일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 외향 감소되는 굴절률분포를 갖는 클래딩을 구비하는 광섬유 및 이를 이용한 광섬유 필터에 관한 것이다.EDFA의 1530nm 부근의 이득을 평탄화하기 위하여 LPGF의 경우 격자 주기와 굴절률 변화를 조절하여 1530nm 부근에서 약 10nm의 3dB 대역폭을 갖고 10∼30dB의 흡수세기를 갖도록 조절한다. 그러나, 1530nm 대역 이외의 파장에서도 공명 피크가 발생되며 최근 개발되고 있는 1300nm 대역의 프라세오디뮴이 도핑된 광섬유 증폭기, 1400nm 대역의 툴륨이 도핑된 광섬유 증폭기의 이득 구간에서는 접합 손실이 발생한다는 문제가 있다.따라서, 본 기술은 LPGF나 AOTF와 같이 모드 커플링을 이용한 필터에서 단일모드 광섬유를 채용하되 클래딩모드와 코어모드와의 오버랩 적분에 변화를 주어 결과적으로 공명주기 간의 간격인 FSR을 확대시킬 수 있도록 광섬유 클래딩의 기하구조가 변화된 광섬유를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 광섬유는 코어와 이를 둘러싼 클래딩을 구비하는 광섬유로서, 광섬유 클래딩모드의 분산특성과 유효굴절률을 제어할 수 있도록 클래딩의 굴절률분포가 반경방향으로 중심에서 외부로 갈수록 작아지는 형태를 갖는다. 클래딩의 굴절률분포가 클래딩의 내경에서 제1 반경까지는 일정하고, 제1 반경에서 클래딩의 외경까지 선형적 감소형태를 가질 수 있다.본 기술에 의한 광섬유 필터는 모드 간 결합이 발생하는 광섬유의 클래딩의 굴절률분포가 반경방향으로 중심에서 외부로 갈수록 작아지는 형태를 갖는다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 기하구조를 갖는 광섬유를 이용하여 장주기 격자필터 또는 음향광학 가변필터를 제조할 경우, 이들의 중요한 특성 중의 하나인 자유 파장영역, 즉 공명피크 간의 파장간격을 넓게 조절할 수 있다. 따라서, 광대역 파장분할방식에 더 효율적인 필터를 구현할 수 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 고속 데이터 통신 시스템에서 기억소자나 필터 등을 고속으로 제어하는데 필요한 2M 클럭 체배 발생기에 관한 것이다.기존의 클럭 체배기들은 PLL이나 DLL을 사용하여 체배된 클럭의 위상 에러를 회로 내에서 자체적으로 교정하여 주는 장점이 있다. 그러나, PLL이나 DLL은 기본적으로 복잡한 회로로 구성되기 때문에 구현하고자 하는 시스템의 한 부분이 되어야 할 체배기 자체가 시스템 기본회로보다 휠씬 복잡해져서 고속의 통신 시스템에서 수용하기 어렵게 될 수 있다는 단점이 있다.따라서, 본 기술은 칩상에서 쉽게 구현될 수 있도록 디지털 소자만을 사용한 고속 디지털 통신 시스템용 클럭 체배 발생기를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 2M 클럭 체배기는 L비트의 제어 신호에 의해 제어되는 M개의 지연 블록을 포함한다. M개의 지연 블록은 L비트 제어 신호중의 LCOM비트의 제어하에 기준 클럭 신호를 T/4M만큼 지연하여 T/4M 지연 클럭을 생성하는 제 1 지연 블록과, L비트 제어 신호중의 Li비트의 제어하에, 입력되는 클럭을 각기 T/2M만큼 지연하는 일렬로 연결된 (M-1)개의 제 2의 지연블록으로 구성되며, 제 1의 지연 블록에 의해 T/4M 지연 클럭 신호와 기준 클럭 신호를 논리적 XOR 연산에 의해 동기 클럭을 생성하여 제 2의 (M-1)개의 지연블록의 입력으로 제공하는 XOR 연산수단, (M-1)개의 제2 지연블록의 각각에 의해 각기 T/2M 지연된 클럭을 논리적으로 OR 연산하여 2M 체배된 클럭을 생성하는 OR 연산수단을 포함하여 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 기준 입력 클럭의 2M배의 클럭을 생성함으로써, MPSK나 MQAM 등의 변조방식의 부호화기나 필터 등에서 요구되는 정수배 또는 2의 배수의 클럭을 얻는데 사용할 수 있다. 또한, ASIC 표준 라이브러리에서 제공하는 디지털 셀들만을 사용하여 구성되므로, 쉽고 간단하게 칩상에서 구현될 수 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 서로 다른 두 개의 증폭 이득 대역을 갖는 EDFA를 직렬로 결합함으로써 증폭 대역을 더욱 증가시킬 수 있는 장파장대역 및 단파장대역의 증폭이 가능한 어븀 첨가 광섬유 증폭기에 관한 것이다.기존의 EDFA들은 증폭 이득 평탄화 필터를 이용하였을 때 약 80nm의 평탄화된 증폭이득대역을 나타낸다. 