일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
스퍼터링 증착은 산화물을 증착시킬 때 플라즈마내에는 필연적으로 산소 음이온이 발생하며 또한 박막의 질을 향상시킬 목적으로 쓰이는 산소 가스로 인해 산소 음이온이 발생하는데 이것은 기판에 증착된 박막을 손상시키는 주요 요인으로 작용한다. 이러한 산소 음이온에 의한 박막의 손상을 최소화하기 위하여 진공조의 압력을 크게 하여 산소 음이온을 충돌 산란시키는 방법을 사용하였으나 산소의 분압을 크게하는 경우 진공조의 압력을 크게 하여도 산소 음이온 충돌 횟수를 줄여줄 뿐 충돌을 완전히 배제할 수 없으며 과다한 압력의 증가는 증착 효율을 크게 낮추는 원인이 된다. 또한, 산소 음이온에 의한 박막의 손상을 최소화하기 위한 다른 방법들이 제시되었으나 박막에 대한 산소 음이온의 충돌을 배제할 수는 없었으며 스퍼터링 증착 효율을 아주 저하시키는 문제점이 있었다.본 기술에서는 기판상에 스퍼터링 증착에 의한 박막을 형성하여 산소 음이온이 기판에 증착되는 박막 내로 입사하는 것을 최소화하고 기판에 증착하는 박막의 에피택시 정도를 증가되게 하였다.본 기술에 따르면 플라즈마를 발생시키며 내부에 산화물 타킷을 구비한 진공조 내에 기판을 배치한 후에 기판의 상부에 그리드를 설치하여 기판을 타깃으로부터 가리고, 그리드에 (+)바이어스를 가하면서 진공조 내에서 산소 플라즈마를 포함하는 플라즈마를 발생되게 하여 기판상에 산화물을 스퍼터링 증착하여 박막을 형성되게 하되 산화물 타깃은 산화아연(ZnO)으로 하고 기판은 증착동안 200 내지 450℃의 온도를 유지하며 그리드에 가하는 바이어스는 20V 내지 150V가 되도록 하여 산소 음이온이 기판상의 박막 내로 입사하는 것을 최소로 할 수 있기 때문에 스퍼터링에 의해 기판상에 증착되는 박막의 C-축 배향성을 크게 할 수 있고 박막의 에피택시 정도가 크게 할 수 있으며 산소 음이온에 의한 표면 거칠기의 증가를 감소시킬 수 있다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-21
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
일반적으로 다이아몬드막에 인가되는 응력 중 고유응력은 막 합성 후 기판으로부터 박리여부과 관계없이 모든 막에 존재하는 것으로, 다이아몬드막 합성의 경우 일반적으로 인장응력으로 알려졌는데, 모재보다 높은 경도를 갖는 막을 합성하는 공정에서 막에 인가된 인장응력은 합성 중에 막을 균열시킬 수 있으며 이 균열을 성장균열이라 한다. 또한 직경 수 인치 이상의 대면적에서 두께 수 백 ㎛이상의 후막 합성시 두께 방향으로 불균일한 응력이 형성되는 경우 막을 휘게 한다. 다이아몬드 후막합성에서 막의 휨 및 성장균열은 다이아몬드 막을 적외선 창, 마이크로웨이브 창, 다중 칩 모듈 기판재료로 응용되는 것을 불가능하게 만들며 기타 공구 등의 응용에서도 회수율을 크게 떨어뜨린다. 따라서 지금까지 이러한 문제점을 해결하기 위한 많은 연구가 되어왔고 그 결과 여러 가지 해결방법이 제시되어 왔으나 막 합성의 효율성을 떨어뜨리며 막의 휨을 완전히 극복하지 못하였다.본 기술에서는 다이아몬드 합성중 일정의 증착온도에서 기판위에 다이아몬드막을 증착하고 막 증착온도를 연속적으로 감소 또는 증가시킨 후 추가적으로 다이아몬드막을 합성하여 인장응력에 의한 성장균열 및 막의 휨이 없는 균일하고 평탄한 다이아몬드막을 합성하였다.본 기술에 따르면 화학기상증착법을 사용하며, 일정의 증착온도에서 다이아몬드막을 기판 위에 일정두께로 증착한 후 막 합성중에 증착온도를 연속적으로 또는 여러 단계로 감소하거나 증가시켜 다이아몬드막에 인가되는 압축응력 및 인장응력을 상쇄시키므로 성장균열이 없는 다이아몬드 자유막이 제작되고, 탄성계수가 큰 텅스텐을 기판재료로 사용하므로 막의 휨 현상이 없어지기 때문에 막 합성의 효율을 떨어뜨리지 않으면서 균일하고 평탄한 다이아몬드를 합성할 수 있다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-21
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
