일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
* 원리와 구성 카메라 및 조명을 구비하는 홍채 영상획득장치에 있어서, 홍채영상을 입력받을 수 있도록 내부에 콜드미러가 포함된 경통부와 경통부의 하부방향으로 연장되며, 그 외면에 각종 버튼 및 조명을 구비하고, 그 하부에 내입되어 콜드미러에 의해 반사된 광으로 홍채영상을 촬영하기 위한 카메라가 구비된 몸통을 구비하되 수동식의 사용되는 경우에는 반사경을 전환버튼에 의해 경통부에서 몸통부로 이동시켜 홍채영상을 획득하고, 고정식의 경우에는 반사경을 전환버튼에 의해 몸통부에서 경통부 뒷부분으로 이동시켜, 경통부 뒤 부분의 덮개로 이용되며, 사용자의 눈이 카메라의 광축과 일치되도록 반사경의 표면에 원형표식이 부착된 것을 특징으로 한다.* 개발배경홍채인식시스템은 내부 케이스를 회전시켜 사용자의 홍채와 카메라의 초점 축을 일치하도록 한 다음 카메라와 사용자의 홍채간의 거리를 측정하고, 측정된 거리 값에 의해 자동초점 카메라의 초점을 조정하여 홍채영상을 획득하게되어 사용자의 홍채영상을 획득하기 위하여 많은 시간을 소비하게 되는 단점과 고가의 자동초점 카메라를 이용하게 된다. 즉 홍채영상을 획득하는 입력수단에 많은 비용을 소모하게 되는 문제점을 갖고 있다.또한, 응용 분야가 출입 시스템과 같은 고정식 장비로서만 사용이 가능하여 전자 상거래나 개인 컴퓨터 보안등에 사용될 수 있는 작은 형태의 수동식으로 사용될 수 없는 단점이 있다.* 중요성및 독창성홍채영상을 입력받을 수 있도록 내부에 콜드미러가 포함된 경통부와, 상기 경통부의 하부방향으로 연장된다. 그 외면에 각종 버튼 및 조명을 구비하고, 그 하부에 내입되어 상기 콜드미러에 의해 반사된 광으로 홍채영상을 촬영하기 위한 카메라가 구비된 몸통을 구비하되, 수동식의 사용되는 경우에는 반사경을 전환버튼에 의해 상기 몸통부로 이동시켜 홍채영상을 획득하고, 고정식의 경우에는 상기 반사경을 상기 전환버튼에 의해 경통부 뒷부분으로 이동시켜, 경통부 뒤 부분의 덮개로 이용된다. 사용자의 눈이 카메라의 광축과 일치되도록 반사경의 표면에 원형표식이 부착된 것을 특징으로 한다. 경통부의 콜드미러는가시광은 투과시키고, 적외선은 반사되는 선상에 카메라의 광축과 일치되는 각도를 갖도록 장착하여 홍채영상을 실시간촬영하도록 구성하는 것이 특징이다.* 적용제품 및 관련시장수동식 및 고정식겸용 홍채 영상획득장치* 주요적용제품수동식 및 고정식겸용 홍채 영상획득장치* 특징및 장점초점이 고정된 카메라를 이용하여 홍채영상을 획득하기 위한 홍채영상 입력장치로, 사용목적에 따라 사용자가 직접 손에 쥐고 자신의 홍채영상을 획득하는 수동식과 일정 장소에 고정시켜 홍채영상을 획득하는 고정식 겸용 홍채 영상 획득장치에 관한 것이다. 사람의 건강상태를 확인하거나 홍채인식 시스템에서 요구하는 홍채영역을 추출하기 위한 홍채 영상획득장치로 사용자가 직접 손에 쥐고 자신의 홍채영상을 촬영하는 수동식과 일정한 장소에 고정시켜 홍채영상을 촬영하는 고정식을 겸용하는 수동식 및 고정식 겸용을 특징으로 하는 홍채 영상 획득장치에 있어서, 사람의 홍채를 입력받을 수 있도록 내부에 콜드미러와 반사경을 포함된 경통부와, 경통부의 하부방향으로 연장되며 그 외면에 각종 버튼 및 그 하부에 내입되어 콜드미러에 의해 반사된 광으로 홍채영상을 촬영하는 카메라가 구비된 몸통으로 구성된 이미지획득수단을 더 포함한 것을 특징으로 한다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 생활가전기기 (F43)
1. 본 개발품은 각종 고체, 분말 및 액체물등 미소량의 무게를 신속하고 편리하게 계량하기 위하여 스푼에 STRAIN GAUGE TYPE LOAD SENSOR를 부착 액정표시기로 무게를 확인할 수 있도록 개발되었 습니다 SENSOR 기술 및 MICRO CHIP 기술을 집약 초 전력화 하였으므로 장시간 사용이 가능하며 초소형화 시켜 휴대가 간편하다. 우수한 성능이면서 저가공급이 가능하므로 가격 및 품질 경쟁력을 확보하여 내수 및 수출효과를 가져올 수 있는 제품이다. 2. 기존 미량의 무게를 계량할 수 있는 여러 종류의 계량기가 있으나 이는 코일 스프링의 단부에 형성한 걸고리에 계량물을 담은 접시를 걸어 계량하거나 계량대위에 계량하고자 하는 액체물, 고체, 분말을 담은 용기를 올려놓아 계량하게됨으로 많은 불편이 따르게됨과 아울 러 계량기의 부피가 커서 사용취급이 용이하지 못한 문제가 있고, 또한 계량이 정밀하게 되지 못하는 문제가 있었다 3. 이에 우리회사에서는 위와 같은 문제점을 해결하기 위하여 스푼형의 계량컵①을 고정한 계량봉을 손잡이의 내에 미세 무게 감지SENSOR 와 전자회로에 의하여 감지하여 계량무게가 LCD DIGITAL DISPLAY 되게 함으로 손잡이를 손으로 쥔상태에서 신속, 정확하게 계량 할 수 있도록 함과 아울러 계량물을 계량함과 동시에 필요로하는 곳에 바로 부을 수 있도록 하고 경량 초소형으로 사용취급이 편리하고 계량에 따 라 대, 소 계량컵을 교체 사용 할 수 있도록 개발 하였습니다. 4. 계량방식의 고정관념을 탈피한 획기적인 제품이며 STRAIN측정, 응 력해석 및 전자회로의 이해 없이는 개발이 불가능한 세계최초로 개발 된 제품입니다.1. 기존 미량계량기의 문제점을 혁신적으로 개선하였으므로 약국, 시 약 및 화학시험실, 병원, 화학, 식품공장 등 미소배합이 필요한 곳에 적용되며 저가격화 되므로 대형 음식점, 제과점 및 가정용으로 판매 가능하며 정확한 계량이 필요하였으나 기존계량기의 문제점으로 인 하여 사용하지 못했던 새로운 시장이 창출 되므로 대량판매가 가능 하다 2. 저가격화 되므로서 기존 미량계량기 의 고가격 으로 사용되지 못했 던 일반 가정의 조리용 주방기구로도 많은 수요가 예상되며 가정용 은 국내보다는 음식문화의 차이로 해외수출에 더 큰기대를 할 수 있 다. 특히 본 제품은 세계최초 신개발품으로 경쟁제품이 없으므로 시 장선점 및 가격 경쟁력을 신속히 확보할 수 있다. 3. 기존 중형, 대형계량기의 소형화가 가능하며 MICRO CHIP 기술력을 확보하여 혁신적인 저가격화가 가능하므로 현재 생산되고있는 산업 용 및 상업용 INDICATOR의 초소형화 및 원가절감으로 국제 경쟁력 을 확보할 수 있습니다. 4. 초전력화 기술로 SENSOR의 무선화가 쉽게 가능하며 나아가 불루투 스 통신이 가능한 CHIP을 내장 할 수 있다. 5. 해외시장의 음식 문화 차이로 가정용은 국내판매 보다는 해외수출이 많을 것으로 예상됩니다.
