일반기술
재료 > 기타 금속재료
접촉 저항을 줄이기위해 실리콘 표면상에 플라즈마 화학증착법을 이용하여 텅스텐 질화박막을 증착시킨후 그 위에 알루미늄을 증착시키는 공정으로 이루어진 텅스텐 질화박막을 베리어 메탈로 이용한 실리콘 반도체 소자의 알루미늄 금속배선 형성방법을 제공하는 데 있다. <구성>반응기체인 WF6-NH3-H2 반응계의 NH3 : WF3 분압비를 1:2 이상으로 유지하고 증착 압력을 0.1 내지 1 Torr의 범위에서 섭씨 250 내지 500 도의 증착 온도로 베리어 메탈로서 텅스텐 질화박막을 증착시키고 이어서 알루미늄 박막을 증착시킨다. 그리고 나서 알루미늄 박막과 실리콘과의 접촉저항을 낮추기 위한 열처리를 섭씨 450 도 이상의 온도에서 수행하는 공정으로 이루어 진다. <효과>저저항의 텅스텐 질화박막을 베리어메탈로 형성함으로서 이후의 알루미늄과 실리콘의 접촉저항 감소를 위한 열처리시에 발생되는 알루미늄의 실리콘 내부로의 침투에 의한 스파이크 결함의 발생이 억제된다.1. 실리콘 기판위에 알루미늄 박막을 증착하여 실리콘 반도체소자의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, 상기 알루미늄 박막의 증착 전단계 공정으로 WF6-NH3-H2 반응계의 NH3:WF6의 분압비를 1:2이상으로 유지한 상태에서 증착압력 0.1-1Torr, 증착온도 250-500℃로 저압화학증착법이나 플라즈마 화학증착법으로 텅스텐질화박막을 형성시킨 다음, 텅스텐질화박막위에 알루미늄박막을 증착시킨 후 450-600℃의 온도에서 30분간 열처리함을 특징으로 하는 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
새로운 원료계로서 직접법에 의하여 경제적이며 대량 생산이 가능한 베타형 탄화규소 미세 분말을 제조한다. <구성>일반식 (I)(II)(III)(IV)의 메타실란알칸들을 단독으로 또는 두가지 이상 혼합하여 운반 기체 존재하에 열분해 시킨다. <효과>화학적, 물리적으로 안정하고 내열성이 좋으며 열전도성이 좋고 열팽창 계수가 낮으며 내마성이 높은 제품을 얻는다.1. 일반식(1), (2), (3) 또는 (4)의 메틸실라알칸들을 단독으로 또는 두가지 이상 혼합하여 운반기체 존재하에 열분해시키는 것으로 이루어지는 구형의 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법. 일반식(1)에서 R1,R2,R3는 독립적으로 CH2 또는 Cl를 표시한다. 일반식 (2)에서 R1,R2,R3는 독립적으로 CH3 또는 H를 표시한다. 일반식(3)에서 R1, R2는 독립적으로 CH3 또는 Cl, R3는 독립적으로 H 또는 Cl를 표시한다. 일반식(4)에서 R1, R2는 독립적으로 CH3 또는 H를 표시한다.2. 제1항에 있어서, 메틸실라알칸 화합물중 일반식(1), (2), (3) 또는 (4)로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물의 운반기체중 농도가 50% 이하인 것이 특징은 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.3. 제1항에 있어서, 운반기체로 알곤, 수소 또는 이들의 혼합기체를 사용하는 것이 특징인 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.4. 제1항에 있어서, 열분해 반응 온도가 750-1,600℃인 것이 특징인 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.5. 제1항에 있어서, 잔류 염화규소가 남아있는 경우에 2차 열처리 과정으로 알곤 대기하에서 1,000-1,200℃로 온도를 올려 잔류 염화규소를 제거하는 것이 특징인 β형 탄화규소 미세분말의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
산소-아세틸렌 토치법이 지니고 있는 특성인 국부적인 고속합성 능력을 이용하여 기존의 기상합성 방법으로 제조된 작은 면적의 고속합성 능력을 이용하여 기존의 기상합성 방법으로 제조된 넓은 면적의 다이아몬드 박막 또는 후막을 다수개 연결 접합하므로써 넓은 면적의 다이아몬드 박막 또는 후막을 용이하게 제조할 수 있도록 한 산소-아세틸렌 토치를 이용한 다이아몬드 필름의 접합방법을 제공하는 것이다. <구성>기판상에 확개된 경사 모서리면을 갖는 다이아몬드 막을 다수개 합성하여 온도조절이 가능한 기판 지지대 위에 격자상으로 배열한 다음, 산소-아세틸렌 토치의 환원염을 다이아몬드 막의 경계부에 가하여 다이아몬드 막 상호간의 접합이 이루어지도록 하므로써 대면적의 다이아몬드 막을 형성하도록 구성되어 있다. <효과>적은 크기의 다이아몬드 막을 산소-아세틸렌 토치법으로 연결 접합시켜 임의 넓이의 다이아몬드 박막 또는 후막을 제조하므로써 다이아몬드의 산업적 응용범위를 한층 확대시킬 수 있다.1. 다이아몬드의 기상합성방법으로 기판상에 확개된 경사모서리면을 갖는 다이아몬드 막을 다수개 합성하여 온도조절이 가능한 기판지지대 위에 격자상으로 배열한 다음, 산소-아세틸렌 토치의 환원염을 다이아몬드 막의 경계부에 가하여 다이아몬드 막 상호간의 접합이 이루어지도록 함으로써 대면적의 다이아몬드 막을 형성함을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합 방법.2. 제1항에 있어서, 산소-아세틸렌 토치의 환원염에 의한 다이아몬드 막의 접합시 다이아몬드 막에 부착된 기판을 산화염으로부터 다이아몬드 막의 손상을 방지하기 위한 보호막으로 이용함을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합방법.3. 제1항에 있어서, 기판 상에 다이아몬드 막 합성시에 경사진 마스크를 이용하여 합성 후 다이아몬드막의 모서리면이 경사지게 형성되도록 한 것을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합방법.4. 제1항에 있어서, 다이아몬드의 접합시 토치입구에 덮개를 설치하여 토치로부터 분출되는 가스에 의해 대기가 덮개 내부로 유입되지 못하도록 함을 특징으로 하는 다이아몬드 막의 접합방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
