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본 기술은 SIP에서의 프록시 자동 라우팅 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 사용자가 도메인을 이동하는 경우, 새롭게 이동한 이동 도메인의 SIP 서버가 사용자를 대신하여 사용자의 홈 도메인의 SIP 서버에게 소정의 레지스터 메시지를 전송하여 사용자의 현재 위치가 자동으로 등록되게 하는 SIP에서의 프록시 자동 라 우팅 방법에 관한 것이다.- 특징사용자가 도메인 사이를 이동할때 직접 자신의 등록정보를 갱신하지 않아도 된다.사용자가 자신이 그동안 경유한 이동 도메인을 거치지 않고 직접 홈도메인에 존재하는 자신의 등록정보를 갱신함으로써 인바이트 메시지의 이동경로가 단순화된다.
본 기술은, IEEE 1394와 같은 디지털 인터페이스를 통해 연결 접속된 디브이디(DVD, Digital Versatile Disc) 재생기와 같은 외부 연결기기에 대한 동작 및 기능에 대한 메뉴를 디지털 텔레비전과 같은 디지털 영상기기의 메뉴 화면을 통해 표시하고, 표시된 메뉴 화면을 통해 선택 지정되는 동작 및 기능을 원격 제어하는 방법에 관한 것이다.- 특징디지털 텔레비전과 같은 하나의 특정 디지털 기기에서, 디브이디 재생기와 같은 외부 기기들에 대한 기능 및 동작을 용이하게 확인 식별할 수 있게 됨은 물론, 사용자가 원하는 타 기기의 임의의 특정 기능 및 동작을, 하나의 기기를 통해 원격으로 요청하여 수행할 수 있다.
<기술의 개요> - 통신 속성상 송신과 수신은 상호 유기적인 관계를 유지하고 있는 만큼 수신기의 핵심 부품인 PD(photo-diode)가 전체 통신 시스템에서 차지하는 비중은 매우 크다 할 수 있음 - 시스템 내에서의 중요도를 생각하여 대부분의 유저들은 receiver(PD module)에 대한 특성 및 신뢰성 보장을 요구하고 있음○ 10Gbps급 PD의 특성 측정을 위하여 측정실험이 용이한 지그보드 제작 - PD에 전원공급 및 신호처리를 위한 포트를 구비한 지그보드 제작 - 2.5Gbps, 10Gbps급의 PD신호 처리 설계○ 특성측정을 위한 실험셋업 기술지원 - Sensitivity, Eye패턴 등 특성측정을 위한 실험장치 셋업 - AC 및 DC 특성측정에 적합한 실험셋업 구성○ Eye 패턴, BER 측정기술 지원 / 기업의 연구인력에 대한 교육 - PD의 sensitivity, eye패턴 등 소자특성 및 시스템레벨 특성측정<기술의 특징>- 새로 개발된 제품에 대한 시스템레벨의 전송특성 측정을 하고 개발된 제품의 특성을 피드백하여 수정보완이 가능- 공정상의 문제로 인하여 최종 제품의 특성값에서 원하는 값이 나오지 않을 수 있으므로 종합적이고 정확한 특성측정으로 이를 개선할 수 있었음.<기술 및 시장동향>- 전세계적으로 통신용 수발광 소자시장은 1999년도에 2.5억달러이며 2009년도 시장은 141억 달러에 도달할 것으로 전망되므로 매출증가를 기대함- 능동부품의 시장이 광부품 전체 시장 중 약 75% 수준을 차지하고 있고, 그 중 Tx(Transmitter) 및 Rx(Receiver) 모듈시장이 50% 가까운 비중을 차지하고 있음- 최근 광통신 시장이 재활성화되면서 광가입자망에서의 트랜스폰더 수요가 증가추세에 있음.- 일본의 NTT에서는 1Tbps급 ATM스위칭 시스템에 보드간 광접속용으로 1999년에 ParaBIT를 제안하였음. ParaBIT-0라고 불리는 front-end모듈의 시제품은 총전송용량이 28Gbps(700Mbps, 40ch)임. - 미국은 FCC의 UNE 유보정책발표를 전기로 Verizon, SBC, Bellsouth 등 RBOC 중심으로 FTTH투자를 증대
<기술의 개요>- 에피층 내부에서 외부로 광자(Photon)들이 빠져 나올 시 전반사에 의한 내부 손실로 인하여 광추출의 효율이 떨어지게 됨.- 서로 다른 물질 사이의 경계면에 요철을 주게 되면 반사가 된 광자들이 다시 빠져 나올 수 있는 기회를 가지게 되어 광추출의 효율을 높일 수 있음.- 비평면층 패턴을 형성시킴으로 인하여 광자들이 외부로 빠져 나오게 하는 탈출콘의 확장 효과를 가지게 되어 결과적으로 광추출 효율의 증가를 꾀하는 기술임.<기술의 특징>- 기존 제품 대비 향상된 광추출 효과를 통해 고품질의 제품 생산- 단일 공정 내에서의 기술을 적용함으로써 추가적인 시간과 비용의 낭비를 억제- 비평면층 크기 및 주기 제어를 통해 발광 효율을 개선한 고휘도 LED 기술 개발을 통한 제품 경쟁력 강화<기술 및 시장동향>- 세계시장규모는 ‘05년 약 160억불(LED 40억불, 반도체조명 120억불) 수준이며, ’11년까지 연평균 96% 내외의 고속성장세 유지 전망- LED 분야에서는 일본(50%), 미ㆍ유럽(23%), 대만(14%), 한국(9%), 중국(4%)이며, 반도체조명 분야에서는 일본(30%), 미국(25%), 유럽(20%)이 75%를 점유하며, 한국은 2.5% 점유.- 중저휘도급 LED 제품의 단가는 안정화 되고 있으나 고부가가치 응용제품에 필요한 고휘도 LED의 가격은 여전히 높은 편이며 차세대 반도체조명 시대로 가기 위해서는 기술향상 이외에 cost effective한 생산기술이 필수- 국내 p-GaN roughening 기술은 개발 초기단계