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- 부산기술이전센터
- 등록일
- 2006-04-25
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일반기술
전기·전자 > 기타 미소·극미소 전자시스템
*원리 및 구성광양자테(PQR) 레이저를 이용한 디스플레이 소자에 관한 것으로, LED보다 낮은 문턱전류와 수nm∼수십nm의 엔벨로프(envelope) 파장영역에서 다파장 모드를 가지도록 설계된 PQR 레이저의 다파장 발진특성 및 발진모드간 간격(Inter-mode spacing; IMS) 조절을 통해 색감과 고휘도는 LED처럼 유지되면서도 보다 저전력을 소모하는 새로운 저전력 디스플레이 소자를 제공한다.*개발배경LED보다 낮은 문턱전류와 수nm∼수십nm의 엔벨로프(envelope) 파장영역에서 다파장 모드를 가지도록 설계된 PQR 레이저의 다파장 발진특성 및 발진모드 간 간격(Inter-mode spacing; IMS) 조절을 통해 색감과 고휘도는 LED처럼 유지되면서도 보다 저전력을 소모하는 새로운 저전력 디스플레이 소자를 제공함에 있다.*중요성 및 독창성PQR 레이저를 이용한 디스플레이 소자는 LED보다 낮은 문턱전류와 수nm∼수십nm의 엔벨로프 파장영역에서 다파장 모드를 가지도록 설계된 PQR 레이저의 다파장 발진특성 및 발진모드간 간격 조절을 통해 색감과 고휘도는 LED처럼 유지되면서도 보다 저전력을 소모하는 장점이 있다.*응용분야본 기술은 광양자테(Photonic Quantum Ring; PQR) 레이저의 다파장 발진특성을 이용한 저전력 디스플레이 소자 등에 응용 가능하다. *특징 및 장점-디스플레이 소자로 응용되는 기존의 수십nm∼100nm의 발광 파장 반치폭을 가지는 LED를 대체 할 수 있는 효과가 있다.-본 기술은 3차원 토로이달 공진기 구조에서 기인한 다파장 발진 특성을 갖는 광양자테 레이저를 적색(R)과 녹색(G) 및 청색(B) 중 어느 하나의 발광 파장대역에서 발진시키는 장점이 있다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
*원리 및 구성다채널 앰프를 구비한 오디오 시스템의 스피커 음량 조정 기술에 관한 것으로, 오디오 시스템의 원격조정기에 음량센서(마이크)를 부착하고 상기 원격조정기에 부착된 음량센서로 청취자 위치에서 다채널 앰프에 접속된 각 스피커로부터 출력되는 음량을 측정하고 상기 음량센서에 의해 측정된 각 스피커의 음량 정보를 통해 상기 청취자의 위치에서의 각 스피커들의 음량 균형이 최적화되도록 각 스피커의 음량이 자동 조정되는 것으로 이루어져 있다.*개발배경오디오 시스템의 원격조정기에 음량센서(마이크)를 부착하고 상기 원격조정기에 부착된 음량센서로 청취자 위치에서 다채널 앰프에 접 속된 각 스피커로부터 출력되는 음량을 측정하고 상기 음량센서에 의해 측정된 각 스피커의 음량 정보를 통해 상기 청취자의 위치에서의 각 스피커들의 음량 균형이 최적화되도록 각 스피커의 음량이 자동 조정되게 함으로써 해당 오디오 시스템의 편의성, 기능성 및 상품성 등을 향상시킬 수 있게 한 다채널 앰프를 구비한 오디오 시스템의 스피커 음량 조정방법 그 장치를 제공함에 있다.*중요성 및 독창성스피커가 설치된 공간의 구조 및 방향 등 모든 조건을 반영한 스피커의 음량을 측정하여, 이를 토대로 청취자가각 스피커로부터 균형있는 음량을 청취할 수 있도록 스피커의 음량을 조정하기 때문에 음의 질을 향상시킬 수 있게하는 장점이 있다.*응용분야스피커가 설치된 공간의 구조 및 방향 등 모든 조건을 반영한 스피커의 음량을 측정하여, 이를 토대로 청취자가 각 스피커로부터 균형있는 음량을 청취할 수 있도록 스피커의 음량을 조정하기 때문에 음의 질을 향상시키는 기술 등에 응용가능하다.*특징 및 장점-다채널 앰프를 구비한 오디오 시스템의 스피커 음량 조정방법 및 그 장치 는, 오디오 시스템의 원격조정기에 음량센서(마이크)를 부착하고 상기 원격조정기에 부착된 음량센서로 청취자 위치에서 다채널 앰프에 접속된 각 스피커로부터 출력되는 음량을 측정하고 상기 음량센서에 의해 측정된 각 스피커의 음량 정보를 통해 상기 청취자의 위치에서의 각 스피커들의 음량 균형이 최적화되도록 각 스피커의 음량이 자동 조정되게 함으로써 해당 오디오 시스템의 편의성, 기능성 및 상품성 등을 향상시킬 수 있게 하는 효과가 있다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전력변환 신호처리 기술