한편, 이와는 달리, L 대역과 C 대역을 증폭하는 각각의 EDFA를 직렬로 연결하게 되면, 각 EDFA에서 비슷한 증폭대역을 가지게 되며, L 대역을 이용하여 C 대역을 증폭하는 EDFA를 포화시킴으로써 C 대역 EDFA의 입력 변화에 대한 출력 변화를 줄일 수 있게 된다.따라서, 본 기술은 기존의 평행한 구조의 EDFA와는 달리 L 대역과 C 대역을 증폭하는 각각의 EDFA를 직렬로 연결함으로써 각각 비슷한 증폭대역을 가지며, C 대역 EDFA의 입력 변화에 대한 출력 변화를 줄일 수 있는 광대역 특성을 갖는 광섬유 증폭기를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 장파장대역 및 단파장대역의 증폭이 가능한 어븀 첨가 광섬유 증폭기는 광신호를 C 대역과 L 대역으로 분리하는 제 1 WDM 결합기와, 제 1 WDM 결합기에 의해 분리된 L 대역을 증폭하는 L 대역 EDFA와, 증폭된 L 대역과 제 1 WDM 결합기에 의해 분리된 C 대역을 다시 하나의 광신호로 결합하는 제 3 WDM 결합기 및 제 3 WDM 결합기에 의해 결합된 광신호중 C 대역을 증폭하는 C 대역 EDFA가 직렬로 연결되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, C 대역을 증폭할 수 있는 EDFA와 L 대역을 증폭할 수 있는 EDFA를 직렬로 연결하여 광대역 EDFA를 구현함으로써, 평행한 구조를 가지는 광대역 EDFA와 동일한 증폭이득대역을 얻을 수 있는 효과가 있으며, L 대역 EDFA의 출력을 C 대역 EDFA의 입력으로 사용하여 C 대역 EDFA를 포화시킴으로써 C 대역 입력 신호의 변화에 따른 C 대역 EDFA 출력의 변화를 상대적으로 감소시킬 수 있다. 그로 인해, C 대역의 출력 변화를 일정한 범위 내에 유지하는데 있어서 변화시켜야하는 변화 폭이 감소되어 증폭이득평탄도를 효율적으로 유지시킬 수 있는 효과가 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 계수 발산시 리셋시켜 초기값을 로딩함으로써 정상적인 계수 수렴이 이루어질 수 있는 적응형 등화기에 관한 것이다.기존의 적응형 등화기는 일정 구간에 등화할 수 없는 신호가 입력되면 계수 수렴을 못하고 발산을 하게 되며, 일정 구간이 지난후 등화 가능한 신호가 입력되어도 발산된 계수는 되돌아 오지 않는 문제점이 있었다.본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로 계수의 발산이 발생하면 자동적으로 리셋시켜 정상적인 등화기 동작이 이루어지도록 한다본 기술의 등화기는 입력되는 디지털 신호를 일정 시간 간격으로 지연시킨후 수렴 계수를 각각 곱해 가산하는 트랜스버설 필터와, 트랙스버설 필터로부터 출력되는 신호를 3레벨로 검출하여 최종 출력 신호로 출력하는 3레벨 검출기와, 3레벨 검출기의 출력과 트랜스버설 필터의 출력을 감산하여 에러값을 출력하는 감산기와, 감산기로부터 출력되는 에러값과 트랜스버설 필터의 지연출력을 입력으로 수렴 계수를 업데이트시켜 트랜스버설 필터로 출력하는 계수 업데이트부와, 계수 업데이트부로부터 출력되는 업데이트된 수렴 계수와 발산하는 상한 계수값 및 하한 계수값을 비교하여 상하한 계수값의 범위를 넘어가면 트랜스버설 필터와 계수 업데이트부를 리세트시키는 계수비교부로 구성된다.본 기술은 계수의 발산이 발생하는 경우에 자동적으로 리셋하여 초기치를 로딩함으로써 정상적인 등화동작이 이루어지게 한다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-26
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 전자 회로부품의 열이 효율적으로 방산(放散)되도록 할 수 있는 전자 회로부품의 방열 장치에 관한 것이다.전자 회로부품의 기능이 확장되면 전자 회로부품의 구동에 의해 발생되는 열도 상대적으로 높아져서 전자 회로부품의 노화가 심각해지며, 전자 회로부품이 필요이상으로 크게 제작되어야 하는 문제점이 있었다.본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전자회로부품의 구동에 의해 발생되는 열을 효과적으로 방산시킬 수 있다.메인 회로기판의 상면으로부터 일정 간격 떨어지도록 리드들이 솔더링에 탑재되는 전자 회로본 기술은 부품과; 전자 회로부품의 상면에 설치되도록 베이스가 형성되고, 베이스의 양쪽에 걸림편과 걸이편이 인접되도록 각각 형성되며, 베이스 양쪽에 전자 회로부품의 열이 열전달에 의해 방산되도록 핀이 각각 형성되는 히트 싱크와; 전자 회로부품의 열화가 방지되어 그 기능이 확장가능 하도록 전자 회로부품과 히트 싱크를 탄성력에 의해 서로 결합시키는 클립으로 구성된다.본 기술에 따르면 전자 회로부품의 구동에 의해 발생되는 열이 히트 싱크의 작용에 따라 효과적으로 방산되므로 전자 회로부품의 기능이 확장되어 제품의 설계 및 제작이 간단해진다. 또한, 전자회로부품의 사용횟수가 감소되어 조립성이 향상되고 생산비용이 절감될 수 있다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-02
