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일반기술 전기·전자 > 전력설비

구역 판별기를 사용한 공간 벡터형 히스테리시스 전류 제어기

본 기술은 3 상 전류 제어기를 사용하는 산업 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 구역 판별기를 이용하여 전류를 제어하는 구역 판별기를 사용한 공간 벡터형 히스테리시스 전류 제어기에 관한 것이다. 본 기술은 간단한 하드웨어로 구현된 구역 판별기라는 새로운 기능을 기존의 히스테리시스 전류 제어기에 적용하여 마이크로 프로세서등을 사용하지 않고도 공간 벡터 펄스폭 변조 방식(일반적으로 마이크로 프로세서등을 사용하여 구현됨)의 장점과 히스테리시스 장점을 내는 구역 판별기를 사용한 공간벡터형 히스테리시스 전류 제어기를 제공하는데 있다.본 기술에 따른 구역 판별기를 사용한 공간 벡터형 히스테리시스 전류 제어기는, 3 상 선전류중에서 2 상의 전류를 궤환시켜 기준 전류와 감산하여 전류 오차를 형성하는 감산기들과; 감산기들의 출력을 소정의 기준 값과 비교하여 신호를 출력하는 히스테리시스 비교기들과; 감산기들의 출력을 소정의 기준 값과 비교하여 신호를 출력하는 구역 판별기와; 구역판별기의 신호들을 조합하여 스위칭 신호를 출력하는 스위칭 테이블과; 스위칭 신호에 따라 삼상 전압을 직류 전원으로부터 펄스폭 변조하여 출력하는 전압형 펄스폭 변조 시스템을 구비한다.본 기술은 히스테리시스 전류 제어기와 공간 벡터 변조 방식의 장점인 구현이 쉽고 전류제어의 동적 응답이 빠르고 최대 전류 제한 능력과 부하 파라미터의 변동에 민감하지 않으며 최대 출력 전압이 정현파 펄스폭 변조 방식보다 더 크고 스위칭수도 대폭 줄어드는 장점들을 모두 가지고 있다는 효과가 있다.

보유기관
포항공과대학교
등록일
2001-05-31
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

기어형 이종접합 바이폴라 트랜스터의 제조 방법

본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipola Transisters ; HBT라 약칭함)의 제조방법에 관한 것으로, 특히 단위 능동 소자를 방사형상으로 배치하여 열적 특성을 개선한 기어형 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Gear-shapedHeterojunction Bipola Transisters ; GSHBT라 약칭함) 의 제조방법에 관한 것으로, 단위능동소자를 방사형상으로 배치하고 단위능동소자를 공중배선 공정(Airbridge plating)과 비아홀(Via-hole)을 통해 접지와 최단거리로 연결함으로써 단위능동소자에서 발생하는열을 골고루 분포시키고 열을 효율적으로 방사시켜 HBT의 열적특성을 개선하고 신뢰도를 확보할 수 있는 기어형 이종접합바이폴라 트랜지스터(Gear-shaped Heterojunction Bipola Transisters)의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.따라서 본 기술은 다수개의 단위능동소자를 방사형상으로 배열하여 기어형 이종접합 바이폴라 트랜지스터를 형성한 후 절연영역 상면에 크롬(Cr)을 얇게 증착하고 그 상면에 금(Au)을 증착하여 리프트오프(Lift-off) 공정에의해 금속패드를 형성하며, 접촉창 마스크로 접촉창을 형성한 후 공중배선공정을 통하여 단위능동소자의 에미터 전극을 패드전극에 연결하며, 상기 기판의 뒷면을 연마하고 반응성 이온식각(Reactive Ion Etching ; RIE) 공정으로 비아홀을 형성한 후, 금으로 뒷면을 도금하여 금속패드와 접지를 연결하는 공정으로 실현되는 기어형 이종접합 바이폴라 트랜지스터제조방법을 제안한다.본 기술은 단위능동소자를 방사형상으로 배치하여 소자에서 발생되는 열을 골고루 분포시켜 모든 단위능동소자가 비슷한 온도 분포를 갖도록함으로써 고출력 HBT에서 발생하는 열파괴현상을 효과적으로 방지할 수 있다.또한, 이와같은 GSBT는 단위능동소자와 접지사이를 공중배선 공정 및 비아홀을 통해 열원을 접지에 최단거리로 연결함으로써 접지 인덕턴스를 최소화하고 단위능동소자에서 발생되는 열을 효율적으로 방사시켜 고출력 HBT의 열적 특성을 개선하여 고출력 기어형 HBT의 신뢰도를 확보할 수 있다. 아울러 같은 출력의 HBT를 제작하는데 있어서 GS HBT는 종전의 HBT에 비해 면적을 크게 줄일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.