*원리 및 구성신호 증폭 장치에 관한 것으로, 하나의 입력 신호를 제 1, 2 신호로 분할시키는 스플리터와, 입력신호의 전력레벨에 따라 동작모드를 달리하여 바이어스 신호를 발생시키는 제 1, 2바이어스 제어 네트워크와, 제 1바이어스 제어 네트워크의 바이어스 신호에 따라 저전력 레벨에서 아이들 전류 소모를 줄이고, 고전력 레벨에서 AB급 증폭기로 동작하여 상기 제 1신호를 증폭하는 캐리어 증폭기와, 제 2아비어스 제어 네트워크의 바이어싱 신호에 따라 저전력 레벨에서 오프되며, 고전력 레벨에서 AB급 증폭기로 동작하여 상기 제 2신호를 증폭하는 피킹 증폭기로 구성된다.*개발배경입력 신호의 전력 레벨에 따라 서로 다른 바이어스 신호를 도허티 증폭기에 공급하여 저전력과 고전력 레벨에서 고선형성과 고효율을 이룰 수 있으며, 도허티 증폭기의 출력단에 위치한 도허티 출력 네트워크의 특성 임피던스를 조절을 통해 소형화가 가능한 도허티 증폭기를 이용한 신호 증폭 장치가 제공함에 있다.*중요성 및 독창성입력 신호의 고전력 또는 저전력 레벨에 따라 바이어스 신호를 다르게 발생시켜 도허티 증폭기를 제어함으로써, 고효율과 고 선형성을 갖는 신호 증폭 장치를 제공할 수 있다.*응용분야도허티 증폭기의 효율을 개선함과 아울러 소형화시켜 이동 통신 단말기의 전력 증폭기로 적합한 도허티 증폭기를 이용한 신호 증폭 장치에 응용할 수 있다.*특징 및 장점본 기술은 도허티 출력 네트워크의 특성 임피던스를 조절하여 단순화시켜 신호 증폭 장치를 소형화시킬 수 있는 장점이 있다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
*원리 및 구성본 장치는 파장 가변 레이저, 광섬유 3dB 결합기, Mach Zehnder변조기, Sagnac간섭기, 광 수신기, 회로망 분석기 및 연산을 위한 컴퓨터로 구성되어 광섬유의 색분산을 측정하게 된다. 광원을 만들어 각각의 변조기를 통하여 변조시키며, 변조된 광으로 인해 만들어진 신호의 전달함수를 구하여 측정용 광섬유의 색분산 값을 얻게 된다.*개발배경광섬유의 색분산을 측정하기 위해서 기존에는 별도의 광섬유가 필요해 측정 시스템이 매우 복잡하였으며, 따라서 조작이 쉽지 않아 숙련자가 아닐 경우 사용이 불편하였다.*중요성 및 독창성본 기술의 색분산 측정 시스템은 m 단위의 매우 짧은 길이부터 수백 Km 단위의 긴 길이까지의 광섬유의 색분산을 매우 정확한 해상도로 측정할 수 있으며, 별도의 부가적인 보상과정을 위한 전자회로나 기준을 위한 광섬유가 필요하지 않아 측정 시스템이 매우 간단하다.*적용제품광범위한 파장을 가지는 광섬유의 색분산 측정이 필요한 전자제품 및 전기전자산업 관련 기술에 응용될 수 있으며, 간단한 구조로 이루어져 사용이 편리할 것으로 예상된다.*특징 및 장점- 장비 자체적으로 광원을 만들어 낼 수 있다.- 장비에 장착된 변조기 및 각종 분석기를 이용하여 광을 변조하고 신호로 분석한다.- 넓은 범위의 길이를 가진 광섬유의 색분산을 측정할 수 있다.- 측정된 색분산의 해상도가 매우 정확하다.- 시스템의 구조가 매우 간단하다.
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- 전북기술이전센터
- 등록일
- 2006-04-20
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
* 원리 및 작용방식 본 기술은 아케이드형 로봇 축구 게임기 등과 같이 정해진 공간 안을 자유롭게 움직이는 이동체에 위치와 관계없이 전력을 공급하고 동시에 위치 및 방향을 감지할 수 있는 장치와 방법에 대한 것이다. 이동체에 고정되어 있는 세 쌍의 전극대가 공간 바닥면에 배치되어 있는 전극 배열과 항상 접점을 이루면서 전력을 공급받고 이 세 쌍의 접점의 위치를 외부 스캔 회로가 감지하여 위치와 방향을 알 수 있는 구조이다.* 개발배경 아케이드형 게임기에 있어서 사용자가 혼자 게임을 즐길 경우 대전 이동 로봇을 컴퓨터가 자동 조종해야 하는데 이 때에 위치 및 방향에 대한 감지 장치가 필요하나 소형 이동체에 맞는 센서 등은 종류도 많지않고 가격 또한 비싸 경제적으로 부담이 크다.* 중요성 및 독창성 본 기술은 별도의 센서 없이 이동체의 위치와 방향을 파악할 수 있고 이동체에 전력을 공간의 제약 없이 제공할 수 있어 경제성 및 유지, 보수에 효율성을 높였다.* 적용제품 본 장치는 바닥면에 배치한 전극에 의해서 이동체의 방향과 위치를 감지할 수 있도록 하여 소형 이동체의 자동 조종이 가능하도록 하여 대전형 아케이드 게임을 즐길 수 있도록 하였고 전력 또한 바닥의 전극에서 공급할 수 있도록 하여 충전형 배터리를 탑재하지 않아도 되도록 하였다.* 효과 - 일정 공간상에서 움직이는 이동체에 전력을 항시 공급할 수 있다. - 별도의 센서 없이 위치 및 방향을 감지할 수 있다. - 위 효과로 이동체를 소형, 경량화 할 수 있다. - 경제적이다. - 유지 및 보수에 효율성이 높다.
