일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 이상적인 상태판단 조건부 인터록 장치를 개시한다.본 기술의 이상적인 상태판단 조건부 인터록 장치는, 제 1 전원경로 상의 제 1 스위치 및 제 2 전원경로 상의 제 2 스위치의 기계적 접점상태및 전기적 연결상태를 감지하는 접점 감지부 제 1 스위치와 제 2 스위치의 출력단의 전원상태 및 접점 감지부의 감지결과에 따른 제 1 스위치 및 제 2 스위치의 온/오프 상태를 검출하는 상태 검출부 및 상태 검출부의 출력신호에 따라 제 1 스위치 및 제 2 스위치의 절체를 제어하기 위한 절환명령신호를 출력하는 절환 명령부를 구비하여, 인터록되는 스위치의 기계적 온/오프 상태 뿐 만 아니라 스위치 양단의 전원상태를 확인하여 스위치의 절체 여부를 결정함으로써, 보다 안정된 전원공급이 이루어질 수 있도록 해준다.본 기술의 목적은 인터록 장치의 구조 및 절체 방법을 개선하여 단락으로 인한 사고나 개방으로 인한 전원공급중단이 없는 이상적인 인터록 장치를 구현하고, 상대의 전원상태를 판단하여 사용자가 원하는 조건대로 행동할 수 있는 인터록 장치를 통하여 보다 안정된 전원공급이 이루어질 수 있도록 하는데 있다.목적을 달성하기 위한 본 기술의 인터록 장치는 제 1 전원경로 상의 전기적 연결상태와 기계적 접점상태를 감지하여 그 결과에 따라 제 1 전원경로 및 제 2 전원경로 상의 스위치 절체여부를 결정하는 것을 특징으로 한다.
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- (주)케이티
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 무정전 전원공급장치의 전원공급경로를 바이패스라인으로 절환시키기 위한 UPS 독립제어 고속절환장치 및 고속절환장치를 구비한 전원공급시스템을 개시한다.본 기술의 UPS 독립제어 고속절환장치는 UPS와 독립적으로 구성되어 UPS의 출력전원을 검출하고 그 출력전원이 기 설정된 정상범위를 벗어나는 경우 정상전원라인의 출력차단기를 OFF 시킨 후 바이패스라인의 스위치를 ON 시켜 전원공급 경로를 정상전원라인에서 바이패스라인으로 절환시키는 것을 특징으로 한다. 더욱이 본 기술의 UPS 독립제어 고속절환장치는 전원공급경로를 바이패스라인으로 절환시 출력차단기가 실제로 OFF 되었는지 여부를 확인하여 정상적으로 OFF 된 경우에만 바이패스라인으로의 절환을 수행한다. 이처럼, 본 기술의 독립제어 고속절환장치는 UPS와 독립적으로 운영됨으로써 UPS의 이상발생과 상관없이 UPS 출력전원의 이상발생여부를 신속히 검출하여 바이패스라인으로 절환하는 것이 가능하며, 출력차단기가 정상적으로 OFF 된 경우에만 절환을 수행함으로써 보다 안정적인 절환이 가능하도록 해준다.본 기술의 목적은 무정전 전원공급을 위한 절환장치의 구조를 개선하여 UPS가 정상적으로 동작하지 못하는 상황에서도 보다 신속하고 안정적으로 전원공급경로를 절환할 수 있도록 하는데 있다.위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 기술의 UPS 독립제어 고속절환장치는 UPS와 독립적으로 구성되어 UPS의 출력전원을 검출하고 출력전원이 기 설정된 정상범위를 벗어나는 경우 전원공급경로를 정상전원라인에서 바이패스 라인으로 절환시킨다.본 기술의 UPS 독립제어 고속절환장치는 UPS의 출력전원을 검출하는 출력상태 검출부 출력상태 검출부의 출력전원을 기준전원과 비교하여 그 비교결과에 따라 이상발생신호를 선택적으로 활성화시키는 전원품질 판단부 및 이상 발생신호가 활성화시 UPS의 출력차단기를 OFF 시키기 위한 제 1 스위칭신호를 활성화시키고, 출력차단기의 OFF 여부를 확인하여 출력차단기가 실제로 OFF 된 경우에만 바이패스라인의 스위치를 ON 시키기 위한 제 2 스위칭신호를 활성화시키는 절환 명령부를 구비한다.
