산업기술 통합검색
우리는 이용성질을 개선하고, 내마모성을 증가시키고, 테이프에 대한 헤드의 마찰 계수를 줄이고, 자성 정보 캐리어의 사용 수명을 늘리고, 정보 기록과 판독의 품질을 개선하기 위하여 자성 헤드(비디오와 오디오)의 작업 표면에 다이어몬드형 탄소(DLC) 피복제의 스퍼트링을 위한 기술과 장비를 개발하였다. 헤드 표면에 피복제의 양호한 접착과 고품질의 표면(양각이 약 1-1.5nm)을 얻기 위해 본 기술에 특수 절차를 사용한다. 충분히 낮은 온도(60C까지)에서 침전이 일어나며, 본 기술은 매우 생산적이고 저렴하다. 본 기술과 장비는 부분적으로 외국회사의 주문에 따라 개발하였다. 이제 DLC 피복 헤드를 가진 비디오리코더를 널리 제안한다.정보 기록과 판독용의 초이용 성질을 가진 자성 헤드(비디오, 오디오 등)의 양산용 기술과 장비의 개발.
오늘날 가장 중요한 문제점의 하나는 시력 보호용의 광대역 즉석식 레이저 광선 리미터의 개발이다. 재래식 광학 소자(필터, 3중 광학적 안경)는 즉석 반응을 보이지 않고 광대역도 아니다. ILP에서 전에 수행한 비선형 광학 매질의 쌍안정성[1], 유기화학물 용액과의 레이저 광선 상호작용[2], 용액 열역학[3],와, 동역학적 박필름식 다중층 VO2 거울 내의 상 변화의 쌍안정성에 관한 연구는 여기에 제안하는 연구에 관한 기초로서 사용된다. 우리는 fulleren, 혼합 액체 결정과 산화 바나디움을 함유한 재료에 기초한 비선형 광학적 박층 구조의 광역학과 광학적 쌍안정성에 관한 연구를 수행할 계획이다.레이저 안과용 레이저 광선 보호, 레이저 기술, 환경의 원거리 레이저 제어, 레이저 측지학, 레이저 용해.
ILP에서 수년간 여기 라만 산란(SRS) 변환 매체에 관한 연구를 수행해왔다. 우수한 비선형 광학 파라미터를 나타내는 결정질 질산바륨은 유명한 매체로 제안한다. 이것은 가시 분광 범위에서 5개의 스트로크 성분의 동시 발생을 위하여 높은 반복율(16kHz까지)을 가진 나노(nano)초 기간 범위 이내에서 저에너지 펄스(~100 마이크로 J 이하)의 효율적인 변환에 대비하며, 반대 방향 SRS를 통한 회절 제한 변환 광선을 얻도록 한다. 우리는 1.32 마이크로미터에서 Nd:YAG 레이저 방사의 SRS를 통한 1.53 마이크로미터 파장의 보안 레이저 방사를 얻는 가능성을 처음으로 제안하고 개발하였다.방사선이 사람 눈에 위험할 수 있는 LIDAR, 레인지 파인더와 기타 레이저 응용에 사용하기 위한 보안 레이저 방사 시스템의 개발과 제조.
전기압축 재료는 트랜스듀서, 엑추에이터(acturators)와 어뎁티브 미러용으로 개발하였다. 리렉서(relaxor) 강유전체의 큰 전기 압축과 보통 강유전체의 유도 피에조 전기의 무리적인 배경을 연구하였다. 널리 사용되는 PMN-PT 또는 PZT 고체 용액을 대신하기 위해 7개의 전기 압축 합성물(무연 및 초고온 화합물 포함)을 개발하였다. 다양한 합성물의 이점은 다양한 적용을 위한 최적 성질을 가진 특수 재료의 생산 가능성으로 존재한다. 가장 중요한 결과는 무연 합성물, 10-9m/V 까지의 고효율 피에조 전기 모듈의 개발, 낮은 전기 기계적 히스테리시스와, 작동온도 범뉘의 일시적인 온도 안정성이다. 다양한 정적 및 동적 성질을 가진 다양한 종류의 전기 압축 트랜스듀서, 엑추에이터와 어뎁티브 미러도 생산하였다.고효율과 일시적 온도 안정성을 가진 초음속 트랜스듀서, 엑추에이터와 어뎁티브 광학 미러(무연 및 초고온 합성물 포함)용 신소재의 개발.
