일반기술
재료 > 기타 재료
* 원리 및 구성본 기술은 평판 인쇄판(PS판)용 아크릴 계통의 폴리머를 이용한 감광 재료에 관한 것으로서 아크릴 계통의 2원 공중합체를 기본적인 수지로 사용하고 여기에 디아조퀴논 설포닐 클로라이드를 직접 주사슬에 붙여 감광액으로 사용한 것을 특징으로 하며, 이때 사용되어진 폴리머는 그 분자량에 따라 3원 공중합체의 형태를 가지고 있다. 본 기술에 의한 감광액은 첫째로 PS판용 감광재료로써 용매에 대한 용해도, 감도 및 해상도가 뛰어나며 우수한 망점 재현성, 현상성을 보여주고 둘째로 우수한 망점보존성으로 인해 기존의 노블락 수지보다 50000부 이상의 인쇄가 가능하며 생산단가가 저렴하다.* 특징본 기술의 목표로 하고있는 광 응답성 고분자는 평판인쇄용 양각형태의 감광물질로서 고분자의 주 사슬에 퀴논디아자이드 그룹을 도입하여 UV 특성 파장대에서 감광 특성을 갖는다. 즉 노광 부위와 비 노광 부위의 알칼리 현상액에 대한 용해도의 차이로 인해 원하는 화상을 형성할 수 있다. * 목적 및 장점본 기술의 목적은 디아조나프토 퀴논을 도입한 향상된 양각형의 감광성 아크릴 계통의 올리고머 또는 폴리머를 합성하는 것이다. 이에 알맞는 공중합체를 합성하기 위하여 테트라하이드로퍼푸릴 메타크릴레이트와 하이드록실에틸 메타크릴레이트를 사용하였으며 이 합성된 폴리머에 디아조나프토퀴논 설포닐클로라이드를 도입하여 에스테르화 시켰다. PS용으로 합성된 광응답성 공중합체가 짧은 노광시간과 빠른 현상성을 갖기 위해서는 분자량이 5000 - 50000 정도가 적합하며, 더 좋게는 분자량 15000이하가 적합하다 이러한 형태의 공중합체는 부가되는 광증감제 없이 좋은 현상성을 나타낼 것으로 기대되어진다. 또한 본 기술에 사용된 아크릴계통의 공중합체는 아크릴특유의 기계적강도와 좋은 해상도로 인해 15만부 이상의 인쇄력과 2㎛ 이하의 망점 재현성을 갖는다.* 적용응용분야 및 시장성감광성 수지 조성물은 PS판, 인쇄회로기판, 미세화상용 포토레지스트 등의 제조시에 화상 형성 재료로서 사용되어질 때 유용하다. 종래의 감광성 수지의 경우 망점의 크기가 수 미크론 이하로 내려가면서 망점둘레 부분의 현상성이 나빠져 해상도가 저하되고 노블락 계열의 수지는 기계적 강도가 100000부정도의 인쇄에 적합하다는 문제가 있는데 반해 본 발명은 PS판용 감광재료로써 용매에 대한 용해도, 감도 및 해상도가 뛰어나며 우수한 망점 재현성, 현상성을 보여준다. 또한 우수한 망점보존성으로 인해 기존의 노블락 수지보다 50000부 이상의 인쇄가 가능하며 생산단가가 저렴하다는 등의 시장성을 갖는다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 재료
본 발명은 PCB판용 아크릴 계통의 폴리머를 이용한 감광 재료에 관한 것이다. 일반적으로 인쇄회로기판은 폴리에스터 필림층, 광중합성층 및 보호 필림층으로 구성된 적층체로 부터 보호 필림층을 이탈시키고 화상을 형성한 다음 에칭 시키는 방법을 사용하여 왔다. 그러나 이와 같은 방법은 공정이 복잡하고 시간과 재료의 낭비가 크므로 동판위에 직접 감광층을 형성하여 바로 현상하기위해 아크릴 계통의 2원 공중합체와 3원 공중합체를 사용하고 여기에 기존의 노블락수지를 블렌드하여 감광액으로 사용 한 것을 특징으로 하며, 이때 사용되어진 폴리머는 그 분자량에 따라 2원 공중합체 혹은 3원 공중합체의 형태를 가지고 있다. 본 발명에 의한 감광액은 첫째로 PCB용 감광재료로써 용매에 대한 용해도, 감도 및 해상도가 뛰어나며 우수한 망점 재현성, 현상성이 뛰어 났으며PCB기판용 감광재료로 쓰여질 때에는 우수한 내에칭성으로 인해 기존의 노블락 수지와 블렌드하여 사용되어 질 수 있고 생산단가가 저렴하다.본 발명의 목표로 하고있는 광 응답성 고분자는 인쇄회로기판용(PCB) 양각형태의 감광물질로서 고분자의 주 사슬이 여러가지 아크릴계통의 모노머들로 구성되어 있으며 기존의 노블락 수지와 블렌드하거나 직접 사용하였다. 즉 기존의 감광층을 동판 위에 라미네이트 시키고 위에 보호막을 형성 시키는 방법과 달리 감광층을 동판위에 바로 도포하는 방법을 사용하기위해 아크릴계통의 2원, 3원 공중합체들을 노블락 수지와 블렌드하고 여기에 벤조페논류의 디아조 화합물을 첨가하여 용해억제재로 사용하였다. 본 개발의 목적은 향상된 양각형의 아크릴계통의 감광성 폴리머를 합성하는 것이다. 