또는 2이상 조합된 형태로 0.003-0.006몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기 콘덴서 제조 조성물을 1500도C이상의 온도에서 대기중 소결하여 액상의 생성을 유도차고 상기 조성물의 그린테입 위에 Pt,Pd 등의 귀금속 페이스트를 스크린 인쇄하여 얻어진 단위층을 다수매 순차적층하여 대기중에서 소결하는 것으로 구성되는데, 이 과정을 통해 형성된 기공층 내에 Pb,Sn 등의 기저금속을 내부전극으로 주입하여 제조된다. <효과>유전상수가 높고,유전손실이 낮아 유전상수의 온도유전성이 우수하다.1. 주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.005-0.0l2몰과 5가 이온의 산화물인 Nb2O5, Ta2O5 및 Sb2O5가 단독또는 2이상 조합된 형태로 0.O03-O.OO6몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기 콘덴서 제조용 조성물.2.주성본인 SrTiO3에 TiO2와 5가 이온의 산화물인 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5를 첨가하여 혼합·분쇄 및 가압성형을행한 다음 1500℃ 이상의 온도에서 대기중 소결을 하여 결정입계에 액상의 생성을 유도하고, 소결체의 냉각과정을 통해상기 결정입계에 생성된 액상이 입계 절연층을 형성하도록 함을 특징으로 하는 입계형 자기 콘덴서의 제조방법.3.제2항에 있어서, 입계 절연층 내부로 PbO, Bi2O3, B2O3나 CuO로 구성되는 절연물질을 확산시켜 절연저항을증진시킴을 특징으로 하는 입계형 자기 콘덴서의 제조방법.4.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.005-0.0l2몰과 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5가 단독 또는 조합된 형태로0.003-0.006물 첨가되어 이루어진 조성의 그린테입 위에 Pt, Pd등의 귀금속 페이스트를 스크린 인쇄하여 얻어진 단위층을다수매 순차적층하여 대기중에서 소결함을 특징으로 하는 입계형 반도성 적층 자기 콘덴서의 제조방법.5.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성본으로 TiO2 0.005-0.012몰과 Nb2O5, Ta2O5 또는 Sb2O5가 단독 또는 조합된 형태로0.003-0.006몰 첨가되어 이루어진 조성의 그린테입 위에 카본등의 가연성 재료로 구성된 페이스트를 인쇄하여 얻어진 단위층을 다수매 순차적층하여 대기중에서 소결함으로써 가연성 페이스트를 연소제거하여 기공층을 형성하고, 그 기공층내에 Pb,Sn등의 기저금속을 내부전극으로 주입함을 특징으로 하는입계형 반도성 적층 자기 콘덴서의 제조방법
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
입계형 반도성 자기콘덴서의 미세구조의 치밀화와 결정성장의 촉진을 도모하여 우수한 전기적 특성을 나타내도록 한다. <구성>주성분인 SRTIO3 1몰에 부성분으로 TIO2 0.01~0.04몰과, DY2O3 0.001~0.010몰과, ZNO 0.001~0.007몰과, MNO2 0.002~0.012몰을 첨가하여 이루어져 있다. <효과>유전상수 50,000 이상, 유전손실 1.5퍼센트이하, 비저항 10 기가오옴 이상의 우수한 전기적 특성을 나타낸다.1.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 TiO2 0.01∼0.04몰, Dy2O3 0.001∼0.010몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO20.002∼0.012몰 및 Al2O3 0.01∼0.07몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기콘덴서 제조용 조성물.2.제 1 항에 있어서, 주성분이 TiO2 0.01∼0.02몰, Dy2O3 0.002∼0.005몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO2 0.005∼0.009몰 및 Al2O3 0.03∼0.04몰 첨가되어 이루어진 입계형 반도성 자기콘덴서 제조용 조성물.3.주성분인 SrTiO3 1몰에 부성분으로 Tio2 0.01∼0.04몰, Dy2O3 0.001∼0.010몰, ZnO 0.001∼0.007몰, MnO20.002∼0.012몰 및 Al2O3 0.01∼0.07몰 첨가되어 이루어진 조성의 유전체 자기를 환원분위기의 1400∼1470℃에서 소결하여결정입자를 반도체화 하고, PbO등의 절연물질로 구성된 절연페이스트를 도포하여 대기중에서 열처리해서 입계절연층을 형성하고 소결체의 양면에 외부전극을 형성하여서 된 입계형 반도성 자기콘덴서
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
알루미나 세라믹스 성형체를 하소하여 표면 연마한 후 소결하므로써 빛의 산란과 반사를 최소한으로 억제하여 투광성 향상 및 작업성 수율을 증가시킬 수 있는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스를 제조한다. <구성>투광성 세라믹스는 순도 99.9% 이상의 산화알루미늄에 산화마그네슘 0.03-0.1wt%와 산화지르코늄 0.002-0.07wt%를 첨가하여 제조한다. 이때산화물들은 염화물, 탄산염, 또는 초산염의 형태로 첨가되며, 이와같이 혼합된 분말은 가압 성형되어 대기중에서 800-1,300도C로 1-5시간 동안 하소한 후, 이 하소체의 표면을 나일론이나 융 재질의 버프(buff)로 평활하게 연마하여수소 또는 진공 분위기에서 1,750-1,900도C로 1-15시간 소결하여 제조한다.1. 순도 99.99%이상의 산화알루미늄에 산화마그네슘 0.03~0.1w/o와 산화지르코늄 0.002~0.07w/o이 첨가되어이루어짐을 특징으로 하는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스 조성물.2.제1항에 있어서, 산화마그네슘과 산화지르코늄이 산화물의 전단계인 염화물, 탄산염 또는 초산염의 형태로첨가됨을 특징으로 하는 투광성 다결정 알루미나 세라믹스 조성물.3.순도 99.99%이상의 산화알루미늄분말에 0.03~0.1w/o의 산화마그네슘과 0.002~0.07w/o의 산화지르코늄을 첨가 혼합하여 얻어진 혼합분말을 성형하여 성형체를 얻고, 이 성형체를 대기중에서 하소하여 가공하기에 적절한 강도를 갖는 하소체를 제조하여 하소체의 표면을 평활하게 연마한 후 수소 또는 진공분위기중에서 소결함을 특징으로 하는 투광성다결정 알루미나 세라믹스 조성물.4.제3항에 있어서, 하소공정은 800~1300℃의 온도에서 1~5시간동안 행해짐을 특징으로 하는 투광성 다결정알루미나 세라믹스 조성물.
