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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐

본 기술은 반도체 공정용 소모품인 슬러리의 공급량을 줄이면서도 웨이퍼상에 매우 균일한 연마면을 형성할 수 있는 슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐에 관한 것이다. 종래의 공급방식에서 과도한 슬러리의 공급에 의하여 웨이퍼 전면에 균일 유동장을 형성시키게 되어 실제 공정에 적용되는 슬러리는 공급량의 일부일 뿐 아니라 슬러리의 재활용이 불가능하여 처리비용이 증가하고 환경오염의 우려가 있게 된다. 본 기술은 회전하는 테이블의 패드 상에 안치되는 웨이퍼에 노즐을 통해 슬러리를 공급하고 헤드로 가압하여 기계화학적으로 연마하는 장치에 있어서, 슬러리를 공급하기 위한 노즐은 상방향의 입구측 직경에 비하여 하방향의 출구측으로 갈수록 폭이 일정 비율로 증가하고 두께가 일정 비율로 감소하는 원추형 내부공간을 구비한다.- 종래의 공급방식에서 과도한 슬러리의 공급에 의하여 웨이퍼 전면에 균일 유동장을 형성시키게 되어 실제 공정에 적용되는 슬러리는 공급량의 일부일 뿐 아니라 슬러리의 재활용이 불가능하여 처리비용이 증가하고 환경오염의 우려가 있으나, 본 기술의 웨이퍼반경에 해당하는 폭을 가지는 노즐을 이용하여 공정에 적용하였을 경우 공급위치에 대한 연마면 균일성에 대한 현상을 제거할 수 있으며, 적은 슬러리 공급량에도 웨이퍼상에서 매우 균일한 연마면을 형성할 수 있는 슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐임

보유기관
한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

웨이퍼의 연마율을 제어하는 방법 및 이 방법을 수행하는 화학기계적 연마장치

본 기술은 웨이퍼의 연마율을 제어하는 방법 및 이 방법을 수행하는 화학기계적 연마장치에 관한 것이다. 종래의 탄성체를 이용하여 웨이퍼 전면에 균일하게 가압하는 방식은 탄성체와 정수압에 의한 가압 방식이기 때문에, 웨이퍼 전면에 매우 균일하게 가압할 수 있는 장점이 있으나 다음과 같은 문제점이 있다. 먼저, 탄성체와 웨이퍼 사이의 마찰력이 충분하지 못한 경우에는, 웨이퍼와 탄성체 사이에 미끄럼이 일어나 웨이퍼에 정확한 회전력을 전달하는 것이 어려워진다. 또한, 웨이퍼의 배면과 탄성체가 접촉한 상태에서 연마가 이루어지기 때문에, 탄성체의 표면이 오염되어 있는 경우에는, 웨이퍼로 오염이 전사되어지는 것과, 탄성체를 하나 혹은 다수 개를 구비하는 경우, 그 구조가 복잡해지며, 또한, 압력을 제어할 수 있는 부분이 한정되어 부분적으로 연마율을 제어하지 못하는 단점이 있다. 본 기술은 연마부에서 발생되는 적외선을 측정할 수 있는 센서와 적외선빔을 발생시켜 연마부에 적외선빔을 조사하여 국부적으로 연마부의 온도를 상승시킬 수 있는 온도 제어수단으로서 적외선 발생장치 및 반사 조절장치를 포함하고 있는 온도 제어수단에 의해, 연마 중에 연마되는 연마부의 온도를 측정함과 동시에 연마부의 온도를 제어하여서 웨이퍼의 연마율을 제어하는 것으로 되어 있고, 그 화학기계적 연마장치는 적외선이 투과될 수 있는 투과창의 상부에 웨이퍼의 온도를 국부적 혹은 전면적으로 측정할 수 있는 적외선 센서인 카메라가 구비되어 있고, 연마헤드의 상부에 제어수단에 의해 적절한 온도를 발생시키는 적외선 발생장치와 제어수단에 의해 적외선을 웨이퍼 면에 국부적으로 주사할 수 있는 반사 조절장치로 구성된다.- 웨이퍼를 가압하는 방식이 공압에서 발생하는 정수압을 이용하여 웨이퍼 뒷면을 부가적인 기구 없이 직접 가압하는 방식을 취하여, 웨이퍼 전면에 균일한 압력을 전사시킬 수 있는 효과가 있음- 웨이퍼와 접촉하는 부가적인 기구가 없기 때문에, 접촉에 의한 오염을 최소화시킬 수 있음- 웨이퍼에 적절한 회전력을 보다 정확하게 전달하기 위하여 웨이퍼의 외주(edge)부분을 흡착할 수 있는 얇은 진공 흡착구조가 구비되어, 웨이퍼 회전의 불균일 현상을 줄일 수 있음- 적외선으로 연마온도를 측정하여 연마상태를 감시하는 것과 그리고 적외선 발생장치 및 반사 조절장치를 이용하여 연마부의 연마상태를 제어하는 것이 가능함