<기술의 개요>- 고휘도 LED 시장의 규모는 계속 팽창하여 LCD BLU, 자동차, full color display, 조명으로 응용분야가 확대될 것으로 예측되어 GaN계 고휘도LED의 비중은 더욱 커질 것으로 예측- 광결정(Photonic Crystal) 소자 구현을 위한 나노 패터닝 기술은 형성된 패턴 사이즈에 따라 UV, 적색, 녹색, 청색 LED에 모두 적용할 수 있으며, 이 기술이 적용된 고휘도 LED는 신호등, 전광판 또는 LED BLU에 적용 가능하며, 나아가 일반 조명에도 적용 가능하다.- 몰드와 고분자의 접착을 방지 하기 위한 표면 처리 기술- 식각을 위하여 3:1 이상의 높은 종횡비(aspect ratio)의 패턴- 개발된 기술을 이용하여 발광소자의 출력향상에 기여할 수 있을 것이며, 2007년 하반기 반도체 광원 시험생산센터에서 도입 예정인 나노 임프린트 설비를 이용하여 LED 업체에서 고휘도 LED 개발에 응용 할 수 있도록 지원 예정- 나노 기술을 발광소자에 적용 하여 생산 할 수 있는 기초 실험을 완료 하였으며, 형성된 나노 기술을 광자결정이외에 나노 ELOG, SPR 등의 발광소자의 효율 향상 공정에 응용이 가능 할 것으로 보인다.<기술의 특징>- 저가의 나노 임프린팅 공정을 이용하여 고휘도 LED의 가격 경쟁력 확보- 기타 나노 패터닝 방식에 비해 안정적인 공정을 확보 할 수 있어 생산성 향상에 기여<기술 및 시장동향>- LED 기술은 Lumileds, Osram, Nichia, Cree 등 해외 선진사들이 주도 하고 있다.- LED 휘도 향상을 위하여 에피성장 기술 뿐만 아니라 저온 p-GaN 성장기술, Laser lift-off 기술, Wafer bonding 기술 등 칩 공정기술 확보에 사활을 걸고 있다. - 나노 임프린팅 기술은 저가의 나노 패터닝 기술을 제공하여 발광 소자의 외부 추출 효율을 향상시킬수 있는 광결정(Photonic Crystal) 소자의 대량 생산을 위한 핵심 기술이다.
<기술의 개요>LED를 이용한 Display Module의 개발을 진행하여서 1,200nit 이상의 휘도가 되도록 설계하였다. LED part와 Drive part로 나누어서 설계를 하였으며 Resolution이 6mm pitch로 설계하였다. White 점등 시 휘도가 1,500nit를 나타내었다. 16Bit의 PWM 방식에 의해서 Data가 표출되도록 설계하였다. PC의 DVI출력을 사용하였고 이를 이미지 처리해서 16Bit의 Data로 생성하였다. Watch dog 기능의 IC를 사용하여 LED에 Load가 걸리지 않도록 하는 기능도 부가하였다. 전체적인 시스템의 구현을 위해 Module을 부착할 수 있는 Pannel을 제작하였다.<기술의 특징>- 16Bit PWM 방식의 Display Module은 기존의 Display Module에 비해 설치가 용이하고 시스템의 단순화가 가능하며 제어방식과 휘도면 에서도 뛰어난 성능을 가지고 있다. 실내용 및 준옥외용의 Display panel에 사용되어질 수 있도록 설계 되었으며 발열에 대한 동작조건을 설정하여 최적의 구동조건이 되도록 설계하였다. Section B’D의 구동없이 자체적인 PWM 구동에 의해 영상을 표출할 수 있어서 제품의 활용방안이 크다고 할 수 있다. 다음에 파급효과와 활용방안에 대하여 기술하였다. - LED를 이용한 Display Module은 휘도 면에서 CRT나 LCD, PDP보다 월등한 밝기를 나타내며 각종 환경문제를 유발할 물질을 사용하지 않고 고수명과 크기에 제한을 받지 않는다.<기술 및 시장동향>- LED를 이용한 Display Module은 LED를 일정한 간격으로 배치하여 최적의 발광을 할 수 있도록 구성한 LED부와 LED부를 구동하기 위한 Drive부, 그리고 LED부의 방열을 위한 방열판과 기구적인 부분들이 결합된 하나의 면발광체 이다. Display Panel을 형성하기 위해서는 이러한 Display Module을 하나의 커다란 Frame에 부착하여 Display Panel을 만든다.- 현재에도 많이 사용되고 있는 실내용 Display Panel은 CRT방식이 많이 존재하고 PDP와 LCD가 그 다음을 형성하고 있다. 이런 제품은 그 나름대로의 장점이 있어 현재까지도 기술 개발이 진행되고 있다. LED Display Module은 실내형과 준옥외형 으로 TV 시청과 광고용으로 많은 개발이 이루어 질 것으로 판단된다.- 동영상 구현의 Display 용도로 사용하기 위한 Module의 휘도와 Data처리 방식을 PWM으로 구현 할 수 있는 회로의 구현이 필요하다. LED Module은 각 회사마다 자사의 ASIC을 개발하여 구동회로를 구현하고 있으나 PWM 방식의 ASIC은 많지 않은 실정이다. 특히 동영상 구현의 Display용으로 사용하고자 하는 Display Module의 경우는 PWM 방식의 Data처리가 반드시 필요한 상황이다. 이러한 관점에서 본 과제에서 PWM 제어가 가능한 구동회로를 개발하는 목표가 설정 되었다.
