산업기술 통합검색
본 기술은 백금, 금, 팔라듐 순금속으로 고정밀도 열전대 센서를 제작하는 기술로서 현재 상용화된 열전대에서 나타나는 열기전력의 불균질성을 제거하였으므로 장기간 사용하여도 측정값의 변화가 극히 적고, 정확도를 10배 이상 향상 시키었다. 정확한 온도 제어가 필요한 산업 분야에서 사용할 수 있으며, 또한 기존의 표준백금저항온도계 갖는 한계점을 극복하였으므로 대체 표준기로도 사용이 가능하다.기술의 장점→최고 정밀도의 열전대 온도센서를 제작하는 고급 기술로써 반도체 확산로 공정에 사용이 가능하고 현장교정시 기준기로 사용할 수 있음. 모든 산업분야. 특히 반도체, 초자, 철강 산업 등과 같이 주기적인 온도센서의 교정 및 교체작업이 필요한 분야에서 활용이 기대됨. 그리고 국가교정기관 및 교정전문 업체에 대한 보급이 가능
본 기술은 자장 안에 놓인 자성체에 작용하는 토크를 자장(방향 및 세기)의 함수로 측정할 수 있는 토크자력계를 제작하는 기술이다. 토크자력계는 강자성 박막을 비롯하여 벌크재에 이르기까지 다양한 자성재료의 자기이방성을 정밀하게 측정할 수 있는 데 본 기술에서는 저진동 회전테이블과 내진동프레임을 채용하여 두께가 10- 10,000 나노미터이고 지름이 1 cm 인 니켈박막의 자기적 특성을 1 % 의 잡음수준으로 측정 가능하다.기술의 장점 : 저진동회전테이블, 내진동프레임 채용으로 두께가 10-10,000 nm 이고 지름이 1 cm 인 니켈박막의 자기적 특성을 1 % 의 잡음수준으로 측정가능
본 기술은 야외시험장의 적합성 평가용으로 사용할 안테나 및 EMI/ EMC 측정용 안테나를 제작하기 위한 기술이다. 단일 주파수에서 쓰이는 공진다이폴 안테나와 모노폴 안테나의 공진 길이를 구하는 방법과 안테나 발룬의 제작기법, 공진 다이폴 안테나 인자 계산 software 등이 있으며, 넓은 주파수대역에서 쓰이는 바이코니칼 안테나와 대수주기 안테나의 안테나 설계 제작기술 및 발룬 제작기술이 있다. 광대역 주파수 특성을 갖는 안테나 제작이 가능하고 EMI/ EMC 측정용 안테나의 국내제작에 의한 수입대체효과를 기대할 수 있다기술의 장점 : 광대역 주파수 특성을 갖는 안테나 제작이 가능기대효과 : EMI/EMC 측정용 안테나의 국내제작에 의한 수입대체효과
본 기술은 고전력 측정기기를 정확하게 교정하기 위한 시스템을 구성하는 기술이다. 교정에 사용되는 표준 전력감지기가 전력의 크기에 따라 비선형 특성을 갖고있기 때문에 정확한 측정을 위해서는 측정전력의 크기에 따른 특성변화를 측정하여 사용해야 한다. 이 기술은 10 mW에서 교정된 표준 전력감지기와 전력 측정범위에 맞게 방향성 결합기를 연결하여 고전력 측정기를 정확하게 교정할 수 있으므로 통신산업에서의 통화 품질 및 반도체 산업의 제품의 수율 향상에 기여할 수 있다.기술의 장점 : 10 mW에서 교정된 표준 전력감지기를 이용하여 넓은 전력 범위에서 고전력계의 교정이 가능기대효과 : 통신산업에서의 통화 품질 및 반도체 산업의 제품의 수율 향상
본 기술은 전자파 재료의 복소 유전율 및 투자율을 측정하기 위한 기술로서 RF 및 MW 주파수 대역에서 전자파 재료의 형태(분말, 고체, 액체)에 따른 측정방법과 측정 및 유전율 투자율 계산에 필요한 software가 개발되어 있다. 광대역 주파수에서 측정가능한 방법은 단락 전송선로법, 동축형 전송선로법, 개방단말 프로브법 등이 있고, 단일주파수에서는 reentrant cavity를 이용한 방법이 있다.기술의 장점 : 광대역 주파수 범위에서 측정이 가능기대효과 : 전자파 재료 이용 제품의 성능향상 및 신소재 개발비용의 절감
본 기술은 가스 시료량이 적어 일반적인 가스분석 방법인 가스크로마토그래피나 전용기기 분석 방법을 사용할 수 없을 때 정밀가스 질량분석기를 이용하여 가스량 및 가스의 구성성분을 알아낼 수 있는 방법이다. 고체에서 발생되는 가스, 액체속에 녹아있는 가스, 저진공 가스 등 시료의 양이 mL이하로 있는 경우 진공 하에서 시료를 포집할 수 있는 방법과 포집된 시료를 정량적으로 구성 분압을 측정하는 기술이며 세계적으로 서비스가 되지 않는 유일한 측정방법으로 관련 기업의 활용도가 아주 크다.- 고분자 생산업체 : 고분자에서 발생하는 가스량 측정- 반도체관련 업체 : 독성가스 제거장치 효율 측정, 작업환경 측정에 사용- 대기환경 측정 및 분석기관 : 환경오염물질의 제거장치 측정, 대기오염 직접 측정가능
본 기술은 고분해능(Highr esolution )XRD를 이용하여 에피층 또는 반도체 박막 등의 단결정 또는 단결정에 가까운 박막의 구조특성을 평가하는 기술로서 반도체산업의 발전과 함께 그 필요성이 점점 더 요구되는 기술이다. 에피층 박막을 이용하는 반도체 또는 광전자 소자의 요구되는 성능과 내구성은 재료의 구조특성 및 결정성과 직접 연관이 있으므로 비파괴적인 고분해능 X-선 평가기술은 소자특성을 간접적으로 평가하는 기술로 활용된다. 본 기술은 에피층의 결성성과 결함, 스트레인, 두께, 표면/ 계면특성 등의 구조적 특성을 로킹커브 또는 역격자공간 산란강도 분포도(reciprocal space mapping : RSM)등의 측정을 통하여 평가한다.반도체 또는 광전소자를 제조하는 산업분야. 특히 에피층을 이용하는 화합물 반도체 또는 실리콘을 응용하는 반도체 산업에서 활용가능.