보유기관
포항공과대학교
등록일
2001-05-16
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일반기술 전기·전자 > 전력설비

온도 보상형 정전류원 회로

본 기술은 정전류원 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CMOS를 이용하여 온도 변화에 무관한 전류를 공급하는 온도보상형 정전류원 회로에 관한 것으로, 본 기술에 따른 온도 보상형 정전류원 회로는, 온도에 반비례하는 제1전류를 공급하는 온도 반비례 정전류원 회로와; 온도에 비례하는 제2전류를 공급하는 온도 비례 정전류원 회로와; 상기 온도 반비례 정전류원 회로의 제1전류를 출력하는 온도 반비례 전류 공급부와; 상기 온도 비례 정전류원 회로의 제2전류를 출력하는 온도 비례 전류 공급부와; 상기 온도반비례 전류 공급부 및 온도 비례 전류 공급부의 제1, 제2출력 전류의 이중근의 곱에 비례하는 전류를 출력하는 이중근발생 회로를 구비한다.본 기술에 의한 회로는 온도 변화에 무관한 전류를 공급할 수 있다.

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포항공과대학교
등록일
2001-05-24
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

1~2GHz 대역 RF CMOS 집적회로 기술

본 기술은 1~2GHz 대역 RF CMOS 집적회로 기술에 관한 것이다.본 기술은 CDMA 경쟁력 강화를 위한 핵심 RF 부품 개발의 필요성과 핵심기술발굴 및 원천성 확보, 이동통신 단말기 기술의 경쟁력 강화를 목적으로 RF CMOS IC 관련 소자 및 설계등의 제반 기술 제공한다.본 기술은 Cellular 단말기용 RF CMOS Rx/Tx IC 설계 기술 및 1~2GHz 대역 RF CMOS 소자 기술에 대한 IC 설계 도면, 측정분석 결과서 및 관련 기술 문서를 제공한다.본 기술은 RF CMOS IC의 저가격화에 의한 수요증가 및 부품 대체 효과와 세계 무선반도체 시장/기술 경쟁에 주도적 역할, 국내 CMOS Foundry 의 재활용 및 고부가가치화, 국내 비메모리 반도체 설계기술의 기반 확대의 효과를 기대할 수 있다.

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한국전자통신연구원
등록일
2001-05-17
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

수동소자 내장형 MCM-D 기술

본 기술은 정보통신기기등에 사용되는 수동소자 내장형 MCM-D기술에 관한 것이다.기존의 모듈제조 방법인 PCB 기판상에 개별적으로 패키지 된 부품들을 조립하는 방법 대신, 다중칩 모듈(Multi-Chip Module, MCM) 기술을 활용하여 패키지 되지 않은 다이(die)상태의 칩(chip)과 L,R,C 등의 수동소자들을 MCM 기판에 내장시켜 모듈화 할 경우 소형 경량화 및 고속화를 실현할 수 있는 기술 제공을 그 목적으로 한다.본 기술은 폴리머 절연막 공정 및 via 형성 기술, 고속 금속 신호배선 형성기, L,R,C 수동소자 구조 및 내장 공정 기술을 제공함으로써 멀티칩 모듈을 제작하기 위한 MCM-D 기판 제작 및 기판에 수동소자를 내장시키는 공정기술을 제공한다.본 기술은 정보통신기기의 소형 경량화, 고속화 추세에 따른 구성부품 및 모듈의 소형화를 실현할 수 있으며, 개별 패키지에 의한 기생성분 영향 감소로 전기적 특성 향상를 기대할 수 있다.

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한국전자통신연구원
등록일
2001-05-17
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일반기술 전기·전자 > 소자응용 기술