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 코어에 어븀이 도핑된 광섬유(Erbium doped fiber: 이하 EDF라 한다)의 클래드 영역에 사마리움(Samarium, Sm)을 도핑하여 EDF의 넓은 이득 대역폭과 이득 평탄화 특성을 개선하는 방법에 관한 것이다. 어븀을 첨가한 광섬유(EDF)가 파장분할 다중화 시스템에 사용되거나 광섬유 증폭기에 이용되기 위해서는 이득 특성이 파장별로 균일해야 한다. 또한, 파장분할다중방식에 있어서 이러한 1530nm 부근 약 10nm의 불균등이득 대역을 균일한 이득 대역에 포함시켜 더 많은 수의 채널을 확보하는 것이 중요한 문제이고 이를 구현하기 위한 여러가지 방식들이 제안되고 있다.본 기술은 하나의 광섬유로 동일한 효과를 얻을 수 있도록 광섬유의 클래드 영역에 사마리움을 첨가시켜 사마리움의 흡수 스펙트럼 대역을 이용하여 코어에 어븀이 도핑된 광섬유의 1,530nm대 첨두 영역을 감쇄시켜 이 부분을 평탄화영역으로 개선함으로써 이득 평탄화와 대역폭을 넓힐 수 있다.본 기술은 기존의 어븀이 도핑된 광섬유(EDF)와 사마리움이 도핑된 광섬유(SDF)의 여러가지 조합에 의한 방식에 비하여하나의 광섬유를 통해서 상기의 특성을 얻음으로써 기존의 EDF와 SDF를 이용한 이득 최적화의 복잡한 문제 및 파이버 간의 연결에 있어서 연결 손실 문제 등을 쉽게 개선할 수 있다. 또한, 사마리움의 약한 흡수 대역이 어븀의 발광 대역에 걸쳐 고르게 분포되어 있으므로 증폭된 자발 방출(Amplified Spontaneous Emission, ASE) 준위(level)도 감소되어 노이즈특성도 개선시킬 수 있다.본 기술에 의하면 광섬유의 클래딩에 사마리움을 첨가함으로써 넓은 대역폭과 이득 평탄화를 하나의 광섬유로 구현하여 파장분할다중방식(WDM)에 많은 채널을 가능하게 해줄 수 있고, 사마리움의 약한 흡수 대역이 어븀의 발광 대역에 걸쳐 고르게 분포되어 있으므로 ASE 수준을 감소시킬 수 있다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
발광효율이 개선되도록 반사막이 삽입된 p형 전극구조를 가지는 질화물계 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.종래, p형 전극의 투과도를 높이기위해 투명전극으로 사용하는 금속의 열처리 분위기를 바꾸거나, 투명전극으로 사용하는 금속의 종류를 바꾸어서 가시광선 영역에서의 빛에 대한 투과도를 높이는 방법등만이 연구되고, 투명전극 위에 형성되는 와이어 접촉 전극에 의한 빛의 흡수를 줄이는 방법에 대해서는 미비했다. 반사막을 이용하여 질화물계 발광다이오드의 p형 전극을 구성하는 부분 중에서 투명전극상의 와이어 접촉전극에 의해 빛의 흡수를 줄임으로써 다이오드의 발광효율 저하를 방지할 수 있는 질화물계 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.절연기판 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 소정영역상에 순차적으로 적층되는 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층과, 상기 발광 활성층 및 p형 질화물 반도체층이 형성되지 않은 상기 n형 질화물 반도체층 표면상에 형성되는 n형 전극과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되는 p형 전극을 구비하는 질화물계 발광 다이오드에 있어서,상기 p형 전극이, 상기 p형 질화물 반도체상의 소정영역에 형성되는 반사막과, 상기 반사막을 포함하여 상기 p형 질화물 반도체층의 표면을 덮도록 형성하는 투명전극과, 상기 반사막의 상부에 위치하도록 상기 투명전극상에 형성되는 와이어 접촉전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광다이오드에 관한 것이다.와이어 접촉 전극에서 광이 흡수되는 것이 반사막에 의하여 방지되기 때문에 발광효율이 좋을 뿐만 아니라, 반사막에 의하여 반사된 빛이 발광 활성층의 발광에 다시 관여하기 때문에 발광효율이 더욱 크게 증가하게 된다.