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- 2000-12-15
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재료 > 기타 세라믹재료
티탄산주석지르코늄계에 소결 조제로 산화아연과 산화안티몬을 미량 첨가하여 비교적 저온 소결을 통해 소결 조직을 치밀화함으로써 고온 부하 및 내습부하 특성을 향상시킨 위치 변위 시스템용 유전체 자기 조성을을 제조한다. <구성>주성분 원료 분말인 지르코니아, 티타니아 및 산화주석에 소결 조제로 산화아연과 산화안티몬을 첨가함에 있어서, 주성분 Zr(1-x)Sn(x)Ti(1+y)O4에 소결 조제로 aZnO+bSb2O3가 첨가된 유전체 자기 조성물로서 몰비로 0.17GHz에서 유전율이 35 이상, 품질 계수(Q) 값이 7,000 이상을 나타내며, 소결 조제의 첨가로 인해 조직이 매우 치밀화되기 때문에 저손실 공진 주파수와 고온 부하 및 내습 부하 등의 장기 신뢰성에 있어서 안정된 품질 계수(Q)값과 공진 주파수의 안정된 온도 특성을 나타내는 등의 우수한 신뢰성을 지닌다.1. 주성분 Zr1-xSnxTi1+yO4에 소결조제로 aZnO+bSb2O3가 첨가된 유전체 자기 조성물로서 몰비로 0.1＜x＜0.3몰, 1＜Y＜1.05몰(Y=y+1)이고, 소결조제의 첨가량은 Zr1-xSnxTi1+yO4에 대해 0＜a+b＜0.05중량%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 자기 조성물
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- 2000-12-15
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화학공정 > 기타 화학공정
HCC-140a(또는 VDC)와 AHF를 액상에서 반응시켜 HCFC-142b와 HFC-143a를동시에 연속적으로 제조하는 방법을 제공한다. [구성]1:10이상의 몰비로 HCC-140a(또는 VDC)와 AHF이 각각 관(2)와 관(3)을 통해 반응기(1)에 도입된 후 외부에 부착된 가열기(16)에 의해 섭씨 110-180까지 가열되고 15-150bar로 가압되면 반응이 시작된다. 반응후 생성된 HCFC-141b, HCFC-142b, HFC-143a, 등의 반응 생성물은 기화되어 관(4)을 통해 환류탑(6)의 하부로 도입된 후 환류탑(6)의 상부로 환류되는 액체와 정류되어 고비점 물질은 반응기(1)로 재순환되고, 휘발성이 큰 물질들은 관(8)을 통해 환류탑(6)으로 재순환되고, 비응축 기체는 관(9)을 통해 염화수소 증류탑으로 도입된 후 응축기(14)에서 응축되어 관(14)을 통해 배출된다. 이렇게 염화수소산이 제거된 반응생성물은 분리, 정제, 세척, 건조 등의 공정을 거쳐 최종 생성물인 HCFC-142b와 HFC-143이 생성된다.1.1,1,1-트리클로로에탄 또는 1,1,-디클로로에틸렌과, 무수 불화수소산을 1 : 10 이상의 몰비로 15~50bar의반응 압력, 110-180℃의 반응 온도에서 연속적으로 액상반응시키는 것으로 이루어지는 1-클로로-1,1-디플루오로에탄과1,1,1-트리플루오로에탄을 동시에 제조하는 방법.2.제1항에 있어서, 상기 반응 온도가 120~160℃인 방법.3.제1항에 있어서, 상기 반응 압력이 20~40bar인 방법.4.제1항에 있어서, 상기 반응이 촉매 존재하지 않는 상태에서 수행되는 방법.5.(a) 1,1,1-트리클로로에탄 또는 1,1-디클로로에틸렌과, 무수 불화수소산을 각각 반응기에 도입시켜15~50bar의 압력 및 110~180℃의 온도에서 연속적으로 액상 반응시키는 공정,(b) 반응 생성물인 기체를 환류탑의 하부로 도입시키고, 도입된 기체를 상기 환류탑의 탑정에서 추가되는 혼합용액과 접촉시킨 후 주된 성분이 HCC-140a와 HCFC-141b인 저휘발성 물질들은 상기 반응기로 재순환시키고, 유기생성물과 염화수소산을 포함하는 고휘발성 물질은 응축기로 도입시키는 공정;(c) 상기 응축기에서 상기 고휘발성 물질은 염화수소산, HCFC-142b 및 HFC-143a가 주성분인 기체층과, 액체층으로 분리시킨 후, 상기 액체층은 상기 환류탑의 상부로 재순화시키고, 기체층을 분리 정제하여 1-클로로-1,1-디플루오로에탄 및1,1,1-트리플루오에탄을 얻는 공정으로 이루어지는, 1-클로로-1,1-디플루오로에탄과 1,1,1-트리플루오로에탄의 제조 방법.6.제5항에 있어서, 상기 반응기 내에서 유기혼합물과 무수 불화수소산의 몰비가 1 : 20 ~ 1 : 500인 방법.7.제5항에 있어서, 상기 반응이 연속적으로 수행되는 제조방법
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
