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전기·전자 > 기타 반도체
새로운 형태의 광전변환기는 변환기 표면에 광 플럭스 강도에 비례한 주파수를 가진 회로에 광학사진을 전류 맥동 주파수로 변환하기 위하여 제안된다. 이 플럭스 강도는 변환기 표면의 투광된 부분의 일정한 값에 의하여 그리고 일정한 강도의 광 플럭스에 의하여 변환기 표면에 투광된 면적의 값에 비례하여 정해진 것이다. 이런 변환기는 높은 공간 해상도를 가지고 있고, 이메지 인식 시스템에 그리고 로봇기술 시스템의 센서로 사용될 수 있다. 제안된 변환기는 특별한 형태의 반도체 MIS 구조에서 전기장의 광유도 공간 재조정을 통하여 작동한다. (여기서 “M”은 metal, 금속, :I”는 insulating gas layer, 절연 가스층, “S”는 wide bandgap-insulating semiconductor crystal, 폭 넓은 bandgap-절연 반도체 결정임.). 직류 전압이 광전변환기에 가해지며, 그것은 광활성 광 플럭스에 의하여 투광된다.새로운 기능 적용이 되어 있는 광전변환기의 개
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전기·전자 > 기타 반도체
신형의 적합한 광전변환기가 비정상상태 광-기전력의 효과를 기초로 하여 개발되었다. 이 광전변환기의 주목표는 온도 변화,진동 등으로 인하여 간섭계에 천천히 변화하는 상 전환에 수반하는 억제와 함께, 상이 변조된 광학 신호를 전류로 직접 변환하는 것이다. 이 효과를 기초로 하는 레이저 진동계와 센서는 재래식 간섭계 시스템과 동일한 감도를 가지고 있다. 그러나 그것은 훨씬 더 간단하고 신뢰성 있고 비용면에서 효과적이다. 적합한 광전변환기는 재료 검수, 작동기와 변환기의 교정, 박막의 압전 및 전광 계수의 측정(마이크로 전자기계시스템에 활용,MEMs) 및 초음파의 광학 검출에 사용될 수 있다.광-기전력 효과를 사용한 새로운 광학 센서의 개발; 적합한 광전변환기로서 Multiple Quantum Wells (MQWs)의 활용; 반도체 재료의 특성화.
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전기·전자 > 기타 반도체
Bulk 실리콘 단결정이 예측 가능한 미래에 핵심 위치를 유지할, 현재로서는 기본적인 전자공학 재료이다. 동시에 실리콘은 그 낮은 방사선 재결합 확률 때문에 광전 분야 적용에는 제한적이다. 실온에서 기공성 실리콘으로부터 고강도 가시적 방출의 발견 이래, 양자 속박효과를 기초로 한 효과적인 광원으로서의 구조를 사용하는 가능성을 개발하고자 하는 세계적인 활동이 있어 왔다. 나노미터 크기의 실리콘 구조를 조립하기 위한 각종 기술이 개발되어 시험되었고 광 방출은 전체 가시 스펙트럼에 걸쳐 이루어졌다. 실리콘 나노구조를 형성하는 가장 유망한 방법은 Si+ 이온을 SiO₂기반에 이식하고 잇달아 서냉시키는 이온-빔 합성법이다. 우리의 접근은 우리로 하여금 다음의 특정 조건 하에서 보라색으로부터 적색까지 그리고 근적외선까지 전체 가시 스펙트럼을 가진 빛 방출을 얻도록 해준다. - 다중 에너지 이식 - 저온 목표 온도 - 제2차 나노초 이하 맥동 지속 범위에서 맥동 서냉 - 방사선과 압력을 올린 처리정보의 광학처리, 대면적 평판 디스플레이, optrons, 광원, 필터, 광학 증폭기, 단주상형상의 광자 누적 장치, 비선형 광학 장치 및 재료.
