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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄갈륨비소막(2)을 증착하는 단계와; 상기 증착된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 식각마스크로 하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부를 식각하여 V자형 홈을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자형 홈의 좌우측 알루미늄갈륨비소막(2)을 산화하여 산화알루미늄막(4)으로 변환하는 단계와; 상기 V자형 홈이 형성된 갈륨비소기판(1)과 그 상부의 산화알루미늄막(4)의 상부전면에 유기금속 화학증착법을 사용하는 갈륨비소에피층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비속막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0.9 내지 1인 알루미늄갈륨비소를 사용하여 상기 갈륨비소기판(1)의 상부에 0.05내지 0.5㎛의 두께로 증착하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.4. 제 1항에 있어서, V자형 홈의 형성단계는 일정비율의 H2SO4:H2O2:H2O용액을 사용하는 습식식각 방법을 이용하여, 상기 알루미늄갈륨비소막(2)및 갈륨비소기판(1)의 일부까지(011)방향으로 식각하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.5. 제 1항에 있어서, 유기금속 화합증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 사용하고, 총 유량은 분당 5또는 8리터로 하며, 3족 유기금속 원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하고, 5족 유기금속 원료는 비소개스를 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl4 또는 CBr4를 특정공정조건에서 주입하여, CCl4 또는 CBr4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.1. 기판의 상부에 특정 형태의 홈을 형성하고, 그 기판의 상부에 단차를 갖는 알루미늄갈륨비소를 증착한 후, 그 단차의 측면에 유기금속화학증착법을 사용하여 갈륨비소 에피층을 성장시키는 양자세선 제조방법에 있어서, 상기 갈륨비소 에피층 성장시 농도의 비에 따라 갈륨비소의 성장률을 변화시키는 성장제어 화합물을 주입하고, 5족원소와 3족원소를 혼합하여 주입하며, 특정 성장온도분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 성장제어 화합물은 CCl4또는 CBr4인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 성장온도는 600내지 700℃인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가진 발광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300μm) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO2)이나 실리콘질화박막(Si3N4)의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 잇는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.곁국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광건소자의 광전변판 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방진할 수 있는 염解있다.1.갈륨비소(GaAs)기판위에 에피층을 증착하는 제1공정과, 포토레지tm트 이용한 사진 식각(Photolithography)방법으로 상기 에피층의 식각 될 부분을 정의하는 제2공정과, 상기 에피층을 식각하여 박막 마스크를 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제 4공정과, 상기 박막 마스크를 이용하여 반구형 에피층을 형성하는 제 5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 장전 소자용 반구형 구조의 제조방법.2.제 1항에 있어서, 상기 에피층은 실리론산화박막(SiO₂)을 1000~1500Å성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.3.제 1항에 있어서, 상기 에피층은 실리콘질파박막(Si₃N₄)을 1000~1500Å성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.4.제 1항에 있어서, 상기 반구형 에피층은 AlGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효울 공전호사용 반구형 구조의 제조방법.5. 제 1항에 있어서, 상기 반구형 에피층은 InGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광건노자용 반구형 구조의 제조방법.6.제2항 내지 제5항에 있어서, 상기 에피층 및 반구형 에피층은 유기금속 화학기상증착법(Metalorganic chemical vpor deposition, MOCVD)으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.7.