기판상에 ZnO막을 스퍼터링 증착하는 방법에 관한 것이다.종래 고품질의 산화아연막을 얻기위해, MgO와 같은 버퍼층(완충막)을 ZnO막과 기판 사이에 사용하는 방법, 또는 1차공정에서 약 1000Å의 다결정 버퍼층을 증착시키고 다음에 다결정막을 증착하는 두단계공정을 이용하였으나, 공정의 복잡성과 불순물 발생등의 문제가 있어 스퍼터링법을 이용하여 고품질의 에피택시(Epitaxy)막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.ZnO 타깃을 제공하여 스퍼터링장치내에 사용가스에 노출시키는 단계, 적어도 하나의 반응성가스를 상기 스퍼터링장치에 공급하는 단계, 전원을 공급하여 플라즈마를 형성하는 단계, 플라즈마의 작용에 의하여 25~350℃ 온도에서 사파이어 기판상에 ZnO막을 1~200Å두께로 증착하는 단계 및 상기 증착 이후에 기판의 온도를 400~700℃로 상승시킨 후 1차 ZnO막위에 ZnO막을 1Å~5㎛ 두께로 증착하는 단계를 포함하는 스퍼터링 증착법을 이용한 ZnO막의 제조방법에 관한 것이다.진공조의 내부에 ZnO 타깃과 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, ZnO막을 형성시키는 방법을 제공하며, 2차원층만을 증착하는 제1단계와, 제1단계의 증착온도보다 기판의 온도를 높여서 나머지막을 증착하는 제2단계를 포함하는 두단계 증착방법을 사용한 것을 특징으로 한다.ZnO 박막 증착시 1차공정에서 2차원층만 증착하고, 2차공정에서 1차공정보다 높은 온도에서 증착을 행하면, 박막증착시 고온의 장점과 저온의 장점을 동시에 얻음으로써, 증착된 박막의 에피텍시가 향상되며 박막의 거칠기 또한 개선된다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-30
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 자외선(Ultraviolet Radiation)을 이용해 유기코팅 도막을 만드는 코팅기술로서, 목재나 알루미늄, 종이류, 플라스틱의 표면 뿐만 아니라, 철재 표면에도 적용된다.기존의 방법으로는 각종 철강 구조물과 사무용품, 완구류, 장식품 등에 사용되는 철강재료의 보호책으로 ①금속표면에 페인트를 도포하는 방법 ②필름쉬트를 부착하는 방법 등을 이용하여 코팅막을 형성하는 방법이 널리 사용되어 왔다. 그 중 대표적인 것에는 열 경화법 및 자외선 경화법이 있으며, 주로 열 경화성 폴리에스테르나 에폭시 그리고 폴리우레탄과 여러 가지 첨가제가 혼합된 도료를 금속표면에 도포한 후 종래의 열경화방식으로 코팅도막을 형성하는 방법이 사용되었다.이에 비해 본 기술을 적용하였을 시, 기존 방법에 비해 철재에 대한 친화성이 우수하고 방식성, 방청성 뿐만 아니라 외관이 우수한 피막을 형성하게 된다. 또한, 금속 뿐만 아니라, 기존 기술로는 저효율적이던 전기, 전자, 플라스틱 등 응용분야에 있어서도 확장성을 보이고 있다.본 기술은 기존 기술에 비해 용매를 사용하지 않아 환경 오염의 문제가 없으며, 열경화 방식에 비해 에너지 소비가 적고 설비가 비교적 간단하면서도 내마모성(기존코팅의 3∼6배), 광택도(90∼110), 경도(H∼6H) 등이 뛰어나다. 더욱이 경화 속도가 빠르므로, 생산성이 증대되고 경제적인 공정이 가능하다. 따라서 본 기술의 적용으로 기존에 있던 철재 유기 코팅의 대체 효과 및 칼라 강판, PCM강판 등의 부가가치가 극대화를 꾀할 수 있다
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- (재)포항산업과학연구원
- 등록일
- 2001-08-30
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
