일반기술
화학공정 > 나노소자 제조공정 기술
본 발명은 중심부(CORE)가 제거된 나노 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등의 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(CORE-SHELL) 구조의 산화아연계 나노선에서 중심 소재인 산화아연을 부식성 가스, 무기산, 플라즈마 등을 사용하여 제거함으로써 제조된 속이 빈 나노 구조체는, 나노선에 비해 부피 대 단면적 비가 2배 이상 크고, 모양과 길이 및 중심소재 제거 정도의 조절 및 빈 공간에 이물질의 주입 등을 통해 다양한 특성 및 구조를 제공할 수 있고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 단일구조체로 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다.본 발명의 목적은 다중벽 구조의 산화아연계 나노선의 중심부(core)를 제거하여 모양과 길이,중심 산화물 제거 정도 및 제거된 중심 부분에 주입되는 이물질의 종류 등을 조절할 수 있는,다양한 특성 및 구조를 갖는 중심부가 제거된 나노 구조체 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다.상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는,유기금속 화학 증착법에 의해 제조된 산화아연 나노선 위에 전이금속계 물질,질화물 반도체,유전체 등의 이종물질을 코팅하여 다중벽 구조의 산화아연계 나노선을 수득한 후,그의 중심부(core)를 부식성 가스,무기산,플라즈마 등을 사용하여 제거하는 것을 포함하는,중심이 일부 또는 전체적으로 비어있는 나노 구조체를 제조하는 방법을 제공한다.또한,본 발명에서는 상기 방법에 의해 제조된,5 내지 30 nm 범위의 직경을 갖는,중심이 일부 또는 전체가 빈 나노구조체를 제공한다.
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- 2006-05-11
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일반기술
화학공정 > 나노소자 제조공정 기술
본 발명은 다중벽 구조의 산화아연계 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(CORE-SHELL) 구조의 산화아연계 나노선은, 다기능을 갖는 다양한 나노선이 단일선으로 제작될 수 있어 집적화가 용이하고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다. 산화아연 나노선 위에, 마그네슘(MG), 카드뮴(CD), 망간(MN), 아연(ZN), 코발트(CO), 이들의 합금 및 이들의 산화물 중에서 선택된 전이금속계 물질, 질화물 반도체 또는 유전체가 이종물질로서 코팅된, 다중벽 구조의 산화아연계 나노선에 관한 발명이다본 발명의 목적은 산화아연 나노선 위에 다양한 물질들을 코팅시켜 다양한 기능을 갖는 나노 구조물들을 단일 나노선으로 구현할 수 있는 다중벽 구조의 산화아연계 나노선,및 이를 대량으로 제조하는 방법을 제공하는 것이다.산화아연 나노선 위에 전이금속계 물질,질화물 반도체 또는 유전체 등의 이종물질이 코팅된 산화아연/전이금속계 물질,산화아연/질화물 반도체 또는 산화아연/유전체와 같은 다중벽 구조의 산화아연계 나노선을 제공한다.또한 본 발명에서는 유기금속 화학 증착법에 의해 제조된 산화아연 나노선 위에 전이금속,질화물 반도체 또는 유전체를 코팅시키는 것을 포함하는,다중벽 구조의 산화아연계 나노선의 제조방법을 제공한다.
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- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 방법으로서, 레이저가 크게 흡수되지 않고 투과할 수 있는 기재위에 성장된 반도체 나노막대를 레이저를 이용하여 분리시키는 본 발명의 방법에 의하면 두께가 균일하고 길이가 일정한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 장점이 있다레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 있어서, 레이저를 흡수하지 않고 투과시키는 기재위에서 나노막대를 성장시키는 단계; 상기 단계에서 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 상기 기재에서 분리시키는 단계를 포함하고, 상기 기재위에서 성장되는 나노막대의 재질은 레이저를 흡수하는 재질인 ZNO, GAN, SI, INP, INAS, GAAS, GE 및 카본나노튜브 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법.
