산업기술 통합검색
본 발명은 폴리실올, 폴리저몰 및 실올-저몰의 공중합체에서 선택되는 어느 하나의 유도체를 포함하는 나노응집체상의 유기 고분자 전자발광 화합물을 이용한 LED용 전자발광소재 및 그의 발광효율 증진방법에 관한 것이다.본 발명의 LED용 전자발광소재는 폴리실올, 폴리저몰 및 실올-저몰의 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유도체 및 페닐메틸폴리실란으로 혼합된 나노응집체로 이루어지며, 상세하게는 나노응집체 상에서 페닐메틸폴리실란으로부터 폴리실올, 폴리저몰 및 실올-저몰의 공중합체에서 선택되는 어느 하나의 유도체로 에너지 전이되어, 종래보다 발광효율이 증진된 LED용 전자발광소재를 제공할 수 있다.
본 발명은 편광유지 광섬유 정렬 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 편광유지 광섬유에 빛을 조사하여 투과된 이미지를 분석하여 간단하게 편광유지 광섬유의 편광축을 정렬할 수 있는 편광유지 광섬유 정렬 장치에 관한 것이다.본 발명에 따른 편광유지 광섬유 정렬 장치는, 편광유지 광섬유의 편광축을 요구되는 방향으로 정렬하기 위한 편광유지 광섬유 정렬 장치에 있어서, 베이스와, 상기 베이스 양측에서 서로 마주보게 설치되어 편광유지 광섬유가 베이스의 상부를 가로지르게 위치되도록 그 편광유지 광섬유를 파지하고, 파지된 광섬유와 일체로 회전되게 상기 베이스의 상부에 설치된 클램핑수단과, 상기 클램핑수단을 회전시키기 위한 회전수단과, 이송대와, 일방으로 빛을 조사하도록 상기 이송대에 장착된 램프와, 상기 램프와 마주보는 위치에서 상기 램프로부터 조사된 빛에 의해 형성된 이미지를 촬영하도록 상기 이송대에 장착된 카메라가 구비된 촬영수단과, 상기 촬영수단의 램프와 카메라 사이에 상기 클램핑수단에 의해 파지된 편광유지 광섬유의 일부가 위치되도록 상기 이송대를 이송시키기 위한 이송수단과, 상기 촬영수단에 의해 촬영된 이미지를 분석하여 편광유지 광섬유의 편광축의 틀어진 정도를 측정하여 출력하는 컴퓨터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 한 쌍의 전극 사이에 구비되어 있는 유기막을 포함하고 있는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes : OLED)에 관한 것이다.본 기술에 따른 OLED는 소자 구동시 발생하는 구동열에 의한 열화 문제와 유기막 형성용 물질의 낮은 순도와 파이-스태킹(π-stacking)으로 인한 발광 특성 저하 문제를 해결함으로써 발광 효율이 개선되는 동시에, 소자의 안정성이 향상되고, 그 결과 발광 효율이 개선 된다.
본 기술은 액정 표시 장치 등의 표시 장치에서 사용되는 확산판을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 분할 노광을 통하여 회절 격자의 형태로 확산 패턴을 폴리머층에 기록함으로써 대면적의 홀로그래픽 확산판을 제조하는 방법을 제시한다.ㅇ 기술 요약 및 특징: 대면적의 영역을 다수의 노광 영역으로 분할하여 순차 노광하는 분할 노광 방법에 있어서, 접하고 있는 노광 영역보다 먼저 노광하는 선 노광 영역의 경계부분(B)은 선 노광 영역의 다른 부분(A)보다 더 적은 양의 광 에너지로 노광하고, 접하고 있는 노광 영역보다 나중에 노광하는 후 노광 영역의 경계 부분(C)은 후 노광 여역의 다른 부분(A)보다 더 많은 양의 광 에너지로 노광하는 분할 노광 방법을 사용하여 홀로그래픽 확산판을 제조한다. 이렇게 하면, 노광 영역간의 경계부의 회절 특성을 균일하게 할 수 있다.
