일반기술
전기·전자 > 영상·음향기기
본 발명은 반강유전성 액정의 경사각이 45도가 되는 물질에 전압을 인가하지 않았을 때 흰색바탕이 되고 전압 인가시흑색바탕이 되어 일반적인 백색 모드(Normally White Mode)에 관한 것으로, 시편의 러빙 방향에 대하여 편광자와 분석자를 45도 각도로 정렬하고 이들은 서로 수직으로 형성함으로써 광 특성이 저하되는 것을 방지하기 위해 일반적인백색 모드로 하여 광 특성을 최대화하는 매우 뛰어나 효과가 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 전기장을 인가했을 때 흑색 바탕이 되게 하고 전기장이 없을 때 백색 바탕이 되는 일반적인 백색 모드의 구동 모드로 결함을 최소화 한 것으로 시편의 러빙 방향에 대하여 편광자와 분석자를 45도 각도로 정렬하고 이들은 서로 수직으로 형성하여 지그-자그 배향결함이 없는 강유전성 액정표시소자를 구현하기 위한 일반적인 백색 모드를 적용한 강유전성 액정디스플레이 소자를 달성하였다이상에서 설명한 바와 같이, 평판디스플레이 중 현재 양상중인 초박막 트란지스트 액정 디스플레이의 근원적인 문제점은 네마틱 액정의 연속적인 배열에 기인하여 응답속도가 느려 동화상 구현이 어렵다는 것으로 빠른 응답속도를 위하여액정분자가 독립적으로 배열하는 강유선성 액정을 사용한 여러 가지 모드가 있으나 배향결함을 해결하지 못하여 오디오 및 비디오용 제품에 적용을 하지 못하고 있는 실정이였으나 동화상 구현이 가능한 제품에 적용하기 위하여 배향결함으로 광특성을 저하되는 것을 막기 위해 일반적인 백색 모드로 하여 광특성을 최대화하는 효과가 있으므로 디스플레이장치산업상 매우 뛰어난 발명인 것이다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전원소자(전지포함)기술
본 발명은 항복전압을 높임과 동시에 래칭 전류 밀도를 그대로 유지하면서 스냅-백 현상이 거의 없는 트렌치 전극 구조의 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드리프트 층 영역을형성하고 각각의 캐소드 전극, 게이트 전극, 애노드 전극을 트렌치 형 구조로 형성함으로써 스냅-백 현상이 거의 없고2차적으로 발생하는 기생사이리스터에 의한 래치 업이 늦게 발생하여 기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖고기존의 범용 수평형 에미터 스위치 사이리스터와 달리 높은 내압을 유지하고 전력반도체 산업의 스마트 파워 직접회로로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명 횡형 트랜치 전극 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터는 소자의 응용에 많은 문제점을 야기시키는 스냅 백 현상을 거의 보이지 않는 효과가 있고, 기생사이리스터에 의한 래치 업이 늦게 발생하여기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖고 있는 효과가 있으며, 기존의 범용 수평형 에미터 스위치 사이리스터와는 달리 180V의 높은 내압을 유지하고 있어 전력 반도체 산업의 스마트 파워 집적회로화로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 효과가 있으므로 반도체산업상 매우 뛰어난 발명인 것이다.
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 계측기기
본 발명은 완충장치 및 상기 완충장치를 갖는 샤프트에 관한 것이다. 상기 완충장치는, 소정 넓이를 가지며 지지력을 제공하는 고정플레이트와; 상기 고정플레이트로부터 이격 설치되고 고정플레이트에 대해 진퇴 가능한 이동플레이트와; 상기 고정플레이트로부터 이동플레이트를 이격시키되 이동플레이트에 가해진 소정 임계치 이상의 힘에 굴복하여 이동플레이트가 고정플레이트로 이동하는 것을 허용하는 지지수단과; 상기 지지수단을 통해 이동플레이트를 고정플레이트로부터 탄성이격시키는 탄성수단과; 상기 고정플레이트에 고정 지지되고 길이방향으로 연장되며, 상호 밀착 및 분리가 가능한 다수의 축부재로 구성되는 분할축과; 상기 분할축의 연장 단부에 구비되며 분할축을 외부에 연결시키는 어댑터와; 상기 이동플레이트에 고정된 상태로 분할축을 축방향으로 압축하는 와이어를 포함하여 구성된다. 작동 필요공간이 매우 작아 콤팩트한 크기로 모듈화할 수 있으며, 순수 기계적인 원리를 따르므로 잔고장이 없고 외부의 충격에 대한 반응속도가 빠르며, 전기를 사용하지 않아 그만큼 더 활용범위가 넓어 예컨대 각종 산업현장이나 자동차 또는 건축물이나 도로교통 시설물 등에 얼마든지 응용할 수 있다.작동 필요공간이 매우 작아 콤팩트한 크기로 모듈화 할 수 있으며, 순수 기계적인 원리를 따르므로 잔고장이 없고 외부의 충격에 대한 반응속도가 빠르며, 전기를 사용하지 않아 그만큼 더 활용범위가 넓어 예컨대 각종 산업현장이나 자동차 또는 건축물이나 도로교통 시설물 등에 얼마든지 응용할 수 있다.작동 필요공간이 매우 작아 콤팩트한 크기로 모듈화 할 수 있으며, 순수 기계적인 원리를 따르므로 잔고장이 없고 외부의 충격에 대한 반응속도가 빠르며, 전기를 사용하지 않아 그만큼 더 활용범위가 넓어 예컨대 각종 산업현장이나 자동차 또는 건축물이나 도로교통 시설물 등에 얼마든지 응용할 수 있다.