제 1항에 있어서, 상기 박막 마스크의 모양과 폭을 조정하여 반구형 에피층의 수직 성잘률을 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점 구조를 형성하고 그 양자점 구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지 않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄 갈륨비소막(3)및 갈륨비소막(2)를 다층으로 증착한 후, 피엠엠에이(Poly Methyl Methacrylate, 4)를 상기 형성된 다층구조의 최상층인 갈륨비소막(3)의 상부에 증착하고, 그 피엠엠에이(4)를 이온주입 마스크로 하여 아연 또는 실리콘이온을 주입하여, 상기 아연 또는 실리콘이온이 주입되는 부분을 알루미늄갈륨비소막(3)으로 변형시키는 단계와;상기 공정 후 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(2)가 양자구조로 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 열처리하여 상기 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄 갈륨비소(3)의 격자를 무질서하게 함으로써, 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(3)가 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 수직방향으로 벽개하는 단계와;상기 벽개한 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(3)가 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 상기 알루미늄갈륨비소(3)를 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소 또는 산화알루미늄(5)을 형성하는 단계와; 상기 산화알루미늄갈륨비소(5)를 선택적 성장마스크로 사용하는 유기금속화학증착법(MOCVD)을 사용하여 알루미늄갈륨비소막과 갈륨비소막을 반복적으로 성장시켜 갈륨비소(2)의 위에 양자점을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.2.제 1항에 있어서, 상기 벽개한 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(3)을 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소막(5)을 형성하는 방법은 그 벽개한 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 약95℃의 수증기가 포함된 고순도 질소개스를 반응로 온도 450℃의 분위기에서 1시간동안 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.3. 제 1항에 있어서, 갈륨비소막(2)에 고밀도 양자점을 형성시키는 방법은 유기금속화학증착법을 이용하여 상기 갈륨비소막(2)에 그 알루미늄의 몰비가 0.1내지 0.5인 알루미늄갈륨비소막과 갈륨비소막을 순차 반복적으로 성장시켜 고밀도 양자점을 형성시키는 것을특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.4. 제1항 또는 제3항에 있어서 유기금속 화학증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 하고, 총 유량은 분당 5내지 8리터로 하며, 3족 유기금속원소는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원소로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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PECVD와 같이 플라즈마상태속에서 반도체등의 기판표면에 금속을 증착할 경우 플라즈마의 간섭현상, 금속박막에 의한표면반사도변화등에 의해서 PYROMETER, 열전대등으로 기판의 온도를 정확히 알아내기 어렵다. 본특허는 기판에 열전대를 삽입할 수 있는 최적의 구멍을 뚫어서 그안에 열전대를 매몰시켜서 플라즈마 및 금속증착과정에 상관 없이 기판의표면온도를 측정할 수 있도록 구성된 기구이다.1. 반응기(1)내부에 확산전극(2)과 열선(3)으로 가열되는 열판(4)이 구비된 플라즈마 화학증착장치에 있어서, 증착용 실리콘웨이퍼(5)와 함께 표면에 홈(5a′)(5a″)이 형성된 두개의 측정용 실리콘웨이퍼(5)(5′)를 열판(4)상에 위치시킨 상태에서 고주파전자기장 차단을 위한 보호용판(6)(6′)관으로 둘러싸인 열전대(7)(7′)를 상기 측정용 실리콘웨이퍼(5′)(5″)의 홈(5a′)(5a″)에 직접 삽입하는 한편 반응기(1의 외측으로 연장된 보호용관(5)(6′)을 접지시켜 증착용 실리콘 웨이퍼(5)의 표면온도를 측정하도록 구성됨을 특징으로 하는 텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선 택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아본드막의 성장 방법.1. Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.2. (100) Si 기판 상에, <100> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드 (100) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 (100) 다이아몬드면으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.3. (111) Si 기판 상에, <111> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드(111) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 (111) 다이아몬드만으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