본 기술은 2층 구조의 볼로미터형 적외선 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 적외선 센서 제조 공정 또는 사용 중 발생하는 응력을 제거하여 제품의 신뢰성을 높이고 적외선 중심 파장대에서 95% 이상의 고흡수율을 달성할 수있는 2층 구조의 볼로미터형 적외선 센서 및 그 제조방법을 제공함상기 검출회로 기판 상부의 반사 금속층을 포함하는 하부층, 상기 하부층 상부의 공동, 상기 공동상부의 볼로미터층과 투과 금속층을 포함하며 상기 픽셀의 대각선에 대해 대칭적 구조를 가지는 상부층, 상기 상부층을 지지하며 상기 픽셀의 마주보는 두 모서리에 위치하는 제 1 앵커 및 상기 상부층을 지지하며, 상기 검출회로 기판의 접속단자와 연결되는 전극의 역할을 하며, 상기 제 1 앵커간 거리보다 가깝도록 상기 픽셀의 마주보는 두 모서리에 위치하는 제 2앵커를 포함하는 것을 특징으로 하는 2층 구조의 볼로미터형 적외선 센서에 의해 달성된다.따라서, 본 기술의 2층 구조의 볼로미터형 적외선 센서 및 그 제조방법은 픽셀 설계를 최적화하여 적외선 센서 제조 공정또는 사용 중 발생하는 응력을 제거함으로써 센서의 변형을 방지하여 제품의 신뢰성을 높이고 볼로미터층의 정확한 두께를 설계함으로써 적외선 중심 파장대에서 95% 이상의 고흡수율을 달성할 수 있는 효과가 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 열처리 단계에서 고순도의 불활성/환원성 기체를 흘려줌이 없이도 매우 간단하게 환원성 분위기를 제어할 수 있는 방법을 포함하는 리튬이차전지용 양극 분말의 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 먼저 기판 상에 하부 클래드 층을 코팅하고, 광도파로는 도핑한 무기-유기 혼성 매트릭스 용액을 이용하여 코팅한 후 이때 하부 클래드층과 광도파로는 통상의 방법으로 형성한다. 용액을 코팅하기 전에는 코팅 면의 주의 깊은 세척이 필요하며, 이러한 세척 공정은 막질에 영향을 줄 수 있는 먼지나 다른 외부 물질을 제거하는 데 있어 유용한 공정이고, 다음으로 광도파로에 원하는 형태를 가진 마스크와 특정 파장을 갖는 광을 조사하여 패터닝 과정을 수행한다.기술의 장점 - 본 기술은 별도로 광도파로의 식각 공정을 필요로 하지 않으므로 많은 수의 제조 단계를 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 광손실이 적은 평판형 광도파로를 제조할 수 있는 장점이 있다.
본 기술은 기판, 및 상기 기판 상에 형성된 산화물계 나노 소재로 이루어진 기재를 포함하는 광촉매에 관한 것이다. 본 기술의 광촉매는 동일성분을 갖는 종래의 광촉매에 비하여 부피 대 면적비가 크며 나노 크기로 조절된 광촉매층을 가짐으로써, 우수한 광분해 효과를 나타낸다.
본 기술은 신규 형광물질 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 1,4-비스(디브로모비닐)벤젠 (1,4-bis[dibromovinyl]benzene) 및 2,5-비스(디브로모비닐)티오펜 (2,5-bis[bromovinyl]thiophene)의 소노가시라 반응 (Sonogashira reaction)에 의해 합성된 하기 화학식 1로 기재되는 신규 형광물질 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술의 형광물질은 방향족 핵 (aromatic nuclei)과 주변 잔기 (peripheral moieties)에 따라 남색에서부터 붉은 빛의 오렌지색까지 다양한 범위에서 방출 최대치를 나타내므로 전자 및 광자 분야에 있어 변조가능한 (tunable) 형광물질로 유용하게 사용될 수 있다.
본 기술은 고유전율 박막에 인시튜(in-situ)로 도펀트(dopant)를 포함시키고, 도펀트의 위치 및 프로파일을 정확하게 조절할 수 있어 유전체의 특성을 향상시킴과 동시에, 공정수를 절감하고 공정온도를 낮춤으로써 생산성을 향상시키며 제조비용도 현저하게 절감할 수 있는 고유전율 박막의 형성방법을 제공하는데 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해 본 기술은, 증착법을 통해 기판상에 고유전율 박막을 형성하는 방법으로, (a) 금속 전구체와 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질을 주입하여 박막을 형성하는 단계와, (b) 금속 전구체, 상기 금속을 산화시킬 수 있는 물질, 및 도펀트(dopant)를 포함하는 물질을 주입하여 도펀트(dopant)가 포함된 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계를 상기 (a)단계의 실시 전, 후 또는 중간에 실시하여, 형성된 박막에서 도펀트(dopant)가 포함된 박막의 위치 또는 두께 프로파일을 조절함으로써 소자의 특성을 변화시키는 고유전율 박막 형성 방법을 제공한다.