이에 알맞는 공중합체를 합성하기 위하여 테트라하이드로퍼퓨릴 메타크릴레이트 와 하이드록시에틸 메타크릴레이트, 메타크릴릭에시드를 사용하였으며 이 합성된 폴리머에 노블락수지를 블렌드하여 사용하였다. PCB용으로 합성된 광응답성 공중합체가 짧은 노광시간과 빠른 현상성을 갖기 위해서는 분자량이 5000 - 50000 정도가 적합하며, 더 좋게는 분자량 15000이하가 적합하다. PCB용으로 합성된 광응답성 공중합체는 구조에 도입된 카르복실그룹으로 인해 좋은 현상성을 가지며 부가되는 광증감제 없이 좋은 현상성을 나타내었다. 또한 본 발명에 사용된 아크릴계통의 공중합체는 아크릴특유의 기계적강도와 좋은 내에칭성으로 인해 기존의 현상액에 적합하였다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 비철재료
본 발명은 알루미늄을 융해하여 최종의 제품을 만들기까지 여러 가지 공정에서 생성되거나 혼입 되는 개재물을 효과적으로 제거하기 위한, 전자기력을 이용한 알루미늄중 개재물의 연속제거방법 및 장치에 관한 것이다. 본 개재물 제거방법은 알루미늄에서 개재물을 제거하는 방법에 있어서, 개재물이 포함된 알루미늄을 용해하는 단계와, 상기 용융 금속에 직류전류와 직류자장을 동시에 인가하여 전자기력을 발생하는 단계와, 상기 전자기력으로 인해 알루미늄과 개재물이 분리되는 단계를 포함한다. 이와같이, 본 발명인 전자기력을 이용한 알루미늄중의 개재물 연속제거 방법 및 장치는 개재물이 포함된 알루미늄 용탕에 직류 전류와 직류 자장을 인가하여 개재물을 분리 제거함으로서 다른 화학적 방법에 의한 재 오염의 위험 없이 알루미늄중의 개재물을 간단한 공정으로 제거할 수 있고 분리에 따른 비용이 적게들며 실제로 연속공정에 적용시킬 수 있어 생산자의 효율성을 극대화 한다.본 발명인 전자기력을 이용한 알루미늄중의 개재물 연속제거방법 및 장치는 개재물이 혼입된 알루미늄 용탕에 직류 전류와 직류 자장을 인가하여 개재물을 분리 제거함으로서 다른 화학적 방법에 의한 재 오염의 위험 없이 알루미늄중의 개재물을 간단한 공정으로 제거할 수 있고 분리에 따른 비용이 적게들며 실재로 연속공정에 적용시킬 수 있어 생산자의 효율성을 극대화 한다. 본 발명은 제품의 불량을 야기 시키는 개재물을 전자기력을 이용하여 깨끗이 제거시키는 방법 및 장치이다. 전자기력을 이용하여 연속적으로 개재물을 제거하는 획기적인 장치이다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 기타 재료 공정기술
본 발명은 폐 알루미늄을 사용하는 알루미늄 리싸이클링 과정중에 효과적으로 철을 제거하도록 하는 전자기력을 이용한 알루미늄중의 철(Fe) 연속제거 장치에 관한 것이다. 본 철 제거장치는 알루미늄을 용해시켜 금속간 화합물을 형성하는 틸팅로와, 상기 화합물을 포함하는 알루미늄용탕에 전자기력을 인가하도록 하는 전자기 분리구역과, 보호유지로와, 직류전류를 유도하는 텅스텐전극과, 상기 직류자장을 전류의 발생방향과 수직방향으로 발생하도록 유도하는 전자석을 포함하는 알루미늄에서 철(Fe)을 제거하는 장치에 있어서, 상기 전자기 분리구역의 말단부에는 전자기력에 의해 분리된 청정화 된 알루미늄용탕을 배출하는 단일분리구를 포함한다. 이와같이, 본 발명인 전자기력을 이용한 알루미늄중의 철(Fe) 연속제거 장치는 철이 포함된 괴상의 금속간 화합물을 형성시킨 알루미늄용탕에 직류 전류와 직류 자장을 인가하여 금속간 화합물을 분리 제거함으로서 다른 화학적 방법에 의한 재 오염의 위험 없이 알루미늄중의 철을 간단한 공정으로 제거할 수 있어 재활용이 용이하며, 특히, 단일분리구를 사용하므로써 청정화된 알루미늄용탕의 회수율이 높아 생산자의 효율성을 극대화 한다.본 발명인 전자기력을 이용한 알루미늄중의 철(Fe) 연속제거 장치는 철이 포함된 괴상의 금속간 화합물을 형성시킨 알루미늄용탕에 직류 전류와 직류 자장을 인가하여 금속간 화합물을 분리 제거함으로서 다른 화학적 방법에 의한 재 오염의 위험 없이 알루미늄중의 철을 간단한 공정으로 제거할 수 있어 재활용이 용이하며, 특히, 단일분리구를 사용하므로써 청정화된 알루미늄용탕의 회수율이 높아 사용자의 효율성 및 경제성을 극대화 하는 매우 훌륭한 발명이다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 분말 제조 기술
