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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 밀리파 통신에서 사용하기 위한 회로기판에 관한 것으로 특히, 유리기판위에 한 개 이상의 플립칩을 솔더 범퍼를 통해 멀티칩 패키지하되, 솔더 범퍼와 유리기판 사이에 데이터의 입출력신호선 및 전력선과 접지선을 외부로 연결하기 위한 금속선 및 플립칩의 상호간의 연결을 위한 연결선을 형성시키며, 플립칩에서 발생되는 열을 외부로 잘 전달해주기 위해 방열판을 상기 플립칩위에 장착함으로써 칩에서 발생하는 열을 직접적으로 제거할 수 있도록 구성되어지는 것을 특징으로 하는 유리기판을 이용한 극초단파 대역의 멀티칩 패키지를 제공하여 방열판을 이용한 구조를 사용함으로써, 주파수가 증가할수록 신호의 손실도 비례하여 증가하기 때문에 상술한 밀리미터파 대역에 해당하는 초고주파 통신 시스템의 설계시 회로기판의 유전손실을 낮추어야 하는 필요성을 현존하는 물질중 유전손실이 가장 낮은 유리를 사용할 수 있다는 효과가 있다. 더욱이, 유리의 투명성에 의해 플립칩 공정시 칩과 기판의 솔더범퍼 연결과정이 쉽게 된다는 부가적인 효과를 얻는다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
초고주파 증폭기나 발진기 등 비선형 동작을 하는 회로에서, 전계효과 트랜지스터의 게이트 정전용량에 따른 임피던스의 비선형에 의하여 발생하는 파형의 왜곡을 제어하는 회로이다. 초고주파 FET 회로의 게이트 정전용량의 비선형성에 의한 효율의 저하를 제어하기 위하여 종래에 썼던 커패시터 등의 선형소자를 비선형소자인 다이오드로 대체하여, FET의 게이트단자에서의 파형 왜곡을 제어함으로써 초고주파 회로의 전력 변환 효율을 높일 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 메모리 감지 증폭기 회로에 관한 것으로, 첫째 단의 차동 증폭기는 비트 라인의 작은 신호를 증폭하여 둘째 단으로 전달하는 동작을 하고, 둘째 단의 랫취 증폭기는 첫째 단의 신호를 충분히 증폭한 후 이를 출력함과 동시에 트랜지스터 스위치와 인버터로 이루어진 차단 회로가 둘째 단의 출력 신호를 받아 첫째 단의 PMOS 부하 저항을 끄게 하는 방식으로 첫째 단인 차동 증폭기의 전원을 차단함으로써 불필요하게 소모하는 전력을 줄이도록 한 메모리 감지 증폭기 회로에 관한 것이다. 차동 증폭기-랫취 증폭기형 감지 증폭기에 차단 회로를 추가하여 차동 증폭기-랫취 증폭기의 단점인 많은 소비 전력을 획기적으로 줄여 차동 증폭기-랫취 증기형 감지 증폭기의 장점인 빠른 속도와 랫취 증폭기-랫취 증폭기형 감지 증폭기의 장점인 저전력을 동시에 구현하였다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 원하는 정전용량을 가지며, 에피층설계에 자유도를 주고 같은 기판위에 다른 능동소자들과 함께 제작할 수 있는 면적변환 가변용량 다이오드를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로서 본 발명에 의하면 레이아웃상의 면적대비를 통하여 공핍층 면적을 활성층 식각, 선택적 에피층 성장, 이온주입, 또는 이들의 조합으로 급격히 변화시킨 면적변환 가변용량 다이오드가 제공된다. 