고출력이온빔의 작용은 재료 표면층의 물리 화학적 특성을 변화시킨다. 일부의 경우에서는 작업 소재의 작동 특성을 향상시키기도 한다. 이 방법은 타겟 물질의 화학양론적 조성을 가지는 박막의 증착이나 세라믹에서 도전층 형성, 불순물 세척등은 물론 공구와 기계부품의 마모 저항을 2-7배 향상시키고, 서로 다른 코팅을 입히기 전에 표면을 세척하고 활성화시키는 목적으로 산업에 적용할 수 있다. 과학 분야나 실용적인 영역에서 고출력 이온빔에너지(200-400 keV, current densities: 40-250 A/cm2, current pulse duration: 50 ns)를 이용하는 것은 이온으로부터 타겟의 표면부근으로 에너지가 고속으로 전달되는 것으로 특징지워진다. 이 공정은 타겟의 열전도도에 의한 에너지 분산과 동시에 발생하는 것이지만 더 중요한 것이다. 저전류밀도(40-150 A/cm2)에서는 구조 및 무리 화학적 상태조절이 일어나고 이는 처리된 생산품의 작업윤활특성을 향상시킨다. 고전류 밀도(150-250 A/cm2)에서는 타겟 표면 staff로 구성된 플라즈마 토치는 타겟 표면에 나타나고 103-104 m/s의 속도로 타겟으로부터 전파된다.Technical parameters: -활성 영역: 10-100 cm2 (단일 충돌에 대해서는 처리되는 물질에 의존). -에너지 소비: 360 J/m2 (각 표면 조절 및 세척 공정 모드). -생산성: 시간당 100 items (강화목적, 고경도 합금 부식판의 세척, 가스터빈 날개등 전체 크기 5x5x5cm3). -설비의 전체 전력 소비: up to 10 kW (진공 시스템 포함). 금속이나 복합재료박막 증착은 다음 요인으로 특징지워진다: -좁은 플라즈마의 폭 (a /2<25o); -타겟의 화학양론적 조성 유지; -박막증착에 펄스법 이용시 기체에 의한 표면 오염을 막을 수 있고 고밀도막을 얻을 수 있다; -70 - 80%에 이르는 타겟 물질의 높은 이용도 Analogs, technical and economical advantages to compare with analogs: 유사 장치의 연속 생산은 이루어지지 않음. 공장에의 실험 설치는 "Quantum Manufacturing" (USA)에서 생산함. 설치시의 기본적인 장점은 저비용이라는 점으로 미국 설비에 비하여 2-3배 낮은 비용임. 펄스레이저와 비교할 때 “Temp” 가속기는 효율이 높고 빔의 폭이 넓다. 공정은 생태학적으로 깨끗하다. 초경합금 절삭공구에 대해 1.5 - 2.5 배 수명 증가가 얻어진다. 다른 표면 처리법에서는 절삭 초경합금 특성 변수가 크게 증가하지 않는다는 것은 주목할 필요가 있다. 이외에도 표면의 빔 침식처리는 다음과 같은 장점이 있다: •저 에너지 소비 (1 kW·hour/m2); •증착 전 표면의 세척 및 활성화 •기술공정의 생태학적인 순도
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- 배재대학교
- 등록일
- 2002-04-02
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
탈기체(Outgassing)은 진공 속에서 고체로부터 기체 분자가 튀어나오는 현상이며, 고품질의 진공을 유지하기 위해서는 진공용기 및 내용물로부터의 기체 유입, 즉 Outgassing을 측정하고 제어 할 수 있어야만 한다, 특히 조명등, 보온병, TV 브라운관, PC, 모니터 등등 밀폐된 공간의 진공도를 장시간 유지해야 하는 밀폐형 진공 시스템의 탈기체 량의 측정 및 동일한 재료일지라도 탈기체 량을 감소시킬 수 있는 방법에 관한 것으로 진공을 사용하는 모든 산업에서 활용할 수 있다.Outgassing 정량 측정 및 비교 측정 가능Outgassing 감소 기술- 진공 응용 제품 품질향상 및 수명 증가(보온병, lamp등)- 고순도 process 제어 가능- 배기시간 단축 및 도달진공도 향상- 순도 향상
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- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2003-02-08
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
PDP보호막에 관한 것으로, 기존의 산화마그네슘{MgO} 보호막 대신에 산화마그네슘과 산화티타늄{TiO2}의 혼합막을 적용, 일반적인 전자빔 증착기를 사용하여 증착, 기존 산화마그네슘과의 방전특성비교. 적용된 새로운 보호막은 패널의 방전개시전압, 방전유지전압, 그리고 메모리마진 등의 전압특성을 획기적으로 향상시킴으로서 패널의 휘도, 효율 등의 향상을 도모할 수 있다.PDP의 고효율이 낮은 방전특성에 기인하는데, 이를 개선, 효율을 향상시켜 Cost을 down시키는데 특징이 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-29