본 발명에 의한 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치는, 드라이브 코일과; 상기 드라이브 코일과 대향되도록, 상기 드라이브 코일과 소정 간격 이격된 지점에 배치된 검출 코일과; 상기 검출 코일을 사이에 두고 그 좌/우측 상단에 배치된 시편 홀더와; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 시편 홀더 상에 부착된 대면적 저온초전도체 박막 및; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 대면적 저온초전도체 박막 상에 부착된 대면적 고온초전도체 박막으로 이루어져, 1) 쌍코일 장치의 영점조정과 시편 박막인 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리(magnetic penetration depth) λ의 절대 크기를 단일한 측정에서 이룰 수 있게 되어 영점조정시 발생되는 기계적인 문제점을 해결할 수 있고, 2) 드라이브 코일을, 대면적 고온초전도체 박막에 근접된 바텀 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수가 이와 역 방향으로 탑 섹션에 감겨져 있는 코일의 회전수보다 더 많은 구조를 가지도록 제작해 주므로써, 박막 가장자리에서의 Js를 제거할 수 있게 된다.1. 드라이브 코일과; 상기 드라이브 코일과 대향되도록, 상기 드라이브 코일과 소정 간격 이격된 지점에 배치된 검출 코일과; 상기 검출 코일을 사이에 두고 그 좌/우측 상단에 배치된 시편 홀더와; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 시편 홀더 상에 부착된 대면적 저온초전도체 박막 및; 상기 드라이브 코일과 검출 코일 사이의, 상기 대면적 저온초전도체 박막 상에 부착된 대면적 고온초전도체 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 납이나 나이오븀, 또는 상기 대면적 고온초전도체 박막보다 낮은 전이온도를 갖는 고온초전도체 물질 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.3. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 동 물질이 초전도 상태에서 가지는 자기장 침투거리 ...보다는 5배이상 크고, 동 물질이 정상 금속 상태일 때 가지는 스킨 뎁쓰보다는 1/10-0이하의 크기를 가지도록, 그 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.4. 제 1항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 그 표면에 포토레지스트가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.5. 제 1항에 있어서, 상기 시편 홀더는 플렉시그라스와 같은 부도체 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.6. 제 1항에 있어서, 교류자기장 대신 직류자기장을 사용할 경우, 상기 검출 코일 대신 스퀴드 센서가 장착되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.7. 제 6항에 있어서, 상기 대면적 저온초전도체 박막은 동 물질이 초전도 상태에서 가지는 자기장 침투거리...보다 5배이상 큰 크기로, 그 두께가 결정되는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.8. 제 6항에 있어서, 상기 시편 홀더는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.9. 제 1항에 있어서, 상기 드라이브 코일은 쌍극자 코일 성분과 사중극자 코일 성분이 중첩되도록 연결된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.10. 제 9항에 있어서, 상기 드라이브 코일은 대면적 고온초전도체 박막에 근접된 바텀 섹션에 감겨지는 코일의 회전수보다 이와 역방향으로 탑 섹션에 감겨지는 코일의 회전수가 더 적은 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.11. 제 6항에 있어서, 상기 스퀴드 센서는 스캐닝 가능하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 대면적 고온초전도체 박막의 자기장 침투거리 절대값 측정을 위한 쌍코일 장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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[구성]본 발명은 CoxCryPzMw(식 중, M은 백금 또는 니켈임)의 코발트(Co)계 고밀도 자기 기록용 박막 재료 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 재료는 코발트계 합금 박막에 인(P)을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 및 Co-Cr-P-Ni 합금 박막으로서, 보자력과 각형비가 높으며, 이러한 우수한 자기적 특성으로 인하여 고밀도 자기 기록에 유리하다.본 발명은 새로운 조성의 코발트(Co)계 고밀도 자기 기록용 박막 재료 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 더 상세히 설명하자면, 본 발명은 코발트계 합금 박막에 인(P)을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 및 Co-Cr-P-Ni 합금 박막에 관한 것으로, 이에 의하여 높은 보자력과 각형비를 얻을 수 있으며, 이러한 자기적 특성은 고밀도 자기 기록에 있어서 유리한 특성이다.