- 보유기관
- 전북기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
전기·전자 > 무선통신소자
915MHz 에서 동작하는 UHF 대역의 RFID 리더기용 RF 송수신기 회로로서송신회로는 TTL 데이터를 입력하여 직접변조방식을 취하며 1W 크기로 증폭한후 915MHzd 대역에서 송신. 수신회로는 저잡음 증폭회로를 통과한후 직접변환방식을 취하여 곧바로 직류상태의 데이터로 전화한후 데이터터리장치를 통과한후 출력됨. 매우우수한 수신감도를 가지고 있음. - 송신회로 및 수신회로 설계 및 회로- 리더기용 안테나 설계 제작- Frequency Hopping 방식- 송수신기의 입출력 데이터 인터페이스 : TTL 데이터 - 송신 출력 1Watt- ASK, BPSK, QPSK 등 여러변조 방식 적용가능본 시제품의 특징은 다음과 같다.- 평균 5미터 이상에서 떨어진 태그인식가능- ISO18000, EPC 방식의 태그 모두 인식가능- 변복조방식중에서 ASK, BPSK, QPSK등에 동시에 모두 적용가능- Frequency Hopping 방식으로 여러 리더기가 동시에 동작중일때도 간섭을 피할 수있음- 100Kbps 이상의 데이터 전송속도 가능- 회로 크기의 최소화 12*10cm2, FR4보드위에 4층 레이어로 설계됨- 관련된 마이크로스트립 안테나에 대한 설계, 제작이 완료된 상태로 동시에 기술이전이 가능할 것임
- 보유기관
- 호남대학교
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
GAN 나노막대를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GAN 나노막대를 씨앗층으로 하여 GAN 나노막대상에 두께 200 ΜM 이상의 GAN 후막을 성장시키면 GAN 후막도 GAN 나노막대와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GAN 후막을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GAN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다. GAN은 부르자이트구조를 가지는 질화물 반도체로서 InN및AIN와 전율고용체를 이루어 금지대폭의 조정이 가능하며 전율고용체의 전조성 범위 내에서 직접천이형 반도체의 특성을 나타내기 때문에 청색표시 및 발광소자재료로서 가장 각광 받고 있으며 에너지 밴드 갭이 크기 때문에 고온에서 안정한 동작을 기대할 수 있어 FET등 트랜지스터로의 응용도 활발히 되고 있다.본 발명은 GAN을 에피텍셜 성장ㅋ시키기 위한 GAN기판을 GAN나노막대를 이용하여 제조하는 방법을 제공하는데 있다.GAN기판 제조방법은 GaCIx 기체와 NH3 기체를 400내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 주기판 상에 GAN 나노막대를 성장시키는 단계;GAN 나노막대가 성장된 주기판 상에 GAN후막을 성장시키는 단계 및 GAN후막을 상기 주기판으로부터 분리시켜서 GAN 후막으로 된 기판을 얻는 단계를 포함하는 것이 특징이다.GAN나노막대를 에피텍셀 성장시키고 그 다음에 GAN 나노막대를 씨앗층으로 하여 GAN 나노막대 상에 GAN후막을 성장시키면 GAN후막도 GAN나노막대와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 따라서 GAN 후막을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GAN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.GACLX 기체와 NH3 기체를 400 내지 600 ℃의 온도범위에서 반응시켜 주기판 상에 GAN 나노막대를 성장시키는 단계; GAN 나노막대가 성장된 주기판 상에 GAN 후막을 성장시키는 단계; 및 GAN 후막을 주기판으로부터 분리시켜서 GAN 후막으로 된 기판을 얻는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 GAN 기판 제조방법. GAN나노막대의 성장시간이 30분 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 GAN기판 제조방법
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명에 따른 GaN 나노막대 형성방법은, GaClx 기체와 NH3 기체를 400내지 600°C의 온도범위에서 반응시켜 기판상에 GaN 나노막대를 형상하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 반응은 30분 내지 10시간 동안 이루어진다. 상기GaClx 기체는 Ga 금속과 HCI 기체를 600매지 900°C에서 서로 반응시켜 형성시킬 수 있다. 본 발명은 기판의 종류나 촉매(catalyst)나 템플릿(templet)층의 존재여부에 상관없다. 본 발명에 의하면, GaN을 400 내지 600°C 의 저온에서 형성함으로써 GaN을 나노막대 형태로 성장시킬 수 있게 된다. GaN을 박막(thin film)으로 성장시키는 방법에 대해서는 연구가 어느정도 진행되고 있으나, 나노막대(nanorod)형태로 성장시키는 방법에 대해서는 연구가 초기 단계이다. GaN 나노막대는 잠재적인 유용성 때문에 그 형성을 위해서 많은 노력이 이루어지고 있다. 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, HVPE법을 이용하여 GaN 나노막대들이 고밀도로 규칙적으로 배열되도록 할 수 있는 GaN 나노막대 형성방법을 제공하는 데 있다.기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 GaN 나노막대 형성방법은, GaClx 기체와 NH3 기체를 400내지 600°C의 온도범위에서 30분 재지 10시간 동안 반으시켜 기판 상에 GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 HVPE(hydride VPE)방법을 사용한다. Ga 금속과 HCI 기체를 600내지 900°C의 온도범위, 예컨대 750°C에서 서로 반응시켜서 이 때 형성된 기체를 기판이 장입되어 있는 HVPE 반응기 안에 흘려보냄과 동시에 NH3 기체도 상기 HVPE 반응기 안으로 흘려보낸다. 본 발명과 같이 400 내지 600°C 정도로 기판온도를 낮추면, GaN씨앗층(120a)이 형성된 다음에 이들이 위로 성장하는 것에 비해 옆으로로는 많이 성장하지 못하여 GaN 나노막대(120)가 형성된다. 본 발명은 기판이 사파이어(sapphire)이거나 실리콘이거나 기판의 종류에 상관없으며, 촉매(catalyst)나 템플릿(templet)층의 존재여부에도 상관없다.GaClx 기체와 NH3기체를 400내지 600°C의 온도범위에서 30분 내지 10시간 동안 반응시켜 기판상에 GaN 나노낙대를 형성하는 것을 특징으로 하는 GaN 나노막대 형성방법. GaClx 기체는 Ga 금속과 HCI 기체가 600 내지 900°C에서 서로 반응하여 형성되는 것을 특징으로하는 GaN 나노막대 형성방법.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명에 따른 p-GaN 나노막대 형성방법은, GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 기판 상에 p-GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 반응은 30분 내지 10 시간 동안 이루어진다. 상기 억셉터 함유 기체로는 Cp2Mg 기체 또는 MgCl 기체 등을 사용할 수 있으며, 여기서, 상기 MgCl 기체는Mg 금속과 HCl 기체를 600 내지 900℃에서 서로 반응시켜서 얻을 수 있다. 본 발명에 의하면, 각각의 나노막대들이 p형 특성을 갖게 되어 GaN 나노막대의 다각적 응용을 도모할 수 있게 된다.이러한 화합물 반도체의 예로서 대표적으로 들 수 있는 것이 GaN이다. GaN은 부르자이(Wurzite) 구조를 가지는 질화물 반도체로서 상온에서 가시광선의 청색 파장대에 해당하는 3.4 eV의 직접천이형 밴드갭을 가질 뿐만 아니라 InN 및 AlN와 전율고용체를 이루어 금지대폭의 조정이 가능하며 전율고용체의 전 조성 범위 내에서 직접천이형 반도체의 특성을 나타내기 때문에 청색표시 및 발광소자재료로서 가장 각광 받고 있다.따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, HVPE법을 이용하여 고밀도로 규칙적으로 배열된 GaN 나노막대를 형성하되, 인-시튜로 억셉터를 도핑하여 각 나노막대들이 p형 특성을 갖도록 함으로써 GaN 나노막대의 다각적 응용을 도모 할 수 있도록 하는 p-GaN 나노막대 형성방법을 제공하는 데 있다.기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 p-GaN 나노막대 형성방법은, GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 30분 내지 10 시간 동안 반응시켜 기판 상에 p형 GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 한다. 억셉터 함유 기체로는 cp2Mg 기체 또는 MgCl 기체 등을 사용할 수 있으며, 여기서, MgCl 기체는 Mg 금속과 HCl 기체를 600 내지 900℃에서 서로 반응시켜서 얻을 수 있다.본 발명은 HVPE(hydride VPE)방법을 사용한다. 이를 구체적으로 설명하면, GaClx 기체와 NH3 기체를 기판이 장입되어 있는 HVPE 반응기 안으로 흘려보내고 상기 기판의 온도를 400 내지 600℃ 로 하면 GaClx 기체와 NH3기체가 서로 반응하여 GaN 나노막대가 상기 기판 상에 저절로 형성된다. 이때, 억셉터, 예컨대 Mg를 함유한 기체를 상기 GaClx 기체 및 NH3 기체와 함께 상기 HVPE 반응기에 공급하여 상기 반응을 진행시키면 억셉터가 상기 GaN 나노막대에 인-시튜(in-situ)로 도핑된다. GaN 나노막대의 성장에 따라 억셉터가 인-시튜로 도핑되기 때문에 특별한 후속처리를 하지 않더라도 GaN 나노막대의 길이방향으로 억셉터가 균일하게 분포하게된다.HVPE법을 이용하여 400 내지 600℃의 저온에서 인-시튜로 억셉터를 도핑하면서 p-GaN 나노막대를 형성하는 본 발명에 의하면, 각각의 나노막대들이 p형 특성을 갖게 되어 GaN 나노막대의 다각적 응용을 도모할 수 있게 된다. 본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다. GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 30분 내지 10 시간 동안 반응시켜 기판상에 p형 GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 하는 p-GaN 나노막대 형성방법. 상기 억셉터가 Mg인 것을 특징으로 하는 p-GaN 나노막대 형성방법.