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-25
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전기·전자 > 전자부품
완충층을 이용하여 고용량을 달성할 수 있는 박막전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.결정질 양극물질을 이용하는 박막전지에 대해 기판온도 조절이 가능한 스퍼터 장비를 이용하여 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극 구조를 제조함으로써, 기존의 양극물질 두께 증가에 따른 균열등의 문제점을 해결할 수 있으며 고용량을 지닌 박막전지의 제조를 가능하게 한다. 기판위에 완충층을 형성하고 이어서 그 위에 결정질 양극을 형성하는 것을 특징으로 하는 완충층을 이용한 박막전지용 양극제조방법을 제공한다.기판의 온도를 변화시킬 수 있는 스퍼터링 방법으로 박막전지를 제조하는 방법에 있어서, 완충층과 결정질 양극물질로 이루어진 양극구조를 제조하는 것을 특징으로 하는 박막전지의 제조방법에 관한 것이다.스퍼터 장비를 이용한 결정질 양극의 성장시 기판의 온도를 변화시키며 성장시키는 특징을 지니며, 고용량을 지닌 박막전지를 제조하기 위하여 양극 물질의 성장시 완충층을 이용함으로써 두께증가에 따른 균열등의 열화특성을 최소화시킨다.기존의 양극제조방법에 비해 2㎛ 이상의 두꺼운 양극에 대해 나타날 수 있는 열화특성을 최소화할 수 있으며, 그 결과 고용량 박막전지의 제조가 가능하게 된다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-26
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 정전기에 민감한 장비의 전기적인 작업시 정전기로부터 장비를 보호하도록 하는 코넥터의 정전기 방지 키트에 관한 것이다. 정전기는 주로 마찰에 의하여 생성되어 시스템, 서브시스템, 장비 또는 사람의 몸에 잠재적으로 존재하며 전기, 전자장치와 같은 도체 및 부도체에 소멸되지 않고 일정한 장을 형성하며 존재하게 된다. 이러한 정전기로 인한 손실은 정전기에 민감한 장치를 취급하는 사람의 몸체나 다른 장치에 의해 접지점에 연결됨으로써 빠른 속도로 방전되고 이 같은 과정에서 민감한 장치들에 손실을 줄 수 있을 정도의 순간적인 에너지가 발생되게 된다. 그리고 전자산업의 발달로 인하여 많은 장비들이 집적화 및 고밀도화된 집적회로를 사용하고 있으며 이러한 고집적 회로들을 채용한 장비 또는 시스템은 고집적회로들이 DC 전원을 이용하므로 인해 정전기 방전과 같은 순간적인 고전압에 대해 일반 전기제품에 비해 상대적으로 취약함을 보일 수밖에 없다. 본 기술은 이러한 정전기에 민감한 장치 주위에 분포되어 있는 정전기 또는 정전하로부터 전기, 전자 장치를 보호하기 위하여 상기된 장비들을 서로 인터페이스 시킬 때 정전기를 방전시킨 다음 하니스 또는 장비간에 서로 연결할 수 있도록 한 것이다.본 기술은 외관상 좌, 우측으로 소켓타입 코넥터와 핀타입 코넥터를 양측에 설치하고, 상기 코넥터의 각 소켓과 핀타입코넥터의 각 핀마다 저항의 일측을 각각 연결한다. 여기서 저항은 급격한 방전을 방지하기 위하여 연결되어지는 것으로 기생하는 전하를 접지점으로 방전하는 속도를 조절함으로써 순간적인 전하의 이동에 의해 발생되는 손실을 막아준다. 상기된 저항의 다른 쪽은 함께 묶어 잭소켓에 연결한 후 상기 잭소켓에 잭을 끼워 접지점과 연결되게 키트를 구성함으로써 이루어지는 것으로 정전기에 민감한 장비들을 코넥터로 상호 연결시킬 먼저 상기 키트의 코넥터에 끼워 정전기를 제거한 후 연결시킴으로써 연결시 정전기 방전으로 인한 피해를 사전에 예방할 수 있도록 한 것이다.
- 보유기관
- 한국항공우주연구원
- 등록일
- 2001-05-23
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 광섬유 코어 등에 첨가되는 회토류 이온, (전이) 금속 이온등의 금속 이온의 함유량을 높일 수 있으며, 처리가 용이하고 저렴한 공정을 통한 광섬유 또는 평판형 유리 형태의 광소자의 제조방법에 관한 것이다.기존의 도핑법들은 통상적으로 사용하는 MCVD 장비외에 부수적인 장치가 필요하다. 이를 위한 비용도 적지 않을 뿐만 아니라 개조 후 MCVD 장비 내부가 오염될 가능성이 높아 고가인 MCVD 장비의 활용이 제한되는 문제점이 있어, MCVD 장비의 개조를 요구하지 않는 용액첨가법이 비교적 널리 이용되고 있다. 그러나, 기존의 용액첨가법은 처리가 용이하고, 공정이 저렴한 장점이 있으나, 도핑 금속 용액으로 제조가능한 농도 이상으로 금속 이온을 광소자에 도핑시키기는 어려운 문제점이 있다. 즉, 기존의 용액첨가법에 의해서는 도핑효과가 낮은 단점이 있다.따라서, 본 기술은 광섬유 또는 평판형 광소자와 같은 광소자에 높은 농도로 회토류 이온, (전이) 금속 이온을 도핑시키고자 한다.