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 발명에 따른 NMR용 탐침(300)은 온도조절을 위한 기체를 주입할 수 있는 노즐 연결부(220)를 정면에 구비하고, 레이저 조사를 위한 광학렌즈(210)가 부착되어 있는 광학창(211)이 그 반대면에 구비되어 있으며, RF 전력신호를 샘플로 전송할 수 있도록, 내부의 RF 코일(250)을 외부의 케이블과 연결되도록 하는 RF 컨넥터(230)가 상부면에 구비되어 있고, 시료 주입구(240)가 그 하부면에 구비되어 있는 직육면체 형태인 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 NMR용 탐침은 in-situ방식으로 샘플에 직접 레이저 또는 자외선을 조사함으로써 ONP에 의해 핵자기 공명장치의 감도를 대폭 향상시킬 수 있고, 본 발명에 따른 핵자기 공명장치는 온도조절장치를 상기 탐침의 내부가 아닌 별도의 외부에 구비하기 때문에 노이즈에 의한 신호의 감쇄를 억제할 수 있다.본 발명에 따른 NMR용 탐침은 in-situ 방식으로 샘플에 직접 레이저 또는 자외선을 조사함으로써 ONP에 의해 핵자기 공명장치의 감도를 대폭 향상시킬 수 있으며, 본 발명에 따른 핵자기 공명장치는 온도조절장치를 상기 탐침의 내부가 아닌 별도의 외부에 구비하기 때문에 노이즈에 의한 신호의 감쇄를 억제할 수 있다.본 발명에 따른 NMR용 탐침은 in-situ 방식으로 샘플에 직접 레이저 또는 자외선을 조사함으로써 ONP에 의해 핵자기 공명장치의 감도를 대폭 향상시킬 수 있으며, 본 발명에 따른 핵자기 공명장치는 온도조절장치를 상기 탐침의 내부가 아닌 별도의 외부에 구비하기 때문에 노이즈에 의한 신호의 감쇄를 억제할 수 있다.
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 P채널 트랜지스터와 N채널 트랜지스터를 함께 구비하여 사용하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 액정표시장치의 N채널 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서, 보조막을 이용하여 게이트막을 등방성 식각하여 게이트 보조막보다 게이트막이 좁게 패턴을 형성하며 이온주입하여 소오스영역 및 드레인영역을 형성한 후 열처리함으로써 활성층을 완벽하게 결정화하여 소오스영역과 드레인영역과 채널영역과의 접합부에 불순물 농도가 낮게 주입된 LDD 공정을배제하였으며 특히 부분 비정질화로 인해 발생한 소자 특성 저하에 대한 문제를 개선하는 데 뛰어난 효과가 있다.이상과 같이 본 발명은 도면을 통하여 설명한 바와 같이, 본 발명은 P채널 트랜지스터와 N채널 트랜지스터를 함께 구비하여 사용하는 폴리실리콘형 박막트랜지스터 액정표시 장치의 N채널 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서, 보조막을 이용하여 게이트막을 등방성 식각하여 게이트 보조막보다 게이트막이 좁게 패턴을 형성하며, 이온주입하여 소오스영역 및 드레인영역을 형성한 후 열처리함으로써 활성층을 완벽하게 결정화하여 소오스영역과 드레인영역과 채널영역과의 접합부에 불순물 농도가 낮게 주입된 LDD 공정을 배제하였으며, 특히 부분 비정질화로 인해 발생한 소자 특성 저하에 대한 문제를 개선하는 데 뛰어난 효과가 있으므로 반도체 산업상 매우 유용한 발명인 것이
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전자기이용 기술
본 발명에 따른 스핀밸브형 자기저항소자는 기판과, 상기 기판위에 적층된 하지층과, 상기 하지층위에 배치된 센서부를 포함하며, 상기 센서부는, 자장의 인가에 의해 자화방향이 변경 가능한 제1강자성층과, 자화방향이 고정된 제2강자성층과, 상기 제1강자성층과 제2강자성층 사이에 배치된 비자성의 스페이서층과, 상기 제2강자성층에 인접되게 배치되어 상기 제2강자성층의 자화방향을 고정시키는 반강자성층을 포함하여 구성되며, 상기 하지층은 비정질 CoNbZr합금에 의해 이루어진 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 따른 스핀밸브형 자기저항소자는, 고온으로 가열되는경우에도 자기저항비나 교환결합력 등의 주요특성이 크게 저하되지 않음은 물론 오히려 그러한 주요특성이 향상될수 있어서 우수한 열적 안정성을 가지게 된다는 효과가 있다.본 발명은 상술한 바와 같은 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 고온으로 가열되더라도 자기저항비나 교환결합력 등의 주요특성치이 크게 저하되는 것이 효과적으로 억제될 수 있도록 개선된 구조를 가지는 스핀밸브형 자기저항소자를 제공함에 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 스핀밸브형 자기저항소자는 기판과, 상기 기판위에 적층된 하지층과, 상기하지층위에 배치된 센서부를 포함하며, 상기 센서부는, 자장의 인가에 의해 자화방향이 변경 가능한 제1강자성층과,자화방향이 고정된 제2강자성층과, 상기 제1강자성층과 제2강자성층 사이에 배치된 비자성의 스페이서층과, 상기 제2강자성층에 인접되게 배치되어 상기 제2강자성층의 자화방향을 고정시키는 반강자성층을 포함하여 구성된 것에 있어서, 상기 하지층은 비정질 CoNbZr합금에 의해 이루어진 점에 특징이 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전원소자(전지포함)기술