* 원리 및 구성본 기술은 산화안정성이 우수하고 분말입자가 나노미터크기인 금속사출성형용 금속분말 피드스톡의 제조방법에 관한 것으로 나노미터크기의 금속분말을 70-200℃의 온도에서 금속사출성형용 유기결합제와 혼합하는 단계와, 70-120℃의 온도에서 상기의 혼합물을 과립형태로 제조하는 단계로 구성되며 상기의 두 단계는 불활성 가스 또는 보호성 가스로 채워진 청정설비에서 이루어짐을 특징으로 하는 제조방법을 제공함으로써 나노금속분말의 폭발적인 산화문제를 제어하고 제품의 제조과정에서의 형상을 건전하게 유지하면서 완전치밀화를 이룰 수 있는 금속사출성형용 피드스톡의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.* 특징 및 장점 - 산화오염이 되지 않고 대기중에서 장시간 저장하여도 산화반응이 일어나지 않는 금속사출성형용 나노합금/복합분말 피드스톡을 제조할 수 있다. - 금속사출성형용 피드스톡의 제조에 있어서 청정설비를 이용함으로 산화안정성과 사출성형과 형상유지성이 우수하다.* 기술 기대 효과 - 나노금속분말의 산화문제를 제어 제품제조과정에서 형상을 건전하게 유지,완전치밀화 제품제조에 유용하다.* 적용응용분야 - 금속사출성형 분말제품에 응용된다.* 기술 시장성 - 금속사출성형용 피드스톡 제조시 세계적인 시장성이 밝은 전망이다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 기타 재료 공정기술
본 발명은 실리콘 웨이퍼의 알루미늄 패드에 대한 징케이트 처리방법을 제공하되, 상기 징케이트 처리방법은 상기 실리콘 웨이퍼 상의 알루미늄 패드의 표면을 세척하는 단계와; 상기 세척단계를 거친 상기 실리콘 웨이퍼를 공지의 징케이트 용액에 넣은 후 상기 실리콘 웨이퍼가 담지된 상기 징케이트 용액을 초음파 기기에 장입하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼에 초음파를 인가한 상태로 28내지 40kHz로 교반하여 아연으로 이루어진 중간접착층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에따라, 알루미늄 패드상에 무전해 도금의 징케이트 처리에 의해 활성화하는 과정에서 처리 회수를 줄여 공정을 단순화하여 미세하고 균일한 표면의 아연층을 형성하고 생성된 도금층의 내부 잔류 응력을 감소시키며, 도금된 층과 기판사이의 접착력을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 본 발명은 알루미늄 패드상에 무전해 도금의 징케이트 처리를 수행하는 방법에 있어서 징케이트 처리를 하는 동시에 초음파를 인가한 상태로 교반하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 알루미늄 패드상에 무전해 도금의 징케이트 처리에 의해 활성화 하는 과정에서 처리 회수를 줄여 공정을 단순화하여 미세하고 균일한 표면의 아연층을 형성하고 생성된 도금층의 내부 잔류 응력을 감소시키며, 도금된 층과기판 사이의 접착력을 향상 시킨다. 실리콘 웨이퍼의 알루미늄 패드상에 대한 징케이트 처리에 있어 실리콘 웨이퍼의 표면 세척과 징케이트 용액에 넣은 후 초음파 기기에 장입하고 상기 실리콘 웨이퍼에 초음파를 인가한 상태로 28 내지 40kHz로 교반하여 아연으로 이루어진 중간접착층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 터널링 절연체 층 위에 자발 형성된 Ni1-xFex (0<x<0.5) 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트 구조를 갖는 고속 동작이 가능한 플래시 메모리 소자의 구조와 공정에 관한 것으로, 본 발명이 제시한 터널링 절연체 층 위에 자발 형성된 Ni1-xFex나노 결정체를 갖는 나노 플로팅 게이트는 새로운 구조의 나노 플로팅 게이트는 플래시 메모리의 쓰기와 지우기 속도를 향상시키고 플로팅 게이트내 전하를 장시간 보유할 수 있는 플래시 기억소자 제작 방법 제시.기존의 나노 결정구조를 포함한 고분자층을 플로팅 게이트로 사용한 플래시 메모리 구조의 전기적인 안정성을 향상시키기 위하여 SiO2 절연층을 삽입한 새로운 구조를 제시함으로서 플로팅 게이트내에 전하의 보유시간을 연장할 수 있는 전기적으로 안정적으로 작동하는 플래시 메모리 소자 제작을 가능하게 함. 고분자 내에 나노 결정체를 형성하여 고가의 장비 없이도 간단한 공정과정과 고효율 특성을 갖는 장시간 전하를 보유할 수 있는 나노 플로팅 게이트의 형성이 가능하며, 이를 이용한 한 고효율 및 저비용 나노 플로팅 게이트를 가진 플래시 기억소자 제작가능하다
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- 한양대학교