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명에 따른 GaN막 형성방법은, 기판이 장입된 반응기 내로 In기체를 흘려보내 상기 기판 표면을 In 기체로 처리하는 단계(S12); 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 교번하여 흘려보내 상기 기판 표면을 NH3 기체와 GaCl 기체로 번갈아 가면서 처리하는 단계(S18); 및 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 동시에 흘려보내 상기 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시키는 단계(S20); 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, GaN막 성장(S20) 전에 기판표면 처리단계(S10)를 더 거침으로서 사파이어 등의 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다. 특히, 기판표면 처리단계(S10)는 처음에는 In 기체를 이용하고, 그 이후로는 GaN막을 에피텍셜 성장시키는데 사용되는 NH3와 GaCl 기체를 번갈아 가면서 이용하기 때문에 GaN막의 성장과 기판표면처리를 하나의 반응기 안에서 연속적으로 수행할 수 있어서 간단하게 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다는 잇점이 있다. 본 발명에 따른 GaN막 형성방법은, 기판이 장입된 반응기 내로 In기체를 흘려보내 상기 기판 표면을 In 기체로 처리하는 제1단계; 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 교번하여 흘려보내 상기 기판 표면을 NH3 기체와 GaCl 기체로 번갈아 가면서 처리하는 제2단계; 및 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 동시에흘려보내 상기 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시키는 제3단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, GaN막 성장(S20) 전에 기판표면 처리단계(S10)를 더 거침으로서 사파이어 등의 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다. 특히, 기판표면 처리단계(S10)는 처음에는 In 기체를 이용하고, 그 이후로는 GaN막을 에피텍셜 성장시키는데 사용되는 NH3와 GaCl 기체를 번갈아 가면서 이용하기 때문에 GaN막의 성장과 기판표면처리를 하나의 반응기 안에서 연속적으로 수행할 수 있어서 간단하게 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다는 잇점이 있다. 본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해많은 변형이 가능함은 명백하다. 기판이 장입된 반응기 내로 In기체를 흘려보내 상기 기판 표면을 In 기체로 처리하는 제1단계;상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 교번하여 흘려보내 상기 기판 표면을 NH3 기체와 GaCl 기체로 번갈아 가면서 처리하는 제2단계 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 동시에 흘려보내 상기 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시키는 제3단계 를포함하는 것을 특징으로 하는 GaN막 형성방법 제1항에 있어서, 상기 제1단계가 900 내지 1100℃에서 행해지는 것을 특징으로 하는 GaN막 형성방법.
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- 효성특허법률사무소
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기에 관한 것이다. 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에 있어서 중요한 요소로 마이크로웨이브와 광 파 사이의 속도 정합을 들 수 있다. 소자의 대역폭을 결정 짓는 중요한 요소이며, 여기서 광 파의 속도는 광을 가이드 하기 위해 사용한 물질에 의해 속도가 결정이 되므로 마이크로웨이브의 속도를 광 파의 속도에 정합 되도록 해야 한다. 기존 소자의 경우, 마이크로웨이브의 속도 정합을 위해 고려할 수 있는 설계 파라미터로는 진성 영역(i-층)의 두께, 소자 혹은 신호 전극의 폭과 두께, 신호 전극과 접지 전극간의 간격 등이며, 이런 파라미터를 조정해서 얻을 수 있는 속도 정합에는 그 한계가 있다. 이에 반하여 본 발명의 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기는 도핑차에 의해 형성된 P+-n층 사이의 공핍층과 p-N+층 사이의 공핍층에 의해 전체 커패시턴스 값이 감소되어 마이크로웨이브의 위상속도()를 증가시키는 효과를 가져온다. 또한 형성된 공핍층은 바이어스에 의해 조정이 가능하다. 따라서, 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에서 마이크로웨이브와 광 파의 속도 정합이 이루어지게 하여 변조 신호의 선형성을 개선하여 소자의 대역폭을 향상시킬 수 있다. 본발명에의한P+-n-i-p-N+진행파형전계흡수광변조기는진행파형전계흡수광변조기(TW-EAM)에서각P+, n, p, N+ 층의도핑과구동전압의적절한선정으로발생되는공핍층두께의조정이가능하게되어속도조정의폭이커지므로, 바이어스전압조절에의한마이크로웨이브(microwave) 속도(Voltage-controlled microwave velocity) 조정이가능해지므로이런효과를이용하여마이크로웨이브와광파의속도정합이이루어지게되고, 이는변조신호의선형성을개선하여소자의대역폭을향상시킬수있는효과가있다.상기에서는본발명의바람직한실시예를참조하여설명하였지만, 해당기술분야의숙련된당업자는하기의특허청구범위에기재된본발명의사상및영역으로부터벗어나지않는범위내에서본발명을다양하게수정및변경시킬수있음을이해할수있을것이다.
