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화학공정 > 기타 화학공정
사용된 핵 연료의 재생으로부터 나온 액상 폐기물, 저농도 원광의 재처리, 및 소량(톤당 1그램)의 귀금속이 함유된 페기물의 처리과정 등에서 귀금속을 복원하는 전기화학적 방법임. 응용분야: 핵-화학 산업, 액티나이드의 분석화학, 산업 폐기물 정화. 쎌 타입의 부가적 전기분해제는 페기물 처리의 응용 기술 계획에 포함됨. 이 방법은 99% 이상의 완전한 귀금속 복원을 보증한다. 유체공급속도는 분당 20센티미터이다. 귀금속 농도의 상승은 1백만배에 이른다. 오래된 핵분열 제품과 초우라늄 원소의 정화는 한 단계에 1000배에 이른다. 이 방법에는 어떠한 화학물질도 필요하지 않다. 또한 화합물 내의 각 원소의 산화 정도의 조절이 가능하게 한다. 즉, 순환되는 전기분해제와 전기화학적 셀이 우라늄, 넵튜늄, 플루토늄의 산화전도를 조절하는 데 이용된다. 이러한 환원산화반응의 완전함으로 인하여 공정실현율이 99% 이상이고, 유체공급 속도가 분당 10센티미터에 이르며, 이온농도는 얼마든지 조절 가능하게 되었다.공정실현율이 99% 이상이고, 유체공급 속도가 분당 10센티미터에 이르며, 이온농도는 얼마든지 조절 가능함,
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
새로운 불소처리 물질인 결정질 이불화 제논 XeF2로 표면 불소처리함으로서 폴리머와 고무 제품의 표면 개질. 불소와 질소의 기상혼합체가 XeF2(고상의 불폭발성, 난연성 물질. 500도C까지 안정함. 취급과 가동에 편리함.)로 대체된 새로운 표면 불소처리 기술로 인하여 제품의 마찰력을 에틸렌-프로필렌(EPDM)고무를 사용한 공정의 경우에 비해서는 20-25배, 부타디엔-스티렌(SBR)에 비해서는 10-12배, 아크릴로나이트릴(NBR)에 비해서는 6-8배, 이소프린(IS)에 비해서는 4-6배 감소시킬 수 있었다. 폴리머 재료의 표면 불소처리로 인하여 기체 침투성이 현저히 감소된다. 200밀리리터 용기에서 자동차 배기 가스의 침투성은 100배 감소하였고, 이산화탄소, 질소, 메탄가스의 투과막 폴리머 필름에 대한 침투성은 5-10배 감소하였다.제품의 마찰력을 에틸렌-프로필렌(EPDM)고무를 사용한 공정의 경우에 비해서는 20-25배, 부타디엔-스티렌(SBR)에 비해서는 10-12배, 아크릴로나이트릴(NBR)에 비해서는 6-8배, 이소프린(IS)에 비해서는 4-6배 감소시킬 수 있다.
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
여러 다른 재료 표면에 대한 기상으로부터의 증착을 통한 다이아몬드 필름의 합성. 이 유닛은 세 블록으로 나누어짐: 개스 방출 챔버, 전력공급 체계, 및 개스공급 체계. 기체 혼합물에 자극을 주기 위하여 글로 방전이 주기적으로 반복된다. 현존하는 유사물과 비교할 때 생산성이 증가되고 전력소비가 감소하였다. 필름 증착 면적 약 100 cm2. 소비전력 약 30 킬로와트. 기체 혼합물(CH4-CO2-H2)의 소비 시간당 약 20나노리터. 다이아몬드 필름의 대량생산 비용 캐러트당 5 미국달러 미만.현존하는 유사물과 비교할 때 생산성이 증가되고 전력소비가 감소필름 증착 면적 약 100 cm소비전력 약 30 킬로와트. 기체 혼합물(CH4-CO2-H2)의 소비 시간당 약 20나노리터.
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화학공정 > 기타 화학공정
수명이 긴 조명드에 필러로서 사용되고 크립톤-플라즈마의 효과적 발생을 위하여 사용되는 크립톤을 CF4 혼합물로부터 정화하는 것임. 혼합물의 흡착은 칼슘 칩으로 채워진300-700 도C의 반응장치에서 이루어진다. 이 공정에 의하여 비휘발성의 탄화 칼슘과 불화 칼슘의 화합물이 발생된다. 출구에 정화된 기체가 미세-정화 필터를 통하여 흐름으로서 반응생성물을 포집하게 된다(정화된 기체에는 탄소 증기가 존재하지 않는다). 설비의 기술적 특징. 크립톤 10 기압에서의 용량 20 m3/h, 충진 밀도 0.2 kg/dm의 반응장치에서 칼슘 칩의 부피 50 l, 초기 CF4 함량 약 40 ppm/m3에서 반응장치 가동시간 10000분, 전체 체적 1*1*2 m. 이 설비를 사용함으로 인하여 종래의 크립톤-제논-혼합물 정류에서 사용된 복잡하고 값비싼 설비를 사용하지 않아도 되며, 또한 높은 기체 정화도(혼합물의 초기 함량 200-1000 ppm에서 정화된 기체의 농도는 0.5 ppm을 넘지 않는다)를 얻을 수 있었다.크립톤 10 기압에서의 용량 20 m3/h, 충진 밀도 0.2 kg/dm의 반응장치에서 칼슘 칩의 부피 50 l, 초기 CF4 함량 약 40 ppm/m3에서 반응장치 가동시간 10000분, 전체 체적 1*1*2 m. 이 설비를 사용함으로 인하여 종래의 크립톤-제논-혼합물 정류에서 사용된 복잡하고 값비싼 설비를 사용하지 않아도 되며, 또한 높은 기체 정화도를 얻을 수 있었다.