PCS 단말기용 고주파 다중칩 모듈

본 기술은 고속 고밀도 멀티 칩 모듈 패키지 기술에 관한 것이다.종래기술은 PCB 기판상에 개별적으로 패키지 된 부품들을 조립함으로서 이동통신기기의 소형 경량화 추세에 따른 구성 부품 및 모듈의 소형화 요구가 발생하게된다.본 기술은 다중칩 모듈(Multi-Chip Module, MCM)기술을 활용하여 패키지 되지 않은 다이 상태의 MMIC 들과 수동소자들을 모듈화 할 경우 소형 경량화 문제를 해결하는게 그 목적이 있다.본 기술은 130MHz 대의 중간주파수(IF) 신호를 입력 받아서 1750 ~ 1780 MHz의 RF 신호를 출력하며, 모듈에 내장된 필터 및 구동 증폭기에 의해 스퓨리어스 신호가 제거되고 원하는 송신 신호만이 증폭되는 송신부 모듈과, PCS 주파수 대역인 1840 ~ 1870 MHz의 RF 신호를 입력받아 220 MHz의 IF 신호로 주파수 하향 변환시키고, 모듈에 내장된 저잡음 증폭기(LNA)와 이미지 제거 필터에 의해 미세 신호가 증폭되고 PCS 대역 신호만이 선택되는 수신부 모듈을 갖는 고주파 MCM 휴대용 단말기 고주파 송신 및 수신부를 제공한다.본 기술은 모듈화에 의해 단말기에서 RF 부품이 점유하는 면적을 축소하고, 모듈내에 MMIC 주변 수동소자 및 시스템 구성에 필요한 모든 RF SAW들을 필터에 내장하여 간편한 단말기 제작을 기대할 수 있으며, 모듈에 포함된 수신 MMIC는 LNA, 이미지 제거필터, 하향변환믹서, LO(local oscillator), IF 증폭기를 내장하고 있으며, 송신 MMIC는 상향변환믹서, SAW 필터, 구동 증폭기를 내장하고 있다.

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한국전자통신연구원
등록일
2001-05-17
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일반기술 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)

ATM 교환소자 IC 설계기술

본 기술은 FMDI(주파수 체배 및 분배용 ASIC) 및 BNNI(B-ISDN 물리계층 ASIC)에 관한 것이다.본 기술은 국내 ATM 교환기 전용으로 기 실장되어 있으며 대체품이 없는 FMDI와 ATM물리계층 처리용 범용 ASIC으로 기존의 2~3개 외국 제품과 동등 수준의 성능을 보이는 BNNI 설계기술 제공을 목적으로 한다.본 기술은 주파수 체배 및 분배용 ASIC으로 250MHz 및 19.44MHz PLL(Phase Locked Loop), 클럭신호 감시, 절체 및 분배, Analog-Digital Mixed Signal ASIC, VHDL Design for Digital Block, Standard CMOS Technology를 갖는 FMDI 설계기술 및 B-ISDN 물리계층 ASIC으로 ITU-T Recommendation I.432 Compliance, Include 155.52MHz PLL, 155.52MHz Data & Clock Recovery, STM-1 Frame Processing(ATM TC Sublayer), UTOPIA Interface Compliant to ATM Forum, 4 ATM Cell Deep FIFO Buffer in both Tx & Rx, Generic 8Bit Microprocessor Interface, VHDL Design for Digital Block, Standard CMOS Technology를 갖는 BNNI 설계기술을 제공한다.본 기술중 FMDI는 국내 ATM 교환기 전용으로 기 실장되어 있으며 대체품이 없으며, 성능 개선 및 기능변경으로 범용 클럭칩화 하여 시장 확대 가능성을 기대할 수 있고, BNNI는 기존의 2~3개 외국제품과 동등 수준의 성능으로 평가 되어, 기존 제품과 핀 호환성이 있도록 재설계하면 시장 확대 가능성이 높음으로 수출 및 수입대체 효과가 있다.

보유기관
한국전자통신연구원
등록일
2001-05-17
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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

지상파 DTV용 주파수 상하향기 기술

본 기술은 지상파 Digital TV용 주파수 상하향기 기술에 관한 것이다.본 기술은 IF VSB 신호 스펙트럼을 원하는 RF 채널로 변환하고, 주파수가 상하향조정시 VSB 신호의 외곡을 최소화시키고, phase noise 특성을 만족시키는 기능 및 역할을 하는 주파수 상하향기에 대한 주파수 변환기술, 주파수 합성기술, 주변장치 회로 설계기술, RF 성능 시험기술을 제공한다.본 기술은 지상파 Digital TV용 주파수 상하향기 기술 및 주변 장치 회로 설계 기술, RF 성능 시험기술을 제공한다.

