캠 셀 구조 및 캠 셀을 이용한 필드 컨피큐러블 램과 프로그램머블 로직에레이 겸용 메모리
CAM을 이용하여 RAM 및 PLA 겸용을 기본으로 하여, RAM 및 PLA의 개수 및 data width 등도 field에서 사용자가 configuration하여 사용이 가능한 새로운 구조의 Memory 기술이다.새로운 CAM cell은 Interconnection에 의한 성능 저하를 최소화 하였다.
- 보유기관
- 한국과학기술원
- 등록일
- 2004-12-10
산업기술 통합검색
CAM을 이용하여 RAM 및 PLA 겸용을 기본으로 하여, RAM 및 PLA의 개수 및 data width 등도 field에서 사용자가 configuration하여 사용이 가능한 새로운 구조의 Memory 기술이다.새로운 CAM cell은 Interconnection에 의한 성능 저하를 최소화 하였다.
본 기술은 밀리파 통신에서 사용하기 위한 회로기판에 관한 것으로 특히, 유리기판위에 한 개 이상의 플립칩을 솔더 범퍼를 통해 멀티칩 패키지하되, 솔더 범퍼와 유리기판 사이에 데이터의 입출력신호선 및 전력선과 접지선을 외부로 연결하기 위한 금속선 및 플립칩의 상호간의 연결선을 형성시키며, 플립칩위에 장착함으로써 칩에서 발생하는 열을 직접적으로 제거할 수 있도록 구성되어지는 것을 특징으로 하는 유리기판을 이용한 극초단파 대역의 멀티칩 패키지를 제공하여 방열판을 이용한 구조를 사용하는 것을 내용으로 한다.수동소자의 형성을 유리기판에 유도하므로써 그 성능을 최대화하고 열을 효과적으로 방출한다.
화합물 반도체의 특성상, 제조공정 중에 가역 웨이퍼 접합 기술이 사용되는 경우가 많다. 이러한 경우, 열응력에 의해 화합물 반도체 웨이퍼가 파손되는 현상이 자주 발생되고, 이것은 반도체의 생산 수율에 직결되는 중요한 문제이다. 본 기술은 웨이퍼 접합 구조의 물성과 형상으로부터 열응력을 최소화하는 접합 공정을 찾아내는 방법에 대한 것이다.기존의 접합 공정은 시행 착오를 거쳐 웨이퍼 파손이 잘 일어나지 않는 공정 조건을 찾아 진행되었지만, 본 기술은 접합 공정 온도, 접합 재료 물성, 기하학적인 형상 변화에 따라 열응력을 최소화하는 공정 조건을 찾아내는 방법이다.
캐패시터의 유전재료로 사용할 수 있는 BaTiO3/에폭시 composite film의 가장 중요한 특성인 유전상수를 0.9㎛와 0.06㎛ 크기의 bimodal 분말을 4:1 부피 비율로 혼합하여 유전상수 89이상,캐패시턴스 오차 분포 특성 5%이하의 내장형 캐패시터 필름을 제작하는 기술에 관한 것이다.저가 원료 이용과 원료손실의 최소화를 통한 경제성 간단하고 저비용의 공정 이용대량생산 가능 균일한 특성의 캐패시터 제작 가능하다.
미소 기전 초고주파 스위치는 삽입 손실이 적고 고립도가 높은 특징을 갖는다. 본 기술은 밂-당김 형태의 미소 기전 초고주파 스위치로서 낮은 동작 전압의 특성을 갖는다.기존의 미소 기전 초고주파 스위치와 동일한 제조 공정을 이용하면서 밂-당김 형태를 사용함으로써 동작 전압을 낮춤.
본 기술은 전산화 래디오그래피 장치로서, 방사선에 감응하는 저장형광스크린을 이용하여 래디오그래피를 실시함에 있어 저장형광스크린으로부터 디지털영상을 획득하기 위한 단계에서 방사선감응부인 형광스크린을 광학적으로 자극하기 위해 광섬유와 연결된 일련의 가변파장 반도체발광 어레이를 사용하고 전기적인 펄스로 자극광신호의 순차적인 기동을 조정하며 자극광의 신호펄스와 발광신호의 수집단인 광증배관을 연동하여, 수집되는 형광을 2차원 위치분포로 재현함으로써 디지털 영상을 획득하는 저장형광스크린의 판독장치에 관한 것이다.본 기술은 저장형광스크린의 판독에서 형광스크린의 광자극을 위해 광섬유와 연결된 일련의 가변파장 반도체발광 어레이를 사용하며 전기적 펄스에 의해 자극광의 출력을 조정하고 이러한 펄스신호와 발광 수집단의 입력펄스를 연동시키는 판독기법으로서 기존의 판독방식보다 진보한 것이다.