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재료 > 기타 세라믹재료
세 가지 형태의 유망한 유기 재료가 분자 발광 연구실의 초점을 모으고 있다. 즉 J-집합체, dendrimer, 및 공액 구조의 중합체이다. 1). J-집합체는 비정상 여기자 특성을 가진 1D 및 2D 분자 시스템의 실제 예이다. 2). Dendrimer는 각종 활성 종을 위한 특정 매트릭스로서 매력적인 새로운 중합체이다. 3). 공액 구조의 중합체는 전자발광장치를 위한 유망한 용도가 있다. 우리는 각종 최신 실험기술을 사용한다. 즉 이들 영역에서 전자 여기와 에너지 전달 기구의 연구를 위해서 선택적 레이저 분광분석기술 (형광 line narrowing 및 스펙트럼 구멍 연소), 시간해결 분광분석기술 (나노 및 피코 초 영역에서), 그리고 중합체 필름의 품질 분석을 위한 FTIR 및 IR 분광분석기술, 전자 회절 및 X-선 회절분석 등이다.모든 재료는 전자발광장치에서 전망 있는 것이다. Dendrimer는 촉매 시스템 혹은 약품과 같은 여러 용도를 위한 유기 및 무기 분자 덩어리의 부동화를 위한 중합체 기반으로서 사용될 수 있다.
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재료 > 기타 세라믹재료
알려진 것처럼 가시선 및 자외선 스펙트럼 범위에 퍼져 있는 반도체 광전자는 주로 base wide gap II-VI 및 III-V 화합물에서 가능하다. 그러나 n-형만의 자기보상 및 단극 전도성 경향을 극복할 필요가 있다.연구 목표는 p-형 II-VI 및 III-V 재료와, 그것을 기초로 한 빛을 발하는 광 다이오드의 생산을 위한 p-n 단종 및 이종 구조를 얻는데 있다. 보통 MBE 및 MOCVD의 고가 방법은 고품질의 이종접합을 얻는데 사용된다. Radical Beam Gettering Epitaxy의 원래 방법은 훨씬 낮은 비용으로 똑 같은 결과를 얻게 해준다. 이 방법의 가능성은 ZnS, ZnSe 및 ZnO에서 보였다. 이 방법은 비금속 원자 분위기에서 반도체 재료의 열처리 방법을 사용하는 것을 기초로 하고 있다.스펙트럼의 녹색, 청색, 및 자외선 범위에서 빛을 발하는 광 다이오드의 조립.
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전기·전자 > 전자부품
방사선 기술을 위한 고압 전자가속기의 연구, 개발 및 제작이 수년 동안 NIIEFA 활동의 주요한 분야 중의 하나였다. “Electron” 및 “Aurora” 계열의 전자가속기가 40대 이상 현재까지 0.3-2.5 MeV의 전자에너지 범위와 100 kW까지의 빔 출력 범위에서 제작되었다. 이들 중 많은 가속기가 산업 공장의 각종 방사선 공정에서 사용되고 있고, 이 때문에 전력소모의 감소와 환경오염의 감소를 기하게 되었다. 이들 공정 중에는 도장물의 숙성, 중합체의 변경 및 고무제품의 방사선 경화 등이 있다. 운전 경험에 의하면 이미 언급한 가속기의 신뢰성, 효율, 및 기타 특성은 산업장치 표준에 해당한다는 것을 보여준다.NIIEFA에서 개발중인 고압가속기는 발전소에서 배출가스를 정화하고 정유공장, 목재 방사선 살균 및 음식 살균에 사용하기 위한 것이다. 이들 가속기의 빔 출력과 전자에너지는 수 MW 및 4-5 MeV이며 따라서 이것은 전에 달성된 것보다 현저하게 더 큰 것이다.1). 1 A까지의 빔 전류와 수천 시간의 수명을 가진 전자 쏘스의 개발. 2). 5 MeV까지의 에너지 수준과 수 MW까지의 빔 출력에서 가속기 고압발생기의 수치모의 및 최적화. 3). 가속된 전자 혹은 제동복사 및 변수의 최적화에 의해서 각종 재료 및 제품의 처리를 위한 조사장 형상화 시스템의 개발.