본 발명은 탄성파의 발진기와 감지기 사이에서 발생하게 되는 신호간섭에 의한 효과를 방지함으로써 정확한 신호를 얻기위한 탄성파 측정용 트랜스듀서 소켓에 관한 것으로서, 본 발명의 탄성파 측정용 트랜스듀서의 소켓은 일단에 플랜지부가 형성된 원통형의 삽입소켓과, 상기 삽입소켓내에 나사결합되는 스크류부와, 탄성파를 발진 또는 감지하도록 상기 스크류부 중앙에 종방향으로 삽입설치된 트랜스듀서와, 상기 삽입소켓의 플랜지부를 시험용 셀에 고정시키도록 상기 플랜지부에 설치되는 다수의 고정수단과, 시험용 셀을 통한 신호의 전달을 차단시키도록 상기 플랜지상에 설치되는 흡진부재와, 상기 삽입소켓의 일측에 연결되어 트랜스듀서의 발진 및 감지신호를 전달하는 케이블을 포함하여 이루어짐으로써, 탄성파 측정용 트랜스듀서의 발진기와 감지기 사이에서 발생하는 신호간섭에 의한 효과를 방지하여 정확하고 깨끗한 신호를 얻을 수 있으며 제작 및 설치가 간단하다.본 발명의 일실시예에 의한 탄성파 측정용 트랜스듀서 소켓에 의하면, 탄성파 측정용 트랜스듀서의 발진기와 감지기 사이에서 발생하는 신호간섭에 의한 효과를 방지하여 정확하고 깨끗한 신호를 얻을 수 있는 효과가 있다.또한, 직접파 전달에 의한 신호간섭 효과를 배제시키면서도 제작 및 설치가 간단하고 다양한 크기의 트랜스듀서에 적용할 수 있으며 수평 또는 수직방향 모두에 대하여 적용할 수 있는 효과가 있다.본 발명의 일실시예에 의한 탄성파 측정용 트랜스듀서 소켓에 의하면, 탄성파 측정용 트랜스듀서의 발진기와 감지기 사이에서 발생하는 신호간섭에 의한 효과를 방지하여 정확하고 깨끗한 신호를 얻을 수 있는 효과가 있다.또한, 직접파 전달에 의한 신호간섭 효과를 배제시키면서도 제작 및 설치가 간단하고 다양한 크기의 트랜스듀서에 적용할 수 있으며 수평 또는 수직방향 모두에 대하여 적용할 수 있는 효과가 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 연약지반의 침하특성을 시험하기 위한 압밀시험에 있어서 시료의 트리밍(trimming)이 필요없는 압밀 셀(consolidation cell)에 관한 것으로서, 본 발명의 압밀 셀은 상부면의 외주상으로 턱부를 형성한 원형의 기저판과, 상기 기저판상에 배치되는 원형의 다공성 하부판과, 상기 기저판 상부면의 외주상에 수직으로 고정설치되는 다수개의 가이드로드와, 상기 하부판을 수용하는 환형의 제1 압밀링과, 상기 제1 압밀링위에 배치되는 원통형의 제2 압밀링과, 상기 제2 압밀 링위에 배치되는 환형의 제3 압밀링과, 상기 제3 압밀링의 중앙으로 삽탈될 수 있는 원형의 다공성 상부판과, 장입된 시료에 하중을 부과하기 위하여 상기 제3 압밀링의 중앙으로 삽탈될 수 있는 원형의 가압판과, 상기 기저판상의 외주에 형성된 턱부와 결합되는 투명실린더를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하므로, UD 샘플러(Undisturbed Sampler)로 채취된 시료가 원래의 특성을 그대로 유지하면서도 채취된 시료를 공시체로 성형하기 위한 트리밍 작업을 별도로 할 필요가 없으며, 시험진행 중 시료로부터 유출되는 수분의 유출량을 가시적으로 확인할 수 있는 효과가 있다.본 발명의 일실시예에 의한 압밀 셀(consolidation cell)에 의하면, UD 샘플러(Undisturbed Sampler)로 채취된 시료가 교란되지 않은 원래의 상태를 그대로 유지하면서도 채취된 시료를 공시체로 성형하기 위한 별도의 트리밍(trimming) 작업이 필요없으며, 시험진행 중 시료로부터 유출되는 수분의 유출량을 가시적으로 확인할 수 있는 효과가 있다.본 발명의 일실시예에 의한 압밀 셀(consolidation cell)에 의하면, UD 샘플러(Undisturbed Sampler)로 채취된 시료가 교란되지 않은 원래의 상태를 그대로 유지하면서도 채취된 시료를 공시체로 성형하기 위한 별도의 트리밍(trimming) 작업이 필요없으며, 시험진행 중 시료로부터 유출되는 수분의 유출량을 가시적으로 확인할 수 있는 효과가 있다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 고압대용량 전력변환 기술
본 발명은 배터리 전압 감지 장치에 관한 것이다. 본 발명의 배터리 전압 감지 장치는 배터리에 연결되며 상기 배터리에 충전된 전압의 레벨을 감지하는 전압 감지부, 및 상기 전압 감지부에 연결되며 상기 전압 감지부로부터 상기 배터리의 전압레벨을 검출하고 상기 배터리의 전압 레벨이 높을 때는 상기 전압 감지부의 동작 주기를 길게 하고 상기 배터리의 전압 레벨이 낮으면 상기 전압 감지부의 동작 주기를 짧게 하는 동작주기 조절부를 구비한다. 따라서, 배터리 전압 감지 장치의 전력 소모가 극소화된다.본 발명의 배터리 전압 감지 장치(201)는 동작주기 조절부(221)를 구비하고, 동작주기 조절부(221)는 배터리(111)의 전압 레벨에 따라 전압 감지부(211)의 동작 주기를 조절해줌으로써, 전압 감지부(211)가 배터리(111)의 전압을 감지하는 횟수가 감소된다. 따라서, 배터리 전압 감지 장치(201)에서 소모되는 전력이 극소화된다. 본 발명은 심장 박동 조율기에 사용되는 배터리(111)와 같이 전력량이 적은 배터리(111)에 적용되는 것이 바람직하다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전력시스템