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- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 개요 본 기술은 자성체/나노(‘10억분의 1’을 나타내는 말)소재 이종접합 나노구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.*중요성 및 독창성기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 자성체를 증착시키는 본 기술의 방법에 의하면,나노소재의 선단부에 단일조성의 자성금속, 자성세라믹 또는 다양한 조성의 자성금속 또는 자성세라믹 합금 등의 자성체를 증착시켜 나노사이즈의 자성 소자를 만들 수 있으므로,자기기록매체 등에 활용할 수 있다.본 기술은 기재 위에 수직 또는 한 방향으로 성장된 나노소재의 선단부에 자성체가 균일하게 증착된 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체를 제공한다. *특징 및 장점 1) 본 기술에 사용가능한 나노소재는 수직 내지는 한방향으로 성장될 수 있는 것이면 모든 종류의 나노소재가 사용가능하다. 그 예로서, ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본나노튜브 등이 사용가능하며,바람직하게는 ZnO, GaN, Si 및 InP 등을 사용할 수 있다.2) 본 기술에 사용가능한 자성체는,철(Fe),코발트(Co),니켈(Ni),망간(Mn),가돌리늄(Gadolinium),또는 이들의 합금,및 페라이트 등을 포함할 수 있으며,바람직하게는 철(Fe),코발트(Co),니켈(Ni)및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 3) 본 기술의 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체는 규칙적으로 배열되어, 하드 디스크와 같은 다양한 자기 저장 매체에 자성소자로서 이용될 수 있다.4) 본 기술의 나노구조체로 자성소자를 제작할 경우,고밀도화 및 균일화가 가능하여 자성소자의 기능이 매우 우수할 뿐만 아니라, 현재의 저장기록 매체인 자성 박막의 한계를 넘어서 100 Gbit/inch 2이상,나아가서는 테라비트(10 3 Gbit)급 정보기록매체에 획기적인 돌파구를 제공해줄 수 있다
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- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 것을 포함하는, 금속/나노소재 이종접합구조체(HETEROSTRUCTURE)의 제조방법, 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 본 발명의 방법에 의하면, 나노소재의 팁(tip) 부위에 다양한 전극물질이 선택적으로 증착된, 금속/나노소재 이종접합구조체를 제조할 수 있으며, 본 발명에 따른 이종접합구조체는 나노 크기의 전자소자, 센서, 광소자, 자성소자 등에 이용될 수 있다.따라서,본 발명의 목적은 나노소재의 팁 부위에만 선택적으로 금속이 증착된 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명에서는,기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 금속을 증착시키는 것을 포함하는,금속/나노소재 이종접 합구조체(heterostructure)의 제조방법을 제공한다. 본 발명에서는 또한,상기 방법에 의해 제조된,나노소재의 팁(tip)부위에 금속이 증착된,금속/나노소재 이종접합구 조체를 제공한다.
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- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 나노선과 이를 이용한 나노소자에 관한 것으로서, 특히 나노선 위에 p 타입과 n 타입의 동종접합, 혹은 이종 접합 구조나 양자우물 구조를 가지는 나노선 및 이를 이용한 나노소자에 관한 것이다. 여기서, 본 발명의 나노소자에는 나노 어레이(array) 및 나노 어레이를 통해 만들어진 고집적 회로가 포함된다.본 발명에 따른 나노선은 단일 나노선 안에 정공을 형성시키는 p-타입 영역과 전자를 생성시키는 n-타입 영역을 가짐으로써 나노선 하나 하나가 전계트랜지트터가 되며, 나노선 안에 이종접합구조로 이루어진 매우 얇은 층들을 겹겹이 쌓여진 양자우물구조 또는 초격자구조를 삽입하면 각각의 나노선이 레이저 다이오드나 공명터널링다이오드(resonant tunneling diode, RTD) 등의 나노소자가 된다. 또한 이러한 나노소자들의 어레이를 이용해 고집적회로를 제작할 수 있다.증착법을 통해 동종접합 구조, 이종접합 구조, 양자우물 구조 또는 초격자 구조중에서 적어도 어느 한 구조를 가지는 나노선으로서, 상기 동종접합 구조의 나노선은, P 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 P 타입 도핑을 하고 난 후에, N 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 N 타입 도핑을 한 구조로 되고, 상기 이종접합 구조의 나노선 및 양자우물 구조 또는 초격자 구조의 나노선은, P 타입 도펀트를 첨가해서 P 타입 영역을 만들고 난 후, 밴드구조 혹은 밴드갭이 서로 다를 물질들에 해당하는 반응 전구제를 반응기로 교대로 주입하여 양자우물구조 또는 초격자 구조를 가지는 영역을 만들고, 그 다음 N 타입 도펀트를 첨가해서 N 타입 영역을 형성한 구조로 된 것을 특징으로 하는 나노선.
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- 2006-06-12
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화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 산화아연계 나노선에 관한 것으로서, 더 상세하게는 산화아연과 유사한 격자상수를 갖는 물질을 교대로 쌓아 만들어진 양자우물 및/또는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 질화물 반도체, 실리콘 카바이드, 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1))과 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)), 산화아연망간(Zn1-xMnxO(0≤x≤1)) 등의 물질로 되는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(Zn1-xMgxO(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn1-xCdxO(0≤x≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지는 양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 점에 그 특징이 있다.양자 우물 또는 초격자 구조를 갖는 산화아연계 나노선으로서, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조는, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(MG) 또는 카드늄(CD)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(ZN 1-X MG X O(0≤X≤1)) 또는 산화아연카드늄(ZN 1-X CD X O(0≤X≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지고, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조의 직경이 1~500NM이고, 상기 산화아연계 나노선은 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학기상증착법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 나노선.
