산업기술 통합검색
본 기술은 depolarizer를 채택한 광섬유 Sagnac 간섭계를 최초로 배열한 형태의 음향센서이며 특히 간섭광간에 일정한 위상차를 더해 줌으로써 일반적인 광섬유 센서와는 달리 전기적인 신호처리없이 음향감지가 가능하도록 하였다.본 기술에 의한 배열형 센서에서는 단일 센서에서와는 달리 입사광을 펄스 형태로 할 때 Sagnac loop에서 양 방향으로 진행하는 두 광펄스가 loop의 한 가운데가 아닌 비대칭적인 지점을 서로 다른 시간에 지난다는 점을 이용하여 두 광펄스간에 인위적으로 만큼의 위상차를 고정적으로 더해 줌으로써 간섭된 출력광의 세기 변화가 감지된 음향신호와 같은 파형을 가지도록 하여 일반적인 간섭계에서 복잡한 신호처리가 필요한 것과는 달리 전기적인 신호처리가 필요 없도록 하고 기존의 신호처리에 의한 것보다 높은 감도를 가진다.
본 기술은 자기 유변 유체를 이용한 감쇠기등의 반능동 구동기와 비틀림 스프링을 이용하여 조향휠을 구현함으로써, 기존에 있던 능동형 구동기를 이용한 조향휠이 가지고 있는 운전자 입력 제거 시에 구동기로 인하여 조향휠이 가속되어 발생하는 조향의 안정성 문제를 해결하고 반능동의 부드러운 조향감을 운전자에게 전달 할 수 있다.운전자의 입력이 갑자기 사라지는 순간에도 구동기의 에너지가 시스템에 인가되지 않기 때문에 조향휠이 가속되지 않고, 반능동의 부드러운 조향감을 운전자에게 전달하고, 기존의 전기 조향 장치의 조향휠에 내재된 운전자 입력 제거시의 안전성 문제를 해결하여, 운전자의 불안 요소를 제거함으로써 전기 조향 장치의 보급을 앞당길 수 있을 것으로 본다.
본 기술은 고전압 전해축전지용 (high volt electrolytic capacitor) 전극을 위한 고면적의 알루미늄 산화막을 제조하는 방법이다. 본 기술에서는 기존 공정과는 달리 우선적으로 일정조건에서 아노다이징 (anodizing) 을 통해 균일한 두께에 산화피막을 얻은 후, 선택적으로 etching 된 부분을 재산화 (re-anodizing) 하여 제조하는 것을 특징으로 한다. 이러한 제조방법에 의한 표면적 증가 효과를 극대화하기위한 용액의 온도조건과 황산이온 (sulfate ion) 농도 조건을 확립하였다. 또한 본 기술에서 제조된 산화피막의 표면적 측정을 위하여 교류 임피던스 (ac impedance) 측정법을 이용하였다.본 기술의 기술적 특징은 우선적으로 일정조건에서 아노다이징을 통해 균일한 두께에 산화피막을 얻은 후, 선택적으로 etching 된 부분을 재산화 하여 제조한 것에 있다. 이러한 방법으로 제조된 전극의 증가된 정전용량 및 표면적을 교류임피던스장치를 이용하여 단시간에 정확하게 측정함으로써 용액의 온도조건 및 황산이온 농도 조건을 확립하였다.
본 기술은 직경 수 ㎛의 초미세 전극을 제작함에 있어서 전류밀도를 조절함으로써 원기둥 형상을 비롯하여 길이방향에 따른 반경 변화가 일정하게 감소 또는 증가하는 다양한 전극 형상을 얻을 수 있다.본 기술은 기존에 이미 사용되던 전해 가공의 응용 방법의 한 형태이며, 가공 중 전극 주의에 형성되는 확산층의 두께를 적절히 조절하여 다양한 직경의 형상을 얻는다.
본 기술 하나의 스위치 대신에 크기가 작은 여러 개의 스위치 소자를 사용하여 스위치 내부에서 셀의 충돌을 줄이는 분할형 크로스바 스위치 구조에 관한 것이다.하나의 크로스바 스위치 대신 여러개의 크로스바 스위치를 사용함으로써 입력단과 출력단에서 발생하는 셀의 충돌률을 떨어뜨려서 스위치 성능 향상시키며, 입력 링크 속도에 비해 크게 빠른 메모리를 필요로 하지 않기 때문에 고속 및 고성능 스위치로 구현이 될 수 있고, 라우터의 스위칭 스위칭 core로 사용되는 경우에는 라우터의 고속화와 대용량화에도 기여가능하다.
화학적-기계적-연마 방식을 이용하는 측면형 전계 방출 소자 제조에 관한 것이다. 탐침 간의 간격이 산화막 두께에 의해 결정 되기 때문에 매우 짧다. 그래서 저전압 구동이 가능하며 간격이 산화막 두께에 의해 결정되기 때문에 매우 균일하고 재현성을 가진다.