신형 적응성 광탐지기는 비정상 상태 광기전력의 효과에 기초하여 개발하였다. 본 광탐지기의 주 목적은 온도 변화, 진동 등으로 인해 간섭계 아암 내의 느린 변동 상 변화의 부대 억제와 함께 상 모듈식 광신호의 전류로의 직접 변환이다. 이 효과에 기초한 레이저 진동계와 센서는 재래식 간섭계 시스템과 동일한 감도를 가지지만, 이것은 더 간단하고 믿을만하고 가격면에서 효과적이다. 적응성 광탐지기는 재료검사, 엑추에이터와 트랜스듀서 교정, 얇은 필름의 피에조전기와 전기광학 계수 측정(마이크로 전자기계적 시스템(MEM)에 활용)과 초음속의 광학적 탐지와 같은 각종 응용을 찾을 수 있었다.광기전력 효과를 사용한 새로운 광학적 센서의 개발 ; 적응성 광탐지기로서의 다중 양자 샘(MQW)의 활용 ; 반도체 재료 특성화.
반도체 장치 설계와 홈표면식 직접 웨이퍼 결합(SGDWB) 기술을 처음으로 개발하였다. 재해식 직접 결합은 특수 화학처리 후에 거울 광택식 평탄 웨이퍼 표면의 부착을 포함한다. 재래식 기법의 주 단점은 장치 특성을 해치는 결합 인터페이스에 중간규모 손상 구역의 형성이다. 신기술에 있어서는, 거울 광택식 규소 웨이퍼(그 중 하나는 홈식 정규 망을 가진다) 사이의 결합은 확장 인터페이스 손상 구역의 거의 완전한 제거와 함께 실현하였다. 본 혁신은 전위와, 자유 표면을 향해 움직이는 특수 경향으로 인해 웨이퍼가 홈에 의해 수집될 수 있다는 사실에 기초하고 있다. 그 결과, 홈 내 전위 꾸러미가 형성되는 반면에 홈 사이 공간은 전위로부터 거의 자유로워진다.MOS 장치, 고전력 장치, 센서와 마이크로 가공 구조물의 개발.
본 작업의 목적은 초대형 및 초고속전환 집적 회로(SBIC와 SFIC)를 포함한 마이크로 전자제품 형태를 형성하고 있을 때 각종 박형 필름과 함께 상호작용하고 효과 효율과 공간 해상도에 영향을 미치고 그것을 결정하는 근식(I=250-120nm), 중간식(I=120-20nm)과 원식(I=20-10nm) 진공 자외선 구역의 강력 레이저 방사선과 함께 발생하는 물리적인 현상을 탐구하는 것이다. IC 마이크로 영상 구조 내의 광학적 방사 시스템의 낮은 수치 틈새(짧은 파장)의 역효과를 보상하기 위하여 높은 영상 전달 대비만을 사용할 수 있었다. 주 착상은 약간의 무기 필름과 상호작용하는 전자기 방사선의 높은 에너지 양자를 가진 PTI 내에서 발견되는 영상 전달 대비 확대 효과에 기초하고 있다. 엑사이머(excimer) 레이저의 193-nm 펄스식 광사선에 노출되고 있는 80nm 폭의 스트립은 프레넬(Frenel) 구역 폭이 진폭 차수 이상만큼 재생된 대역폭을 초과할 때 현저한 표본 마스크 틈새값에도 불구하고 접촉 인쇄로도 해결할 수 있었다.초대형 및 초고속 전환 집적 회로(SBIC와 SFIC)를 포함한 마이크로 전자제품의 개발.