이와 같은 구성의 면적변환 가변용량 다이오드는 마스크상의 패턴에 따라 정전용량 특성이 변화되므로 에피층에 제약을 가하지 않음으로써 타소자와의 집적에 있어서 유리하고 마스크패턴에 의존하므로 비선형성이 강한 정전용량 변화와 큰 정전용량 변화율을 갖는다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 주 트랜지스터의 바디 부위에 바이어스를 가함으로써, 논리값(logic value)의 전이시 문턱 전압(threshold voltage)을 낮춰 빠른 동작이 이루어 지도록 하고, 그 외에는 높은 문턱전압을 유지하여 누설전류가 작도록 하여, 동작 전압에 제한 없이 동작되도록 한 전계효과 트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 반도체의 바디 부위 내에 형성되며, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위, 그리고 상기 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제1트랜지스터와; 반도체의 바디 부위 내에 형성됨, 소오스, 드레인, 상기 소오스와 드레인간 형성되는 채널 부위 상에 접속된 게이트를 구비한 제2트랜지스터를 포함하며; 상기 제2트랜지스터의 드레인은 상기 제1트랜지스터의 게이트에 연결되며, 상기 제2트랜지스터의 게이트는 상기 제1트랜지스터의 드레인 또는 소오스에 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 장치가 제공된다. 저전압 및 고속 동작이 가능하며, 동작전압의 제한 없이 사용할 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor) 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로 본 발명은 베이스와 콜렉터간의 정전용량이 대폭적으로 감소된 바이폴라 트랜지스터 및 선택적 에피택시 공정을 이용하여 전기 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 바이폴라 트랜지스터는 선택적 에피택시 공정시 에피층의 성장을 방해하도록 단결정 기판(41) 상에 수평방향(단결정기판의 110방향)과 10˚내지 40˚의 각을 이루면서 유전체 박막으로 형성된 마스크(20) : 전기마스크(20)의 상부에 형성되며 베이스-콜렉터간의 정전용량을 감소시켜 주기 위한 빈 공간(31) : 단결정 기판 위에 형성된 서브 콜렉터층(42), 콜렉터층(43), 베이스층(44), 에미터층(45) 및 에미터 캡층(46) ; 및, 에미터 전극(48), 베이스 전극(49) 및 콜렉터 전극(47)을 포함하여, 마스크 형성공정, 선택적 에피택시공정, 식각 및 전극형성공정에 의해 제조되고, 본 발명에 의해 콜렉터가 절연기판 내부에 묻히지 않는 구조를 지니면서도 효과적으로 베이스-콜렉터간의 정전용량을 대폭적으로 감소시킴으로써, 동작속도가 향상된 바이폴라 트랜지스터를 간단한 공정에 의해 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
발명은 캠 셀을 이용하여 램 및 프로그래머블 로직 어레이를 겸용할 수 있으면서 임의로 메모리 구조를 변경할 수 있도록 한 캠 셀 구조 및 캠 셀을 이용한 필드 컨피규어러블 램과 프로그래머블 로직 어레이 겸용 메모리에 관한 것으로서 , 다수의 기본 메모리 블록을 일정 개수로 연결하여 이루어지는 컨피규어러블 메모리 블록과 원하는 데이터를 입, 출력하는 입출력 제어기로 구성되는 메모리에 있어서, 상기 기본 메모리 블록은 소정의 캠 셀로 구성하고 내부연결회로에 의해 선택적으로 연결되며, 상기 컨피규어러블 메모리 블록은 프로그래머블 로직 어레이의 곱 기능을 수행하는 디코더 블록과 선택적으로 프로그래머블 로직 어레이의 합 기능이나 램 기능을 수행하는 램 블록으로 분리되어 면적의 손해 없이 출력 데이터 길이나 메모리 블록 개수를 조절할 수 있게 하였다. 본 발명은 캠 셀의 워드 라인과 정합 라인을 공유함으로써 속도 및 면적 문제를 개선하였다.