금속재료를 클러스터 형성부분과, 이온화부분과, 그리고 가속화부분으로 이루어진 금속이온원의 도가니에 넣고 도가니의 압력을조정하는 단계와, 레이저 저울의 제조를 위한 기판을 진공장치에장착하는 단계와, 금속이온원에 전원을 공급하는 단계와, 도가니필라멘트를 작동시켜 열전자를 방출시키고 도가니 필라멘트와 도가니 사이에 고전압을 인가하고 도가니에 온도를 가열하여 금속 증기입자, 또는 클러스터를 발생시키는 단계와, 금속 증기 입자, 또는 클러스터를 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 이용하여 이온화시키는 단계와, 기판에 걸어준 가속 전압을 이용하여 금속 증기 입자, 또는 클러스터에 에너지를 부여하여 기판에 증착시키는 단계의 순으로 진행함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법.1.금속재료를 클러스터 형성부분과, 이온화부분과, 그리고 가속화부분으로 이루어진 금속이온원의 도가니에넣고 도가니의 압력을 조정하는 단계와, 레이저 거울의 제조를 위한 기판을 진공장치에 장착하는 단계와, 금속이온원에전원을 공급하는 단계와, 도가니 필라멘트를 작동시켜 열전자를 방출시키고 도가니 필라멘트와 도가니 사이에 고전압을인가하고 도가니에 온도를 가열하여 금속 증기입자, 또는 클러스터를 발생시키는 단계와, 금속 증기 입자, 또는 클러스터를 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 이용하여 이온하시키는 단계와, 기판에 걸어준 가속 전압을 이용하여 금속 중기 입자, 또는 클러스터에 에너지를 부여하여 기판에 증착시키는 단계의 순으로 진행함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을이용한 레이저 거울 제조방법.2.제1항에 있어서, 도가니 압력 조정단계에서 도가니의 압력을 10-6 torr 이하로 유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법.3.제1항에 있어서, 금속 증기 입자, 또는 클러스터를 발생시키는 단계에서 도가니의 온도를 1500-1600oC 로유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법.4.제1항에 있어서, 가속 전압을 3kV로 유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 레이저 거울 제조방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
본 발명은 그람 양성균과 그람 음성균에 대해 광범위의 향균력을 나타내며, 특히 mrsa 등 그람 양성균에 우수한 항균력을 나타내는 신규한 일반식( I )로 표시되는 세팔로스포린 화합물 및 이들 유도체의 제조방법에 관한 것이다.일반식( I )에 있어서, Rl, R2은 각각 수소 또는 트리틸기를 말하며, R3는 일반식( A )로 표시되는 3-위치가 치환된 이소옥사졸 화합물이며, R4는 수소, 파라-메톡시벤질 또는 Na과 같은 염을 만드는 원자이다.1.일반식( I )로 표시되는 세팔로스포린 화합물 및 약제학적으로 허용되는그의 염상기 일반식( I )에 있어서, Rl, R2은 각각 수소 또는 트리틸기를 말하며, R3는 일반식( A )로 표시되는 3-위치가 치환된이소옥사졸 화합물로서, Q는 수소, 클로로, 브로모,메틸, 메톡시, 히드록시, 브로모메틸, 시아노 트리플루오로메틸,플르오르에틸,카르복시,카르바모일,카르바모일옥시메틸,N,N-디메틸카바모일, N, N-디메틸카르바모일옥시메틸,2-미리딘일,3-피리딘일 또는 4-피리딘일기를 말하며,R4는 수소, 파라-메톡시벤질 또는 Na과 같은 염을 만드는 원자를 말한다. 2. 제 1 항에 있어서, 일반식( I )의 세팔로스프린 화합물이 파라-메톡시벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미 노아세트아미도-3-[(3-클로로이소옥사졸-5-일)-비 닐]-3-세펨 -4-카르복실 레 이 트, 파라-메 톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미 노아세트아미되-3-[(3-메 틸이소옥사졸-5-일)-비 닐]]-3-세펨-4-카르복실 레 이 트, 파라-메톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리릴아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미 노아세트아미 되-3-[이소옥사졸-5-일)-비 낵-3-세펨-4-카르복실 레 이 트, 파라-메 톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸 아미노티아졸-4-일 )-2-트리틸-옥시 이 미 노아세 트아미 도-3-[(3-메톡시이소옥사졸-5-일 )-비 닐-3-세펨 -4-카르복실 레 이 트, 파라-메 톡시 벤 질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미 노티 아졸-4-일)-2-트리틸-옥시이미노아세트아미도]-3-[(3-브로모메 틸이 소옥사졸-5-일 )-비닐]-3-세펨 -4-카르복실 레 이 트, 파라-메 톡시 벤 질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리 릴아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시이미노아세트아미도]-3-[(3-트리 플루오로메 틸 이소옥사졸-5-일 )-비닐]-3-세펨 -4-카르복실 레 이 트, 파라-메 톡시 벤 질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시이미노아세트아미도]-3-[(3-브로모이소옥사졸-5-일)-비 빅-3-세펨-4-카르복실 레 이 트, .