보건·의료 > 원료의약 대량제조 기술
그람 양성균, 그람 음성균 및 광범위한 항균력을 지닌 세팔로스포린 화합물을 제조할 때 유용한 중간체로 사용될 수 있는 일반식(I)의 신규 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다. <구성>신규 화합물은 일반식(1)로 표시되는 아릴아미노티아졸아세트산으로서, 식에서 R1은 수소, 포르밀 또는 트리틸, R2는 카르복시산, C1-4인 알킬에스테르 또는 카르복실산클로라이드이고, R3과 R4는 각각 수소, 아세틸 또는파라-메톡시벤질이고 X와 Y는 각각 수소 또는 할로겐 원자이다. 목적 화합물은 일반식(II)의 케톤 화합물과 (III)의 아민 화합물을 축합시켜 제조되는데 반응 용매로는 메탄올, 에탄올, 디메틸술폭시드, 디메틸포름아미드, 아세토니트릴 등이 가능하고, 반응 용액의 PH는 4-5정도로 유지하는 것이 효과적이다. 반응 온도는 -10도 내지 30도C가 적당하고, 반응 시간은 5 내지 24시간 정도가 가능하다.1. 다음의 일반식(1)로 표시되는 아릴아미노티아졸 초산; 상기식에서 R1은 수소, 포르밀 또는 트리틸이고: R1는 카르복실산, C(1-4)인 알킬 에스테르 또는 카르복실산 클로라이드이고 ; R3과 R4는 각각 수소, 아세틸 또는 파라-메톡시벤질이고 ; X와 Y는 각각 수소 또는 할로겐 원자이다.2. 제1항에 있어서, R1은 수소이고, R2는 카르복실산이고, R3과 R4는 모두 파라-메톡시벤질이고, X와 Y는 각각 수소 또는 염소인 아릴아미노티아졸 초산.3. 다음 일반식(2)로 표시되는 케톤 화합물과 다음 일반식(3)으로 표시되는 아민화합물을 축합반응시키는 것으로 이루어지는 일반식(1)로 표시되는 아릴아미노티아졸 초산의 제조방법; 상기식에서 R1은 수소, 포르밀 또는 트리틸이고 ; R2는 카로복실산, C(1-4)인 알킬 에스테르 또는 카르복실산 클로라이드이고 ; R3과 R4는 각각 수소, 아세틸 또는 파라-메톡시벤질이고 ; X와 Y는 각각 수소 또는 할로겐 원자이다.4. 제3항에 있어서, 상기 축합반응이 극성용매와 물의 혼합용매에서 수행되는 아릴아미노티아졸 초산의 제조방법.5. 제4항에 있어서, 상기 극성용매가 에탄올 또는 메탄올인 아릴아미노티아졸 초산의 제조방법.6. 제3항에 있어서, 상기 축합반응이 pH 4 내지 6에서 수행되는 아릴아미노티아졸 초산의 제조방법.7. 제3항에 있어서, 상기 축합 반응에서 염기로써 알칼리금속염기의 수용액을 사용하는 아릴아미노티아졸 초산의 제조방법.8. 제7항에 있어서, 상기 알칼리금속염기의 수용액이 수산화나트륨 또는 탄산나트륨인 아릴아미노티아졸 초산의 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
기계 > 단위기계 요소부품
연속 용해 작업시 토치의 음극봉과 노즐의 냉각 효율을 증진시키고 조업중 소모된 음극봉의 연속 공급 및 손상된 음극봉의 교체가 용이하도록 한 플라즈마 아크 용해용 토치를 제공한다. <구성>하부에 음극봉(4)이 결합되는 음극봉 홀더(3)가 음극봉 지지관(5)에 나사 결합되고, 하단부 원주면에 1-2mm 직경의 냉각수 구멍(11a)이 방사상으로 형성되어 내외부로 각각 냉각수 유입 통로(13a)와 냉각수 배출 통로(13b)가 형성되는 냉각수관(11)이 내장된 음극 본체(1)와; 음극 본체(1)의 외측에 설치되며 음극봉 지지관(5)에 겉으로 끼워져 그 사이에 가스 통로(7)를 형성하는 가스 공급관(14)과 냉각수 유입관(15a) 및 냉각수 배출관(15b)이 3중 원통체상으로 형성된 양극 본체(2)와; 양극 본체(2)의 하단부에 결합되고 선단으로 갈수록 좁아지며 냉각수 유입관(15a) 및 냉각수 배출관(15b)에 연통되는 내부 공간부(6a)를 가지는 노즐(6)과, 음극 본체(1) 및 양극 본체(2)를 전기적 절연 상태로 결합하는 절연 커플링(9) 및 절연 패킹(10)으로 이루어진 플라즈마 아크 용해용 토치.1. 하루에 음극봉(4)이 결합되는 음극봉 홀더(3)가 음극봉 지지관(5)에 나사결합되고, 하단부 원주변에 1~2mm 직경의 냉각수구멍(11a)이 방사상으로 형성되어 내외부로 각각 냉각수 유입통로(13a)와 냉각수 배출통로(13b)가 형성되는 냉각수관(11)이 내장된 음극본체(1)와 ; 음극본체(1)의 외측에 설치되며 상기 음극봉 지지관(5)에 겉으로 끼워져 그 사이에 가스통로(7)를 형성하는 가스공급관(14)과 냉각수 유입관(15a) 및 냉각수 배출관(15b) 이 3중 원통체상으로 형성된 양극본체(2)와 ; 상기 양극본체(2)의 하단부에 결합되고 선단으로 갈수록 좁아지며 상기 냉각수 유입관(15a) 및 냉각수 배출관(15b)에 연통되는 내부 공간부(6a)를 가지는 노즐(6)과, 상기 음극본체(1) 및 양극본체(2)를 전기적 절연상태로 결합하는 절연커플링(9) 및 절연패킹(10)으로 이루어진 것을 특성으로 하는 플라즈마 이크 용해용 토치.2. 