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- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명은 스피넬 LiMn2O4의 원료가 될 수 있는 망간탄산화물로서 구조가 구형인 망간탄산화물의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 (Mn1-xMx)CO3의 공침법에 서는 일반적으로 판상으로 성장하는 망간탄산화물을 환원제인 하이드라진을 사용함으로써 구형의 형상을 가진 망간탄산화물을 제조할 수 있다. 본 발명에 의해 망간산화물로서 갖는 장점을 살리면서도 충진 밀도를 높이며, 수명특성의 문제점들을 극복하여 구조변이가 없고 수명 특성이 우수한 스피넬 LiMn2O4의 원료가 될 수 있는 구형의 망간탄산화물을 제공할 수 있다.본 발명에 의하면, 종래의 탄산화공침법에 의해 제조된 종래의 망간탄산화물의 제반 문제점을 해결하여 충진밀도가 높고, 입도분포가 균일하여, 리튬이차전지용 스피넬 Li[Mn1-xMx]2O4의 양극활물질의 원료가 될 수 있는 구형의 망간탄산화물을 제공할 수 있다. 또한 본 발명은 리튬이차전지의 양극활물질의 원재료의 제조에 관한 기술로써, 리튬이차전지용 망간탄산화물을 구형의 분말로 제조하여 적용한 기술로써, 탭밀도가 높으며, 단분산 스피넬 복합 산화물의 제조가 용이하고, 이를 이용한 리튬이차전지의 제조가 가능하다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 분말 제조 기술
* 목적 및 구성본 기술은 나노 다공성 분말을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 초음파 분무 열분해법을 이용하여 균일하게 분포하는 나노사이즈의 기공을 가지는 나노분말을 손쉽게 제조하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 상기한 목적을 달성하기 위하여 전구체와 수용성 고분자를 용매에 첨가 및 교반하여 용액을 제조하는 단계, 상기 용액을 초음파 분무장치로 분무시키는 단계, 상기 분무된 액적을 가열된 챔버로 분사시키는 단계, 분무된 액적을 열분해시키는 단계, 그리고 열분해 후 생성된 분말을 포집하는 단계를 포함한다.* 특징 및 장점본 기술은 나노크기의 기공을 포함하는 균일한 분말을 수득할 수 있으면서도 고순도이며 경제적인 나노 다공성 분말 제조방법을 제안하였다. 본 기술의 특징은 금속염 전구체에 수용성 고분자를 첨가하여 초음파분무 열분해를 함으로써 비표면적이 매우 크고 나노사이즈의 기공을 가진, 균일한 나노 다공성 분말의 경제적인 제조방법을 제공하는 것이다. 간단한 제조방법을 통하여 에너지절약/저장/변환소재, 화학적/전기화학적 활성소재, 정보/전자용 소재분야에 응용 가능한 나노 다공성 분말을 제조할 수 있다. 특히 본 기술의 제조방법은 간단한 방법으로 빠르게 제조할 수 있으며 공정자체가 환경친화적이고 경제적이며 안전하다는 효과를 가진다.* 적용응용분야 및 시장성본 기술은 나노크기의 기공을 포함하는 균일한 나노분말을 수득할 수 있다. 간단한 제조방법을 통하여 에너지절약/저장/변환소재, 화학적/전기화학적 활성소재, 정보/전자용 소재분야에 응용 가능한 나노 다공성 분말을 제조할 수 있다. 특히 본 기술의 제조방법은 간단한 방법으로 빠르게 제조할 수 있으며 공정자체가 환경친화적이고 경제적이며 안전하다는 효과를 가진다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명은, 차세대 비휘발성 메모리 소장 중의 하나인 Resistive Random Access Memory (ReRAM) 소자에 응용되는 메탈 전극 기판위에 이원 산화 물질 박막을 remote oxidation 방법을 이용하여 다층구조로 증착하는 방법에 관한 것으로서, 기판상에 금속 전극을 증착시키는 단계, 전극 층 상에 금속막을 증착시키는 단계, 상기 금속막을 Remote oxidation 방법을 이용하여 이원 산화 물질 층으로 형성하는 단계, 이원 산화 물질 층이 원하는 다층구조가 될 때까지 상기 금속막 증착, 산화 단계를 반복하는 단계, 기판 및 이원 산화 물질 층을 어닐링하는 단계, 상부전극을 증착 하는 단계 및 ReRAM 장치를 완성하는 단계를 포함한다.본 발명에 따르면, 진공상태에서 remote oxidation 방법을 이용하여 이원 산화 물질을 다층 성장하여 균일한 이원 산화 물질을 높은 재현성으로 형성할 수 있다. 또한, 이를 거대 저항변화 메모리와 같은 비휘발성 메모리 소자에 응용함으로써 종래의 perovskite 물질보다 우수한 고효율의 비휘발성 메모리 소자를 구현할 수 있을 것으로 기대할 수 있으며, 재현성도 우수하여 실제 양산화공정에 효과적으로 적용될 수 있다. 이러한 이원 산화 물질 다층 박막 형성방법은 비휘발성 메모리소자 제조방법으로 응용되어, 보다 큰 효과를 제공할 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 기타 재료 공정기술