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- 중앙대학교
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명은 일면에 캐소드 전극층이 형성된 베이스 기판; GACLX 기체와 NH3 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜서 상기 캐소드 전극층 상에 수직하게 서도록 형성된 복수개의 GAN 나노막대; 상기 베이스 기판과 대향하도록 위치하며 그 대향면에는 투명한 아노드 전극층이 형성된 투명기판; 상기 투명기판과 상기 베이스 기판을 이격시키도록 상기 투명기판과 상기 베이스 기판 사이에 설치되는 절연성 스페이서; 및 상기 아노드 전극 상에 형성된 형광층; 을 구비하는 것을 특징으로 하는 GAN 나노막대를 이용한 전계방출형 디스플레이. 본 발명은 전계방출형 디스플레이(Field Emission Display, 이하 'FED' 라 함)에 관한 것으로서, 특히 GaN 나노막대를 전계방출 팁으로 이용한 전계방출형 디스플레이에 관한 것이다.본 발명에 따른 전계방출형 디스플레이는, GAN을 전계방출 팁으로 사용하기 때문에 화학적 기계적으로 안정할 뿐만 아니라 2.7 내지 3.3eV의 낮은 전자친화력을 갖는다고 이미 알려져 있는 GaN을 특별한 방법으로 나노막대 형태로 성장시켜서 이를 전계방출 팁(fieldemission tip)으로 이용하는 새로운 전계방출형 디스플레이를 제공하는 데 있다.본 발명에 따른 GAN 나노막대를 이용한 전계방출형 디스플레이는, 일면에 캐소드 전극층이 형성된 베이스 기판; GACLX 기체와 NH3 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜서 상기 캐소드 전극층 상에 수직하게 서도록 형성된 복수개의 GAN 나노막대; 상기 베이스 기판과 대향하도록 위치하며 그 대향면에는 투명한 아노드 전극층이 형성된 투명기판; 상기 투명기판과 상기 베이스 기판을 이격시키도록 상기 투명기판과 상기 베이스 기판 사이에 설치되는 절연성 스페이서; 및 상기 아노드 전극 상에 형성된 형광층; 을 구비하는 것을 특징으로 한다. 전계방출형 디스플레이는, GaN을 전계방출 팁으로 사용하기 때문에 화학적 기계적으로 안정할 뿐만 아니라 낮은 전계방출전압을 가진다. 전계방출 팁으로 사용되는 GaN 나노막대는 HVPE법을 이용하여 400 내지 600℃의 저온에서 용이하게 얻을 수 있다.
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- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 표면 MEMS 기술을 이용하여 반도체 기판 표면에 유전체 기둥을 제작하고 그 기둥 위에 신호선을 올려놓은 형태의 저손실 마이크로스트립 전송선 및 제작방법에 관한 것으로, 전송선로 구현시 산화된 다공성 실리콘 기판 표면상부에전송선과 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실을 줄이기 위한 다수개의 제 1유전체 기둥을 구비하고 상기 제 1 유전체 기둥 상부에 제 1신호선을 제작하고 상기 제 1 신호선 위에 제 2유전체 기둥과 제 2 신호선을 구비함으로써, MEMS 기술을 이용한 종래의 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 비하여 제작 공정이 비교적 간단하고, 전송선로와 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실과 기판에 의한 유전체 손실이 줄어들며 기존의 집적회로 소자와 서로 호환이 가능한 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로 및 그 제작 방법에 대한 것이다. 본 발명은 표면 MEMS 기술을 이용한 유전체 지지형 다층 마이크로스트립 전송선로 및 그 제작방법 에 관한 것로, 유전체로 지지되는 다층 마이크로스트립 전송선로를 구성함으로 MEMS 기술을 이용한 종래의 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 비하여 제작 공정이 비교적 간단하고, 전송선로와 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실과 기판에 의한 유전체 손실이 줄어들며 기존의 집적회로 소자와 서로 호환이 가능한 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송선로에 대한 것이다.본 발명의 표면 MEMS 기술을 이용한 유전체 지지형 다층 마이크로스트립 전송선로는 마이크로스트립 전송선로에 있어서, 반도체 기판 상부에 구비되는 접지면에 수직으로 형성된 다수개의 제 1 유전체 기둥과;상기 제 1 유전체 기둥으로 지지되어 상기 접지면과의 사이에 공기층이 형성되는 제 1 마이크로스트립 전송선과;상기 제 1 마이크로스트립 전송선에 수직으로 형성된 다수개의 제 2 유전체 기둥과;상기 제 2 유전체 기둥으로 지지되어 공중에 떠 있는 제 2 마이크로스트립 전송선으로 구성된 것을 특징으로 한다. 마이크로스트립 전송선로에 있어서, 반도체 기판(10) 상부에 구비되는 접지면(20)에 수직으로 형성된 다수개의 제 1 유전체 기둥(30)과;상기 제 1 유전체 기둥(30)으로 지지되어 상기 접지면(20)과의 사이에 공기층이 형성되는 제 1 마이크로스트립 전송선(50)과;상기 제 1 마이크로스트립 전송선(50)에 수직으로 형성된 다수개의 제 2 유전체 기둥(60)과;상기 제 2 유전체 기둥(60)으로 지지되어 공중에 떠 있는 제 2 마이크로스트립 전송선(80)으로 구성된 것을 특징으로 하는 표면 MEMS 기술을 이용한 유전체 지지형 다층 마이크로스트립 전송선로.
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명은 반도체 소자의 다마신 게이트 제조방법에 관한 것으로, T 형 또는 오프셋(off-set) 다마신 게이트 제조방법에 관한 것이다. 또한 게이트를 저유전율 절연물질 사이에 매립하는 구조를 구현함으로써, 게이트의 구조적 안정성 향상과 게이트 제조 후 표면의 완전한 평탄화를 구현 할 수 있는 반도체 소자의 다마신 게이트 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 목적은 T 형 또는 오프셋 게이트를 저유전율 유전체 사이에 매립함으로써 게이트의 구조적 안정성을 향상시키고, 게이트 제조시 리프트 오프 방법을 사용하지 않고 상부의 전면 식각 방법을 사용함으로 하여 게이트 제조의 재현성을 향상시키며, 표면의 완전한 평탄화로 인하여 게이트 제조 이후의 패터닝시에 발생하는 문제점을 해결하기 위하여 반도체소자의 다마신 게이트 제조 방법을 제공한다.본 발명은 반도체 소자의 다마신(DAMASCENE) 게이트(GATE) 제조방법에 관한 것으로, 게이트를 저유전율 절연물질 사이에 매립하는 구조를 구현함으로써, 게이트의 구조적 안정성 향상과 게이트 제조 후 표면의 완전한 평탄화를 구현할 수 있는 반도체 제조공정에 관한 것이다. 본 발명에서는 T 형 및 오프셋 게이트를 저유전율 유전체 사이에 매립하여, 게이트의 구조적 안정성을 향상시킴으로써 수십 NM 의 게이트 풋을 가지는 게이트를 안정적으로 제조할 수 있으며, 리프트 오프 방법 대신 상부의 전면식각 방법을 사용함으로써 게이트 제조의 재현성을 향상시킨다. 또한 게이트 제조 후 완전 평탄화 된 표면을 가짐으로써, 기존의 방법에서 게이트 제조 이후의 단차에 의한 패터닝시에 발생하는 문제를 근본적으로 해결하는 효과를 가지고 있다게이트 풋의 높이를 확보하는 절연막을 제조하는 제 1단계; 상기 절연층의 상부에 식각정지층을 제조하는 제 2단계; 상기 식각정지층의 상부에 평탄화화용 절연막을 제조하는 제 3단계; 상기 평탄화용 절연막 상부에 게이트 헤드 식각공정을 위한 하드마스크 막을 제조하는 제 4단계; 건식 식각 방법을 이용하여 게이트 헤드를 제조하는 제 5단계; 소정의 패턴에 따른 건식 식각 방법을 이용하여 게이트 풋을 제조하는 제 6단계; 전면상부에 금속을 증착한 후 상부를 전면 식각하여 다마신 게이트를 제조하는 제 7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다마신 게이트 제조방법이다.