보유기관
한국기술거래사회
등록일
2004-05-10
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

가변성 이산화탄소 상변화 노즐 및 노즐을 이용한 표면 세척장치

본 기술은 기존의 표면 세척법과 기존의 드라이 아이스 눈 입자 세척법의 단점(표면 손상 증대, 세척장치의 복잡성, 2차 폐기물 대량 발생)을 극복하기 위하여, 개선된 드라이 아이스 눈 입자 세척 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 기술은 이산화탄소용 고압 용기와 고압 호스와 가변성 이산화탄소 상변화 노즐 및 열풍기로 구성된다. 용기속에 들어 있는 고압(약 50bar)의 액체 이산화탄소가 호스를 지나서 노즐을 통과하여 교축과정(Throttling Process)을 겪으면, 작은 드라이 아이스 눈 입자가 생성되고, 고속의 기체 및 액체 이산화탄소가 발생한다. 생성된 드라이 아이스 눈 입자 또는 액체 이산화탄소와 기체 이산화탄소가 제품 표면위에 흡착되어 있는 미세 입자와 유기성 오염물을 제거한다. 제거 과정중 제품 표면에 발생하는 드라이 아이스 얼음막은 열풍기를 사용하여 제거된다.- 본 기술에서는 다양한 크기와 분포를 갖는 드라이 아이스 눈(Snow)입자를 얻기 위해 노즐을 제작하였고, 드라이 아이스 눈 형성공간의 부피를 조절하면, 드라이 아이스 눈 입자의 크기가 변하며, 이를 이용하여 다양한 표면 오염물을 효과적으로 제거할 수 있음- 본 기술의 열풍기를 이용하여 드라이 아이스의 승화열을 지속적으로 공급하여, 제품 표면에 얼음막이 형성되지 않아, 세척 효율을 극대화시킬 수 있고, 대기중의 습기 응축도 발생하지 않음- 세척시에 기술적으로나 경제적으로 제작하기 어려운 격리 공간을 필요로 하지 않고, 간단하게 효과적으로 세척이 가능함

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대일기업평가원
등록일
2004-05-10
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

구조적 안정성이 우수한 플라스마 디스플레이 격벽 형상

본 기술은 몰드 프레스법, 롤 가압법 및 그루브 매입법에 적합한 격벽 형상에 관한 것이다. 본 기술은 교류형 플라스마 디스플레이 소자의 하면 기판상의 건식 필름(green tape) 또는 페이스트를 몰드 프레스법 또는 롤 가압법으로 압축하여 격벽을 형성하거나, 그르부(groove)에 페이스트(paste) 또는 슬러리(slurry)를 매입하여 격벽을 형성시, 격벽 높이/격벽 폭의 비율(aspect ratio)이 크며, 격벽의 미세 및 거시적 결함의 발생 빈도가 낮고, 형광체의 도포가 용이한 특성을 가진 격벽의 형상에 관한 것으로, 격벽 측면이 일정한 각도 범위를 가진 테이퍼 형상을 가지거나, 원호 또는 타원호의 형상을 가지며, 격벽 하부는 테이퍼 또는 원호, 타원호, 사이클로이드 곡선, 지수 함수, 분수함수 등의 형태로 모따기(rounding)된 격벽의 형상에 관한 것이다.- 본 발명의 격벽 형상으로 몰드 프레스법, 롤 가압법 및 그루브 매입법으로 PDP용 격벽을 제조할 경우에는 성형 압력의 감소 및 형상의 균일화가 가능함.- 성형된 격벽이 몰드로부터 이형될 때, 격벽의 파손과 격벽내에 미세 균열의 발생을 억제하는 것이 가능함.- 격벽의 제품 신뢰성을 향상시키고 제품의 수율 향상 및 품질의 균일성을 향상시키는 것이 또한 가능함.- 소결시 소결 응력에 의한 균열의 발생을 억제하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있음.