본 발명은 유기진공증착 시스템에 의해 ITO 박막이 증착된 유리기판위에 제작된 점진 혼합층으로 구성된 고효율 단일층 유기발광소자 구조에 관한 제작방법을 제시한다. 유기분자 증착시 정공전달물질, 발광물질, 정공차단물질 및 전자전달물질의 증착속도는 도 2와 같이 조절한다. 전체두께의 40% 와 80%에서 발광물질과 정공차단물질의 증착속도는 최대가 된다. 계면상태와 계면트랩준위가 존재하지 않는 단일층을 사용한 유기발광소자를 점진 혼합기술에 의하여 제작한다. 점진 혼합층으로 구성된 고효율 단일층 유기발광소자는 다층구조를 사용한 유기발광소자에서 기인하는 계면상태와 계면에 존재하는 트랩준위로 인한 전자 및 정공의 감소 요인을 제거하여 전자 및 정공의 주입효율을 증진하며 발광과 관련된 엑시톤의 형성영역이 다층구조를 사용한 유기발광소자에 비하여 상대적으로 넓게 확대되어 엑시톤 향성효율이 증가하기 때문에 내부양자효율이 개선된다. 본 발명에서 점진 혼합 방법을 사용하여 고효율 단일층 유기발광소자를 제작하는 방법을 제시한다.점진 혼합층으로 구성된 고효율 단일층 유기발광소자는 다층구조의 유기발광소자에서 발생하는 계면상태와 계면의 트랩준위로 인한 전자, 정공의 주입효율감소 요인을 제거하여 전자, 정공의 주입효율이 증가하며 발광과 관련된 엑시톤의 형성영역이 다층구조에 비해 넓게 형성되고 엑시톤 형성효율이 증가하고 내부양자효율이 개선된 고효율 유기발광소자 제작방법을 제안한다. 단일층을 가진 유기발광소자의 성장시간이 다층구조를 가진 유기발광소자의 성장시간보다 빠르고 제작절차가 간편하며 단일층을 가진 유기발광소자의 양자효율이 다층구조를 가진 유기발광소자의 양자효율보다 더 높다. 그러므로 단일층을 가진 유기발광소자는 소자효율의 증가에 도움이 되며 유기물과 관련된 발광소자에 응용할 수 있다. 국내외 시장성은 수천만불이 예상된다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 금속 복합재료
본 발명은 가벼우면서도 넓은 비표면적으로 수송체나 촉매 등의 분야에서 광범위하게 사용되는 중공입자의 제조에 관한 내용을 포함하고 있다. 본 발명에서는 기존의 공정에서 제시되었던 것과는 다른 중공입자의 형성기구를 제안하고 있다. 특히 공정의 종류에 의존하지 않는 전구체 자체의 열분해 특성을 이용함으로써 보다 새롭고 간단하게 중공입자를 제조할 수 있다. 이와 같은 합성기구는 지금까지 기초연구가 미비했고, 공정단계가 복잡하여 제조에 어려움이 많았던 금속산화물 중공입자를 단순한 기상합성 공정을 통하여 쉽게 제조할 수 있는 가능성을 마련한 것이다. 특히 압력을 일정한 범위 내에서 유지시킴으로써 미세한 입도를 갖는 그리고 입도분포가 좁은 금속산화물 중공입자가 제조될 수 있다. 본 발명에서 실시한 몇 가지 예로부터 알 수 있듯이, 본 발명을 통하여 합성된 금속산화물 중공입자는 모두 50 nm 이하의 미세한 평균입도와 매우 좁은 범위의 입도분포를 갖고 있었다. 이는 본 발명에서 제시한 중공 나노입자 형성 기구의 객관성과 개연성을 부여할 수 있는 중요한 증거이며 보다 향상된 광학적 특성, 전자적 특성, 화학적 특성을 통하여 다양한 분야에 사용될 수 있는 가능성을 보여주는 예라 할 수 있다본 발명은 metal acetylacetonate 전구체의 단계적인 분해과정을 통하여 gas-solid 반응 중, 입자표면에서의 결정화 속도와 유기물의 분해속도의 상호관계에 의해서 중공구조를 형성시킬 수 있는 간단한 공정을 포함하고 있다. 또한 코팅이나 하소와 같은 전, 후처리가 필요하지 않으며, 50 nm 이하의 중공 나노입자를 제조할 수 있다는 점이 종래의 발명들과 가장 큰 차이점이라 할 수 있다.단일층을 가진 유기발광소자의 성장시간이 다층구조를 가진 유기발광소자의 성장시간보다 빠르고 제작절차가 간편하며 단일층을 가진 유기발광소자의 양자효율이 다층구조를 가진 유기발광소자의 양자효율보다 더 높다. 그러므로 단일층을 가진 유기발광소자는 소자효율의 증가에 도움이 되며 유기물과 관련된 발광소자에 응용할 수 있다.