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한국전자통신연구원
등록일
2001-06-25
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일반기술 전기·전자 > 센서·엑츄에이터 소자 (F61)

전극형 센서 제조 기술

본 기술은 반도체 공정을 이용한 전극형 혈당 센서 제조 기술에 관한 것이다.종래의 Screen printing 기술은 일회용이며, 포도당 산화 효소를 이용한 전극식과 비색 측정식이 있으며, Near IR 기술은 비침습적이므로 환자에게 고통을 주지 않고 사용하기에 편리하지만 부정확하고 고가이며 사용하기 전에 개인마다 보정을 해야만 한다.본 기술은 저혈당에 의한 혼수 상태의 위험성 및 고혈당에 의한 합병증의 위험성 때문에 연속적인 혈당의 측정이 요구되어 혈당 센서의 수요가 크게 늘고 있으며, 연속 사용 가능한 소형화 및 다기능화 센서를 위해 반도체 공정을 이용한 제조 기술을 제공하는데 목적이 있다.본 기술은 방해물질의 간섭 최소화, 포도당 산화 효소 고정, 전극의 오염을 방지하는 내부막과, 산소공급 및 안정한 전류를 공급하는 생체 친화성 재료의 외부막으로 구성된 전극형 마이크로 센서로서, 비전도성 고분자막을 이용하고 포도당 산화 효소가 고정된 효소 전극의 제조 기술을 제공한다.본 기술은 센서의 소형화, 반도체 공정과 전기화학을 이용한 대량 생산, 센서의 신뢰도 향상, 전기화학적으로 중합된 비전도성 고분자막과 포도당 산화효소 이용, 방해물질의 간섭 최소화, 연속 사용 가능, 다기능 센서로의 응용이 가능하다.

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한국전자통신연구원
등록일
2001-06-07
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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

문서영상 Auto Tagging S/W Ver. 2.0

본 기술은 문서영상 자동 태깅기술에 관한 것이다.문서정보화에 있어서, 유사한 국외 시스템의 경우 한글 및 영문이 혼용된 문서의 해석이 불가능하여 국내의 방대한 기존 논문 및 인쇄물, 사무실이 서식문서 등의 자동입력을 통한 정보화가 곤란하고, 지식 기반에 의한 문서의 논리 구조해석을 통해 문서내용의 HTML화 및 문서목차의 자동생성, 문서목차와 내용과의 하이퍼링킹 기능의 기술에 의한 국내 문서처리 기술력의 향상 및 활용이 필요하다.본 기술은 기존의 방대한 문서자료의 디지털화를 위해 효과적인 컨텐트 생성 수단으로 사용하기위한 문서영상 자동 태깅기술 제공을 목적으로 한다.본 기술은 문서영상의 구조와 내용에 기반한 지능형 자동 태깅기술, 한글 및 영문이 혼용된 문서의 해석 기술, 문서내용의 자동 HTML 변환 및 문서목차의 자동생성 및 문서목차와 내용과의 하이퍼링킹(HyperLinking) 기능을 갖는 문서영상 자동 태깅 소프트웨어를 제공한다.본 기술은 공문서, 논문, 매뉴얼 등의 종이문서의 문서영상정보를 HTML 정보로 자동 변환하여 웹상에서 새로운 정보 서비스를 위한 문서처리 기술을 이용하여 자동문서분류를 통한 전자사서의 역할 등에 광범위하게 활용될 것을 기대할 수 있다.

보유기관
한국전자통신연구원
등록일
2001-05-17
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

대면적 강유전체 에피박막 성장장비 제작 기술

본 기술은 무선통신 부품을 위한 박막소재 성장장치에 관한 것이다.종래의 무선통신부품은 도판관식으로 고가이며, 고중량 특성을 갖고 있으며, 차세대 무선통신부품은 박막형, 저가, 초소형, 고감도 특성을 갖고 있다. 이러한 차세대 무선통신부품의 특성을 만족시키기 위한 필수장치인 박막소재 성장장치를 제공함을 목적으로 한다.본 기술은 대면적 산화물 에피박막 성장장비로 할로우 캐소드 스퍼터링 방법( Hollow Cathod Sputtering Method)을 이용한 시스템 설계 및 제작 기술, 컴퓨터 제어기술과 대면적 산화물인 강유전체, 고온초전도체등 에피박막 성장기술을 제공한다.본 기술은 Strong Increase of Charge Carrier Density, Inert Gas Flow Through Hollow Cathode Tube, 90도 Off-Axis Geometry 의 할로우 캐소드 스퍼터링 방법을 이용한 기술이다.