본 고안은 인발가공한 동 파이프로 둘러싸여진 발열선에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 카본선이나 니크롬선인 발열체의 외부에 실리콘 고무의 절연체와 인발가공한 동 파이프를 차례로 형성하여 구성함으로써, 내구성을 길게 하고 길이에 따른 발열선의 가공이 용이하며 나아가 수입대체 효과를 가져올 수 있도록 한 실리콘 발열선에 관한 것이다.현대에는 대부분의 주택에 보온이 잘 되어 있어 적은 난방비용으로도 실내온도를 적절하게 유지할 수 있는 경우가 많다. 그리고 일반적으로는 난방연료로 기름이나 가스를 사용하는 경우가 많지만, 이들 연료는 연소효율이 낮을 뿐 아니라 연소시 유해가스가 배출되어 대기를 오염시키는 요인이 되었다. 그러므로 요즈음에는 난방시 연소가 필요 없는 전기에너지를 이용하는 경향이 점차 많아지고 있으며, 심야전기를 사용할 경우에는 일반전기를 사용하는 경우보다 요금이 매우 적어 전기에너지를 이용한 난방시설이 점차 증가하고 있는 추세이다. 상기의 전기에너지를 이용하여 난방을 하고자 할 경우에는 전기에너지를 공급받아 이를 열에너지로 변환시키는 발열선을 이용하여야 하고, 발열선으로 공급되는 전기가 외부로 누출되지 않도록 하여야 하며, 적당한 내구성과 함께 저렴한 가격을 유지할 수 있어야 한다. 이와 같은 발열선으로서 종래에는 실리콘 발열선이 많이 이용되었으며, 이는 발열선의 외부에 실리콘 고무층이 위치하고, 실리콘 고무층의 외부에는 동이나 스테인레스재의 편조가 형성되어 있다. 그러나 발열선의 외면에 동이나 스테인레스재의 편조를 사용하는 종래의 실리콘 발열선은 그 내부에 습기나 물이 쉽게 침투함으로써 누전의 위험이 있거나 발열선의 수명이 짧아지는 단점이 있었다. 그리고 이를 막기 위해 사용되는 발열선으로서 MI 케이블이 있으며, 이는 내부에 산화마그네슘이 삽입되어 습기를 흡수하게끔 되어 있어 기존의 실리콘 고무의 단점을 해소하고는 있으나, 외국에서 수입되는 제품으로서 값이 비싸 궁극적으로는 국고가 낭비되는 문제점이 있었다.본 고안은, 카본선이나 니크롬선인 발열체의 외부에 실리콘 고무의 절연체층을 형성하여 발열선을 통해 흐르는 전기의 누전을 방지하는 절연의 기능을 수행하도록 하고, 가장 외부에는 인발가공한 동 파이프를 형성함으로써 실리콘 고무층의 손상을 방지하고 물이나 습기의 침투를 차단하도록 함으로써 발열선의 수명이 길어지면서 비교적 긴 길이를 가진 발열선의 제조도 용이한 발열선을 제공하는 것을 특징으로 한다.이와 같은 본 고안의 실리콘 발열선에 의할 경우, 카본선이나 니크롬선인 발열체의 외부에 실리콘 고무의 절연체와 인발된 동 파이프를 차례로 형성하여 구성함으로써, 종래 발열선의 외부에 실리콘 고무와 동편조를 차례로 씌운 구성에 의해서는 긴 길이의 발열선 가공이 용이하지 않고 습기나 물이 내부에 쉽게 침투하는 문제점을 해결하여, 발열선의 내구성을 길게 하고 길이에 따른 발열선의 가공이 용이하며 나아가 수입대체 효과를 가져올 수 있는 효과를 얻을 수 있다.- 습기 침투문제 해결.- 발열선의 내구성 연장.- 길이에 따른 발열선의 가공이 용이.- 수입대체 효과.