제1항에 있어서, 가스공급관(14)의 하루에는 가스분배링(16a)이 설치되고, 가스분배링(16a)에는 직경 1~1.5mm 크기의 가스분출공(16b)이 25~40개 수직으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 아크 용해용 토치.3. 제1항에 있어서, 노즐(6)과 냉각수 유입관(15a) 및 냉각수 배출관(15b)의 결합부 내측으로 냉각수 통과공(17b,17c)이 관통형성된 노즐연결링(17)이 설치되고 냉각수 배출관(15b)의 하부 외측으로는 노즐클램프(18)가 나사결합으로 체결됨을 특징으로 하는 플라즈마 아크 용해용 토치.4. 제3항에 있어서, 노즐연결구(17a)의 냉각수 통과공(17b)은 직경이 1-2mm이고 갯수가 40~60개인 것을 특징으로 하는 플라즈마 아크 용해용 토치.5. 제1항에 있어서, 절연패킹(10)은 키(20)를 통하여 음극봉 지지관(5)에 연결되고 절연패킹(10)의 외주면은 가스공급관(14)의 내면과 나사결합을 이루어 음극본체(1)의 상하이동이 가능하게 구성함을 특징으로 하는 플라즈마 아크 용해용 토치.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 열전반도체 소자의 흡열 및 가열기능을 이용하여 냉각과 가열 싸이클을 반복시켜 인체 피부의 극소부위에 열적 자극 효과를 주기 위한 피부 국소 냉각장치에 관한 것으로서, 열전반도체 소자쌍과 저온단(1)과 고온단(3)을 갖는 열전 모듈(2)와, 열전 모듈(2)의 고온단(3)과 접촉하는 히트 캐패시터(4)와, 히트 캐패시터(4)와 접촉하는 열절연체(5)와, 열절연체를 이동시키는 스크루(7)과, 머리 또는 이마 등 인체에 부착시키는 금속제 클램프(6)과, 직류 전원(9)의 온/오프 제어장치(8)을 포함한다.1. 열전 모듈(2)를 포함하는 흡열 수단과, 상기 흡열 수단을 냉각 싸이클을 반복하도록 제어하는 제어 수단과, 상기 흡열 수단을 인체에 부착하기 위한 부착 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치2. 제1항에 있어서, 열전 모듈(2)는 열전반도체 소자쌍과 저온단(1)과 고온단(3)을 갖고, 부착 수단은 머리 또는 이마 등 인체에 부착시키는 금속제 클램프(6)을 포함하고, 제어 수단은 직류 전원(9)의 온/오프 제어장치(8)을 포함하고, 열전 모듈(2)의 고온단(3)과 접촉하는 히트 캐패시터(4)와, 히트 캐패시터(4)와 접촉하는 열절연체(5)와, 열절연체를 이동시키는 스크루(7)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치3. 제2항에 있어서, 직류 전원의 온/오프 제어장치(8)은 열전 모듈(2)의 냉각 싸이클의 주기와 저온단(1)의 온도를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치4. 제2항에 있어서, 히트 캐패시터(4)는 금속제이고, 냉각시에는 열전 모듈의 저온단(1)으로 부터 흡열된 열을 흡수하는 히트 싱크의 역할을 하며, 가열시에는 열저장체로서 열공급원의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치5. 제2항에 있어서, 열절연체(5)는 히트 캐패시터(4)와 클램프(6) 사이에 삽입되고, 스크루(7)의 조작으로 열전도 면적을 변화시켜 히트 캐패시터(4)의 온도 제어 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 피부 국소 냉각장치
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학 > 기타 무기화학
본 발명은 배연 가스 중에 포함된 유해 가스 중 질소 산화물을 제거하는데 유용한, 백금(Pt) 또는 백금과 다른 금속(예, 구리, 니켈, 코발트)이 공침된 실리코알 루미노프스페이트-34(SA PO-34)계 분자체 촉매 및 그의 제조 방법 및 그를 이용한 질소 산화물의 탈질 방법에 관한 것이다. 본 발명의 백금이 담지된 SAPO-34계 촉매는 SAPO-34 분자체에 백금 화합물 또는 백금과 다른 금속 화합물(Me=구리, 니켈, 코발트)을 물리적으로 균질하게 혼합한 후 압력을 가하여 두께 약 1㎜의 원판으로 만든 후, 이를 작은 조각으로 분쇄하고 산소를 유입하면서 승온시킨 다음 소성시켜 얻는다. 본 발명의 방법으로 제조된 촉매는 종래의 제올라이트계의 촉매에 비해서 열안정성이 높고, 수증기와 산소에 의해서도 활성이 잃지 않는 우수한 특성을 나타내므로 질소 산화물 제거에서 유용하다.1. 골격 구조가 0.5Al2O3:0.5P2O5:xSiO2(x=0.02~0.2)인 H-SAPO-34 분자체에 0.01~5.0 중량%의 백금(Pt)과 함께 구리, 니켈, 코발트로부터 선택된 다른 금속이 공침되어 있는 것을 특징으로 하는 SAPO-34계 질소 산화물 전환 촉매.2. 분자체 골격 내의 SiO2 성분이 0.02~0.2몰인 SAPO-34 분자체를 제조하고, 이 분자체를 550℃에서 산소 유입하에 소성하여 수화시킨 다음, 수화된 분자체에 이 분자체를 기준으로 하여 0.01~5.0 중량%의 백금 화합물 또는 0.01~5.0 중량%의 백금과 구리, 니켈 코발트로부터 선택된 다른 금속의 화합물을 첨가하여 균질하게 혼합하고, 이 혼합물을 압력하에 원판으로 만들고 이를 다시 분쇄하여 석영관에 넣고 산소를 유입하면서 분당 2℃씩 승온시킨 다음 최종 소성시키는 것을 특징으로 하는 제1항 기재의 SAPO-34계 질소 산화물 전환 촉매의 제조 방법.3. 제2항에 있어서, 최종 소성은 400~800℃에서 수행되는 것인 방법.4. 온도 200~600℃, 산소 농도 0~10% 및 수증기 농도 0~13%의 조건하에 프로필렌과 일산화질소의 비가 1~4인 배연 가스를 사용하여 질소 산화물을 제1항 기재의 질소 산화물 전환 촉매와 접촉시켜 질소로 전화시킴을 특징으로 하는 질소 산화물의 탈질 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