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재료 > 분리·환경·생체기능재료
마이크로일렉트로닉스, 식품, 및 향수 산업에서 액상 및 기상 제품의 선택적 미세여과 및 의료, 생물, 및 제약산업에서 살균 여과에 사용됨. 이 기술은 BR 10 반응장치 내에서 분열 생성물을 폴리머 필름에 조사하거나 탠덤-제너레이터 EGP-15 내에서 무거운 이온을 폴리머 필름에 조사하는 공정이 포함되며, 그 후 필름의 물리적 및 화학적 처리가 뒤따른다. 필름위에서 이온밀도가 높은 조사면적으로 인하여 폴리머의 파괴가 일어난다. 폴리머의 선택적 용해로 인하여 원통형의 기공이 생성된다. 조사방법과 필름의 화학적 처리 방법의 선택에 따라 기공크기(0.03-5,00 마이크로미터)와 기공의 분포밀도(10(5)-10(9) cm(-2))를 변경시킬 수 있다. 이 기술은 높은 기공율과 선택성을 가지며 또한 사용될 때 살균효과를 일으킬 수 있는 높은 확율을 가진 차세대 트랙 분리막의 생산을 가능케 한다.높은 기공율과 선택성을 가지며 또한 사용될 때 살균효과를 일으킬 수 있는 높은 확율을 가진 차세대 트랙 분리막의 생산이 가능함.
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
직물제품 및 세척하기 어려운 부분(세단형 차, 가구의 장식류, 코프로린(Kovrolin) 바닥 장식재, 모자의 라이닝 등)에서 오일과 그리스의 얼룩을 제거함. 얼룩 제거제는 액체 마이크로캡슐레이션의 원천 기술에 따라 제조되었다. 이것은 크기가 50-300 마이크로미터에 이르며 서로 연결된 마이크로캡슐로 이루어졌으며 용매(퍼클로로에틸렌)를 함유한 흰색의 다공질 연탄이다. 직물 표면에 이것을 문지르면 마이크로캡슐이 깨지면서 흘러나온 용매가 기름이나 지방과 상호작용하며 손상된 캡슐표면에 형성된 분말에 기름이나 지방이 흡착된다. 용매가 증발하면 직물표면에 흰색의 분말이 남아있게 되며 이것은 기계적으로 쉽게 제거된다. 종래의 얼룩 제거제와 비교한 결과는 다음과 같다. 1) 플라스크, 고압 용기, 프레온 또는 튜브가 있는 용기와 같은 특수한 포장이 필요없다.(값싸고 간단한 필름재료와 카드보드가 포장재로 사용될 수 있다), 2) 최적의 용매-흡착제 비율을 사용하므로 사용 후 흔적이 남지 않는다, 3) 얼룩진 곳에만 사용되므로 경제적이다, 4) 크기와 무게가 적다, 5) 여러 크기와 형상으로의 제조가 가능하다, 6) 용매의 물성이 오랫동안 보존된다.1) 플라스크, 고압 용기, 프레온 또는 튜브가 있는 용기와 같은 특수한 포장이 필요없다2) 최적의 용매-흡착제 비율을 사용하므로 사용 후 흔적이 남지 않는다 3) 얼룩진 곳에만 사용되므로 경제적이다4) 크기와 무게가 적다5) 여러 크기와 형상으로의 제조가 가능하다6) 용매의 물성이 오랫동안 보존된다.
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재료 > 기타 고분자재료
복잡한 형상을 가지며 물성이 이미 결정된 제품에 대한 내마모성 및 내부식성 코팅; 전체 공정 자동화의 가능성. 코팅공정은 크롬 메탈-오가닉 조성(MOC)의 열분해에 의하여 증기상으로부터 크롬이 증착되는 것이다. 증착 공정에서 금속원소 함유 물질은 증기(온도 200-300도C)로 변환되어 400-450도C의 온도로 가열된 제품과 접촉하게 된다. 증기상의 물질은 반응부로부터 나와 질소 트랩에 응축된다. 이 공정은 진공이나 또는 산화성이 아닌 분위기에서 진행된다. 증착 공정에서 금속원소 함유 물질은 증기(온도 200-300도C)로 변환되어 400-450도C의 온도로 가열된 제품과 접촉하게 된다. 증기상의 물질은 반응부로부터 나와 질소 트랩에 응축된다. 이 공정은 진공이나 또는 산화성이 아닌 분위기에서 진행된다.