파라-메톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시이미노아세트아미도]-3-[(3-디 페 닐 메 톡시 카르보닐 이소옥사졸-5-일 )-비닐]-3-세펨 -4-카르복실 레 이 트, 파라-메톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미노아세트아미 도]-3-[(3-파라-메 톡시 벤질 이소옥사졸-5-일)-비 닐]-3-세펨-4-카르복실 레 이 트,파라-메톡시 벤질(6R,7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미노아세트아미 도]-3-[(3-시 아노일 이소옥사졸-5」일)-비ㄴ;ㄹ]-3-세펨-4-카르복실 레 이 트,파라-메톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미노아세 트아미 도]-3-[(3-플르오르에 틸 이소옥사졸-5-일)-비 닐]-3-세펨 -4-카르복실 레이 트, 파라-메톡시 벤질(6R,7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시이 미 노아세 트아미 도[(3-카르바모일 이소옥사졸-5-일 )-비 닐]-3-세펨 -4-카르복실레 이 트, 파라-메톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시이미노아세트아미도]-3-[3-N, N-디메틸카르바모일)이소옥사졸-5-일)-비 닐]-3-세펨 -4-카르복실 레 이 트, 파라-메 톡시 벤질(6R,7R)-7-[(Z)-2-(트리틸 아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미 노아세트아미도]-3-[(3-카르바모일옥시메틸이 소옥 사졸-5-일)-비닐]-3-세펨-4-카르복실 레 이트, 파라-메톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시이 미 노아세트아미도-3-[3-(N, N-디메틸카르바모일옥시메 틸)이소옥사졸-5-일)-비 닐]-3-세펨-4-카르복실 레 이 트, 파라-메 톡시 벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리 릴아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미 노아세트아미도]-3-{[3-(2-피리딘일)이소옥사졸-5-일]-비닐 -3-세펨-4-카르복실레이트, 파라-메톡시벤질(6R, NR-7-[(Z)-2-(트리틸아미노티아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미 노아세트아미도]-3- {[3-(3-피 리 딘일)이소옥사졸-5-일)-비닐} -3-세펨-4-카르복실레 이트, 파라-메특시벤질(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(트리틸아미 노티 아졸-4-일)-2-트리틸-옥시 이 미 노아세트아미도]-3- {[3-(4-피리딘일)이소옥사졸-5-일)-비닐} -3-세켐-4-카르복실레이트 (6R 7R)-7-[(Z)-2-(2-아미노티아졸-4-일)-2-히 드록시 이 미 노아세트아미 도]-3-[(3-클로로이소옥사졸-5-일)-비닐]-3-세펨-4-카르복실산 및 나트륨염,(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(2-아미노티아졸-4-일)-2-히드록시 이 미 노아세트아미 도]-3-[(3-메톡시이소옥사졸-5-일)-비닐]-3-세펨-4-카르복실산 및 나트륨염,(6R, 7R)-7-[(Z)-2-(2-아미노티아졸-4-일)-2-히 드록시이미노아세트아미 도]-3-[(3-이소옥사졸-5-일)-비 비-3-세펨-4-카르복실산 및 나트륨염
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
지방산 1종이상의 리튬 비누, 붕산의 리튬염, 및 디알킬 사바케이트의 디리튬염으로 이루어진 농조제를 윤활 첨가제와 함께 기유에 분산시켜 제조한 베어링 및 기어의 윤활제로 사용되는 리튬 복합염 그리스를 제공한다. <구성>리튬 복합염 그리스가 (A) 그리스 총중량을 기준으로 12-히드록시 스테아린산, 캐스터 왁스 또는 이들 혼합물에서 선택되는 탄소수 12 내지 24의 지방산 1종이상의 리튬비누 3 내지 15중량%, 붕산의 모노 리튬염 0.1 내지 5중량% 및 탄소수 1 내지 20의 알킬기를 갖는 디알킬 사바케이트의 디리튬염 0.1 내지 5중량%를 함유하는 농조제 3-20중량%, (B) 광유계 기유 (파라핀계 및 나프틴계 기유의 단독 또는 혼합물) 또는 합성 윤활기유 75-97중량%, 및 (C) 극압제, 내마모제, 분산제, 산화 안정제, 부식 방지제 및 방청제 등의 첨가제 5중량% 이하로 이루어진다. 12-히드록시 스테아린산 및 캐스터 왁스에 대한 붕산의 몰비는 각각 0.5 내지 10 및 0.45 내지 9.0이고, 디알킬 사바케이트의 몰비는 각각 5 내지 50 및 4.5 내지 45이다. 분산제로서 그리스 총량의 1.0중량% 이하의 폴리히드록시 알코올인 글리세린이 추가로 함유된다. <효과>혼화 안정성, 고적점, 내수성 및 기계적 안정성 등의 윤활 성능이 우수하다.1.(A) 탄소수 12 내지 24의 지방산 1종 이상의 리튬 비누 3-15중량%(그리이스 총 중량 기준), 붕산의 리튬염0.1-5중량%(그리이스 총 중량 기준), 및 디알킬 사바케이트의 디리튬염 0.1-5중량%(그리이스 총중량 기준)를 함유하는 농조제 3-20중량%, (B) 윤활 기유 75-97중량% 및 (C) 첨가제 5중량% 이하로 이루어진 리튬 복합염 그리이스.2.제1항에 있어서, 상기 지방산이 12-히드록시 스테아린산, 캐스터 왁스 또는 이들의 혼합물인 리튬 복합염그리이스.3.