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- (주)케이티
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 피조리물 표면을 갈색으로 변화시킬 수 있는 반도체 레이저 다이오드의 근적외선 광원을 가진 가열조리장치에 관한 것으로, 가열조리장치는 0.6 내지 1.6μm파장을 가지며, 20W내지 200W의 광출력을 갖는 반도체 레이저 다이오드 어레이(32) 및 가열조리장치내에 마이크로파를 제공하기 위한 마그네트론(22)을 포함한다. 이러한 가열조리장치에 적절한 전원을 인가함으로써 마그네트론(22)에 의해 피조리물을 가열하고, 조리된 피조리물을 반도체 레이저 다이오드 어레이(32)의 근적외선 광으로 조사함으로써 피조리물의 표면을 갈색화할 수 있다. 또한 동일한 전원과 유사한 종류의 변환 에너지를 이용함으로써 가열조리장치의 구성이 간단해지고, 이용이 극히 편리해 질수 있다. 피조리물을 수용하며, 내측벽이 근적외선 광을 반사할 수 있는 조리실을 갖는 하우징(10)과; 상기 조리실내로 마이크로파를 제공하도록 상기 하우징내에 설치되는 발생수단(20)과; 상기 조리실내로 근적외선 광을 제공하도록 상기 하우징내에 설치되며 하나이상의 반도체 레이저를 갖는 반도체 레이저 다이오드 어레이 수단(30)과; 상기 마이크로파 발생수단과 상기 반도체 레이저 다이오드 어레이수단에 선택적으로 전원을 제공하는 전원공급수단(40)을 포함하는 가열조리장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 반도체 표면의 원형 그레이팅을 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드와 그 어레이에 관한 것이다.; 본발명의 일실시예에 따라 레이저 다이오드의 광공진기(혹은 광 공동)는 반도체 표면의 원형 그레이팅에 의해 제공되어 반도체 표면으로 방출된다. ; 또한 레이저 다이오드에 전류를 인가하는 접속층은 하나이상의 전극으로 구성되어 레이져 방출방향을 변조할 수 있다.; 상기 원형 그레이팅은 또한 통상의 수직 광 공진기를 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드에 적용할 수 있으며 상기 원형 그레이팅의 형상을 등거리 동심원형, 비등거리 동심원형 또는 비등거리 비동심 원형으로 구현할 경우 상기 하나 이상의 전극으로 구성된 접속층의 사용과 함께 레이저 빔의 초점거리, 방향 등을 변조할 수 있다. 반도체 기판 위에 성장된 제1그레이딩층과; 외부에서 주입된 정공 및 전자가 결합하여 레이저를 발생하는 상기 제1그레이딩 상부에 위치하는 활성층과; 상기 활성층 상부에 위치하는 제2그레이딩층과; 상기 제2그레이팅층 상부에 위치하는제1전도형의 반도체층과; 반도체 상부 표면에 위치하여 상기 반도체 상부 표면의 하부에 2차원 광공진기를 규정하고 상기 2차원 광 공진기에서 발생한 레이저를 상기 반도체 상부 표면으로 방사하는 원형 그레이팅층과; 하나 이상으로 전극으로 구성되며 상기 하나 이상의 전극 각각에 독립적으로 전류를 인가하기 위한 상기 제1전도형의 반도체층 상부에 위치하는 제1접속층을 포함하며; 상기 제1및 상기 제2그레이딩층은 그 밴드갭 에너지가 상기 활성층 쪽으로 갈수로 작아지도록 조성이 변하는 반도체 물질로 구성되며 상기 활성층은 상기 제1및 상기 제2그레이딩층보다 밴드갭 에너지가 크지 않은 반도체 물질로 구성된 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 광전자
본 발명은 반도체 표면의 원형 그레이팅을 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드와 그 어레이에 관한 것이다. 본 발명의 일실시예에 따라 레이저 다이오드의 광 공진기(혹은 광 공동)는 반도체 표면의 원형 그레이팅에 의해 제공되어 반도체 표면으로 방출된다. 또한 레이저 다이오드에 전류를 인가하는 접속층은 하나 이상의 전극으로 구성되어 레이저의 방출 방향을 변조할 수 있다.; 상기 원형 그레이팅은 또한 통상의 수직 광 공진기를 이용한 표면 방출형 레이저 다이오드에 적용할 수 있으며 상기 원형 그레이팅의 형상을 등거리 동심원형, 비등거리 동심원형 또는 비등거리 비동심 원형으로 구현할 경우 상기 하나 이상의 전극으로 구성된 접속층의 사용과 함께 레이저 빔의 초점거리, 방향 등을 변조할 수 있으며 본 발명에 따른 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드를 채용하여 고출력 레이저 다이오드 어레이가 제공된다. 