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전기·전자 > 전자부품
최근에 화학기술과 생태학에서 저온 플라스마의 가능한 적용법이 추구되었다. 플라스마화학 공정의 효율은 플라스마 생산(플라스마 빔 방전, SHF 방전, 자기지속 백열 방전, e-beam 제어된 비자기지속 방전), 전력 출력방법(연속 혹은 맥동,맥동 지속), 및 플라스마 변수(전기장 강도, 빔 전류등)의 관점에서 결정된다.플라스마 생산의 특정 수단에 최적인 플라스마화학 반응기 설계 및 플라스마 주 변수 범위의 선정은 많은 양의 실험과 계산을 요한다.NPO “Energia”는 대기압에 가까운 압력에서 가스 혼합물에 비자기지속 방전의 장기간 발생을 제공해주는 시설을 운전하고 있다. 이 시설은 20 kV/cm까지의 장의 관심, 10 mA/cm²까지의 전자빔 전류밀도와 1000 m³/hour까지의 처리된 가스 혼합물을 가능하게 한다.실험연구 및 컴퓨터 모의시험은 다음 분야에서 수행될 것이다. 오존의 합성, 질산 및 그 염의 합성, 산업용 중요 가스의 합성 (암모니아, 하이드라진 등), 질소 및 유황의 독성 산화물을 제거하기 위한 가스 정화. 가스 레이저의 활성 혼합물에 플라스마화학 공정의 연구
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전기·전자 > 계측기기
고순도 실리콘에 대한 요구사항이 세계적으로 꾸준히 증가하고 있다. 실리콘 순도에 대한 수요도 똑같이 증가하고 있다. Institute of Semiconductor Physics SB RA는 고순도 실리콘의 제조방법과 장치, 인증작업을 활발하게 개발하고 있다. 이러한 실리콘에 잔류 불순물의 낮은 함량은 불순물 분류와 농도의 결정을 위하여 고감도 방법의 적용을 요구한다. 저온 광발광(PL), EPR 및 Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)와 같은 방법은 불순물의 저농도를 등록하게 할 뿐만 아니라 특이한 형태의 불순물을 관찰할 수 있는 신호를 분류하게 해준다. 이들 방법은 실리콘에서 I, III, V 족의 불순물을 등록하는데 유용하다. 그러나 초기 조건에서 전기적 활성을 나타내지 않는 많은 불순물이 있으며 결과적으로 특정 방법에 의하여 검출되지 않는다.프로젝트 결과는 과학적 관심이며 널리 적용될 수 있다. 개발된 방법은 순수 실리콘의 특성화에 사용될 수 있으며, 이것은 이온화 방사선의 고감도 검출기의 제작 및 환경 모니터링에 사용될 수 있다.
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전기·전자 > 전자부품
광전자 및 광학전자 장치 개발을 위하여 3원 GaAlAs 및 4원 InGaAsP 고체용액에 S, Be, Mg 이온에 의한 다량의 이온 이식에 대한 연구를 계획하고 있다. 기판의 복잡한 구성과 휘발 성분의 존재 때문에 이런 종류의 장치에 대해서 전통적인 주입방법 (확산)이 이 경우에는 사용될 수 없다. 다량의 이식을 포함하여 상기 고체 용액을 이식할 때 복사 결함의 발생과 이완 및 이식되는 불순물의 활성화에 관한 기본정보가 처음으로 얻어질 것이다. 주량 주입층 제조를 위한 적정 기술 영역도 선정될 것이다.TV 원격조작 및 광섬유 통신 채널의 광수신기을 위한 방출 다이오드 의 제조
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재료 > 기타 고분자재료
최근에 폴리이미드(PI)가 높은 열안정성과 함께 우수한 물리-기계적, 필름 성형성, 및 전자 특성의 독특한 결합 때문에 광학 전자 분야에서 더 넓은 용도를 발견하였다. 전자 도너-억W터 (EDA) 상호작용 (체인 간 밑 체인 내부)이 주로 이들 중합체의 광전기적, 전기적, 스펙트럼, 발광성 및 기타 다른 전자 특성을 결정한다는 것이 필자에 의하여 전에 밝혀졌다. 이 개념에 의하여 용해성 광전도성 PI가, S =50-100m2/J 까지의 UV 및 청색 스펙트럼 영역에서의 민감성, (0.1 까지의 높은 전기장에 대하여) 10^-2 electron/photon 이상의 광발생 양자 수율, 10^-4cm2/V-sec 까지의 주전하 담체(구멍)의 기동성과 함께 개발되었다. 모든 가시 영역 및 근적외선 스펙트럼 영역에 대해서 효과적인 스펙트럼 감광 가능성이 밝혀졌다.발광 다이오드에서 전자발광층은 물론 LC STLM과 광굴절 재료(감광제 및 비선형 화합물과 결합하여)에서 이들 중합체를 광도체로 사용하는 것이 가능하다.