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전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
위치 센서로 자석의 기계적 이동을 기록하고, 회전 카운터와 전류의 무접촉 센서와 밸브 전자 엔진으로 회전 주파수 제어 행할 수 있는 비접촉 전기 계전기와 스위치의 감지 장치로 구성된 저전력 자기 감도 CMOS IC이다. 자성 감지 IC(MIC)는 공정 회로, 증폭 회로와 자성 감지 MOSFET로 구성되어 있으며 CMOS 기술과 단일칩으로 실현하였다. MIC는 칩표면의 수직 자계 성분에 민감하며 아날로그와 임계값의 두 가지 출력 신호를 가진다. 인가된 자계값에 의존하는 임계 MIC 출력 신호에 대하여 논리적 0의 레벨에서 1로 변화하며 미리 결정된 히스테리시스를 가진다. MIC는 저전류와 저소비 전력을 가진다. CMOS IC는 칩표면에 수직이고 출력 전압을 나타내는 외부 자계 성분으로 이루어진 집적화된 트랜스듀서이다. MIC는 공정 회로, 증폭 회로, 자성 감지 MOSFET로 구성되며 단일칩 (1.1mm*1.2mm)으로 제작되었다. 이 칩은 접지, 전원, 출력, 2개의 제어 입력으로 구성된 5개의 핀을 가지고 있다. 제어핀들은 자계의 여러 범위에서 동작하도록 MIC 동조를 허용한다. 소자를 소형으로 제작하고 신뢰도를 높이며 비용 절감을 위해서 그룹 공정을 이용하였다. 저전력 IC가 가능한 표준 CMOS 기술에 기초하여 형성된 자성 감지 IC 개발의 필요성이 명시되었으며 이것은 특별히 자율 전원, 휴대용 제어, 계측 장비를 가진 다양한 소자에 있어서 중요하다. 집적 자성 감지 IC와 이들 개발에 대한 다양한 센서를 제작하는 외국 주요 업체는 미국의 스프라규, 하니웰, 텍사스 인스트루먼트, 독일의 지멘스이다. 개발된 자성 감지 CMOS IC의 장점과 특징은 소형이면서 강력한 회로 구성이 가능하며, 자성 감지 트랜스듀서의 전력 소비를 줄여줄 수 있다는 점이다. 개발된 MIC는 2개의 제어 입력에 의해 자계의 여러 영역에서 동작할 수 있는 제어가 가능한 확장된 기능 성능도 가진다.소형이면서 강력한 회로 구성이 가능하며, 자성 감지 트랜스듀서의 전력 소비를 줄여줄 수 있으며, 개발된 MIC는 2개의 제어 입력에 의해 자계의 여러 영역에서 동작할 수 있는 제어가 가능한 확장된 기능 성능도 가진다.
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전기·전자 > 기타 반도체
게이지의 새로운 등급 개발 즉 마이크로 전자 압력 센서(MPS) 개발을 위한 마이크로 전자 압력 트랜스듀서로서 마이크로 전자 압력 센서(MPS)를 사용한 경우와 사용하지 않는 2가지 경우를 고려하여 마이크로 전자 모듈, 실리콘 멤브레인 스트레인 게이지(IPD)를 개발하였다. IPD와 그 모듈들은 비정규화된 출력을 가진다. MPS는 0.25, 0.4, 1의 정밀도를 가지는 4-20mA 또는 0-5mA의 표준 출력 신호를 가진다. 이 제품에 대한 주요 특성은 공칭 압력 범위 0.04-30MPa, 공칭 압력에서 출력 신호 50-70mV, 온도 범위 -50도C에서 +60도C까지, 온도 감도 0.03%/도C 미만, 영점 이동 0.03%/도C 미만, 영점 히스테리시스 전압 0.1mV 미만, 출력 신호 비선형성 0.3% 미만, 압력 과부하 허용 범위 5Pnom 이하이다. 외국의 주요 비슷한 제품(예를들어 미국의 엔덴보코, 하니웰)과 본 트랜스듀서의 주요한 기술적 특성이 일치하며 과부하 허용과 가격면에서 다른 외국 제품에 비해 우수하다. 공칭 압력 범위 0.04-30MPa, 공칭 압력에서 출력 신호 50-70mV, 온도 범위 -50도C에서 +60도C까지, 온도 감도 0.03%/도C 미만, 영점 이동 0.03%/도C 미만, 영점 히스테리시스 전압 0.1mV 미만, 출력 신호 비선형성 0.3% 미만, 압력 과부하 허용 범위 5Pnom 이하.