동일한 반도체 기판위에 적어도 두 개 이상의 2차원 광 공진기를 이용한 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드가 형성되며, 상기 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드는, 반도체 기판 위에 성장된 제 1 그레이딩층과; 외부에서 주입된 정공 및 전자가 결합하여 레이저를 발생하는 상기 제 1 그레이딩 상부에 위치하는 활성층과; 상기 활성층 상부에 위치하는 제 2 그레이딩층과; 상기 제 2 그레이팅층 상부에 위치하는 제 1 전도형의 반도체층과; 반도체 상부 표면에 위치하여 상기 반도체 상부 표면의 하부에 2 차원 광공진기를 규정하고 상기 2 차원 광 공진기에서 발생한 레이저를 상기 반도체 상부 표면으로 방사하는 원형 그레이팅층과; 하나 이상의 전극으로 구성되며 상기 하나이상의 전극 각각에 독립적으로 전류를 인가하기 위한 상기 제 1 전도형의 반도체층 상부에 위치하는 제 1 접속층을 포함하며; 상기 제 1 및 상기 제 2 그레이딩층은 그 밴드갭 에너지가 상기 활성층 쪽으로 갈수록 작아지도록 조성이 변하는 반도체 물질로 구성되며 상기 활성층은 상기 제 1 및 상기 제 2 그레이딩층보다 밴드갭 에너지가 크지 않은 반도체 물질로 구성된 원형 그레이팅 표면 방출형 레이저 다이오드 어레이.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 무선통신소자
본 발명의 새로운 적응 바이어스 회로 및 공통 모드 궤환 회로를 이용한 완전 차동 폴디드 캐스코드 CMOS OP AMP 장치는 종래의 폴디드 캐스코드 CMOS OP AMP 회로에 부착 가능한 적응 바이어스 회로를 제안하여 직류 전력 소모 및 직류 전압 이득을 크게 유지하면서도 슬루 속도를 크게 증가시켜 OP AMP 장치의 고속 동작을 실현 할 수 있고, 공통 모드 궤환 회로의 입력 전압의 범위를 크게 함으로써 전체 OP AMP 장치의 선형 출력 전압 범위를 극대화할 수 있으며, 또한 문턱 전압이 큰 디지탈 CMOS 공정을 이용하여 4V 이하의 단일 공급 전압에서도 직류 전압 이득이 매우 크고 빠른 안정 시간을 갖도록 함으로써 저전압용 디지탈 회로와 함께 동일 집적회로 칩 상에 아날로그 신호 처리용 CMOS OP AMP 회로를 추가할 수 있도록 한 것이다. 제 1 입력 신호, 제 2 입력 신호 및 공통 모드 기준 전압에 응답하여, 상기 공통 모드 기준 신호에 의해 추출된 제 1 및 제 2 입력 신호의 평균값인 공통 모드 전압에 비례하는 출력 전압 신호를 제공하는 공통 모드 검출기에 있어서, 병렬로 접속되며, 상기 공통 모드 전압에 비례하는 제 1 및 제 2 전류 출력을 각각 제공하는 nMOS 입력단 차동 증폭기와 pMOS 입력단 차동 증폭기; 및 상기 제 1 및 제 2 전류 출력을 상기 출력 전압 신호로 변환하는 푸시풀 CMOS 증폭기로 이루어진 공통 모드 검출기.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 고압대용량 전력변환 기술
본 발명은 산업 전반에서 교류 전압 제어를 필요로하는 장치에 사용되는 단상 및 3상 교류 전압 제어 회로에 관한 것으로서, 종래의 기술에 있어서는 모든 스위치가 꺼지는 데드-타임(Dead-time)에 코뮤테이션(Commutation) 문제가 일어나 즉, 전류의 흐름을 형성하지 못해 스위치가 꺼질때 스위치양단에 큰 전압이 유기되는 문제가 있었으나, 본 발명에서는 입력 전원 전압 또는 출력 전압의 극성을 고려하면서 교류 전압 제어 회로의 동작 모드와 관계없이 항상 전류의 흐름이 이루어지도록 스위치를 동작시켜 코뮤테이션 문제를 완전히 해결하였으며 구조적으로 간단하고 효율이 높으면서도 단상과 3상에 모두 적용가능하고 용도에 따라 교류 전압을 강압하는 강압형 교류 전압 제어 회로, 승압하는 승압형 교류 전압 제어 회로와 강압과 승압을 모두 할 수 있는 강압 및 승압형 교류 전압 제어 회로를 실현할 수 있는 것이다. 전력반도체스위치 Q1의 콜렉터에 입력 전원 A가 접속되고 전력반도체스위치 Q1의 에미터에는 코일(L1)이 접속되며, 상기 전력반도체스위치 Q1의 콜렉터와 이미터 사이에는 다이오드가 접속되고 전력반도체스위치 Q2의 콜렉터에 입력 전원 B가 접속되며, 상기 전력반도체스위치 Q2의 콜렉터와 에미터 사이에는 다이오드가 접속되고 상기 전력반도체스위치 Q2의 에미터와 상기 코일(L1) 사이에는 캐패시터(C1)가 접속되며, 콜렉터와 에미터 사이에 다이오드가 접속된 전력반도체스위치 Q3의 콜렉터가 상기 전력반도체스위치 Q1의 에미터에 접속되고 콜렉터와 에미터 사이에 다이오드가 접속된 전력반도체스위치 Q4의 콜렉터가 상기 전력반도체스위치 Q2의 에미터에 접속되며, 상기 전력반도체스위치 Q3,Q4의 에미터를 공통으로하는 접점과 상기 입력 전원 A,B 각각 사이에 캐패시터 Ca,Cb가 각각 접속되어 이루어지는 회로에 있어서, 상기 입력 전원 전압의 극성에 따라 A와 B의 전위차가 양일때는 상기 전력반도체스위치 Q2와 상기 전력반도체스위치 Q4를 모드와 관계없이 켜서, 상기 전력반도체스위치 Q1이 켜지면 상기 전력반도체스위치 Q1 - 코일 L1 - 캐패시터 C1 - 전력반도체스위치 Q2를 통하는 모드가 되고, 상기 전력반도체스위치 