본 기술은 반도체 소자의 T-게이트를 형성한다는 것으로, 이를 위하여 본 기술은, 게이트 머리 부분보다 상대적으로 폭이 좁은 게이트 발이 직선 형태로 형성되는 T-게이트를 형성하는 종래 방법과는 달리, 반도체 기판 상에 각기 다른 전자빔 감도를 갖는 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 도포하고, 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트가 도포된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 1 노광 공정을 수행한 후 제 3 레지스트를 선택적으로 현상하며, 제 3 레지스트가 선택 현상된 폭보다 상대적으로 넓은 영역의 제 2 레지스트를 선택 현상하여 게이트 머리 영역을 정의하고, 제 3 레지스트 및 제 2 레지스트가 각각 선택 현상된 반도체 기판 상에 전자빔을 이용한 제 2 노광 공정을 수행한 후 제 1 레지스트를 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트의 현상보다 상대적으로 저온에서 굴곡진 형태로 선택 현상하며, 선택 현상된 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트에 따라 금속 물질을 증착한 후 제 1 레지스트, 제 2 레지스트 및 제 3 레지스트를 제거하여 게이트 머리 및 게이트 발을 갖는 T-게이트를 형성함으로써, 전자빔을 이용한 제 1 및 제 2 노광 공정과 각기 다른 용액 및 온도에서의 현상을 통해 굴곡진 형태의 게이트 발을 갖는 안정적인 T-게이트를 형성할 수 있는 것이다.
본 기술은 기판 상부에 형성된 유기 반도체층, 게이트 절연층을 통하여 상기 유기 반도체층에 전압을 인가하는 게이트 전극, 상기 유기 반도체층에 접하면서 상기 유기 반도체층에 전압을 인가하고 서로 일정 거리 이격되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극으로 구성된 유기 박막 트랜지스터를 제공한다. 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 금층 또는 금 합금층과, 상기 금층 또는 금 합금층 상에 형성된 금 산화층을 포함하여 이루어지고, 상기 금 산화층은 상기 유기 반도체층과 접하여 전계 효과 전하 이동도를 증가시킨다.
본 기술은 산화아연계 미세 구조물을 선택적으로 성장시키는 방법 및 그 제조된 산화아연계 미세 구조물에 관한 것이며, 더욱 구체적으로 본 발명은 기판 상에 유기물 또는 무기물을 코팅하는 단계, 물리적 또는 화학적 식각 방법을 이용하여 기판 상에 특정한 위치와 일정한 간격을 가지는 패턴을 가하는 단계, 수열 합성법, 물리기상 증착법, 화학기상 증착법 등 다양한 성장방법을 통해서 상기 패턴이 가해진 위치에 선택적으로 산화아연계 미세 구조물를 성장시키는 단계를 포함하는 산화아연계 미세 구조물의 선택성장 방법 및 이로부터 제조된 산화아연계 미세 구조물을 제공한다
본 기술은 광양자테(PQR; Photonic Quantum Ring) 홀 발광소자에 뾰족한 광섬유를 삽입하고 광섬유와 홀 사이에 인덱스 매칭(index matching) 액을 사용하여 접착함으로써 주위의 충격에 무관하고 광결합 세기를 증가시킬 수 있는 광양자테 홀 발광소자의 버트 커플링 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 기술은 광양자테(PQR) 홀 발광소자의 버트 커플링 방법에 있어서, 광섬유의 끝단을 뾰족하게 하는 단계와; 상기 광섬유의 뾰족한 끝단을 상기 광양자테 홀에 삽입하는 단계; 및 상기 광섬유와 상기 광양자테 홀을 인덱스 매칭액을 사용하여 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
'광통신 실험 학습기'의 형상과 모양의 결합을 의장창작 내용의 요점으로 함.
해당 기술은 입사광을 보다 효율적으로 흡수하여 전기 에너지로 변환하는 것이 가능한 색소 증감 태양전지에 관한 것이다. 복수의 증감 색소를 효과적으로 이용해 입사빛을 효율적으로 흡수할 수 있는 색소 증감 태양전지를 제공한다.전측 어노드의 색소층을 투과 한 빛을 이용해 후측 어노드가 가지는 증감 색소를 여기(起)하는 것으로써 투과광으로부터 한층 더 에너지를 얻는 것과 동시에 양호한 에너지 변환을 실현할 수가 있다. 제1 색소층은 산화물 반도체(예:n형 반도체의 산화 티탄)의 다공질층과 제1 증감 색소를 가진다. 제2어노드는 투명 기판가과 셀 안쪽(빛의 입사 방향의 후측)의 표면에 형성된 투명 도전층과 그 위에 형성된 제2색소층을 가진다. 이때 제2색소층은 제1색소층과는 다른 색소의 제2증감 색소를 가지며 유사한 구성을 형성하는 것이 바람직하다.