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전기·전자 > 제어·자동화
다층 금속화가 가능한 VLSI 클러스터 장비의 유전체층(SiO2, 유리)에서 다양한 에칭 프로파일을 가진 에칭 접촉 윈도우와 단결정 실리콘에서 유전체 트렌치 분리 형성 영역을 위한 리액터를 제작하였다. (A) 내부층 유전체의 등방성 에칭(IE)의 단계를 위한 리액터의 전력 공급은 고주파 13.56MHz, 직경 150mm의 공정 웨이퍼를 위한 리액터의 크기는 300*300*300mm를 넘지 않으며 다른 특성으로는 SiO2의 등방성 에칭 속도(SF6에 가스 혼합)는 2500-4000A/min, 에칭 불연속성, 3-5%, SiO2/포토레지스트의 선택도 5:1-20:1, HF 전력(13.56MHz) 1000Wt까지, 웨이퍼 온도 +80에서 90도C까지이다. (B)웨이퍼의 헬륨 냉각 즉 도핑 다결정 실리콘의 동시 에칭 또는 다결정 실리콘에서 트렌치 구조를 만들기 위해 설계된 마그네트론 방전 소자를 가진 리액터(Cl2에 기초한 기체 혼합을 이용하였을 때)의 주요 시험 결과는 트렌치 모드에서 에칭 단결정 속도는 0.3마이크로미터/분, 에칭 이방성 0.98, SiO2 마스크에의 에칭 선택도 10-15, 트렌치의 도달 깊이는 12마이크로미터 이상 가능하다 이용 가능한 다른 리액터에 비하여 IE 리액터는 후글로우 시스템과 같은 포토레지스트 마스크의 "부드러운" 제거 또는 "부드러운 세정"을 위해 IE 사용을 허용하는 다른 래디컬(예를 들면 산소) 뿐만 아니라 불소의 강한 흐름원을 견딜 수 있다. 가장 유사한 제품으로는 무지개 유닛(Rainbow Unit)에 근거한 램(Lam) 연구소의 시제품이 있다. IE 리액터는 스크린 그리드가 없는 즉 포토레지스트에 대한 고감도(20이상)를 가진 빠른 에칭 속도와 부가적인 결함을 줄여줄 수 있는 보다 간단한 설계로 구성되어 있다. 유사 제품을 정밀도 5000 마크 5 유닛에서 적용된 재료들로 의해 실현하였다. 제안한 버전은 현저히 저가격의 리액터에서 유사한 에칭 특성을 보장한다.(A) 내부층 유전체의 등방성 에칭(IE)의 단계를 위한 리액터의 전력 공급은 고주파 13.56MHz, 직경 150mm의 공정 웨이퍼를 위한 리액터의 크기는 300*300*300mm를 넘지 않으며 다른 특성으로는 SiO2의 등방성 에칭 속도(SF6에 가스 혼합)는 2500-4000A/min, 에칭 불연속성, 3-5%, SiO2/포토레지스트의 선택도 5:1-20:1, HF 전력(13.56MHz) 1000Wt까지, 웨이퍼 온도 +80에서 90도C까지이다. (B)웨이퍼의 헬륨 냉각 즉 도핑 다결정 실리콘의 동시 에칭 또는 다결정 실리콘에서 트렌치 구조를 만들기 위해 설계된 마그네트론 방전 소자를 가진 리액터(Cl2에 기초한 기체 혼합을 이용하였을 때)의 주요 시험 결과는 트렌치 모드에서 에칭 단결정 속도는 0.3마이크로미터/분, 에칭 이방성 0.98, SiO2 마스크에의 에칭 선택도 10-15, 트렌치의 도달 깊이는 12마이크로미터 이상 가능하다
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전기·전자 > 기타 반도체
힘, 하중. 운동과 가속을 전기적 신호로 변환하는 트랜스듀서로서 낮은 가격과 높은 도량학적 특성을 가진 TKB 시리즈의 집적 스트레인 빔 트랜스듀서에 대한 독점 설계와 기술이다. 트랜스듀서는 표면에 스트레인 임피던스 브리지를 가진 특수 형태의 교차 오목형에서 제작된 기계적 응력 집중기의 직사각형 실리콘 빔으로 구성되어 있다. 이 제품의 주요 기술적 특성은 공칭 부하 0.15-0.20 N, 최대 부하 0.45-0.60N, 공급 전압 5, 6.4, 8, 9V, 공칭 출력 신호 (100, 130, 160, 200) +-20%mV, 출력 신호 비선형성 0.2% 미만, 동작 온도 범위 -40도C에서 +100도C까지, 드리프트 온도 감도 0.02%/도C 미만이다. 빔 트랜스듀서를 가진 단일칩상의 집적 온도 보상 회로는 트랜스듀서 칩의 영역에서 온도의 정밀 측정을 위해 -40도C에서 +100도C까지 범위의 큰 온도 보상(가장 좋은 외국 제품에서는 -20도C에서 +70도C까지), 0.02%/도C보다 작은 온도 감도 드리프트를 가진 공개된 온도 범위에서 주요 트랜스듀서의 특성을 얻을 수 있다. 빔 트랜스듀서에서 과부하 수송 능력의 기술적 경로로 인한 특수한 기술 때문에 칩의 수는 증가한다. 2측면 정렬의 독점 기술은 빔 트랜스듀서의 전기-물리적 특성에서 재생산성을 향상시켜 결정의 생산성을 증가시킨다. 외국의 주요 비슷한 제품(예를 들어 미국의 엔데보코, 하니웰)의 트랜스듀서와 기술적 특성이 일치하며 과부하 허용과 가격이 다른 제품에 비해 우수하다.공칭 부하 0.15-0.20 N, 최대 부하 0.45-0.60N, 공급 전압 5, 6.4, 8, 9V, 공칭 출력 신호 (100, 130, 160, 200) +-20%mV, 출력 신호 비선형성 0.2% 미만, 동작 온도 범위 -40도C에서 +100도C까지, 드리프트 온도 감도 0.02%/도C 미만이다. 빔 트랜스듀서를 가진 단일칩상의 집적 온도 보상 회로는 트랜스듀서 칩의 영역에서 온도의 정밀 측정을 위해 -40도C에서 +100도C까지 범위의 큰 온도 보상(가장 좋은 외국 제품에서는 -20도C에서 +70도C까지), 0.02%/도C보다 작은 온도 감도 드리프트를 가진 공개된 온도 범위에서 주요 트랜스듀서의 특성을 얻을 수 있다.