본 발명은 휴대전화기 또는 일반전화기로 전화를 걸 때 상대방이 온후크(on hook)인체 전화를 수신하지 않고 있는 동안, 타인과 통화중인 동안 또는 전화를 수신하는 순간 동안 나타나는 전자파 또는 벨 울림과 같은 소음으로부터 벗어날 수 있도록 피호자(called party) 전화기 상태 검출에 따라 발호자(calling party) 전화기에 진동수단 또는 표시수단를 이용하여 감지할 수 있도록 발호자 전화기에 표시를 하는 피호자 전화기 상태 검출에 따른 발호자 전화기 표시방법 및 그 장치에 관한 것이다. 종래의 휴대전화기에 적용된 편리성을 도모하기 위해 부가된 표시기능은 다음과 같은 것이 있다. 우선, 휴대전화기 등의 메시지 확인 방법 및 장치에 관한 것으로 사용자는 주위의 소음이나 부주의 등으로 미처 확인하지 못한 수신 메시지가 있는지를 알기 위해 반드시 부착된 디스플레이를 통해 육안으로 확인해야 했으나 이러한 메시지를 확인할 수 있는 별도의 스위치를 장착하여 이를 통해 보다 신속하고 간편하게 미확인 수신 메시지 여부를 확인할 수 있도록 경보음 또는 진동 등을 이용한 경우가 있었다. 그리고, 휴대전화기 등에서 수신된 음성 혹은 문자 메시지를 미확인시 휴대전화기에 설치된 메시지 확인용 스위치의 작동에 의해 경보음이나 진동을 출력하여 음성이나 문자 메시지의 수신상태를 알릴 수 있도록 하는 수신된 메시지 확인에 관한 것으로 수신된 음성이나 문자 메시지 미확인시 메시지 확인모드로 전환되어서 메시지 확인용 스위치가 조작되기를 대기하다가, 메시지 확인용 스위치 조작시 핸드폰이나 무선 호출기의 경보모드에 따라 메시지 수신상태를 알리는 수단으로써 사용자가 휴대전화기나 무선호출기의 수신된 메시지 상태를 직접 확인할 수 없는 공간에서 꺼내지 않고도 음성이나 문자 메시지의 수신상태를 경보음이나 진동에 의해 확인할 수 있었다.이와 같이 종래에는 휴대전화기 등에 있어서 메시지 등의 수신 상태를 확신하기 위한 것이었으나 본 발명에서는 휴대전화기로 전화를 걸 때 가입자가 전자파나 소음으로부터 피해를 회피할 수 있는 피호자 전화기 상태 검출에 따른 발호자 전화기 표시방법 및 그 장치를 제공하는 것이었다. 특히, 발호자의 발호(calling)에 의한 발호호출신호(calling ring signal)를 수신한 피호자가 온후크(on hook) 인체 수신을 하지 않은 상태를 발호자에게 알리는 피호호출신호(called ring signal), 피호자의 통화중 상태를 발호자에게 알리는 화중신호(busy signal) 또는 피호자가 수신을 하였음을 발호자에게 알리는 응답신호(off hook signal)를 발호자 전화기가 검출하고 표시할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 피호자 전화기 상태 검출에 따른 발호자 전화기 표시방법 및 그 장치는 휴대전화기로 전화를 걸 때 상대방이 온후크 인체 전화를 수신하지 않고 있는 동안 및 통화중인 동안 나타나는 5.5∼10㎼의 출력 또는 전화를 수신하는 순간 동안 나타나는 10∼75㎼ 전자파 또는 벨 울림부터 벗어날 수 있도록 피호자 전화기 상태 검출에 따라 발호자 전화기에 진동수단 또는 표시수단을 이용하여 발호자가 감지할 수 있도록 발호자 전화기에 표시를 함으로써 휴대전화기의 전자파에 의한 뇌 신경 손상 등의 우려를 제거할 수 있다.- 발호자 전화기에 피호자 전화기 상태 검출에 따른 발호자 전화기 표시.- 휴대전화기의 전자파에 의한 뇌 신경 손상 등의 우려를 제거 가능.
가시 스펙트럼과 UV광탐지자의 청색과 황색 영역에 있는 발광 다이오드 (LED)와 레이져 다이오드 (LD) 처럼 다양한 반도체 장치들은 III-V 질화물 (InN, GaN, AlN 그리고 그밖의 합금)을 기초로 하여 제조된다. III-V 질화물들은 화학적 안정성, 방사선에 대한 저항 그리고 높은 열 전도도와 함께 조정 가능한 밴드갭 때문에 반도체 재료로 각광받고 있다. 그러나, GaN의 단일 결정은 녹는점과 증착 성장 온도에서 N2의 큰 평형 해리 압력 때문에 액체 형상 에피탁시 (LPE)를 사용한 용해된 상태에서 성장시키는 것은 불가능하다. 그렇기 때문에, GaN 단일 결정들은 이질의 핵 자리로서 활동하는 단일 결정 기질 위에 에피탁셜하게 성장된다. GaN과 다른 결정성의 단일 결정 III-V 물질에 대한 성장 방법은 열이 가해진 기질 표면에 대해 원자나 분자 종이 천천히 첨가되는 것을 조절하는 증착 수송 (vapor transport)에 초점을 맞추고 있다. 분자 빔 에피탁시 (MBE)와 금속 유기 화학적 증착 침전 (MOCVD)와 같은 현재의 방법들은 초기의 장비 설비가 비싸고 지속적인 유지 비용이 많이 든다는 등의 많은 문제점이 있다. 본 기술은 단일 결정 기질 위에 다른 III-V 질화물들에도 적용 가능한 결정성의 에피탁셜 GaN 필름을 생산하는 특별한 방법을 개발한 기술이다. 본 기술은 상당히 적은 자본과 동작 비용으로 단일 결정 기질 위에 전조 (precursor)의 비결정질 층을 형성하여 단순하고 직접적인 침전에 의해 GaN 필름을 생산하는 것이다. - 적은 초기 설비 및 유비 비용- 필름 두께 조절 가능- 다른 III-V 질화물 합금에도 적용 가능