Q1이 꺼지면 상기 전력반도체스위치 Q3의 켜짐과 꺼짐에 관계없이 상기 전력반도체스위치 Q3 - 코일 L1 - 캐패시터 C1 - 전력반도체스위치 Q4의 전류 흐름을 형성하고, 상기 A와 B의 전위차가 음일때는 상기 전력반도체스위치 Q1과 상기 전력반도체스위치 Q3을 모드와 관계없이 켜서, 상기 전력반도체스위치 Q2가 켜지면 상기 전력반도체스위치 Q2 - 캐패시터 C1 -코일 L1 - 전력반도체스위치 Q1을 통하는 모드가 되고, 상기 전력반도체스위치 Q2가 꺼지면 상기 전력반도체스위치 Q1의 켜짐과 꺼짐에 관계없이 상기 전력반도체스위치 Q4 - 캐패시터 C1 - 코일 L1 - 전력반도체스위치 Q3의 전류 흐름을 형성함을 특징으로 하는 단상 강압형 교류 전압 제어 회로.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 3 상 전류 제어기를 사용하는 산업 장치에 관한 것으로서, 3 상 선전류(Ia,Ib,Ic) 중에서 2 상의 전류(Ia,Ib)를 궤환시켜 기준 전류(Ia * ,Ib * 와Ic * )와 감산하여 전류 오차를 형성하는 감산기들(1-5)과; 상기 감산기들(1-5)의 출력을 소정의 기준 값과 비교하여 신호(AIB,BIB,CIB)를 출력하는 히스테리시스 비교기들(6,7,8)과; 상기 감산기(1-5)들의 출력을 소정의 기준 값과 비교하여 신호(AOB, BOB및 COB)를 출력하는 구역 판별기(9)와; 상기 신호들(AIB,BIB,CIB,AOB, BOB및 COB)을 조합하여 스위칭 신호(S1,S3,S5)를 출력하는 스위칭 테이블(10)과; 상기 스위칭 신호(S1,S3,S5)에 따라 삼상 전압(Va,Vb,Vc)을 직류 전원으로부터 펄스폭 변조하여 출력하는 전압형 펄스폭 변조 시스템(11)을 구비한다.; 즉, 본 발명은 히스테리시스 전류 제어기와 공간 벡터 변조 방식의 장점인 구현이 쉽고 전류제어의 동적 응답이 빠르고 최대 전류 제한 능력과 부하 파라미터의 변동에 민감하지 않으며 최대 출력 전압이 정현파 펄스폭 변조 방식보다 더 크고 스위칭수도 대폭 줄어드는 장점들을 모두 가지고 있다는 효과가 있다. 3 상 선전류(Ia,Ib,Ic) 중에서 2 상의 전류(Ia,Ib)를 궤환시켜 기준 전류(Ia * ,Ib * 와Ic * )와 감산하여 전류 오차를 형성하는 감산기들(1-5)과; 상기 감산기들(1-5)의 출력을 소정의 기준 값과 비교하여 신호(AIB,BIB,CIB)를 출력하는 히스테리시스 비교기들(6,7,8)과; 상기 감산기(1-5)들의 출력을 소정의 기준 값과 비교하여 신호(AOB, BOB및 COB)를 출력하는 구역 판별기(9)와; 상기 신호들(AIB,BIB,CIB,AOB, BOB및 COB)을 조합하여 스위칭 신호(S1,S3,S5)를 출력하는 스위칭 테이블(10)과; 상기 스위칭 신호(S1,S3,S5)에 따라 삼상 전압(Va,Vb,Vc)을 직류 전원으로부터 펄스폭 변조하여 출력하는 전압형 펄스폭 변조 시스템(12)을 구비하는 구역 판별기를 사용한 공간 벡터형 히스테리시스 전류 제어기.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 진공챔버 제작방법을 개시한다. 본 발명은, 진공로에서 스테인레스 강재의 챔버를 450℃에서 48~60시간 가열하여 스테인레스 강 내부의 수소를 제거함과 동시에 크롬을 표면으로 석출시키는 단계와, 진공로의 온도를 200℃로 낮추어 유지시킨 후 건조질소를 주입하여 진공로를 10~20분에 걸쳐 서서히 벤팅시키는 단계와, 상기 벤팅 상태를 24~48시간 유지시켜 챔버의 표면에 크롬산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 표면에 형성된 치밀한 크롬 산화막에 의해 수소의 확산 및 투과가 현저히 억제되기 때문에 진공도가 10 -11 Torr 대 이하의 극고진공 영역으로 어렵지 않게 내려가게 되는 효과를 제공한다. 진공로에서 스테인레스 강재의 챔버를 450℃에서 48~60시간 가열하여 스테인레스 강 내부의 수소를 제거함과 동시에 크롬을 표면으로 석출시키는 단계와, 진공로의 온도를 200℃로 낮추어 유지시킨 후 건조질소를 주입하여 진공로를 10~20분에 걸쳐 서서히 벤팅시키는 단계와, 상기 벤팅 상태를 24~48시간 유지시켜 챔버의 표면에 크롬산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공챔버 제작방법.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 진공챔버의 벤팅방법 및 그 장치를 개시한다. 본 발명은, 펌프로 장치를 배기하고 100℃에서 24시간 베이크하는 단계와, 상기 단계 종료 후 액체질소 두어내의 질소를 공급하고 100℃에서 10시간 베이크하는 과정을 3-5회 반복하여 장치를 세정하는 단계와, 상기 단계에서 주입된 질소를 배기하고 액체질소로 냉각부를 3-4시간동안 냉각시키는 단계를 포함하는 준비단계와; 상기 준비단계 종료 후 액체질소 두어내의 질소를 필터로 여과시킨 후 가열하는 단계와, 가열된 질소가스를 액체질소로 냉각시키고 질소가스내의 잔류 이물질 및 수분을 제거하는 단계와, 불순물 및 수분이 제거된 질소가스를 진공챔버로 10-20분에 걸쳐 서서히 주입하는 단계를 포함하는 실행단계를; 포함하는 진공챔버의 벤팅방법 및 그 장치를 제공하는데 그 특징이 있다. 