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대일기업평가원
등록일
2004-05-10
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

샌드블라스팅 식각 속도가 다른 후막을 이용한 플라즈마디스플레이 소자의 후면판 격벽의 제조방

본 기술은 교류형 플라즈마 디스플레이 소자의 후면판 상에 형성된 격벽을 샌드블라스팅 공법을 이용하여 제조함에 있어서, 후막 및 보호막 제조 공정을 단축시켜 생산성 및 생산 수율이 우수한 격벽 제조 방법 및 그의 후막 형성용 조성물에 관한 것이다. 본 기술은 격벽용 후막과 샌드블라스팅 속도가 서로 다른 보호막을 이용하여 격벽을 제조하기 위하여, 유리 분말 및 세라믹 분말과 용매, 분산제, 바인더, 가소제 등을 일정량 함유하는 후막을 적절한 예비 소성(pre-firing) 처리하여 샌드블라스팅 특성을 조절하는 단계, 후막상부에 샌드블라스팅 식각 속도가 상이한 보호막을 스크린 프린팅법으로 형성하는 단계, 샌드블라스팅에 의하여 후막을 격벽 형상으로 식각하는 단계, 형성된 격벽을 소성하는 단계등으로 구성된다.- 플라즈마 디스플레이 후면판상의 격벽 제조 방법은 별도 조성의 보호막과 노광, 현상 등과 같은 별도의 제조 공정이 필요없기 때문에 격벽 제조 장치의 단순화, 형상의 균일화가 가능함.- 조성물로 얻어진 보호막은 소성에 의하여 격벽으로 사용하는 것이 가능하기 때문에 DFR 필름을 이형할 때 발생하는 격벽의 파손과 격벽내에 미세 균열의 발생을 억제하는 것이 가능하여, 격벽의 제품 신뢰성을 향상시키고, 제품의 수율 향상 및 품질의 균일성을 향상시키는 것이 가능함.- 격벽 성형공정은 플라즈마 디스플레이 소자용 후면판의 제조원가를 크게 저감시킬 수 있음.

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대일기업평가원
등록일
2004-05-17
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

플라스마 디스플레이 패널용 격벽의 제조방법 및 그것의장치

본 기술은 페이스트 몰딩법(paste molding)에 의한 격벽의 제조방법 및 장치에 관한 것이다. 본 기술은 격벽의 음각 형상('그루브')이 각인되어 있는 상부 금형을 준비하는 단계, 어드레스 전극과 유전층이 형성되어 있는 유리기재를 하부 금형에 정렬시키고 상기 상부 금형을 닫는 단계, 상부 금형의 그루브와 유리기재 사이에 형성된 미세 모세관내로 격벽재와 열경화성 폴리머 결합제를 포함하고 있는 페이스트를 가압하여 몰딩하는 단계, 유리기재를 내장하고 있는 금형을 가열함으로써 페이스트를 경화시켜 격벽 성형물을 형성하는 단계 및, 격벽 성형물이 형성되어 있는 유리기재를 금형으로부터 이형시키고 이를 소성하여 격벽을 제조하는 단계를 포함하는 것으로 구성된다.- 후면 유리기재상의 어드레스 전극과 격벽간의 정렬을 정밀하게 하는 것이 가능하고, 격벽 성형물이 몰드로부터 이형될 때, 격벽 성형물의 파손과 격벽내에 미세 균열의 발생을 억제할 수 있어서 제품의 수율 향상 및 품질의 균일성을 향상시킴.- 격벽 성형물의 소성시 격벽 하부에 발생하는 소성 응력에 의한 균열의 발생을 미연에 방지하여 제품의 신뢰성을 향상시킴.- 격벽용 페이스트의 사용량을 최소화시켜 환경 오염의 방지는 물론 제품의 제조 원가를 더욱 감소시킴.

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대일기업평가원
등록일
2004-05-17
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

플라즈마 디스플레이 소자의 하면판용 건식 필름 조성물

본 발명은 성형성이 우수하고 성형품의 품질이 우수한 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel: PDP)의 격벽 형성용 조성물 및 그것을 이용한 격벽의 제조방법에 관한 것이다. 본 기술의 플라즈마 표시 소자의 하면판 상에 격벽을 성형하는 방법은, 부피비가 50: 50 내지 95: 5가 되도록 유리분말과 세라믹 분말을 혼합하고, 혼합분말 100 중량부를 기준으로 용매 20 내지 40 중량부, 유기 바인더 2 내지 8 중량부, 가소제 3 내지 12 중량부, 분사제와 윤활제 0.5 내지 2 중량부를 혼합하여 슬러리를 제조하는 단계, 슬러리를 유리 또는 금속 하면판에 5 내지 200㎛로 도포하고 15 내지 60℃에서 30분 내지 24 시간 동안 건조하여 건식필름을 제조하는 단계, 건식 필름을 격벽의 역상이 각인된 몰드로 압축성형하는 단계, 압축 필름을 450 내지 600℃로 30분 내지 2시간 동안 소성하는 단계를 거쳐 플라즈마 디스플레이 소자용 격벽을 제조하게 된다.- 상온에서 평판형 몰드 또는 롤형 몰드로 압축성형하여 소망하는 격벽의 형상을 제조하는 것이 가능하기 때문에 장치의 단순화 및 성형 압력의 감소 및 형상의 균일화가 가능함.- 건식 필름은 적정 강도를 가지기 때문에 몰드로부터 이형될 때, 격벽의 파손과 격벽내에 미세 균열의 발생을 억제하는 것이 가능하여, 격벽의 제품 신뢰성을 향상시키고, 제품의 수율 향상 및 품질의 균일성을 향상시키는 것이 가능함.- 건식 필름을 이용한 격벽 성형공정은 플라즈마 디스플레이 소자용 하면판의 제조원가를 크게 감소시킬 수 있음.