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
마이크로 전자 압전 저항 가속도계는 다른 기술적 대상, 교통 차량, 산업 기기의 동작과 연구에서 진동과 충격 가속 측정을 행한다. 액체 제동을 가진 AVI1과 MTA1 시리즈의 소형 압전 저항 가속계는 실리콘 스트레인 빔 트랜스듀서(TKB)에 기초한다. 감지 요소들은 집중기를 가진 콘솔빔의 형태와 온도 보상 회로로 구성된 집적 회로의 스트레인 저항 브리지와 얕은층에서 단결정 실리콘 형태로 제작되었다. 측정 범위는 MTA 1 20이 +-20g, AVI 1 100과 MTA 1 100이 +-100g, AVI 1 200과 MTA 1 200이 +-200g, AVI 1 500이 +-500g이며, 감도는 MTA 1 20이 4mV/g 이상, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0.5mV/g 이상,, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0.3mV/g 이상, AVI 1 500이 0.1mV/g 이상이며, 공급 전압은 5V, 비선형성, 히스테리시스는 1%FS 미만, 주파수 범위는 MTA 1 20이 0-300Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0-500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0-1000Hz, AVI 1 500이 0-1200Hz이며 고유 주파수 MTA 1 20이 500Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 1500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 2000Hz, AVI 1 500이 3500Hz이며, 제동 인자 0.4, Uss=5mV에소 영출력 신호는 25 미만, 온도 감도 계수 0.2%/10K 미만, 중량은 AVI 1 2.5g, MTA 1이 6g을 넘지 않으며, 크기는 AVI 1이 직경 14*5.1, MTA 1이 직경 14.2*19.2이고 모두 부착형으로 되어 있다. 러시아와 외국의 다른 비슷한 제품(예를 들어 미국의 엔데보코)과 기술적 특성이 동일한 압전 저항 가속기가 개발되었고 소형화와 낮은 가격이 다른 외국 제품에 비해 우수하다.측정 범위: MTA 1 20이 +-20g, AVI 1 100과 MTA 1 100이 +-100g, AVI 1 200과 MTA 1 200이 +-200g, AVI 1 500이 +-500g이며, 감도는 MTA 1 20이 4mV/g 이상, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0.5mV/g 이상,, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0.3mV/g 이상, AVI 1 500이 0.1mV/g 이상이며, 공급 전압은 5V, 비선형성, 히스테리시스는 1%FS 미만, 주파수 범위는 MTA 1 20이 0-300Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 0-500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 0-1000Hz, AVI 1 500이 0-1200Hz이며 고유 주파수 MTA 1 20이 500Hz, AVI 1 100과 MTA 1 100이 1500Hz, AVI 1 200과 MTA 1 200이 2000Hz, AVI 1 500이 3500Hz이며, 제동 인자 0.4, Uss=5mV에소 영출력 신호는 25 미만, 온도 감도 계수 0.2%/10K 미만, 중량은 AVI 1 2.5g, MTA 1이 6g을 넘지 않으며, 크기는 AVI 1이 직경 14*5.1, MTA 1이 직경 14.2*19.2이고 모두 부착형임.
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일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
하중과 힘게이지와 이들에 기반한 소자를 개발하였다. 감지 요소는 기계적 응력 집중기를 가진 단결정 실리콘빔이며 단결정 실리콘빔 표면에 온도 보상 회로와 집적 스트레인 임피던스 브리지를 구성하였다. 감지 요소는 평형 사변형 Roberval 형태에서 실리콘 또는 강철로 구성된 탄성 형태속에 고정된 강체이다. 본 제품의 주요 특성은 공칭 부하 PS 1 100이 100g, PS 1 500이 500g, PS 1 10K 10kg, PS 2 100이 100kg, PS 2 1000이 1000kg, PS 2 10000이 10000kg이며, 공칭 출력 신호(FS)는 모두 70-100mV, 공급 전압 5V, 최대 부하 PS 1 100DL 1.0kg, PS 1 500이 2.0kg, PS 1 10K가 20kg, PS 2 100이 200kg, PS 2 1000이 2000kg , PS 2 10000이 20000kg이며, 비선형성 히스테리시스는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.1%FS 미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.2%FS 미만 이며, 온도 범위는 -40도C에서 +70도C까지, 온도 감도 계수는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.2%/10K미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.5%10K미만이며 영온도 계수는 .5%FS/10K, 중량은 PS 1 100이 25g, PS 1 500이 30g, PS 1 10K 50g, PS 2 100이 200g, PS 2 1000이 1000g, PS 2 10000이 8000g이다. 개발된 힘 센서들은 외국의 유사한 제품과 특성과 비슷하며 출력 신호는 다른 외국 및 러시아 제품보다 우수하다.