일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명에 의한 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치는, 드라이브 코일과; 상기 드라이브 코일과 대향되도록, 상기 드라이브 코일과 소정 간격 이격된 지점에 배치된 검출 코일과; 상기 검출 코일을 사이에 두고 그 좌/우측 상단에 배치된 시편 홀더와; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 시편 홀더 상에 부착된 대면적 저온초전도체 박막 및; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 대면적 저온초전도체 박막 상에 부착된 대면적 고온초전도체 박막으로 이루어져, 1) 쌍코일 장치의 영점조정과 시편 박막인 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리(magnetic penetration depth) λ의 절대 크기를 단일한 측정에서 이룰 수 있게 되어 영점조정시 발생되는 기계적인 문제점을 해결할 수 있고, 2) 드라이브 코일을, 대면적 고온초전도체 박막에 근접된 바텀 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수가 이와 역 방향으로 탑 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수보다 더 많은 구조를 가지도록 제작해 주므로써, 박막 가장자리에서의 Js를 제거할 수 있게 된다.1. 드라이브 코일과; 상기 드라이브 코일과 대향되도록, 상기 드라이브 코일과 소정 간격 이격된 지점에 배치된 검출 코일과; 상기 검출 코일을 사이에 두고 그 좌/우측 상단에 배치된 시편 홀더와; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 시편 홀더 상에 부착된 대면적 저온초전도체 박막 및; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 대면적 저온초전도체 박막 상에 부착된 대면적 고온초전도체 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 납이나 나이오븀, 또는 상기 대면적 고온초전도체 박막보다 낮은 전이온도를 갖는 고온초전도체 물질 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.3. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 동 물질이 초전도 상태에서 가지는 자기장 침투거리 ...보다는 5배이상 크고, 동 물질이 정상 금속 상태일 때 가지는 스킨 뎁쓰보다는 1/10-0이하의 크기를 가지도록, 그 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.4. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 그 표면에 포토레지스트가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.5. 제 1항에 있어서, 상기 시편 홀더는 플렉시그라스와 같은 부도체 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.6. 제 1항에 있어서, 교류자기장 대신 직류자기장을 사용할 경우, 상기 검출 코일 대신 스퀴드 센서가 장착되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.7. 제 6항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 동 물질이 초전도 상태에서 가지는 자기장 침투거리...보다 5배이상 큰 크기로, 그 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.8. 제 6항에 있어서, 상기 시편 홀더는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.9. 제 1항에 있어서, 상기 드라이브 코일은 쌍극자 코일 성분과 사중극자 코일 성분이 중첩되도록 연결된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.10. 제 9항에 있어서, 상기 드라이브 코일은 대면적 고온초전도체 박막에 근접된 바텀 섹션에 감겨지는 코일의 회전수보다 이와 역방향으로 탑 섹션에 감겨지는 코일의 회전수가 더 적은 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.11. 제 6항에 있어서, 상기 스퀴드 센서는 스캐닝 가능하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
본 발명은 출발물질로서 다음 구조식(Ⅱ)의 (R)-4(트리클로로메틸)옥세탄-2-온을 산 촉매하에 C1-C18지방족 알코올 또는 벤질알코올과 반응시켜 다음 일반식(Ⅲ)의 (R)-3-히드록시-4,4,4 -트리클로로부티르산 에스테르를 제조한 다음, 일반식(Ⅲ)의 화합물의 4-위치를 선택적으로 탈염소화(Bis-dechlorination)시키는 것으로 이루어진 다음 일반식(Ⅰ)의 (R)-3-히드록시-4-클로로부티르산 에스테르의 제조방법에 관한 것이다. 상기식에서 R은 C1-C18의 지방족 알킬기 또는 벤질기이다. 본 발명의 제조방법은 (R)-카르니틴 또는 (R)-3-히드록시-4-아미노부티르산의 제조에 이용되는 핵심 중간체인 (R)-3-히드록시-4-클로로부티르산 에스테르를 매우 높은 수율로 또한 광학적으로 순수한 형태로 얻을 수 있다.본 발명은 출발물질로서 다음 구조식(Ⅱ)의 (R)-4(트리클로로메틸)옥세탄-2-온을 산 촉매하에 C1-C18지방족 알코올 또는 벤질알코올과 반응시켜 다음 일반식(Ⅲ)의 (R)-3-히드록시-4,4,4 -트리클로로부티르산 에스테르를 제조한 다음, 일반식(Ⅲ)의 화합물의 4-위치를 선택적으로 탈염소화(Bis-dechlorination)시키는 것으로 이루어진 다음 일반식(Ⅰ)의 (R)-3-히드록시-4-클로로부티르산 에스테르의 제조방법에 관한 것이다. 상기식에서 R은 C1-C18의 지방족 알킬기 또는 벤질기이다. 본 발명의 제조방법은 (R)-카르니틴 또는 (R)-3-히드록시-4-아미노부티르산의 제조에 이용되는 핵심 중간체인 (R)-3-히드록시-4-클로로부티르산 에스테르를 매우 높은 수율로 또한 광학적으로 순수한 형태로 얻을 수 있다.
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일반기술
정보 > 컴퓨터 본체
본 발명은 저저력, 고성능의 배타적 오아/노아게이트 회로에 관한 것으로, 베타적 오아/노아게이트 회로에 있어서는 전력 소모가 적어야 하고, 동작이 확실한 신뢰성 및 빠른 동작속도를 가져야 하며, 작은 크기의 면적을 갖는 조건들을 만족해야 하나, 종래의 베타적 오아/노아게이트 회로에 있어서는 상기의 조건들을 모두 만족하지 못하였다. 따라서, 노아/낸드게이트를 이용하여 입력신호의 반전상태에 대한 회로가 불필요하고, 출력단의 추가회로가 불필요하며, 어느 공정에 관계없이 동작함과 아울러 두 입력이 모든값에 대해 완전히 동작 즉, 동작전압을 모두 풀스윙(Full Swing)시킴으로써 적은 전력을 갖도록 캐타적 오아/노아게이트 회로를 구성하므로써 상기의 조건들을 모두 만족하고, 이에 따라 저전력과 고성능을 필요로 하는 모든 부분에 적용 응용될 수 있게 한다.1. 제 2, 제 1입력신호를 게이트에 각기 인가받고 그 제1, 제 2입력신호 입력단 및 출력단 사이에 각기 접속된 제 1, 제 2피모스 트랜지스터와, 상기 제1, 제 2입력신호를 노아 조합하는 노아게이트와, 상기 노아게이트의 추력신호를 게이트에 인가받고 상기 출력단 및 접지 사이에 접속된 제 3엔모스 트랜지스터로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 배타적 오아게이트회로.2. 제 2, 제 1입력신호를 게이트에 각기 인가받고 출력단 및 그 제 1, 제 2 입력신호 입력단 사이에 각기 접속된 제 1, 제 2 엔모스 트랜지스터와,상기 제 1, 제 2입력신호를 게이트에 각기 인가받고 전원단 및 상기 출력단 사이에 직렬 접속된 제 2, 제 1 피모스 트랜지스터와, 상기 제 1, 제 2 입력신호를 낸드 조합하는 낸드게이트와, 상기 낸드게이트이 출력신호를 게이트에 인가받고 상기 전원단 및 출력단 사이에 접속된 제 3피모스 트랜지스터로 구성하여 된 것을 특징으로 하느 배타적 노아게이트 회로.