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- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
*원리 및 개요 1) 유기금속 화학증착법(Metal Organic Chemical Deposition, MOCVD)에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법에 관한 것이다. 2) 유기금속 화학증착법에 의하면, 직경을 수 나노미터에서 수 마이크로미터의 넓은 범위까지 조절 가능하며, 직경이 비교적 균일할 뿐만 아니라 기재표면에 수직 방향으로 잘 배향되며, 특히, 나노선의 제조시 촉매를 사용하지 않기 때문에 촉매에 의한 오염을 방지할 수 있어 전기적, 광학적 성능이 우수한 산화아연계 나노선을 제조할 수 있다.*특징 및 장점1) 금속 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학증착법을 이용하여 불순물이 적은 고품위 산화아연계 나노선을 대량으로 제조하는 방법을 제공한다.2) 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기물을 반응기에 주입하고,상압 이하의 압력 및 온도 200 내지 1,000 ℃의 반응 조건하에서 상기 반응물의 전구체들을 화학반응시켜, 기재상에 산화아연계 나노선을 증착,성장시키는 것을 특징으로 하는,유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법을 제공한다.*효과1) 금속 촉매를 사용하지 않고 반응전구체들이 핵생성제로 바로 성장되기 때문에 촉매에 의한 오염을 미연에 방지할 수 있고, 특히, 도핑 조절이 용이할 뿐만 아니라, 저온 증착과 같은 이점을 갖기 때문에 종래의 방법에서 보다 훨씬 전기적, 광학적 특성이 우수한 나노선을 대량으로 제조할 수 있다. 2) 나노선의 직경도 수 나노미터까지 작게 조절할 수 있으며 두께와 길이가 균일할 뿐만이 아니라 기재에 수직한 방향으로 잘 배향되기 때문에 전자소자, 광소자, 환경에너지관련소자와 같은 나노소자로 제작할 때 많은 이점이 있다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 나노소자 제조공정 기술
본 발명은 원재료를 수용하기 위한 챔버, 상기 챔버내에 고에너지 전자 가속빔을 주입하는 전자빔 가속기, 상기 챔버 내부를 진공으로 만드는 진공펌프, 상기 챔버 내의 분위기를 조장하는 가스를 주입하는 고압 조절기, 및 생성된 나노 입자를 수집하는 냉각판을 구비하는 나노 입자 제조 장치를 제공한다.본 발명에 따른 나노 입자 제조 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법은 단시간 내에 나노 입자의 대량 생산을 가능케 하고, 이렇게 제조된 입자의 크기가 균일하며 형상이 구형에 가깝다. 또, 제조 공정상 변수들의 제어가 용이하고 고순도의 제품을 생산할 수 있다. 순수한 나노 입자뿐 아니라 챔버 내부를 산화 분위기로 조장함으로써 산화물 나노 입자의 제조에도 응용될 수 있다.본 발명은 원재료를 수용하기 위한 챔버,상기 챔버내에 고에너지 전자 가속빔을상기 챔버 내부를 진공으로 만드는 진공펌프,상기 챔버 내의 분위기를 조장하는 가스를 주입및 생성된 나노 입자를 수집하여 응축하는 냉각판을 구비하는 나노 입자 제조 장치를 제공한다.상기 나노 입자 제조 장치는 상기 원재료 표면 근처에서 생성된 나노 입자를 교반하는 팬을 더 포함하는 것이 바람직하다.상기 나노 입자 제조 장치는 상기 냉각판의 작용을 제한하는 뚜껑을 더 포함하는 것이 바람직하다.형상이 구형에 가까우며,이상의 나노 입자 생성을 차단하는 역할을 하며,L형 로드의 뚜껑인 것이 바람직하다.
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- 포항기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 신발 가공 공정 기술
본 기술은 배기장치가 설치된 신발의 제조에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면 신발몸체와 밑창 사이에 발포성수지재로 성형된 중창을 삽입시키되, 상기 중창내부에 배기장치가 설치된 신발의 제조방법 및 제조장치에 관한 것이다. 종래의 사출성형식 제조방법을 통해 제조되는 안전화가 지닌 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로, 신발몸체와 신발밑창 사이에 발포성수지재로 성형된 중창을 형성시키되, 상기 중창에는 배기장치를 설치하여 신발본체의 내부에 오염된 공기를 대기중으로 배출시킬 수 있도록 한 공기 배기장치가 설치된 안전화의 제조방법 및 제조장치를 제공하는데 목적이 있다.본 기술은 배기장치가 설치된 안전화의 제조에 관한 것으로, 종래의 안전화는 신발몸체와 신발밑창 사이에 단순히 쿠션력을 지닌 삽입시켜 쿠션력만을 확보할 수 있도록 되어 있어서, 안전화 내부의 환기성이 떨어져 신고 있는 발에 땀이 많이나고, 또한 발에서 발생되는 열기에 의해 습한 공기로 오염되어 피부에 유해한 각종균이 서식하게 되고, 심한 악취가 발생되는 문제점이 있었다. 이에 본 기술에 따르면 신발몸체와 신발밑창 사이에 발포성수지재로 성형된 중창을 형성시켜 일체를 이루도록 하는 사출성형식 제조방법과 제조장치를 통해 배기장치를 설치하되, 배기장치는 신발몸체의 바닥판과 중창내에 설치된 에어펌프와 에어호오스로 이루어져 있어 신발내부의 오염된 공기를 지속적으로 외부로 배출시킬 수 있으므로, 보다 청결한 상태를 유지할 수 있는 효과가 있으며, 이러한 안전화를 제조하기 위하여 지지틀에 신발몸체를 고정시키고, 배기장치를 부착시키되, 배기장치의 저면에 차단판을 부착시켜 밀폐된 상태에서 지지틀을 수직하강시켜 배기장치를 중창내에 매설시키는 방법을 사용하였으며, 이를 실현시키기 위하여 상측금형과 지치틀의 내측면에 ㄱ 자형 돌기부와 고정구로 구성된 프레스 사출성형기를 갖추도록하여 배출쵸크밸브가 설치되는 에어호오스의 일단부를 중창내에 매설된 상태로 외부에 노출되도록 형성한 것이다.