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
PDP셀과 직접 맞닿아 있는 방전공간의 가장 큰 영향을 미치는 보호막의 특성을 개선시키기 위해 기존 MgO대신 MgO+TiO2의+Al2O3 혼합막을 적용시켰다. 새로운 보호막은 패널의 방전개시전압, 방전유지전압, 그리고 메모리마진 등의 전압특성을 획기적으로 향상시킴으로서 패널의 휘도, 효율 등의 향상을 도모할 수있었다.PDP의 작동환경을 개선시킴
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-29
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
* 기술요약교류형 플라즈마 디스플레이용 보호막 재료에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기존의 산화마그네슘MgO 보호막 대신에 산화마그네슘과 산화알루미늄Al2O3 그리고 산화티타늄TiO2의 혼합막을 보호막으로 적용하는 방안이다. 교류형 플라즈마디스플레이 패널용 보호막 물질로 사용중인 산화마그네슘은 재료적 성능상 아직 최적의 보호막 물질로 고정하기 어렵고 또한, 제품의 생산비의 감소를 위해서는 패널의 방전전압 감소를 통한 방전전력의 감소와 효율의 개선이 수반되어야 한다. 이를 위하여 본 기술은 일반적인 전자빔 증착기를 사용하여 산화마그네슘과 산화알루미늄 그리고 산화티타늄의 혼합막을 제작하여 보호막으로 적용 하였으며 기존 산화마그네슘과의 비교를 위하여 방전개시전압과 방전유지전압, 그리고 패널의 방전전압과 밀접한 관계가 있는 이차전자방출계수를 측정하였다. 적용된 새로운 보호막은 패널의 방전개시전압, 방전유지전압, 이차전자방출특성을 획기적으로 향상시킴으로서 패널의 휘도, 효율 등의 향상을 도모할 수 있다.* 기술의 특징PDP셀과 직접 맞닿아 있는 방전공간의 가장 큰 영향을 미치는 보호막의 특성을 개선시키기 위해 기존 MgO대신 MgO+TiO2의+Al2O3 혼합막을 적용시켰다. 새로운 보호막은 패널의 방전개시전압, 방전유지전압, 그리고 메모리 마진 등의 전압특성을 획기적으로 향상시킴으로써 패널의 휘도, 효율 등의 향상을 도모할 수 있었다. PDP의 작동 환경을 개선시킨다.* 적용응용분야 및 시장성보호막의 성능향상을 통한 PDP의 동작환경을 개선시킨다. PDP의 보호막재료, 상압 플라즈마에서의 Tip coating 재료로 응용된다. 폭발적인 수요가 있을 PDP에서 보호막의 역할은 매우 중요하다. 재료에 대한 큰 수요가 예상된다. 우리나라 4개업체(UPD, ORION, LGE, SDI)에서 개발준비단계에 있다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 반도체 등의 전열면과 냉각액과의 사이(間)나 고온유체로부터 저온유체로 열을 전달하는 열교환기의 융벽(전열벽)과 저온유체와의 사이 등의 비등열전달을 비약적으로 올리기 위한 표면가공기술이다. 구체적인 방법은 sputtering, 화학증착(CVD, Chemical Vapor Deposition), 습식에칭 등에 의해 미세한 scratch(높이 10nm ~ 1000nm의 요철)를 전열표면에 가공함으로써 무구평골(無垢平滑)한 전열면에서 비등열 전달의 성능을 비약적으로 개선한 것이 주요한 기술적 내용이다.기존부터 비등열전달의 성능을 개선하기 위해서는 수㎛로부터 수백㎛ 크기의 scratch나 cavity를 형성하는 표면처리기술이 개발되고 있다. 이를 위해 예를 들면, 레이저 조사, 샌드블러스트(Snad Blast)법, 액체호닝법(Wet Blast), 미립자부착법, 미세결정 석출법 등이 제시되고 있으나 이러한 방법에 의해 형성된 표면구조로는 표면 흡착이 쉬운 불화탄화수소 등의 액체에 대해서는 유효하지 않다던가, 고열부하의 조건하에서는 성능이 저하한다든가, 또는 불순물이 혼입할 염려가 생기는 등 각종 문제점이 나타난다. 그러나 본 기술은 기존의 방법에 의한 scratch와 비교해서 극단적인 상황하에서 미세가공에 의해 표면이 흡착이 쉬운 액체의 경우라도 scratch가 없는 실리콘 면과 비교하면 비약적으로 열전달의 향상을 실현한 것이 특징이라 할 수 있다.