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- 2001-01-17
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일반기술
보건·의료 > 원료의약 대량제조 기술
본 발명은 (R)(-)-3,4-디플루오로-2-(2-히드록시프로폭시)아닐린을 출발물질로 하여 트리페닐포스핀, 카르본테트라클로라이드, 진크할라이드와 반응시키는 것으로 이루어진 항균제 제조에 유용한 중간체인 7,8-디플루오로-벤즈옥사진 유도체의 제조방법을 제공한다.1. 유기 용매내에서 다음 구조식(Ⅱ)의 혼합물을 트리페닐포스핀, 진크할라이드 카르본테트라클로라이드와 반응시키는 것으로 이루어진 다음 구조식(Ⅰ)의 7,8-디플루오로-벤즈옥사진 유도체의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 유기 용매가 아세토니트릴, 테트라히드로퓨란 또는 디메틸술폭시드 중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.3. 제 1항에 있어서, 진크할라이드가 진크클로라이드, 진크브로마이드 또는 진크요드 중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.4. 제 1항에 있어서, 상기 반응을 100℃내지 120℃에서 10분 내지 3시간 동안 수행하는 것이 특징인 제조방법.
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드갭(3.6 eV) 구조를 가진 산화인듐(In2O3)박막으로부터 상온에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내어 박막을 형성함으로써 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공하려는 것으로, 열진공증착기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95 eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.1. 실리콘, 유리, 수정 및 몰리브덴 중에서 선택되는 어느 하나의 기판 위에 금속인듐을 80~200nm의 두께로 증착시키고, 상기 금속인듐을 증착된 기판을 질소가스분위기에서 500~900℃의 온도범위에서 30분 내지 2시간 동안 후열처리함으로써, 상온에서 안정된 오렌지색(1.95eV)의 발광특성이 있는 40~60nm크기의 미소 결정립을 갖는 다결정 산화인듐 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 오렌지색 발광 산화인듐 박막의 형성방법
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일반기술
환경 > 기타 사전오염예방·청정요소 기술
본 발명은 유독성 오염 물질을 함유한 폐수를 화학적 산화 환원 반응에 의해 처리하기 위한 촉매 및 그를 사용한 폐수 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 촉매는 산화물 담체에 전이 금속, 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속을 담지시킨 것으로서, 이 촉매를 사용하여 상온, 상압에서 폐수 처리를 행할 수 있다.1. Ge, Sn, Pb, Zn, Fe, Mn, Cr, Mo, W, V, Nb, Hf, Ta, Mg, Ca, Ba, Sr, La계열 및 Ac계열로 이루어진 군에서 선택된 원소의 산화물인 담체에 전이금속, 알칼리 금속 및 알칼리토 금속 중에서 선택된 원소를 1종 이상 담지시켜 이루어진 촉매를 사용하여 폐수를 상압 또는 그 이상의 압력과 상온 또는 100℃이하에서 산화제에 의해 산화 처리하는 것을 특징으로 하는 유독성 오염 물질을 함유한 폐수의 화학적 산화 처리 방법.2. 제 1항에 있어서, 산화물 담체는 PbO2, MgO, CaO, BaO, MnO, Fe2O3, FE3O4 및 SnO 중에서 선택되는 것인 방법.3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 담체에 담지시키는 원소는 Ru, Co, Fe, Pt, Pd, Cu, Mn, Ni, Co, Rh, Cr, 및 Mo중에서 선택되는 것인 방법.4. 제 1항에 있어서, 산화제는 과산화수소, 산소, 오존, N2O및 공기 중에서 선택되는 1종 이상의 것인 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 고안은 표면실장이 가능한 적층 칩(chip)형태의 인덕터(inductor)구조에 관한 것으로,특히 복수매의 시트상 자성체층 사이에 형성되는 코일용 도전패턴의 인접 자성체층간 전회궤적에 차이를 두되 한층 걸러서는 통일한 권회궤적을 취하도록 하여 내부전극의 합선우려를 배제토록 한 칩 인덕터에 관한 것이다.일반적인 형태의 인덕터 구조는 페라이트 코어의 주위에 도선을 권회한 형태로 이루어져 있어 그 부피가 크기때문에 소형화가 곤란하고 특히 콘덴서 부품과 결합하여 회로를 구성하여야 할 경우에는 결합소자들 간의 구조상의 차이점에 기인하여 회로구성이 곤란하다는 문제점이 있다.한편, 최근에 이르러 대부분의 전자지기들이 고집적화의 경향을 취하고 있으며,또한 제조공정의 자동화를 위하여 구성부품을 인쇄기판상에 집적시키는 표면실장화의 추세로 나아가고 있는 실정을 감안하여 볼때 상기 인덕터가 지니고 있는 구조상의 문제점은 커다란 결점으로작용하게 된다.(11)좌측반부를 커버하는 크기의 자성체층(12)이 적층되어(B)와 같이 도전패턴(h)의 일부분만이 노출된 상태가 된다.다음,(C)에서와 같이 일부분만 남아있는 도전패턴(h)의 단부에 다시"J"자 형상의 도전패턴(i)이 인쇄된 후에 이번에는 우측반부를 커버하는 자성체층(13)이 적층되어 도전패턴(i)의 일부분만이 남겨진 상태로 된(D)와 같이 된다.이어서, 도전패턴(i)의 단부에 "J"자형상의 또 다른 도전패턴(j)이 연장형성됨에 있어(E)에 도시된 바와 같이 상부의 원호상 도전패턴부가 이루는 궤적이 상기(A)단계와 공정에서 인쇄된 그 아래층의 도전패턴(h)의 궤적에 비해 적어도 도전패턴의 폭만큼 안쪽이나 바깥쪽으로 치우치게 유지되도록 형성되도록 한다.이후, 앞서 설명된 바의 공정과 동일한 공정을 반복적으로 수행하여 차례로 자성체층(14-17)과 도전패턴(h-n)을 형성시켜 나아가되 인접하는 자성체층 상하부에 인쇄되는 도전패턴의 궤적중 원호상부분이 수직으로 일직선상에 놓이지 않게끔 형성함과 동시에 한층 건너서는 동일한 도전패턴의 궤적을 유지하도록 하여 (F)공정에서부터 (M)공정에 이르기까지 적층작업을 수행하게 된다.특히 (M)단계에서 도전패턴(n)은 그단부가 자성체층(17) 의 외측으로 노출형성되며 도전패턴(n)의 인쇄후에 마지막으로 최하층의 자성체층(11)과 동일한 크기의 자성체층(18)이 복개되어 일단 적층체의 적층이 완료된다.