보유기관
한국전자통신연구원
등록일
2001-05-17
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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

윈도우즈용 가변어휘 단어인식 라이브러리

본 기술은 음성인식 기술에 관한 것이다.본 기술은 인식대상어휘의 실시간 변경이 가능한 가변어휘 인식 기능, 한국식 영어 발음 인식이 가능한 영어 발음 생성기 기능, 16kHz, 16bit, 음성구간 검출 기능을 구현한 음성인식 라이브러리, 음성인식용 파라메터 파일, 음성인식 사용자 인터페이스 프로그램 소스를 제공한다. 본 기술은 컴퓨터 윈도우를 음성명령으로 제어, 각종 컴퓨터 응용 소프트웨어와의 접속을 통한 기존 응용 소프트웨어 음성 제어, 음성명령을 이용한 인터넷 검색, 장애인을 위한 음성 인터페이스 보조기기에 적용할 수 있다.본 기술은 화자독립 가변어휘 음성인식 및 짧은 문장 인식이 가능하며, 필드테스트 결과 100단어에 대해 97%의 성능을 보였고, 발성 종료 후 0.5초 이내 인식을 한다.

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한국전자통신연구원
등록일
2001-06-26
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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

영상처리 Software Library 개발 기술

본 기술은 영상처리 고속화를 위한 Software Library 기술에 관한 것이다.본 기술은 영상 데이터 입출력 제어 및 지원 모듈, 영상 전처리, 영상 특징추출, 영상 분할 및 영상 Labeling Software Library 개발을 위한 영상처리 Software Library 개발기술로 영상데이터 입출력, Basic 함수, 영상 전처리, Edge 및 Line 추출, Region(Blob) Analysis, Morphological Operation, Transformation, Segmentation, Pattern Matching, Classifier 기술과, Image registration의 테스트, Image enhancement, Edge detection, Line detection, Texure segmentation, Connected componet 및 특징추출, Transformation of connected components, Thresholding 및 Gray-scale transformation 기술등 MMX Programming에 의한 영상처리 고속화 기술을 제공한다.본 기술의 활용을 통한 조속한 영상처리 신규 알고리즘 및 응용시스템의 개발이 가능해지며, 영상처리 이론강의 및 실습용, 영상처리 관련 신규과제의 도출 및 개발의 기본 기술로서 활용이 가능하다.

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한국전자통신연구원
등록일
2001-06-26
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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

동영상 자동분할 및 구조화 기술

▶동영상 자동분할에 의하여 의미적인 내부구조를 자동인식함으로써 다양한 정보를 추출, 사용자가 동영상의 전체적인 내용을 쉽게 파악하고, 원하는 장면에 쉽고 빠르게 접근할 수 있도록 하는 기술▶구성 기본 단위-동영상 자동분할 모듈 : 동영상의 내용을 분석하여 장면이 전환되는 지점을 자동으로 인식하는 기술-대표프레임 자동선정 모듈 : 분할된 샷(shot)의 프레임 중에서 그 샷의 내용을 대표할 수 있는 프레임을 선정하는 기술-동영상 구조 편집기 : 자동으로 인식이 곤란한 의미적인 레벨의 고차원 구조화를 위한 시각적인 형태의 편집기▶본 기술에서 제공하는 동영상 자동분할, 대표프레임 자동선정 기술을 이용하여 동영상의 내용적인 내부구조를 미리 인식할 경우, 사용자 서비스를 위한 동영상 구조정보를 쉽게 제공할 수 있음▶또한 네트웍을 통한 동영상 서비스의 경우, 방대한 양의 동영상 정보를 네트웍을 통해 보내기 전에 비교적 데이터 양이 적은 구조 정보만을 보냄으로써 사용자가 실제로 필요로 하는 경우에만 동영상 정보를 보내도록 할 수 있어 신속하고, 편리한 서비스가 가능해 짐▶본 기술을 이용하여 동영상 서비스 제공자가 자신이 소유하고 있는 동영상 컨텐트의 부가가치를 높일 수 있는 작업이 가능해 지며, 따라서 이와 같은 S/W의 필요성은 대단히 클 것으로 생각됨

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한국전자통신연구원
등록일
2001-05-17
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