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- 한국산업기술평가원
- 등록일
- 2006-04-05
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
원리 및 구성SiF4를 물에 흡수 포화시킨 용액 단독 또는 금속염이나 금속 알콕사이드와 혼합한 제1 용액을 제조한다. 이와는 별도로 증류수 100 중량부에 대하여 비이온성 계면활성제 0.1 내지 10 중량부 및 암모니아 1 내지 10 중량부를 녹여 제2 용액을 제조한다. 상기 제1 용액 5 내지 50 중량부를 상기 제2 용액에 첨가하고 상온에서 상압 또는 가압 조건하에서 교반하고 숙성시켜 결정을 성장시킨 후 하소하는 것을 특징으로 하는 중기공성 구조를 갖는 결정화합물의 제조 방법을 제공한다. 이 때, 제2 용액에는 필요에 따라서, 0 내지 10-2M의 양이온 계면활성제 또는 음이온 계면활성제를 첨가하여 제조 가능하다. 개발배경규석(silex)을 불산에 녹일 때 발생하거나 인산 비료 제조공정에서 다량으로 부생하는 SiF4 가스를 물에 흡수시켜 제조한 H2SiF6를 직접 실리카 원료로 이용할 뿐만 아니라 비용이 저렴하고 소량만 사용해도 효과가 있는 비이온성 계면활성제를 template로 이용하여 상온ㆍ상압 조건하에서 단시간 내에 중기공성 구조를 갖는 결정화합물을 제조하는 방법을 제공함에 있다.중요성 및 독창성상품화된 실리카가 아닌 인산 비료 제조 공정에서 부생하는 SiF4 가스와 같은 구하기 쉽고 값싼 비이온성 계면활성제를 이용하고서도 열적 성질이 우수하고 기공 분포가 균일할 뿐만 아니라 큰 비표면적을 가지는 종래의 M - 41계 중기공성 결정화합물을 제조할 수 있는 유용한 방법이다.응용분야본 기술은 비이온성 계면 활성체를 이용하여 결정 화합물을 제조하는 본 기술은 다른 중기공성 결정 화합물 또는 기타 결정 화합물의 조합에 응용될 수 있다. 특징 및 장점-금속염 또는 금속 알콕사이드를 첨가하여 중기 공성 구조를 갖는 특징을 가진다.-본 기술의 전자현미경 판독을 위한 촉매 리포터 침착법 이용 선포매 나노골드-실버 면역 염색방법은 선포매 면역전자현미경법에 촉매 리포터 침착법을 적용시킬 수 있게 함으로써, 세포 내 초미세구조의 보존도와 신호의 민감도를 향상시켜, 보다 경제적이고도 효과적으로 전자현미경 판독에 활용할 수 있다.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 나노소자 제조공정 기술
*원리 및 구성나노 입자 제조 장치 및 이를 이용한 나노 입자의 제조방법에 관한 것으로, 원재료를 수용하기 위한 챔버, 상기 챔버내에 고에너지 전자 가속빔을 주입하는 전자빔 가속기, 상기 챔버 내부를 진공으로 만드는 진공펌프, 상기 챔버 내의 분위기를 조장하는 가스를 주입하는 고압 조절기, 및 생성된 나노 입자를 수집하여 응축하는 냉각판을 구비하는 나노 입자 제조 장치로 구성된다. *개발배경균일한 크기와 형상을 가지며, 고순도의 나노 크기 입자를 대량으로 제조할 수 있는 장치 및 이를 이용한 나노 입자 제조 방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성본 기술은 제조 공정상 변수들의 제어가 용이하고 고순도의 제품을 생산할 수 있고, 순수한 나노 입자뿐 아니라 챔버 내부를 산화 분위기로 조장함으로써 산화물 나노 입자의 제조에도 응용가능하다.*응용분야본 기술은 산화물 나노 입자의 제조 등에 응용할 수 있다. 또한 나노 공학이 필요한 기타 산업에도 적용 가능하다. 냉각이 필요한 전자, 기계, 기타 산업에 적용 가능하다.*중요성 및 독창성-고에너지 전자 가속빔을 이용하여 원재료를 가열/증발시킴으로써, 단시간 내에 나노 입자의 대량 생산이 가능하고, 제조된 입자의 크기가 균일하며, 형상이 구형에 가깝다. -제조 공정상 변수들의 제어가 용이하고 고순도의 제품을 생산할 수 있다.