제조 과정에서 p형 GaN필름 안으로 과도한 수소 삽입은 도펀트의 부동태 피막 형성을 초래한다. 저 에너지 전자 방사 (LEEBI) 또는 열처리 처럼 과도한 수소를 제거하기 위하여 필요로 하는 전통적인 후성장 처리는 표면에서 질소의 손실이 발생하기 때문에 본질적으로 필름에 손상을 주게 된다. 본 기술은 제조 과정 동안 수소의 삽입을 예방하기 위한 특별한 개발 기술이다. 우수한 특성의 p-GaN 필름과 p-n 접합 장치는 에피탁셜 층의 어떤 후성장 처리가 필요없는 본 기술의 방법으로 얻어졌다. 본 기술은 전자와 광전자 장치를 위한 p형 GaN 필름을 적층할 때 여러가지 유용성을 가지고 있다. 본 기술은 고체 상태의 반도체 장치 뿐만 아니라 청색, UV 그리고 전 색상 발광 다이오드의 제조가 간편하고, 향상된 특성을 나타낸다. 본 기술은 앞에서 언급한 문제점을 최소화하기 위하여, p형 갈륨 질화물을 제조하는데 강력하고 생산적인 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 기술은 현재의 제조 과정 기술에 대한 포괄적이고 통합적인 기술이라 할 수 있다. 본 기술은 도펀트를 활성화시키기 위한 후성장 제조 과정 단계를 거치지 않고 도프된 갈륨 질화물 을 성장시키는 방법을 제시하므로써 기존의 문제점들을 해결하였다. 본 기술은 성장 과정이 멈추기 전에 성장 과정에서 수소를 제거하므로써 결정 구조 안으로 유입되는 수소의 양을 줄이는 방법이다. 그러므로, 본 기술은 갈륨 질화물 필름의 성장 후에 열이나 전자 빔 처리의 필요성을 줄이게 된다. 본 기술의 원리는 챔버 안으로 기질을 두고 기질을 열처리 하는 단계를 포함한다. 기질에 대한 전처리 후에, 일반적으로 암모니아인 갈륨 질화물을 성장시키기 위한 물질과 함께, 전형적인 트라이메틸 갈륨의 도펀트 가스가 챔버 안으로 유입된다. 그 후, 수소를 포함하는 가스는 기질을 냉각시키기 전에 꺼지게 된다.- 후성장 처리가 불필요- 필름의 손상을 초래하지 않음- 청색, UV. 전 색상 다이오드의 제조가 간편- p형 갈륨 질화물 제조의 강력한 기술
전통적인 CMOS 정지 논리 회로는 높은 안정성 때문에 현재의 IC 회로 설계에 많이 사용되고 있다. 한편, 다양한 형태의 활동성 논리 회로는 게이트 부하 캐패시턴스를 최소화하고 회로 동작을 제어하기 위하여 클럭을 사용하므로써 이와 같은 회로의 속도를 향상시키고자 하였다. 게이트 부하 캐패시턴스를 줄임으로써, 활동성 논리 회로는 CMOS 정지 논리 회로에 비해 30%이상 속도를 높일 수 있다. 그러나, 클럭은 여러가지 입력 조합에 대해 어떤 회로의 동작없이 불필요하게 전력 소비를 일으키게 된다. 본 기술은 활동성과 플립 플롭 구조를 동시에 가지고 있어 불필요한 회로와 전력 소비를 막을 수 있는 특별한 이벤트 반응형 활동성 논리 회로를 개발한 기술이다. 본 기술은 집적 회로의 설계에 응용할 수 있는 특성을 가지고 있다.- 전력 소비를 줄임- 정지 논리 회로에 비해 처리 속도 향상- 활동성과 플립 플롭의 동시 구조
본 기술은 반도체 제조 과정에 있어서 에너지 보존 방법에 관한 기술이다. 제조 과정에서 이온 주입 과정에 뒤따르는 높은 온도의 열처리 방식의 필요성을 줄일 수 있도록 높은 전류 밀도에 의하여 이온 주입과 활성화가 강화된다. 이온 주입은 얇은 접합 장치를 만들기 위해 실리콘을 도프시키기 위해 많이 사용되고 있다. 그러나, 이온 주입에 의해 손상된 주 격자는 도펀트를 활성화시키고 캐리어 이동도를 회복시키기 위하여 열처리에 의하여 복구된다. 이온 주입 후에, 열처리-일반적으로 800-1000oC에서 30분 열처리 또는 1100oC에서 1분 열처리-는 도펀트 이온 주입에 대해 격자 손상을 회복하기 위하여 행해진다. 그러나, 3제곱 면적당 1020 이온 또는 그 이상과 같이 다량의 실리콘을 도핑하게 되면, 이와 같은 열처리 방법은 도펀트의 완전한 활성화를 이루기가 불가능하게 된다. 비록 열처리 온도를 올리면 도펀트들을 더 활성화시킬 수 있겠지만, 온도를 더 높이면 열적 손실이 증가하고 형성된 접합들의 간격이 벌어지게 된다. 접합의 간격이 벌어지면 작은 장치들에 있어서는 문제를 야기할 수도 있다. 최근은 더 작은 소형화 장치를 요구하는 추세이기 때문에 반도체 제조 과정을 위하여 더 낮은 온도 열처리가 필요하다. 반도체에서 에너지 효율이 높은 도펀트 활성화는 도펀트를 가진 반도체 물질을 과포화시키는 단계를 포함하여 반도체 물질에서 도펀트를 활성화시키고 과포화된 반도체에 대해 미리 정해진 활성화 문턱 이상으로 높은 전류 밀도를 가해주는 방법이다. 이와 같이 하면, 반도체 물질에서 과포화된 도펀트들이 활성화 된다. 본 기술의 가장 큰 특징은 낮은 열처리 단계에서 도펀트를 부분적으로 활성화시키시고 실온에서 높은 전류밀도를 적용하는 것이다. 도펀트를 가지고 반도체 물질을 과포화시키는 단계는 반도체 물질에 대해 고체의 비용해성으로 제한된 양 이상으로 도펀트를 이온 주입하는 단계를 포함한다. 본 기술은 높은 전류 밀도를 가하기 전에 과포화된 반도체 물질에 도펀트를 부분적으로 활성화시키는 단계를 행한다.- 열처리 온도를 낮출 수 있음.- 열처리 동안 접합의 벌어지는 현상 방지 예방.- 고체의 제한된 용해도를 넘어서 과포화 이온 주입 가능.