제1항 또는 2항에 있어서, 상기 붕산의 리튬염이 모노 리튬염 형태이고, 12-히드록시 스테아린산 및 캐스터 왁스에 대한 붕산의 몰비가 각각 0.5-10 및 0.45-9.0인 리튬 복합염 그리이스.4.제1항에 있어서, 상기 디알킬 사바케이트의 알킬기가 메틸, 에틸 부틸, 에틸헥실, 옥틸 및 스테아릴로 이루어진 군중에서 선택된 탄소수 1-20의 알킬이고, 12-히드록시 스테아린산 및 캐스터 왁스에 대한 디알킬 사바케이트의몰비가 각각 5-50 및 4.5-45인 리튬 복합염 그리이스.5.제1항에 있어서, 상기 윤활 기유가 광유계 윤활유 또는 합성 윤활유인 리튬 복합염 그리이스.6.제5항에 있어서, 상기 광유계 윤활유가 파라핀계 및 나프틴계 기유의 단독 또는 혼합유인 리튬 복합염 그리이스.7.제1항에 있어서, 상기 첨가제가 극압 및 내마모제, 분산제, 산화 안정제, 부식 방지제 및 방청제중에서 선택되는 것인 리튬 복합염 그리이스.8.제1항에 있어서, 극성 분산제를 추가로 함유하는 리튬 복합염 그리이스.9.제8항에 있어서, 상기 극성 분산제가 폴리히드록시 알코올이고, 그리이스 총 중량을 기준으로 1.0중량% 이하의 양으로 사용되는 리튬 복합염 그리이스.10.제8항에 있어서, 상기 폴리히드록시 알코올이 글리세린인 리튬 복합염 그리이스
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가진 발광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300μm) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO2)이나 실리콘질화박막(Si3N4)의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 잇는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.곁국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광건소자의 광전변판 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방진할 수 있는 염解있다.1.갈륨비소(GaAs)기판위에 에피층을 증착하는 제1공정과, 포토레지tm트 이용한 사진 식각(Photolithography)방법으로 상기 에피층의 식각 될 부분을 정의하는 제2공정과, 상기 에피층을 식각하여 박막 마스크를 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제 4공정과, 상기 박막 마스크를 이용하여 반구형 에피층을 형성하는 제 5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 장전 소자용 반구형 구조의 제조방법.2.제 1항에 있어서, 상기 에피층은 실리론산화박막(SiO₂)을 1000~1500Å성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.3.제 1항에 있어서, 상기 에피층은 실리콘질파박막(Si₃N₄)을 1000~1500Å성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.4.제 1항에 있어서, 상기 반구형 에피층은 AlGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효울 공전호사용 반구형 구조의 제조방법.5. 제 1항에 있어서, 상기 반구형 에피층은 InGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광건노자용 반구형 구조의 제조방법.6.제2항 내지 제5항에 있어서, 상기 에피층 및 반구형 에피층은 유기금속 화학기상증착법(Metalorganic chemical vpor deposition, MOCVD)으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.7.제 1항에 있어서, 상기 박막 마스크의 모양과 폭을 조정하여 반구형 에피층의 수직 성잘률을 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점 구조를 형성하고 그 양자점 구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지 않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄 갈륨비소막(3)및 갈륨비소막(2)를 다층으로 증착한 후, 피엠엠에이(Poly Methyl Methacrylate, 4)를 상기 형성된 다층구조의 최상층인 갈륨비소막(3)의 상부에 증착하고, 그 피엠엠에이(4)를 이온주입 마스크로 하여 아연 또는 실리콘이온을 주입하여, 상기 아연 또는 실리콘이온이 주입되는 부분을 알루미늄갈륨비소막(3)으로 변형시키는 단계와;상기 공정 후 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(2)가 양자구조로 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 열처리하여 상기 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄 갈륨비소(3)의 격자를 무질서하게 함으로써, 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(3)가 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 수직방향으로 벽개하는 단계와;상기 벽개한 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(3)가 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 상기 알루미늄갈륨비소(3)를 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소 또는 산화알루미늄(5)을 형성하는 단계와; 상기 산화알루미늄갈륨비소(5)를 선택적 성장마스크로 사용하는 유기금속화학증착법(MOCVD)을 사용하여 알루미늄갈륨비소막과 갈륨비소막을 반복적으로 성장시켜 갈륨비소(2)의 위에 양자점을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.2.