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대일기업평가원
등록일
2004-05-17
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

비정질 실리콘의 결정화 장비

현재 사용되고 있는 반도체 소자의 대면적 공정에 응용하기 위해서 결정화 온도는 유리기판의 변형 온도보다 낮아야 하고 대면적의 균일도가 필요하다, 그러나 기존의 할로겐 램프에 의한 열처리 방법은 대면적 기판에 적용하기 위해서는 열처리 온도의 균일도를 유지하기가 어렵다. 또한 대면적 기판에 적용함에 따른 기판 변형이 문제가 되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 전계를 인가하면서 UN에 의한 열처리로 비정질 실리콘 박막을 급속히 가열하여 결정화 시간을 줄일 수 있다. 또한 대면적 공정에 있어서 기판의 변형을 최소화할 수 있고, 기판의 대형화에 유연하게 대응할 수 있다.본 발명은 비반응성 기체를 이용한 플라즈마를 사용하여 니켈 등의 아주 얇은 전이금속 입자를 비정질 실리콘에 입사 시킨 후, UV를 조사시키면서 전계를 인가하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 장비에 관한 것이다. 금속유도 결정화에 있어서 그 공정과정은 유리등의 절연기판 위에 비정질 실리콘 박막을 증착하고, 상기 비정질 막 위에 질소, 아르곤, 수소 등의 가스를 사용하여 RF 또는 DC 플라즈마를 니켈 등의 결정화를 일으키는 금속으로 노출시킨 후, 전계를 인가하면서 열처리하여 결정화시킨다, 결정화된 박막의 금속 오염을 방지하기 위해서 RF 또는 DC 플라즈마의 세기, 노출시간, 압력 등을 조절하여 금속량을 조절할 수 있다. 본 장비에서는 절연기판 위에 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 스캐닝이 가능한 플라즈마 형성용 금속과 전계를 인가하여 UV 조사에 의해 기판을 가열하여 비정질 실리콘 박막을 결정화한다.

보유기관
경희대학교
등록일
2004-07-15
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

고성능 유량센서 제조기술

반도체용 및 차량용 유체센서에 요구되는 특성으로는 넓은 선형대역폭 및 선형성, 높은 감도, 빠른 반응속도, 경제적인 가격 등으로 구분되는데, 이러한 요구특성을 만족하는 우수한 유체센서를 제조하는 기술을 완성하여 1차적으로 반도체 분야의 적용을 목표로 제품화 완료된 기술

보유기관
한국산업기술진흥원
등록일
2004-06-16
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

오토스테레오그램을 이용한 주파수 영역에서의 워터마크 삽입방법

워터마킹되어질 영상을 오토스테레오그램으로 생성하여 이를 원래의 영상에 삽입함으로써 상기 오토스테레오그램을 통해 다양한 저작권 정보를 은닉시켜 원래의 영상에 워터마킹을 행하는 기술입력영상을 DCT 변환하여 입력영상에 대한 DCT 산출을 계싼하고 워터마킹 되어질 영상에 대한 오토스테레오그램을 생성하여 이를 DCT 변환하여 오토스테레오그램에 대한 DCT 계수를 산출하며 입력영상 DCT 계수와 오토스테레오그램 DCT 계수를 합산하여 입력영상에 오토스테레오 그램을 삽입하고 합산된 DCT 계수를 역 DCT 변환하여 입력영상에 오토스테레오그램을 워터마킹 처리한 영상을 생성하는 기술.영상의 고유성을 인증함으로 소유권을 주장하는데 사용되는 워터마크기술 중에서 인쇄된 영상과 같은 가시적 영상 내에 암호와 같은 영상을 숨기고 소유권 주장시 숨겨진 암호를 보여줌으로써 사본이 원본을 대신하지 못하도록 하는 기술로 사용된다. 또한, 인쇄하려는 문서의 지면에 바탕그림 형태로 워터마크를 수록하여 지정된 지면을 사용하도록 하면문서의 고유성을 확보하게되어 지정된 지면을 사용하지 아니한 문서는 허위문서로 판별할 수 있는 방법을 제공하게 된다.