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- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2003-06-30
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
종래의 저온 플리실리콘(polycrystalline Si)은 비정질 실리콘을 저온에서 결정화시킨 것으로서, 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용되고 있다. 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용되는 저온 폴리실리콘막은 다양한 결정화방법을 이용하여 비정질 실리콘막을 결정화시킨다. 그러나 비정질 실리콘막을 결정화공정을 통해 저온 폴리실리콘막으로 결정화하는 경우, 그의 표면에 돌기가 형성되는 문제점이 있었다.본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 표면 거칠기를 개선할 수 있는 결정화방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 데 있다. 다른 목적은 돌기부만을 선택적으로 제거하여 표면 거칠기를 개선함과 동시에 소자의 특성저하를 방지할 수 있는 결정화 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는데 있다.
- 보유기관
- 조선대학교
- 등록일
- 2003-07-01
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
금속이온을 포함하는 플라즈마를 이용한 금속박막 형성방법에 관한 것으로써, 종래와 같이 접착력의 개선을 위한 별도의 전처리 공정을 행하지 않고도 단 한번의 스텝(step)으로 접착력이 개선된 금속박막을 형성시킬 수 있다.금속이온이 포함된 플라즈마에 기판을 노출시키되, 상기 기판에 수∼수십 kV대의 음의 고전압을 인가함으로써 상기 기판 표면에 금속이온주입에 따른 동적 이온선 혼합 효과에 의한 계면 혼합층을 형성시킨 후 금속박막을 증착시키는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 수도권공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2003-07-01
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 높은 전도도와 투명성(Transparency to visible light)을 갖음으로써 액정화면, 태양전지에 사용되는 In2o3-Sno2(dlgk, `ITO`라 함)소재의 진공증착용 타켓의 제조방법에 관한 것으로, 폭발용사방법에 의해 저렴하게 고밀도의 특성을 갖는 진공증착용 타켓을 제조하는 방법에 관한 것이다.<<기존의 기술 및 문제점>> ITO타켓은 진공증착과 스퍼터링에 사용되며, 낮은 전기저항치를 갖는다. 또한, ITO타켓의 밀도는 진공증착시 코팅 필름의 생산성 및 특성에 크게 영향을 준다. 고밀도 타켓은 첫째로 증착속도를 높이고, 둘째로 안정된 전기저항치를 나타내며, 셋째로 흑점(Black Spot)을 감소시킨다. 따라서, ITO타켓은 가능한 밀도를 높여야 하나 실제적으로는 어려움이 많다. 이런점 때문에 종래의 방법은 제조공정이 복잡하고 제조비가 많이 들며, 특히, 흑점이 발생할 우려가 있으며, 고밀도를 확보하기 어렵다는 문제가 있다. 또한, 필름을 제조하는 스퍼터링 공정중 타켓의 중앙부가 선택적으로 타원형 형태로 에칭되며, 이와 같이 에칭된 것은 다시 보수할 방법이 없어 수명이 단축된다는 문제가 있었다.<<본 기술의 특징>>기존의 기술문제를 개선하기 위하여 폭발용사방법을 이용 ITO분말을 금속제 기판 표면에 고속으로 용사함으로써 간단하게 고밀도의 ITO타켓을 제조하는 방법을 제공하며, 제조방법은 금속기판에 분말을 이용하여 코팅층을 형성하는 방법에 잇어 금속기판을 블라스팅(Blasting)한 다음, 블라스팅 금속기판에 10-20㎛ 크기의 In2o3 와 Sno2분말을 900m/s 이상의 고속으로 폭발용사하여 코팅층을 형성하는 것이다.또한, 본기술은 타켓의 제조에만 이용되는 것이 아니라, 진공증착 공정 중 선택적으로 타켓의 중앙부만 타원형으로 에칭되어 사용이 어려운 것도 그 에칭된 부분만 재보수 코팅하는데 적용할 수 있다.<<효과>>종래의 세라믹 소결방법과는 달리 공정이 간단한 폭발용사방법으로 고밀도의 진공증착용 ITO타켓의 제조가 가능하며, 종래 타켓의 중앙부 손상에 의해 버려지는 타켓도 보수하여 사용할 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- (재)포항산업과학연구원