해당 기술은 광섬유 복합 가공지선에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광섬유 가 내장된 튜브를 인접하는 인장선보다 작은 직경으로 설계함으로써 외부의 충격으로부터 보호할 수 있도록 개선된 광섬유 복합 가공지선에 관한 것이다. 해당 기술에 따른 광섬유 복합 가공지선은 광섬유가 삽입된 튜브가 인접한 인장선보다 작은 직경을 갖게되어 외부의 충격을 인접한 인장선이 흡수하므로 외부의 충격으로부터 광섬유를 효과적으로 보호할 수 있다는 장점이 있다.또한, 세그먼트 형태로 제작되던 기존기술의 복잡한 구성에 비해서, 중심 코아, 인장선 및 광섬유가 삽입된 튜브만을 갖는 단순한 구조를 가지므로, 재료비 절감은 물론 제작에 소요되는 시간 및 인력을 최소화할 수 있다는 장점이 있다.
해당 기술은 수광부를 대구경화할 수 있는 포토 다이오드의 구조에 관한 것이다. 해당 기술에 의하면, 광전변환을 위한 화합물 반도체의 접합구조를 구비한 수광부; 상기 수광부 일면의 광입사영역에 오믹 접촉된 그물망 구조의 제1전극; 및 상기 제1전극과 대응하도록 상기 수광부의 타면에 형성되는 제2전극;을 포함하는 포토 다이오드가 개시된다. OSA 조립시 반사(Back reflectance) 특성이 개선되므로 광섬유 정렬을 위한 공정시간을 절감할 수 있고, 대구경 수광부를 구비하고 있으므로 레이저 용접공정시 정렬 정밀도의 허용치를 크게 할 수 있으며, 압착방식의 수동정렬도 가능하다.
해당 기술은 MCVD공법에서 발열체 산화방지를 위한 광섬유 모재 제조용 로에 관한 것이다. 해당 기술에 따르면, 광섬유 모재 튜브가 관통하는 입구 및 출구가 형성된 케이스; 상기 케이스 내에서 상기 모재 튜브를 감싸도록 설치되어 이를 가열하는 발열체; 상기 케이스 내부로 한정되는 광섬유 모재 튜브 주변에 양압분위기를 형성할 수 있도록 불활성가스를 외부로부터 주입시키는 주입통로; 및 상기 케이스 입출구 양단 또는 일단에 설치되어 상기 불활성가스가 존재하는 공간의 간극이 상기 모재 튜브의 직경변화에 상관없이 일정하도록 조절하여 양압분위기를 일정하게 유지시키는 간극조절수단;을 포함하는 광섬유 모재 제조용 로가 개시된다. 이로써, 광섬유 모재 튜브의 직경이 변화해도 불활성가스가 존재하는 공간의 간극을 일정하게 조절함으로써 로 내부의 양압분위기를 효과적으로 유지하고 외부공기의 유입을 막아 발열체의 산화를 방지할 수
해당 기술의 평면 광도파로 소자는, 평면기판; 광도파로 패턴에 상응하는 부분의 기판 표면으로부터 내부로 연장형성된 소정 두께의 하부 클래드층; 광도파로 패턴의 단부로부터 연장되는 광섬유 가이드홈 패턴에 상응하는 부분의 기판 표면에 형성된 광섬유 가이드홈; 광도파로 패턴에 상응하여 상기 하부 클래드층 상에 형성된 코어층; 및 상기 코어층 상에 형성된 상부 클래드층;을 포함한다. 해당 기술의 평면 광도파로 소자의 제조방법은, 광도파로 패턴이 형성될 부분의 평면기판 표면으로부터 내부로 소정 두께의 다공성 구조층을 형성하는 단계; 광도파로 패턴이 형성될 부분의 다공성 구조층을 하부 클래드층으로 형성하는 단계; 광도파로 패턴에 상응하는 코어층을 상기 하부 클래드층 상에 형성하는 단계; 상기 코어층 상에 상부 클래드층을 형성하는 단계;를 포함한다.
해당 기술은 광섬유 코팅을 위한 코팅컵의 상부에 장착되어 광섬유가 인선되는 레이져 에너지와 냉각핀을 이용한 정밀온도제어 광섬유 고분자코팅 다이스 장치에 관한 것으로, 코팅컵의 상부에 직렬로 장착되어 광섬유가 인입되는 인입다이스와, 상기 인입다이스의 외측에 설치되어 레이져빔 조사기로부터 열을 흡수하는 흡열쉴드와, 상기 흡열쉴드의 온도를 감지하는 비접촉식 온도계의 감지신호 및 내장된 소정의 프로그램 코드에 기초하여 상기 레이져빔 조사기의 각축방향 이동 및 빔 조사량을 제어하는 제어부 및 상기 코팅컵의 방출열량을 조절할 수 있도록 상기 코팅컵에 상기 광섬유에 대한 레진의 코팅방향을 따라 설치되어 냉각수에 수장되는 다수개의 냉각핀을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.