레이저 광의 자동 초점 유지 장치

본 기술은 파장 분할 다중기를 이용한 레이저 광의 자동 초점 유지 장치에 관한 것이다.자동 초점 유지 장치의 구성 방법으로는 진동 방법과 이중 초점 방법이 있다. 기존의 진동 방법은 복잡한 위상 측정 장치가 필요하며, CD 플레이어와 같이 반사되는 광의 양을 동시에 검출하여야 하는 경우에는 측정하는 광의 변환 주기와 광을 진동시켜주는 진동 신호를 구별해야하는 등의 단점이 있다. 또한, 기존의 이둥 초점 방법은 두 개의 핀 홀을 사용함으로써 외부의 충격이나 떨림에 의한 두 핀 홀의 상대적인 위치 변화에 민감하게 영향을 받으므로 실험실을 벗어난 실질적인 응용에는 사용하기 힘들다는 단점이 있다.따라서, 본 기술은 파장 분할 다중기 및 두 개의 레이저 광을 이용하여 간편하면서 정확한 초점 거리 유지 장치를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 레이저 광의 자동 초점 유지 장치는 서로 상이한 파장을 갖는 제 1 및 제 2 광원과, 반사면과, 제 1 및 제 2 광원으로부터의 광을 반사면에 투사하는 렌즈와, 반사면으로부터 반사된 제 1 및 제 2 광원의 광을 렌즈를 통하여 수신하고, 수신된 제 1 및 제 2 광원의 광들간의 세기 차이에 대응하여 렌즈의 초점을 조정하는 수단을 포함하여 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 서로 다른 파장을 갖는 두 개의 레이저 광에 의해서 각기 형성되는 광웨이스트의 위치를 검출하고, 이 광웨이스트에 대응하여 광렌즈의 초점 거리를 자동으로 산출함으로써 외부의 충격이나 진동에 매우 안정적이며, 동일한 초점 거리 특성을 갖는 장치를 대량 생산할 수 있다는 효과가 있다.

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특허법인충정
등록일
2001-05-31
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일반기술 전기·전자 > 계측기기

와전류를 이용한 비접촉식 토크측정장치

본 기술은 전자석에서 발생한 자기장과 와전류의 상호작용에 의하여 비접촉식으로 토크를 측정하는 비접촉식 토크측정장치에 관한 것이다.기존의 비접촉식 변위측정 방식은 토션바에서 발생한 스트레인을 간접적으로 측정하는데 따른 측정의 비선형성 오차 문제가 발생된다. 따라서, 스트레인과 필드 센서 사이에 선형화를 위한 부수적인 신호처리부가 필요하게 되어 측정장치의 전체 구성품이 늘어나게 되고, 결과적으로 비용이 상승하는 문제가 따른다. 또한, 구동모터의 회전속도와 토크 한계로 고속영역의 측정 범위가 제한되며, 측정체에 따라 구동모터의 용량이 달라져야 하는 단점이 있다.따라서, 본 기술은 전자석에서 발생한 자기장을 회전하는 동판에 통과하게 하여 동판위에 와전류를 발생시키고 전자석에서 발생한 자기장과 와전류의 상호작용에 의하여 비접촉식으로 부하 토크를 일으키게 하여 측정체 부하의 평형상태에서 부하 토크를 굽힘 빔에 전달하고 스트레인 게이지로부터 토크를 측정하고자 한다.본 기술에 의한 와전류를 이용한 비접촉식 토크측정장치는 측정하려는 측정체에 의해 회전될 수 있도록 설치된 회전자, 회전하는 회전자의 일단을 통과하게 자기장을 형성시켜 비접촉식으로 부하 토크를 일으키도록 설치되는 고정자, 측정체 부하와 평형상태를 유지하게 고정자에 인가된 부하 토크에 의해 굽힘 변형될 수 있도록 고정자의 일단에 설치되는 굽힘 빔 및 굽힘 빔의 일단에 설치되어 굽힘 변형 정도를 감지하여 토크를 측정하는 스트레인 게이지를 포함하여 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 기존의 접촉식 토크측정장치를 구성하고 있는 슬립링과 구동모터와 그에 따른 제어기가 불필요해지므로 장치의 부피를 대폭적으로 줄이고 단순화시킬 수 있고 일반적인 재료를 사용하여 제조할 수 있어 결국 전체 제작비용이 기존보다도 40%이상 저렴하게 할 수 있다. 또한, 토크 전달 특성에 따른 스트레인 게이지의 선형성과 분해능 그리고 캘리브레이션에 따른 정확도를 유지하여 기존의 간접적인 측정 방식으로 인한 비선형성 오차 등의 문제점을 극복할 수 있다.