- 등록일
- 2003-07-15
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
극자외선 노광 공정에 적용하기 위한 반사도가 우수한 반사형 다층 박막 미러의 제조 방법을 제시한다. 반사형 다층 박막 미러는 반도체 기판 상에 몰리브덴층과 실리콘층을 순차적으로 형성한 이중 구조를 40주기 반복하여 적층하여 형성하되, 적층 구조 최하위의 제1층, 제3층 및 제5층의 몰리브덴층 중 적어도 하나 이상의 몰리브덴층을 2.9～3.3㎚의 두께로 형성하며, 이때, 적층 구조의 제6층 이상의 몰리브덴층은 2.7～2.9㎚의 두께로 형성하고 상기 실리콘층은 3.9～4.1㎚의 두께로 형성한다.이와 같은 다층 박막 미러에 의하면 구조인자의 단순한 변경만으로 미러 제조를 위한 고가의 물질을 도입하지 않고도 고반사율의 극자외선용 다층 박막 미러를 제작할 수 있다.극자외선 노광용 반사형 미러로서 Mo/Si의 2층 구조로 이루어진 단위층을 다수 증착한 다층박막의 하부층 구조인자를 변화시킴으로서 비교적 손쉽게 극자외선 영역의 빛에 대해 고반사율을 갖는 다층박막 미러를 제작. 극자외선 노광공정용 다층 미러에 있어서, 기판 위에 Mo/Si의 2층 구조로 이루어진 단위층을 다수 증착한 다층박막으로 구성되며, 그 다층박막의 하부층의 구조인자를 변화시킴으로서 극자외선 영역의 빛에 대해 기존의 일정한 구조인자를 가지는 다층박막에 비해 고반사율을 갖는 것을 특징
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2003-07-14
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
정공주입재료(Polymer) : Bayer의 PEDOT 대체품 개발 완료 정공수송재료(Monomer) : 현재 사용되고 있는 NPB의 대체품 개발 완료 발광재료(적,녹,청) 적색 : 고효율의 재료 개발 완료 (Ir(btp)대체) 녹색 : 고효율의 재료 개발 완료 (Ir(ppy)3대체) 청색 : 현재 사용 중인 Idemitsu의 DPVBi를 대체할 수 있는 고효율의 재료 개발 완료우수한 성능(Perfect Characteristics)넓은 시야각, 빠른 응답속도, 자체발광성, 높은 휘도 등우수한 가격경쟁력(Excellent Cost Competition)원가 - LCD 대비 70% 수준시장진입의 적기 Mobile Display 에 대한 Market Needs 증가 OELD 투자 및 양산 초기단계 (No OELD Mass Production Winner)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2003-09-29
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
sheet glass의 post-scoring은 얇은 금속 필름의 진공 마그네트론 스프레이 method 또는 그 산화물에 의해 이루어진다. 스프레이용 금속(티타늄, 스테인리스 스틸, 청동 등)은 다음의 목적을 위해 생산된다. : post-scoring의 지정된 등급에 따른 균일한 층을 갖는 유리 도금, 또는 불투명한 거울형 코팅의 획득.스프레이용 금속 산화물 (티타늄, 스테인리스 스틸, 주석, 지르코늄 등)는 다음의 목적을 위해 생산된다. : 60%-90%까지의 한계를 갖는 translumination에 의해 투명성이 유지되는 반사 가능한 유리 채색 도금. 이 경우, 코팅은 40-80% 까지의 반사율을 갖는다. 반사 가능한 지정된 채색 색조는 다음의 색이 가능하다. : -레몬, -엘로우, -골든, -불루, -그린 ; 위에 지정된 색의 색조는 고객의 요구에 의해 변화 가능하며, 색의 혼합도 가능하다. 고객의 요구에 의해 장식용 효과를 내는 것도 개발되었다.동 유리는 상당히 높은 반사율을 가진다. : 산화물 구조 물질 상태의 높은 안정성을 가진 view가 확보된다. 그리고, 좌외선의 영향이나, 온도와 습도의 저하에 의해 그 특성이나 색이 변화되지 않는다. ; 적외선에 대한 높은 반사율을 가지며, 파장 4000 이하의 자외선에 대한 높은 산란도를 가진다. ; post-scoring의 안정성과 품질은 컴퓨터 제어에 의한 자동화된 기술적 프로세스에 의해 보증되며, 기계 사용자의 숙련도에 의해 좌우되지 않는다.동 기술은 <채색된 색조를 가진 투명한 건물 또는 열 저장 건물 ; 빛 반사 (빛 흡수) 제품 또는 차광을 필요로 하는 구조 또는 배치를 위한 single-layer glazing ; 유리를 포함하는 건설 디자인 ; 외관 glazing, stained-glass 패널의 제품, 샵 윈도우 ; 사무실 칸막이 ; 겨울 정원을 위한 온실>에 이용된다.