농림·수산 > 식물영양·비료
본 발명은 루테늄, 백금 또는 그의 혼합물의 염화물의 수용액을 담체의 세공에 주입하여 균일하게 스며들게 한 후, NaBH4 수용액을 주입하여 환원시키고, 건조시킴으로써 제조되는 2-프로판올의 기상 탈수소화에 이용하기 위한 촉매를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 2-프로탄올의 기상 탈수소화 반응 촉매를 반응 촉매로서 사용하고 모든 반응물을 기화시켜 반응기에 도입하는 화학 반응 열펌프를 2-프로탄올의 기상 탈수소화 방법을 제공한다.1. 루테늄 및 백금으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 귀금속염의 수용액을 담체의 세공에 주입하는 단계와, 상기 귀금속염의 수용액이 주입된 담체의 세공에 NaBH4 수용액을 주입하여 환원시키는 단계와, 제조된 촉매를 건조시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 2-프로탄올 기상 탈수소화 반응용 촉매의 제조 방법.2. 제1항에 있어서, 상기 귀금속염은 염화물이고, 담체 중량에 대하여 3 내지 10 중량%의 양으로 사용되는 것인 방법.3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 담체는 알루미나 및 활성탄으로부터 선택되는 것인 방법.4. 제1항에 있어서, 상기 NaBH4 수용액의 농도가 0.013몰 내지 0.13몰이고, 주입 속도가 분당 0.3 내지 1.0ml인 것인 방법.5. 제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의해 제조된 2-프로탄올의 기상 탈수소화 반응용 촉매6. 화학 반응 열펌프를 위한 2-프로탄올의 탈수소화 방법에 있어서, 탈수소화 반응 촉매로서 제 1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 따른 방법으로 제조된 촉매를 사용하고, 반응물은 모두 기화된 후에 반응기에 도입시키는 것을 특징으로 하는 화학 반응 열펌프를 위한 2-프로탄올의 기상 탈수소화 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학 > 기타 무기화학
본 발명은 금속 또는 금속 화합물의 촉매하에 다음 일반식(Ⅰ)의 실란 화합물을 트리클로로실란과 반응시키는 것으로 이루어진 수소가 한개 또는 두개 이상 치환된 일반식(Ⅱ)의 실란 화합물의 제조방법에 관한 것이다. 상기식에서, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 염소 또는 메틸기이며, Z및 Z은 각각 독립적으로 수소 또는 염소이다. 본 발명의 제조방법에서는 저렴한 트리클로로실란을 사용함으로써 산업적 이용 가능성이 크다.1. 금속 또는 금속 화합물의 촉매하에 다음 일반식(2)의 실란 화합물을 트리클로로실란과 반응시키는 것으로 이루어진 수소가 한 개 또는 두 개 이상 치환된 일반식(1)의 실란 화합물의 제조방법: 상기 식에서, R1,R2 및 R3는 각각 독립적으로 염소 또는 메틸기이며, Z 및 Z`은 각각 독립적으로 수소 또는 염소이다. 2. 제1항에 있어서, 금속 또는 금속 화합물의 촉매가 비스(트리페닐포스핀)디클로로니켈, 디아세테이트팔라듐, 디클로로팔라듐, 염화백금산, 알루미나에 흡착된 백금, 활성탄에 흡착된 백금 중에서 선택되는 제조방법.3. 제1항에 있어서, 트리클로로실란이 일반식(2)의 화합물에 대해 몰비로 2-40배로 사용되는 제조방법.4. 제1또는 2항에 있어서, 촉매가 일반식(2)의 화합물에 대해 0.01-20몰%의 양으로 사용되는 제조방법.5. 제1항에 있어서, 반응 온도가 50-200℃인 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형 홈의 가장 깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형 홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.1.