공칭 부하 PS 1 100이 100g, PS 1 500이 500g, PS 1 10K 10kg, PS 2 100이 100kg, PS 2 1000이 1000kg, PS 2 10000이 10000kg이며, 공칭 출력 신호(FS)는 모두 70-100mV, 공급 전압 5V, 최대 부하 PS 1 100DL 1.0kg, PS 1 500이 2.0kg, PS 1 10K가 20kg, PS 2 100이 200kg, PS 2 1000이 2000kg , PS 2 10000이 20000kg이며, 비선형성 히스테리시스는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.1%FS 미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.2%FS 미만 이며, 온도 범위는 -40도C에서 +70도C까지, 온도 감도 계수는 PS 1 100이 100g과 PS 1 500이 0.2%/10K미만, PS 1 10K, PS 2 100, PS 2 1000, PS 2 10000이 0.5%10K미만이며 영온도 계수는 .5%FS/10K, 중량은 PS 1 100이 25g, PS 1 500이 30g, PS 1 10K 50g, PS 2 100이 200g, PS 2 1000이 1000g, PS 2 10000이 8000g이다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)
고체 물체 표면 뿐 아니라 액체, 기체, 과립 매질의 온도 측정을 위한 넓은 공칭 저항값과 높은 변환 정밀도, 넓은 측정 범위를 가진 저항 열변환기 박막 온도 감지 원소를 제작하였다. 이 기술은 이온 플라스마 근사, 전자빔 증착, 포토리소그래피, 레이저 조절 등과 같은 기술을 포함하며 제작시 높은 생산성을 제공한다. 주요 특성은 0도C에서 공칭 저항 50,100(500, 1000)오옴이며, W100값은 1.424-1.428, 측정 온도 범위 -50도C에서 +200도C까지, 액체에서 열 지체 지수 50s 이상 되지 않는 특성을 가진다. 또한 수K 오옴까지 공칭 저항값을 증가시킬 수 있으며, 개별 온도 감지 요소의 상호 교환 가능성, 감지 요소의 모든 크기와 재료들의 고유 소비 감소, 집적 회로 출력에서 특성화된 플랜트의 고속 제품 생산이 가능하다. 세계 최초로 완전 규모 생산에서 제작한 유선 열 컨버터와 유사한 실제 특성을 구현하였다. 이 기술은 브루셀에서 개최된 유레카 95 발명 경진 대회에서 수상한 기술이다. 온도 감지 요소(온도-감지 저항)들은 아직까지 생산된 것이 없으며 그들 특성은 국내외의 유사한 측정기보다 우수하다.0도C에서 공칭 저항 50,100(500, 1000)오옴이며, W100값은 1.424-1.428, 측정 온도 범위 -50도C에서 +200도C까지, 액체에서 열 지체 지수 50s 이상 되지 않는 특성을 가진다. 또한 수K 오옴까지 공칭 저항값을 증가시킬 수 있으며, 개별 온도 감지 요소의 상호 교환 가능성, 감지 요소의 모든 크기와 재료들의 고유 소비 감소, 집적 회로 출력에서 특성화된 플랜트의 고속 제품 생산이 가능.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
일반 산업에 이용하는 압력과 차동 압력 송신기에 대한 개별 또는 특수 사용 송신기를 제작하였다. 압전 공진기 압력과 힘 트랜스듀서들은 부호의 변형에 10% 정도 변할 수 있는 40kHz 고유 주파수를 가진 포크 힘-감지 공진기의 수정 마이크로 동조에 기초하여 제작하였다. 스트레인 게이지 트랜스듀서들은 내장 온도 감지 마이크로 동조 포크 공진기 또는 송신기에서 요구하는 부가적인 온도 오차 설정에 의존하지 않는 하나 또는 2개의 공진기로 설계할 수 있다. 주요 기술적 경제적 특성을 살펴보면 힘에 따른 측정 범위 0-0.5kgf와 0-5kgf, 압력에 따른 측정 범위 0-2.5, 0-16,0-25, 0-100MPa, 힘스트레인 게이지 트랜스듀서를 위한 최대 부하에서 힘 점변위 250+-50mm, 공진기 양의 편차(최대) 1kHz, 출력 신호 변동(최대) 0.05%, 2개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 0.25%, 1개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 1%, 특성의 비재생산성(최대) 0.05%. 과부하 최대 1.5, 동작 온도 범위 -50도C에서 +80도C까지, 추가 온도 오차(최대) 0.05%/도C, 0.5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 25MPa, 5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 40MPa, 조립 온도 감지 공진기의 감도 2+-0.15 Hz/도C, 자원 최대 150000H이다. 압전 공진 스트레인지 게이지 트랜스듀서 생산에 대한 정보는 러시아나 외국에는 없다. 압전 공진 압력과 힘스트레인 게이지 트랜스듀서들은 사용자들의 몇 가지 실제적인 작업을 해결하는 최초의 방법을 제공하게 될 것이다.힘에 따른 측정 범위 0-0.5kgf와 0-5kgf, 압력에 따른 측정 범위 0-2.5, 0-16,0-25, 0-100MPa, 힘스트레인 게이지 트랜스듀서를 위한 최대 부하에서 힘 점변위 250+-50mm, 공진기 양의 편차(최대) 1kHz, 출력 신호 변동(최대) 0.05%, 2개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 0.25%, 1개 능동 공진 회로의 비선형성(최대) 1%, 특성의 비재생산성(최대) 0.05%. 과부하 최대 1.5, 동작 온도 범위 -50도C에서 +80도C까지, 추가 온도 오차(최대) 0.05%/도C, 0.5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 25MPa, 5kgf에 대한 힘수송을 위한 정압력 40MPa, 조립 온도 감지 공진기의 감도 2+-0.15 Hz/도C, 자원 최대 150000H이다.