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 기타 분자·나노 화학공정 기술
본 발명은 나노선과 이를 이용한 나노소자에 관한 것으로서, 특히 나노선 위에 p 타입과 n 타입의 동종접합, 혹은 이종 접합 구조나 양자우물 구조를 가지는 나노선 및 이를 이용한 나노소자에 관한 것이다. 여기서, 본 발명의 나노소자에는 나노 어레이(array) 및 나노 어레이를 통해 만들어진 고집적 회로가 포함된다. 본 발명에 따른 나노선은 단일 나노선 안에 정공을 형성시키는 p-타입 영역과 전자를 생성시키는 n-타입 영역을 가짐으로써 나노선 하나 하나가 전계트랜지트터가 되며, 나노선 안에 이종접합구조로 이루어진 매우 얇은 층들을 겹겹이 쌓여진 양자우물구조 또는 초격자구조를 삽입하면 각각의 나노선이 레이저 다이오드나 공명터널링다이오드(resonant tunneling diode, RTD) 등의 나노소자가 된다. 또한 이러한 나노소자들의 어레이를 이용해 고집적회로를 제작할 수 있다본 발명은 복잡한 구조의 나노선 제조를 가능케 하는 나노선 증착법을 이용하여 단일 나노선 형태의 나노소자를 제조함으로써 다양한 구조의 나노선 및 이를 이용한 나노소자를 제공하는 이점이 있다. 또한, 본 발 명은 p-n 접합을 통해 나노사이즈의 전계트랜지스터(FET)나 발광다이오드(LED) 등의 기본적인 전자소자를 제작할 수 있도록 하는 가장 기본적인 나노소자의 구조를 갖는 나노소자를 제공하는 이점이 있다. 그리고, 본 발명은p 타입과 n 타입 영역 사이에 초격자나 양자우물구조를 삽입해서 레이저 다이오드(laser diode)를 제작할 수 있으며, p 타입과 p 타입 혹은, n 타입과 n 타입 영역사이에 초격자 혹은 양자우물구조를 삽입해서, 공명터널링 다이오드(resonant tunneling diode, RTD) 등을 제작할 수 있도록 하는 나노선 및 이를 이용한 나노소자를 제공하는 이점이 있다. 더욱이, 본 발명은 제조되는 단일나노선 각각이 하나의 소자로 작용하도록 하여 십자접합을 이용한 소자보다도 훨씬 집적도가 높은 회로를 보다 용이하게 제작할 수 있도록 된 나노선과 이를 이용한 나노소자를 제공하는 이점이 있다.한편, 본 발명은 기존의 나노소자 제작방법의 한계를 극복하고, 집적도가 높은 회로를 보다 용이하게 만들 수 있을 뿐 만이 아니라, 매우 복잡한 구조를 필요로 하는 다양한 나노소자도 쉽게 제작할 수 있도록 나노선 하나 하나에 복잡한 구조를 부여해서 단일 나노선으로 이루어진 나노소자를 제작하는 방법을 제공하는 이점이 있다.
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- 대구기술이전센터
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- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 나노점·나노입자·나노와이어 제조공정 기술
본 발명은 다중벽 구조의 산화아연계 나노선 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 금속, 반도체, 유전체 등 다양한 이종물질을 코팅시켜 제조된 다중벽(core-shell) 구조의 산화아연계 나노선은, 다기능을 갖는 다양한 나노선이 단일선으로 제작될 수 있어 집적화가 용이하고, 다양한 나노소자의 핵심부품을 제조할 수 있어 다기능 집적형 나노소자 및 나노시스템을 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다본 발명에 따른 다중벽 구조의 산화아연계 나노선은, 유기금속 화학 증착법에 의해 제조된 산화아연 나노선 위에 두께 조절을 하면서 목적하는 용도에 따라 다양한 이종물질을 코팅시킴으로써, 다양한 나노 구조물을 단일나노선 형태로 얻는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 방법에 있어서, 산화아연계 나노선 위에 코팅하는 물질로는 특별한 제약은 없고, 밴드갭 조절, 전기전도도 조절, 자성물질 첨가, 새로운 나노 선 또는 나노튜브 형성 등의 목적하는 용도에 따라 다양하게 거의 모든 물질을 사용할 수 있다.예를 들면, 밴드갭 조절을 위해 산화아연 나노선 위에 코팅하는 물질로는, 마그네슘(Mg), 카드뮴(Cd) 등을 들 수 있으며, 산화아연 나노선 위에 이들 금속을 코팅시켜 산화아연(ZnO)에 마그네슘 또는 카드뮴이 첨가된 형태의 산화아연마그네슘(Zn 1-x Mg x O, 0<x<1) 또는 산화아연 카드뮴(Zn 1-x Cd x O, 0<x<1) 등을 제조할 수 있다.자성을 띄게 하기 위해 사용되는 물질로는 망간(Mn), 코발트(Co) 등이 있으며, 본 발명에 따라 산화아연 나노선 위에 이들 전이금속을 코팅시켜 산화아연에 망간 또는 코발트가 도핑된 형태의 산화아연 망간(Zn 1-x Mn x O, 0<x<1) 또는 산화아연 코발트(Zn 1-x Co x O, 0<x<1) 등을 제조할 수 있다
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- 대구기술이전센터