- 보유기관
- 티알씨코리아
- 등록일
- 2004-05-17
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재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
금속성 구조 물질의 damping과 방음 장치, 내열성이 보증되며, 기계 room, laboratory placement, 자동차의 하우징 디테일 등의 소음과 내열성 분류 생산이 가능하다. 개발된 구조적 다기능 물질은 교류 금속성 층으로 이루어지며, 그사이의 폴리머 층에 의해 마무리된다. 그리고, 탄소함유 산과 경화제의 ligomeric block의 혼합물에서 제조된다. 층 두께는 금속성 박판의 전체 두께의 5%이상을 포함하며, 각 층의 두께는 0.2 mm 이하이다. 층의 탄성율은 800 MPa이상이며, loss 인자는 0.5이다.개발된 물질은 loss 인자를 0.05이상 갖고 있으며, 소음 레벨을 8-12 dB까지 낮추는 것이 가능하고, 열적 차단 특징을 갖고 있다.개발된 구조적 다기능 박판 금속-폴리머 물질은 현재 사용되는 엷은 판 금속-폴리머 물질에 비해 더 높은 기계적 특징을 갖는다. 투자 회수 기간은 1.5년이다. 층 두께는 금속성 박판의 전체 두께의 5%이상을 포함하며, 각 층의 두께는 0.2 mm 이하이다. 층의 탄성율은 800 MPa이상이며, loss 인자는 0.5이다.개발된 물질은 loss 인자를 0.05이상 갖고 있으며, 소음 레벨을 8-12 dB까지 낮추는 것이 가능하고, 열적 차단 특징을 갖고 있다.
- 보유기관
- 티알씨코리아
- 등록일
- 2004-05-17
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재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
동 기술은 멀티층 낮은 방사성 코팅 위해 개발된 것으로, 그 구조는 "산화물-보호 필름-실버-보호 필름-산화물" 그리고 코팅(이 코팅은 광선을 흡수하거나 반사할 수 있므며, toning 코팅도 할 수 있다)으로 이루어져 있다. 산화물 필름은 SnO2, TiO2 등의 금속 산화물에 사용될 수 있다. sheet 유리는 한쌍으로, 수직 상태에서, 특수 카세트로 처리되며, 전기 장치에 의해 조정된다. 장치의 작동 유니트(이온 공급원, 마그네트론)는 진공 챔버의 door를 조정하므로 쉽게 조정이 가능하다.설비는 프로그램화된 논리적 제어기와 개인 컴퓨터에 베이스를 둔 제어 자동 시스템과 함께 공급된다. 컴퓨터 시각화 기술 프로세스는 작동자에게 설비 파라미터 제어의 편리한 인터페이스를 제공하며, 설비 작동 실행 조건을 보증하며, reference를 제공한다. 그리고 설비 사용법과 그 외 기술적 도면을 제공한다. 설비는 특수 loading 챔버를 포함하는데, 이것은 하나의 작동 사이클에서 load와 unloading 모두를 생산할 수 있게 한다. 동 설비의 버전은 "opal-3pro"라고 불린다.베이직 기술적 조건은 자동적으로 셋팅되며, 이것은 패널을 사용한 컴퓨터에 의해 조정된다. 동 설비는 해외 기술 라인(예를 들어, "Sun Coatings INC" 회사의 장비)의 생산성에 비해서는 다소 미흡하나 유리의 품질은 경쟁력이 있다. 더구나, 설비 "opal"은 기술 솔류션이 현실화 되었으며,(예를 들어, 유리와 타켓의 수직 run) 이것은 생산 프로세스의 안정성을 증가시켰다. 동 기술은 친 환경적이며, 폐기물이 거의 나오지 않는다. 동 기술은 금속성 물질의 박막 코팅, 마그네트론 타입 변칙적 백열 방출의 플라즈마에 의한 금속성 음극 진공에서 분리된 method에 의한 산화물과 질소화물의 박막 코팅에 사용된다.