화학적-기계적-연마 방식을 이용하는 미세 간격 제조에 관한 것이다. 매우 짧은 간격의 형성이 매우 용이 하고 또한 산화막 두께에 의해 결정 되기 때문에 매우 균일하다.
기존의 능동 역률개선회로와는 달리 전류원 방식의 공진형 인버터의 전력 트랜스포모의 2차측과 변형된 밸리필 구조를 결합한 직류 전압원과 전하펌프 커패시터를 이용하여 저비용, 고역률의 형광등용 전자식 안정기를 구성하게 한 역률 개선 회로이다.본 기술은 능동소자나 제어회로가 필요없이 기존의 공진형 인버터와 수동 소자만을 이용하여 간단히 구성하여 저비용으로 구성할 수 있다.
본 기술은 하나의 도파로형회절격자를 이용한 광분기/결합기에 관한 것이다. 기술된 광분기/결합기는 사용된 배열도파로형격자의 포트를 최대로 활용하여 최대의 광신호 채널을 수용할 수 있다.뿐만아니라, 간단한 광수동소자인 광단향기를 사용할 경우 기술된 광분기/결합기의 성능을 더욱 향상시킬 수 있도록 한 기술이다.본 기술은 파장분할다중방식 광통신망의 핵심 장치인 광분기/결합기를 하나의 도파로형회절격자와 간단한 수동 소자를 이용하여 최대의 수용 효율을 갖도록 한다.
본 기술에서는 전기이중층 캐패시터의 전극 두께를 기존 대비 약 20% 내지 30%로 낮추었으며 도전제를 최적화하여 단위 부피 또는 단위 무게당 축전용량을 극대화하였다.본 기술로부터 제조된 전지이중층 캐패시터는 단위 부피 또는 단위 무게당 축전용량의 향상이 가능하다.
본 기술은 진공청소기의 흡입판 부위에 자외선 램프가 장착된 진공청소기용 흡입판, 전기 흡입판이 장착된 진공청소기 및 전기 진공청소기를 사용하여 카페트 또는 긴 털을 가지는 청소대상물을 살균하는 방법에 관한 것이다.본 기술은 긴 털을 가지는 청소대상물의 이물흡입 및 살균제거에 매우 적합하고, 특히 청소대상물의 표면과 털의 하단부에 기생하는 세균을 효과적으로 살균하여 제거할 수 있으며, 휴대가능한 전원공급기를 연결하여 휴대용으로 사용할 수도 있으므로, 카페트 등의 청소에 널리 활용될 수 있을 것이다.
본 기술은 고속용 구리(Cu) 패드(pad) 위에 플립 칩 접속을 할 수 있도록 비 솔더 범프 또는 UBM을 형성함에 있어 비교적 저가의 공정인 무전해 구리(Cu) 도금/무전해 니켈(Ni) 도금 기술을 반복적으로 사용하여 요구특성에 맞는 구리/니켈 범프 또는 UBM을 형성하는 기술이다. 결과적으로 고속 구리 배선 칩(chip) 플립 칩 패키지 기술에 이용하는 것을 목적으로 한다. 무전해 도금을 이용함으로써 lithography공정이 필요없고 wafer단위로 범프 형성이 가능한 저비용의 공정을 이루었다.본 기술은 무전해 구리 및 니켈 도금법을 이용하여 고속 구리 배선 칩에 플립 칩 범프 또는 UBM 형성하는 기술이며 그 공정이 간단하여 저가의 기술이라 할 수 있다. 이는 무전해 도금법을 이용하므로 기존의 방식과는 다르게 리소그래피(lithography) 공정 없이 선택적으로 범프 형성을 가능하며 웨이퍼(Wafer) 단위로 범프를 형성시킬 수 있어 공정 시간의 단축 및 비용의 절감으로 생산성을 높일 수 있는 장점이 있다. 또한 본 기술은 무전해 구리 및 니켈 도금법을 2번 이상 반복적으로 이용하여 특별한 특성을 갖는 범프를 제작할 수 있는 다양성을 갖는 기술이다.
능동 행렬 액정 표시기를 위한 새로운 구동 회로로서 입력 영상 신호의 디지털 비트 정보를 순차적으로 처리하여 비트 정보가 지나가는 버스 선의 수를 줄여 구동 회로가 차지하는 폭을 감소시킨다.기존의 디지털 구동 회로에서는 모든 비트 정보를 한꺼번에 처리하는 반면, 비트 정보를 시간에 따라 순차적으로 처리하여 구동 회로가 차지하는 폭이 좁다.