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원자력 > 기타 방사선방호·이용 기술
현재 X-선 이미지 등록을 위한 인기 있고 자주 사용되는 방법의 대부분은 복합 할로겐화물 자극성, 인으로 변경된 BaFBr:Eu와 같은 희토류 원소를 기초로 한 이메지 판이다. 이 방법은 몇 가지 피할 수 없는 단점을 가지고 있다.- 실온에서조차 시간의 경과시 얻어진 정보의 손실 - 해독시 이메지의 손상 - 낮은 공간 해상도 (150 μm). Boreskov Institute of Catalysis는 알카리러 처리된 할로겐 화합물을 기초로 은이 아닌 새로운 방사광 발광 저장 인을 개발하였다.방사광 발광 (RPL)기술은 위 방법의 대부분의 결점을 제거해준다.재료, 다른 조성, 및 합성방법의 연구. 그 외 형광법은, 재료가 광학 형광법에 대해서 투명하고 적은 X-선 흡수도를 가지고 있기 때문에 폭(1 μm)과 깊이(100-1000 μm) 사이의 관계를 보여준다. 콘트라스트가 큰 상의 등록을 위해서는 특별한 광학을 설계할 필요가 있다.
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재료 > 기타 고분자재료
광자 및 전자 중합체 장치를 위한 새로운 중합체 재료의 개발 목적으로 우리들은 잠재적인 우물과 장애물()을 교대로 제공하는 규칙적인 구조를 가진 새로운 중합순서를 개발한다. 규칙적인 중합체 순서는 짧고 긴 범위 둘 다에서 효과적인 국부화 효과를 보장하기 위하여 충분히 길어야 한다. 결과적으로 변조된 Eg와 비교적 높은 양자 수율을 가진 새로운 중합체 재료가 얻어질 것이다. 비니렌과아세티렌이 절반씩으로 연결된 Oligoarylene 은 이 문제 해결을 위한 유망한 물체다.첫째 형식은 Ni 촉매로 된 축중합을 이용하여 diphenyl로 치환된 비니렌 그룹과 연결된 치환이 되었건 안되었건 간에 다른 양의 방향족 고리를 가진 dibromo- 및 dichloro- 가 들어 있는 oligoarylene으로부터 제조된다. 이 경우 비니렌 절반 사이의 중합체에 있는 방향족 고리의 양은 단량체와 비교하여 두 배 이상 더 많다.기대되는 높은 양자 수율 효율은 발광 다이오드에 중합체의 적용을 제공할 수 있다.
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재료 > 기타 고분자재료
높은 형광 효율을 가진 polyheteroarylene 합성법이 세계에서 처음으로 개발되었다. 중합체는 주 중합체 사슬에 형광체 파편의 도입에 의해서 형성된다. 형광 중합체의 액체 고체 용액이 실온에서 80 %에 달하는 형광중합체 양자 수율을 올릴만큼 탁월하다는 것이 밝혀졌다.고유한 형광 중합체 bifluorophores을 가진 신세대 중합체가 개발되었다. 이 중합체는 주 중합체 사슬의 각 단위에 두 개의 다른 bifluorophores을 가지고 있다. 하나의 fluorophore는 전자여기 에너지의 도너이고 다른 하나는 억W터이다. 그 때문에 고체 및 액체 중합체 용액에서 중합체 사슬을 따라 전자여기 에너지의 전달고정이 가능하다.중합체 fluorophores 및 bifluorophores는 중요한 실제 용도를 가지고 있다. 그것은 분자 다이오드로서 분자전자장치에 사용되며, 특히 고체 레이저를 위한 활성 레이저 매체로서, 광섬유 선을 따라 정보의 전달시 단파 복사의 장파로의 변환을 위하여, 복사시 특히 다른 복사에 대한 감지기로, 금속 표면의 결함 정의를 위하여, 효율을 증가시킬 목적으로 태양전지의 개조를 위하여 사용될 수 있다. 이 중합체의 생산은 표준 장치를 사용하여 어떤 화학공장에서도 가능하다.
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기계 > 기타 에너지·환경기계
Singlet 산소를 효과적으로 사용할 수 있는 많은 분야가 있다. 가장 유망한 것 중에는 물 정화, 요드 화학 레이저, 의약 등이 있다. Singlet 산소를 생산하기 위한 일상적인 방법은 과산화수소의 화학변환을 기초로 하고 있다. 가장 유망한 방법 중의 하나는 fullerenes C60을 기초로 하는 것이다. 많은 실험에서 밝혀진 것처럼 용존 산소 존재 하에 수용액에서 fullerenes 필름을 자외선 조사하면 결과는 Singlet 산소의 생산으로 된다. 그것은 자외선 조사된 C60-O2 계에서 안스라센 산화시 구체적으로 입증된다. 제안된 프로젝트의 주목적은 언급한 현상을 기초로 하여 대규모 Singlet 산소 생산시설의 설계이다. 대규모 Singlet 산소 생산을 위해서 제안된 방법은 독특한 것이다. 과산화수소 반응을 기초로 하는 일상적인 방법과 비교하여 많은 점에서 이것이 훨씬 더 유용하고 효과적인 것으로 밝혀졌다.대규모 Singlet 산소 생산시설은 물 정화시설에 사용될 것이다. Singlet 산소는 유독성 물 오염물질(첫째로 유기물질)의 산화를 촉진하여 그것들을 비용해성으로 만들어 쉽게 제거되게 한다.