보유기관
특허법인충정
등록일
2001-06-26
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

광섬유 모재의 잔류 응력 및 굴절률 측정 장치

본 기술은 하나의 측정장치에 의해 광섬유 모재의 잔류 응력 및 굴절률을 동시에 효율적으로 측정할 수 있는 측정 장치에 관한 것이다.광섬유 모재의 잔류 응력을 측정하기 위해서 1970년대부터 다양한 방법이 연구되었지만 실험실 수준에 머물러 상용화되지 않고 있으며, 연구된 방법을 구현하기 위한 장치의 구조가 비교적 복잡하고 측정에 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다. 또한, 독립적으로 분리된 계측기에 의해 개별적으로 잔류 응력과 굴절률을 측정하였다.따라서, 본 기술은 광섬유 모재의 잔류 응력 및 굴절률을 한 장비로서 동시에 측정하고자 한다. 또한, 기존의 측정장치의 광학적 기계적 구조를 변형된 플라리스코프를 이용하여 개선하고 자동화하여 측정의 효율성과 정확성을 제고하고자 한다.본 기술에 의한 광섬유 모재 잔류 응력 및 굴절률 측정 장치는 레이저 광원과, 레이저 광원으로부터 나온 광이 광섬유 모재에 원하는 입력 편광으로 입사되도록 광의 편광을 변화시키는 편광기와, 편광기를 거친 광을 광섬유 모재에 집광 상태로 입사시키기 위한 집광수단과, 광섬유 모재의 잔류 응력 또는 굴절률 분포에 따른 통과광의 위상차를 광세기로 변환시키기 위해 광섬유 모재의 다음 단에 위치하는 파장판 및 어낼라이저와, 파장판 및 어낼라이저에 의해 변환된 통과광의 세기를 전기신호로 변환하기 위한 광 감지기와, 광 감지기에서 검출된 통과광의 세기를 부궤환 신호로 이용하여 통과광 세기가 최대 또는 최소를 나타내는 편광각을 알아내기 위한 어낼라이저 각도 조절수단을 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 효율적으로 광섬유 모재의 잔류 응력 및 굴절률을 측정할 수 있기 때문에 광섬유의 품질을 향상시킬 수 있다.

보유기관
특허법인충정
등록일
2001-06-21
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

자동 거리 유지장치를 이용한 물질 표면구조 측정장치

본 기술은 파장이 다른 두 개의 레이저광을 광섬유 파장분할 다중기를 통하여 결합한 후 이를 물질의 표면에 렌즈를 사용하여 집중시키고 반사되어 되돌아 나오는 빛의 양 차이를 이용하여 물질의 미세 표면구조를 측정하는 장치에 관한 것이다.기존의 물질 표면구조 측정장치에 이용되는 자동 거리 유지장치는 레이저광의 초점을 유지시키기 위한 위상 측정장치 및 광분리기 등과 같은 광학계가 필요하며, 특히 여러 개의 렌즈가 사용되므로 조그마한 외부 충격에도 민감하게 반응하는 문제점이 있었다.따라서, 본 기술은 파장이 다른 두 개의 레이저광을 광섬유 파장분할 다중기를 통하여 결합한 후 이를 물질의 표면에 렌즈를 사용하여 집중시키고 반사되어 되돌아 나오는 빛의 양 차이를 이용하여 물질의 미세 표면구조를 측정함으로써, 위상 측정장치 및 광분리기 등과 같은 광학계가 사용되지 않아 안정된 구조를 가지며 구조가 간단하여 외부 충격에 매우 강한 물질 표면구조 측정장치를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 물질 표면구조 측정장치는 서로 다른 파장을 갖는 제 1 및 제 2광원을 하나의 전송로에 다중 유도하는 파장분할 다중화수단과, 다중 유도된 제 1 및 제 2광원을 특정 물질의 표면방향(Z축 방향)으로 집중시키는 집광수단과, 물질 표면이 제 1광원의 광웨이스트와 제 2광원의 광웨이스트 사이의 소정 위치를 유지하도록 제어하는 서보수단과, 물질 표면을 X축 및 Y축 방향으로 측정하는 스캔수단과, 서보수단에 의한 위치 제어값을 물질 표면의 Z축 좌표로 입력받고 스캔수단에 의하여 측정된 물질 표면의 X축 및 Y축 좌표를 입력받아 물질 표면구조를 3차원 정보로 가공하는 이미지 처리수단을 포함한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 기존 기술의 필수 구성 요소인 위상 측정장치 및 광분리기 등과 같은 광학계가 사용되지 않아 안정된 구조를 가지며 간단하여 외부 충격에 매우 강하며, 이로서 대량생산이 가능한 이점이 있다.