다중 레벨 전압 전류 변환부를 갖는 위상 고정 루프(Phase-Lock-Loop) 및 이를 이용한 클럭 위상 동기 방법이 개시된다.본 발명은 기준 클럭 신호와 위상 동기되는 출력 클럭 신호를 발생하는 PLL 회로에 있어서, 기준 클럭 신호와 출력 클럭 신호의 위상 차를 검출하여 그 결과로 업 또는 다운 신호를 발생하는 위상 검출부와, 위상 검출부의 업 또는 다운 신호에 응답하여 펌핑 전압을 발생하는 차아지 펌프부와, 펌핑 전압을 수신하여 소정의 제1 전류 레벨로 변환시킨 후 소정의 선택신호들에 응답하여 조정 전압을 출력하는 전류-전압 변환부와, 그리고 조정 전압에 비례하는 주파수를 갖는 출력 클럭 신호를 발생하는 전압 제어 오실레이터를 포함한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 제1 내지 제3 선택 신호에 응답하여 선택적으로 발생되는 조정 전압에 따라 VCO의 출력 클럭 신호의 주파수 범위가 분할되어, 소비 전력이 줄어들고 지터 및 위상 잡음이 작으면서도 넓은 주파수 범위를 갖는 출력 클럭 신호가 기준 클럭 신호의 위상과 일치되도록 발생된다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기준 클럭 신호와 위상 동기되는 출력 클럭 신호를 발생하는 PLL 회로에 있어서,기준 클럭 신호와 출력 클럭 신호의 위상 차를 검출하여 그 결과로 업 또는 다운 신호를 발생하는 위상 검출부; 위상 검출부의 업 또는 다운 신호에 응답하여 펌핑 전압을 발생하는 차아지 펌프부; 펌핑 전압을 수신하여 소정의 제1 전류 레벨로변환시킨 후, 소정의 선택 신호들에 응답하여 조정 전압을 출력하는 전류-전압 변환부; 및 조정 전압에 비례하는 주파수를갖는 출력 클럭 신호를 발생하는 전압 제어 오실레이터를 포함한다.바람직하기로, 전압-전류 변환부는 펌핑 전압을 수신하여 제1 전류 레벨로 변환시키는 전압 입력부; 전압 입력부의 제1 전류 레벨을 복사하여 적어도 2 이상의 출력 전압들을 발생하는 전류 복사부; 및 선택 신호들에 응답하여 2 이상의 출력 전압들 중 어느 하나를 선택하여 조정 전압으로 출력하는 먹스부를 포함한다. 전압 입력부는 펌핑 전압이 게이트에 연결되는제1 엔모스 트랜지스터; 전원 전압과 제1 엔모스 트랜지스터의 드레인 사이에 연결되고 바이어스 전압이 그 게이트에 연결되는 제5 피모스 트랜지스터; 제1 엔모스 트랜지스터의 소스와 접지 전압 사이에 연결되는 제2 엔모스 트랜지스터; 전원전압이 소스에 연결되고 제5 피모스 트랜지스터와 제1 엔모스 트랜지스터 사이의 제1 노드 전압이 게이트에 연결되는 제4엔모스 트랜지스터; 제4 엔모스 트랜지스터와 접지 전압 사이에 연결되고 그 드레인과 게이트가 제2 엔모스 트랜지스터의게이트와 연결되어 제2 엔모스 트랜지스터와 함께 전류 미러를 구성하는 제3 엔모스 트랜지스터; 전원 전압에 그 소스와게이트가 연결되는 제6 피모스 트랜지스터; 제6 엔모스 트랜지스터와 접지 전압 사이에 연결되고 그 드레인과 게이트가연결되어 제1 전류 레벨을 제공하는 제7 엔모스 트랜지스터를 포함한다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 반도체 집적 회로 내의 지연된 클록 신호를 발생하는 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 지연된 클록 신호 발생장치는, 입력 클록 신호(CLK1)에 응답하여 복수의 위상 지연 클록 신호를 발생하는 지연 신호 발생 회로; 상기 복수의위상 지연 클록 신호 중에서 상기 입력 클록 신호(CLK1)와 제 1 위상 차를 갖는 위상 지연 클록 신호를 검출하고, 출력 클록 신호(CLK2)를 출력하기 위한 선택 신호를 발생하는 위상 검출 회로; 상기 입력 클록 신호(CLK1) 및 상기 복수의 위상지연 클록 신호 중에서 서로 인접하여 입력되는 두 신호를 미리 설정된 내분비로 내분하고, 상기 두 신호의 위상 차보다 작은 위상 차를 갖는 복수의 위상 보간 클록 신호를 발생하는 위상 보간 회로; 및 상기 선택 신호에 응답하여 상기 복수의 위상 보간 클록 신호 중에서 상기 입력 클록 신호(CLK1)와 제 2 위상 차를 갖는 출력 클록 신호(CLK2)를 출력하는 선택 회로를 포함한다. 본 발명에 의하면, 입력 클록 신호의 반주기를 감지하여 외부 제어신호나 피드백 루프의 필요 없이 입력 클록 신호보다 π/2 또는 3π/2 등 원하는 위상 차만큼 지연된 클록 신호를 얻을 수본 발명에 따른 지연된 클록 신호 발생장치는, 입력 클록 신호(CLK1)에 응답하여 복수의 위상 지연 클록 신호를 발생하는지연 신호 발생 회로; 상기 복수의 위상 지연 클록 신호 중에서 상기 입력 클록 신호(CLK1)와 제 1 위상 차를 갖는 위상 지연 클록 신호를 검출하고, 출력 클록 신호(CLK2)를 출력하기 위한 선택 신호를 발생하는 위상 검출 회로; 상기 입력 클록신호(CLK1) 및 상기 복수의 위상 지연 클록 신호 중에서 서로 인접하여 입력되는 두 신호를 미리 설정된 내분비로 내분하고, 상기 두 신호의 위상 차보다 작은 위상 차를 갖는 복수의 위상 보간 클록 신호를 발생하는 위상 보간 회로; 및 상기 선택신호에 응답하여 상기 복수의 위상 보간 클록 신호 중에서 상기 입력 클록 신호(CLK1)와 제 2 위상 차를 갖는 출력 클록신호(CLK2)를 출력하는 선택 회로를 포함한다.