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- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 초고주파 단일칩 집적회로(microwave monolithic integrated circuit: MMIC)의 능동소자로 사용되는 초고주파 반도체 소자에 대한 것으로 게이트, 드레인 및 소스 와 측정을 위한 게이트, 드레인 및 소스 패드로 구성된 초고주파 반도체 소자에 있어서, 측정용 게이트 패드와 측정용 드레인 패드 대신에 게이트 확장 전극 및 드레인 확장 전극을 대치시켜형성한 초고주파 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 소자에서 측정용 패드의 형성과 디임베딩 과정을 생략함으로써 비용과 시간을 효과적으로 줄일 수 있으며, 또한 본 발명의 디임베딩 된 초고주파 반도체 소자는 입출력단의 측정 패드 대신에 확장 전극을 대치함으로써 전극과측정 패드 부분에서 발생하는 불연속 특성을 제거하여 초고주파 단일칩 집적회로의 설계시에 필요한 디임베딩 과정을 생략할 수 있어 모델링 과정에서의 시간과 비용의 절감이 가능하고, 초고주파 단일칩 집적회로 설계에서 능동 소자의 정확한특성과 크기를 제공할 수 있기 때문에 설계 시간 단축과 원하는 사양으로의 정확한 설계가 가능한 효과가 있다. 본 발명은 초고주파 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세히 말하면, 초고주파 단일칩 집적회로(microwave monolithicintegrated circuit: MMIC)의 능동소자로 사용되는 초고주파 반도체 소자에 있어서, 게이트, 드레인 및 스와 측정을 위한 게이트 패드, 드레인 패드 및 소스 패드로 구성된 초고주파 반도체 소자에 있어서, 측정용 게이트 패드와 측정용 드레인패드 대신에 게이트 확장 전극 및 드레인 확장 전극을 대치시켜 형성한 초고주파 반도체 소자이다.게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극과 측정용 게이트 패드, 측정용 드레인 패드 및 측정용 소스 패드로 구성된 초고주파 반도체에 있어서, 상기 측정용 게이트 패드와 측정용 드레인 패드를 대신해 확장전극이 각각 구성되어, 초고주파 단일칩 집적회로 설계를 위한 능동 소자의 모델링 과정에서 패드의 기생성분을 제거하기 위한 디임베딩 과정을 생략할 수 있어모델링 과정에 소요되는 비용과 시간을 최소화 한다.본 발명은 반도체 소자에서 측정용 패드의 형성과 디임베딩 과정을 생략함으로써 비용과 시간을 효과적으로 줄일 수 있다. 즉 본 발명의 초고주파 반도체 소자는 입출력단의 측정 패드 대신에 확장 전극을 대치함으로써 전극과 측정 패드 부분에서 발생하는 불연속 특성을 제거하여 초고주파 단일칩 집적회로의 설계시에 필요한 디임베딩 과정을 생략할 수 있어 모델링 과정에서의 시간과 비용의 절감이 가능하며, 초고주파 단일칩 집적회로 설계에서 능동 소자의 정확한 특성과 크기를 제공할 수 있기 때문에 설계 시간 단축과 원하는 사양으로의 정확한 설계가 가능한 효과가 있다. 초고주파 단일칩 집적회로의 능동소자로 사용되는 초고주파 반도체 소자에 있어서, 게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극과 게이트 확장전극, 드레인 확장전극 및 측정용 소스 패드로 구성된 것을 특징으로하는 초고주파 반도체 소자.
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- 2006-05-12
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파 대역의 높은 주파수를 이용하는 통신 시스템의 능동 소자로 사용되는 고전자이동도트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT) 소자에 조절용 게이트(control gate)를 추가함으로써 음성미분저항(Negative Differential Resistance) 효과를 억제하고 소자의 선형특성을 향상시키는 방법이다. PHEMT에서 일반적인 음성미분저항 효과는 InGaAs 층과 같이 높은 전자이동도를 가지는 층에서 AlGaAs와 같이 낮은 전자이동도를 갖는 층으로 여기된 전자가 이동하면서 속도가 감소되거나, 건 효과(Gunn effect)로 인하여 전류-전압 특성에서 음성미분저항 효과가 나타난다. 전력 소자와 같은 응용 소자의 안정적인 동작을 위해서는 높은 드레인 인가전압에서 음성미분저항 효과에 의해 발생하는 마이크로파 발진을 억제하여야 한다. 본 발명은 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터 구조에서 소스, 드레인, 게이트 외에 2개의 조절용 게이트를 형성함으로써 조절 게이트의 영역에서 매우 높은 전계가 형성된다. 이렇게 형성된 전계로 인하여 캐리어들의 충돌(scattering)현상이 발생하지 않게 되어 음성미분저항 효과가 없어지게 한다. 이러한 효과로 부정합 고전자이동도 트랜지스터의 선형특성을 향상시켜 전력 소자와 같은 응용 소자의 안정적인 동작을 가능하게 한다.본 발명에 따른 음성미분저항 억제용 부정합 고전자이동도 트랜지스터는 게이트, 소스, 드레인으로 구성된 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트와 소스의 사이 및 게이트와 드레인의 사이에 각각 위치하고, InGaAs 층에서 AlGaAs 층으로 전자의 여기로 인해 전자 이동 속도 감소와 건 효과(Gunn effect)로 인하여 나타나는 음성미분저항 효과억제 조절용 게이트가 구비되는 것을 특징으로 한다.본 발명은 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 음성미분저항 효과를 억제하기 위한 조절용 게이트를 추가함으로써 소자의 선형성을 증가시킨 음성미분저항 효과 억제용 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 대한 것이다. 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터에서 일반적인 음성미분저항 효과는 InGaAs 층과 같이 높은 전자이동도를 가지는 층에서 AlGaAs와 같이 낮은 전자이동도를 갖는 층으로 여기된 전자가 이동하면서 속도가 감소되거나, 건 효과(Gunn effect)로인하여 전류-전압 특성에서 음성미분저항 효과가 나타나지만, 본 발명에 따른 음성미분저항 효과 억제용 트랜지스터는 조절 게이트를 형성함으로써 드레인 조절 게이트의 영역에서 매우 높은 전계가 형성되고 이렇게 형성된 전계로 인하여 캐리어들의 충돌(scattering) 현상이 발생하지 않게 되어 음성미분저항 효과가 없어지게 된다. 본 발명에 따른 음성미분저항 효과 억제용 트랜지스터는 소자의 선형성을 증가시킴으로써 전력증폭기 등의 전력소자에 응용에 안정적인 동작을 가능케 할 수 있다.게이트(61), 소스(62), 드레인(63)으로 구성된 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트(61)와 소스(62)의사이 및 게이트(61)와 드레인(63)의 사이에 각각 위치하고, InGaAs 층에서 AlGaAs 층으로 전자의 여기로 인해 전자 이동속도 감소와 건 효과(Gunn effect)로 인하여 나타나는 음성미분저항 효과 억제 조절용 게이트(64)가 구비되는 것을 특징으로 하는 음성미분저항 억제용 부정합 고전자이동도 트랜지스터.