본고안에서의 자성체층과 도전 패턴의 적층 및 인쇄과정은 각각 자성체층을 순차적으로 적층시켜 가면서 도전패턴을 형성시키는 형태를 취하거나, 각기 상용하는 도전패턴이 형성된 자성체층을 150-300 ㎏/㎠의 압력으로 50~100℃의 온도에서 일괄하여 적층하는 형태를 택하여 수행하는 것이 바람직한 바, 이와 같은 적층체의 단면구조는 제3도의 (M)에 대한 C-C선 단면도인 제4도에 나타나 있다.제4도에 도시된 바와같이,자성체층(11-17)의 사이사이에 위치하는 도전패턴(i)(m)은 대략 자성체층의 두께길이 만큼 떨어진 위치에 형성된다.도전패턴을 포함한 자성체층의 적층이 완료되면 적층체를 소정의 크기로 절단하여 약500℃에서 24시간 내지 48시간 가량 유지시킴으로써 자성체 내부의 유기 결합제를 제거하고, 이어서 850~950℃에서 적층체의 동시소결을 수행함으로써 적층소결체의 제조가 완료된다.다음, 이같이 소결이 완료된 소결체는 그 양단부에 니켈등으로 와부전극(19)(19')이 도굴되어 제5도에 도시된 바와같은 본 고안 칩 인덕터가 얻어지게 된다.본고안의 칩인덕터는 적층구조를 이루는 자성체층 사이사이에 형성된 도전패턴의 층간 인쇄궤적에 변화를 가하여 도전패턴의 접촉에 의한 합선의 우려를 배제하고 있을뿐만 아니라 적층사성체층이 서로 겹쳐지지 않도록 하여 종래의 칩인덕터가 지니고 있는 결점인 탈층화나 변형의 위험에서 벗어나게 되므로 제품의 신뢰도가 향상된다는 이점이 있다.본고안의 인접층간의 전극패턴이 서로 겹쳐지지 않기 때문에 겹쳐지는 상하전극의 면적이 거의 없고 전극간의 간격도 크게 증가하기 때문에 기생 캐퍼시턴스값을 최소화 할 수 있고, 이에 따라 같은 인덕턴스 값을 갖는 인덕터인 경우 종래의 인덕터에 비하여 사용가능 주파수를 고주파대역으로 확장할 수 있다.제7도는 같은 원료를 사용하여 6회 권선하여 1.0μH를 구현한 것으로서 종래의 방법으로 만든 인덕터와 본 고안에 의한 인덕터의 주파수에 따른 임피던트값의 변화를 나타낸 것으로 상술한 일본특허 및 실용신안에 의한 것에 비하여 사용가능한 주파수 대열이 고주파 대역으로 확장됨을 알 수 있다.1.복수매의 자성체중을 순차 교호 적층하며 각층마다 "J"자형 도전패턴을 90˚씩 변위시켜 형성하는 것에의해 도전패턴이 코일사의 내부전극을 구성하도록 한 것에 있어서, 상기 도전패턴들의 궤적이, 인정하는 자성체층에서는 상이하며, 한층 걸러서는 도전채턴 전체부위가 동일하도록 배열하여 도전패턴의 겹쳐지는 면적을 좁게 함과 아울러 패턴간의 거리를 넓게 하여서 됨을 특징으로 하는 칩 인덕터.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>적층칩 LC필처 제조시 유전체부를 이루는 자기 조성물에 관한 것으로 특히 내부 전극으로사용되는 Ag 전극의 소성 온도와 일치하는 소성 온도 범위를 갖는 적층칩 LC필처용 유전체부 자기조성물을 제공한다. <구성>유전체부 자기 조성물은 (TiO3)100-x(CuO)x계를 기본 조성(이때 1<=x<=5, x:wt%)으로 하고 여기에 SiO2와 MnO2가 소량 첨가된 것으로 900-950도C의 소성 온도를 나타낸다. <효과>본 조성물을 이용하여 온도 보상용 적층 세라믹 콘덴서를 제작하는 경우 순 Ag전극 사용이용이하여 제조 비용을 낮출 수 있고 Ag전극과 자기 조성물의 소성온도 일치에 따라 상호 확산의발생이 배제되어 신뢰성의 향상이 기대되며 높은 Q값과 적은 부(-)의 온도 계수를 나타내어 양호한소자 특성을 지니는 장점이 있다.1. (TiO2)100-X(CuO)X계의 1≤x≤5(x : wt%)를 주성분으로 하여, 여기에 SiO2 및 MnO2가 각각 1wt%이하 첨가되어이루어진 것을 특징으로 하는 적층칩 LC필터제조용 자기조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>주성분 원료와 첨가물의 조성을 변화시킴으로써 저온 소결이 가능하고 온도와 고주파 특성이 우수한 고주파 인덕터용 자심재료를 제조하기 위함이다. <구성>이 자심재료는 Fe2O3 47.5-51.5 몰퍼센트, CuO 5-15몰퍼센트, NiO 15-35몰퍼센트, ZnO 5.5-25.5몰퍼센트조합에 첨가물 Co2O3 0.01-3 중량퍼센트 나 WO3 0.01-1 중량퍼센트를 혼합한 조성으로 이루어진다.1. Fe2O3 47.5~51.5몰%, CuO 5~15몰%, NiO 15~30몰% 및 ZnO 5.5~25.5몰%로 이루어진 주성분에 Co2O3나 WO3가 소량첨가되어 이루어진 조성의 고주파 인덕터용 자심재료.2.제 1 항에 있어서, Co2O3의 첨가량이 0.01~3wt%인 고주파 인덕터용 자심재료.3.제 1 항에 있어서, WO3의 첨가량이 0.01~1wt%인 고주파 인덕터용 자심재료
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>소성온도를 900 도C 이하로 낮추어 내부도체로 은을 사용할 수 있는 인덕터 제조용 페라이트를 제조하기 위함이다. <구성>이 페라이트는 Fe2O3 48.5-50.5 몰퍼센트, NiO 5-30 몰퍼센트, CuO 5-15몰퍼센트, ZnO 5.5-35.5 몰퍼센트의 조성으로 되어 있다1. Fe2O3 48.5~50.5몰%, NiO 5~35몰%, CuO 5~15몰% 및 ZnO 5.5~35.5몰%로 이루어진 칩 인덕터 제조용 페라이
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>고주파 대역에서 높은 임피던스와 손실 특성을 유지하면서도 노이즈제거 주파수의 제어가 가능한 필터조성으로서의 Ni-Cu-Zn계를 기본조성으로 하여 MnO2와 Co2O3가 소량 첨가되어 이루어진 고주파대역 EMI 노이즈 필터 조성물을 제공한다. <구성>(FE2O3)X (NIO)Y (ZNO)W (CUO)Z를 X=49.065 Y=9.82-24.90 W=20.31-35.39 Z=5.73(단, X,Y,W,Z=몰%) 주 성분으로 하여 MN2O3가 0.2-3WT% 첨가되어 구성하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물로 구성된다. <효과>Ni-Cu-Zn계 페라이트 원료조성에 MnO2나 Co2O3를 첨가하여 고주파대역(<10MHz)에서 높은 임피던스 및 손실 특성을 유지하면서도 소정의 주파수 대역으로 노이즈 제거 주파수의 이동이 가능하며, MnO2와 Co2O3를 동시에 첨가하는 경우에는 투자율과 손실 증가의 효과와 Co2O3에 의한 공진 주파수 상승의 효과를 발휘하게 된다.1. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Mn2O3가 0.2∼3wt% 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물.청구항 2. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Co2O3가 0.2∼3wt% 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 필터 조성물.청구항 3. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z를x=49.065y=9.82∼24.90w=20.31∼35.39z=5.73(단, x, y, w, z=몰%)주성분으로 하여 Mn2O3가 0.2∼3wt%와 Co2O3가 0.2∼3wt%가첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI)노이즈 필터 조성물