- 보유기관
- 티알씨코리아
- 등록일
- 2004-05-17
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재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 발명은 대표적인 강유전체 화합물인 티탄산지르콘산납을 대체할 수 있는 화합물로서 납을 함유하지 않은 비스무스나트륨산화티타늄 화합물을 합성하는 방법을 제시한 것이다. 비스무스 화합물(산화비스무스, 질산비스무스, 비스무스아세테이트, 비스무스알콕시드 등)과 나트륨화합물(탄산나트륨, 나트륨, 나트륨아세테이트, 나트륨알콕시드 등)을 질산과 함께 혼합하는 제1공정과, 티타늄 화합물(염화티타늄, 티탄산, 티타늄알콕시드 등)을 티타늄/(나트륨+비스무스) 몰비가 1:1이 되도록 첨가하고 알코올 류의 용매에 용해시킨 후 60도 정도에서 반응시키는 제2공정을 통하여 비스무스나트륨산화티타늄 화합물을 합성할 수 있다. 상기 비스무스나트륨산화티타늄 화합물을 건조/열처리 과정을 통하여 분말화 할 수 있고, 실리콘과 같은 기판 위에 코팅하여 건조/열처리 과정을 통하여 박막화 할 수 있다. 본 발명은 대표적인 강유전체 화합물인 티탄산지르콘산납을 대체할 수 있는 화합물로서 납을 함유하지 않은 비스무스나트륨산화티타늄 화합물을 합성하는 방법을 제시한 것이다. 비스무스 화합물(산화비스무스, 질산비스무스, 비스무스아세테이트, 비스무스알콕시드 등)과 나트륨화합물(탄산나트륨, 나트륨, 나트륨아세테이트, 나트륨알콕시드 등)을 질산과 함께 혼합하는 제1공정과, 티타늄 화합물(염화티타늄, 티탄산, 티타늄알콕시드 등)을 티타늄/(나트륨+비스무스) 몰비가 1:1이 되도록 첨가하고 알코올 류의 용매에 용해시킨 후 60도 정도에서 반응시키는 제2공정을 통하여 비스무스나트륨산화티타늄 화합물을 합성할 수 있다. 상기 비스무스나트륨산화티타늄 화합물을 건조/열처리 과정을 통하여 분말화 할 수 있고, 실리콘과 같은 기판 위에 코팅하여 건조/열처리 과정을 통하여 박막화 할 수 있다.
- 보유기관
- 한국세라믹기술원
- 등록일
- 2004-06-15
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
본 기술은 산화아연(ZnO) 산화물 반도체의 발광 다이오드(LED)와 레이저 다이오드(LD)용 오믹 접촉(ohmic contact) 금속 박막의 제조 방법에 관한 한 것이다. 본 기술은 산화아연 산화물 반도체의 발광 다이오드와 레이저 다이오드용 오믹 접촉 금속 박막을 제조하는 방법에 있어서, 산화아연 산화물 반도체층을 형성하는 제 1 단계와, 산화아연 산화물 반도체층상에 산소의 반응층인 제 1 금속 박막을 형성하는 제 2 단계와, 제 1 금속 박막 상에 캐리어 주입층인 제 2 금속 박막을 형성하는 제 3 단계를 포함한다.낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성과 같은 매우 우수한 전기적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대되기 때문에, 최근 차세대 청색 발광 물질로 각광을 받고 있는 산화아연 산화물 반도체의 발광소자 및 레이저 다이오드 개발에 이용될 수 있는 효과가 있다. 그리고 본 기술은 산화아연 산화물 반도체의 상업화를 가속화시킬 수 있으며, 디바이스의 수율을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 고온 열처리에 의한 소자성능의 저하를 막을 수 있다.
- 보유기관
- 호남제주공공기술이전컨소시엄
- 등록일
- 2004-11-12
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