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- 2006-06-12
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화학공정 > 기타 분리·정제 기술
*원리 및 구성본 기술은 세정물의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 방법에 관한 것으로, 세정물에 액막을 도포하고, 하나 이상의 광학부를 통과한 레이저 펄스를 세정물위의 소정 거리로 떨어진 곳에서 포커싱(focusing)하여 플라즈마를 발생시켜 충격파를 생성하며, 액막이 도포된 세정물 표면에 레이저를 조사(照射)하여 액막을 기화시키고, 충격파가 불순물에 도달되는 시간과 세정물 위에서 액막의 증발이 일어나는 시간을 동기화하며, 도달시간이 동기화된 증발압력과 충격파로 불순물을 제거하는 것이다.*개발배경나노 수준으로 제품을 생산하는 반도체 산업 분야에서 불순물은 제품의 성능에 치명적인 영향을 미친다. 극저온 세정 기법은 기계적인 충돌로 인해 세정물에 물리적인 손상을 야기시킬 우려가 크며, 또한 수십나노 크기의 불순물을 정확히 조준하는 것 역시 힘든 문제이다.*중요성 및 독창성본 기술은 화학약품을 이용하지 않고 레이저를 사용해서 레이저 유기 충격파와 액막으로 유도되는 증발 압력을 동기화하여, 불순물의 제거를 수행하는 것이다.*응용분야정밀 화학분야에서 표면에 부착된 불순물을 환경오염을 최소화 시키면서 제거할 수 있는 것으로, 반도체, 디스플레이 제조 등에서 사용될 수 있다.*특징 및 장점본 기술에 따르면, 세정물의 표면에 액막으로부터 유발되는 증발 압력과, 세정물의 소정 높이에서 레이저 펄스를 집속시켜 발생한 충격파를 동기하여 이를 세정력으로 이용함으로써, 세정물에 부착된 입자 형태의 불순물을 종래 방식들보다 높은 효율로 제거할 수 있다.
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- 대구기술이전센터
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- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 기타 분자·나노 화학공정 기술
레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다.본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 하는 이점을 제공한다.그리고, 본 발명은 기재위에 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 분리시킴으로써 나노막대의 손상없이 균일한 크기를 가지는 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 이점을 제공한다.또한, 본 발명은 단일 나노소자 및 복합 나노소자의 집적화를 통해 고효율, 고집적, 복합기능의 나노소자의 개발을 가능하게 할 수 있는 이점을 제공한다
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
본 발명은 리가 공정을 이용한 삼각 산맥 구조물과 그 성형틀 제조방법에 관한 것으로, 특히 기판 상부에 X-선 감광제를 접합하고, X-선 투과층 상부에 삼각 산맥 구조물의 영역을 정의하는 X-선을 흡수하는 물질로 이루어진 마스크 패턴을 형성하고, X-선 감광제와 마스크 패턴을 밀착시키고 X-선 투과층에 서로 다른 입사방향의 경사진 각도로 2번 노광을 실시하고, X-선 노광을 한 뒤에 X-선 마스크와 감광제를 분리한 후 X-선 감광제를 현상하여 기판 상부에 삼각산맥 구조물 패턴을 형성하고, X-선 감광제 상부에 시드층을 형성하고 금속층을 두껍게 형성한 후에, 삼각 산맥 구조물 패턴 및 기판을 모두 제거하여 삼각 산맥의 피크 끝 부분이 날카로운 미세 삼각 산맥 구조물의 성형틀을 제작할 수있다. 그리고, 본 발명은 삼각 산맥 구조물의 성형틀에 연성의 성형물질을 붓고 이를 성형한 후에, 성형틀에서 굳은 성형물질을 분리하여 항력을 효율적으로 감쇠시키면서 곡면 등에도 적용할 수 있는 피크가 날카로운 유연한 미세 삼각 산맥 구조물을 제조한다. 또한 금속 물질로 제조된 성형틀은 사출 성형, 압출 성형 또는 핫 엠보싱 공정 등의 금형 공정에 사용할 수 있으므로 금형 공정들을 통해 미세 삼각 산맥 구조물의 대량생산도 가능하다.본 발명은 X-선 사진 식각 공정, 도금 공정, 사출 성형 공정을 포함하는 리가(LIGA) 기술을 이용하여 금속 성형틀을 형성하므로 피크 부분이 날카로운 미세 삼각산맥 구조물을 제작할 수 있을 뿐만 아니라 피크의 각도를 조절할 수 있어 최적화된 삼각 산맥의 형상을 구현할 수 있고 대면적의 성형틀을 만들 수 있다. 게다가 본 발명은 이러한 성형틀을 이용하여 유연한 폴리머로 삼각 산맥 구조물을 성형할 수 있기 때문에 유연한 삼각산맥 구조물을 대량으로 생산할 수 있게 한다. 유연한 구조물 특성에 의해 평평한 부분만 아니라 곡면에도 붙일 수 있어서 삼각 산맥 구조물의 적용범위가 확대된다. 더욱이 성형 물질로서 PDMS와 같이 투명한 물질을 사용할 경우, 삼각 산맥 구조물을 적용하게 되는 물체의 표면상태를 시각적으로 관찰할 수 있는 이점도 있다. 또한, 본 발명은 리가 공정을 이용하여 제작한 성형틀을 금형으로 이용하는 사출 성형, 압출 성형 또는 핫 엠보싱 공정을 실시하여 미세 삼각 산맥 구조물의 대량생산도 가능하다. 한편, 본 발명은 상술한 실시예에 국한되는 것이 아니라 후술되는 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 여러 가지 변형이 가능하다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-06-12