본 기술에 의한 금속이온-도핑된 광소자 제조방법은 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 형성시키고, 미세구조를 금속이온 도핑용액에 담그는 함침(soaking) 공정을 실시하여 금속이온을 미세구조에 도핑시키는 단계를 포함하고, 함침 공정을 도핑 용액 제조 온도보다 낮은 온도에서 실시한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 간단하고 경제적인 방법으로 기존의 용액첨가법의 단점인 도핑농도의 한계성을 극복하여 광섬유 또는 평면형 광소자와 같은 유리 재료에 희토류 이온 및 (전이) 금속 이온을 높은 농도로 도핑시킬 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 선택적 성장법에 의해 릿지 도파로를 형성하는 릿지 도파로형 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것이다.기존의 릿지 도파로형 레이저 다이오드의 제조방법은 메사식각공정에 의해 p+형 AlGaAs 클래딩층의 두께가 결정되므로 p+형 AlGaAs 클래딩층의 두께를 정확하게 조절하기가 힘들어 전파모드의 수를 선택하기가 어렵다. 또한, 메사식각면에 결함이 발생하게 되어 소자의 신뢰성 및 전기적 특성이 나빠지게 된다.본 기술에 의한 릿지 도파로형 레이저 다이오드 제조방법은 기판 앞면에 하부 클래딩층, 활성층 및 상부 클래딩층을 에피텍셜 성장법을 이용하여 순차적으로 형성하는 단계와, 상부 클래딩층 상에 상부 클래딩층을 노출시키는 적어도 하나의 스트라이트를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상부 클래딩층과 격자정합되는 릿지 도파로를 마스크 패턴의 스트라이프에 선택적으로 성장시키는 단계와, 릿지 도파로 상에 접촉층을 형성하는 단계와, 결과물 상에 상부 금속층을 형성하고 기판의 뒷면에 하부 금속층을 형성하는 단계를 포함한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 상부 클래딩층의 두께를 정밀하게 제어할 수 있기 때문에 정확한 레이저 특성을 얻을 수 있다. 또한, 릿지 도파로를 선택적으로 성장시켜서 형성하기 때문에 기존과 같이 식각 또는 이온 주입에 의한 결함이 존재하지 않아 소자의 신뢰성 및 전기적 특성이 향상된다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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전기·전자 > 전자부품
광섬유 증폭기는 광 신호를 전기적으로 변환할 필요없이 직접 증폭하는 것으로, 이러한 광섬유 증폭기는 광통신에서 넓은 파장 범위에 걸쳐 높은 이득으로 광 신호를 증폭할 수 있어 그 이용 분야가 급속히 확장되고 있으며, 특히 파장이 서로 다른 광 신호들을 상호 누화(crosstalk)가 거의 없이 동시에 증폭할 수 있어 파장 분할 다중화(WDM: Wavelength Division Multiplex) 방식의 통신에 매우 중요한 장치이다. 하지만, 파장 분할 다중화 방식의 광통신 시스템에서 임의의 파장에 해당하는 채널의 신호광은 다른 채널에 상관없이 그 세기가 임의로 변조되어 광섬유 통신선로에 입력되거나 출력되기도 하므로 결과적으로 광섬유 증폭기에 입력되는 총 신호광의 세기가 운용 중에 시간에 따라 상당히 넓은 범위에 걸쳐 변화하게 된다. 이 경우, 광섬유 증폭기에서는 이득포화특성으로 인하여 입력되는 총 신호광의 세기에 따라 이득의 크기가 변화하게 되어 출력광에 흔들림이 나타나게 된다. 따라서, 특정 채널에 대한 이득이 다른 채널의 신호광의 세기에 따라 영향을 받게 되며 이와 같은 이득의 불안정성은 통신 시스템의 운용에 장애가 된다.본 기술에서는 광섬유 격자와 이득조절수단을 통해 임의의 한 파장에서 발진이 일어나도록 공진기를 구성하고, 광섬유 격자의 반사 중심 파장들간의 차이를 조절하여 추가적인 손실을 발생하지 않으면서 광섬유 증폭기의 이득을 원하는 값으로 조절할 수 있게 하였다.본 기술에 따르면 광섬유 격자를 통해 특수 광섬유 또는 각각의 광 고립기간에 적어도 하나씩 설치하여 임의의 한 파장에서 발진이 일어나도록 공진기를 구성하고, 이득조절수단을 통해 각각의 광섬유 격자의 반사 중심 파장들간의 차이를 조절하여 광섬유 증폭기의 이득을 원하는 값으로 조절하도록 하되 반사 중심 파장들간의 차이를 조절하는 수단을 통해 광섬유 격자들 중 적어도 하나의 광섬유 격자를 인장 조절되게 함으로써 공진기 내의 광손실을 조절할 수 있기 때문에 구조가 단순하며 추가적인 광손실을 발생시키지 않으면서 광섬유 증폭기의 이득을 임의로 조절할 수 있게 된다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-21