상술한 바에 의하면, 본 발명에 따른 지연된 클록 신호를 발생하는 장치 및 방법은 입력 클록 신호의 반주기를 감지하여 외부 제어 신호나 피드백 루프의 필요 없이 입력 클록 신호보다 π/2 또는 3π/2 등 원하는 위상 차만큼 지연된 클록 신호를 얻을 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
실린더형 게이트를 갖는 나노-라인 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 희생 물질막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 희생 물질막을 갖는 기판 상에 반도체 특성을 갖는 적어도 하나의 나노 라인을 형성한다. 상기 나노라인을 갖는 기판 상에 상기 나노 라인을 가로지르며 상기 희생 물질막 상부로 연장된 마스크 패턴을 형성한다. 상기 마스크 패턴을 갖는 기판 상에 상기 마스크 패턴을 사이에 두고 서로 이격되며 상기 마스크 패턴 양옆의 상기 나노 라인과 접촉하는 소스 및 드레인 전극들을 형성한다. 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴 하부의 상기 희생 물질막을 차례로 제거하여 상기 소스 및 드레인 전극들 사이에 위치하는 상기 나노 라인을 노출시키는 개구부를 형성한다. 상기 개구부를 갖는 기판 상에 상기 나노 라인의 채널 영역을 둘러싸는 게이트 전극을 형성한다.본 발명에 따르면, 실린더형 게이트를 갖고 나노 라인을 채널로 이용하는 트랜지스터를 제공할 수 있다. 또한, 트랜지스터를 소형화시킬 수 있다. 더 나아가서, 소스 및 드레인 전극들이 상기 나노 라인을 둘러싸도록 형성할 수 있기 때문에 소스 및 드레인 전극들과 나노 라인 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 그 결과, 트랜지스터의 소스/드레인 접촉저항 특성을 개선시킬 수 있다. 따라서, 이와 같은 트랜지스터들로 이루어진 반도체 소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 고집적화된 반도체소자를 제조할 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2008-04-11
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
실린더형 게이트를 갖는 나노-라인 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 희생 물질막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 희생 물질막을 갖는 기판 상에 반도체 특성을 갖는 적어도 하나의 나노 라인을 형성한다. 상기 나노라인을 갖는 기판 상에 상기 나노 라인을 가로지르며 상기 희생 물질막 상부로 연장된 마스크 패턴을 형성한다. 상기 마스크 패턴을 갖는 기판 상에 상기 마스크 패턴을 사이에 두고 서로 이격되며 상기 마스크 패턴 양옆의 상기 나노 라인과 접촉하는 소스 및 드레인 전극들을 형성한다. 상기 마스크 패턴 및 상기 마스크 패턴 하부의 상기 희생 물질막을 차례로 제거하여 상기 소스 및 드레인 전극들 사이에 위치하는 상기 나노 라인을 노출시키는 개구부를 형성한다. 상기 개구부를 갖는 기판 상에 상기 나노 라인의 채널 영역을 둘러싸는 게이트 전극을 형성한다.본 발명에 따르면, 실린더형 게이트를 갖고 나노 라인을 채널로 이용하는 트랜지스터를 제공할 수 있다. 또한, 트랜지스터를 소형화시킬 수 있다. 더 나아가서, 소스 및 드레인 전극들이 상기 나노 라인을 둘러싸도록 형성할 수 있기 때문에 소스 및 드레인 전극들과 나노 라인 사이의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 그 결과, 트랜지스터의 소스/드레인 접촉저항 특성을 개선시킬 수 있다. 따라서, 이와 같은 트랜지스터들로 이루어진 반도체 소자의 성능을 향상시킬 수 있다. 또한, 고집적화된 반도체소자를 제조할 수 있다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 반도체 칩의 전압공급용 도선을 탄소나노튜브로 대치하고, 그 탄소나노튜브에 기체 또는 액체를 주입한 후적절하게 순환시킴으로써 하나의 소자로 전압공급과 방열(냉각기능)이 가능토록 하여 반도체 칩의 외부에 냉각장치인 히트싱크(HeatSink)나 팬(Fan)의 부가를 제거함으로써, 제품의 부피를 저감할 수 있도록하며, 반도체 칩 내부에서발생하는 열을 자체적으로 해결함으로써 공간 구조의 반도체를 제작할 수 있도록 도모해주는 탄소나노튜브를 사용하여 전압공급과 방열을 동시에 수행하는 반도체칩에 관한 것으로서, 이러한 본 발명은, 탄소나노튜브(CNT)를 도입하여 CNT 표면을 전압 공급선으로 사용하고 내부는 기체 또는 액체의 이동 통로로 사용함으로써 인체의 혈관과 같은역할을 수행할 수 있도록 하여, 하나의 소자(CNT)로 전압 공급과 방열 기능을 동시에 수행한다.