<기술의 개요>- CWDM 용 8파장 (1470 ~ 1610 nm) 에 해당하는 InGaAsP DFB-LD 소자를 위한 핵심 기술을 확보하였다. 먼저 InGaAsP MQW 구조 설계와 더불어 InGaAsP quantum well structure 성장, SCH 구조 성장, p-type Zn 도핑 기술 등 에피성장 기술을 확보하였으며, DFB single mode 레이저를 구현하기 위한 핵심 기술인 Grating structure는 Ar laser를 이용한 간섭노광법을 이용하여 형성하였다. 이때 레이저의 파장에 따라 Grating의 pitch는 1470~1610 nm에 대하여 2,277 ~ 2507 Å를 각각 형성하였다. Mesa 형성은 건식식각과 습식식각을 접목하여 폭 1.5. ㎛ 내외로 구현하였으며, p-Ohmic contact은 Pt/Ti/Pt/Au 구조의 metal를 e-beam evaporator로 증착하여 2.28×10-6 Ωcm2의 비저항값을 얻었다. Wafer 상태로 공정이 끝난 레이저 다이오드는 벽개면에 결함이 없이 bar 형태로 만들고, 양 facet를 AR/HR coating을 하게 되는 데, 무반사(Anti-reflection) 측은 SiO2와 Ti3O5로 반사율 1%이하의 coating를 하였고 고반사(High Reflection) 측은 Al2O3/Si를 사용하여 80% 이상의 반사율을 갖도록 coating 하였다.<기술의 특징>- 고품질의 광통신소자 chip의 설계, 요소 기술, 제조 및 평가기술을 확보- 능동 광부품의 국산화를 위해서는 광 모듈의 핵심 부품인 각종 렌즈, Isolator, TE-cooler, Ferrule, 패키지 case, 기구물 등의 수동 소자산업이 필연적으로 국산화하는 등 관련 기술의 저변 확대가 예상- 초고속 광수신 모듈 의 기반 기술로 활용, 즉 본 기술개발에 사용된 결정성장 기술 및 요소기술은 CWDM 용 DFB-LD 광수신 모듈의 개발에 기본기술로 활용<기술 및 시장동향>- 수요대비 과잉투자에 의한 재고증가로 하락되었던 광통신시장이 2003년을 정점으로 서서히 회복세를 가져오면서 CWDM 관련 광통신분야에도 Lucent, 미쯔비시, Finisar 등 관심을 갖는 업체들이 많아졌다. 그러나, 국내의 광소자의 경우 대부분 일본 및 북미, 유럽으로부터 고가의 소자를 들여와 패키징 및 모듈을 만들어 팔고 있으므로 낮은 인건비를 바탕으로 한 중국, 대만의 저가 제품에 대하여 경쟁력이 미비한 실정이다
<기술의 개요>- LED를 이용한 BLU의 개발에 있어서 6,000nit 이상의 휘도를 나타낼수 있도록 LED 부를 설계하였으며 양산성을 고려하여 2장의 PCB 만으로 LED부를 구성할 수 있도록 설계하였다. 10개의 Connector를 사용하여 LED부와 Drive부를 연결하여 소비전력을 줄일 수 있는 설계를 하였으며 MicroController를 이용하여 Color Management System을 구성하여 PWM 신호에 의해 LED의 제어가 가능한 제어회로를 개발하였다.- BLU에 새로운 광원으로 연구되어지는 LED는 직류전원을 이용하여 구동하므로 구동회로가 필요하다. 구동회로 외에 LED의 광량을 조절하기 위하여 제어회로 부분이 사용되어진다. 본 연구에서는 24“LCD에 적용될 수 있는 BLU에 있어서 구동회로 부분과 제어회로 부분에 대해 개발을 진행하였다. 시장이 점차 확대되고 있는 LED BLU에 있어서 구동회로부분과 제어회로 부분은 상당히 중요한 부분을 차지하고 있다. 정전류 방식의 구동회로와 CMS(Color Management System)기능의 제어회로를 개발하여 24”LCD BLU에 적용하여 다가올 LED BLU시장에 적극 대응하고자 하는 것에 본 개발의 목적이 있다. <기술의 특징>- CCFL BLU에 비해 높은 출력과 Uniformity, 장수명의 제품 개발- LED를 이용한 BLU의 구동회로 기술 및 CMS 제어기술 축적- LED응용제품의 방열대책, 최대의 광출력, 최적효율에 대한 기술 축적<기술 및 시장동향>- LCD의 BLU는 LCD가 자체 발광을 하지 못하므로 하부에 평면광원이 위치하여 LC Panel로 빛을 비춰주므로 화면에 다양한 색상을 표현하도록 하는 후면 발광체 이다. 후면에서 균일한 휘도분포로 면광원의 역할을 하기위해서 여러 가지 구성부분으로 구성이 되어 있다.- 그러나 높은 휘도를 요구하는 제품에 있어서는 CCFL의 개수 증가에 따른 발열과 가격, 소비전력, 무게 등이 문제가 되어 현재 대체되는 BLU의 개발이 진행되고 있다. 현재 국내,외의 많은 회사들이 CCFL BLU를 생산, 판매하고 있는 실정이다.- 현재 LED PKG 부분에 주력하고 있는 업체는 Lumileds, Osram, Semco등 외국회사와 국내의 LG이노텍, 루미마이크로, 알티전자, 삼성전기 등 많은 회사에서 개발에 투자하고 있으며 개발이 완료된 곳도 있다. LED BLU 업체로는 Lumileds, Sony등의 외국회사와 국내에서는 우영, 삼성코닝, 삼성전기, 우리ETI, LG이노텍, 루미마이크로 등이 개발을 하고 있다