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- 특허법인충정
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- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 제어·자동화
스위칭 반도체 소자들(다이오드, 사이리스터)을 가진 액체 냉각 시스템과 다른 장비와 발전기, 구동기, 전력 고주파 변환기의 모든 종류에 사용할 수 있는 전력 실리콘 디스크형 저항기이며 저항 아크의 원천 설계 기술을 개발하였다. 개발된 저항의 주요 이점은 전력 변환기의 신뢰성을 증가시키고 크기를 감소시키며 스위칭 반도체 디스크형 소자(예로 다이오드, 사이리스터)를 가지는 동일한 냉각 시스템에 장착할 수 있다. 저항의 온도 안정성과 높은 공칭 전력 사이의 보다 좋은 비교 선택은 전자 반사와 후방사 어닐링을 포함한 특별한 기술 공급에 의해 이루어질 수 있다. 주요 기계적 파라미터는 공칭 저항 PK123이 5-100D오옴, PK133이 2-80오옴, PK143이 0.5-60오옴, PK153이 0.2-40오옴, PK173이 0.1-2오옴, PK173 전류 분류기가 0.001-0.1이며, 공칭 전력은 PK123이 250W, PK133이 500W, PK143이 800W, PK153이 1200W, PK173이 2500W, PK173 전류 분류기가 2500W이며 저항 온도 의존성은 PK123이 0,08%, PK133이 0.05%, PK143이 0.035%, PK153이 0.02%, PK173이 0.01% PK173 전류 분류기가 0.01%이며 열저항 원소는 모두 +-10도C/W이며, 최대 전압은 PK123이 2000V, PK133이 2500V, PK143이 2500V, PK153이 2500V, PK173이 3000V, PK173 전류 분류기가 3000V이며 전체 높이는 PK123이 14mm, PK133이 20mm, PK143이 20mm, PK153이 26mm, PK173이 26mm PK173 전류 분류기가 25mm이며 직경은 PK123이 40mm, PK133이 54mm, PK143이 60mm, PK153이 73mm, PK173이 107mm PK173 전류 분류기가 107mm이며 Oxial 압축(+-15%)는 PK123이 400kg, PK133이 800kg, PK143이 1600kg, PK153이 2400kg, PK173이 4000kg, PK173 전류 분류기가 4000kg이며 중량은 PK123이 0,08kg, PK133이 0.18kg, PK143이 0.25kg, PK153이 0.6kg, PK173이 1.5kg, PK173 전류 분류기가 1.5kg이다. 비교 선택 파라미터와 특성에 의해 개발된 저항은 다른 비슷한 제품 어디에도 없다.공칭 저항 PK123이 5-100D오옴, PK133이 2-80오옴, PK143이 0.5-60오옴, PK153이 0.2-40오옴, PK173이 0.1-2오옴, PK173 전류 분류기가 0.001-0.1이며, 공칭 전력은 PK123이 250W, PK133이 500W, PK143이 800W, PK153이 1200W, PK173이 2500W, PK173 전류 분류기가 2500W이며 저항 온도 의존성은 PK123이 0,08%, PK133이 0.05%, PK143이 0.035%, PK153이 0.02%, PK173이 0.01% PK173 전류 분류기가 0.01%이며 열저항 원소는 모두 +-10도C/W이며, 최대 전압은 PK123이 2000V, PK133이 2500V, PK143이 2500V, PK153이 2500V, PK173이 3000V, PK173 전류 분류기가 3000V이며 전체 높이는 PK123이 14mm, PK133이 20mm, PK143이 20mm, PK153이 26mm, PK173이 26mm PK173 전류 분류기가 25mm이며 직경은 PK123이 40mm, PK133이 54mm, PK143이 60mm, PK153이 73mm, PK173이 107mm PK173 전류 분류기가 107mm이며 Oxial 압축(+-15%)는 PK123이 400kg, PK133이 800kg, PK143이 1600kg, PK153이 2400kg, PK173이 4000kg, PK173 전류 분류기가 4000kg이며 중량은 PK123이 0,08kg, PK133이 0.18kg, PK143이 0.25kg, PK153이 0.6kg, PK173이 1.5kg, PK173 전류 분류기가 1.5kg이다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