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>세라믹스 원료 분말의 표면을 고분자성 무기 고분자(inorganic polymer)나 콜로이드로 코팅하여 혼합 원료 분말의 균질화와 소결능을 향상시킴으로써 저온 소결을 통해 치밀한 미세 구조를 갖는 고주파용 유전체 공진기를 제조한다. <구성>원료 분말의 균일한 혼합을 도모하고 소결 조작의 치밀화 및 소결 온도의 저하를 위해 세라믹스 원료 분말에 Al(OC4H9)3(aluminum-sec-butoxide: ASB)와 같은 고분자성 무기 폴리머와 실리카 콜로이드 단독 또는 혼합(ASB 21.13-84.52 중량%, 콜로이드 실리카 5.1-10.14 중량%)하여 졸-겔 코팅한 후, 건조와 분쇄 과정을 거쳐 하소하고, 소정 형상으로 성형한 후 1,200-1,300도C로 소결하여 고주파 유전체 공진기를 제조한다. 여기에서 분말을 폴리머 졸로 코팅함으로써 분말 표면에 삼투압 효과에 의한 혼합 구조의 안정화에 기인한 분산 효과와 이로 인한 균일한 성형체가 가능하고, 코팅에 의해 PbO의 휘발을 방지할 수 있고 소결후 입성장을 억제하여 균일하고 치밀한 미세 구조를 얻을 수 있고, 점성 소결에 의한 저온 소결이 가능하다.1. 세라믹 유전체 분말의 표면에 고분자성 무기폴리머를 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의제조방법.2.제1항에 있어서, 고분자성 무기 폴리머가 Al(OC4H9)3인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.3.세라믹 유전체 분말의 표면에 콜로이드를 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성함을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.4.제3항에 있어서, 콜로이드가 콜로이드 실리카인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.5.세라믹 유전체 분말의 표면에 고분자성 무기폴리머와 콜로이드를 혼합하여 코팅하는 공정과, 코팅된 분말을 건조, 하소 및 성형하여 성형체를 제조하는 공정과, 제조된 성형체를 소결하는 공정으로 구성함을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의 제조방법.6.제5항에 있어서, 고분자성 무기폴리머가 Al(OC4H9)3이고, 콜로이드가 콜로이드 실리카로서 두 성분의 혼합중량비가 Al(OC4H9)3 21.13~84.52wt%이고, 콜로이드 실리카 5.1~10.14wt%인 것을 특징으로 하는 고주파용 유전체 공진기의제조방법
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>고손실 페라이트와 유전체를 동시에 소성하여 고주파 대역에서 높은 전자 감쇠능을 갖는다. <구성><(Fe2O3)x(NiO)y9ZnO)w(CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체, 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950도(섭씨)에서 동시 소성하여 고주파 대역 이엠아이필터를 만든다.1. (Fe2O3)x (NiO)y (ZnO)w (CuO)z로 표시되는 고손실 Ni-Cu-Zn 페라이트 위에 은전극과 유전체 페이스트로 이루어진 유전체 전극을 형성하여 900-950℃에서 동시 소성(co-firing)함을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터:상기식에서 x=49y=9-25w=20-35z=5.7(단, x,y,w,z=mol%)2. 제1항에 있어서, 유전체 페이스트의 조성은 (TiO2)100-x(CuO)x계를 기본 조성으로 할 때 x는 1≤x≤5의 범위이고, 여기에 첨가재로서 SiO2 및 MnO2가 각각 1wt% 이하로 첨가됨을 특징으로 하는 고주파대역 이엠아이(EMI) 노이즈 파이(Pi)필터.
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전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 저온소결 페라이트의 제조방법에 관한 것으로 특히 하소된 페라이트 분말에 별도로 혼합 및 열처리를 행한 저온소결용 액상형성조제를 첨가하여 소결함으로써 가능하면서도 내부전극과의 반응이 없는 페라이트 소결체를 제조하는 방법에 관한 것이다.최근, 컴퓨터산업 및 전자통신산업들에 사용되는 주요부품들은 전자화로l 집적화, 고성능화에 대응하기 위하여 소형화 및 칩화의 추세로 나아가고 있으며, 이를 수용하기 위하여 표면상장기술의 이용이 날로 확대되고 있는 실정이다.이와 같이 칩화되고 있는 많은 전자부품중에서 페라이트를 사용하고 잇는 부품의 수가 증가되고 있는데, 페라이트를 사용하고 있는 부품의 대표적인 예로는 노이즈필터(noise filter),인덕터(inductor)등이 알려지고 있다. 페라이트는 그 조성에 따라 다소의 차이가 있긴 하나 대략 1200~1300℃ 온도에서의 소결을 통해 제조되고 있다.한편,페라이트 재료를 사용하고 칩부품을 제작함에 있어서는 페라이트 내부로 전극이 통과하여야 하므로 페라이트의 조성과 소결조건등은 전극의 선정에 매우 중요한 역할을 하게 된다. 칩부품의 제조를 위해 전극과 세라믹을 동시에 소결하는 경우로서 우수한 전기적 특성을 갖는 칩부품을 열기위해서는 다음과 같은 문제점이 고려되어야 한다.첫째, 내부전극의 산화환원반응으로 인한 부피변화로 전기 전도성과 구조적 결합의 발생,화학반응등의 문제점.둘째, 동시소결시 전극과 세라믹간의 수축을 차이로 인한 박리(delamination)의 문제점.셋째,내부전극과 세라믹간의 화학반응으로 인한 체면에서의 새로운 상의 생성이나 상호확산으로 인한 특성저하의 문제점.1.하소된 페라이트 분말에 Bi2O3와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 백상형 성조제를 첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.2.제1항에 있어서, 액상형성조제의 Bi2O3와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750~850℃사이인 조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.3.제2항에 있어서,다른 산화물은 CeO2,ZrO3,TiO,SiO3,MgO,CuO,CaO,BaO,Al3O3 또는 SnO인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.