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오븐, 냉장고, 건조기와 같은 가전제품에서 온도 및 농도 분포의 균일화를 유지하기 위해 사용되는 컨백터(convector)에는 일반적으로 모터에 의해 회전하는 팬이 사용되었다. 이러한 컨백터가 사용됨에 따라 팬에 의해 발생되는 기류에 의해 온도 분포가 어느정도 균일화 되기는 하지만, 기류의 강약에 의한 불균일성이 여전히 존재하여 온도차가 있게되고 따라서 효율이 낮다는 문제점이 있었다. 이에 따라 본 기술에서는 주파수의 시간 주기적인 신호를 발생시키기 위한 신호발생기를 제공하고 신호를 증폭하는 증폭기가 신호발생기와 일체화 되어 구동기를 형성하고 및 이 구동기에서 발생되는 구동신호에 응답하여 음압을 발생시키는 진동자를 구성하여 온도 및 농도의 균일화가 요구되는 공간내에 발생하는 기류 분포의 불균일성을 개선하여 전체 시스템의 효율을 개선시킬 수 있는 컨벡터를 제공하였다본 기술에 의한 음향 컨벡터는 신호발생기와 신호 증폭기를 포함하는 구동기 및 진동자를 포함한다. 신호발생기와 신호증폭기는 일체화 되어 소형의 전자회로로 집적된 형태의 구동기를 구성하고, 진동자는 음압발생이 용이한 음향스피커 또는 모터에 연결되어 시간 주기적으로 진동하는 멤브레인,부채,피스톤등을 이용하여 구현된다. 신호발생기는 사인함수파, 삼각파, 톱니파, 삭가파 등의 시간주기적인 전기 신호를 발생시키고, 이 신호는 신호 증폭기에서 전류 및 전압 증폭된다. 증폭된 신호는 진동자가 시간주기적인 전기신호를 발생시키고, 이 신호는 신호 증폭기에서 전류 및 전압 증폭된다. 이러한 음향 컨백션에 의한 온도 분포의 균일도는 종래의 팬 컨백터에 비해 매우 우수하다. 이에 따라 오븐의 효율을 높이고 따라서 에너지 소비를 줄일 수 있다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-10
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 텔레비전의 스피커에서 발생되는 음원에 의한 텔레비전 세트의 진동발생을 유효하게 방지시킬 수 있는 텔레비전 세트의 진동 방지장치에 관한 것이다.기존의 텔레비전은 스피커의 공진 주파수와 구조물의 공진 주파수가 다른 관계로 스피커가 체결되는 프론트마스크에 음 진동이 발생하게 된다. 본 기술에 의하면 텔레비전의 프론트마스크 저부 및 전면의 두께를 일정두께 두껍게 형성하며, 프론트마스크의 저부에 돌설되는 리브의 두께를 일정두께 두껍게 보강한 보강리브를 십자(+) 상으로 형성하고, 프론트마스크의 하부 양측의 기판이 장착되는 레일 하측으로 지면과 접촉하는 보강부를 설치하여 진동을 감소시킬 수 있다.본 기술은 스피커 음원에 의하여 구조물인 프론트마스크에 가장 진동발생이 심한 저면 및 전면의 두께를 증가시키면서, 보강리브를 십자(+)상으로 설치하여 프론트마스크를 보강하고,지지 브라켓트를 레일 하측으로 각각 설치하여 지면과 접촉토록 함으로써, 트론트마스크의 진동이 현저하게 감소될 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-26
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본 기술은 미리 설정된 시청제한등급을 단축키에 의해 신속하게 변경할 수 있는 수신장치에 관한 것이다.기존에 기술에 의하면 시청제한기능을 달성하기 위해서는 등급을 설정해야하며, 등급변경시마다 등급조정모드를 선택하고, 패스워드를 입력하고, 변경하고자 하는 등급가이드를 참조하여 등급을 조정하여야 하기 때문에 번거롭고 불편한 문제점이 있다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 초기에 자주 사용하는 등급에 대해서 단축키를 설정하고 이후의 등급변경시에는 단축키를 사용함으로써 매우 간편하게 설정된 등급을 변경할 수 있다본 기술은 영상신호로부터 프로그램 등급신호를 추출하고 추출된 프로그램 등급신호를 디코딩하여 등급코드를 출력하는 디코더와, 단축키 설정 및 등급설정과 패스워드 및 단축키 입력을 위한 명령 입력장치와, 단축키에 대응하는 설정등급정보와 사용자 ID 등급설정정보를 저장하기 위한 메모리와, 제어를 수행하는 제어장치로 구성된다.제어부에서는 명령 입력부를 통하여 단축키에 대응하는 설정등급정보와 사용자 ID를 메모리에 등록하고, 등록된 단축키 입력에 대응하는 설정등급을 메모리로부터 리드하고, 기존 설정등급과 리드된 설정등급을 비교하고, 비교결과 리드된 설정등급이 기존 설정등급 보다 하위 등급이면 기존 설정등급을 리드된 설정등급으로 변경하고, 비교결과 리드된 설정등급이 기존 설정등급과 동등 이상이면 사용자 ID 입력을 요구하고, 입력된 ID를 등록된 ID와 비교하고, ID비교결과 일치하면 기존 설정등급을 리드된 설정등급으로 변경한다. 본 기술은 시청제한 등급을 단축키를 이용하여 간편하게 변경할 수 있으므로 등급 변경 및 조정에 따른 조작상의 번거로움과 불편함을 해소시킬 수 있어 사용상 편리하며, 상위 등급으로 변경시에는 사용자 ID를 요구함으로써 기밀성을 유지할 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-04-26