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
최근에 발전된 마이크로 전자 및 광학전자 장치의 조립을 위하여 열안정성이 높은 폴리이미드(PI)의 개발과 적용에 있어서 놀랄만한 발전이 이루어졌다. PI 재료는 높은 열안정성, 낮은 유전상수, 높은 전기강도, 화학적 불활성, 아름다운 물리화학적 및 필름 성형 특성과 같은 우수한 특성을 가지고 있다. 보통 PI광 방식제는 용해성 PI의 유기 용매 혹은 그들의 선구물질(polyamic acid)의 형태로 사용된다. 스핀 도포 및 건조후 PI 필름은 자외선 노출된 다음 유기용매에 의하여 현상된다. PI 선구물질의 경우에는 이 공정 후에 300-400°C의 열 숙성 imidization 공정이 요구된다. 그래서 이 기술은 두 개의 습식공정을 사용하며 이것이 PI 필름이 기판에 약하게 부착되는 주원인이 된다. 또한 필름의 팽창에 의한 낮은 해상도 및 금속 이온에 의한 오염도 이것이 원인이다.
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- 2000-04-24
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일반기술
에너지·자원 > 기타 대체에너지
오늘날 세계에서는 15-30 Mpa이하의 낮은 수소 압력에서 잔류 유분(유황,바나듐,닉켈 함량이 높은, 비점 520°C의 타르, 연료유 등)으로부터 증류 유분(가솔린, 디젤 연료, 촉매분해를 위한 원료)을 생산할 수 있는 간단하고도 효율적인 기술은 없다. 15-30 Mpa의 높은 압력에서 수소화법에 의하여 잔류 중질유를 자동차 연료로 수소처리 하기 위한 몇 가지 공법이 전 세계에 걸쳐 개발되었다 (H-Oil, Chevron, Exxon, Shell, UOP, IFP etc.). 오일 처리를 85-90 %까지 증가시키기 위하여 수소화에 관한 연구가 6 Mpa의 압력, 425-430°C ,1.0-2.0/h의 원료 공간속도 및 활성 촉매의 조건에서 러시아의 화석연료연구소(FFI)에서 수행되었다. 신공정의 핵심은 다음과 같다. 촉매 첨가제의 수용액, 이 때문에 VI-VIII 족의 수용성 금속염이 사용- N1822571 A3 SU 되며, 잔류 중질유와 혼합되어 분산된 다음 특수장치에서 추가 supercavitation 공정을 거치게 된다. 6 Mpa까지의 수소 압력 하에서 잔류 중질유를 증유분과 금속 농축물(V, Ni)로 수소화하는 공정이 러시아 FFI에서 파일럿 규모로, “물리 및 전력공학 연구소” (Obninsk)에서 파일럿 플랜트 규모로 개발되었다.상호 평가와 효율적인 기술의 확립에 사용될 데이터의 확보. (반응 모델링, 컴퓨터 코드의 개발, 반응변수의 추정, 촉매회수, 설계, 실험 반응기 설계, 촉매 유탁기 설계, 공정제어 설계)이는 고품질 자동차 연료의 생산을 위한 잔류 중질유의 활용, 및 년간 잔류 중질유 100만 톤 생산 능력의 산업적인 공장의 프로젝트 설계를 가능하게 할 것이다.
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
가역 광학 데이터 저장을 위한 유기 재료의 합성은 지난 10년간 집중적인 개발 과제였다. 특히 그것은 diarylethenes의 잠재적 적용과 관련되어 있다. Diarylethene이 가장 유망한 것 같다. 그것의 합성은 일본 규슈대학 공과대학원의 M. Irie 교수의 실험실에서만 매우 집중적으로 행해지고 있다.이 분야의 인상적인 발전에도 불구하고 아직도 dithienylethenes의 구조(치환체들, ethene ‘bridge’의 형식, 다른 이질순환구조와의 결합, 공액물의 길이)와, 물리화학적 특성(피로저항, 두 동위체의 열 안정성, 용해도) 및 스펙트럼 특성(700 nm 이상의 최대 흡수도, 양자 수율, 용해도) 사이의 명백한 상관관계의 결여라는 심각한 문제가 남아 있다. 정보 판독의 문제가 아직 큰 관심사다.Dithienylethenes을 기초로 한 ,그 동위체의 열안정성과 높은 피로저항을 가진 광색성계는 장래 각종 광학전자장치를 개발하는데 활용될 것이다.