<기술의 개요>- 고휘도 백색 LED 패키지의 경우 RGB멀티칩을 조합한 경우와 형광체 (적색 LED + 황색형광체, UV LED + RGB형광체)를 적용하여 백색을 구현하고 있어 기존의 단일 IC 칩/패키지의 고장분석이 아닌 조명기준에 따른 새로운 고장분석 기술이 필요하다. RGB멀티칩 조합의 백색 LED는 개별 LED소자의 특성변화(누설전류의 증가, 광출력감소, 열저항 증가등)에 따른 전체 백색조명의 품질(광속, 색온도, 연색성등)을 분석할 필요가 있으며, 형광체가 적용된 백색 LED의 경우 형광체의 효율 및 칩성능의 변화에 따른 고장현상에 대한 상관관계를 규명하기 위하여 다음의 고장 분석기술을 개발하였다. - 몰딩용 에폭시 및 실리콘 제거용 Decapsulation 기술- Top view type의 LED 패키지 Decapping 기술- U-resolve 용액 적용 die mounting Decapping 기술- Aging한 Flip chip LED 패키지의 Decapping 및 특성평가 기술- THEMOS & PHEMOS 결과분석 기술- Electrical surge 분석기술- Aging 고장모드 분석기술<기술의 특징>- LED 광원에 대한 기술경쟁력 확보를 위한 요소 공정 기술로서 고장분석에 대한 체계적인 데이터베이스를 확보함으로써 국내 관련 LED 제조업체의 신뢰성 및 시장경쟁력 향상을 위한 분석기술- 반도체 조명용 광원인 고출력 LED 신뢰성 및 제품경쟁력 향상에 적용- 기술적 Know-How 및 고가의 특수 분석장비 활용을 통한 경쟁력있는 제품생산 지원 기술<기술 및 시장동향>- 세계적으로 Osram Opto Semiconductor, Philips, Cree등은 50lm/W급 이상의 백색 LED 제품에 대한 기술 개발 결과 및 시제품을 생산하고 있으며, 고출력 및 고휘도의 조명용 광원의 특성을 얻기 위한 노력을 지속적으로 진행하고 있다.- 국내에서는 삼성전기, LG이노텍등이 디스플레이 백라이트용 광원으로 LED를 생산하고 있으며 현재 대형 LED Array 패키지를 개발하여 LCD에 실용화를 추진하고 있다. 또한 국내 업체에서는 다수의 신뢰성 인증기관이 있으나, 이는 전자부품에 대한 범용단계로서, LED와 같은 조명광원에 대한 신뢰성 시험기술 및 고장분석 기술 개발은 아직 미흡한 상태이다.
<기술의 개요>- 카메라폰 모듈의 핵심 광학부품 중의 하나인 비구면 Glass 렌즈를 개발하기 위하여 비구면 금형 설계 및 Core 초정밀 가공기술, 그리고 고온고압 Glass 렌즈성형기술 및 광학특성 측정평가 기술이며, 측정결과 개발된 비구면 Glass 성형렌즈는 광학설계상의 모든 평가항목을 만족하며 초정밀 Core가공기술, 비구면 Glass렌즈 성형기술 등이 매우 효과적임을 확인 할 수 있었다. 특히, 성형용 코어의 가공 기술정도 및 비구면 Glass성형렌즈의 경우 주요 평가 항목인 형상오차가 약 0.2 ㎛ 범위내에서 기술개발이 완료되었다. 이러한 결과는 국내 최고 정밀가공기술이며 현재 일본의 선진 가공기술과 비교해도 전혀 부족하지 않는 결과로서 본 기술개발을 통해 비구면 광학계의 핵심광학부품의 국산화 기술개발 및 요소공정 기술이 확보되었다.- 메가픽셀급 카메라폰용 광학계 모듈은 휴대폰 생산 업체와 소비자들이 메가픽셀급의 고화질과 다양한 디지털 카메라 기능을 갖는 카메라 폰을 요구함에 따라 차세대 카메라폰 개발의 핵심 부품모듈로서 기존의 카메라폰의 화소수를 메가픽셀급으로 향상시켜 고화질을 구현하고, 광학 성능을 향상시키기 위해 초소형/초정밀 비구면 렌즈를 사용하였다.<기술의 특징>- 고화질, 다기능 휴대단말기용 카메라폰 모듈의 핵심광학부품의 국산화 기술개발 및 요소공정기술 확보- 국내 폰메이커의 세계시장 우위의 수준을 지속적으로 유지할 수 있는 안정적인 핵심 부품조달이 가능- 비구면 Glass렌즈 양산성과 연마공정 소요시간 단축으로 생산 원가절감 효과- 초정밀 금형가공기술 및 시제품 렌즈 성형 기술지원으로 비구면 Glass 렌즈 제조업체의 신속한 기술력 제고와 상업화 기간단축