최근, 컴퓨터 하드 디스크나 VTR 등의 자기 기록 및 재생 장치 분야에서 기록 신호의 고밀도화가 추진되고 있다. 기록 밀도를 높이기 위해서 기록 매체의 고보자력화와 동시에 초박막화가 요구되고 있으며, 또한 신호 대 잡음비를 높이는 방안도 추진되고 있다.기존의 자기 기록용 박막 재료로는 코발트계 합금이 가장 많이 사용되고 있는데, 하드 디스크용 자성 박막으로는 Co-Cr-Ta계가 현재 가장 많이 쓰이는 합금이다. 이 박막의 보자력을 증가시키는 방법으로는 기판의 온도를 200℃ 이상으로 가열한 후에 스파터링(sputtering)시키거나 증착시키는 방법과, 스파터링이나 증착시에 기판에 바이어스(bias)를 가하는 방법등이 사용되고 있다. 그러나, 이 조성의 박막으로 얻을 수 있는 보자력은 기판 가열 시에는 1600 Oe, 기판을 가열하고 바이어스를 가할 경우에도 최대 1800 Oe 정도에 불과하다.이러한 박막의 보자력 향상 방법은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. 우선 기판 가열 방식은 Al 기판을 사용했을 경우에는 가열에 의해 기판이 흰다거나 비정질 Ni-P층이 결정화될 우려가 있어서 온도를 올리는 데 한계가 있다. 한편, 기판바이어스 방식을 적용하기 위해서는 기판이 반드시 전기를 통할 수 있는 전기 전도체이어야 하기 때문에, 기판의 선택이자유롭지 못하다. 최근, 고밀도 자기 기록용 하드 디스크용 기판으로 사용되는 재료로는 유리 또는 세라믹 기판이 가장유리한 것으로 알려져 있는데, 이들은 모두 전기적으로 부도체이어서 기판 바이어스 방식을 적용하여 고보자력을 얻어내기는 곤란하다. 기록 밀도를 높이기 위해서는 잔류자속 밀도 x 자성층 두계(Mr·t)를 줄임에 따라 예상되는 재생 신호의약화를 보상하기 위해서 헤드와 매체 간의 거리를 감소시키려는 추세인데, 이때 기판의 편평도가 매우 중요하다. 따라서,편평도 유지 면에서 Al 합금보다 양호한 유리 또는 세라믹 소재의 기판이 채택될 전망이다. 뿐만 아니라 사용되는 Al 합금 디스크의 두께도 점점 얇아지는 경향인데, 이 때문에 가열시에 휘어질 가능성이 더 커진다.본 발명의 목적은 위와 같은 종래의 재료들이 안고 있는 문제점을 해결하기 위해서 제조 방법이 간단하면서돈 자기적 특성이 우수한 새로운 조성의 코발트계 박막 합금을 제공하는 데 있다.본 발명자들은 전술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 예의 연구 검토한 결과, 코발트계 합금에 인을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 또는 Co-Cr-P-Ni 합금으로 스파터링 증착하여 박막을 형성하면 기판 가열 없이도 고보자력을 얻을 수 있고, 또한 Al 합금 디스크를 기판으로 사용할 경우 뿐만 아니라 유리 등을 기판으로 사용할 경우에도 유리하다는 것을 발견하였다본 발명은 새로운 조성의 코발트(Co)계 고밀도 자기 기록용 박막 재료 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 더 상세히 설명하자면, 본 발명은 코발트계 합금 박막에 인(P)을 첨가한 Co-Cr-P-Pt 및 Co-Cr-P-Ni 합금 박막에 관한 것으로, 이에 의하여 높은 보자력과 각형비를 얻을 수 있으며, 이러한 자기적 특성은 고밀도 자기 기록에 있어서 유리한 특성이다.최근, 컴퓨터 하드 디스크나 VTR 등의 자기 기록 및 재생 장치 분야에서 기록 신호의 고밀도화가 추진되고 있다. 기록 밀도를 높이기 위해서 기록 매체의 고보자력화와 동시에 초박막화가 요구되고 있으며, 또한 신호 대 잡음비를 높이는 방안도 추진되고 있다.기존의 자기 기록용 박막 재료로는 코발트계 합금이 가장 많이 사용되고 있는데, 하드 디스크용 자성 박막으로는 Co-Cr-Ta계가 현재 가장 많이 쓰이는 합금이다. 이 박막의 보자력을 증가시키는 방법으로는 기판의 온도를 200℃ 이상으로 가열한 후에 스파터링(sputtering)시키거나 증착시키는 방법과, 스파터링이나 증착시에 기판에 바이어스(bias)를 가하는 방법등이 사용되고 있다. 그러나, 이 조성의 박막으로 얻을 수 있는 보자력은 기판 가열 시에는 1600 Oe, 기판을 가열하고 바이어스를 가할 경우에도 최대 1800 Oe 정도에 불과하다.이러한 박막의 보자력 향상 방법은 다음과 같은 문제점을 가지고 있다. 우선 기판 가열 방식은 Al 기판을 사용했을 경우에는 가열에 의해 기판이 흰다거나 비정질 Ni-P층이 결정화될 우려가 있어서 온도를 올리는 데 한계가 있다. 한편, 기판바이어스 방식을 적용하기 위해서는 기판이 반드시 전기를 통할 수 있는 전기 전도체이어야 하기 때문에, 기판의
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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고주파용 연자성 다층박막의 제조방법에 대하여 개시된다. 기판 상부에 Fe 및 CoNbZr과 같은 미세결정구조를 갖는 박막을 교대로 적층시키는 다층박막 제조 방법에 있어서, 상기 다층박막 제조시 분위기 가스로 수소 및 아르곤의 혼합가스을 사용하여 연자기적 특성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 고주파용 연자성 다층박막의 제조 방법을 제공하여 높은 포화자속밀도를 지니며 고밀도의 기록 및 재생, 높은 데이터 전송에 대응하기 위하여 고주파수 대역에서도 큰 투자율을 유지할 수 있는 자기헤드, 센서, 변압기 또는 인덕터 재료로서, Fe계 다층 박막의 미세구조를 보다 바람직하게 조절할 수 있는 방법을 제공할 수 있다.본 기술은 높은 포화자속밀도를 지니며 고밀도의 기록 및 재생, 높은 데이터 전송에 대응하기 위하여 고주파수 대역에서도 큰 투자율을 유지할 수 있는 자기헤드, 센서, 변압기 또는 인덕터 재료로서, Fe계 박막의 미세구조를 보다 바람직하게 조절할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