따라서 배기시작 1시간 내에 10 -10 Torr 대에, 6시간 대에 10 -11 Torr 대에 들어가는 진공도를 얻을 수 있으므로, 초급속 배기가 가능하여 진공시스템의 가동율 및 생산성이 향상되게 된다. 액체질소 두어와, 상기 액체질소 두어에서 나와 기화된 질소가스내의 불순물을 여과시키는 필터와, 상기 필터에 의해 여과된 질소가스를 가열하는 가열부와, 상기 가열부에 의해 가열된 질소가스를 냉각시키고 질소가스내의 잔류 불순물 및 수분을 제거하는 냉각부와, 상기 냉각부를 거쳐 진공챔버로 주입되는 질소가스의 유량을 조절하는 바늘밸브를 포함하는 진공챔버의 벤팅장치.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 유기물 또는 무기물을 박막형태로 만들었을 경우, 박막의 굴절율 및 두께를 레이져빔 및 광학부품(Optical Part)을 이용하여 비파괴적으로 측정하는 프리즘커플러(Prism Coupler) 장치 및 제어방법에 관한 것이다.; 따라서, 본 발명은 박막의 두께가 1㎛이하에서 측정이 가능한 일립소미터 (ellipsometer)와 보완적으로 1㎛이하에서 부터 15㎛까지의 범위에서 두께와 굴절율을 측정가능하고, 굴절율만 측정한다면 수 mm이상의 두께를 갖는 박막의 굴절율도 측정가능한 장치를 제작하였다. 측정과정이 간단하고 시편의 조건이 까다롭지 않아 다양한 분야에 이용될 것으로 전망되는 효과를 가진다. 주로 파장이 632.8nm인 헬륨-네온 레이저빔을 투사하는 입사광원(20); 상기 광원(20)의 편광상태를 TE모드 또는 TM모드로 만들어 주기 위한 편광기(21); 입사각의 영점 지정을 위하여 상기 편광기(21)와 프리즘(10) 사이에 설치되는 빔스프리터(22) 및 조리개(23); 입사각에 변화를 주기 위해 구동되는 로타리 스테이지(26); 마이크로스텝모터를 구동하는 콘트롤러(27); 컴퓨터(29)와 상시 콘트롤러(27)과의 통신수단인 입출력 인터페이스(28); 전체동작을 제어하는 컴퓨터(29); 및 상기 빔스프리터(22)에 연결된 검출기(25')와 상기 컴퓨터(29) 사이에 개재되는 ADC보드; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 프리즘커플러 장치.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 1차원 광산란장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.; 본 발명의 1차원 광산란장치 및 그 제어방법은 블렌드(Blend) 또는 복합재료 (Composite)를 만들 경우에 사용되는 고분자(Polymer), 무기재료(Inorganic material) 그리고 금속(Metal)등의 신소재(New material)에 대한 미세구조(Micro-structure)를 레이저빔(Laser beam) 및 광학부품(Optics parts)를 이용함으로써, 비파과적으로 분석이 가능하도록하는 것이다. 입시광원인 레이저빔을 발생시키는 레이저장치(1); 상기 레이저장치(1)로부터의 레이저빔의 소정의 출력강도를 조절하는 뉴트럴 덴시티 필터(2); 상기 뉴트럴 덴시티 필터(2)를 통한 레이저빔을 편광시키는 편광자(3); 가열판(5)를 소정의 자세 및 위치로 지지하는 지지대(4); 상기 지지대(4)에 의해 지지되면서 샘플필름(6)이 놓이는 가열판(5); 재료의 온도에 따른 거동을 조절하기 위한 회전판(7); 호스트컴퓨터(18)의 제어에 따라 회전판(7)을 회전시키는 마이크로스텝모터(8); 상기 가열판(5)의 온도를 감지한 온도정보를 스쿠류터미날(15)로 출력시키는 온도감지기(9); 각 장치에 필요한 전원을 각각 공급하는 전원공급기(10); 상기 샘플필름을 통한 산란광의 편광형태를 제어하는 분석기(12); 상기 분석기(12)에서 제어된 산란광을 검출하여 스쿠류터미날(15)로 출력시키는 포토멀티플라이어튜브(11); 호스트컴퓨터(18)의 제어에 따라 상기 포토멀티플라이어튜브(11)의 자세 및 위치를 조절하는 컴퓨모터 드라이브(13); 상기 호스트컴퓨터(18)의 제어에 따라 상기 가열판(5)의 온도를 조절하는 온도조절기(14); 상기 온도감지기(9)와 포토멀티플라이어튜브(11)로부터의 미약한 신호를 소정의 레벨로 증폭시켜서 상기 호스트컴퓨터(18)로 출력시키는 스쿠류터미날(15); 상기 컴퓨모터 드라이브(13) 또는 온도조절기(14)와 호스트컴퓨터(18)간에 데이타를 직렬통신을 위한 직렬포트(16); 상기 스쿠류터미날(15)로부터의 아날로그신호를 디지탈신호로 변환시키는 아날로그/디지탈보드(17); 상기 직렬포트(16)를 통해서 컴퓨모터 드라이브(13)와 온도조절기(14)등을 제어하고, 아날로그/디지탈보드(17)로부터의 데이타를 입력받아서 내장프로그램에 따라서 처리 및 분석하는 호스트컴퓨터(18)를 구비함을 특징으로 하는 1차원 광산란장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