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 유리화 비정형 탄소를 전기 영동법으로 기판에 코팅하여 전계 방출 음극으로 사용함으로써 안정된 다량의 전자 방출 소자를 구현할 수 있는 방법에 관한 것이다.기존의 다이아몬드 또는 다이아몬드성 탄소 등의 탄소계 재료를 음극 재료로 사용하는 전계 방출 소자는 아크 현상을 유발하고, 계속되는 사용에 의해 전계 방출 거동이 열화된다는 문제가 있다.반면, 본 기술에서는 전기적 특성과 기계적 특성이 우수한 유리화 비정형 탄소를 전계 방출 소자의 음극으로 사용하여, 탄소계 물질의 장점을 살리되 다이아몬드계 재료에서 관찰되는 전자의 공급이 원활하지 못한 문제를 해결하고, 다량의 결함을 가지고 있는 유리질의 고상 탄소 재료인 유리화 비정형 탄소를 사용하여 전기 전도도가 우수하면서 기계적 강도가 뛰어나도록 구현할 수 있다본 기술에 의한 전계 방출 소자는 유리화 비정형 탄소막을 전계 방출 소자의 음극으로 사용하고, 탄소막은 기판 상에 형성되며, 탄소막과 기판 사이에는 금속 전극이 형성되도록 구성되어 있다.본 기술에 의한 전계 방출 소자 제조 방법은 전계 방출 소자의 전계 방출 전극용 기판 상에 전기 영동법으로 유리화 비정형 탄소 분말을 도포하고, 전기 영동법에 사용되는 유리화 비정형 탄소 분말은 약 10㎛ 이하의 지름을 갖도록 이루어져 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 유리화 비정형 탄소의 분말을 유리 기판 위에 형성된 금속 전극상에 전기 영동법으로 도포함으로써, 평판 표시 소자나 진공 전자 소자에 적합한 전계 방출 음극을 제조하게 되며, 이러한 음극은 전계 방출의 효율이나 안정성 면에서 뛰어난 효과가 있다
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-04
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본 기술은 CW(Continuous Wave), 연속 전기적 파장 가변 1557~1607nm(50nm)의 레이저 특성을 갖는 파장 가변형 광섬유 레이저, 수백 펨토초(10-13초)급 초단 펄스 생성의 특성을 갖는 초단 펄스 생성용(수동형 모드로킹된)광섬유 레이저, 상용 고출력 레이저를 이용한 파장 천이형 고출력 레이저 발진의 특성을 갖는 라만 광섬유 레이저 기술에 관한 것이다.본 기술의 파장 가변 광섬유 레이저는 파장 가변 1557~1607nm(50nm)의 가변성을 확보했으며, 1540~1610nm영역 파장 가변 레이저를 개발중이다. 초단 펄스 생성용 광섬유 레이저는 수동형 모드로킹된 레이저를 개발완료 하였으며, 능동형 모드로킹된 광섬유 레이저를 개발중이다. 라만 광섬유 레이저는 WDM( Wavelength Division Multiplexing :파장 분할 다중화)소자를 이용하여 구도를 단순화시키고, 파장 가변이 가능하며 차후 다 파장 동작이 가능한 라만 레이저 구도 기술을 확보하였다.따라서 파장 가변 광섬유 레이저는 실험실용 광원, 광통신 소재 및 소자 광학 특성 분석용 광원, WDM광통신용 CW광원 등으로 활용하여 시장을 창출할 수 있다. 초단 펄스 생성형 광섬유 레이저는 실험실용 광원, 광통신 소재 및 소자의 고속 광학 특성 분석용 광원 등으로 활용한 시장 창출 기대 효과를 가진다. 라만 광섬유 레이저는 비선형 라만 광증폭기 펌프 광원 및 고속 광전송용 분배형 광증폭기 광원으로 활용되어 광증폭기 및 고속 광전송 기술시장에 기여할 수 있다
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-11
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본 기술은 디지털 필터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 덧셈기만을 사용하며 비트 분리 구조를 갖는 고속의 병렬 디지털 필터에 관한 것으로, 데이터를 비트 단위로 분할하여 각 비트별로 연산을 수행하고, 각 비트별 연산은 곱셈기를 이용하지 않고 덧셈기만을 이용하도록 구성함으로써, 처리 속도가 보다 향상된 고속 병렬디지털 필터를 제공하는 데 본 기술의 목적이 있다.본 기술은 고속의 병렬 디지털 필터에 관한 것으로, 입력 자료가 데이터인지 또는 필터 계수인지를 구분하는 분배기; 상기 필터 계수를 저장하는 계수 레지스터; 상기 데이터를 부호 및 크기 형태의 데이터로 변환하는 변환기; 상기 변환된 데이터를 저장하는 데이터 레지스터; 상기 데이터의 부호와 데이터의 현재 비트의 값에 따라 필터 계수를 선택하는 필터 계수선택기; 상기 필터 계수 선택기에서 선택된 필터 계수들을 가지고 부분합을 계산하는 덧셈기; 상기 덧셈기의 부분합들을 왼쪽으로 쉬프트하는 쉬프터; 및 상기 부분합을 누적하여 가산하는 누적 덧셈기를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 기술에 따르면, 기존의 곱셈기를 이용한 디지털 필터보다 더 작은 자원을 사용하여 더 빠른 디지털 필터의 구현이 가능한 효과가 있다.본 기술에 따른 고속 병렬 디지털 필터의 방법 및 구조를 적용할 경우, 기존의 곱셈기를 이용한 디지털 필터보다 더 작은 자원을 사용하여 더 빠른 디지털 필터의 구현이 가능하다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-26