이상에서 상술한 본 발명에 따르면, 탄소나노튜브를 도체로 생산할 수 있기 때문에 탄소나노튜브에는 액체 또는 기체를 채우고 탄소나노튜브의 표면에는 전압을 인가함으로써, 반도체칩내의 회로 내부로 에너지를 공급하면서 동시에회로 내부의 열을 방열 시킬 수 있는 효과가 있다.또한, 상기와 같은 효과로 인해 기존과 같이 반도체칩의 방열을 위해 외부에 방열장치(히트싱크, 방열팬, 기타 등등)를 구비할 필요가 없으므로, 반도체 제조 비용을 저감시킬 수 있을 뿐만 아니라 전체적인 장치의 사이즈를 줄일 수 있는 효과도 있다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 상지층의 두께를 한정한 자기 저항 소자에 관한 것이다. 자기 저항 구조체를 포함하는 자기 저항 소자에 있어서,상기 자기 저항 구조체의 반강자성층 상에 형성되며 5nm 이하, 가장 바람직하게는 0.5 내지 2nm의 두께를 가지는 상지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 저항 소자를 제공한다. 이에 따르면 고온 공정에서의 발생할 수 있는 자기 저항 구조체 내부의 Mn 원소 등의 확산을 효과적으로 방지함으로써 MR 비 등의 소자 특성치의 저하를 방지할 수 있다.본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 자기 저항 소자의 제조시 고온 공정을 거치거나, 사용 환경이고온이 되더라도 자기 저항비 등의 자기 저항 소자의 주요 특성치의 변화가 없는 안정된 구조를 지니며, 다양한 자기 저항소자에 응용할 수 있는 자기 저항 소자 구조체를 제공하는 것을 목적으로 한다.이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 자기저항소자는, 저기 저항 구조체 상에 5nm 이하의 두께로 형성된 상지층을형성시킴으로써, 고온 공정에서의 발생할 수 있는 자기 저항 구조체 내부의 Mn 원소 등의 확산을 효과적으로 방지함으로써 MR 비 등의 소자 특성치의 저하를 방지하여, 우수한 성능을 유지할 수 있는 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은, 10-10Torr 이하의 초고진공 상태를 유지하는 MBE 장치 내에서 양자점 구조를 갖는 강자성 반도체 제조방법으로서, 격자구조가 섬아연광 구조인 기판의 온도를 250~350℃의 범위 내의 특정 온도를 유지하면서 상기 기판에 In, As, Mn 결정이 들어 있는 셀을 가열하여 셀로부터 나오는 증기를 분자선의 형태로 조사하여 기판물질과 InMnAs물질과의 격자부정합으로 인한 S-K mode와 Mn의 계면활성 효과 및 핵 역할로 인해서 자발적인 InMnAs 양자점을 성장시키는 단계를 포함하여 구성된다. 상기 기판은 밀러 지수가 100인 GaAs 기판이고, 상기 기판의 온도는 300℃이고 Mn/In 평형 빔 자속비는 0.4인 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면 저온에서만 강자성을 띠는 기존의 에피택시 층 구조를 갖는 강자성 반도체와는 달리 상온 이상의 큐리 온도를 갖는 강자성 반도체를 제공할 수 있어 상온소자로서 활용할 수 있을 뿐만 아니라, 양자 컴퓨터를 구현할 수 있는 기본소자로 이용할 수 있는 효과가 있다.첫째, 저온에서만 강자성을 띠는 기존의 에피택시 층 구조를 갖는 강자성 반도체와는 달리 상온 이상의 큐리 온도를 갖는 강자성 반도체를 제공할 수 있어 상온소자로서 활용할 수 있다.둘째, InMnAs QDs의 스핀은 업과 다운이라는 명확한 구분이 가능한 2가지 상태수를 가지고 있고, 스핀의 상태를 오래동안 유지하고 있을 수 있으므로 양자 비트(quantum bit) 구현에 용이하다.셋째, 나노 크기의 InMnAs 양자점 내에서만 스핀이 분포되어 있으므로 스핀이 국소화 되어 있기 때문에 하나의 스핀을 임의로 조절할 수 있고, 양자 비트가 독립적으로 존재할 수 있다.넷째, InMnAs 양자점에서 양자구속 현상으로 인해서 소자 제작시 기존에 상상만하던 양자 비트를 구현할 수 있는 기반이 될 수 있다.다섯째, 상기와 같은 이유로 본 발명에 따른 양자점 구조를 갖는 반도체는 양자 컴퓨터(Quantum Computer)를 구현할 수 있는 기본소자로 활용될 수 있다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 수소 및 불활성기체에 의한 화합물반도체 박막의 양자점 생성방법에 관한 것으로, 기판과 박막의 격자상수차(격자부정합)가 5% 내외가 되지 않는 기판(34)을 사용하여 GaN와 Hg 1-x Cd x Te 박막 등과 같은 화합물반도체 박막(30a)을 성장시켜 불활성기체화 작업의 후처리를 통해 상온 조절이 가능한 양자점을 형성시킬 수 있으며, 특히 수소 및 불활성 기체 플라즈마의 파워밀도나 유입량의 조절을 통해 생성되는 양자점 구조의 화합물반도체 박막(30a)의 크기와 밀도를 조절할 수 있어, 기존의 Stranski-Krastanov 방법에 비해 제작방법이 쉽고 기판(34)의 종류에 상관없이 양자점 형성이 가능할 수 있다. 