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- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
본 발명에서 제시하는 유기발광소자에 사용하는 격자형태를 가진 전극은 모든 지역의 발광층에서 형성되는 삼중항엑시톤 (triplet exciton)이 존재하지 않고 격자형태의 양극과 음극에만 국소적으로 형성된 엑시톤은 유기발광층의 수직방향과 수평방향으로 확산되기 때문에 삼중항 엑시톤(triplet exciton)의 밀도를 낮출 수 있기 때문에 삼중항-삼중항 엑시톤 소멸확률을 낮추어서 고효율의 인광성 유기발광소자 제작을 가능하게 하는 소자제작방법 제시하고 있다. 유리기판위에 성장된 양극전극을 도 1과 같이 격자형태로 식각한 후 정공전달층, 인광성 발광물질을 첨가한 발광층, 정공차단층 및 전자전달층, 음극전극을 연속적으로 성장한다. 음극전극도 양극전극과 동일한 형태로 위치를 조절하여 격자형태로 식각한다. 이렇게 제작된 격자형태의 전극은 인광성 유기발광소자의 효율저하 원인인 삼중항-삼중항 엑시톤 소멸현상을 감소시켜 고효율 인광성 유기발광소자 제작을 가능하게 한다. 격자형태를 가진 전극을 사용한 새로운 구조의 인광성 유기발광소자는 차세대 고효율 유기발광소자제작에 새로운 방법을 제시한다.격자형태를 가진 전극을 사용하는 새로운 구조의 인광성 유기발광소자는 평면형태의 전극과는 다른 독특한 형태의 전극을 사용한다. 그림 2의 다 지역에서 삼중항 엑시톤이 형성되고 정공차단층에 가로막힌다. 약 1~100μsec 의 수명을 갖는 삼중항 엑시톤은 삼중항 엑시톤이 형성되지 않는 그림 2의 라 지역으로 확산된다. 삼중항 엑시톤의 확산은 삼중항 엑시톤의 밀도는 낮추어 그림 2의 다 지역에서 삼중항-삼중항 엑시톤 소멸의 확률을 감소시킨다. 격자형태의 전극을 사용하는 새로운 구조의 인광성 유기발광소자는 평면형태의 전극을 갖는 인광성 유기발광소자보다 높은 양자효율을 보여준다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 전자기기능재료
기존의 방법으로 단일층 발광소자의 발광층을 제작 시 분광학의 발광폭이 크고 효율이 낮기 때문에 발광영역에서의 파장을 정교하게 조절 할 수 없었다. 본 발명에서는 전자와 전공 이동층 사이에 정공 및 전자를 포획할 수 있는 다중 양자우물층을 삽입하여 노란색 영역에서의 효율이 높은 새로운 유기발광소자의 제작을 제시한다. 다중 양자우물의 두께와 개수를 변화하여 광분광학의 반측폭과 파장을 조절 할 수 있다. 본 발명에서는 전류의 변화에 관계없이 색좌표가 크게 변하지 않는 노란색의 안정성을 보이는 노란색 영역에서 작동하는 단일층과 결합된 다중 양자 우물층을 사용한 고효율 유기발광소자 제작방법을 제시한다.본 발명은 정공 이동층에 발광층과 함께 다중 양자우물 구조를 제작하여 단일층과 결합된 다중 양자우물층을 미세하게 조정으로 인하여 분광학적 발광폭 및 파장의 조절이 가능하고 전류의 증가에 따라서도 안정화 된 노란색 특성을 보이는 발광소자를 제작방법을 제시한다. 유기물을 이용한 발광소자로서 발광층을 단일층이 아닌 단일층과 결합된 다중 양자우물층을 이용하여 분광학적 분석을 통한 발광폭 및 발광 파장의 조절이 양자우물 구조의 변화를 통하여 가능하다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 열기능재료
본 발명은 저온 동시 소성이 가능한 NiZnCu 페라이트를 제조하는 방법에 관한 것으로 종래의 소결온도보다 온도를 낮추는 방법을 제시한다. 저온 동시 소성 연구는 현재까지 캐퍼시터 소자의 개발에 주력하고 있으나 통합적인 모듈의 구현을 위해서는 인덕터 소재의 개발이 절실한 실정이다. 내부전극을 Ag로 하는 적층형 인덕터 제조를 위해서는 전극의 융점보다 낮은 온도에서 소성해야한다. 따라서 인덕터 소재의 개발을 위해 소결 온도를 낮추는 것은 필수적이다. 이에 본 발명은 900℃이하로 소결온도를 저하시키면서도 우수한 자기적 특성을 갖는 인덕터 소재의 개발을 제안한다. 소결온도를 낮추기 위해 사용되는 기존의 소결 조제들과 달리 미량의 Ag를 첨가한 본 재료는 낮은 온도에서도 입자성장이 빠르게 일어나 치밀한 미세구조를 갖는다. 특히 0.1wt. %의 Ag를 첨가한 NiZnCu 페라이트의 경우 875℃에서 소결 하였을 때 4.05kG의 포화자화 값과 4Oe의 보자력, 10MHz에서 521의 초기투자율을 보였다. 또한 나노크기의 분말로 만든 후 유기물을 첨가하여 doctor blade법으로 만든 본 후막은 전자부품의 소형 경량화 요구를 만족시킬 수 있는 방법이 되겠다.본 발명에 따른 NiZnCu 페라이트의 제조방법은 다음과 같은 효과를 가진다. 