본 기술은 납축전지의 충전에 있어서 제안되고 있는 충전 방법에 대해 납축전지 계를 지배하고 있는 식들과 음극전극에서의 확산-석출 반응 메카니즘을 적용하여 시간에 따른 전지 전압의 변화, 전해액 농도의 변화, 전극 기공률의 변화 등을 예측할 수 있게 한다.본 기술에서는 납축전지 계에 대해서 전기화학 반응을 포함하여 물질이동을 정확하게 설명하는 식들을 적용하여 계의 상태변화에 대해서 명확하게 설명할 수 있게 해준다.
성능의 향상이 있는 것으로 알려져 있는 VCM의 채널구조에 더해, 백그라운드 동작(셀 코어 엑세스)에 의해 성능이 제한받는VCM의 한계를 극복하기 위해 VCM의 셀 코어 엑세스 방식을 변화시키고, Row 버퍼, X 어드레스 메인 디코더 단의 래치 삽입을 통해 FCRAM 등에서 사용한 것과는 다른 파이프라인 구조를 제안하여 Random Row 사이클에 대해서도 고속화를 구현하였다. 또한 메인 디코더 단의 래치를 통해 어 Address Multiplexing 방식을 그대로 사용하여 인터페이스 관점에서 기존의 시스템과 호환성을 유지하면서 서브 워드라인 구조를 통해 DRAM 셀 코어를 부분적으로 활성화시킬 수 있도록 하여 저젼력을 구현하였다.VCM의 채널 구조를 통해 순차적인 엑세스에 대해 충분한 Bandwidth를 확보함과 동시에 여기에 Row 경로를 고속화하여 Latency를 줄임으로써 Random Row 엑세스에 대해서도 높은 성능을 나타낼 수 있다.
본 기술은 고속 회전용 교류 전동기의 회전자의 관성을 줄이기 위해 회전자를 농형 전도체만으로 제작하거나 고투자율 분말을 함유한 수지로 결합하여 회전관성을 대폭 감소시켰다. 또한 부분적으로 공기 베어링을 도입하여 구동 시 발생 가능한 진동 및 열을 효과적으로 배제시킬 수 있다.본 기술은 알루미늄 혹은 구리 전도체 봉의 낮은 강성과 전도체 봉 사이의 공동 (Cavity)의 낮은 자기 투자율 (Magnetic Permeability)을 보완하기 위해 철이나 페라이트 분말과 같이 높은 자기투자율을 가지는 분말을 고분자기지 섬유강화 복합재료나 고분자 수지에 함침시켜 보강하는 방법을 포함하며 또한 전동기 회전축을 섬유강화 복합재료를 이용하여 회전자부의 질량을 대폭 줄일 수 있는 방법을 포함한다. 본 기술은 구조의 제작이 간단하고 조립이 용이하고 제작비가 저렴하다
본 기술은 SiGe/Si 이종접합구조를 이용한 소자 제작에 있어서 가장 큰 문제가 되어온 공정인 양질의 산화막 형성을 가능케 하여, SiGe/Si 이종 접합 구조를 이용한 다양한 종류의 Field Effect Transistor(FET)의 절연막 형성에 이용될 수 있다.기존의 잘 알려진 Si 공정에 사용되어오던 열적 산화 방식을 SiGe 에피층에 적용시킬 수 있게 되어, 부수적인 장비의 설치나 복잡한 공정 없이 SiGe 에피층 위에 양질의 산화막을 형성할 수 있다.
기판에 수직방향으로 형성된 두개의 다이오드 중 표면부의 PN접합부의 전압차를 일정하게 유지하여 변환이득을 증가시킴으로써 CMOS 영상센서의 감도를 향상한다.CMOS공정의 수정없이 간단히 구현 가능한 감도향상 구조이다.
본 기술은 다분역 구조를 갖는 포타시움 니오베이트(KNbO3) 단결정의 결정축 방향을 찾는 방법과, 단일분역 구조로 만드는 방법을 제시한다.본 기술은 단일 분역 포타시움 니오베이트(KNbO3) 단결정을 제조함에 있어 비파괴적인 방법으로 결정축 방향을 찾고, 단일 분역화 효율을 높일 수 있다.
본 기술은 차세대 초고집적도 DRAM 캐패시터용 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3)박막에 관한 것이다. 다양한 박막증착방법에 의하여 스트론튬-납 티탄산 박막을 형성함으로써 고유전율 및 낮은 열처리 온도에서도 뛰어난 전기적 특성을 보여주는 물질에 대한 것이다.메모리 반도체 capacitor로 사용되는 물질에 있어서 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3)박막을 이용, 다양한 박막증착 방법을 이용하여 상기 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3) 박막을 반도체 소자내 증착하여 이용하는 방법, 즉 스트론튬-납 티탄산([Sr,Pb]TiO3)박막을 습식 증착방법인 액적화학증착법(LSMCD, Liquid Source Misted Chemical Deposition), 졸-겔법(Sol-gel), 유기금속분해법(MOD, Metalorganic Decomposition) 중에서 선택된 어느 하나로 증착하는 것을 특징으로 한다.