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(재)충남테크노파크
등록일
2004-09-13
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

코드분할 다중화방식을 이용한 다중 광섬유 브래그 격차센서의 신호처리장치

광원으로 발광다이오드를 사용하고, CDMA 방식을 적용하여 신호처리를 안정화하고 시스템의 구성을 간단하게 한 코드분할 다중화방식을 이용한 다중 광섬유 브래그 격자 센서의 신호처리 장치에 관한 것의사난수의 비트신호를 발생시키는 의사난수 비트 발생기와 발생된 의사난수 비트에 따라 빛을 발하는 발광다이오드와 발생된 빛 신호를 광섬유 브래그 격자센서부에 입력시키고 상기 광섬유 브래그 격자 센서부에서 반사되는 빛신호를 광섬유 브래그 필터에 입력하는 결합기와 연결된 광섬유를 통해 빛신호를 입력받는 광섬유 브래그 격자 센서부와 결합기에서 출력되는 상기 광섬유 브래그 격자 센서부에서 반사되어 결합기를 통해 출력되는 빛신호를 필터링하는 광섬유 브래그 격자 필터부와 출력되는 빛신호를 전기적 신호로 변환하는 광검출기와 상기 의사난수 비트 발생기에서 출력된 의사난수 신호를 지연시키는 지연기와 상기 지연기와 상기 광검출기에서 출력되는 신호를 혼합하는 믹서와 출력되는 신호를 적분하는 적분기로 구성되어 압력에 대하여 측정되는 신호의 선형성을 증가시킬수 있는 기술신호처리장치는 의사난수의 비트신호를 발생시키는 의사난수 비트발생기와; 상기 의사난수 비트 발생기에서 발생된 의사난수 비트에 따라 빛을 발하는 발광다이오드와; 상기 발광다이오드에서 발생된 빛 신호를 광섬유 브래그 격자센서부에 입력시키고 상기 광섬유 브래그 격자 센서부에서 반사되는 빛신호를 광섬유 브래그 필터에 입력하는 결합기와; 상기 결합기에 연결된 광섬유를 통해 빛신호를 입력받는 광섬유 브래그격자 센서부와; 상기 결합기에서 출력되는 상기 광섬유 브래그 격자 센서부에서 반사되어 상기 결합기를 통해 출력되는빛신호를 필터링하는 광섬유 브래그 격자 필터부와; 상기 광섬유 브래그 격자 필터부에서 출력되는 빛신호를 전기적 신호로 변환하는 광검출기와; 상기 의사난수 비트 발생기에서 출력된 의사난수 신호를 지연시키는 지연기와; 상기 지연기와 상기 광검출기에서 출력되는 신호를 혼합하는 믹서와; 상기 믹서에서 출력되는 신호를 적분하는 적분기로 구성

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(재)충남테크노파크
등록일
2004-09-13
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

다층 금속배선 구조의 반도체 집적회로 제조방법

반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것으로, 특히 금속배선공정에서 금속 배선층 간의 절연물질의 유전상수를 최소화하여 저항(R)과 축전용량(C)의 곱(RC)으로 표현되는 지연시간(delay)을 감소시킴으로써 소자의 동작속도를 향상시키기 위한 새로운 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것이다. 종래의 반도체 집적회로에 있어서 금속 배선층간 절연물질은 실리콘 산화막(SiO2 )으로 이의 상대유전상수는 약 3.9의 값을 갖는데 반하여, 본 발명에 의하여 형성되는 금속 배선층간 절연물질은 진공으로 하거나 공기 또는 불활성 기체를 이용하므로 이 경우 상대유전상수는 자연에서존재하는 최소 값인 1.0 또는 이에 근접한 값을 갖게 되어 약 4배의 정보처리 속도 향상 효과를 가져온다. 본 발명에 의한 반도체 집적회로 내의 금속 배선층 형성공정에 있어서 층간 절연층의 형성은 금속 배선층 사이에 바나듐 금속을 먼저 형성한 다음에 과산화수소(H2 O2 )를 이용하여 바나듐 금속을 용해하여 제거하는 단계를 거치게 된다. 다른 방법으로는 바나듐 산화막(V2 O5 )을 형성한 다음에 수증기(H2 O)를 이용하여 바나듐 금속을 용해시켜 제거배선 층간의 상대유전상수가 1.0으로 최소화되고, 이에 따라 집적회로의 정보전달 속도와 잡음마진이 크게 향상된다. 유전상수가 최소화되므로 배선층간의 유전상수에 대한 연구는 해결되며, 소자의 속도는 종래의 실리콘 산화막에 비하여 약 4배의 개선 효과가 있다.이상의 공정에서 사용되는 공정은 모두 이미 반도체 공정을 통하여 검증된 방법이므로 어려움이 없으며, 특히 과산화수소와 수증기를 이용한 공정은 다른 재료를 이용한 경우보다 이하며 집적회로 내의 주변물질과 반응을 일으키지 않아보다 신뢰성 있는 방법