제 1항에 있어서, 상기 벽개한 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(3)을 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소막(5)을 형성하는 방법은 그 벽개한 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 약95℃의 수증기가 포함된 고순도 질소개스를 반응로 온도 450℃의 분위기에서 1시간동안 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.3. 제 1항에 있어서, 갈륨비소막(2)에 고밀도 양자점을 형성시키는 방법은 유기금속화학증착법을 이용하여 상기 갈륨비소막(2)에 그 알루미늄의 몰비가 0.1내지 0.5인 알루미늄갈륨비소막과 갈륨비소막을 순차 반복적으로 성장시켜 고밀도 양자점을 형성시키는 것을특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.4. 제1항 또는 제3항에 있어서 유기금속 화학증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 하고, 총 유량은 분당 5내지 8리터로 하며, 3족 유기금속원소는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원소로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
(A)N-P-톨루엔술폰일옥시말레이미드(TsOMI), N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMI),N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMI) 중에서 선택한 광산 발생형 단량체 X-OMI와 N-t-부틸옥시카보닐말레이미드(t-BOCMI), 말레이미드(MI), N-히드록시말레이미드(HOMI) 중에서 선택한 말레이미드 단량체 Y-MI와 스티렌(St), 히드록시스티렌(HOSt), t-부틸옥시카보닐옥시스티렌(t-BOCSt) 중에서 선택한 스티렌 유도체(Z-St)를 라디칼공중합시켜 X-OMI:Y-MI:Z-St=0.7∼1.5:0.7∼1.5:1.5∼2.5 (몰%)의 조성을 가진 N-치환된 술폰일옥시말레이미드 단량체를 이용한 삼원공중합체 P(X-OMI/Y-MI/Z-St)의 제조방법 및 이를 이용한 내열성 레지스트 화상형성방법.1. N-P-톨루엔술폰일옥시말레이미드(TsOMI), N-메탄술폰일옥시말레이미드(MsOMI), N-트리플로로메탄술폰일옥시말레이미드(TfOMI) 중에서 선택한 광산 발생형 단량체 X-OMI와 N-t-부틸옥시카보닐말레이미드(t-BOCMI), 말레이미드(MI), N-히드록시말레이미드(HOMI) 중에서 선택한 말레이미드 단량체 Y-MI와 스티렌(St), 히드록시스티렌(HOSt), t-부틸옥시카보닐옥시스티렌(t-BOCSt) 중에서 선택한 스티렌 유도체(Z-St)를 라디칼공중합시켜 X-OMI:Y-MI:Z-ST=0.7~1.5:0.7~1.5:1.5~2.5 (몰%)의 조성을 가진 N-치환된 술폰일옥시말레이미드 단량체를 이용한 삼원공중합체P(X-OMI/Y-MI/Z-St)의 제조방법.2. 제1항의 삼원공중합체를 유기용재에 1~30중량%되게 용해시켜 제조한 레지스트 용액을 실리콘 웨이퍼에 스핀 도포한 다음 전열처리하고 원자외선 및 엑사이머 레이저 또는 전자선에 노광 후 가열처리 하고 현상하는 내열성 레지스트 화상형성방법.3. 제2항에 있어서, 현상액으로 가성소다 수용액, 트리메틸암모늄히드록시 수용액, 아니솔, 메틸이소부틸케톤, 클로로포름으로 구성된 군에서 선택하여 현상하는 내열성 레지스트 화상형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
화학 > 기타 무기화학
반응조에서 금속 게르마늄을 구리 촉매하에서 알릴클로라이드와 염화수소 또는알킬클로라이드 화합물의 혼합 기체와 반응시켜 알릴클로로게르만을 제공한다. [구성]유동층 반응조나 교반형 반응조에서 금속 게르마늄을 게르마늄의 무게비로1-20%의 구리 촉매하에서 알릴클로라이드와 알릴클로라이드에 대하여 몰비로 0.5-4.0배의 염화수소 또는 알킬클로라이드 등의 일반식(2)(R2는 수소, 탄소원자수 1-4개의 직쇄 또는 측쇄 알킬기임)의 화합물의 혼합 기체와 섭씨 230-450도에서 반응시켜 일반식(1)(R1은 클로로 또는 알릴임)의 알릴클로로게르만을 제조한다.1. 알릴클로라이드와 다음 일반식(2)의 화합물의 혼합 기체를 게르마늄과 구리 촉매의 접촉 혼합물과 반응시키는 것으로 이루어진 다음 일반식(1)의 알릴클로로게르만의 제조방법. 상기식에서 R1은 클로로 또는 알릴이고, R2는 수소, 탄소원자수 1-4개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기이다.2. 제1항에 있어서, 반응온도가 230-450℃인 것이 특징인 제조방법.3. 제1항에 있어서, 상기 일반식(2)의 화합물을 알릴클로라이드에 대하여 몰비로 0.5-4.0배가 되도록 혼합하는 것이 특징인 제조방법.4. 제1항에 있어서, 구리 촉매가 게르마늄에 대해 무게비로 1-20%인 것이 특징인 제조방법.5. 제1항에 있어서, 접촉 혼합물이 반응에 의해 소모될 때, 게르마늄을 소모된 양만큼 추가로 첨가하여 연속적으로 반응시키는 것이 특징인 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