이를 위해 CdTe, CdZnTe, GaAs, Al 2 O 3 , Si 등의 화합물 기판(34) 중 어느 하나를 이용하여 통상의 박막 생성방법인 LPE, MOCVD 그리고 MBE 방법 중 어느 하나를 통해 GaN, CdTe, HgCdTe와 같은 화합물반도체 박막(30a)이 성장되는 박막 성장과정과, 성장된 화합물반도체 박막(30a)을 플라즈마를 형성할 수 있는 불활성기체 공급장치의 챔버(10)에 장착시켜 발생되는 가스 플라즈마가 화합물반도체 박막(30a)에 입사되어 양자점(32)이 형성되는 양자점 형성과정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의한 수소 및 불활성기체에 의한 화합물반도체 박막의 양자점 생성방법은, 통상의 박막 성장방법인 LPE, MOCVD, MBE 방법 등에 관계없이 화합물반도체인 GaN와 Hg 1-x Cd x Te 박막을 성장시켜 불활 성기체화 작업의 후처리를 통해 상온 조절이 가능한 양자점을 형성시킬 수 있으며, 특히 불활성기체 플라즈마의 파워밀도나 유입량의 조절을 통해 생성되는 양자점 구조의 GaN와 Hg 1-x Cd x Te 박막의 크기와 밀도를 조절할 수 있어, 기존의 Stranski-Krastanov 방법에 비해 제작 방법이 쉽고 기판의 종류에 상관없이 양자점 형성이 가능할 수 있다. 이는 결과적으로, 77K 저온을 유지하기 위해 액체질소 용기의 부착이 요구되는 것은 물론 부피가 커서 휴대성이 낮고 가격이 비싸 상용화가 어려운 기존의 화합물반도체 양자점 생성방법의 문제점을 해결할 수 있어, 기판의 종류에 관계없이 박막의 양자점 생성이 용이하면서도 가격과 부피가 줄어들고 특히 상온 동작이 가능하여 Wetting Layer가 없는 구조의 적외선 탐지소자나 기타 광소자 및 전기소자는 물론 군사용, 의료용 소자에 보다 광범위하게 적용할 수 있을 것으로 기대된다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 수소 및 불활성 가스 플라즈마에 의한 양자점 구조의 머큐리카드뮴텔룰라이드 박막을 이용한 적외선 탐지소자제작방법에 관한 것으로, 기판과 박막의 격자상수차가 5% 내외가 되지 않는 CdTe, CdZnTe, GaAs, Si 등의 기판(34)위에어떠한 박막 성장방법에 관계없이 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)으로 성장시켜 수소 및 불활성 가스를 이용한 플라즈마 방법으로 성장된 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)에 양자점(32)을 형성시켜 이를 상온에서 동작할 수 있는 적외선 탐지소자에 적용 제작할 수 있다. 이를 위해 CdTe, CdZnTe, GaAs, Si 기판(34) 중 어느 하나를 이용하여 통상의 박막 생성방법인 LPE,MOCVD 그리고 MBE 방법 중 어느 하나로 성장된 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)을 플라즈마가 형성될 수 있는 수소 및 불활성가스 플라즈마장치 내에 장착시켜 발생되는 가스 플라즈마가 Hg 1-x Cd x Te 박막(30)에 입사되어 상온 동작이 가능한 양자점(32)을 형성하게 되는 양자점 형성과정과, S-K 방법 또는 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법에 의해 생성된 양자점구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막(30) 위에 금속패드를 형성하고 도선을 연결하여 상온 동작이 가능한 적외선 탐지소자를 제작하는 탐지소자 제작과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의한 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법에 의한 양자점 구조의 머큐리카드뮴텔룰라이드 박막을 이용한 적외선 탐지소자 제작방법은, 기판의 종류에 관계없이 박막의 양자점 생성이 용이하면서도 가격과 부피가 줄어들고 특히 상온 동작이 가능하여 Wetting Layer가 없는 구조의 적외선 탐지소자를 제작할 수 있다. 특히, 본 발명에 의한 탐지소자에 사용되는 양자점 구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막은 전류밀도가 온도와 무관하여 77K 저온에서와 같은 효과를 낼 수 있어 탐지소자가 상온에서 동작이 가능할 뿐만 아니라, 결과적으로 가격 절하 및 소형화가 가능하여 적외선 영상센서인 탐지소자의 상용화가 이루어질 수 있어 자동차나 비행기 등에 쉽게 장착이 가능하여 상용화에 크게 이바지 할 수 있을 것으로 기대된다.또한, 일반적인 박막의 경우에 표면이 평평해야 박막이 성장이 잘 이루어지지만 본 발명에 의한 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법을 통해서는 표면이 평평 하지 않더라도 성장된 Hg 1-x Cd x Te 박막의 양자점 형성이 가능하며, 아울러 이처럼 표면이 평평하지 않는 경우에는 적외선의 흡수효과가 뛰어나 오히려 탐지소자의 감지효과가 높아질 수 있는 이점도 제공된다.