갈륨비소기판(1)에 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)막(2)을 형성하는 단계와; 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 마스크로 사용하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부까지 V자 형태로 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자 형태 홈의 좌우측에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)에 산소이온을 주입하여 산화알루미늄막(4)을 형성하는 단계와; 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태 홈의 가장 깊은 부분에 유기금속 화학증착법을 사용하여 고밀도 갈륨비소(5)를 증착하고, 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태홈의 가장 깊은 부분에 형성된 갈륨비소(5)및 노출된 갈륨비소기판(1)과 산화알루미늄막(4)의 상부에 유기금속 화학증착법을 사용하여 알루미늄갈륨비소막(6)을 증착하는 공정을 반복 수행하여 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 공정으로 양자세선이 형성된 갈륨비소기판(1)을 (110)방향으로 벽개하는 단계와; 상기 다층의 알루미늄갈륨비소막(6)을 산화하여 산화알루미늄막(7)을 형성한 후, 유기금속 화학증착법을 사용하여 갈륨비소(5)의 상부에 알루미늄갈륨비소 및 갈륨비소를 순차반복적으로 단결정성장시킴으로써 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 유기금속 화학증착법은 고순도 수소를 전달 개스로 하고, 총 유량은 분당 5내지 8리터로 하며, 3족 유기금속원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄 및 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원료로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.3.제 1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용한 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.4. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0.9에서 1인것을 사용하여 0.05~0.5㎛의 두께를 갖도록 증착하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.5.제1항에 있어서, V자형의 홈은 포토레지스트(3)를 식각 마스크로 하여 일정비율의 H₂SO₄:H₂O₂:H₂O용액을 사용하는 습식에칭방법으로 상기 노출된 알루미늄갈륨비소막(2)및 갈륨비소기판(1)의 일부를 (01T)방향으로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의산 고밀도 양자점 어레이 형성방법.6. 제 1항에 있어서, 산화알루미늄막(7)을 형성하는 방법은 갈륨비소(5)및 알루미늄갈륨비소막(6)이 다층으로 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착시키고, 반응로의 분위기를 450℃에서 1시간 동안 약 80℃의 수증기가 포함된 고순도 질소개스와 반응시켜 그 알루미늄갈륨비소막(6)을 산화알루미늄막(7)으로 변형시키는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.7. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(6)은 알루미늄의 몰비가 0.1 내지 0.5인 알루미늄갈륨비소를 유기금속 화학증착법을 사용하여 증착시킨 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
기계 > 기타 산업·일반기계
본 발명의 목적은 전자기적 방법에 부가하여 수력학적 방법을 사용하여 용융 도금되는 강판의 도금층을 균일하게 제어할 수 있고, 강판을 안정하게 이송할 수 있으며, 소음이 없는 나이프를 제공하여 궁극적으로는 용융 도금되는 강판의 이송 속도를 향상시켜 생산성을 증대하는 것이다. 본 발명은 용융 도금욕조의 강판 출구 양측에, 영구 자석 회전자 및 용융 도금액 흐름을 위한 채널을 설치함으로써, 상기 강판의 표면에 대하여 강판 주행 방향과 반대 방향의 용융 도금액 흐름을 발생시킴과 동시에 하부 방향으로 이동하는 자기장을 발생시키는 용융 도금 나이프 장치와, 용융 도금 욕조의 강판 출구 양측에, 선형 교류 인덕터 및 용융 도금액 흐름을 위한 채널을 설치함으로서, 상기 강판의 표면에 대하여 강판 주행 방향과 반대 방향의 용융 도금액 흐름을 발생시킴과 동시에 하부 방향으로 이동하는 자기장을 발생시키는 용융 도금 나이프 장치를 제공한다.1. 용융 도금욕조의 강판 출구 양측에, 영구 자석 회전자 및 용융 도금액 흐름을 위한 채널을 설치함으로써, 상기 강판의 표면에 대하여 강판 주행 방향과 반대 방향의 용융 도금액 흐름을 발생시킴과 동시에 하부 방향으로 이동하느 ㄴ자기장을 발생시키는 것을 특징으로 하는 용융 도금 나이프 장치.2. 용융 도금욕조의 강판 출구 양측에, 선형 교류 인덕터 및 용융 도금액 흐름을 위한 채널을 설치함으로서, 상기 강판의 표면에 대하여 강판 주행 방향과 반대 방향의 용융 도금액 흐름을 발생시킴과 동시에 하부 방향으로 이동하는 자기장을 발생시키는 것을 특징으로 하는 용융 도금 나이프 장치.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄갈륨비소막(2)을 증착하는 단계와; 상기 증착된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 식각마스크로 하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부를 식각하여 V자형 홈을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자형 홈의 좌우측 알루미늄갈륨비소막(2)을 산화하여 산화알루미늄막(4)으로 변환하는 단계와; 상기 V자형 홈이 형성된 갈륨비소기판(1)과 그 상부의 산화알루미늄막(4)의 상부전면에 유기금속 화학증착법을 사용하는 갈륨비소에피층을 성장시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.2. 