- 보유기관
- 한국산업은행
- 등록일
- 2001-04-30
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정보 기록용 자기기록 장치에 있어서 정보 저장 수단으로 사용되는 FePt 박막에 Zr을 첨가하여 정보 저장 밀도를 높인 정보기록용 자기 기록 장치의 저장매체 재료에 관한 것이다. 정보를 기록하는 정보 기록 수단 및 상기 정보 기록 수단에 의해 정보가 자기적으로 기록되는 정보 저장 수단으로 이루어진 자기 기록 장치에 있어서, 상기 정보 저장 수단은 FePt-Zr 박막층을 포함한 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체를 제공하여, 종래의 FePt를 사용한 경우와 비교하여 높은 보자력의 작은 결정립 크기를 지닌 정보 저장 매체를 얻을 수 있으며, 따라서 정보 저장 매체에 있어서 정보 저장 밀도 및 S/N 비를 크게 향상시킬 수 있다높은 결정자기이방성으로 인한 열적 안정성 측면에서 초고밀도 정보기록용 자기 기록 매체로 주목받고 있는 재료가 규칙화 구조의 FePt 박막이다. 이러한 FePt 박막은 상기에서 서술한 바와 같이, 박막을 형성시킨 후 열처리를 하는 경우, 보자력이 증가하는 장점은 있으나, 반대로 단위 입자의 크기가 커지는 경향이 있어서, 열처리의 조건이 중요한 문제이며, 보자력 및 단위 입자의 크기를 동시에 향상시키기 어려운 문제점이 있다. 본 기술은 상기 문제점을 해결하기 위하여 정보 기록용 자기 매체의 재료로 사용되는 FePt 박막의 열처리시 상대적으로 낮은 열처리 온도와 짧은 열처리 사간으로 보자력이 증가되면서 결정의 크기의 증가를 막을 수 있는 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
- 보유기관
- 한국산업은행
- 등록일
- 2001-05-09
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본 기술은 전자제품의 모드 판별 장치 관한 것이다.본 기술은 전자제품의 용도 및 기능에 따라 설정되는 여러 가지 모드를 판별하는 장치에 있어서, 상면 한쪽에 포스트가 조립되고, 상 기 포스트의 한쪽에 조립구멍이 형성되는 베이스와; 상기 베이스의 포스트에 회전되도록 장착되며, 하면에 광신호가 반사/무반사 되게 제1 내지 제5반사면이 서로 일정 각도 떨어져 동일 직경으로 이루어지는 제1 내지 제5그루브를 갖도록 각각 형성되도록 메인 로우터와; 상기 메인 로우터의 하부로부터 일정 거리 떨어져 상기 베이스의 조립구멍에 설치되고, 상기 메인 로우터의 하면에 광신호를 발광하여 주사하는 발광 부와, 상기 발광부의 광신호가 상기 제1 내지 제5반사면과 상기 제1 내지 제5그루브의 반사/무반사 작용에 의한 아날로그 신호로 모드가 검출되도록 수광부를 갖는 광 센서를 포함하는 전자제품의 모드 판별 장치.본 기술은 기구적으로 단순한 구성에 의해 전자제품의 모드가 용이하게 판별되므로, 조립 부품수가 감소되어 제품의 생산비용이 절감될 뿐만 아니라, 조립 공정 및 시간이 크게 감소되어 제품의 조립성이 향상되는 것이다, 또한 메인 로우터와 광센서의 기구적인 오동작이 개선되어 제품의 신뢰성이 현저히 향상되는 것이다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-23
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본 기술은 수 ㎂의 문턱전류로 동작하는 삼차원 위스퍼링 갤러리 광양자테 레이저 다이오우드와 그 어레이 및 광양자테 레이저 다이오우드 제조방법에 관한 것이다.기존의 수직 공동 표면 방출형 레이저는 누설되는 열로 인해 소자간 거리가 적어도 200㎛ 이상이어야 하는데, 그렇지 않은 경우 예를 들어 소자의 직경이 10㎛이고, 소자간 거리가 직경의 3배인 30㎛이며, 집적도가 11×11인 경우 누설되는 열로 인해 온도가 상승된다는 문제가 있었다.반면, 본 기술에서는 레이저의 출력 파장이 온도에 대하여 비교적 안정된 T1/2 특성을 갖고, 그 문턱 전류가 소자의 직경(Φ)에 대하여 Φ2의 관계를 가져서 서브 ㎂ 내지 수 ㎂의 극소 전류만으로 동작할 수 있도록 구현할 수 있다본 기술에 의한 광양자테 레이저 다이오우드는 n형 다중층 분산형 브랙 반사기와 p형 다중층 분산형 브랙 반사기 사이에 끼워져서, 수직축 방향에 대한 경사각의 함수로 표현되는 일정한 범위 내의 다수 개의 파장을 갖는 빛을 그 테두리를 따라 발진시키는 활성 영역과 보다 큰 굴절율을 갖고 활성 영역을 둘러싸면서 발진된 빛을 투과시키되, 빛은 등평면 환형 레일리 구속 조건에 의해 구속되는 피복층 및 수직 공동 표면 방출형 레이저의 서로 연결된 고리형 상부 전극과는 달리, 활성 영역에서 3차원 발진이 보여지고 감지될 수 있도록 형성된 스트립형 또는 분리형 상부 전극을 포함하여 구성되어 있다.본 기술에 의한 광양자테 레이저 다이오우드의 제조방법은 수직축 방향에 대한 경사각의 함수로 표현되는 일정한 범위 내의 다수 개 파장의 빛을 그 테두리를 따라 발진시키는 활성 영역을 n형 다중층 분산형 브랙 반사기와 p형 다중층 분산형 브랙 반사기 사이에 끼워진 구조로 기판 위에 에피 침착시키는 제1과정, 건식 에칭법을 사용하여 원통형 메사를 형성하는 제2과정, 등평면 환형 레일리 구속 조건에 의해 구속되면서 발진된 빛이 투과되도록 폴리이미드 평탄화 과정을 사용하여 보다 큰 굴절율을 갖는 물질로 원통형 메사를 둘러싸는 제3과정, 스트립형 또는 다중분리형 p 전극을 원통형 메사의 상부에 침착하고, 기판 아래에 n 전극을 침착함으로써, p 전극의 갭 개구를 통하여 활성 영역에서 발진된 에버네슨트 필드를 볼 수 있도록 하는 제4과정으로 이루어져 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 레이저의 출력 파장이 온도에 대하여 비교적 안정된 T1/2 특성을 갖고, 그 문턱 전류가 소자의 직경(Φ)에 대하여 Φ2의 관계를 가져서 서브 ㎂ 내지 수 ㎂의 극소 전류만으로 동작할 수 있으므로, 대용량 고집적의 반도체 레이저 다이오우드 어레이의 제작이 가능하다