<기술의 개요>- 기존 일반 조명을 대체하고 상품의 경쟁력을 높이기 위하여서는 모두 5가지를 고려하였다. 첫 번째로는 조명에 적합한 총 광속 만족과 배광각 구현 및 눈부심을 방지를 구비한 기능성(Functionality)과 두 번째로 백열등 및 형광등과 같은 기존 조명에 대비하여 대체가 가능한 색온도 변환 및 교환 용이성이 부여된 호환성 (Comparability)을 있어야 하며, 세 번째로는 상품화 기업에서 공정 적용이 가능하며, 부품 수급이 용이한 공정성 (Process-ability)이 확보되어야 하고, 대체 비용이 상품화에 있더 저렴하면서 유지 보수가 용이한 가격 경쟁력 (Cost Effective)이 있어야 하고, 장수명 보장을 위한 저 열저항 구현 및 결합 신뢰성 (Reliability) 확보가 무엇보다도 중요하다.- 7W급 멀티칩어레이 패키지와 20~50W 활용 가능 LED 조명 모듈 개발.- 구동 전력에 따른 광속 효율 (lm/W) : 58 (@3W급) ~ 50 (@7W)- 멀티칩 어레이 패키지 열 저항 ( K/W ) : 0.4- 소비 전력 (W) : 20W ~ 50W 모두 만족.- CRI : 80 (@ 9300 K)- 배광각 ( degree ) : Max. 100 → Floor light 기준 규격 만족.<기술의 특징>- 7W급 멀티칩어레이 패키지와 20~50W 활용 가능 LED 조명 모듈 설계 기술 확보.- 매립형 20~50W 실내 일반 조명 보다 우수한 특성의 LED 조명 개발을 통한 대체 조명 판매 및 이익 창출의 기반 조성<기술 및 시장동향>- 세계조명시장은 ‘05년 819,000억원, ’12년 1,242,000억원이며, 한국 조명시장은 ‘05년 16,380억원, ‘12년 24,840억원으로 LED 일반 조명이 18% 이상 시장을 침투할 것으로 표 1과 그림 1,2와 같이 전망되며, ’12년의 LED 조명의 세계 및 한국 시장은 각각 223,569억원 및 4,471억원으로 시장 창출이 예측된다. - 국외 조명 모듈 현황으로 일본은 1998. 8 ~ 2003. 8 (5년간) 600억원의 연구비를 사용하여 “21세기 빛” 국책 사업을 수행하였으며, 그 연구의 일환으로 “발광영역 변환형 조명시스템” 및 “LED를 이용한 신개념에 근거한 조명기구”를 연구 및 개발하고 있으며, 대만 LED 모듈 및 응용 회사는 고출력 LED 패키지에 대한 기술이 눈부시게 발전하여 선진사 Lumiled와 거의 동일한 수준의 제품을 생산하고 있으며, 중국의 LED 관련 모듈용 패키지 제작 및 개발은 양질의 방열 및 배광 특성에 대한 기술을 바탕으로 하지 않아 고출력 LED 대하여 한국 보다 기술성이 다소 뒤떨어지고 있으나 많은 수의 기업들이 저가에 생산을 하고 있으며, 미국, 대만 등의 회사와 합작회사가 설립되고 있으므로 기술이 급격히 상승하고 있다. 국내 조명 모듈 현황으로 금호전기, (주)장우엔지니어링 등은 고휘도 LED를 이용하여 1W 전구와 광색 가변 MR16(LED-288, 25W) 제품을 출시하고 있고, 중부전기전자(주)는 고출력 LED를 이용한 Line bar, Flood light, Street Lighting Controller 등의 약 40 여종 제품을 제조하고 있으나 가격이 높은 단점이 있으며, 서울반도체는 150 lm/PKG급의 Z Power 백색 LED를 생산하고 있으며, 대면적 칩을 이용한 단일 패키지에서 9 K/W 이하의 열 저항 특성을 가진 제품을 개발하여 직, 간접 조명에 응용하고 있다.
기술의 개요 - 본 기술은 프로젝션 텔레비전용 광학 커플러 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 금속판을 프레스 가공하여 상ㆍ하로 관통된 금속바디를 만드는 제1공정과, 제1공정후 금속바디의 표면을 흑색 도금처리하는 제2공정, 제2공정 후 내열수지를 이용한 사출성형방식으로 금속바디의 외부에 CRT(cathode ray tube) 및 광학렌즈와의 결합을 위한 결합부를 형성하는 제3공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 금속바디를 흑색 도금처리하고, 금속바디의 외부에 CRT 및 광학렌즈와의 결합을 위한 결합부를 내열수지를 이용한 사출 성형방식으로 형성하기 때문에 결합부를 형성하기 위한 후공정, 표면가공, 봉입처리 공정 등을 생략할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있고, 제조비용을 감소시킬 수 있는 효과를 도출한다.