제 1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.3. 제 1항에 있어서, 알루미늄갈륨비속막(2)은 그 알루미늄의 몰수비가 0.9 내지 1인 알루미늄갈륨비소를 사용하여 상기 갈륨비소기판(1)의 상부에 0.05내지 0.5㎛의 두께로 증착하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.4. 제 1항에 있어서, V자형 홈의 형성단계는 일정비율의 H2SO4:H2O2:H2O용액을 사용하는 습식식각 방법을 이용하여, 상기 알루미늄갈륨비소막(2)및 갈륨비소기판(1)의 일부까지(011)방향으로 식각하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.5. 제 1항에 있어서, 유기금속 화합증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 사용하고, 총 유량은 분당 5또는 8리터로 하며, 3족 유기금속 원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하고, 5족 유기금속 원료는 비소개스를 사용하여 된 것을 특징으로 하는 산화알루미늄갈륨비소를 이용한 광전소자의 전류차단구조 형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학 > 기타 무기화학
본 발명은(디클로로알킬)실란 화합물을 이용하여 제조한 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 신규한 (풀루오렌닐알킬)실란화합물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 (풀루오렌닐알킬)실란화합물은 올레핀 중합반응용 촉매로 주목을 받고 있는 풀루오렌닐 메탈로센 화합물 제조에 유용한 화합물이다. 일반식(Ⅲ)의 신규한 (풀루오렌닐알킬)실란화합물은 일반식(Ⅰ)로 표시되는 바이페닐 유도체와 일반식(Ⅱ)로 표시되는 (디클로로알킬)실란을 루이스산 촉매하에서 프리델-크라프트 알킬화 반응에 의해 제조하는 것이다. 일반식 (Ⅰ) ~ (Ⅲ)에 있어서, n은 0 ~ 2의 정수이고, m은 0 ~ 1의 정수이며, Y1과 Y2는 각각 수소, 브로모 또는 페닐기를 표시한다.1. 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 (폴리아릴알킬)실란 유도체;일반식(Ⅲ)에 있어서, n은 0~2의 정수이고, m은 0~1의 정수이며, Y<1> 과Y<2>는 각각 수소, 브로모 또는 페닐기를 나타낸다.2. 일반식 (Ⅰ)로 표시되는 바이페닐 유도체와 일반식(Ⅱ)로 표시되는 (디클로로알킬)실란을 루이스산 촉매존재하에 25~200℃의 온도에서 프리델-크라프트 알킬화 반응시키는 것이 특징인 일반식(Ⅲ)로 표시되는 (폴리아릴알킬)실란 유도체의 제조방법;일반식(Ⅰ)에 있어서, Y<1> 과Y<2>는 각각 수소, 브로모 또는 페닐기를 나타내며, 일반식(Ⅱ)에 있어서, n은 0~2의 정수이고, m은 0~1의 정수이며, 일반식(Ⅲ)에서 n은 0~2의 정수이고, m은 0~1의 정수이며, Y<1> 과Y<2>는 각각 수소, 브로모 또는 페닐기를 나타낸다.3. 제 2항에 있어서, 반응촉매로 루이스산을 실란화합물에 대하여 1~100몰% 사용하는 것이 특징인 제조방법.4. 제 2항에 있어서, 루이스산 촉매가 알루미늄 클로라이드 또는 알루미늄의 프리델-크라프트 촉매를 사용하는 것이 특징인 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 미세 패턴의 제작에 사용되는 리소그라피 장치에서 간섭계를 이용하여 정확하게 촛점을 찾는 방법에 관한 것이다 <구성>종래의 방법은 렌즈의 구경이 커야하고 모서리 효과를 제거할 수 있어야 함에 따라 렌즈이 가격이 고가이며, 렌즈의 촛점 거리를 측정하여 그 위치에 검출기를 정렬하는 데에 어려움이 많은 문제점이 있다. <효과>레이저(10)로부터 방출되어 콜리메이터(11)를 거쳐 광분할기(12)로 입사된 빛의 일부분은 거울(13)로 진행하다 반사되어 다시 공분할기로 향하고, 빛의 다른 부분은 직진하여 집속 렌즈(17)를 지나 시료에서 반사되어 다시 광분할기(12)로 향하여 이들 두개의 거울에서 반사된 빛과 시료에서 반사된 빛이 광분할기로 거치면서 간섭을 일으키는 간섭계에서 관찰되는 특정의 간섭 무늬를 직선이 되도록 제조정하여 시료에 촛점을 맺히게 함으로 촛점을 찾는다.1. 레이저로부터 방출되어 콜리메이터를 거쳐 광분할기로 입사된 빛의 일부분은 거울로 진행하다 반사되어 다시 광분할기로 향하고, 빛의 다른 부분은 직진하여 접속렌즈를 지나 시료에서 반사되어 다시 광분할기로 향하여 이들 두개의 거울에서 반사된 빛과 시료에서 반사된 빛이 광분할기로 거치면서 간섭을 일으키는 간섭계에서 관찰되는 특정의 간섭무늬를 직선이 되도록 조정하여 시료에 촛점이 맺히게 함을 특징으로 하는 레이저 리소그라피장치에서 간섭계를 이용한 촛점 찾는 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