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-04
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본 기술은 어븀이온 및 툴륨이온이 공동첨가된 코어를 이용한 광 증폭기 및 광원에 관한 것이다.기존의 광증폭기는 넓은 이득대역을 갖기 위해 두개의 병렬 EDFA 단을 조합하거나, 중금속 산화물 유리인 TeO2를 바탕으로 낮은 포논 에너지를 이용하거나, 여러개의 고출력 펌프를 사용하는 등의 방법을 사용한다. 그러나, 이러한 기존의 광증폭기는 증폭기 내부에 여러가지 광소자가 필요하고, 일반 광섬유와의 융착접속이 불가능하며, 여러파장의 펌핑광을 방출하는 펌프가 다수 필요하다는 문제점이 있다.본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결할 수 있는 것으로, 비교적 적은 개수의 광소자를 채용하면서도 광대특성을 가지며, 비교적 약한 세기를 갖는 펌핑수단을 사용하더라도 유효하게 광을 증폭하거나 방출할 수 있는 광증폭기 및 광원을 제공할 수 있다.본 기술에 따르면, 적은 개수의 광소자로 광대역특성을 가지는 광증폭기 및 광원을 만들 수 있으므로 장치를 소형화할 수 있으며, Er 이온에서 Tm 이온으로 에너지를 전달하는 메커니즘을 이용할 경우 광펌핑수단의 수를 줄일 수 있으며 적은 세기의 광펌핑으로도 유효하게 장치를 동작시킬 수 있다본 기술의 광증폭기 및 광원은 서로 다른 이득대력을 갖는 두 희토류 이온, 즉, 어븀(Er)이온과 툴륨(Tr)이온을 동시에 첨가한 코어를 갖는 광도파로에 단일 파장 또는 2개의 파장의 광펌핑원으로 광펌핑을 행하는 것을 특징으로 한다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-14
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본 기술은 대용량의 데이터 전송을 위해 스위칭 용량을 대용량화하여 대용량 광교환을 수행할 수 있는 시간-파장 혼합형 광 ATM 스위치에 관한 것이다.시간분할 다중화방식이나 파장분할 다중화방식의 광통신 및 광교환 시스템에서는 성형결합기를 사용한 방송 방식의 기술이 주류를 이루고 있다. 그러나, 성형결합기를 이용한 스위치는 입력단에서의 구조는 간단하지만, 출력단에서는 전체 입력에 대한 신호를 처리하기 위해 대용량의 버퍼와 주파수 가변 필터 등이 추가되어야 하고, 이를 이용하여 대용량의 광 ATM 스위치를 구현할 경우에는 성형결합기의 차원이 매우 커지게 되므로 용량을 증가시키는데 많은 제약이 뒤따르게 될 분만 아니라 광손실이 크다는 문제점이 있다. 또한, 방송방식은 초단 광펄스 발생기술의 한계로 인하여 압축할 수 있는 셀의 제한을 가져오며, 이에 따라 스위칭 시스템의 용량에 제한이 생기며, 압축된 셀의 길이가 매우 짧기 때문에 셀버퍼, 셀확장기, 제어기 등을 구현하는 데 어려움이 있다.본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결할 수 있는 것으로, 대용량 광교환 시스템을 구현할 수 있도록 미래에 확정성뿐만 아니라 신호의 손실이 적고 간단한 구조를 갖는 시간-파장 혼합형 광 ATM 스위치를 제공한다.본 기술에 따르면, 하드웨어적으로 소자의 수를 줄임으로써 신호의 손실을 줄일 수 있고, 적은 개수의 파장을 이용함으로써 확장성이 뛰어나며, 스위칭 용량을 대용량화함으로써 대용량의 광스위칭 시스템을 구축하여 대용량의 정보를 서비스할 수 있다.본 기술의 시간-파장 혼합형 광 ATM 스위치은, 일정속도로 입력되는 파장의 개수만큼 구비되어 파장 다중화된 신호를 입력하는 서브노도와, 파장 다중화된 신호를 파장별로 분리하는 입력측 파장 분리부와, 파장별로 분리된 신호를 라우팅시키기 위해 파장을 변환시키는 입력측 파장 변환부와, 변환된 파장의 신호를 시간분할 다중화된 신호로 변환시키는 입력측 신호 변환부와, 시간분할 다중화된 신호를 출력측 노드로 라우팅시키는 입력측 라우팅부를 포함하는 다수의 입력측 노드를 구비한 입력신호 처리수단과, 시간분할 다중화된 신호를 입력받아 파장별로 분리하는 출력측 파장 분리부와, 파장 분리된 신호의 충돌을 피하기 위해 임시 저장시킴과 동시에 원래의 입력신호로 파장분할 다중화시키는 출력측 신호 변환부와, 파장분할 다중화된 신호를 라우팅시키기 위해 파장변환을 수행하는 출력측 제1파장 변환부와, 변환된 파장을 서브노드내로 라우팅시키는 출력측 제1라우팅부와, 출력측 제1라우팅부로부터 라우팅된 신호를 라우팅시키기 우해 파장 변환을 수행하는 출력측 제2파장변환부와, 변환된 파장을 목적지로 라우팅시키는 출력측 제2라우팅부를 포함하는 입력측 노드에 대응하는 다수의 출력측 노드를 구비한 출력신호 처리수단으로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 기술에 따르면, 시간분할과 파장분할 혼합형 형태의 구조는 파장을 각 노드에서 동일하게 사용하므로 동일 용량을 구현하는 데 적은 수의 파장이 소요되며, 사용된 파장의 개수만큼만 압축함으로써 높은 압축율을 요구하지 않는다는 장점이 있어 기존의 압축기술을 그대로 적용할 수 있다.