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 다공질 실리콘기판을 이용한 고주파용 다중접합 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 다공질 실리콘기판에 개별칩과 전송선을 상호배선 연결하여 고주파용 회로를 구성한 다중접합 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 고주파용 다중접합 패키지의 제조방법은, 실리콘기판을 양극화반응에 의해 다공질 실리 콘층을 형성시켜 다공질 실리콘기판으로 변형시키는 다공질 실리콘층 형성 단계; 전기 단계에서 얻어진 다공질 실리콘기판의 다공질 실리콘층에 열을 가해 실리콘 산화막층으로 변형시키는 다공질 실리콘층 산화단계; 및, 전기 단계에서 얻어진 실리콘 산화막이 형성된 다공질 실리콘기판의 표면에 적어도 1개의 전송선 및 개별칩들을 구성하여 다중접합 패키지를 형성하는 패키징단계를 포함한다. 또한, 본 발명의 고주파용 다중접합 패키지는, 상단면에 다공질 실리콘에 의한 두꺼운 실리콘 산화막층이 형성된 다공질 실리콘 기판; 전기한 다공질 실리콘 기판의 상단면에 구성된 적어도 1개의 개별칩; 및, 전기한 다공질 실리콘기판의 상단면에 구성되며 각각의 개별칩을 전기적으로 연결하기 위한 전송선을 포함한다.
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 포토레지스트를 이용한 선택적인 산화막 다공성 실리콘층의 제조방법 및 그의 응용에 관한 것으로 기존의 제조방법에 비해 매우 간단한 공정과 낮은 제조 가격으로 MMIC( Monolithic Microwave Integrated Circuit) 및 OEIC(Opto-Electronic Integrated Circuit)의 페키지를위한 멀티칩 패키지 기판으로의 활용에 있어 열전도도 문제를 효율적으로 개선할 수 있다. 즉 수동소자는 선택적으로 산화된 산화층위에 제조하여 기판과의 기생성분을 최소화하고 선택적으로 산화되지 않은 실리콘층위에는 능동소자를 위치시켜서 와이어 본딩하거나 플립칩 본딩하으로써 멀치칩 패키지에 응용할수 있다.
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 그레인 경계에서 식각비와 산화비가 증가하는 현상을 이용하여 고속 저전력소자에 이용되는 비휘발성 기억소자를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 원하는 크기의 나노결정을 아주 균일하고 재현성이 높게 고밀도로 형성하기 위한 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에서는 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성하고 그 위에 산화막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거하고 세코식각 또는 라이트식각을 수행함으로써, 비휘발성 기억소자를 형성한다. 이때, 그레인 경계를 통한 식각비 증가를 이용하여 나노결정을 균일하게 고밀도로 형성한다. 또한, 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거한 후 다시 산화시킴으로써, 그레인 경계를 통한 산화비 증가를 이용하는 방법으로 비휘발성 기억소자를 형성할 수도 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 기존 microstrip이나 coplanar구조의 전송선이 가지고 있는 신호 간섭 및 전송 손실의 단점을 해결하기 위하여 동축구조의 전송선을 반도체 위에 형성하여 해결하는 것으로, 먼저 반도체를 식각하고 그위에 접지를 위한 금속을 증착한 다음 유전물질을 형성하고, 신호선을 유전물질 위에 만들어 하부쪽의 신호 손실 및 기판에 의한 간섭을 방지하고, 최종적으로 신호선 위를 유전물질과 접지 금속을 증착하여 상부쪽의 신호 간섭 및 손실을 방지한다. 이 때 상부와 하부의 접지는 유전 물질을 식각하여 연결함으로써 신호선을 완전히 차페시켜 외부로 신호가 빠져 나가는 것을 방지하게 된다. 