기계 > 기타 자동화 기술
주위의 온도 변화에 의해 발생되는 로보트의 팔길이 변화량을 비접촉식 센서로 측정하여 보정 하도록 한다. <구성>로보트(1)의 핸드(2)에 장착되는 카메라와 LDS의 조합으로 이루어진 비접촉식 센서(3)를 이용하여 온도 변화에 둔감한 캘리브레이션 지그(5)를 교시된 측정 플랜트에서 상대 측정하여 초기에 입력된 값과 비교함으로서, 주변온도 변화에 의해 발생되는 로보트 팔길이의 변화량을 계산한다. <효과>생산라인에서 으로보트 시스템을 측정기 형태로 활용하는 경우 로보트 암의 길이변화를 측정하여 조정한다.1. 로부트(1)의 핸드(2)에 상착되는 카메라(3a)와 LDS(3b)의 조합으로 이루어진 비접촉식 센서(3)를 이용하여 온도변화에 둔감한 캘리브레이션 지그(5)를 교시된 측정 프랜트(5a`)에서 상대측정하여 초기에 입력된 값과 비교함으로써 주변온도 변화에 의해 발생된 로보트 팔길이 캘리브레이션 시스템.2. 제 1항에 있어서, 캘리브레이션 지그(5)는 크고 작은 두개의 직육면체가 2단으로 결합된 형태로서 각 평면(5a)상에 검은 원으로 이루어진 측정용 포인트(5a`)가 표시되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 변화에 의한 로보트 팔길이 보정용 캘리브레이션 시스템.3. 제 1항에 있어서, 비접촉식 센서(3)에서 카메라(3a)는 캘리브레이션 지그(5a`)의 측정포인트(5a`)의 중심을 LDS(3b)는 핸드(2)로부터 측정포인트(5a`)가 표시된 평면(5a)까지의 거리를 각각 측정하여 3차원 상대오차를 감지해 냄을 특징으로 하는 온도변화에 의한 로보트 팔길이 보정용 캘리브레이션 시스템.4. 제 1항에 있어서, 로보트 팔길이 변화량 계산은 로보트(1)에 의해 교시된 포인트에서 초기 입력값과 당해 시험에서의 측정값과의 오차를 입력으로 하여 최소자승빔에 의하여 이루어짐을 특징으로 하는 온도변화에 의한 로보트 팔길이 보정용 캘리브레이션 시스템.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 불휘발성(nonvolatile) 강유전체 박막 제조방법에 관한 것으로, 불화 크립톤 익사이머 레이저 아브레이션법을 이용하여 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물(strontium bismuth t antalum oxide:SrBi2Ta2O9)로 구성된 강유전체 박막 제조를 완료하므로써, 1) 기존 졸겔법이나 액체이동 증착법에 비해 반도체 공정과의 호환성을 높일 수 있을 뿐 아니라 제조 공정의 단순화 및 생산 효율 증대 효과를 기할 수 있고, 2) 백금/스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물/백금 캐패시터 구조의 경우, 장기물성(long term properties)인 파티그 및 임프린트 특성이 우수해 기억소자의 사용기간(life time)이 길어지게 되므로 상품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 강유전체 박막을 구현할 수 있게 된다.1. 백금/티탄/산화규소/규소가 순차적으로 적층된 구조의 기판 상에 불화 크립톤 익사이머 레이져 아브레이션 방법으로 스트론튬 비스무스탄탈륨 산화물 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막은 진공챔버 내의 기판 홀더에 기판을 고정시키는 단계와; 상기 진공챔버 내의 공정 조건을 산소 분압 900m Torr와, 기판 온도 450동 및, 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 타게트의 10회/분 회전으로 형성하는 단계와; 레이져를 3Hz로 진공챔버 내로 조사하여 기판 상에 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막을 형성하는 단계와; 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막이 형성된 기판을 서냉시키는 단계 및; 산소 분위기하에서 열처리하는 단계를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 레이져는 파장 248nm, 에너지 400-600mJ 및, 고전압 17.5kV의 조건으로 진공챔버 내로 조사되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.4. 제2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 섭씨 750도에서 2시간 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 제조방법.5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불휘발성 강유전체 박막은 상기 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막 상부에 백금 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.6. 제5항에 있어서, 상기 불휘발성 강유전체 박막은 백금 패턴 형성후 산소 분위기하에서 접촉 서냉하는 공정을 저 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.7. 제6항에 있어서, 상기 접촉 서냉 공정은 섭씨 560도에서 10분간 실시되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.8. 제2항에 있어서, 상시 스트론튬 비스무스 탄탈륨 산화물 박막은 기판과 타게트의 사이의 간격이 3.5~4.5cm이 유지된 상태에서 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 박막 제조방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