본 발명은 인터넷 재계부를 이용한 재정관리 서비스방법에 관한 것이다.요즈음은 사회가 복잡해지고 그 가운데서 생활하는 개인들의 불규칙한 생활로 인한 건강이 점차 약해지고 있으며, 복잡하고 많은 교통으로 인해 교통사고의 확률이 점차 늘어나 자신의 건강이나 목숨을 잃게 되는 일이 발생할 수 있게 된다. 그리고 그러한 사고에 의하지 않는다 하더라도 누구나 나이가 들면 현재의 직장에서 물러나야 하는 상태이므로 정년퇴직을 감안한 계획을 수립하여야 한다. 그러므로 현재의 재정을 잘 파악하여 미래를 위하여 투자하는 재테크를 추구하는 경향이 많이 생겨나게 되었고, 이러한 재테크를 위하여 전문가에게 상담하는 경향이 많아지고 있다. 더구나 인터넷의 급격한 보급으로 인해 금융관련 포탈사이트를 제공하는 업체가 많아지고 있으며 전문가를 일일이 방문하여 상담하는 것에 비해 편리하게 이용할 수 있어 회원으로 가입하고자 하는 추세이다.그러나 상기와 같은 기존의 금융관련 포탈사이트는 엔지니어들에 의해 컨텐츠의 취합 형태로 구축된 상태이므로 웹사이트의 한계성으로 인해 고객의 경제적 여건과 개별 요구에 대한 반영을 하지 않는 문제점이 있었다. 즉, 고객의 여건이나 요구를 감안하지 않는 일방적인 의사전달에 지나지 않는 경향이 있거나, 단순한 상품비교방식에 지나지 않거나 또는 지협적이고 단순한 이율계산 정도의 정보를 시뮬레이션으로 제공하고 있어 실질적으로는 재테크로서 생활에 도움을 주지 줄 수 없는 한계성이 있는 등의 단점이 있었다.본 발명은 사용자들이 서버의 재정관리의 사이트에 접속하면 회원으로 가입하면서 사용자 ID와 비밀번호를 취득하도록 한 후 개인이 직접 관리하는 재테크 고유페이지에 접속하여 재계부를 입력시키도록 디스플레이하여 재정관련 기초자료들을 입력시키면 프로그램에 의해 재테크와 관련된 연산처리를 수행한다. 사용자가 개별재정 항목분석의 메뉴를 선택하거나 통합재정관리의 메뉴를 선택할 수 있도록 디스플레이하여 사용자가 개별재정 항목분석의 메뉴를 클릭하면 사용자 자신이 원하는 항목에 대한 세부사항을 클릭하여 확인할 수 있도록 한다. 사용자가 통합재정관리의 메뉴를 클릭하면 미래에 필요한 자금항목에서 향후 지출되어야 하고 지금 준비된 항목에 대한세부사항을 확인할 수 있도록 한다. 컨설팅 영역을 클릭하면 재정관련 기초자료와 자기 소비/투자 성향분석 설문 데이터베이스를 근거로 표준 재테크 상담 메뉴얼에 따라 평가할 수 있도록 한다. 재테크 고유페이지의 재계부 영역에 보험가입내역을 입력시키면 보험과 관련된 항목에 대하여 백분율로 산정한 정보를 출력하도록 함으로써 개인의 재정관리를 온-라인으로 가능하도록 하며 자신의 재정상태를 쉽게 평가할 수 있고 상담까지 가능하도록 한 것이다.- 온-라인으로 개인의 재정관리 가능.- 자신의 재정상태를 쉽게 평가할 수 있고 상담까지 가능.