따라서 이러한 구조의 전송선은 아주 소형의 고주파 응용 시스템에서 발생되는 신호 간섭을 방지하여 시스템의 소형화를 가능하게 하고, 신호의 왜곡을 방지하는 효과가 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 산화막 다공성 실리콘 기판을 이용한 MMIC 구현을 위한 인덕터, 커패시터, 저항 등의 초고주파 소자에 관한 것으로서, 1GHz 이상의 초고주파 영역에서 발생하는 얇은 실리콘 산화막 아래에 있는 실리콘 기판의 반전도 특성에 기인한 신호 손실을 방지하기 위하여 실리콘 기판위에 종래에 이용되던 얇은 산화막 대신에 두꺼운 산화된 다공성 실리콘 층을 이용하여 소자를 집적시키는 것이다. 고주파 통신시에 수동소자의 기판과의 기생성분을 두꺼운 산화막을 이용하여 효과적으로 최소화하는데 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 전자선 리소그래피를 이용하여 측면형 전계 방출 소자 구조 및 제조 방법으로서, 전자선 리소그래피로 극미세 구조의 캐소드, 애노드, 게이트 전극을 동시에 형성하여 저전압으로도 고속동작이 가능한 소자의 구조를 제안하고 그에 따른 제조법을 제안한 것이다. 첫 번째로, 전자선 리소그래피로 동시에 형성된 캐소드, 에노드, 게이트 전극을 열 산화에 의해 떨어질 수 있을 만큼 작도록 하고, 게이트 전극은 가능하면 캐소드, 에노드 두 전극에 가깝게 형성시켜서 전자 흐름을 잘 조절할 수 있게 하며, 좌우 대칭이도록 한다. 또는, 위와 같이 전자선 리소그래피로 형성된 구조를 열 산화하여 캐소드와 에노드 전극이 떨어져서 나노 스케일의 간극을 형성하도록 한다. 이와 같은 극 미세 구조 형성 방법으로 단일 팁으로 구현되는 측면형 전계 방출 소자를 만들 수 있다. 앞서 언급한 본 특허의 기본 구조를 그대로 유지하면서 캐소드, 에노드, 게이트 전극의 저항을 줄일 수 있는 방법으로 산화막 위에 실리콘 필름 또는 다결정 실리콘(또는 비정질 실리콘)을 형성하고 그 위에 실리사이드를 형성하는 방법을 적용할 수 있으며, 이 때 실리사이드 물질은 일함수가 작은 것을 선정한다. 또, 실리사이드 아래의 실리콘 또는 다결정 실리콘을 과도 식각(overetch)하여 캐소드, 에노드, 게이트 전극을 보다 더 뾰족하게 만들 수도 있다. 기존의 CMOS 공정과 양립성을 고려하고, 몇 장의 마스크를 추가하여 미세 진공(micro vacuum) 소자의 구조 및 방법을 사용할 수 있다. 이러한 방법을 멀티 팁으로 구현할 수 있으며, 이는 전류의 크기를 키울 수 있는 장점이 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 광도파관으로 이루어진 광결합기 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 미소한 물리량 및 그의 변화량을 고감도로 감지할 수있도록 이동 광도파관 및 고정 광도파관을 포함하는 광결합기 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 광결합기 센서는 기판 상에 형성된 고정 광도파관; 및 기판 상에 형성된 켄틸레버에 연계되며 전기한 고정 광도파관과 일정 간격 이격 형성되어 외력에 의해 상하로 이동할 수 있는 이동 광도파관으로 구성된다. 또한, 본 발명의 광결합기 센서 제조 방법은 기판 상에 클래딩층을 형성하고 클래딩층 상에 코어층을 형성하는 과정; 전기한 코어층을 식각하여 고정 광도파관을 형성하는 과정; 전기한 클래딩층 및 고정 광도파관 상에 지지층을 형성하는 과정; 전기한 지지층 상에 켄틸레버 및 켄틸레버와 연계된 이동 광도파관을 형성하는 과정; 및 전기한 지지층을 선택적 식각하여 켄틸레버 지지판을 형성하는 과정을 포함한다. 본 발명의 광결합기 센서는 미소한 물리량 및 그의 변화량을 고감도로 측정 및 감지할 수 있으며, 본 발명에 의해 전기한 광결합기 센서를 간단한 과정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 낮은 구동전류에서도 동작이 가능하도록 지붕형 반사기가 형성된 광전집적회로용 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 레이저 다이오드는 기판(31); 전기한 기판(31)의 상면에 형성되며 N-클래딩층(32) 및 수동도파층(33)으로 구성된 도파로; 전기한 도파로의 상면에 분리층(34), 활성층(35), P-클래딩층(36) 및 P-저항층(37)이 차례로 적층되어 구성되며 지붕형 반사기를 지닌 능동도파로; 전기 능동도파로의 상면에 구성되며 선형전극창(41)이 형성된 SiO2막(38); 전기 SiO2막(38)의 상면에 형성된 금속재의 상부전극층(39); 및, 전기 기판(31)의 하단면에 형성된 금속재의 하부전극층(40)을 포함한다. 