제안 필터 요소는 보통 거친 다공성 보강 기저에 부착된 고운 다공성 금속(cermet)층으로 구성된 균일 또는 이방성 구조를 가진다. 이들 구조에 기초하여 제조한 소형 필터 모듈은 표준상태에서 ΔP≤0.2 atm의 낮은 차압 하에서 0.01mm 이상 크기 입자용의 0.5-50m/h 처리량과 E>99.9999995% 기체 여과 효율을 가지고 고효율 기체 청소를 보장한다. 여과 재료는 30 내지 200mm 크기의 그리드 보강 디스크 형태와 16-40mm 외경과 80-540mm 연장의 실린더 카트리지 형태로 제조할 수 있다. 디스크와 카트리지는 알루미늄, 니켈 또는 스테인레스강의 산화물로 만들어지며 탄타륨 또는 티타늄/지르코늄 질화물의 고운 다공성 층으로 덮여있다.전력산업, NPP 냉각수 여과 등의 고온 기체 청소.
초박형(5-15nm) 박판은 주로 탠덤(tandem)형 가속장치 단자의 고에너지 음이온 빔으로부터 전자의 효율적인 스트리핑(stripping)과 타임어브플라이트(time-of-flight) 분광계의 2차 전자 방출의 사용에 의한 신속한 이온 타이밍(timing)용으로 필요하다. 이들 박판은 전통적으로 탄소의 열적 침전에 의하여 준비하였으며 자주 저위 Z 이온을 스트리핑할 때 수시간 내지 수일간 지속된다. 그러나, 박판은 전형적으로 더 무거운 이온(예를 들어, I- 또는 U-)의 빔이 방사 손상, 스퍼트링(sputtering)과 열응력으로 인해 스트리핑 될 대 6 내지 10분동안 고장난다. 스트리퍼 박판을 보충하기 위해 가속장치를 정지시키게 한다. 타임어브플라이트 분광계에 관하여는, 그것의 감도와 에너지 해상도 양쪽 모두 방사 박판 성질에 의해 자주 제한받는다. 이론적인 관점에서 볼 때, 다이어몬드는 목표 박판 재료로서 아주 유망하다. 다이어몬드의 높은 탄소대탄소 결합 강도는 충돌 케스케이드 효과와 스퍼트링 뿐만 아니라 1차 녹온(knock-on) 효과를 완화해야 한다.박형 필름 DLC 스트리퍼 박판은 현재 사용 중인 스트리퍼 박판보다 현저히 더 긴 수명을 보여야 한다. 일단 개발되면, 최적화된 DLC 스트리퍼 박판은 중이온 고에너지 탠덤형 가속장치의 성능과 유지성을 상당히 높여야 한다. 이들 박판은 하나 이상의 입자 가속장치를 가동하고 있는 전세계를 통해 60개 이상의 설비에서 사용할 수 있다.
벌크(bulk)식 단일 결정 Si는 현재 다가올 미래에 열쇠를 쥘 위치에 있는 기본 전자 소재이다. 동시에, Si는 저방사성 재결합 확률로 인해 광전자적인 응용에의 사용에 제한을 받는다. 실온에서 다공성 Si로부터의 고강도 가시 방사선을 발견한 이래, 그러한 구조를 양자 제한 효과에 기초한 효율적인 광원으로서 사용할 가능성을 찾아내기 위한 세계적인 활동이 있어왔다. 나노미터 크기의 Si 구조 제작용의 각종 기술을 개발하고 시험하였으며 전체 가시 스펙트럼에서 광선 방사선을 얻었다. Si, 나노 구조를 형성하는 가장 유망한 방법은 SiO2 메트릭스로의 Si+ 이온 이식과 후속 아낼링에 의한 이온 빔 합성이다. 우리의 접근방식은 다음과 같은 특정 조건 하에서 자외선에서 적외선과 원적외선으로의 광선 방사의 완전 가시 스펙트럼을 얻을 수 있게 한다.광학적 정보처리, 대면적 평판 판넬 디스플레이, 광전자, 광원, 필터, 광증폭기, 반도체 광자 집적장치, 비선형 광학장치와 소재.