콘센트 조립체를 개시한다. 이 콘센트 조립체는 케이스와, 이 케이스의 내부에 설치되며 전선이 감기는 전선 감김수단과, 상기 전선 감김수단에 감긴 전선의 단부에 고정설치되는 콘센트와, 상기 콘센트와 케이스에 설치되어 콘센트를 상기 케이스의 전면에 고정하는 콘센트 고정수단과, 상기 케이스에 설치되어 상기 전선감기릴로부터 풀리는 전선의 인입 및 인출을 제어하는 스토핑 수단을 구비하여 구성된 것에 그 특징이 있다. 상기 케이스의 내부에 설치되며 전선이 감기는 전선 감김수단과, 상기 전선 감김수단에 감긴 전선의 단부에 고정설치되는 콘센트와, 상기 콘센트와 케이스에 설치되어 콘센트를 상기 케이스의 전면에 고정하는 것으로, 상기 케이스에 형성된 인입부의 단부측의 양측에 내측으로 연장되는 돌기와, 사기 콘센트의 몸체의 양측에 인입 및 인출되며 단부측 외주면에 상기 돌기와 결합되는 결합홈이 형성된 한쌍의 버튼과, 상기 몸체에 지지되어 상기 양 버튼을 반경방향으로 탄성바이어스시키는 스프링을 구비하여 된 콘센트 고정수단관, 상기 케이스에 설치되어 사기 전선 감김릴로부터 풀리는 전선의 인입 및 인출을 제어하는 것으로, 상기 전선 감김수단의 전면에 위치되며 그 제1지지축이 케이스에 고정된 제1지지부재와, 상기 제1지지축에 힌지 결하된 제2지지축에 지지되며 상기 제1지지부재와 나란하게 설치된 제2지지부재와, 상기 제1, 2지지축의 단부 사이에 개재되엉 상기 제1지지부재와, 상기 제1, 2지지축의 단부 사이에 개재되어 상기 제1지지부재에 대해 상기 제2지지부재를 밀착시키는 스프링과, 상기 케이스에 설치된 브라켓에 지지되어 상기 제2지지축을 상기 제1지지축에 대해 회동시키는 푸쉬버튼을 구비하여 된 스토핑 수단, 을 포함하여 된것을 특징으로 하는 콘센트 조립체.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 사무용전자기기
본 발명에 따르면, 제1지지판 부재, 상기 제1지지판 부재상에서 회전 가능한 제1회전판 부재, 상기 제1지지판 부재와 동일한 회전축에 결합되며 상기 제1지지판 부재에 대하여 탄성적으로 이격되는 제2지지판 부재, 상기 제2지지판 부재상에서 회전 가능한 제2회전판 부재, 제책용 침을 수용하며 상기 제1회전판 부재의 회전 중심에 고정된 심실 부재, 상기 심실 부재와 동일한 회전축을 통해서 결합되고 상기 심실 부재에 대하여 탄성 이격되는 누름쇠 부재 및, 상기 제2지지판 부재의 회전 중심에 고정된 심받이 부재를 구비한 제책기가 제공된다. 본 발명에 따른 제책기는 제책용 침의 적용 범위가 확장될 수 있다는 장점을 가진다. 제1지지판 부재, 상기 제1지지판 부재상에서 회전 가능한 제1회전판 부재, 상기 제1지지판 부재와 동일한 회전축에 결합되며 상기 제1지지판 부재에 대하여 탄성적으로 이격되는 제2지지판 부재, 상기 제2지지판 부재상에서 회전 가능한 제2회전판 부재, 제책용 침을 수용하며 상기 제1회전판 부재의 회전 중심에 고정된 심실 부재, 상기 심실 부재와 동일한 회전축을 통해서 결합되고 상기 심실 부재에 대하여 탄성 이격되는 누름쇠 부재 및, 상기 제2지지판 부재의 회전 중심에 고정된 심받이 부재를 구비한 제책기.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 기타 전기/전자
플래쉬 이이피롬 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 제1 도전형의 반도체 기판 표면 근방의 채널 영역을 사이에 두고 그 양 옆에 형성되고, 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형의 불순물이 도핑된 소오스 영역 및 드레인 영역과, 상기 소오스 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제1 도전형의 불순물이 상기 반도체 기판보다 높은 농도로 도핑된 제1 불순물 영역과, 상기 드레인 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제2 도전형의 불순물이 상기 소오스 및 드레인 영역보다 낮은 농도로 도핑된 제2 불순물 영역과, 상기 채널 영역 상의 전면에 걸쳐 균일한 두께로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상의 전면에 걸쳐 형성된 플로팅 게이트와, 상기 플로팅 게이트 상에 순차적으로 형성된 층간절연막 및 조절 게이트를 포함한다. 이에 따라, 본 발명의 플래쉬 EEPROM 장치의 셀은 집적도를 향상시킬 수 있고, 프로그램 효율을 향상시킬 수 있다. 