녹색 및 적색 방출효율이 각각 2배 및 500배 이상 향상된 매우 우수한 성질을 가지는 녹색 및 적색을 방출하는 레이저 유리를 제공한다. [구성]백금 도가니에 무수 플루오라이드를 넣고, NH4F, HF를 첨가하여 후드안에서 혼합 및 분쇄한다. 혼합된 원료를 백금 도가니 뚜껑을 덮어 전기로에 넣고, 온도를 높인 뒤 N2 가스를 유입하고 가열한 뒤, 원료중에 포함된 산화물을 플로오라이드 화합물로 반응시키기 위해 1시간동안 유지시킨다. 다음 섭씨 800도 에서 질소분위기로 가열하여 1시간 용융시킨 뒤, OH기를 제거하고, 스트레스를 제거한 뒤, 레이저 유리를 제조한다.1. 다음식의 조성으로 이루어진 녹색 및 적색을 방출하는 레이저 유리: 53ZrF4-25BaF2-(4-x)LaF3-3AlF3-15NaF-xTmF3 상기식에서 x는 0≤x≤2이며, LaF3, ErF3 ㅁ치 TmF3의 총 함량이 4몰%이다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
환경 > 기타 사전오염예방·청정요소 기술
본 발명의 경사형 침전 및 분리 장치는 기존의 생물학적 침전조의 효율을 향상시키는 동시에 폭기조의 슬러지 팽화등이 발생하였을 때 미생물을 배제할 수 있는 처리 장치이다. 침전조로서의 효율 향상은 경사판을 두어 유효 침전 면적을 증가시키고 침전 길이를 축소하여 단시간 동안에 침전이 일어나게 하였다. 그러므로, 기존 침전조의 용적을 줄일 수 있고, 고형물 부하량을 증가시킬 수 있다. 이 장치는 유량이나 수질의 변동이 심한 중소 규모형 폐수 처리 시설에 적용할 수 있다. 기존의 중소 규모형 폐수 처리 시설은 폭기조의 성상 변화가 일어나 정상적인 가동이 어려운 경우가 많으므로 경사형 고효율 침전 및 분리 장치를 이용하여 미생물을 상등수로 제거하는 능동적인 방법을 취하면 폭기조는 정상적인 상태로 유지할 수 있다. 따라서, 중소 규모형 폐수 처리 장치와조합하여 운영하면 침전조로서의 역할뿐만 아니라 미생물군 분리조로서도 운영할 수 있어서 처리시설 전반에 걸쳐 효율이 향상된다.1. 폐수 유입구를 갖춘 폭기조와 함께 폐수 처리 장치에 사용되는 침전 및 분리 장치에 있어서, 상기 폭기조(4)로부터 폐수가 유입되는 유입구 (7a,7b,7c)와 유출구(12)를 구비하며 소정의 각도로 경사진 침전조(9)와, 상기 침전조(9)의 하부에 마련된 교반기(16)와, 침전조 상부 내측에 위치한 격막(10)을 포함하는 것을 특징으로 하는 경사형 침전 및 분리 장치.2. 제1항에 있어서, 침전조(9) 내부에 하나 이상의 경사판(8)이 마련되어 있고, 이 경사판(8)의 경사각이 슬러지 침강 계수(SVI)에 따라 45도 내지 55도로 가변적인 것을 특징으로 하는 경사형 침전 및 분리 장치.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경사판(8)이 침전 장치 내의 고형물 부하량에 따라 그 수효와 이들 사이의 간격을 변화시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 경사형 침전 및 분리 장치.4. 제3항에 있어서, 경사판(8)들 사이의 간격이 1.5 내지 6.0cm 사이에서 조정가능한 것을 특징으로 하는 경사형 침전 및 분리 장치.5. 제1항에 있어서, 침전조 내부에 슬러지 유입 헤드(53)가 마련된 것을 특징으로 하는 침전 및 분리 장치.6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 혼합 교반기(16)의 위치는 침전조(9)의 상부 벽면으로부터 침전조 높이의 1/2 내지 2/3 거리에 위치하고 혼합 교반기의 회전 날개의 직경이 침전조 높이의 1/4를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 경사형 침전 및 분리 장치.7. 제1항 또는 제5항에 있어서, 혼합 교반기(16)의 운전시 15분간 회전하고 45분간 침전시킨 후 1시간 동안 슬러지를 유출하는 운전 모드를 취하는 것을 특징으로 하는 경사형 침전 및 분리 장치.8. 제1항 또는 제5항에 있어서, 유입되는 유량(Qr)과 슬러지 유출구의 유량(Qr-Qo)과의 비를 폭기조의 운전 상태에 따라서 변화시킴으로써 침전조 또는 미생물군 선택조로서 사용되는 것을 특징으로 하는 경사형 침전 및 분리 장치.9. 제7항에 있어서, 폭기조가 정상적으로 운영될 때에는 경사형 침전조에 유입되는 유량(Qr)과 슬러지 유출구 사이의 유량(Qr-Qo)의 비를 1.8 이하로 하고, 상등수로 분리된 유량(Qo)과 폭기조로 유입되는 유량(Qf)의 비를 0.3 내지 0.6으로 하며, 폭기조 내에 슬러지 팽화가 발생할 때에는 (Qo/Qf)를 2.5 내지 4.0으로하여 운전되는 것을 특징으로 하는 침전 및 분리 장치.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