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- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 발명은 GaN 발광 다이오드에 관한 것으로, 본 발명에 따른 GaN LED는, p-n 접합 GaN 나노막대의 p-n 접합면에InGaN 양자 웰(quantum well)을 삽입하여, n형 GaN 나노막대, InGaN 양자 웰, 및 p형 GaN 나노막대가 이 순서로 길이방향으로 연속하여 이루어진 GaN 나노막대를 이용한다. 또한, 이러한 GaN 나노막대를 다수 개 어레이 상으로 배치하여 종래의 적층 필름형의 GaN LED에 비해 훨씬 고휘도, 높은 발광효율의 LED를 제공한다.본 발명은 고휘도 발광 다이오드(light emitting diode; 이하 간단히 LED라 한다)에 관한 것으로, 상세하게는 나노막대(nanorod, nanowire) 구조의 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. LED는 초기에는 계기판의 간단한 표시소자로 많이 이용되다가, 최근에는 대규모 전광판 등 고휘도, 고시인성, 긴 수명의 총천연색 디스플레이 소자로 주목받고 있다. 이는 최근 청색 및 녹색 고휘도 LED가 개발됨으로써 가능하게 되었다. 본 발명은 고휘도, 높은 발광효율의 GaN LED를 재현성있게 제조하는 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.본 발명에 따르면, 단일의 에피텍셜 성장에 의해 InGaN 양자 웰을 가지는 GaN 나노막대를 형성하므로, 종래의 성장방법을 그대로 이용하면서 고휘도, 고품질의 다이오드를 얻을 수 있다. 특히, 본 발명에 따르면 InGaN 양자 웰을 가지는 나노막대들을 다수 개 어레이 상으로 형성하여 LED를 제조함으로써, 측벽 발광에 의한 발광을 그대로 살릴 수 있어 발광효율을 대폭적으로 증가시켜 동일한 면적의 종래의 발광 다이오드에 비해훨씬 휘도가 높은 LED를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 InGaN 양자 웰의 두께, In의 함량, 형광물질의 사용으로 다양한 파장의 가시광 또는 백색광을 출력하는 LED를 손쉽게 얻을 수 있다.상기 기판에 수직한 방향으로 형성된 제1도전형의 GaN 나노막대(nanorod), 이 제1도전형의 GaN 나노막대 위에 형성된InGaN 양자 웰(quantum well), 및 이 InGaN 양자 웰 위에 형성된 제2도전형의 GaN 나노막대를 각각 구비하는 다수의 나노막대들로 이루어진 나노막대 어레이(nanorod array); 상기 나노막대 어레이의 제1도전형의 GaN 나노막대에 공통적으로 연결되어 전압을 인가하는 전극 패드; 및 상기 나노막대 어레이의 제2도전형의 GaN 나노막대 위에 공통적으로 연결되어 전압을 인가하는 투명전극을 구비하는 발광 다이오드.제1항에 있어서, 상기 다수의 나노막대들 사이에 투명 절연물이 채워져 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드. 상기 투명 절연물은 SOG(Spin-On-Glass), SiO2 또는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2006-05-24
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 저손실 구조의 트랜지스터에 관한 것으로 특히, 복수의 단위 게이트 구조를 갖는 트랜지스터에서 소스 전극의 넓이를 크게하여 에어브리지의 구조를 개선하며 메사영역의 넓이는 축소시켜 고주파에서 손실이 적은 향상된 성능을 가지는 트랜지스터에 관한 것이다.본 발명은 신호의 손실을 줄여 특성을 향상시킴과 동시에 보다 쉬운 공정을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명의 저손실 구조의 트랜지스터는 복수의 단위 게이트 전극과 복수의 단위 드레인 전극을 지나는 종래의 에어브리지의 구조를 변형하여 복수의 단위 게이트 전극이 끝나는 부분부터 소스 전극과 GND 전극의 접지를 위한 에어브리지를 형성하며 게이트 전극이 구비되지 않는 부분은 활성화 영역이 구비되지 않도록 활성화 영역을 제거함으로써 기존의 에어브리지에서 발생하는 손실을 크게 개선 할 수 있다.본 발명에 의한 "저손실 구조의 트랜지스터"는 복수의 단위 드레인 전극과 복수의 단위 소스 전극 사이에 복수의 단위 게이트 전극이 구비되도록 병렬의 반복 배열로 구성되어 복수의 단위 소스 전극이 에어브리지로 연결되는 트랜지스터에 있어서, 트랜지스터 손실을 감소시켜 트랜지스터의 이득 특성과 출력 특성을 향상시키기 위하여 상기 에어브리지와 복수의 단위 게이트 전극이 서로 교차되지 않고 소스 전극의 드레인 전극과 인접하는 끝단에 에어브리지가 구비되며 상기 에어브리지의 하부의 복수의 단위 게이트 전극이 구비되지 않는 곳에는 메사영역이 제거되는 것을 특징으로 한다.저손실 구조의 트랜지스터에 따르면, 트랜지스터의 소스 전극과 GND 전극의 에어브리지 연결 시 게이트 전극의 끝단에서 연결하여 에어브리지와 게이트 전극을 교차시키지 않도록 구성하는 한편 에어브리지의 하부에 메사층을 제거함으로써, 트랜지스터 신호 손실을 감소시킬 수 있으므로 고주파 대역에서 트랜지스터의 이득 특성과 출력 특성을 향상시키며 더 나아가, 무선 통신 시스템의 성능이 개선되어 더 좋은 품질의 무선 데이터 통신 서비스를 제공받을 수 있다.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2006-05-12
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