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- 2001-01-17
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전기·전자 > 기타 전자제품
<목적>액상 형성 조제로서 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킴으로써 저온 소결 페라이트를 제조한다. <구성>산화물을 적절한 비율로 혼합하여 이를 열처리하여 안전된 상을 형성한 액상 형성 조제를 하소한 페라이트 분말에 첨가하여 소결하는데 기술적 특징이 있다. 여기서, 액상 형성 조제는 페라이트 분말에 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시키게 된다. <효과>저온 소결이 가능하고 내부 전극인 Ag와 반응하지 않으며 우수한 전기적 특성을 나타냄으로써 EMI 노이즈 필터, 적층칩 인덕터 및 하이칩 임피더 등의 재료에 활용될 수 있다.1. 하소된 페라이트 분말에 V2O5와 다른 산화물을 혼합하여 열처리하여 안정한 상을 형성시킨 액상형성조제를첨가하여 소결함을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 액상형성조제의 V2O5와 다른 산화물의 분율은 상태도상 액상선온도가 750∼850℃ 사이인조성인 것을 특징으로 하는 저온소결 페라이트의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 다른 산화물은 ZrO2, ZnO, Y2O3, SrO, SiO2, MgO, CuO, CaO, BaO 또는 Al2O3인것을 특징으로하는 저온소결 페라이트의 제조방법
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- 2001-01-17
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재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 별도의 고압을 가하지 않고 내부 전극 형성 용융 금속의 자발적인 주입이 가능하도록 한 주입 전극법에 의한 적층 세라믹 축전기의 제조 방법에 관한 것이다.<구성>종래 미국 특허 제 4030004등과 같이 용융금속 주입 방법에 의한 내부 전극을 형성한 적층 콘덴서는 소결을 통해 형성된 기공층 내부로 용융 금속이 주입되기 위해 10기압 이상의 고압을 가해야 하기 때문에 복잡한 장치와 공정을 수반하여 대량 생산이 어렵다. <효과>유사 전극 물질 2NiCO3-3Ni(OH)2-4H2O와 카본 블랙 혼합물이 도포된 유전체층을 적층 소결하여 생성된 기공층에 용융 금속을 주입하는 적층 세라믹 축전기의 제조에서 기공층 내부로 주입되는 금속으로 저온 용융 금속인 납,주석 및 납과 주석의 합금을 사용하는데 이들 금속이 기공층 내부로 채워지기 위해서는 기공층 형성재가 주입 금속간의 표면에너지 보다 높아야 한다. 기공층 표면에 금속을 포함시킴으로써 표면에너지를 증가시킬 수 있으나 세라믹 소결체의 소결 도중에 그 금속은 산화되어 표면 에너지가 다시 낮아지게 되기 때문에 소결 중에 산화된 금속을 환원 분위기에서 열처리 하여 다시 환원시키면 기공층이 높은 표면 에너지를 유지하여 별도의 고압을 가하지 않고 주입이 자발적으로 이루어지게 된다. 여기서 기공층 재료로는 소결시에 산화물이 형성되나 유전체가 환원되지 않을 정도의 낮은 온도에서 쉽게 환원되는 금속 산화 니켈을 사용한다.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 위치변위시스템(global positioning system) 및 유전체 공진기등의 재료로 사용되는 ZrO2 - Tio2 - Y2O3계 고주파용 유전체 자기조성물 및 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 고주파용 유전체 자기조성물은 고주파 집적회로 또는 유전체 공진기의 재료로 많이 사용되고 있는데, 이와같이 고주파용으로 사용되는 유전체 재료에서는 더욱 더 향상된 품질계수(Q)와 유전율(k) 및 안정된 공진주파수의 온도의존계수(Tf)가 요구되고 있다.종래의 고주파용 유전체 자기조성물중에서 미국특허 제4665041호는 우수한 유전특성을 나타내는 것으로 알려지고 있는데,이는 기존에 발표된 산화티탄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2)산화주석(SnO2), 산화니켈(NiO)로 이루어진 기본조성에 산화아연(ZnO), 산화안티몬(Sb2O3), 산화나이오븀(Nb2O5), 산화탄탈륨(Ta2O5) 및 산화텅스텐(WO3)등이 첨가되어 이루진 조성이다.그러나, 상기 유전체용 자기조성물은 품질계수(Q)는 상당히 증가되었으나 유전상수(k)가 40이하의 낮은 값을 나타내며 또한 여러 종류의 원료분말이 사용됨에 따라 제조비용이 많이 들고 정밀한 공정제어에 어려움이 따르는 등의 문제점을 지니고 있다.따라서, 본 발명은 상기 종래의 고주파용 유전체 자기조성물이 지니고 있는 제반 문제점을 해결하기 위하여 조성물 제조공정을 개선하여 40이상의 유전율(k)과 품질계수(Q) 및 안정된 공전주파수의 온도의존계수(Tf)를 갖는 고주파 유전체 자기 조성물 및 그 제조방법을 제공함에 발명의 목적이 있다.본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 산화지르코늄(ZrO2), 산화티탄(TiO2) 및 산화아트륨(Y2O3)으로 구성된 기본조성물Zr1-x/2Ti1-x/2YxO4-x/2(0〈X〈0.1)에 소결조제로 산화아연(ZnO), 산화나이오븀(Nb2O5) 및 산화니켈(NiO)의 합이 0 내지 2중량%첨가된 조성이다.상기 기본조성물 Zr1-x/2Ti1-x/2YxO4-x/2에서 만일 X〉0.1로 되는 경우에는 유전율(k) 및 품질계수(Q)값이 급격히 감소하며 X=0인 경우, 즉 순수한 티탄산 지르코늄(ZrTiO4)은 소결상태가 불량하므로 바람직한 X의 범위는 0〈X〈0.1이다.