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전기·전자 > 전자부품
본 기술은 가변 이득 증폭기에 관한 것으로서 특히 출력부에 귀환량을 조절할 수 있는 귀환 증폭부를 배치하여 이득 조절범위를 향상시킬 수 있는 가변 이득 증폭기에 관한 것으로, 출력의 일부를 입력측으로 귀환시키는 전압조절단을 갖는 궤환 증폭 수단을 통해 증폭기의 이득 조절 범위를 향상시킬 수 있는 가변 이득 증폭기를 제공하는데 있다.가변 이득 증폭기는 입력이 특정 전압으로 될 때 제 1 조절전압에 의해 최소 이득과 최대 이득 사이의 이득 조절 범위 내에서 출력되는 전압의 이득을 조절하는 증폭부와 상기 증폭부의 이득을 제 2 조절전압에 의해 재차 조절하여 상기 증폭부의 최대 이득을 변화시키지 않으면서 최소 이득을 더 작게 하므로써 전체 이득 조절 범위를 넓게함과 동시에 출력 정합 특성을 향상시켜 출력단을 안정화시키는 귀환부를 포함한다증폭부에서 조절된 이득을 귀환부에서 재차 조절하여 이득 조절 범위를 크게함과 동시에 출력을 정합시켜 출력단을 안정화시킬 수 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-06-26
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본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히 원형 그레이팅(circle grating)에 의한 표면 방출형 레이저 다이오드 어레이 (Surface Emitting Laser Diode Array; SELD Array)에 관한 것이다.반도체 레이저 구조로 인하여 종단 방출형 레이저 다이오드는 활성층에 수직한 방향으로 약 30도, 평행한 방향으로는 몇도의 발산 각(divergence angle)을 갖는 레이저를 방출한다. 이렇게 타원형으로 심하게 퍼지는 레이저를 광섬유 등에 사용하기 위해서는 왜형(anamorphic) 프리즘 등의 광학 장치를 사용하여 집광 해야 되기 때문에 장치가 커지게 되며 효율성 등의 문제를 야기한다. 또한 레이저가 종단에서 방출되는 특성으로 인하여 이러한 종단 방출형 레이저를 사용하여 2차원 어레이를 형성하는 데에는 문제점이 있다.본 기술은 이러한 점에 의거하여 안출한 것으로서, 본 기술의 목적은 레이저의 출력을 향상시킨 원형 그레이팅에 의한 표면 방출형 레이저 다이오드 어레이를 제공하는데 있다.본 기술은 동일한 반도체 기판위에 적어도 두 개 이상의 2차원 광 공진기를 이용한 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드가 형성되며, 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드는, 반도체 기판 위에 성장된 제 1 그레이딩층과; 외부에서 주입된 정공 및 전자가 결합하여 레이저를 발생하는 제 1 그레이딩 상부에 위치하는 활성층과; 활성층 상부에 위치하는 제 2 그레이딩층과; 제 2 그레이팅층 상부에 위치하는 제 1 전도형의 반도체층과; 반도체 상부 표면에 위치하여 반도체 상부 표면의 하부에 2 차원 광공진기를 규정하고 2 차원 광 공진기에서 발생한 레이저를 반도체 상부 표면으로 방사하는 원형 그레이팅층과; 하나 이상의 전극으로 구성되며 하나 이상의 전극 각각에 독립적으로 전류를 인가하기 위한 제1 전도형의 반도체층 상부에 위치하는 제 1 접속층을 포함하며; 제 1 및 제 2 그레이딩층은 그 밴드갭 에너지가 상기 활성층 쪽으로 갈수록 작아지도록 조성이 변하는 반도체 물질로 구성되며 활성층은 제 1 및 제 2 그레이딩층보다 밴드갭 에너지가 크지 않은 반도체 물질로 구성된다.본 기술은 레이저 다이오드의 광 공진기(혹은 광 공동)는 반도체 표면의 원형 그레이팅에 의해 제공되어 반도체 표면으로 방출된다. 또한 레이저 다이오드에 전류를 인가하는 접속층은 하나 이상의 전극으로 구성되어 레이저의 방출 방향을 변조할 수 있다.상기 원형 그레이팅은 또한 통상의 수직 광 공진기를 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드에 적용할 수 있으며 상기 원형 그레이팅의 형상을 등거리 동심원형, 비등거리 동심원형 또는 비등거리 비동심 원형으로 구현할 경우 상기 하나 이상의 전극으로 구성된 접속층의 사용과 함께 레이저 빔의 초점거리, 방향 등을 변조할 수 있으며 본 기술에 따른 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드를 채용하여 고출력 레이저 다이오드 어레이가 제공된다.이와 같이 본 기술은 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드를 채용하여 고출력 레이저 다이오드 어레이를 이용하여 고출력의 레이저를 얻을 수 있는 효과가 있다.
- 보유기관
- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-17
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