<기술의 개요>- 마이크로볼로메터형 적외선 검출기 측정시스템의 구성과 측정부품 선정에 대해 기술적 지원이 이루어지고, 패키지 및 선진사 제품의 규격 등의 기술 자료를 바탕으로 사업화 가능성을 한층 높이게 되었다. - 성능평가 장비구축 및 부품선정 기술 지원 * 측정 시스템 구축 기술 지원 * 저잡음 측정 기술을 위한 부품 선정 지원 · Blackbody source & controller · Test Board, IR Filter, Chopper, Aperture, Shutter - TEC, IR Window, Lock-in amp, Oscilloscope* 측정 프로세스 및 기술 지원- 영상소자 성능 측정 및 분석 기술 지원 * 측정 항목 선정 및 소프트웨어 구축 지원 * 신호대 잡음비, 반응도(responsivity), 감지도(detectivity) 등 * 측정 결과 분석 지원- 적외선 검출기 관련 시장 및 기술동향 자문 * 시장자료 조사 지원 * 기술동향 자료 지원 및 자문<기술의 특징>- 적외선 검출기 성능평가를 통한 자체적인 기술 노하우 축적- 측정시스템 구축기간 단축, 상품화 기간 단축, 제품 경쟁력 강화<기술 및 시장동향>- 현재 세계적으로 개발되고 생산되고 있는 비냉각형 적외선 센서는 크게 두 가지로 분류할 수 있다. microbolometer 형과 ferroelectric 형이 그것이다. 이 외에 초전도체나 Thermopile 센서 등이 있지만 시장에서 차지하는 부분이 미약하므로 열상용 2D 어레이 비냉각형 센서의 반열에 올라오지 못하고 있음. 볼로미터 적외선 센서는 또한 2가지 재료를 이용하여 제작하고 있는데 VOx 와 a-Si이 그 대표적인 물질이다.- 2006년부터 2012년까지 냉각형 적외선 열상(센서, 카메라)시장은 다소 주춤한 반면, 비냉각형 적외선 시장은 전체 시장의 60%를 차지하여 주도 함. 비냉각형 적외선 열상 시장은 2006년 9천억원에서 2012년 2조4천억의 규모로 성장할 것으로 전망된다. 2000년 이후 비냉각형 적외선 센서가 연간 18 %의 성장 속도를 보이며, 연간 12 % 의 성장 속도를 보이는 냉각형 보다 약 2배 성장 속도를 보이며 전체 적외선 카메라 시장을 주도 할 것으로 예상된다.
<기술의 개요>- In 의 조성이 상대적으로 Green LED 보다는 적게 들어가게 되는 blue 혹은 단파장 LED의 경우 우물역할을 하는 well layer 의 성장속도에 따른 차이가 심각하게 광출력에 영향을 주지는 않으나 In 의 조성이 40%정도 들어가게 되는 Green LED 의 경우 well layer 의 성장속도가 느릴 때 재결합 효율이 좋아지는 것을 관찰할 수 있다. - 기존 LED 구조에서는 전자와 정공의 이동속도에 따른 재결합 효율의 저하가 고효율 LED 의 제작에 있어 문제가 되고 있다. CART (Charge Asymmetric Resonant Tunneling) 구조의 도입으로 인하여 이러한 문제를 해결할 수 있고 InGaN으로 구성되는 CART 구조의 두께 및 조성의 최적화 시 발광효율의 많은 증대를 기대할 수 있다.<기술의 특징>- 534 nm 고휘도 LED- 연구 단계에 머무르고 있는 장파장 LED 시제품 개발 <기술 및 시장동향>- GaN 기반 고휘도 Green, Blue LED 는 BLU, full color display 및 차세대 조명 산업에서 새로운 부가가치 산업을 창출할 수 있는 제품군이며 GaN 계 LED 는 전체 고휘도 LED 시장(2004년 약 3.5조원)의 61%를 차지하는 가장 비중이 큰 제품이며, 고휘도 Green LED 는 GaN 계 고휘도 LED 시장의 29%를 차지하는 제품이다. 또한 2004년 전체 LED 시장에서 GaN 계 물질을 사용한 LED 는 2003년에 비해 49%의 시장 성장률을 보여 앞으로 GaN 계 시장은 계속하여 팽창될 것으로 예측된다. 이처럼 시장의 규모는 계속 커지고 LCD BLU, 자동차, full color display/조명으로 응용분야가 확대될 것으로 예측되어 GaN 계 LED 의 비중은 더욱 커질 것으로 예측된다.- Laser Diode 에 적용되는 기판의 경우 DVD 의 차세대 규격 확정여부에 따라 유동적인 예측이 가능하고 게임기, PC 분야에 채용 가능하며 저작권 및 S/W 문제 해결 시 2007 년 이후 급성장이 예상되며 전자소자 분야는 동영상 서비스 상업화로 고주파 및 고출력 등 성능우위의 GaN 기판의 수요가 예상됨. 2010 년 이후 대체가 전망 된다
<기술의 개요>- 적외선 검출기용 모노리틱 공정을 설계하고 단위픽셀의 열 및 구조적 설계를 통하여 마이크로볼로미터 소자의 최적 공정 설계 기술이며, 모노리틱 via 공정을 신규 설계하여 앵커구조의 안정화를 이루었고, 열해석 및 구조설계를 44㎛ 픽셀구조의 최적 소자를 개발하였다. 볼로미터 저항은 1MΩ 이하, 저항 편차 10% 이하, 모노리틱 Via 크기를 3x2 ㎛2으로 구현하였으며, 캔틸레버 평탄도를 cavity 2㎛의 20% 이내로 개발하였다. 실험계획법을 이용한 공정방법, 열 설계 및 최적 소자 구조 설계 기술이다.<기술의 특징>- MEMS 공정기술을 각종 마이크로 센서의 구조체 제작 기술- 2차원 열영상용 어레이 검출소자 및 웨이퍼수준의 패키징 공정에 응용가능함- 산업용 적외선 카메라, 자동차 나이트비젼 등의 시장이 점차 증가하여 약 100억원의 경제적 효과를 예상함<기술 및 시장동향>- 현재 세계적으로 개발되고 생산되고 있는 비냉각형 적외선 센서는 크게 두 가지로 분류할 수 있다. microbolometer 형과 ferroelectric 형이 그것이다. 이 외에 초전도체나 Thermopile 센서 등이 있지만 시장에서 차지하는 부분이 미약하므로 열상용 2D 어레이 비냉각형 센서의 반열에 올라오지 못하고 있음. 볼로미터 적외선 센서는 또한 2가지 재료를 이용하여 제작하고 있는데 VOx 와 a-Si이 그 대표적인 물질이다.- 미국 Maxtech International 사에서 2007년 발간한 적외선 관련 시장보고서에 따르면 적외선 열상 세계 시장 규모는 2006년 1조8천억원에서 2012년 4조원에 이르고, 연간 14%의 성장률로 매우 급속한 발전을 이룰 것으로 전망한다.