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(재)충남테크노파크
등록일
2004-09-13
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

개선된 열화특성을 갖는 플라즈마 디스플레이용 청색 형광체의 제조방법

본 기술은 BAM:Eu2+ 의 청색 형광체를 후 열처리 과정을 개선함으로써 열화특성 및 발광특성을 개선시킬 수 있는 방법에 관한 것이다. 분무 열분해공정, 액상공정 및 고상법으로 제조된 BAM:Eu2+를 고온 환원처리 전에 약 200 - 1000 ℃에서 10-1 torr 이하의 진공 하에서 전처리한 후 수소/질소 혼합가스를 이용하여 1300 - 1500 ℃에서 열처리 해 줌으로써 열화특성 및 광특성을 개선시키는 방법으로 BAM 계 청색형광체의 열화에 주원인으로 여겨진 격자 내부에 존재할 수 있는 물 분자를 진공하에서 고온 탈착시킨 후 환원처리 함으로서 열화특성과 휘도가 개선 된 청색 형광체를 제조할 수 있다. 본 기술에서 개발한 제조공정은 개선된 발광특성을 가질 뿐만 아니라 열처리에 따른 색좌표 변화도 일어나지 않는 우수한 PDP용 청색형광체를 제조할 수 있는 방법을 제공한다.본 기술은 형광체 합성과정에서 반드시 거치게 되는 후 열처리 공정을 개선시켜 PDP용 청색 형광체의 발광특성을 개선시키며 특별히 큰 장치를 요하지 않는 형광체 열처리 방법으로는 그 효과가 우수하다

등록일
2004-09-30
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

반도체 공정 배출 PFC의 촉매식 분해 처리기술

반도체나 LCD같은 display 소재 제조공정으로부터의 배출가스 중 식각(etching) 및 증착(CVD) 공정에 사용되는 함불소 화합물인 PFC(Perfluorocompound)가 차지하는 비중이 크며, 높은 안전성 및 높은 지구온난화 지수로 인하여 환경적 문제가 되고 있다. PFC 가스는 매우 안정한 매우 안정한 물질로서, 직접 열분해시 1200oC 이상의 고온을 필요로 하며, 분해시 발생하는 반응성이 강한 HF에 의하여 scrubber의 내구성 확보가 용이하지 않고 안전성에 문제가 있는데, 본 기술은 보다 온화한 조건에서 PFC를 효과적으로 분해, 처리할 수 있게 한다. 본 기술은 폐가스 중의 과불화화합물 분해제거용 촉매와 이를 이용한 폐가스중의 과불화화합물 분해제거 방법에 관한 것으로서, 알루미늄산화물의 표면에 인(P) 성분을 알루미늄/인(Al/P)의 몰비 10 ~ 100로 담지시켜 과불화화합물(Perfluoro compound; PFC) 분해제거용 촉매를 제조하고, 촉매를 이용하여 반도체 제조 산업에서 발생한 폐가스를 처리함으로써 폐가스 속에 포함된 PFC를 100%의 분해하여 지구 온난화 가스인 과불화화합물이 대기중으로 방출되는 것을 방지할 수 있는 폐가스 중의 과불화화합물 분해제거용 촉매와 이를 이용한 폐가스중의 과불화화합물 분해제거 방법에 관한 것이다. PFC 가스들은 매우 안정하여, 열분해를 위하여 1,200oC 이상의 고온을 요하기 때문에 직접 버너를 사용하여 연소하는 연소식 분해법이 적용되어 왔다. 그러나 분해온도가 너무 높아 내구성이 떨어질 뿐만 아니라 분해 시에 질소산화물, 오존 등의 2차 오염물질들이 발생하는 근원적 문제점을 내보하는데 반하여, 본 기술에서는 촉매식 분해법을 적용하여 800oC 이하의 저온에서 2차오염물질(질소산화물, 오존 등) 발생 없이 분해가 가능하도록 할 수 있다. 본 기술에 따르면 CF4, C2F6, C3F8, C4F8, NF3 등의 PFC 성분이 99% 이상의 효율로 분해 제거될 수 있으며 개발된 촉매는 1개월 이상의 장시간 사용에도 불구하고 활성이 지속적으로 유지된다 . 본 기술을 바탕으로, 분해 생성된 산성의 배출물을 고체 흡착제를 사용하여 고체형태로 흡착제거하는 소각-고형화(Burn-Dry) 방식의 세정기의 개발도 가능하다.