그리고, 본 발명에서 소결조제의 함량이 2중량%를 초과하게 될 때에는 품질계수(Q)값이 나빠지게 되므로 소결조제의 함량은 2중량%이하가 바람직하다.본 발명의 고주파 유전체 자기조성물의 제조과정은, 먼저 주조성과 소결조제 원료분말을 상기 본 발명 자기조성물의 범위내로 평량하여 혼합한 후에 1100 ∼ 1400℃에서 하소하고 이를 분쇄하여 성형한 다음 1300 ∼ 1600℃의 산소분위기에서소성한후 900 ∼ 1200℃의 온도범위에서 급냉하는 공정으로 이루어진다.이와 같은 제조과정을 통해 얻어진 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 9㎓에서 유전율(k)이 40이상, 품질계수(Q)가4000이상을 나타내며 비교적 안정된 공진주파수의 온도의존성을 나타낸다.일예로 본 발명의 Zr0.97Ti0.97Y0.6O3.97조성물을 산소분위기의 1460℃에서 2시간 소성 후 1200 ∼ 900℃의 온도범위에서 급냉하게 되면 9㎓에서 품질계수(Q)가 6100, 유전율(k)이 42.5의 매우 우수한 특성을 나타낸다.따라서 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 특히 위치변위시스템이나 유전체 공진기의 재료로 유용하게 사용될 수 있다.본 발명 고주파 유전체 자기조성물의 구체적인 제조공정과 제반특성은 다음의 실시예에 의해서 보다 명확하게 이해될 것이다.실시예99%이상의 순도를 갖는 주조성과 소결조제의 원료분말을 아래의 표 1과 같은 비율로 평량한 후, 평량된 분발을 나일론 자(jar)와 산화지르코늄 볼을 이용하여 플래너터리 밀(planetary mill)로 약 2시간 혼합하였다.이대 분산매로 증류수를 사용하였으며, 잘 혼합된 슬러리는 건조 후 조성에 따라 1100 ∼ 1400℃에서 하소 후 이를 적절한 크기로 분쇄하였다.분쇄된 혼합물을 1ton/㎠의 압력으로 건식프레스로 성형해서 직경 10.0㎜, 두께 4.0㎜, 4.5㎜, 5.0㎜의 시편을 형성하였다.다음, 성형시편을 1300∼ 1600℃의 산소분위기 중에서 소성한 후 900 ∼ 1200℃의 온도범위에서 급냉하였다.이때, 산소분위기에서 소성하지 않으면 품질계수(Q)가 저하된다.이와같은 공정을 통해 얻어진 시편의 양면을 평탄하게 연마하여 Hakki Coleman법에 의하여 8.5 ∼ 9.5㎓범위에서 유전율(k), 품질계수(Q) 및 공진주파수의 온도의존성(Tf)을 측정하였는 바, 그 결과는 표 1에 나타나있다.표1. 유전체 자기조성물 시편의 조성및 특성.[표 1]- *는 비교예 시편임.- 시편의 조성은 ZrTiYO의 기본조성물에 소결조제로 NbO,NiO,ZnO가 첨가된 것으로 기본조성물의 무게를 100으로 보고 소결조제의 야을 무게비로 첨가한다.- 수축이란 다음과 같이 계산한다.D : 소결 후 원판직경Do : 소결 전의 원판직경- 시편 6의 비교예는 산소공급없이 소결한 조성에 대1.주성분이 Zr1-xSnxTi1 + YO4인 유전체 자기 조성물로서 X가 몰비로 0.1〈x〈0.3이고,-0.1〈Y〈0.1이고, 주성분의 무게 100에 대한 소결제로서 산화망간(MnO2)3중량% 이하와, 산화니켈(NiO) 및 산화안티몬 (Sb2O3)을 총량 2중량% 이하로 함유하고 고주파 유전체 자기조성물.2.주성분과 소결조제의 조성이 제1항에 기재된 범위가 되도록 원료분말을 혼합하여 하소한 후 1300 ∼ 1600℃의 산소분위기에서 소성하는 것을 특징으로 하는 고주파 유전체 자기조성물의 제조방법
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 위치변위시스템(global positioning system) 및 유전체 공진기등의 재료로 사용되는 ZrO2 - Tio2 - Y2O3계 고주파용 유전체 자기조성물 및 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 고주파용 유전체 자기조성물은 고주파 집적회로 또는 유전체 공진기의 재료로 많이 사용되고 있는데, 이와같이 고주파용으로 사용되는 유전체 재료에서는 더욱 더 향상된 품질계수(Q)와 유전율(k) 및 안정된 공진주파수의 온도의존계수(Tf)가 요구되고 있다.종래의 고주파용 유전체 자기조성물중에서 미국특허 제4665041호는 우수한 유전특성을 나타내는 것으로 알려지고 있는데,이는 기존에 발표된 산화티탄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2)산화주석(SnO2), 산화니켈(NiO)로 이루어진 기본조성에 산화아연(ZnO), 산화안티몬(Sb2O3), 산화나이오븀(Nb2O5), 산화탄탈륨(Ta2O5) 및 산화텅스텐(WO3)등이 첨가되어 이루진 조성이다.그러나, 상기 유전체용 자기조성물은 품질계수(Q)는 상당히 증가되었으나 유전상수(k)가 40이하의 낮은 값을 나타내며 또한 여러 종류의 원료분말이 사용됨에 따라 제조비용이 많이 들고 정밀한 공정제어에 어려움이 따르는 등의 문제점을 지니고 있다.따라서, 본 발명은 상기 종래의 고주파용 유전체 자기조성물이 지니고 있는 제반 문제점을 해결하기 위하여 조성물 제조공정을 개선하여 40이상의 유전율(k)과 품질계수(Q) 및 안정된 공전주파수의 온도의존계수(Tf)를 갖는 고주파 유전체 자기 조성물 및 그 제조방법을 제공함에 발명의 목적이 있다.본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 산화지르코늄(ZrO2), 산화티탄(TiO2) 및 산화아트륨(Y2O3)으로 구성된 기본조성물Zr1-x/2Ti1-x/2YxO4-x/2(0〈X〈0.1)에 소결조제로 산화아연(ZnO), 산화나이오븀(Nb2O5) 및 산화니켈(NiO)의 합이 0 내지 2중량%첨가된 조성이다.상기 기본조성물 Zr1-x/2Ti1-x/2YxO4-x/2에서 만일 X〉0.1로 되는 경우에는 유전율(k) 및 품질계수(Q)값이 급격히 감소하며 X=0인 경우, 즉 순수한 티탄산 지르코늄(ZrTiO4)은 소결상태가 불량하므로 바람직한 X의 범위는 0〈X〈0.1이다.그리고, 본 발명에서 소결조제의 함량이 2중량%를 초과하게 될 때에는 품질계수(Q)값이 나빠지게 되므로 소결조제의 함량은 2중량%이하가 바람직하다.