또한, 손실이 많은 성형결합기를 가급적 사용하지 않고 손실이적은 도파료열 격자(AWG)를 여러번 사용함으로써 시스템 전반의 손실을 줄이고, 미래에 확장이 용이한 스위치 구조를 갖는다는 잇점이 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 패키징 공정을 단순화하고 솔더 범프 자기 정렬을 하는 광소자 패키징을 위한 플립칩 본딩기술에 관한 것이다.본 기술은 패키지의 크기 및 무게를 SOP 기준의 1/10,Area bonding을 할 수 있고, 전기적 특성이 inductance(0.1nH)으로 양호하며 자기 정렬과 견고성이 높은 장점이 있는 기술이다. 본 기술에 의하면 솔더 선택 및 범프 형성 후 플립칩의 본딩 공정을 거쳐 광결합 모듈을 제작하여 특성 및 신뢰성을 측정하는 공정으로 이루어져 있으며, 고속(10 Gbps급) 광소자와 대량생산용 광모듈에 응용가능하다.본 기술에 의한 광소자 패키징을 위한 플립칩 본딩기술의 특징은 부품수를 감소시킬 수 있으며, 공정의 단순화와 신뢰성을 보장할 수 있고 수동정렬 방법을 이용한 광결합 모듈 제작과 고속 광소자의 성능을 향상할 수 있는 장점이 있다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 다중 모드 광섬유로 도파하는 광의 모드를 제어하며 기가비트 이더넷 통신의 대역폭을 증가시키기 위한 광섬유 광도파로 및 이에 사용되는 접합용 광섬유에 관한 것이다.개선된 화학기상증착법으로 잘 제조된 다중모드 언덕형 굴절률 광섬유라 할지라도 중심부분의 굴절률이 함몰되는 현상이 발생한다. 이 때문에, 신호가 단일모드 광섬유를 통하여 다중모드 광섬유로 전송될 때, 도파 모드를 간에는 시간지연이 일어나서 광신호가 변형되는 문제가 생긴다.따라서, 본 기술은 단일 모드 광섬유와 다중 모드 광섬유를 연결함에 있어서 발생하는 접합손실을 최대한 줄이면서 최대의 입사 파워가 다중 모드 광섬유로 전달되어 대역폭을 증가시키고자 한다.본 기술에 의한 접합용 광섬유는 단일 모드 광섬유와 다중 모드 광섬유 사이에 삽입되어 이들을 연결함으로써 광도파로를 형성하는 용도로 사용되는데, 접합용 광섬유 코어는 그 일단이 폐쇄되는 동시에 그 타단이 개방된 중공부를 가진다.본 기술에 의한 광섬유 광도파로는 자신의 일단에서 타단으로 갈수록 점차 줄어드는 직경의 코어를 가지는 단일 모드 광섬유와, 단일 모드 광섬유의 타단에 연결되는 접합용 광섬유로서, 접합용 광섬유의 코어가 단일 모드 광섬유와 연결되는 단부쪽은 폐쇄되는 동시에 그 반대쪽은 개방되는 중공부를 가지는 접합용 광섬유와, 접합용 광섬유의 반대쪽과 연결되는 다중 모드 광섬유를 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 광섬유의 단일 모드 광섬유와 다중 모드 광섬유 사이에 중공부를 가지는 접합용 광섬유를 연결함으로써 개선된 화학기상 증착법으로 광섬유를 제조할 때 나타나는 다중 모드의 굴절률 함몰현상을 피하고 모드 분산을 줄일 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 디지털 통신 시스템, 디지털 신호처리 시스템에 사용하는 고성능 직접 디지털 주파수 합성기에 관한 것이다.기존의 고성능 직접 디지털 주파수 합성기는 ROM을 사용하여 구현하고 있다. 그러나, 요구되는 정밀도가 높아짐에 따라 ROM의 크기가 상당히 증가하게 된다. 즉, ROM을 사용하여 구현되는 고성능 직접 디지털 주파수 합성기는 하드웨어 면적에 있어서 상당히 불리하다는 단점을 가지고 있다.따라서, 본 기술은 고속의 디지털 통신 시스템 및 디지털 신호처리 시스템을 위한 코딕 기반 직접 디지털 주파수 합성기를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 직접 디지털 주파수 합성기는 인가되는 주파수 제어 워드를 이용하여 샘플된 위상 데이터를 생성하는 위상 가산기와 샘플된 위상 데이터에 대해 그 위상에 대응하는 디지털 사인 값을 계산하여 출력하는 사인 함수 생성기를 포함한다. 위상 가산기는 주파수 제어 워드를 일시 저장하는 j 비트 주파수 레지스터와, 매 클럭마다 j 비트 주파수 레지스터에 저장된 주파수 제어 워드와 이전의 샘플된 위상 데이터와 가산하여 사인 함수 파형을 생성하기 위한 샘플된 위상을 생성하는 j 비트 가산기와, j 비트 가산기에 의해 생성된 샘플된 위상을 저장하며, 저장된 샘플된 위상 데이터는 다음 클럭에서 j 비트 주파수 레지스터에 저장된 주파수 제어 워드와 가산되는 이전의 샘플된 위상 데이터로서 사용되는 위상 레지스터를 구비한다. 사인 함수 생성기는 위상 레지스터로부터 제공되는 위상 데이터를 반전시키는 제 1 보수기와, 제 1 보수기에 의해 반전된 위상 데이터를 소정의 수학식을 통하여 반복회전 변형하는 코딕 프로세서와, 코딕 프로세서의 출력값을 반전시켜 디지털 사인 값을 생성하는 제 2 보수기를 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 실제 9 비트 이상의 정밀도를 갖는 코딕에 기반한 고성능 직접 디지털 주파수 합성기의 경우, 기존의 ROM을 이용한 고성능 직접 디지털 주파수 합성기의 구조보다 휠씬 적은 하드웨어 비용을 가지며, ROM을 사용하는 경우와 거의 동일한 동작속도를 지원할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-25