본 발명의 광전집적회로용 레이저 다이오드는 레이저 다이오드로부터 발생된 빛의 이용효율이 우수하고 낮은 문턱전류를 지녀 작은 구동전류에 의해서도 원활한 동작이 가능하며, 광전집적회로 상에 집적이 용이하고 간편하게 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조방법에 의해 전기한 레이저 다이오드를 간단한 공정에 의해 경제적으로 제조할 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 단거리 광통신에서의 광의 송신단이나 수신단, 각종 광표시소자, 고감도 광검출소자 및 고속 발광다이오드 프린터 등의 주요부분으로 사용할 수 있는 마이크로렌즈가 형성된 광집적 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 리지높이가 과도하게 높지 않으면서도 균일한 높이의 형성이 가능하여 다른 소자와 결합이 용이하면서도 배열화가 쉬운 마이크로렌즈를 갖는 광집적소자를 제조할 수 있으며, 본 발명의 광집적소자는 고속 발광다이오드 프린터, 단거리 광통신에서의 광 송수신단, 각종 광표시소자 및 고감도 광검출소자 등에 광범위하게 활용될 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 양자섬(Quantum dot)을 이용한 광 감지소자의 구현시 별도의 부대장비 없이 광 감지소자면에 대해 수직으로 입사되는 빛을 효율적으로 감지할 수 있으며 상온에서도 동작 가능하도록 하기 위한 양자섬을 이용한 광감지 디바이스의 구현방법과 광감지소자 및 그에 따른 제조방법에 관한 것으로 특히, 이종의 물질간 접합이나 불순물 첨가에 의해 특정 방향으로 케리어의 이송방향과 채널이 설정되고, 페르미 준위의 이동 제어에 의해 상기 채널의 형성여부가 결정될 수 있도록 구현되는 반도체 디바이스에 빛의 감지에 따른 흡수과정을 통해 그에 대응하는 전자를 방출하는 양자섬층을 채널의 주변 임의의 위치에 형성하되, 상기 양자섬층에서 빛 감지에 따른 방출전자가 상기 채널에 모이도록 구현하고, 상기 페르미 준위가 입사광이 없을 때 채널에 전자가 거의 없게 하는 에너지 레벨을 갖으면서 상기 양자섬층에 전자를 공급하여 가둘 수 있는 위치에 구비되도록 하는 구현방법과 그 방식에 의해 완성된 디바이스 및 해당 디바이스의 제조 방법을 제공하여 적외선 감지소자를 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다 양자섬과 전도층을 분리 시켜 잡음성분을 줄였다. 자연적으로 양자섬층에 걸리는 수직방향의 큰 전계와 매우 얇은 2차원 전도층을 이용하여 광전도 이득을 매우 높였다. 빛이 입사하고 있지 않을 경우 전도층을 공핍시킴으로써 암전류를 급격히 줄였다. 이로서 별도의 부대장치 없이 소자면에 수직으로 입사하는 빛을 감지할 뿐만 아니라 상온에서도 동작하는 장파장 적외선 감지소자를 제작할 수 있었다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
광통신에 사용되는 광소자와 광섬유사이의 광결합효율과 tolerance를 증가시키는 것은 매우 중요하다. 이에 본 발명은 core크기가 큰 광섬유를 polishing하여 core크기가 작은 광섬유의 core크기와 같거나 약간 작게 만든 후에도 tapering되는 구간이 아주 짧기 때문에 이것들은 기존의 광섬유 splicer를 이용하여 결합을 시키게 되면, 아무리 서로 core크기가 차이가 많이 난다고 하더라도, 서로의 core크기를 맞추어서 두개의 광섬유를 결합시킬 수가 있다. 그런데, polishing에 의해서 tapering되는 영역은 보통 아주 짧게 되기 때문에 이곳에서 발생할 수 있는 손실을 이곳에 열을 가해서 tapering을 해줌으로써 최대한 줄일 수 있다. 그리고, 이곳에 metal을 증착함으로써 이곳에서의 손실을 줄일 수 있으며, core크기가 큰 광섬유의 다른 끝에는 arc방전이나, 열을 가해서 렌즈를 제작함으로써 광소자와의 결합효율과 align tolerance를 증가시킬 수 있다.