<기술의 개요>- 고반사막을 가지는 LED는 차세대 조명용 LED 광원으로 평가받는 중요한 광원- 고휘도 LED 칩에서 외부 추출 효율을 극대화 시키는 고반사막을 가지는 LED칩 공정 기술은 국내 LED 기술에서 가장 취약한 부분으로 기반기술 확보가 시급- 고반사막을 가지는 LED 제조기술은 반도체 조명뿐만 아니라 LCD BLU, 자동차 조명으로 응용분야를 확장할 수 있는 핵심 기반기술- 투명 산화물 전극에 홀 구조를 만들어 반사막 접착력 및 열방출 효율을 높일 수 있는 반사막 구조 개발 완료(> 80% 반사도)- 투명 산화물 전극(ITO) 식각 공정 확보- 분위기 열처리에 따른 금속 반사막의 p-GaN Ohmic 접합 공정 확보- 파장 : 460 ± 5nm- 칩 크기 : 0.3 mm x 0.3 mm- 발광효율 30% 이상 향상 @20mA - 작동전압 : < 3.4V@20mA<기술의 특징>- Thin GaN LED의 광 추출 효율 향상 기술 확보에 따른 고휘도 LED 시장 경쟁력 확보 위한 발판 마련- 고휘도 LED 국산화 및 수입 대체 효과<기술 및 시장동향>- 반사막이 적용된 고휘도 LED 기술은 Lumileds, Osram, Nichia, Cree, Semiled 등 해외 선진사들이 주도 하고 있다.- 고휘도 LED 국내 기술은 삼성전기, LG이노텍, 광주과학기술원 등에서 기초적인 연구를 하고 있다.- LED 휘도 향상을 위하여 에피성장 기술 뿐만 아니라 저온 p-GaN 성장기술, Laser lift-off 기술, Wafer bonding 기술 등 칩 공정기술 확보에 사활을 걸고 있다. - 고휘도 LED에서 한국시장은 세계시장 규모의 10%로 추정.- 전체 LED 시장 중에 조명, 자동차, 신호등, 디스플레이용에 사용되는 것을 고휘도 LED 시장으로 하였으며, 이중 고반사막을 이용한 LED를 2006년에는 0.05%에서 2008년에는 5%로 추정.
<기술의 개요>- 기존 LCD BLU (back-light-unit)을 대체하고 상품의 경쟁력을 높이기 위하여서는 모두 5가지를 고려하였다. 첫 번째로는 BLU에 적합한 청색, 적색과 녹색을 이용한 백색의 최대 휘도 구현 및 시간에 따른 휘도 감소율 최소화를 위한 패키지 및 배선 기판의 저 열 저항 기능성(Functionality)을 감안하였고, 두 번째로는 LED의 구동 범위 내에서의 전체 시스템이 제어 회로와 연동하여 동작하면서 다른 모델에도 확대 적용이 가능한 호환성 (Comparability)을 고려하였으며, 세 번째로는 상품화 기업에서 생산 및 협력 기업의 공정 능력 범위에서 양산이 용이하면서 기능을 향상시킬 수 있는 공정성 (Manufacture-ability)을 고려하였으며, 대체 비용이 상품화 가격에 최대한 저렴하면서 유지 보수가 용이한 가격 경쟁력 (Cost Effective)이 있어야 하고, 장수명 보장을 위한결합 신뢰성 (Reliability) 확보가 무엇보다도 중요하다.- 42“ BLU 모듈용 4040 PKG 및 HPTV-PCB 개발.- 패키지 열 저항 ( K/W ): 4.8 K/W 이하.- HPTV-PCB 열 저항( K/W ) : 4 K/W 이하.- Panel 온도 ( ℃ ): 40 이하- LED 접합 온도 ( ℃ ): 50 이하- PCB 종류 : HPTV(High Performance Thermal Via)의 최적 설계<기술의 특징>- MCPCB 대체 가능한 경량의 PCB 모듈 및 LED 신뢰성 보장 패키지 개발- 42“ 단위 모듈에 적용하여 성능의 우수성 입증을 통한 모델 확대- MCPCB를 대체하여 원가 절감 및 성능 향상.- Ag양을 최적화한 최적의 패키지 구조 개발.<기술 및 시장동향>- 세계 LCD 시장 중에서 중,대형 크기의 적용 분야로서 TV, Lap-Top, Computer 모니터용으로 CCFL과 EFL 및 LED BLU를 모두 포함히여 ‘07년 216 백만대, ‘10년 292 백만대로 전망되며, ’10년 BLU 전체 시장에 LED를 이용한 BLU가 33%의 시장 점유율이 예측된다.
기술의 개요 - 본 기술은 격벽에 디스플레이 전극을 배치한 플라즈마 디스플레이 판넬에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 전면기판과, 전면기판에 소정간격을 유지하며 그 내면에 어드레스 전극이 형성되는 배면기판, 전면기판과 배면기판 사이에 형성되어 각 화소간을 차단하여 자외선에 의한 영향을 방지하는 격벽과, 전면기판과 배면기판과 격벽에 의해 둘러싸여 그 안에 방전기체가 봉입되는 방전공간으로 구성된 플라즈마 디스플레이 판넬에 있어서, 격벽의 양 내측면에 각각 한쌍의 디스플레이 전극이 형성되어 구성된 것을 특징으로 한다.