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본 기술은 고속의 디지털 통신 시스템에서 사용하는 2N 클럭 체배 발생기에 관한 것이다.고속의 데이터 처리 기술중의 하나인 매칭 지연 기술은 매칭된 지연 소자를 이용하여 본래의 최소 게이트 지연보다 더 정밀한 매우 높은 주파수의 데이터 패턴을 얻는데 사용된다. 그러나 이러한 방법은 근본적으로 클럭을 체배하는 기술이 아니어서 클럭 체배기로 사용하기 위해서는 약간의 수정이 불가피하며, 정밀한 데이터 패턴을 얻기 위해서 상당히 복잡한 회로를 사용하기 때문에 체배기 자체가 시스템 기본회로보다 휠씬 복잡해 질 수 있다는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 여러 개의 클럭들을 하나의 체배기로 얻을 수 있고, 고속의 디지털 통신 시스템에서 사용할 수 있는 클럭 체배 발생기를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 2N 클럭 체배 발생기는 이전 단에서 체배된 클럭에 의하여 다시 체배되는 방식으로 전단으로부터 제공되는 입력 클럭 주파수를 체배하여 체배된 클럭 주파수를 생성하는 N단의 2N배 클럭 체배기와, 입력되는 L비트의 제어비트를 각 체배기에 필요한 비트수로 나누어 각 체배기단에 제공하는 선택기를 포함한다. 각각의 클럭 체배기는 각 체배단에서 요구되는 만큼의 입력 클럭을 각기 대칭적으로 지연시켜주는 제 1 및 제 2 가변지연 블록과, 제 1 및 제 2 가변지연 블록의 출력을 논리적으로 연산하여 각 체배기단의 체배된 클럭 주파수를 생성하는 논리 연산 수단을 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 기준 클럭의 2∼2N배의 클럭을 동시에 생성함으로써 MPSK나 MQAM 등의 변조방식에서 요구되는 여러 개의 클럭들을 하나의 체배기로 얻을 수 있다. 또한, ASIC 표준 셀 라이브러리에서 제공하는 디지털 셀들만을 사용하여 쉽고 간단하게 칩상에서 구현될 수 있으며, 체배기가 완전 대칭형 구조를 갖게 되어 제조공정상의 오차나 동작환경상의 오차에 의한 체배된 클럭의 동작상의 오차를 최소화할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-26
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본 기술은 광섬유의 복굴절성에 따른 편광의존 손실을 최소화시킬 수 있는 대칭형 광섬유 격자 제조 장치 및 방법에 관한 것이다.기존의 광섬유 격자 제조 방법은 규칙적인 굴절률 변화를 만드는 위상 마스크 혹은 진폭 마스크를 사용하는 방법이 있다. 즉, 엑시머 레이저와 같은 자외선 레이저의 광선을 마스크에 투과시켜 그로부터 발생하는 밝음/어두움 강도 패턴을 광섬유에 전달함으로써 광섬유 굴절률의 규칙적인 변조를 유발시켜 광섬유 격자를 제조한다. 그러나, 이러한 광섬유 제조 공정에서는 광섬유의 한쪽 방향에만 레이저를 조사하여 격자를 생성함으로써 복굴절 현상이 발생하게 되고, 그로 인해 편광에 의한 손실차가 발생되는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 광섬유의 복굴절 현상을 감소시켜 편광에 의한 광섬유 격자의 피크 변화를 현저히 줄일 수 있고 그로 인한 광 손실차를 감소시키고자 한다.본 기술에 의한 대칭형 광섬유 격자 제조 장치는 광섬유의 양종단에 각각 배치되어 광섬유를 360°회전시키는 제 1 및 제 2 모터, 광섬유 격자를 제작하기 위한 빛을 발생하는 광원, 광원으로부터 발생된 빛을 집중시켜 회전하는 광섬유에 조사하는 렌즈를 포함하여 구성되어 있다. 또한, 제 1 및 제 2 모터에 의해 회전되는 광섬유의 미동을 보정하기 위한 광섬유 고정자를 더 포함한다.본 기술에 의한 대칭형 광섬유 격자 제조 방법은 광섬유를 일정한 속도로 360°회전시키고, 회전을 통해 광섬유 둘레의 전체 영역에 고르게 레이저빔을 조사하는 단계를 포함한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 광섬유 격자의 복굴절 현상을 현저히 감소시켜 편광에 따른 광섬유 격자의 손실 피크 변화를 감소시키고, 그로 인해 광섬유의 편광에 따른 손실차를 감소시킬 수 있게 됨으로서, 빛의 편광에 민감한 소자나 시스템의 전반적인 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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본 기술은 광섬유의 복굴절성에 따른 편광의존 손실을 최소화시킬 수 있는 반사경을 이용한 대칭형 광섬유 격자 제조 장치에 관한 것이다.기존의 광섬유 격자 제조 방법은 규칙적인 굴절률 변화를 만드는 위상 마스크 혹은 진폭 마스크를 사용하는 방법이 있다. 즉, 엑시머 레이저와 같은 자외선 레이저의 광선을 마스크에 투과시켜 그로부터 발생하는 밝음/어두움 강도 패턴을 광섬유에 전달함으로써 광섬유 굴절률의 규칙적인 변조를 유발시켜 광섬유 격자를 제조한다. 그러나, 이러한 광섬유 제조 공정에서는 광섬유의 한쪽 방향에만 레이저를 조사하여 격자를 생성함으로써 복굴절 현상이 발생하게 되고, 그로 인해 편광에 의한 손실차가 발생되는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 광섬유의 복굴절 현상을 감소시켜 편광에 의한 광섬유 격자의 피크 변화를 현저히 줄일 수 있고 그로 인한 광 손실차를 감소시키고자 한다.본 기술에 의한 반사경을 이용한 대칭형 광섬유 격자 제조 장치는 광섬유 격자를 제작하기 위한 빛을 발생하는 광원, 광원으로부터 발생된 빛을 확대시키고 확대된 빛을 평행하게 전송하는 렌즈부, 모터에 의해 주기적으로 이동하며 렌즈부로부터 전송된 빛을 집중시켜 광섬유의 둘레에 고르게 조사하는 반사경을 포함하여 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 광섬유 격자의 복굴절 현상을 현저히 감소시켜 편광에 따른 광섬유 격자의 손실 피크 변화를 감소시키고, 그로 인해 광섬유의 편광에 따른 손실차를 감소시킬 수 있게 됨으로서, 빛의 편광에 민감한 소자나 시스템의 전반적인 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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