Bridgman의 결정 성장 공정, THM과 부유 구역 기법(마이크로 중력의 마지막)에 연결된 비정지 문제를 해결하기 위한 사업적 모델과 수치 방법을 개발하였다. 용해물에서 Boussinesq의 근사값으로 된 Navier-Stoke 방정식과 대류열과 다성분 확산 방정식을 푼다. 상 인터페이스 위치를 결정하고 열방정식은 고상에서 고려한다. 일정 회전 자장 내에서 용해물을 통한 전류를 가진 결정 성장의 가능성을 고려한다. 방사에 의한 열교환 모델을 구축하였다. 방사 모델은 앰풀(ampoule) 내의 재료가 히터 사이의 광반사, 석영 흡수 계수의 주파수와 온도에 대한 의존도와, 기하학적 물리적 시스템 파라미터와 같은 많은 요인을 포함한다.수학적 모델과 수치적 방법은 기타 결정 성장 공정(예를 들어, Czochralski, Ostrogorski와 액상 에피택셜(epitaxial) 방식)용으로 사용할 수 있다. KARMAI 컴퓨터 코드를 약간 개선할 수 있다. 이들 방법으로 수행한 계산은 결정 성장 공정용 파라미터를 선정하는데 유용할 것이다.
백열광 방출의 펄스식 조작은 10㎲ 내지 10㎳동안의 충격기간과 10Hz 내지 10kHz의 펄스 반복율로 실현한다. 작은면식 결정을 가진 고품질 다이어몬드 필름은 10㎛까지의 성장 속도에서 10㎠ 면적을 가진 기질 위에 만들어진다. 우리의 펄스식 방출은 보통 CW, 방출 내의 고유 전류 밀도와 비교하여 3개의 독립적으로 제어할 수 있는 파라미터(전류 밀도, 펄스기간, 반복율)를 가진다. 이러한 이유 때문에, 우리의 방식은 각종 산업용 적용을 위해 조정할 수 있다. 주 장점은 에너지 저소비와 다이어몬드 필름의 저가이다.미래 산업 적용(예를 들어, 다이어몬드 피복 절삭 공구의 생산)용의 실험적 실제크기 반응장치의 설계, 제조와 시험.
우리 실험실은 레이저 방사선의 효율적인 교체 주파수 Raman 변환기로서의 레이저 시스템 적용성의 좋은 전망을 보이는 Ba(NO3)2와 NaNO3 단일 결정의 세계에서 유일한 제조자이다. 이들 결정으로 만들어진 Raman 원소는 Stokes의 한 집합인 어떤 값에 의해 입사 방사선의 주파수 변환을 제공한다. 재료(Ba(NO3)2 0.35-1.8마이크로미터)의 전달 대역에서 감소와 증가하는 양쪽으로 변한다. 예를 들어, 1.06마이크로미터 방사선에 관해서는 첫 번째 Stokes로의 변환 효율은 80%에 달한다. 실험실은 12x12x80mm만큼 큰 Raman 원소용 Ba(NO3)2 단일결정을 배양한다.기존 레이저 시스템의 분광 범위의 확장, Ba(NO3)2, NaNO3 등으로 만든 고체 라만(Raman) 변환기를 작동하는 신규 레이저 시스템의 개발과 생산.
소위 도장법에 기초한 고온 초전도체 후판 Yba2Cu3O7 필름에 관한 새로운 기술을 개발한다. 알려진 기술에 대비하여, 필름은 Y2BaCuO5 세라믹 기질 위에 생성되는데, 마지막 것은 화학반응의 3개 시약 중에서 하나인 반면에 도장 화합물은 Yba2Cu3O7 합성물의 나머지 두 성분을 포함한다. 따라서, 필름 자체는 기질로부터 성장하고 마지막 것의 자연적인 연장을 제시하는 것같이 된다. 이들 특징은 현방식의 사용으로 얻은 후판 필름의 고기술 성능과 작동 특성을 미리 결정하며, 그것은 다음과 같다. 주기적 열가공에 관한 더 높은 저항성, 감소된 다공성, 안정된 기계 및 전기적 파라미터를 가진 훨씬 더 긴 사용수명바람직한 미래 연구 방향은 개선된 전기적, 기계적 및 작동적 특성을 가진 H-Tc 후판 필름 커버에 관한 새롭고 저렴한 산업기술을 얻을 목적의 현재 실험실적 기법을 더 한층 개선하는 것이다.