본 발명은 황토가 함침된 부직포와 그의 제조방법 및 제조장치에 관한 것이다.일반적으로 현대의 많은 사람들은 대부분의 자연환경이 파괴되거나 생활환경이 오염되는 상태로 인해 많은 스트레스와 공해에 시달리면서 생활하고 있다. 그리고 사람이 하루의 일과 중에 가장 많은 시간을 보내는 사무실이나 가정이 시멘트로 건축되어 있으므로 그 속에서 거주하는 사람들이 시멘트 공해에 의해 해를 입으면서 생활하고 있다. 이는 자연 공간에 시멘트로만 방수설비를 한 작은 연못에 물고기(잉어나 붕어 등)를 넣은 결과 24시간도 경과하지 않아 모두 죽었다는 연구결과에서 입증되는 바와 같이 시멘트에 노출되어 있는 사람들이 많은 공해에 시달리고 있다.그러나 황토가 우리의 생활에 미치는 영향을 연구한 결과는 황토에서 원적외선이 방출되어 세포의 생리작용을 원활히 하고 열에너지를 발생시켜 유해물질을 배출하도록 하며, 바이오 원적외선은 모세혈관을 확장시켜 원활한 혈액순환과 신진대사를 촉진시켜 건강생활에 도움을 주고, 담배냄새를 비롯한 불쾌한 냄새를 원인인 양이온을 음이온화시켜 공기청정 효과 및 흡착력에 의한 항균과 항곰팡이의 효과가 있으며, 정화력과 분해력이 있는 황토는 인체의 독을 제거하는 제독련 및 해독제로도 사용되고 있다. 황토는 예로부터 약성을 가진 흙으로 사용되었고, 표면이 벌집구조 형태로 되어있어 그 구멍에 원적외선이 다량 흡수, 저장되어 열을 받으면 발산하여 다른 물체의 분자운동을 자극하는 효과가 있다. 또한 유수한 세월동안 태양에너지를 흡수하여 규소성 광물로서 태양에너지의 저장고라고도 하는 황토는 카탈리아제, 디페놀옥시디아제, 시카라제, 프로테아제 등이 포함되어 있어 독소제거, 분해력, 비료요소, 정화작용의 역할을 하며, 황토의 단열성과 축열성을 여름을 더욱 시원하게 하고 겨울에는 따스하게 하여 철저한 습도조절 및 통풍조절의 능력을 갖는 것이다.그러므로 이와 같이 인체에 유익한 황토를 가정이나 사무실의 벽과 바닥에 시공하기 위한 연구가 행하여 졌고 황토를 직접 시공할 수 없는 상태에서 황토를 이용한 장판이나 벽지를 제조하는 방안이 마련되어 많이 이용되고 있는 실정이다. 즉, 황토를 이용한 건축자재, 황토를 이용한 침대, 황토를 이용한 장판 및 황토를 이용한 벽지 등 여러 용도에서 황토를 이용한 제품이 많이 개발되어 생산하고 있다. 그러나 요즈음 많이 생산되는 황토 제품은 실질적으로 황토의 함유 비율이 10∼30% 로 낮거나 인체와 접하지 않는 상태로 제조되고 있어 그 효과가 미비한 실정이다. 더구나 황토를 부직포나 망사에 얇게 도포한 상태인 모든 황토를 이용한 장판이나 벽지는 황토의 성질상 건조상태에서는 수분을 증발하여 가루로 되거나 수분이 많으면 수분을 흡수하는 특성에 의하여 황토가 점차 없어지므로 장기간 사용시 그 효능이 매우 낮아 인체에 큰 영향을 미치지 못하게 되는 등의 단점이 있었다.본 발명은 황토가 함침된 부직포와 그의 제조방법 및 제조장치에 관한 것으로, 생황토와 묽게 처리한 수용성접착제와 쑥 및 뽕나무 뿌리의 추출액을 혼합하여 일정한 용량의 믹서에 넣어 1시간 정도 믹싱하면서 잘 혼합하는 과정과, 혼합액을 1시간정도 침전시킨 후 상층부의 물을 배출시키는 과정과, 생황토의 침전 혼합물을 미세망으로 걸러 불순물을 제거하는 과정과, 불순물이 제거된 생황토 혼합물을 용기에 넣은 상태에서 0.1∼15mm정도의 부직포를 정역으로 와인딩시키면서 적셔주는 과정과, 생황토 혼합물에 적셔진 부직포를 가압탱크에서 일정한 시간동안 가열 압축시켜 침투하면서 부직포가 황토화 되도록 하는 과정과, 혼용된 원액이 든 용기에 일정시간동안 함침시킨 후 사상 작업하는 과정과, 생황토 혼합물이 함침된 부직포를 건조시킨 후 두께와 표면처리를 위한 롤작업을 하는 과정과, 다시 표면검사를 하는 사상작업과 압착 롤작업 및 엠보싱 작업을 수행한 후 수용성 접착제를 표면에 도포하여 건조시키고 재단하면서 와인딩 처리하는 과정들에 의해 제조함으로써 황토가 80% 이상 함침된 부직포로 벽지나 장판으로 이용할 때 인체에 매우 유익함은 물론 시공이 간단하고 외관이 좋아지도록 한 것이다.황토가 80% 이상 함침된 부직포로 벽지나 장판으로 이용할 때 인체에 매우 유익함은 물론 시공이 간단하고 외관이 좋아지도록 함.