본 기술은 직경 수μm 의 원통형 초미세 전극의 제작방법에 관한 것이다. 전해 가공을 이용하기 때문에 비접촉식으로 가공하여 수 μm 단위의 직경 가공도 가능하다. 일반적으로 전해 가공시 끝부분으로 갈수록 직경이 작아지는 원뿔형 형상을 가지게 되지만, 본 기술에서는 높은 전류와 전해질 농도를 이용하여 확산층의 형성을 촉진시키게 되고 이들의 상쇄효과로 인하여 원통형 전극 제작이 가능하다.본 기술은 기존에 이미 사용되던 전해 가공의 응용 방법의 한 형태이며, 가공 중 전극 주의에 형성되는 확산층의 두께를 적절히 조절하여 균일한 직경의 형상을 얻는다.
본 기술은 전해 에칭을 수행하는 동안 균일한 가공형상을 얻기 위하여 가공대상물의 표면을 세척하는 프로세스이다.본 기술은 전해 에칭 도중 전원을 차단하는 간단한 조작으로 초미세 전극 제작시 생성되는 이물질을 손쉽게 제거할 수 있는 방법에 대한 것이다.
저전력 설계를 위해 개선된 저잡음 증폭기 구조를 제안하였다. 제안한 구조는 바이어스 전류를 공유하여 소모 전력은 증가시키지 않으면서 높은 전력을 얻을 수 있으므로 저전력으로 설계가 가능하다. 또한 높은 전력 이득을 얻으면서 동시에 선형성을 증가시키기 위한 구조를 제안하였다.저전력으로 저잡음 증폭기의 설계가 가능함은 물론 전력이득, 선형성등을 개선할 수 있는 구조이며, 상대적으로 높은 전력을 필요로 하는 저잡음 증폭기를 저전력으로 설계할 수 있게 되고, 따라서 전체 RF 수신단의 전력을 낮추어서 저전력 시스템의 구현을 가능하게 한다.
본 기술은 MPEG 영상을 디램으로 구성된 프레임 버퍼에 저장하는 데 있어 분산된 9-타일 맵핑 방식을 사용하고 9-뱅크 및 부분 활성화가 가능한 세그먼트 구조를 가진 프레임 버퍼를 사용하여 MPEG 영상 부호 / 복호 시 필요한 메모리 엑세스에 소비되는 전력을 감소시킨다.본 기술의 특징은1. EML (Embedded Memory Logic) 기술2. 9-타일 맵핑을 통한 저소비전력화 구현이며, PDA등 휴대가전기기에 특히 적용하여 저소비전력으로 멀티미디어 데이터 처리가 가능할것으로 본다.
본 기술은 자기장에 따라서 유변학적 성질이 바뀌는 자기 유변 유체와 모터를 이용하여 능동 및 반능동 형태의 반력을 동시에 구현할 수 있는 반력 장치에 관한 것이다.능동 및 반능동 형태의 반력을 동시에 구현할 수 있으며 그 구조가 간단하다. 모터만으로 구현하기 힘든 반능동형에 반력을 쉽게 구현할 수 있으며 역전달로 인한 모터의 손상 등을 보호할 수 있어 많은 반력 기구에 적용이 가능할 것으로 기대된다.
벌크 실리콘 웨이퍼를 이용한 이중-게이트 소자구조를 기술하였고, 바디기 기판에 연결되도록 하였다. 자기정렬형으로 소스/드레인에 에피층을 성장한 구조이다.- 제조 공정 및 소자 구조가 간단함. - 값싼 벌크 실리콘 웨이퍼 사용.- 기존 이중-게이트 문제 해결. -15 nm 급 CMOS 소자 가능
플래쉬 메모리 소자의 집적도, 프로그램 특성을 크게 개선하는 이중-게이트 메모리 소자 구조. 값이 싼 벌크 기판을 사용하여 구현하였다. 소자의 바디(또는 채널)가 기판에 연결되어 있어 전기 및 열적으로 안정하다.제조 공정 및 소자 구조가 간단하며 메모리의 제반 특성을 개선할 수 있고, 집적도를 증가 시킬 수 있다.
톱니 파형의 변조 프로파일에 의한 위상 반전을 이용한 스프레드 스펙트럼 클럭 발생기에 관한 것이다.회로의 복잡성과 복사성 전자기파 감쇄 정도를 절충한 최적의 변조 프로파일로 톱니 파형을 제시, 변조 신호를 모를 때에도 정주기 클럭을 완전하게 복조할 수 있다.