<기술의 개요>- 감시카메라 및 비디오카메라에 사용되는 Zoom Lens는 공간적으로 고정되고, 물체로부터 입사된 광을 일정한 수렴각으로 전달하는 A/F 기능을 갖는 제 1렌즈군과 배율을 변환시키는 제 2렌즈군, 비구면렌즈를 포함하고 최종 보정으로 상을 맺게 하는 Zoom 렌즈군으로 구성되었다. - 현재 감시카메라용 CCTV 광학계는 다수의 구면 렌즈로 구성되어 전체적인 크기가 크기 때문에 사생활의 침해에 대한 거부반응을 유발하게 됨 따라서 적용범위의 제약이 있다.- 다수의 구면렌즈를 사용하기 때문에 무게가 무겁게 되어 설치상의 저해요소가 될 뿐만 아니라 해상력 또한 낮아 영상에 대한 신뢰성이 떨어진다.<기술의 특징>- 비구면 Glass 렌즈를 채용함으로써 감시카메라용 렌즈 모듈기술의 요구 추세인 소형화, 고해상도, 고배율화 구현이 가능하므로 새로운 기술추세의 우위를 확보할 수 있음- 구면렌즈 광학계가 사용된 CCTV에 비구면 렌즈를 사용함으로써 비용 절감 및 제품 성능향상<기술 및 시장동향>- 국내 주요대기업에서 캠코더용 Zoom Lens Ass’y를 개발하고 있다.- 국내 다수업체에서는 일본 Sony사와 Hitchi사로부터 모듈을 수입하여 외관 하우징만 제작하여 판매하고 있는 실정이다.- 일본 Sony사가 초소형 카메라 모듈업계의 선두기업으로 시장점유율이 60%이상을 차지함. Sony사의 경우 비구면렌즈 줌 광학계를 사용하여 렌즈크기를 줄이고 렌즈 구성매수를 감소시켜 소형 경량화를 가능케 했으며, 구성부품 및 회로부를 대폭적으로 소형화하는 기술이 확보된다.- 일본 P사의 경우 Glass Molding 비구면 렌즈 제작기술을 어느정도 확보한 상태로 시제품을 출시하였으나 양산체제는 갖추고 있지 않음. 기타 일본의 몇몇 업체의 경우 현재 관련기술을 연구 중에 있다.- 대만의 경우 카메라 제조업체 등에서 대부분 일본 Sony사로부터 수입판매하고 실정이다.
<기술의 개요>- 패키지의 소형화, 열방출 능력 향상, 광추출 효율 증대와 같은 효과를 광반도체에서 채용하게 되는데 이에 대응되는 방법이 Flip chip 방식이다. Flip chip방식은 bump를 이용한 chip의 본딩 방식으로 기존의 wire bonding에 비하여 bonding 길이가 거의 없기 때문에 bonding에 의한 인덕턴스를 1/10 이하로 줄일수 있고, 패키지도 작게 만들 수 있는 요소기술이다. 이를 위해 다양한 bump가 채용되는데 이 중 가장 성숙된 기술은 Pb 함유 solder bump를 사용하는 BGA방식(C4 process)이다. 이는 현제 국제적으로 규제하고 있는 환경문제에 저촉이 된다. 이를 회피하고자 대두되는 방식이 초음파를 이용한 본딩 방식이다.- 초음파를 이용한 Flip chip 기술은 광반도체 칩과 패키지를 연결시켜주는 재료로서 Au bump를 이용하게 되는데, Au bump를 제조하는 방식은 기존의 wire bonding 공정기술을 그대로 적용할 수 있으므로 추가의 장비투자가 다른 Flip chip 본딩공정기술에 비해 저렴하고, 공정이 단순하므로 쉽게 패키지에 적용이 가능하다. <기술의 특징>- LED Flip Chip Bonder 초음파 bonding unit 개발 및 bonding 신뢰성 향상기술을 확립함으로써, 고성능의 Ultrasonic Flip Chip Bonding System 개발을 통하여 고가의 외국 장비 수입대체를 이룰 수 있을 뿐만 아니라, 차세대 반도체 디스플레이 제조 생산성 향상을 통한 경쟁력 유지 및 수출 증대에도 기여할 수 있을 것으로 예상함<기술 및 시장동향>- 초음파를 이용한 Flip chip bonding 공정은 세계 각국에서 추진하고 있다. 이 중 Flip chip 공정은 칩 사이즈 및 핀 수별로 SAW, TCXO, GaAs, LED등 다양한 영역에 사용되고 있다. 이영역에서는 US bonding이 사용될 수 있고, 기타 다른 영역에서는 ACF, SBB, C4등이 사용될 수 있다. US bonding의 경우 Au-Au 간 직접접합만이 가능한 공정으로 알려져 있으며 범프의 형성을 위해 칩 패드에 스터드 범프 공정을 실시한다. 스터드 범프는 각각 패드에 와이어 본더 장비로 batch type으로 공정을 진행하고 있으며, pin 수가 적은 경우 작업성에 문제가 없으나 핀수가 증가하게 되면 생산성 및 가격적 측면에서 분리함을 가지고 있다. 이에 LED에서는 적은 pin수를 가지는 공정이므로, Stud bump 공정을 적용하고 있는데, 특히 대만, 일본, 미국에서 활발한 연구가 추진되고있다.