첫째, 본 발명은 900℃이하의 온도에서 미량의 Ag를 첨가하여 소결이 가능하면서 치밀한 미세구조를 갖는다. 둘째, 본 발명은 900℃이하의 소결온도에서 제조된 NiZnCu 페라이트의 자성특성이 우수하다. 셋째, 본 발명은 상기 재료를 인덕터 소재에 응용 가능하다. 나노크기의 분말을 제조한 후 doctor blade법으로 페라이트 후막을 만든다. 적층 후 소결하는데 미량의 첨가물인 Ag가 소결 시 입자성장을 빠르게 하여 875℃에서 치밀하며 자성특성이 우수한 NiZnCu 페라이트를 제조할 수 있게 한다. 본 재료는 열적 안정성이 뛰어나며 비교적 높은 주파수 대역에서 응용이 가능하다. 본 발명을 응용하여 수동소자를 임베디드한 전자부품의 개발에 적용가능하다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 전자기 기능재료
기존의 유기발광소자에서 음극전극으로 Mg 원자와 Ag 원자의 비율이 10:1인 Mg:Ag 합금박막층을 증착한 후 Ag 박막층을 증착하는 두 단계의 형성방법으로 제작하여 사용하였다. Al 박막을 음극전극으로 사용할 경우 LiF 완충층을 사용하여야 하는 단점이 있다. 본 발명에서는 5:95 의 비율을 갖는 Mg와 Ag 의 합금단일층을 유기발광소자의 음극전극으로 사용함으로써 음극전극에서 유기발광소자의 발광층에 주입되는 전자주입 효율을 증진시키는 새로운 음극제작방법을 제시한다. 본 발명에서는 5:95의 비율을 갖는 Mg:Ag 단일층 음극전극을 사용한 유기발광소자의 효율이 증가하고 공정이 단순하여 차세대 유기발광소자에 응용될 경우 유기발광소자의 제작비용을 상당히 절감할 수 있는 고효율 전자주입을 위한 Mg:Ag 박막을 사용한 음극전극 형성 방법을 제시한다.본 발명에서는 Mg 원자와 Ag 원자의 합성비율을 5:95로 합성한 Mg:Ag 합금박막을 이용해 단 한번의 증착과정으로 Mg:Ag 합금박막층과 Ag 박막층을 형성하는 효율적인 전자주입을 위한 유기발광소자의 음극전극 제작 방법을 제시하고 있다. 5:95 비율을 갖는 Mg:Ag 단일층 음극 전극을 사용한 유기발광소자의 효율이 증가된 동시에 공정상의 단순화로 인하여 차세대 유기발광소자제작에 응용할 수 있다. 공정상의 단순화과정을 통하여 유기발광소자 제작비용을 상당히 절감할 수 있으며 고효율 유기발광소자를 제작할 경우 연간 수천만불을 획득할 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 은을 담지한 하이드록시아파타이트를 합성하기 위해서 알콕시드와 염을 사용하는 방법을 적용하였다. 출발용액은 전체양이온(Ag와Ca)중에서 Ag가 차지하는 원자비가 0.5�12mol%가 되도록 AgNO3 양을 변화시켜 Ca(NO3)24H2O, P(OC2H5)3, C2H5OH 와 H2O의 0.075:0.045:20:0.135 몰비로 제조하였다. 제조된 졸은 100℃에서 48시간동안 건조하였고, 1000℃에서 2시간동안 열처리를 하여 100�300nm 입자크기를 얻었다. 은을 담지한 하이드록시아파타이트의 합성은 X선회절, 주사전자현미경으로 확인되었다. 항균 효과는 진탕플라스크법을 이용하여 측정하였고, 그 결과 황색 포도상구균(ATCC 6538) 및 대장균(ATCC 25922)의 사멸률은 99.9% 이상으로 높은 항균 특성을 나타내었다.하이드록시아파타이트에 은을 담지하기 위해서 공침법과 이온교환법이 주로 사용되고 있지만, 이러한 방법들은 pH 및 반응온도를 제어하는데 어려움이 있다. 또한 생성된 분말의 조성은 합성조건에 따라 달라지는 결과를 초래한다. 특히 공침법은 Ag첨가량이 증가하여도 XRD분석에서 하이드록시아파타이트만 검출되는 단점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 pH를 제어하는데 전혀 문제가 없고, 상온에서도 합성이 가능한 알콕시드와 염을 이용하는 졸-겔 방법을 사용하였다. 또한 화학적 조성이 균일한 고순도의 분말을 얻을 수 있다는 장점이 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