제1 도전형의 반도체 기판; 상기 반도체 기판 표면 근방의 채널 영역을 사이에 두고 그 양 옆에 형성되고, 상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형의 불순물이 도핑된 소오스 영역 및 드레인 영역; 상기 소오스 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제1 도전형의 불순물이 상기 반도체 기판보다 높은 농도로 도핑된 제1 불순물 영역; 상기 드레인 영역과 인접한 상기 채널 영역에 형성되고, 상기 제2 도전형의 불순물이 상기 소오스 및 드레인 영역보다 낮은 농도로 도핑된 제2 불순물 영역; 상기 채널 영역 상의 전면에 걸쳐 균일한 두께로 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 전면에 걸쳐 형성된 플로팅 게이트; 및 상기 플로팅 게이트 상에 순차적으로 형성된 층간절연막 및 조절 게이트를 구비하는 것을 특징으로 플래쉬 이이피롬(EEPROM) 장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 고압대용량 전력변환 기술
본 발명은 싸이리스터점호신호를 발생하기 위해 아날로그회로방식을 사용하지 않는 유도전동기용 전자접점기의 제어장치이다.; 이러한 전 기능이 디지탈화 된 전자접점기의 제어장치는 최소회로로 구현되며 따라서 그 크기가 대폭 줄어들며 제작원가의 절감되며 기존의 전자접점기의 제어장치가 실행하기 어려운 접점기의 고기능인 과전류보호, 과부하보호, 부하권선 이상검출등을 수행할 수 있다. 또한 아날로그회로방식은 전원전압의 주파수변동에 민감하나 제시된 방식은 전원전압의 주파수변동에도 소프트웨어의 융통성으로 쉽게 대치된다. 본 발명에 의한 유도전동기용 전자접점기의 제어장치에 있어서, 입력전원의 전압신호에서 포토커플러(photo couple)와 인버터회로를 이용하여 전원의 위상정보를 검출하는 전원신호검출부와, 상기 정전, 역전의 운전신호입력(FWD 또는 REV)으로부터 시스템의 운전-정지, 정전, 역전의 방향을 결정하고, 가변저항값(전류 리미터단자)으로 부터 전류제한치를 결정하고, 가변저항값(소프트 스타팅단자)으로부터 소프트 스타트시간을 결정하여 마이크로콘트롤러에 입력되는 입력기능선택부와, 상기 과전류, 과부하전류를 검출하여 이 검출신호를 이용하여 과전류를 검출하여 시스템 오프하여 시스템을 보호하고, 기동시에는 전류제한에 사용하는 출력전류신호검출부와, 상기 마이크로콘트롤러로부터 싸이리스터점호신호를 받아 싸이리스터를 점호하는 싸이리스터구동부와, 상기 마이크로콘트롤러가 수행하기 위한 기본회로와 래치와 롬으로 구성됨을 특징으로 하는 유도전동기용 전자접점기의 제어장치.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 GaAs/Al x Ga 1-x As/InGaAs(x=0.1∼0.5)로 구성된 PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) 반도체 소자용 옴(ohm) 전극의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 종래의 Ge/Pd/PHEMT 구조 위에, As의 외부 확산(off-diffusion)을 억제시킴으로써 열 안정성을 향상시키는 확산 방지막인 Ti 층과 접촉저항(contact resistance)을 낮출 수 있는 Au 층을 추가적으로 포함하도록 제조함으로써 접촉저항이 낮으면서도 열 안정성이 향상되어 종래의 Ge/Pd/PHEMT에 비해 50배 더 작은 최소 접촉저항을 가진 옴 전극을 제조할 수 있다. GaAs/Al x Ga 1-x As/InGaAs(이때, x는 0.1 내지 0.5의 수이다)로 구성된 PHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) 반도체 소자용 옴 전극의 제조방법에 있어서, PHEMT 기판 위에 Pd, Ge, Ti 및 Au 층을 차례로 증착시켜 Au/Ti/Ge/Pd/PHEMT의 구조로 금속 박막층을 형성시킨 후, 이를 380 내지 540℃ 범위의 온도 및 90% N 2 , 10% H 2 분위기에서 급속 열처리하는 것을 특징으로 하는 옴 전극의 제조방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 시각도에 따라 각각 다른 파장의 빛을 발진하는 광양자테(photonic quantum ring) 레이저를 이용한 각도 및 고도 측정장치에 관한 것으로서, 상부반사판과 하부반사판 사이에 판상구조로 형성되어 그 테두리 부근에서 판상면의 수직선에 대한 시각도(θ)에 따라 각각 다른 파장의 빛을 발진시키는 광양자테(photonic quantum ring) 레이저와, 상기 광양자테 레이저에서 발진된 빛을 굴절 및 반사시키는 반사표적과, 상기 반사표적에서 굴절 및 반사된 빛을 모아 그 파장 특성을 검출하는 광 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer)를 포함함으로써, 측정하고자 하는 각도 및 고도에 따라 각각 다른 파장을 검출하게 된다. 