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- 한국과학기술원
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- 2000-04-24
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일반기술
물리학 > 기타 광학
본 발명은 자연방출광 판별신호와 대역통과 광 가변필터를 사용하여 파장 분할 다중 방식의 광통신 시스템에서 파장 분할 다중된 광신호의 파장과 광 세기와 광신호 대 잡음비(optical signal-to-noise ratio)를 측정하는 장치에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 파장 분할 다중된 광신호 중 일부분을 분기하는 분기수단과, 상기 분기수단에서 분기되지 않은 파장 분할 다중된 광신호를 증폭하여 자연방출광과 함께 출력하는 광 증폭수단, 특정 파장의 상기 자연방출광을 반사하여 자연방출광 판별신호를 출력하는 반사수단, 광신호를 한 방향으로만 진행시켜 광섬유에서의 레일레이(Rayleigh) 산란이나 불연속 점에서의 광신호 반사에 의하여 측정에 오류가 발생하는 것을 막는 광 고립기(optical isolator), 투과 파장이 제어신호에 따라 가변되어 상기 분기수단에서 분기된 파장 분할 다중된 광신호와 상기 자연방출광 판별신호가 합쳐진 광 스펙트럼을 출력하는 대역통과 광 가변필터, 상기 제어신호를 상기 대역통과 광 가변필터에 제공하는 제어신호 발생기, 상기 대역통과 광 가변필터에서 출력되는 광 스펙트럼을 전기신호로 변환하는 광/전 변환수단, 및 상기 광/전 변환수단으로부터 출력되는 상기 전기신호와 상기 제어신호 발생기로부터 상기 제어신호를 이용하여 광신호의 파장과 광 세기와 광신호 대 잡음비를 계산하는 신호 처리기를 포함한다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 광전송망에 사용되는 계층별로 모듈화된 내부구조를 가지는 광회선 분배기에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 계층별로 모듈화되어 있어 유지관리가 용이하고, 전송망의 진화에 효율적으로 대비할 수 있으며, 다양한 망구조에 사용할 수 있으며, 간단한 구조의 스위치를 사용하여 광회선 분배기의 제어를 단순화함과 동시에 광회선 분배기에서 발생하는 신호의 열화를 최소화하는 광회선 분배기를 제공하는데 있다. 이러한 본 발명은, 다른 노드에서 해당 노드로 신호들을 운반하는 M개의 입력광섬유와 해당 노드에서 애드되는 신호들을 운반하는 m개의 입력광섬유에 하나씩 결합되어 입력신호들을 분배하는 M+m개의 1xM 분할기와 M개의 입력단자를 통해 입력되는 신호들 중 해당 노드에서 드롭될 신호를 선택하여 M개의 출력단자를 통해 출력하는 드롭용 링크 모듈 및 M+m-1개의 입력단자를 통해 입력되는 신호 중 다음 노드로 전송되어야 하는 신호들을 선택하여 하나의 출력단자를 통해 출력하는 M개의 전송용 링크 모듈을 구비한 것을 특징으로 한다.
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- 한국과학기술원
- 등록일
- 2000-04-24
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