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일반기술
화학공정 > 고분자 입자 제조 기술
본 발명은 새로운 형태의 거대 단량체인 십(†)자형 폴리우레탄 거대 단량체와 그 중합방법 및 이를 이용한 비닐계 고분자 입자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 머리부분에 친유성기와 꼬리부분에 친수성기를 가지는 십(†)자형 단량체로서 비닐기가 머리부분에 위치한 폴리우레탄 거대 단량체와, 이 폴리우레탄 거대 단량체를 비닐계 고분자 중합에 일정량 혼합하여 중합을 수행하면 종래의 특정 가교제와 안정제의 사용 없이 입자의 안정성 및 가교성이 동시에 부여된 구형의 단분산 비닐계 고분자 입자의 중합이 가능한 비닐계 고분자 입자의 제조방법에 관한 것이다.미국특허 제5,362,826호, 제5,231,131호, 일본특허 공개 평7-506392호, 평9-3144, 평5-127049호, 평6-73106호, J. Polym. Sci., Polym. Chem. 24, 2995(1986), Colloid Polymer Sci., 269, 217 (1991)에서는 다양한 방법으로 마이크론 크기의 가교 결합된 단분산 입자를 얻는 방법들이 소개되어 있으나 생성되는 입자들의 크기 분포가 넓으며 안정성을 갖지 못하는 단점이 있다. 이러한 단점들을 극복하기 위하여, 선형 고분자 사슬로 구성되거나 또는 아주 낮은 가교밀도를 갖는 씨드입자를 제조한 다음 상대적으로 높은 함량으로 가교 결합된 단량체로 구성되는 단량체 혼합물로 팽윤시킨 다음 중합하여 목적하는 가교밀도가 높은 입자를 얻는 중합법이 소개되기도 하였다. 하지만 이러한 경우 구형의 가교 결합된 입자를 얻을 수 있으나 씨드를 포함하여 전체 입자 중에서 가교 결합된 단량체가 차지하는 비율이 너무 낮아 최종 생성물의 물리적 성질이 나빠지는 단점이 있다. 또한, 입자의 가교밀도가 낮아지게 되면 충분한 기계적 강도를 유지하지 못하는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 실용적으로 많이 사용할 수 있는 높은 가교밀도를 가지면서 마이크론 크기의 안정한 구형 입자를 만들기 위한 많은 노력들이 이루어져 왔으며, J. Appl. Poly. Sci., Vol. 50, p. 2027-2034 (1993)에서는 2～11 중량부의 디비닐베젠을 사용할 경우 분산 입자들의 응집이 일어나지만, 디비닐벤젠의 함량이 22 중량부 이상일 경우에는 입자 크기가 0.4～1.2 마이크론에 이르는 안정한 고분자 입자를 얻을 수 있다고 기술하고 있다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-11
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
*원리 및 구성본 기술은 마이크로 유체 유동에서 서로 다른 종류의 유체를 혼합할 때 이용되는 마이크로 믹서에 관한 것으로서, 유체의 혼합을 위해 소정 각도로 꼬인 트위스트 블레이드(twisted blade)가 그 내부에 개별적으로 설치되는 복수개 파이프 부재들의 각각의 양단에 분해 및 조립을 위한 요철(凹凸)부를 형성한 것이다.*개발배경종래의 마이크로 믹서는 성형후, 파이프 내부 및/또는 트위스트 블레이드를 세척하기가 매우 어려우며, 트위스트 블레이드들을 파이프 내부에 설치하는 것 또한 매우 어려운 문제점을 가지고 있다.*중요성 및 독창성본 기술은 유체의 혼합을 위해 소정 각도로 꼬인 트위스트 블레이드 부재와 트위스트 블레이드 부재가 그 내부에 개별적으로 각각 설치되는 복수개의 파이프 부재들을 포함하고, 파이프 부재들 각각은 그 양단에 파이프 부재들간의 분해 및 조립을 위한 분해조립 수단이 형성된 것에 특징이 있다.*응용분야본 기술에 따른 마이크로 믹서는 세척이 용이하고, 조립 및 유지보수가 편리하여 초소형 유체 믹서, 또는 이종의 유체를 혼합하는 기기에 활용될 수 있다.*특징 및 장점본 기술에 따르면 유체의 혼합을 위해 소정 각도로 꼬인 트위스트 블레이드(twisted blade)가 그 내부에 개별적으로 설치되는 복수개 파이프 부재들의 각각의 양단에 조립 및 분해를 위한 요철(凹凸)부를 형성하고 있기 때문에 마이크로 믹서의 세척을 용이하게 하고 조립 및 유지보수의 편의성을 향상시킬 수 있도록 하는 이점이 있으며, 분해 및 조립이 가능하다.