광양자테 레이저를 이용한 각도 및 고도 측정장치에 있어서, 상부반사판과 하부반사판 사이에 판상구조로 형성되어 그 테두리 부근에서 판상면의 수직선에 대한 시각도(θ)에 따라 각각 다른 파장의 빛을 발진시키는 광양자테(photonic quantum ring) 레이저; 상기 광양자테 레이저에서 발진된 빛을 굴절 및 반사시키는 반사표적; 상기 반사표적에서 굴절 및 반사된 빛을 모아 그 파장 특성을 검출하는 광 스펙트럼 분석기(optical spectrum analyzer)를 포함하는 것을 특징으로하는 광양자테 레이저를 이용한 각도 및 고도 측정장치.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
스틱형 다이얼링 장치에 관한 본 발명은, 상부면에 적어도 10쌍 이상의 접점이 마련된 하나의 구멍을 형성하는 케이스와; 상기 케이스의 바닥면에 하단부가 연결되며 상부로 연장되어, 상기 구멍을 통과하여 케이스의 외부로 일정길이 연장되고, 평상시 수직의 위치를 유지하도록 탄성수단이 구비된 탄성스틱과; 상기 탄성스틱을 감싸며, 상기 구멍 내주부에 마련된 각각의 접점과 접속할 수 있는 높이에 마련되는 접속부재와; 상기 접점과 전기적으로 연결되며 케이스의 대략 하부에 구비되며 외부 본체와 접속되는 소켓을 포함한다. 이와 같은 본 발명의 스틱형 다이얼링 장치를 전화기에 적용할 경우, 전화기의 전면에 설치되는 번호판을 없앨 수 있으므로, 전화기의 크기를 대폭 줄일 수 있다. 특히 이동용 전화의 경우 전화기의 크기를 대폭 줄일 수 있으므로 휴대가 간편해진다. 또한 전화기 본체와 다이얼링 장치의 탈착이 용이하므로 통화를 하는 동안에도 본 스틱형 다이얼링 장치를 분리하여, 다른 본체에 장착하여 다른 전화기를 사용할 수 있다는 효과가 있다. 상부면(36,37)에 적어도 10쌍 이상의 접점(30)이 마련된 하나의 구멍(32)을 형성하는 케이스(34)와, 상기 케이스(34)의 바닥면(38)에 하단부가 연결되며 상부로 연장되어, 상기 구멍(32)을 통과하여 케이스(34)의 상부로 일정길이 연장되고, 평상시 수직의 위치를 유지하도록 탄성수단이 구비된 탄성스틱(40,41,56)과, 상기 탄성스틱(40,41,56)을 감싸며, 상기 구멍(32) 내주부에 마련된 각각의 접점(30)과 접속할 수 있는 높이에 마련되는 접속부재(42)와, 상기 접점(30)과 전기적으로 연결되며 케이스(34)의 대략 하부에 구비되며 외부 본체와 접속되는 소켓(44)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스틱형 다이얼링 장치.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 표시소자
본 발명은 발광 폴리이미드, 그 제조방법 및 상기 발광 폴리이미드를 발색재료로서 채용하고 있는 표시소자를 제공한다. 상기 발광 폴리이미드는 화학식 1로 표시된다. ; [화학식 1] [IMAGE 1] ; 상기식중, A는 하기 구조식; [IMAGE 2] ; 로 이루어진 군으로부터 선택되고, Y는 -O-, -OCH 2 CH 2 0-, -CO-, -C(CF 3 ) 2 -, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 - 및 -CH 2 -로 이루어진 군으로부터 선택되고,; B는; [IMAGE 3] ; 이고, X는 -O-, -S-, -NH-, -NCH 3 -, -NCH 2 CH 3 -, -NCH 2 (CH 2 ) n CH 3 - 및 -NCOOCH 3 -로 이루어진 군으로부터 선택되고, n은 1 내지 20의 정수이고, m은 10 내지 1,000의 정수이다. 본 발명의 발광 폴리이미드는 그 주쇄에 화학식 2 및 3으로 표시되는 디아민 화합물로부터 비롯된 공액 그룹을 도입함으로써 청색 영역에서의 발광 특성이 개선된다. 또한, 본 발명의 발광 고분자는 내열성이 우수하므로 표시소자의 발색 재료로서 매우 유용하다. 화학식 1로 표시되는 발광 폴리이미드: <화학식 1> [IMAGE 23] 상기식중, A는 하기 구조식 [IMAGE 24] 로 이루어진 군으로부터 선택되고, Y는 -O-, -OCH 2 CH 2 0-, -CO-, -C(CF 3 ) 2 -, -SO 2 -, -C(CH 3 ) 2 - 및 -CH 2 -로 이루어진 군으로부터 선택되고, B는 [IMAGE 25] 이고, X는 -O-, -S-, -NH-, -NCH 3 -, -NCH 2 CH 3 -, -NCH 2 (CH 2 ) n CH 3 - 및 -NCOOCH 3 -로 이루어진 군으로부터 선택되고, n은 1 내지 20의 정수이고, m은 10 내지 1,000의 정수이다.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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