본 기술은 정전기력에 의해 미러를 회전 구동하여 입사되는 빛을 반사시키는 각도를 조절하여 빛의 진행 경로를 바꾸는 마이크로미러 디바이스이다. 기판과 기판 위에 위치한 복수의 지지대, 미러 아래면에 붙은 역시 복수의 지지대가 얇은 금속지지판에 의해 엇물린 형태로 연결되는 2단 구조를 이루며 미러를 지지하여 양방향으로 회전을 가능하게 되고 매우 안정하게 미러를 지지하고 구동할 수 있다. 입사되는 빛을 반사시키는 미러와 기판 위에 놓인 전극 사이의 전압 차에 의한 정전기력과 복수의 지지대 사이에 연결된 수평 지지판의 탄성 복원력에 의해 미러를 양방향으로 회전하게 구동할 수 있으며 회전 각도를 조절할 수 있다. 지지대가 매우 간단한 구조를 이루며 엇물린 구조에 의해 미러가 두 개의 안정된 구동 상태를 가지는 것을 그 특징으로 한다.
본 기술은 전자선 묘화기법을 사용하지 않고 희생층과 일반 사진기법을 이용한 양자 세선 제작에 관한 것이다.이 양자선을 광검출기로 사용하는 경우에는 희생층이 광집속기 역할을 하기 때문에 소자의 성능향상을 기대할 수 있다. 이러한 양자 세선의 제작방법은 종래에 사용하던 양자 세선 제작방법에 비해 간단하며, 생산 속도를 늦추는 재결정성장이나, 전자선 묘화를 사용하지 않기 때문에 생산 속도를 높일 수 있는 장점을 갖고 있다.
본 기술은 용접전압과 전류 및 아크 빛 세기의 용접신호(V)와 용접신호의 시간에 대한 변화율(dV/dt)을 이용하여 매 주기마다 신호의 경로를 추적하여 용접품질을 평가하는 것이다.기존의 방법보다 정확하게 용접품질을 평가할 수 있고, 실시간으로 용접품질을 평가하는데 적합하고, 용접시 용접품질을 실시간으로 평가하여 용접불량을 줄일 수 있다.
Linear Pushbroom 센서에서 촬영한 스테레오 영상의 Epipolar 특성곡선을 추출하는 기법과 이 특성곡선의 특징을 이용, 스테레오 영상의 처리방법에 관한 것이다.기존에 알려지지 않았던 Linear Pushbroom 센서의 Epipolar 특성곡선을 수학적으로 유도한다.
랜덤억세스 자기기록메모리 소자로 사용되는 MRAM 있어서 스핀방향 스위칭 구동방식을, 전류의 흐름에 의한 유도자기장이 아니라 압전박막층을 이용하여 전압을 가해 인장응력을 유발시키고 이를 이용한 스핀방향 용이축을 수평에서 수직으로 변화시키는 방식에 관한 내용이다. 이를 이용하여 MRAM의 자기저항을 이용한 기존의 재생방식과 FRAM의 기록방식인 압전박막을 이용한 장점을 복합적으로 활용하여 1 미크론 크기 이하의 셀 에레이를 제작하는 것이다.기존의 자기기록소자는 유도자기장을 인가하여 자구의 스핀방향을 반전하여 기록하지만 이는 stray field를 방생하여 메모리소자의 초소형화시 초고집적 한계에 도달한다. 하지만 본 기술은 기록비트가 압전기판과 자성박막들로 이루어져 있어 각 셀의 자구 스핀방향만 전압을 가해 자화반전시켜 초고밀도 집적시 유용한 방식이다. 특히 기존의 기술인 FRAM과 MRAM의 장점만을 혼합하여 고효율 자기기록소자를 단기간에 달성할 수 있고 적층구조가 기존의 랜덤억세스 메모리소자보다 간단하다.
본 기술은 고주파 자계를 발생시켜 유도결합을 통하여 휴대폰용 축전지를 충전하기 위한 장치의 구조 및 제어회로에 관한 것이다.기존의 휴대폰 충전지는 끝부분에 금속 접촉단자가 부착되어 있어 이를 통해서 충전 본체에 의해 충전이 이루어진다. 이러한 접촉에 의한 단점들 즉, 방수성의 결여, 범용화의 어려움, 디자인의 제한성, 단락의 위험성 등을 해결하고자 유도결합을 통해 전지를 충전시키고자 한다.