고품질 단일 결정 생산의 기본 방식은 용해물로부터의 추출에 의한 것이다. 가장 중요한 기법은 도가니로부터의 결정 추출이며, 즉 Czochraiski 방식이다. 오늘날 상업적으로 생산하는 벌크식 단일 결정은 미세 규모와 거시 규모의 비균일성 성질을 가진다(예를 들어, 수직 및 방사방향 격리). 성장속도는 열전달에 의해 제어되므로 대류가 비균일 물질의 주 근원이다. 도가니 용해물 결정 시스템에서 대류 열전달과 3개 버전 Czochraiski 기법의 물리적 모델에 관한 층류-난류 전위과정에서 실험적인 연구를 수행하였다. 구역 유동 구조 특성과 구역 중간 및 시간 평균 열 플럭스 사이의 관계를 연구하였다. 이런 종류의 포괄적인 정보는 각종 결정 결함의 생산의 원인을 이해하는데 필요하다.지난 연구결과는 최적 기술 파라미터 범위를 상당히 제한하는 것을 가능하게 만든다. 본 작업의 목적은 복잡한 경제 조건 하에서 자연 및 혼합 대류의 조건에서 용해물 유동구조 개발의 비선형 공정에 관한 기본적인 지식을 얻는 것이다. 일련의 확장된 실험적 연구는 부력, 열 모세관, 전단, 원심과 코리오리스(Coriolis) 힘의 복잡한 불안정 작용을 가진 비등방 액체 내의 대류 현상에 관해 수행될 것이다.
최근에, 극소구조 자성재료는 (i) 앞으로 고밀도 자성 저장 매체에 관한 잠재 가능성[1]과 (ii) 소형 자성 입자와 조립체의 단일 영역 거동 연구를 위해 적절한 시스템을 제공[2]하기 때문에 큰 관심을 끌어왔다. 격리 단일 영역 입자인 최단순 자성 시스템도 자성의 기본에 관한 현재 이해를 제한하게 하는 색다른 거동[3]을 많이 보인다. 2차원 자성 극소 구조에 관한 연구는 몇 가지 도전을 제시하는데, 그것은 제작, 측정과 현상 이해이다. 주로, 입자 치수와 입자마다의 크기 변동을 제어하면서 소형 자성을 제작하는 방법에 관한 문제가 있다. 대부분의 경우에 2차원 자성 극소 구조 제작을 위해 직접 기억 전자 빔 석판 인쇄를 사용한다. 그러나, 미래 자성 저장 기술에의 사용에 관해서, 전자 빔 석판 인쇄는 대형(㎠) 규모로 극소 구조를 기억하는 것이 매우 시간이 많이드는 공정이기 때문에 적용할 가능성이 적다.