본 고안은 전열선에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포장, 보관, 수송, 설치작업 등이 용이하도록 포장된 난방용 전열선에 관한 것이다.일반적으로 난방용 전열선은 각종 발열체에 이용되며, 발열체는 전기난로나 전기곤로 또는 가열로 등에 사용되는 소정 굵기의 저항선으로 이루어지는 선상 발열체와, 전기 다리미, 전기담요, 침대 또는 온열치료기 등에 사용되는 소정 두께 이하의 저항선으로 이루어지는 판 형식의 면상 발열체가 있다. 그리고, 대부분의 면상 발열체는 가는 저항선을 나선형으로 감은 전열선을 씨줄 또는 날줄로 사용하여 직조한 직물 발열판과 이를 보호하는 외부의 패널로 구성되어 있다. 면상 발열체의 일부를 구성하는 상기 직물 발열판은, 소정의 섬유가 일정한 간격을 두고 규칙적으로 배열되어 직조되고,동 소정의 섬유에 저항선인 니크롬선을 나선형으로 감은 복수의 전열선을 설치하되, 전류를 인가하는 인입선에 병렬로 연결되도록 소정의 간격으로 배치함으로써 직조된다. 이 때 상기한 소정의 섬유로는 폴리에스테르나 그라스 얀 등이 사용된다.종래에는 전열선이 별도의 고정이나 포장이 없이 공급됨으로써, 전열선이 내장된 발열판이나 판넬의 제조시 전열선을 일일이 골고루 펼쳐야 하며 전열선을 펼치는 경우에 포장시 꼬여진 상태에 의하여 꼬임 현상이 빈번하게 발생하는 등 시공이나 작업이 매우 어렵고 작업능률이 떨어지는 등의 결점이 있었다.본 고안은 실리콘 전열선을 비닐테이프 등과 같은 보호테이프 상에서 전열선의 굵기와 발열량에 따라 사이의 간격과 위치를 결정한 후 배열하여 위치시킨 후 접착비닐을 부착하여 전열선을 고정한다. 이때 배치 간격이나 배치의 간격은 최종완제품이나 사용목적을 위해 공급되는 전압의 크기 등을 감안하여 다양한 형태로 이루어질 수 있다. 또한 접착비닐과 보호테이프의 어느 한쪽에 사용되는 점착제는 적당한 정도의 접착력과 함께 열에 의하여 열화되기 어렵고, 내구성이 있는 것 중에서 선택하는 것이 바람직하다. 전열선에는 인입선을 통한 전기에너지가 공급되므로 시공시 인입선에 외부로부터의 전기가 공급되도록 연결하면 된다.이와 같이 적당한 간격으로 배치되어 상, 하부의 접착비닐과 보호테이프에 의해 접착, 포장한 전열선을 이용할 경우, 발열판을 접거나 구부리는 경우에 발열판 또는 전선이 압박되거나 찌부러짐으로써 파손하거나 단선되는 일이 없으므로 운반이나 보관이 매우 편리할 뿐 아니라, 작업 시에도 전열선을 펼치기가 쉽고 펼침의 간격도 일정하며 작업 중 전열선이 꼬이는 일이 없으므로 누구라도 쉽게 시공 또는 작업을 할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.- 파손하거나 단선되는 일이 없으므로 운반이나 보관이 매우 편리함.- 작업 중 전열선이 꼬이는 일이 없으므로 누구라도 쉽게 시공 또는 작업을 할 수 있는 효과를 얻을 수 있음.
본 고안은 자계파를 차폐할 수 있는 전열선에 관한 것으로서, 특히 실리콘의 수명이 길 뿐 아니라 니크롬선의 인장력이 우수해지도록 한 전열선에 관한 것이다.종래로부터 사용되고 있는 전열선은, 발열체인 니크롬선의 외주면에 실리콘(규소고무)층이나 테프론층이 압출성형되고, 상기 실리콘층이나 테프론층의 외주면에 동으로 이루어진 편조층이 씌워진 다음, 최종 피복층으로서 합성고무 또는 PVC층이 구비된 구조로 되어 있다. 그러나, 이와 같이 구성된 종래의 전열선은 발열선인 니크롬선에 발생한 열이 실리콘에 곧바로 전달됨으로써 열에 의한 실리콘의 변형이 빈번하게 일어나며 전열선을 설치할 때 인장력을 보완하지 못하므로, 결국 전열선을 전기 매트, 온열치료기 또는 뜸질기 등에 사용할 경우 제품의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.본 고안은, 열을 발생시키는 니크롬선, 니크롬선을 보호하며 니크롬선에서 발생한 열이 실리콘에 간접적으로 전달되도록 하는 석면 편조층, 1차로 절연기능을 수행하는 실리콘층, 니크롬선에서 발생한 자계를 차폐시키는 동 편조층, 그리고 전기적인 절연을 유지시켜 안전하게 사용할 수 있도록 하는 최종 피복층으로서 합성고무층이나 PVC층으로 순차구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 즉, 니크롬선, 실리콘층, 동 편조층 및 최종 피복층으로서 합성고무층이나 PVC층으로 구성되어 있는 종래의 전열선에 있어서, 실리콘층과 동 편조층의 사이에 석면 편조층을 추가함으로써, 실리콘층의 변형이나 손상을 방지하며 니크롬선의 인장력이 우수해지도록 하여 단선을 방지하도록 하는 것을 특징으로 한다.본 고안에 따르면, 석면 편조층의 게재에 의해 실리콘의 손상이 일어나지 않으며 니크롬선의 인장력을 강화시켜 전선의 내구성과 수명이 길어지게 된다.- 자계파 차폐가능.- 석면 편조층의 게재에 의해 실리콘의 손상이 일어나지 않으며 니크롬선의 인장력을 강화시켜 전선의 내구성과 수명이 길어지게 됨.