등록일
2004-09-30
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반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막의 제조방법

본 기술은 특정 원료기체를 사용하여 원자층 화학증착법에 의해 반도체 소자용 금속 실리케이트 게이트 절연막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 저온 증착이 가능하고 절연막의 조성 조절이 용이하다. 최근의 반도체 기술이 초고집적화되면서 기억소자 셀이 차지하는 면적이 감소함에 따라 정전용량이 작아져서 소자로서의 한계에 도달하게 되었다. 이 경우, 게이트 절연막의 두께를 줄여 정전용량을 증가시킬 수는 있으나 기존에 사용되던 실리콘 게이트 산화막의 경우 채널 전계 증가로 인한 핫 캐리어 효과의 증가, 산화막에 인가되는 수진 전계의 증가로 인한 계면 트랩의 농도 증가 및 누설전류의 증가 등의 문제점들이 나타난다.최근의 반도체 기술의 한계를 극복하기 위하여 유전상수가 크고 누설전류와 계면상태 밀도가 적은 게이트 절연막 유전재료의 연구가 활발히 진행되고 있다. 이들 중 특히 실리케이트는 박막에 실리콘 원소를 함유하고, 결정상이 안정하여 고온에서 열처리하여도 그 상이 변하지 않고 높은 유전율을 가지고 있어 새로운 유전재료로서의 가능성이 유력시되고 있다. 금속 실리케이트를 증착하는데 있어서는 유기금속화합물로부터의 박막내 탄소의 함입과 무기화합물로부터의 염소의 부식 및 함입 등의 문제가 부각되고 있다. 탄소는 박막 내에서 트랩으로 작용하고 박막의 균일도를 떨어뜨려 소자 형성시 계면상태 밀도나 누설전류를 증가시키기 때문에 게이트 절연막의 성능을 떨어뜨리는 주요한 인자가 된다.

등록일
2004-09-30
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경박 단소형 병렬 XYθ Table

반도체 및 정밀부품들을 검사하기 위해서는 원하는 위치에 정밀하게이동시키는 작업이 필수적이다. 기존의 테이블은 XYθ의 자유도를 가지며 서로 독립적으로 구동하는 이송부를 3단으로 적층한 형태로 구성되어 있다. 이 테이블은 2차원 정밀위치 결정장치로써 고가이면서 하중이 무겁고 차지하는 공간이 크다는 단점이 있다. 정밀 위치 결정의 경우 ±3mm의 정도가 되는 작은 영역에서 ±1㎛ 고정밀 위치제어가 요구되는 경우 적용의 어려움이 발생한다. 이것을 해결하기 위하여 XYθ의 자유도를 갖도록 전동 리니어 액추에이터 3개를 제작하여 단일 평면상에 수평 방향으로 한 개, 수직 방향으로 두 개를 설치하여 경박 단소한 병렬 XYθ 테이블을 제작하였다. 병렬 XYθ 테이블에 정밀위치 결정이 요구되는 "+"마크가 새겨진 부품을 올려놓고 2대의 CCD 카메라를 이용하여 원하는 위치로 이동할 수 있도록 구현하였다. 그 결과 기존 테이블에서 적용이 어려웠던 기존 테이블에 비해 차지하는 공간이 작아지는 동시에 높이가 대략 ¼이상 줄었다. 또한 제작비가 저렴하다는 큰 장점이 있었다.본 기술은 LCD 검사, 전자부품 정밀 위치 결정용으로 사용되며정밀 이송 및 자세 결정 시스템에도 사용된다. 본 기술은 시스템이 경박 단소하기 때문에 장착의 용이성과 저가의 시스템 구축이 용이하다는 장점이 있으나 2차원 정밀위치 결정장치로써 고가이면서 하중이 무겁고 차지하는 공간이 크다는 단점이 있다. 고가의 선진 외국의 정밀 XYθTable 수입 대체 효과가 있을것으로 본다.