보유기관
특허법인충정
등록일
2001-05-18
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일반기술 전기·전자 > 전자부품

금속이온-도핑된 광소자 제조방법

본 기술은 광섬유 코어 등에 첨가되는 회토류 이온, (전이) 금속 이온등의 금속 이온의 함유량을 높일 수 있으며, 처리가 용이하고 저렴한 공정을 통한 광섬유 또는 평판형 유리 형태의 광소자의 제조방법에 관한 것이다.기존의 도핑법들은 통상적으로 사용하는 MCVD 장비외에 부수적인 장치가 필요하다. 이를 위한 비용도 적지 않을 뿐만 아니라 개조 후 MCVD 장비 내부가 오염될 가능성이 높아 고가인 MCVD 장비의 활용이 제한되는 문제점이 있어, MCVD 장비의 개조를 요구하지 않는 용액첨가법이 비교적 널리 이용되고 있다. 그러나, 기존의 용액첨가법은 처리가 용이하고, 공정이 저렴한 장점이 있으나, 도핑 금속 용액으로 제조가능한 농도 이상으로 금속 이온을 광소자에 도핑시키기는 어려운 문제점이 있다. 즉, 기존의 용액첨가법에 의해서는 도핑효과가 낮은 단점이 있다.따라서, 본 기술은 광섬유 또는 평판형 광소자와 같은 광소자에 높은 농도로 회토류 이온, (전이) 금속 이온을 도핑시키고자 한다.본 기술에 의한 금속이온-도핑된 광소자 제조방법은 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 형성시키고, 미세구조를 금속이온 도핑용액에 담그는 함침(soaking) 공정을 실시하여 금속이온을 미세구조에 도핑시키는 단계를 포함하고, 함침 공정을 도핑 용액 제조 온도보다 낮은 온도에서 실시한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 간단하고 경제적인 방법으로 기존의 용액첨가법의 단점인 도핑농도의 한계성을 극복하여 광섬유 또는 평면형 광소자와 같은 유리 재료에 희토류 이온 및 (전이) 금속 이온을 높은 농도로 도핑시킬 수 있다.

보유기관
특허법인충정
등록일
2001-05-18
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

광배선 회로소자

본 기술은 간단한 공정으로 설치된 광학적 배선을 통하여 칩들이 전기적으로 서로 연결되는 광배선 회로소자에 관한 것이다.기존의 광배선 회로소자는 식각면에 존재하는 결함에 의해 광배선 회로소자의 신뢰성 및 특성이 나빠지고, GaAs 표면방출광원과 GaAs 광검출기를 제작하기 위해 2회 내지 3회의 에피텍셜 성장 공정이 요구되어 제조공정이 복잡하기 때문에 생산수율이 낮고 소자의 성능이 떨어질 우려가 많고, 실리콘 기판과 홀로그램 광기판 사이의 광정렬이 매우 어려울 뿐만 아니라 홀로그램을 이용하기 때문에 그 구조가 복잡하다는 문제점이 있다.따라서, 본 기술은 간단한 제조공정을 통해 구현할 수 있으며, 소자의 신뢰성도 향상시킬 수 있는 광배선 회로소자를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 광배선 회로소자는 실리콘 기판과, 실리콘 기판 윗면에 설치되는 제1 실리콘칩과, 실리콘 기판 윗면에 설치되며 제1 실리콘칩으로부터 전기신호를 입력받아 실리콘 기판에 의해 흡수되지 않는 광신호를 아랫방향으로 출력하는 광방출 장치와, 실리콘 기판을 통과한 광신호를 입력받아 이를 수평방향으로 전파시키다가 상부로 일부 광을 분기시키도록 실리콘 기판 아랫면에 설치되는 광판과, 실리콘 기판 윗면에 설치되어 광판에서 상부로 분기되어 나온 광신호를 감지하여 이를 전기적 신호로 변환하여 출력하는 광검출기와, 실리콘 기판 윗면에 설치되어 광검출기에서 출력되는 전기적 신호를 입력받는 제2 실리콘칩을 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 광통로를 구비할 경우에는 실리콘에 의해 흡수되는 파장 범위를 가지는 광을 광원으로 이용할 수 있으며, 이 경우 광검출기를 실리콘 반도체로 구성하여도 무방하므로 제조 공정이 간단해 진다. 또한, 출력광이 아랫방향이 되도록 광방출 장치를 설치하고, 광판을 실리콘 기판의 하부에 설치함으로써 광배선 구조를 간단하게 형성시킬 수 있다. 그리고, 수직 또는 광배선이 용이하여 다칩모듈의 광배선 연결 및 보드-보드 간의 광배선 연결에 적합하다.

보유기관
특허법인충정
등록일
2001-05-18
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