본 발명은 가스레인지에 장착되는 태엽식자동타임설정스위치에 의한 전자자동안전가스차단밸브에 관한 것으로서, 지금까지 사용되고 있는 가스레인지기구의 자체에 자동안전가스차단시스템장치가 구비 및 설치되어 있지 않아서 사용(취급)자의 부주의로 인해 깜박한 방심탓에 가스레인지기구의 불판위에 올려놓은 냄비가 가열되면서 담은 음식물이 다태워버리게되는 현상이발생하여 이로 인한 아주 위험한 화재 및 가스폭발사고 또는 인명피해까지이어질 우려가 있고, 이러한 문제점을 보다 완벽하게 개선하기 위한 가스레인지기구의 내면에 형성되어 있는 (=)가스송수관(일명:파이프)을 이용하여이부분을 (/=/)절단하여 바로 전자자동안전가스차단밸브로 연결 설치하고,그리고 설치된 전자자동안전가스차단밸브를 자동으로 (열림/닫힘)작동 효과로 발휘하기 위해 가스레인지기구의 외면 정면에 형성되어 있는 좌,우 점화스위치의 중간 위치에 구멍을 천공하여 바로 태엽식자동타임설정스위치로끼워서 설치하고, 이와 같이 전체 설치된 전자자동안전가스차단밸브의 (+)전기단자와 태엽식자동타임설정스위치의 (+)전기단자 등에 (+)전기일선으로연결하고, 다음은 전자자동안전가스차단밸브의 (-)전기단자에는 전원플러그의 (-)전기선으로 연결하고, 또 태엽식자동타임설정스위치의 (+)전기단자에는 전원플러그의 (+)전기선으로 연결하게 되면은 결국 (+)(-)전기선에 의해서 전체 하나의 시스템이 구성되므로, 이와 같이 설치로 형성된 가스레인지기구의 자체에 자동안전가스차단시스템장치가 구비 및 설치되어 있기 때문에 특히 타이머방식으로서 음식물데우기 위해 먼저 필요한 시간을 설정하여 그 설정된 시간에 따라서 자동으로 전원이 차단되는 동시 자동안전가스차단밸브가 닫힘으로 작동하여 안전하게 가스공급를 차단하게 된다.본 발명의 가스레인지에 장착되는 태엽식자동타임설정스위치에 의한 전자자동안전가스차단밸브에 있어서의 가장 특징적인 것이 즉 기존 가스레인지기구의 내면에 형성된 (=)가스송수관(일명:파이프)을 이용하여 바로 전자자동안전가스차단밸브를 설치된 것이며, 또 정면에 형성되어 있는 좌,우 점화스위치가 설치되 중간에다가 태엽식자동타임설정스위치를 설치하여 이러한 장치가 전기전자방식으로서 특히 기계적 태엽이 탄력(힘)과 기어들이 구성되어 있어서 자동으로 전원을 차단되는 방법이 가장 특징이다.
산화물과 공기 Aperture Formation는 반도체 레이져와 디텍터의 실행 특성을 향상시킨다. 그러나, 충분한 두께의 높은 산화성 물질에 대해 에피탁셜한 증착을 받아들이지 않는 물질 시스템에 있어서는 이와 같은 Aperture Formation를 만들어내는 것은 어려운 일이다. 특히, AlGaInAsP 시스템에서는 더욱 힘들다. 이와 같은 과정에서 물질의 낮은 산화율이나 제한된 두께는 광학적 또는 전류 Aperture Formation로서 사용이 엄격히 제한된다. 본 기술은 이질적인 조성의 산화물 Aperture Formation를 개발한 기술이다. 본 기술에서, Aperture Formation의 형태나 크기는 최대의 효과를 내기 위하여 개별적인 층들의 조성이나 두께를 변화시키므로서 자유스럽게 제어될 수 있다. 본 기술은 반도체 레이져, 디텍터 그리고 트랜지스터 특히 InP 위에 차차 가늘어지는 형태를 가진 공기 Aperture Formation와 같은 산화물 그리고 공기 Aperture Formation를 제조하는데 이용할 수 있다.- Aperture Formation의 형태나 크기를 자유롭게 할 수 있음- 이질적 조성의 산화물 Aperture Formation- 강화된 산화율
높은 전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)는 일반적으로 실리콘이나 갈륨 아세나이드로 제조된다. 그러나, 실리콘은 낮은 전자 이동도를 가지며, HEMT의 실행 이득을 감소시키는 높은 소스 저항을 만들어 내는 단점을 가진다. GaAs 기반 HEMT는 레이다, 휴대폰, 인공 위성 등에서 시그널 증폭에 대한 표준으로 사용되며, Si 기반의 장치에 비하여 높은 전자 이동도와 낮은 소스 저항을 보인다. GaAs 기반 HEMT가 높은 주파수에서 기능을 발휘하지만, GaAs의 상대적으로 낮은 밴드갭과 절연파괴 전압은 GaAs-기반 HEMT가 높은 주파수에서 고 전력을 만들어내지 못하도록 한다. 본 기술은 쌍극자 층에서 유도된 박막 분극을 포함하는 새로운 HEMT구조를 개발한 기술이다. 경계 높이가 증가하고 경계 안으로 전자파 함수의 침투가 감소되므로서, 새로운 배열을 가지는 본 기술은 특히 저온에서 전자 이동도를 향상시킨다. 본 기술은 높은 주파수, 높은 온도, 높은 전력을 필요로 하는 전자 장치에 응용이 가능하다.- 고 전력을 만들어내는 것이 가능- 저온에서 전자 이동도 향상- 높은 주파수, 높은 온도, 높은 전력을 필요로 하는 장치에 응용 가능