본 발명의 고주파 유전체 자기조성물의 제조과정은, 먼저 주조성과 소결조제 원료분말을 상기 본 발명 자기조성물의 범위내로 평량하여 혼합한 후에 1100 ∼ 1400℃에서 하소하고 이를 분쇄하여 성형한 다음 1300 ∼ 1600℃의 산소분위기에서소성한후 900 ∼ 1200℃의 온도범위에서 급냉하는 공정으로 이루어진다.이와 같은 제조과정을 통해 얻어진 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 9㎓에서 유전율(k)이 40이상, 품질계수(Q)가4000이상을 나타내며 비교적 안정된 공진주파수의 온도의존성을 나타낸다.일예로 본 발명의 Zr0.97Ti0.97Y0.6O3.97조성물을 산소분위기의 1460℃에서 2시간 소성 후 1200 ∼ 900℃의 온도범위에서 급냉하게 되면 9㎓에서 품질계수(Q)가 6100, 유전율(k)이 42.5의 매우 우수한 특성을 나타낸다.따라서 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 특히 위치변위시스템이나 유전체 공진기의 재료로 유용하게 사용될 수 있다.본 발명 고주파 유전체 자기조성물의 구체적인 제조공정과 제반특성은 다음의 실시예에 의해서 보다 명확하게 이해될 것이다.실시예99%이상의 순도를 갖는 주조성과 소결조제의 원료분말을 아래의 표 1과 같은 비율로 평량한 후, 평량된 분발을 나일론 자(jar)와 산화지르코늄 볼을 이용하여 플래너터리 밀(planetary mill)로 약 2시간 혼합하였다.이대 분산매로 증류수를 사용하였으며, 잘 혼합된 슬러리는 건조 후 조성에 따라 1100 ∼ 1400℃에서 하소 후 이를 적절한 크기로 분쇄하였다.분쇄된 혼합물을 1ton/㎠의 압력으로 건식프레스로 성형해서 직경 10.0㎜, 두께 4.0㎜, 4.5㎜, 5.0㎜의 시편을 형성하였다.다음, 성형시편을 1300∼ 1600℃의 산소분위기 중에서 소성한 후 900 ∼ 1200℃의 온도범위에서 급냉하였다.이때, 산소분위기에서 소성하지 않으면 품질계수(Q)가 저하된다.이와같은 공정을 통해 얻어진 시편의 양면을 평탄하게 연마하여 Hakki Coleman법에 의하여 8.5 ∼ 9.5㎓범위에서 유전율(k), 품질계수(Q) 및 공진주파수의 온도의존성(Tf)을 측정하였는 바, 그 결과는 표 1에 나타나있다.표1. 유전체 자기조성물 시편의 조성및 특성.[표 1]- *는 비교예 시편임.- 시편의 조성은 ZrTiYO의 기본조성물에 소결조제로 NbO,NiO,ZnO가 첨가된 것으로 기본조성물의 무게를 100으로 보고 소결조제의 야을 무게비로 첨가한다.- 수축이란 다음과 같이 계산한다.D : 소결 후 원판직경Do : 소결 전의 원판직경- 시편 6의 비교예는 산소공급없이 소결한 조성에1.주성분이 Zr1-x/2Ti1-x/2YxO4-x/2인 유전체 자기 조성물로서 몰비로 0〈x〈0.1이고 주성분 무게 100에 대한 소결조제로서 산화아연(ZnO), 산화나이오븀(Nb2O5) 및 산화니켈(NiO)을 총 중량 2중량% 이하로 함유하는 고주파 유전체 자기조성물.2.주성분과 소결조제의 조성이 제1항에 기재된 범위가 되도록 원료분말을 혼합하여 하소한 후 1300 ∼ 1600℃의 산소분위기에 소성하고, 소성 후 냉각 중에 1200 ∼ 900℃에서 급냉함을 특징으로 하는 고주파 유전체 자기조성물의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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본 발명은 위치변위시스템(global positioning systsm) 및 유전체 공진기등의 재료로 사용되는 ZrO2 - TiO2 - SnO2계 고주파용 유전체 자기성물 및 제조방법에 관한 것이다.일반적으로 고주파용 유전체 자기조성물은 고주파 집직회로 또는 유전체 공진기의 재료로 많이 사용되고 있는데 이와같이고주파용으로 사용되는 유전체 재료에서는 더욱 더 향상된 품질계수(Q)와 유전율(K) 및 안전된 공진주파수의 온도의존계수(Tf)가 요구되고 있다.종래의 고주파용 유전체 자기조성물중에서 미국특허 제4665041호는 우수한 유전특성을 나타내는 것으로 알려지고 있는데,이는 기존에 발표된 산화티탄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 산화주석(SnO2), 산화니켈(NiO)로 이루어진 기본조성에 산화아연(ZnO), 산화안티몬(Sb2O5), 산화나이오븀(Nb2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5) 및 산화텅스텐(WO3)등이 첨가되어 이루어진 조성이다.그러나, 상기 유전체용 자기조성물은 품질계수(Q)는 상당히 증가되었으나 유전상수(k)가 40이하의 낮은 값을 나타내며 또한 여러 종류의 원료분말이 사용됨에 따라 제조비용이 많이 들고 정밀한 공정제어에 어려움이 따르는 문제점을 지니고 있다.따라서, 본 발명은 상기 종래의 고주파용 유전체 자기조성물이 지니고 있는 제반 문제점을 해결하기 위하여 조성물 및 제조공정을 개선하여 40이상의 높은 유전율(k)과 높은 품질계수(Q) 및 안정된 공진주파수의 온도의존계수(Tf)를 갖는 고주파 유전체 자기 조성물 및 그 제조방법을 제공함에 발명의 목적이 있다.본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 산화지르코늄(Zro2), 산화티탄(TiO2) 및 산화주석(SnO2)으로 구성된 기본조성물 Zr1-xSnxTi1 +YO4 (이때, 몰비로 0.1〈X〈0.3, -0.1〈Y〈0.1)에 기본조성물의 무게를 100으로 하여 산화만간(MnO2)이 0 내지 3중량%, 소결조제로 산화니켈(NiO) 및 산화안티몬(Sb2O3)의 합이 0 내지 2중량% 첨가된 조성이다.상기 기본조성물 r1-xSnXTi1+YO4에서 만일 X〈0.1로 되는 경우에는 소결이 충분하게 이루어지지 않아서 유전율(k) 및 품질계수(Q)값이 급격히 감소하며, 반대로 X 〉0.3인 때에는 유전율은 증가하게 되나 품질계수(Q) 및 공진주파수의 온도의존성(Tf)이 저하되므로 X는 0.1 〈X〈0.3의 범위가 바람직하다.