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- 2000-04-24
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
다양한 포타슘 단결정 생산기술이 개발되었다. 특히 무색상태로부터 청색까지 변함으로서 280-320 nm band의 자외선 복사에 응답하는 알카리 금속으로 합금된 포타슘 요드 (KI)에 대한 생산기술이 개발되었다. 산란된 빛의 작용 하에서 8-12시간 후 결정은 다시 무색으로 되며 자외선 복사의 지시를 위하여 재사용될 수 있다. 착색-탈색 주기의 수는 15 이상이다. 결정들은 약 5 J/sqm에 해당하는 자외선 복사선량에 응답한다(착색이 변한다). 이것은 세계공중보건기구에서 추천되는 1 TLV 의 선량에 해당한다. 이처럼 포타슘 요드를 기초로 한 활성 원소들이 일광욕시 질환의 위험성을 낮추기 위하여 G-band의 유해한 자외선 복사선량을 조절하는데 사람들에 의하여 사용될 수 있다.이 활성 원소들이 국가표준원에서 국제규정 및 조건에 맞추어 시험되었다. 활성 원소들의 원형 시료들이 생산되어 UV-G-지시계가 조립되었다.50 이상의 작업 주기를 가지고 있고, 5 J/sqm 이하의 선량을 등록할 수 있는, C-band와 (C+B)-band에 민감한 활성원소들의 개발
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- 2000-04-24
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일반기술
물리학 > 기타 광학
화학발광 측정 시스템이 자유기 형성에 의해서 진행되는 화학 및 생화학반응과 생물학적 공정을 수반하는 극히 미약한 빛 방출을 기록하기 위하여 개발되었다. 화학발광 연구에 의하면 가장 반응성이 있는 기 및 그리고 수명이 짧은 기마저도 측정할 수 있게 한다. 이것은 자유기 추정을 위한 독특한 방법이며, 시료의 특별한 준비나 특정 실험실 조건을 요구하지 않으며, 급속 분석법에 필요한 모든 요구사항을 만족한다.우리 장치의 주요한 특이사항과 이점은 다음과 같다: 높은 응답성과 정확도, 여러 가지 기능의 가능성, 각종 재료를 조사할 수 있는 가능성 등이다. 정보는 맞추어진 디스플레이와 각종 주변 저장 장치에 노출된다.화학발광 측정 기술과 방법의 후속 개발 및 완성.
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일반기술
원자력 > 기타 방사선방호·이용 기술
중합 재료와 보석 원석의 방사선 처리기술이 개발되었다. 중합 재료와 결정의 조사는 전자빔과 필요하다면 제동복사 및 중성자에 의하여 수행된다. 개발된 기술은 중합재료의 기계적 특성 즉 내구성, 내마모성, 열저항성을 향상시켜 준다. 작업의 다른 방향은 천연 및 합성 결정의 가치증대를 위한 방사선 처리기술을 개발하는 것이다. 방사선의 영향은 보석산업에서 사용되는 결정의 광학적 특성을 변화시켜 준다. 방사선 장의 영향 하에서는 색갈이 변하고, 결정의 색 포화 및 광학적 특성이 얻어진다.연구를 수행하면 무색 베릴을 reception yellow, 녹황색 및 암청색 베릴로 처리하는 기술 및 전기석, 알렉산드라이트, 에머리의 처리공정을 개발할 것으로 기대된다.강력한 전자빔은 새로운 특성을 가진 기술재료를 개발, 생산하게 해준다. 전자빔과 제동복사는 보석과 광학결정의 산업적 방사선 가공을 위하여 사용될 것이다. 이 프로젝트는 기술목적의 강력한 전자 가속기의 물리적 모델과 별개 장치의 설계를 가능하게 해준다. 그 외 필요한 이온화 방사선 흐름, 변수의 제어 및 측정수단으로 된 장치의 설계가 기대된다. 일반산업과 보석산업에서 널리 사용되는 선형가속기의 모든 요구사항을 보장해줄 것이다.
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- 2000-04-24
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