비압력 티타늄 스폰지, 선철, 쉽게 기화하는 재료와 가스의 높은 함량, 험한 매질과 진공에서 다른 재료의 변경, 증발, 용융 행하는 글로우 방전 전자총으로 냉음극선을 가진 VTR 200-300/25 고출력 글로우 방전의 동작 원리는 고전압 글로우 방전에 기초한다. 전자총은 방전 공간에서 30-80mTorr의 압력에서 사용할 때 효율적이며 공정 챔버에서는 20mTorr 이상이어야 한다. 주요 기술적 특징은 정격 전력 250kW, 최대 전류 12A, 전력 제한 0-300kW, 정격 전압 25kV, 전압 30kV, 총 축으로부터 전자빔 편차 각도 25도, 전체 크기 192*745mm, 중량 29kg, 동작 가스는 수소, 동작 가스 최대 흐름 30 I/hour, 냉수 흐름 05 I/s가 넘지 않는다. VTR 200-300/25는 연속 작업의 긴 유효 수명과 동작에서의 신뢰성, 상대적으로 낮은 가격, 설계의 단순화에 의해 다른 제품과 구별된다. 효율을 개선하고 동작 전자빔 설치와 제조 단가 감소를 위해 열전자 대신에 VTR 200-300/25 응용을 이용할 수 있다. VTR 200-300/25 전자총과 비슷한 공업 제품은 없다.정격 전력 250kW, 최대 전류 12A, 전력 제한 0-300kW, 정격 전압 25kV, 전압 30kV, 총 축으로부터 전자빔 편차 각도 25도, 전체 크기 192*745mm, 중량 29kg, 동작 가스는 수소, 동작 가스 최대 흐름 30 I/hour, 냉수 흐름 05 I/s가 넘지 않는다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
다른 반도체 소자들(다이오드, 사이리스터, 트라이액 그리고 다른 소자)의 전자 기술과 무선 기술 소자 대치와 회로의 능동 소자에 의한 전압 100-1000V, 전류 1-100A 범위에서 동작하는 전력 하이브리드 회로(PHC)이다. 중간 전력과 고전력 고체 상태 전자 공학을 위한 분리 요소 사이의 고전압(1000V 그리고 그 이상) 절연을 제공하는 물리 기술적 기초이다. 이론적 허용 한계에 접근하는 쌍극(전하 캐리어의 형태) 소자 밀도를 가진 전력 집적 회로 실현과 설계를 위한 기술을 제안하였다. 가장 유사한 다른 제품과 비교하여 PHC는 국내외의 많은 회사들에 의해 생산되고 있으며 다른 반도체 소자와 비교하여 PIC는 일괄 기술에 의해 생산되며 규칙에 따라 하나의 단일 단결정으로 이루어진다. 중량과 크기는 1/4-1/10으로 감소시킬 뿐만 아니라 노동력과 재료가 적게 들어 다른 비슷한 제품에 비해 가격이 싸다. PIC 설계의 상업적 버전은 1개의 봉입물에 기초하여 10A의 전류에서 능동 소자와 1000V 전압과 20A 정류 전류에서 단상 다이오드 브리지 정류기로 연결되어 있다.중량과 크기는 1/4-1/10으로 감소시킬 뿐만 아니라 노동력과 재료가 적게 들어 다른 비슷한 제품에 비해 가격이 싸다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 소프트 스위칭 기술
가속 발전과 레이저, 지진 연구를 위한 실험 장비와 펄스 생산에서 에너지 저장 접속에 신뢰성이 있으며, 발전소, 전자빔 유닛의 전력 공급, 물수송 견인 회로와 철도에서 과전압과 SC 전류에 대한 고속 보호, 정상과 비상 운전 조건하에서의 DC 회로 스위칭을 제공하는 직류 진공 차단기로 낮은 스위칭 전력 손실을 갖는 다중 활동 장치이다. 차단기는 조정없이 과전압의 넓은 범위 전류에서 동작하는 점화와 폭발 저항이다. 생산과 서비스에서 제품 유해성이 없는 것을 목표로 하였다. BBITBB 3500.05/30 진공 차단기의 기술적 특성은 정격 전압 35kV, 최대 동작 전압 40kV, 정격 전류 30A, 정격 턴오프 전류 0.05kA, 기계적 자원 CO 사이클 20000, 정격 턴온 전류 0.05S 미만이다. 이 장치는 DC 보호인 경우에 동작 특성에서 정성적으로 새로운 레벨을 얻을 수 있으며 실제적으로 임의의 값에 대하여 과전압 을 제한하는 동작 성능을 가지고 발전소에서 비상 SC 전류의 열적 효과를 감소 시켜준다.격 전압 35kV, 최대 동작 전압 40kV, 정격 전류 30A, 정격 턴오프 전류 0.05kA, 기계적 자원 CO 사이클 20000, 정격 턴온 전류 0.05S 미만
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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일반기술
전기·전자 > 소프트 스위칭 기술
수 밀리초의 길이와 수백 kA 전류 진폭을 가진 스위칭 펄스 고전압 전력 공급을 제공하는 RVU43 트리거 진공 스위치로 유도성 부하에서 단펄스를 취득하기 위한 동작의 쇠지래 모드하에서 전압의 저임계 동작과 광범위 동작 조건하에서 전기 장치의 보호에 이용할 수 있다. 기술적 특성은 최대 전압 30kV, 동작 전압 0.5-25kV, 동작 전류 10-200kA, 펄스당 최대 전하 200KI, 턴온 지연 2+-0.2 마이크로초, 전기 세기 회복 시간 100마이크로초 , 서비스 생명(스위치의 수) 50000, 트리거 전압 5kV, 트리거 전류(최소) 500A, 최소 트리거 전류 길이 5.0 마이크로초, 주파수 0.1 Hz이다. 트라이트론, 이그니트론, 가스 충진 그리고 반도체 스위치들과 비교하여 동작 전압의 전체 범위 조정이 불필요하며 서비스에서도 편리하다. 즉 즉시 동작 준비가 가능하며 발화와 폭발 검증, 무잡음, 수평에 대한 임의의 위치와 애매한 조건에서도 동작 할 수 있다. 트리거된 진공 스위치의 사용과 제품 생산에서 공해 문제는 포함시키지 않았다.최대 전압 30kV, 동작 전압 0.5-25kV, 동작 전류 10-200kA, 펄스당 최대 전하 200KI, 턴온 지연 2+-0.2 마이크로초, 전기 세기 회복 시간 100마이크로초 , 서비스 생명(스위치의 수) 50000, 트리거 전압 5kV, 트리거 전류(최소) 500A, 최소 트리거 전류 길이 5.0 마이크로초, 주파수 0.1 Hz
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-14
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