한편, 순수한 티탄산 지르코늄은 소결상태가 불량하다.그리고, Y〉0.1에서는 공진주파수의 온도의존성과 품질계수 값이 감소하고 Y〈-0.1에서는 소결상태가 불량하므로 바람직한 Y의 범위는 -0.1〈Y〈0.1이다.본 발명의 첨가제와 관련하여, 산화망간의 함량이 3중량%이상일 때에는 품질계수가 저하되며, 산화니켈과 산화안티몬의양이 2중량%이상일 때에는 소결상태가 불량하므로 이를 첨가제의 조성은 상기 본 발명의 범위내로 한정하는 것이 바람직하다.본 발명의 고주파 유전체 자기조성물의 제조과정은, 먼저 주조성과 첨가제 조성의 원료분말을 상기 본 발명 자기조성물의범위내로 평량하여 혼합한 후에 1000 ∼ 1200℃에서 하소하고 이를 분쇄하여 성형한 다음 1300 ∼ 1500℃의 산소분위기에서 소성하는 공정으로 이루어진다.이와같은 제조과정을 통해 얻어진 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 9㎓, 25℃에서 유전율 35이상, 품질계수 4000이상, Q×f값 40000이상의 우수한 유전특성을 나타내는 바, 일예로 Zro.8Sno. 2TiO4 - 0.8중량% MnO2 - 0.5중량% NiO - 1,1중량%Sb2O3조성물을 1350℃에서 2시간 소성하게 되면 9㎓에서 유전율(k)이 41.2, 품질계수(Q)가 6800을 나타내며 품질계수(Q)와주파수의 곱이 61000을 나타낸다.따라서 본 발명의 고주파 유전체 자기조성물은 특히 위치변위시스템이나 유전체 공진기의 재료로 유용하게 사용될 수 있다.본 발명 고주파 유전체 자기조성물의 구체적인 제조공정과 제반특성은 다음의 실시예에 의해서 보다 명확하게 이해될 것이다.실시예99%이상의 순도를 갖는 주조성과 첨가제 조성의 원료분말을 아래의 표 1과 같은 비율로 평량한 후, 평량된 분말을 나일론자(jar)와 산화지르코늄 볼을 이용하여 플래너터리 밑(planetrry mill)로 약 2시간 혼합 하였다.이때 분산메로 증류수를 사용하였으며 잘 혼합된 슬러리는 건조 후 조성에 따라 1000 ∼ 1200℃에서 하소후 이를 적절한크기로 분쇄하였다.분쇄된 혼합분말을 1ton/㎤의 압력으로 건식프레스로 성형하여 직경 10.0㎜, 두께 4.0㎜, 4.5㎜, 5.0㎜의 시편을 성형하였다.다음, 성형시편을 1300 ∼ 1500℃ 정도의 산소분위기 중에서 소성하여 시편을 얻고 시편의 양면을 평탄하게 연마하였다.이와같은 제조공정에 의해 얻어진 시편에 대해 Hakki Coleman법에 의하여 8.5 ∼ 9.5㎓ 범위에서 유전율(k),품질계수(Q)및 공진주파수의 온도의존성(Tf)을 측정하여 그 결과를 아래의 표 1에 나타내었다.표 1. 유전체 자기조성물 시편의 조1.산화지르코늄 38~58중량%, 산화티탄 22~43중량% 및 산화주석 9~26중량%로 이루어진 기본조성물의 무게를기준으로 산화아연 7중량% 미만, 산화니켈 10중량% 미만, 산화나이오븀 7중량% 미만 및 수화질화망간이 산화망간의 무게비로 환산하여 4중량% 미만 첨가되어 이루어짐을 특징으로 하는 고주파 유전체 자기조성물.2.주성분과 소결조제의 성분이 제1항의 범위가 되도록 원료분말을 혼합하여 하수한 후 1300~1500℃의 산소분위기에서 소성함을 특징으로 하는 고주파 유전체 자기조성물의 제조방법
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
[목적] 아암레스트의 일측 상단부에 홀더 몸체를 회전 가능하게 설치하여, 주행중에도 컵을안정되고 편리하게 파지시키는 차량용 아암레스트의 컵 홀더 구조를 제공한다. [구성] 아암레스트(1) 상단부 일측에 수용부(8)가 형성되며, 수용부(8)의 내부에는 연결구(6)의일측이 삽입되어 고정핀(9)에 의한 고정을 이루며, 연결구(6)의 타측은 개구부(5)와 수용부(10)를 형성하고 있는 홀더(4)의 수용부(10)에 삽입되어 고정핀(11)에 의한 고정을 이루며, 아암레스트(1)와 결합되어 있는 홀더(4)가 연결구(6)를 중심으로 회동 가능하게 설치되며, 홀더(4)에 형성되어 있는 개구부(5)에 안착되는 지지부재(3)가 아암레스트(1)에 형성되는 차량용 아암레스트의 컵홀더 구조이다.1.양자성 용매하에 킬레이트화제를 이용하여 시소마이신을 킬레이트화하고, 킬레이트화된 시소마이신의 3',2',6'위치의 아미노기를 아실화제로서 아실화 반응에 의해 보호하고, 암모니아수로 킬레이트된 금속을 이탈시킨다음, 얻어진 3.2'6'-트리치환시소마이신을 비양자성 유기용매에서 에틸화제와 반응시켜 1위치의 아미노기만을 선택적으로 에틸화시키고, 이어서 탈보호하는 것을 이루어진 다음 구조식(I)의 1-N-에틸시소마이신 및 그의 약리할적 허용염의 제조방법.2. 제1항에있어서, 킬레이트화제가 Zn(OAc)2 ` 2H2O인 것이 특징인 제조방법.3. 제1항에있어서, 양자성 용매가 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올 또는 이들의 혼합 용매중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.4. 제1항에있어서, 아실화제가 무수 초산 또는 N-벤질옥시카르보닐옥시 숙신이미드인 것이 특징인 제조방법5. 제1항에있어서, 에틸화제가 초산과 모노, 디, 트리아세특시 수소화 붕소나트륨 또는 칼륨의 혼합물 또는 초산과 수소화 붕소나타륨 또는 캄륨의 혼합물 중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.6. 제1항에있어서, 비양자성 용매가 클로로포륨, 메틸렌클로라이드. 사염화탄소, 테트라히드로퓨란, 디메톡시엔탄, 1,4-디옥산,벤젠,툴루엔,아세토니트릴, 프로피오니트릴, 벤조니트릴 또는 이들의 혼합물 중에서 선택되는 것이 특징인 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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