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- 대구기술이전센터
- 등록일
- 2006-05-18
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일반기술
화학공정 > 기타 고분자 공정 기술
본 발명은 탄소 나노튜브 표면에 고분자 중합반응에 참여할 수 있는 비닐기를 도입하여 전구체를 만든 후, 이를 이용하여 고분자가 그래프팅된 탄소 나노튜브를 제조하는 것에 관한 것으로서, 더욱 자세히 설명하면 탄소 나노튜브를 산으로 처리한 후 생성된 작용기에 비닐기를 도입한 후 이를 고분자 중합에 있어서 비닐계 단량체와 혼합하여 중합을 실시하여 탄소 나노튜브 표면에 고분자가 그래프팅되어, 탄소 나노튜브와 고분자의 복합체 제조에 있어서 탄소 나노튜브의 강한 반데르 발스 인력을 감소시켜 탄소 나노튜브를 고분자에 균일하게 분산시켜, 우수한 물성을 지닌 복합체 제조를 위하여 고분자를 탄소 나노튜브 표면에서 그래프팅 시키는 제조과정에 관한 것이다.고분자/탄소나노튜브 나노복합재료를 제조하기 위한 핵심 기술은 탄소나노튜브의 종횡비를 손상시키지 않으면서 탄소나노튜브를 고분자에 응집이 없이 균일하게 분산시키는 것과 탄소나노튜브 매트릭스인 고분자간 계면의 상호인력을 증가시켜 젖음성 및 접착력을 항상시키는 것이다. 일반적으로 탄소나노튜브는 고유의 반데르 발스 인력이 높으며 표면적과 종횡비가 매우 큼으로 인하여 자체적인 응집이 발생하여 탄소 나노튜브 만의 우수한 물성이 매트릭스에 균일하게 전달되지 못하는 문제점이 해결되지 못하고 있다.이러한 문제점을 해결하기 위하여 기존 국내외의 연구는 탄소 나노튜브전처리, 용융혼합, in-situ 중합, 용액처리법이 사용되고 있다.탄소 나노튜브의 전처리는 초음파나 플라즈마 또는 ball-mill을 통해서 자체가 응집된 부분을 풀어주거나 표면처리 하는방법이다. 하지만 이 방법은 전처리 과정동안 탄소나노튜브 가 파괴되는 문제점이 있다. 용융혼합법은 압출, 사출성형, INTERNAL MIXING 등과 같은 고분자의 범용 가공기술에 쉽게 적용할 수 있기 때문에 공정상 간단하고 환경상 유해한 유기용매가 사용되지 않는 장점을 지니고 있어 다양한 플라스틱과 고무소재를 매트릭스로 사용할 수 있다. 하지만 탄소나노튜브의 응집된 형태가 그대로 잔존하게 되어 이상적으로 분산된 구조를 얻기가 어렵다는 단점이 있다. in-situ 중합법은 탄소나노튜브 매트릭스로 사용하고자 하는 액체 상태인 고분자의 단량체와 혼합하여 초음파를 가한 후 괴상중합을 시키는 방법으로 괴상중합시 중합이 진행됨에 따라 상승하는 반응열 및 점도를 조절하기 용이하지 않다. 용액처리법은 고분자를 유기용매에 녹인후 탄소나노튜브를 이 용액에 분산시킨 후 물과 같은 고분자에 불용인 액체에 이 용액을 섞어 침전을 시켜 고분자에 탄소나노튜브를 균일하게 분산시키는 방법으로 미국의 펜실베니아대학 연구팀이 고안한 방법은 탄소나노튜브에 고분자를 중합시키면서 동시에 직접 분산시키는 것과는 거리가 먼 기술이다. 최근 미국 애크론대학 연구팀은 초음파를 고분자 가공법인 압출과정에 적용하여 탄소나노튜브를 고분자에 분산시키는 방법을 계발할 계획을 세웠으나 이 방법 또한 고분자 자체의 물성이 저하되는 문제점이 예상된다.
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- 인하대학교
- 등록일
- 2006-05-11
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