폴리머 기판을 절연층으로 하여 마이크로 히터를 제작하기 때문에 히터의 형태에 구애받지 않고 다양한 형태로 제작이 가능하기 때문에, 여러 가지 기술적 측면에서 적용이 많이 이뤄질 것으로 기대된다. 또한 기존의 실리콘 기판을 사용할 경우, 히터를 보호하기 위한 외장재가 필요하고 그에 따른 외형적인 한계에 다다를 수밖에 없다. 하지만 유연성있는 폴리머 기판을 사용할 경우에는 이와 같은 보호 외장재가 필요없기 때문에 어떠한 모양으로도 제조가 가능하다. Metal Mask를 이용한 히터 제작 공정의 단축 및 Metal Mask 재사용으로 인한 생산단가의 감소 및 생산성의 향상이 기대된다. 국내 가전업체에서 생산되는 김치냉장고의 경우 coil을 이용하여 히터를 만드는데, 그 생산단가가 3,000원인 반면 PET/Stainless Steel/PET의 마이크로 히터의 경우 그 단가를 절반 정도로 낮출 수 있다. 또한 Metal Mask를 이용한 패턴은 최소 10㎛까지 가능하여 히터의 크기를 줄일 수 있고, 다양한 패턴을 가공할 수 있다. 금속 패턴의 간격 및 모양을 통해 저항을 조정하여 원하는 온도범위의 히터개발이 가능할 뿐만 아니라, 폴리머 기판을 이용하기 때문에 높은 flexibility를 얻을 수 있으므로, 형태에 대한 제한이 없다. 폴리머의 종류에 따라 사용 환경에 적합한 저․고온 특성을 갖는 제품제작이 가능하게 되어 기존 히터를 대체함으로써 그 무게와 부피를 상당히 감소시킬 수 있다. 내식성 및 연성의 향상으로 그간 이용되지 못한 산업체 분야에도 도입이 가능하다. 또한 제품의 크기가 미세하므로 박막전지 등의 부착으로 추운 지역에서의 휴대용 발열체 개발이 이루어 질 수 있다. 세라믹 자기의 생산 공정에 응용이 가능하고, 완성된 세라믹 자기 내벽에 부착하여 보온효과를 갖는 식기류 개발이 가능하다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
차세대 메모리 소자인 플래쉬 기억소자의 제작에 있어서, 상온에서 낮은 전압에서도 전자가 절연층을 투과하여 나노 입자에 포획되는 효과가 가능한 소자와 간단하게 나노 입자의 크기나 밀도의 제어가 가능한 기술이 필요하다. 차세대 플래쉬 기억소자에 대한 이러한 필요성을 바탕으로 본 발명이 제시한 새로운 기억소자는 폴리아믹산과 금속의 화학적 결합에 의해 폴리이미드 속에 생성된 Ni1-XFeX 금속 나노 입자로 제작하며, 이 다층 나노 입자 배열을 이용한 기억소자는 전기적 및 화학적으로 안정한 장점이 있다. 제시한 기억소자는 Al/폴리이미드/다층 Ni1-XFeX 나노 입자/폴리이미드/Al/SiO2/Si 구조를 가지고 있다. 이러한 전기적 및 화학적 안정성 및 제작 공정의 간편함으로 인해 고효율과 저비용의 소스와 드레인이 없는 비휘발성 고분자 쌍안정성 기억소자 제작이 가능하다.본 발명은 종래의 나노 결정체의 형성과정보다 매우 간단하게 나노 결정체를 형성할 수 있으며 전체적으로 균일한 분포를 가지는 결정체들이 고분자층으로 둘러 쌓여있어 결정체의 응집현상 없이 나노 결정체의 크기나 밀도를 제어할 수 있으며 소오스 및 드레인 전극을 별도로 필요로 하지 아니하므로 비용 및 제조시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 전기적으로나 화학적으로 안정성을 갖는 나노 결정체를 이용함으로써 고효율 저비용의 비휘발성 쌍안정 기억 소자를 제공하는 우수한 효과가 있으며 정보 전자 통신분야에서 매우 유용한 발명이다.
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-22
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일반기술
재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
* 배경본 발명은 기존의 Co, Ni, Fe계열의 강자성박막을 응용한 비정질 연자성박막의 제조에 관한 것이며, 더 상세하하여 게는 기존의 높은 보자력을 가지는 강자성 박막의 향상된 스위칭특성을 보유하는 것으로 DC 스퍼터링 법을 이용하여 자성메모리의 스위칭 특성, 자기저항비, 자기센싱 효과의 향상에 관한 것이다.* 장점강자성 Co, Fe, Ni 단일 또는 혼합 물질에서 낮은 보자력을 가지는 물질을 형성하기 위해서 그에 따른 질소분압의 조절 및 질소플라즈마로 인한 교환력의 감소를 억제하는 자기터널접합의 구조 개선 및 비정질상을 이용한 열적 안정성 확보로서 자성메모리 개발의 문제점 해결한다.* 특징 및 장점본 기술의 방법을 사용하여 차세대의 비휘발성 자성 메모리 소자 개발로 주목받는 낮은 보자력과 열적안정성을 가지는 질화물계 자성박막의 제조법에 관한 것으로 더 상세하게는 강자성계의 Co, Fe, Nil계 또는 그들의 혼합물질에 대한 것으로 sputtering system을 이용한 박막형성의 경우에 있어서 물질이 가지는 높은 보자력 및 불안정한 열적안정성을 향상하는데 탁월한 소재물질로 차세대 MRAM 및 자기 센서용 소자의 개발 방법을 제시함 * 적용응용분야 및 시장성 - magnetic random access memory, magentic sensor - spintronics - spin-transistor
- 보유기관
- 한양대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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