소형 강자성체 입자 배열의 물리적인 성질은 기본적이고 이론적인 연구의 활성적인 분야가 계속되고 있다. 이들 시스템에 관한 확대 연구가 부분적으로 각종 적용에 고무되었다. 가장 흥미로운 효과 중의 하나는 상호작용하는 초미세 자성 입자 시스템의 초자성 영향이다. 쌍극자-쌍극자 상호작용의 경우에, 초자성 상태의 전이 임계온도 Tc는 Tc=M^2/R^3이며, 여기서 M은 입자의 자화이고 R은 입자간 거리이다. 예를 들어, 전이 금속 입자의 반경이 10nm이고 R이 100nm이면 Tc=100K이다. 쌍극자-쌍극자 상호작용 입자의 2차원 격자 내의 긴 범위 차수형태는 이 상호작용은 긴 범위와 이방성 특성으로 인해 격자의 대칭성에 크게 의존한다. 극소 기술의 진보에 의하여 소형 초미세 강자성 입자의 집합적 거동에 관한 실험적인 관찰을 가능하게 한다. 자성 극소 입자의 사각 격자는 퍼멀로이(permalloy) 필름으로부터 전자 석판 인쇄술로 준비된다. 음전자 저항으로서 C60 필름과 전달층으로서 Ti 필름을 포함하는 이중층 마스크를 사용하였다. 퍼멀로이와 Ti층은 레이저 침전방법에 의해 준비된다. C60 필름은 더운 벽을 가진 수직 반응장치 내의 C60 분체의 승화에 의해 준비되었다.
사파이어는 많은 고유 성질을 가지고 있다. 이것은 낮은 마찰계수, 우수한 전기적, 광학적 유전체 특성과, 1600℃까지의 열적 안정성을 가진 절대적으로 화학적 불활성인 최고 경도와 강도 재료 중의 하나이다. 그러나, 사파이어의 넓은 적용성은 기계적 처리의 복잡성에 의해 지금까지 제한되어 왔다. 신 사파이어 기술은 용해물로부터 성장하는 동안에 사파이어 결정의 모양, 구조와 성질 제어의 Stepanov 방식에 기초하여 적용되어 왔다. 그 결과, 제어된 방향성을 가진 성형 사파이어 단일 결정의 새로운 품질은 생산 후 가공 필요성이 없이 생산한다.
지난 10년간에 걸친 실험실 조건 하에서 수행한 연구결과로서, 규소 기반 집적회로 제조 기술과 호환성이 있는 RF 마그네트론 스퍼터링 방식과 졸-겔 방식을 사용하여, 각종 기질의 BaxSr1-xTiO3와 PbZrxTi1-xO3 강유전체 박형 필름과 그러한 기반의 박형 필름 구조의 침전 기술을 개발하였다. 본 작업의 직접 목적은 전기적 삭제 가능, 고속, 방사성, 임의 접근 비휘발성 강자성체 기억 집적회로와 비냉각식, 다원소의 초전기 IR 센서의 생산이다. 비휘발성 기억 집적 회로의 기대 파라미터는 다음과 같다 : 4-16kBit 집적수준, 3-5V 작동전압, 100ns 미만의 작성, 판독과 재작성 시간, 및 1012이상의 재작성 허용 사이클 횟수이다. 이러한 형태의 강유전체 메모리는 전자 신용카드와 무선 주파수 전력식 식별 태그(tag) 제조에 효과적으로 사용할 수 있어서, 보통 EEPROM 메모리 보다 10,000배 적은 에너지를 소비하고 고고도 비행체와 우주물체의 탁재장비용 강츄전체의 고유 방사성 경도를 고려하게 된다.
우리는 단일 급속 산화 강유전체 금속 산화물(MFM0 구조 내 전계 효과 트랜지스터를 가진 기억소자를 통합하는 강유전체 비휘발성 임의 접근 메모리(FRAM)의 개발을 제안한다. 본 메모리 소자는 비휘발성 저장이 강유전체 박형 필름 내의 잔존 극성화에 의존하는 박형 필름 강유전성 축전기로 구성될 것이다. 이것에 더불어, 잔존 극성화는 저자유 담체(carrier) 밀도를 가진 금속 산화물 필름이고 전계 효과 트랜지스터 채널로 작동하는 전극의 표면 전도를 제어하는데 사용한다. 따라서, 강자성 필름은 기억소자와 전계 효과 트랜지스터용 절연체 게이트의 양쪽 역할을 한다. 잔존 극성화 영향에 따라, 채널 전도는 크기 차순만큼 변경할 수 있다. 이러한 극성화 전도 의존도는 정보의 비파괴 판독용으로 사용할 수 있다.