보유기관
한국산업기술진흥원
등록일
2004-10-28
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반도체 기판의 박막 제거용 식각장치

본 기술은 불화수소물을 사용한 증기상 공정에서 주요 부품의 부식에 의한 내구성 저하를 방지하는 반도체 기판의 박막 제거용 식각장치에 관한 것이다.본 기술에 의하여 새롭게 제안된 불화수소를 사용한 산화막 건식식각 장치 및 공정법에 의해서 종래의 장치 및 공정법이 갖는 문제점들이 개선되는 바, 내식성이 우수한 알루미나를 반응기 재질로 사용하고, 공정가스 중 불화수소와 증기를 이중관을 사용하여 완전히 분리하여 도입하고, 반응 후 잔여 가스가 산화막으로 구성된 트랩을 통과하도록 함으로써 금속재료의 부식 문제를 해결한다.

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한국산업기술진흥원
등록일
2004-10-28
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반도체 패키지의 세척 장치

본 기술은 반도체 패키지와 같은 소형 전자부품의 BGA 공정에서 발생하는 플럭스 등의 이물질을 세척하는 장치에 관한 것이다.본 기술은 인체에 무해한 초음파로써 이물질을 세척하므로 작업환경을 개선할 수 있고, 콘베이어벨트가 초음파 세척부를 통과할 수 있도록 구조 개선함으로써 연속적인 세척작업을 수행할 수 있어 공정효율을 향상시킬 수 있으며, 특히 콘베이어벨트의 구조를 개선하여 작은 제품도 낙하시킴없이 안정되게 세척할 수 있다.

보유기관
한국산업기술진흥원
등록일
2004-10-28
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반도체Binding용Tool(Capillary) 생산기술

반도체 공정중 Wire Bonding 공정에 사용되는 Bonding Tool로서 세라믹으로 제조되며, 금번 세라믹 정밀가공기술과 생산설비 일체를 개발하므로 세라믹 정밀가동기술 능력확보와 부품생산용 설비를 개발할 수 있다.본 기술은반도체 Wire Bonding용 Tool 가공 및 기타 세라믹 관련 미세가공품 제작과엔진부품의 가공기술력을 확보할수 있을 것이고 타 산업에 파급효과가 지대(세라믹 가공기술) 할 것으로 보인다.

보유기관
한국산업기술진흥원
등록일
2004-10-28
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

TFT Image Sensor

본 기술은 비정질 실리콘의 높은 광 감도를 이용해, 유리기판 위에 증착하여 만든 광센서로 광학 및 보조장치들을 필요로 하지 않아 가격 및 크기에 큰 경쟁력을 가지고 있다. 기존의 CCD 타입은 보통 Linear Type의 센서이며, CMOS는 면적을 스캔하는 센서이기는 하나, 그 크기에 규제를 많이 받고 있다. 하지만, 본 센서는 Glass 위에 TFT-LCD 라인에 의해 생산이 되어져 면적에 구애받지 않는 센서 Array를 제작할 수 있다. 이러한 생산 양식은 얇고 넓으며 렌즈나 구동 모터 등이 필요치 않은 박막 트랜지스터형 광센서를 제작 가능하게 한다.- 센서 Array를 구성하는 각 단위 Cell 중심의 투명 창을 통해 빛을 통과시킨다. - 각 단위 Cell의 센서부는 대상체에서 반사된 빛에 반응을 하게 된다. - 대상체의 명암차이로 인해 전류 발생량이 다르게 되며, 이러한 차이를 전압으로 변경하여 이미지화 하게 된다. - 감광성을 최대화하기 위해 Photo-Sensor와 Document간의 거리가 최소화 될수 있도록 설계가 되어져 있다. 현재 박막 트랜지스터형 광센서를 사용한 스캐닝장치는 출시되어있지 않으며 반도체 센서를 사용한 제품들이 출시되어있다. 그 중 명함인식기의 경우, 여러 회사에서 제품을 생산하고 있으나, 제품에 거울이나 프리즘과 같은 광학기기 사용으로 두께와 무게가 증가하여 휴대용으로 사용하기에는 무리가 있다. 우리가 제안하고 있는 양면스캐너는 양면을 스캐닝 하면서도 기존스캐너보다 슬림하여 1cm이하의 얇은 두께의 제품을 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 그 무게 또한 기존 스캐너보다 가볍다. 기존 스캐너에 대한 또 다른 경쟁우위들은, 본 스캐너가 총 면적을 같은 시간에 스캔하는 area 형태인데 반해 기존 스캐너의 경우 스캔 대상물을 따라 linear 형태로 스캔을 하기 때문에, 속도 또한 본 스캐너가 상대적으로 빠를 수밖에 없으며, 대상물의 왜곡도 거의 없다. 뿐만 아니라 기존 스캐너와 같이 전압구동 방식의 변환기를 사용하지 않아 칩면적이 작아졌고 전력소비가 적어 휴대용 기기에 매우 적합하다.

보유기관
JSCNI
등록일
2004-11-12
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