비교기 및 적분기로 이루어지는 주파수 발생원리에 의해 형광물질의 여기동작을 제어하고 그 형광물질의 여기동작에 따른 주파수를 곧바로 측정한 후 그 주파수로부터 온도를 산출하도록 하기 위한 것이다. <구성>비교전압을 기준전압과 비교하는 비교기(10);이 비교기(10)의 출력신호에 따라 여기광을 발생하는 광원(21);이 광원(21)에서 발생되는 여기광에 의해 여기되어 형광을 발생하는 형광물질(22);이 형광물질(22)에서 발생되는 형광을 전기적인 신호로 검출한 후 증폭하여 비교기(10)에 비교전압으로 인가하는 광검지기(23);비교기(10)의 출력신호로부터 주파수를 측정하여 온도를 산출하는 주파수 측정 및 연산장치(27)로 구성한다. <효과>온도측정장치가 간단히 구성되고 주파수를 측정할 때의 시간간격이 바로 발광수명시간의 누적과 같게되어 평균화가 자동적으로 이루어지므로 그 온도 연산과정이 간단해진다.1. 비교전압을 기준전압과 비교하는 비교기(10)와, 이 비교기(10)의 출력신호에 따라 여기광을 발생하는 광원(21)과, 이 광원(21)에서 발생되는 여기광에 의해 여기되어 형광을 발생하는 형광물질(22)과, 이 형광물질(22)에서 발생되는 형광을 전기적인 신호로 검출한 후 증폭하여 상기 비교기(10)에 비교전압으로 인가하는 광검지기(23)와, 상기 비교기(10)의 출력신호로부터 주파수를 측정하여 온도를 산출하는 주파수 측정 및 연산장치(27)로 구성된 것을 특징으로 하는광학을 이용한 온도측정장치.2. 제1항에 있어서, 광원(21)에서 발생되는 여기광이 이색성필터(24), 렌즈(25) 및 광섬유(26)를 통해 형광물질(22)에 입사되고, 상기 형광물질(22)에서 발생되는 형광이 상기 광섬유(26) 및 렌즈(25)를 통한 후 상기 이색성필터(24)에서 반사되어 광검지기(23)에 입력되게 구성된 것을 특징으로 하는 광학을 이용한 온도측정장치
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
환경 > 기타 환경오염제어·관리 기술
유류 오염 토양 복원용 가열식 장치에 있어서, (1) 유류 오염 토양의 유류를 탈착시키기 위한 유동상 열탈착 시스템, (2) 상기 유동상 열탈착 시스템에서 탈착된 유류분을 연소시키기 위한 산화 촉매가 장착된 저온 열파괴 시스템, (3) 상기 유동상 열탈착 시스템과 상기 저온 열파괴 시스템 사이에 위치하여 이들 시스템 (1, 2)와 함께 다단식 구조를 형성하며, 상기 열파괴 시스템내에서 발생된 상기 탈착된 유류분의 연소열을 상기 유동상 열탈착 시스템의 열원으로 제공하기 위한 가열관 시스템, 및 (4) 상기 시스템들 (1, 2, 3) 내외의 기체들이 서로 유기적으로 순환되도록 하기 위한 순환 시스템으로 이루어지는, 유류 오염 토양 복원을 위한 가열관이 내삽된 간접 가열식 유동상 장치 및 이 장치를 사용하여 유류로 오염된 토양을 복원하는 방법이 개시되어 있다.본 발명에 따른 간접 가열식 유동상 장치를 사용함으로써 에너지 이용을 극대화시켜 유류로 오염된 토양을 고효율로 복원시킬 수 있다.1. 유류 오염 토양 복원용 가열식 장치에 있어서, (1) 유류 오염 토양의 유류를 탈착시키기 위한 유동상 열탈착 시스템.(2) 상기 유동상 열탈착 시스템에서 탈착된 유류분을 연소시키기 위한 산화 촉매가 장착된 저온 열파괴 시스템.(3) 상기 유동상 열탈착 시스템과 상기 저온 열파괴 시스템 사이에 위치하여 이들 시스템(1,)과 함께 다단식 구조를 형성하며, 상기 열파괴 시스템내에서 발생된 상기 탈착된 유류분의 연소열을 상기 유동상 열탈착 시스템의 열원으로 제공하기 위한 가열관 시스템, 및(4)상기 시스템들(1,2,3) 내외의 기체들이 서로 유기적으로 순환되도록 하기 위한 순환 시스템을 포함하는, 유류 오염 토양 복원을 위한 가열관이 내삽된 간접 가열식 유동상 장치.2. 유류 오염 토양 복원을 위한 가열 방법에 있어서, (1) 유동상 열탈착 시스템내에서 가열관 시스템에 의한 간접 가열을 통해 유류에 오염된 토양을 연속적으로 탈착시키는 단계,(2) 상기 유동상 열탈착 시스템에서 탈착된 유류분을 산화 촉매를 사용하는 열파괴 시스템내에서 분해 및 제거하는 단계,(3) 상기 열파괴 시스템내에서 발생된 상기 탈착된 유류분의 연소열을 상기 가열관 시스템에 의해 상기 유동상 열탈착 시스템의 열원으로 제공하는 단계, 및(4) 상기 시스템들(1,2,3) 내외의 기체들이 서로 유기적으로 순환되도록 하는 단계를 포함하는, 유류 오염 토양 복원 방법.3. 제2항에 있어서, 상기 유동상 열탈착 시스템내에서 탈착되는 유류분을 순환 펌프에 의해 상기 열파괴 시스템으로 공급하고 이 열파괴 시스템내의 산화 촉매층에서 산화시켜 이산화탄소 및 물로 전환시키며, 생성된 이산화탄소와 응축수 그리고 토양 중에 포함된 수증기를 배출시키고, 상기 열파괴 시스템에서 산화 반응에 의해 소모되는 양 만큼의 산소를 외부에서 공급하는 방법.4. 제2항에 있어서, 상기 유동상 열탈착 시스템내에서 탈착되는 유류분을 상기 열파괴 시스템내의 산화 촉매층에서 연소시킬 때 발생되는 연소열을 상기 가열관 시스템에 의해 상기 유동상 열탈착 시스템으로 전달하는 방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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