또한, 수소 및 불활성 가스 플라즈마 방법으로 제작된 양자점 구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막이나 S-K 방법으로 제작된 양자점 구조의 Hg 1-x Cd x Te 박막 모두 적외선 탐지소자를 제작할 경우, 기존의 박막을 이용하여 제작한 탐지소자에 비해 에너지 밀도의 구별이 뚜렷하고 전류밀도 등이 온도와 무관하게 작용하므로 양자효과(Quantum Efficient)가 뛰어나 상온에서 작동이 가능할 수 있다는 효과도 있다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 표면 MEMS 기술을 이용하여 반도체 기판 표면에 유전체 기둥을 제작하고 그 기둥 위에 신호선을 올려놓은 형태의 저손실 마이크로스트립 전송선 및 제작방법에 관한 것으로, 전송선로 구현시 산화된 다공성 실리콘 기판 표면상부에 전송선과 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실을 줄이기 위한 다수개의 제 1유전체 기둥을 구비하고 상기 제 1 유전체 기둥 상부에 제 1신호선을 제작하고 상기 제 1 신호선 위에 제 2유전체 기둥과 제 2 신호선을 구비함으로써, MEMS 기술을 이용한 종래의 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 비하여 제작 공정이 비교적 간단하고, 전송선로와 접지면 사이에 있는 유전체에서 발생하는 유전체 손실과 기판에 의한 유전체 손실이 줄어들며 기존의 집적회로 소자와 서로 호환이 가능한 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로 및 그 제작 방법에 대한 것이다.본 발명의 표면 MEMS 기술을 이용한 유전체 지지형 다층 마이크로스트립 전송선로는 MEMS 기술을 이용하여 유전체 기둥을 제작하고 그 기둥 위에 신호선을 올려놓은 후 다시 신호선위에 유전체 기둥을 제작하고 신호선을 올려놓는 다층 신호선을 형성함으로써 MEMS 기술을 이용한 종래의 밀리미터파 집적회로의 저손실 전송 선로에 비하여 제작 공정이 비교적 간단하고, 접지면과 제2 전송선과의 거리가 멀어짐으로 인한 기판 손실을 줄일 수 있고, 기존의 집적회로 소자와 서로 호환이 가능하다는 장점이 있다.또한, 다층 구조 공정을 통한 능동 소자와 수동 소자와의 집적화를 할 시 보다 쉽게 연결 가능하며, 더불어 공정의 안정화를 통한 전송선위에 새로운 소자를 구현함으로 인한 전체적인 칩의 사이즈 또한 감소 효과를 보기 위한 연구이다. 즉, 제1 전송선위에 폴리마이드를 이용하여 유전체를 제작하고 그 위에 꼭 전송선 만이 아닌 인덕터나, 필터 등 다른 수동소자를 구현하여 소자들이 차지하는 면적 부분을 위로 쌓아 올리면서 전체적인 칩 면적을 줄이는 효과도 볼수 있다.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 초고주파 및 밀리미터파 용 전계효과 트랜지스터(FET) 제조에 있어서 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법에 관한 것이다. 전계효과 트랜지스터의 제조에 있어서 소자의 고속 동작 특성을 평가하는 전류 이득 차단주파수(current gain cut-off frequency)를 결정하는 주된 요인은 소자의 게이트 길이(gate length)이며, 게이트 길이가 짧아질수록 전류 이득 차단 주파수는 증가하게 된다. 이러한 특성을 위해 기존의 제조 방법에 의하여 게이트 길이를 짧게하면 그 수율이 떨어지게 되며 재현성도 낮아지게 된다.본 발명은 게이트 길이를 최소화하기 위한 것으로, 미세 패턴 형성이 가능하다고 알려진 수소화 실세스퀴옥산(HSQ)를 이용하여 다층구조 T형 게이트를 제조하여 게이트 길이를 최소화 한다.본 발명에 의한 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법에 따르면, 게이트 길이를 매우 짧게 만들 수 있으며, 건식 식각 같은 공정이 필요 없어 비교적 간단히 제조 가능하며, 또한 음성 레지스터의 특성상 전자를 맞는 부분이 남기 때문에 게이트 다리 형성시 수소화 실세스퀴옥산 패드가 남아 보호막의 역할을 같이 수행하게 되기도 하며, 제조과정의 단순화 및 높은 신뢰도 및 재현성을 얻을 수 있다.본 발명에 의한 수소화 실세스퀴옥산을 이용한 게이트 및 그 제조방법은 초고주파 반도체 소자의 게이트에 있어서, 음성의 성질을 가진 전자선 반응성 수소화 실세스퀴옥산을 소스 전극 및 드레인 전극 등의 오믹 금속층 사이에 적층한 후 전자선 묘화 공정을 이용하여 게이트 길이를 효과적으로 감소시켜 나노미터 급의 게이트 길이를 갖을 수 있으며, 수소화 실세스퀴옥산을 패시베이션 용도로 사용할 수 있다.또한 공정을 비교적 간단하게 만들어 시간 및 비용절감을 통해 최대 이윤 창출이 실현 가능하며, 이러한 게이트 제조 방법은 게이트의 길이 축소가 유리하여 고성능 초고속 소자제조가 가능하며, 비용절감, 신뢰성 및 재현성에 우수한 효과가 있다.
- 보유기관
- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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