통신 > 회선교환 기술
본 발명은 코발트 페라이트 자성 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 산화물계 자성박막이 갖고 있는 우수한 내식성 및 내마모성과 제조비용의 저렴함을 살리면서도 아울러 자기 적 특성, 특히 포화자화값을 획기적으로 향상시키도록 한 것이다. 이에 조성식 CoXFeYOZ. 이때, X,Y,Z는 원자비로 0.5 X 2.9, 0.1 Y 2.5, 1 Z 4, X +Y = 3 인 것을 특징으로 하는 코발트 페라이트 자성 박막과, 금속계 타겟트를 사용하여 스파터 가스중 산소분율이 0.5∼20%이고, 기판온도가 100∼500℃인 스파터링 조건에서 피착시켜 코발트 및 철산화물과 코발트 및 철 금속을 박막형태로 형성하는 것임을 특징으로 하는 코발트 페라이트 자성 박막의 제조방법이 제공된다.1. 코발트를 함유한 철산화물과, 코발트와, 철 금속으로 이루어지고, 그 조성식이 다음과 같은 것을 특징으로 코발트 페라이트 자성 박막:Co(x)Fe(y)o(z)이때. X,Y,Z는 원자비로 0.5 X2.9, 0.1 Y 2.5, 1 Z 4, X+Y=3.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
화학공정 > 생리활성 농약물질 제조공정 기술 (L23)
화학식 1을 갖는 실릴알킬벤조아미드, 그의 제조방법 및 그를 유효성분으로 하는 농원예용 살진균제가 제공된다. 본 발명의 실릴알킬벤조아미드는, 화학식 2의 실릴알킬벤조산 유도체들을 티오닐클로라이드로 처리하여 벤조일클로라이드 유도체들을 합성한후, 이를 화학식 3의 1차 또는 2차 아민과 반응시킴으로써 제조한다.[화학식 1][화학식 2][화학식 3](식 중, R1은 수소 또는 C1-C4의 직쇄 또는 가지달린 알킬이고, R2는, C1-C4의 직쇄 또는 가지달린 알킬, C1-C6의 시클로알킬, 알릴, 페닐, 오르토-, 메타-, 또는 파라-클로로페닐기이고, R3는 수소 또는 메틸기이며, X는 수소, 메타- 또는 파라-플루오로, 클로로, 또는 메틸기이고, Me는 메틸기, n은 1 또는 2임)1. 다음 화학식 1의 실릴알킬벤조아미드 유도체:(식 중, R1은 수소 또는 C1-C4의 직쇄 또는 가지달린 알킬이고, R2는, C1-C4의 직쇄 또는 가지달린 알킬, C1-C6의 시클로알킬, 알릴, 페닐, 오르토-, 메타-, 또는 파라-클로로페닐기이고, R3는 수소 또는 메틸기이며, X는 수소, 메타- 또는 파라-플루오로, 클로로, 또는 메틸기이고, Me는 메틸기, n은 1 또는 2임)2. 제 1항에 있어서, R1이 H, R2가 메틸 또는 에틸인 실릴알킬벤조아미드 유도체.3. 다음 화학식 2의 실릴알킬벤조산을 티오닐클로라이드로 처리하여 벤조일클로라이드를 얻은 후 이를 다음화학식 3의 1차 또는 2차 아민과 반응시키는 것으로 되는 화학식 1의 실릴알킬벤조아미드의 제조방법4. 제 3항에 있어서, 화학식 2의 실릴알킬벤조산을 티오닐클로라이드로 처리하여 벤조일클로라이드를 제조할때 반응촉진제로서 디메틸포름아미드를 사용하는 것이 특징인 방법.5. 제 4항에 있어서, 벤조일클로라이드와 화학식 3의 아민을 1:3의 몰 비로 반응시키는 것이 특징인 방법.6. 제 3항 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, 반응용매로서 톨루엔을 사용하고 0℃ 내지 50℃의 반응온도에서 반응을 수행하는 것이 특징인 방법.7. 제 1항에 따른 화학식 1의 실릴알킬벤조아미드 유도체를 유효성분으로 하는 농원예용 살진균제.8. 제 7항에 있어서, R1이 H, R2가 메틸 또는 에틸인 화학식 1의 실릴알킬벤조아미드 유도체를 유효성분으로하는 살진균제.9. 제 7항 또는 8항에 있어서, 벼도열병, 벼잎집무늬마름병, 오이잿빛곰팡이병, 토마토역병, 밀붉은녹병, 또는 보리흰가루병에 효과적인 살진균제
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
철-알루미늄-탄소계 제진합금을 일정 온도의 이슬점을 갖는 수증기와 수소, 질소의 혼합가스를 사용하여 반응로 중에서 열처리하여 합금 중의 탄소를 제거함을 특징으로 하는 철-알루미늄 강자성형 제진 합금의 제조방법.철-알루미늄-탄소계 제진합금을 질소와 수소 혼합비(용량)가 1 : 3이며, 이슬점이 0∼20℃인 포화 수증기혼합가스를 사용하여 반응로 중에서 675∼725℃로 1시간 동안 열처리하여 합금 중의 탄소를 제거함을 특징으로 하는 철-알루미늄 강자성형 제진합금 제조방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기
일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 주조된 A3003 알루미늄 합금 빌렛을 420 내지 520℃의 온도 범위로 2 내지 8 시간 열처리하여 수냉시키는 것을 특징으로 하는 감광 드럼용 A3003알루미늄 합금의 열처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 열처리 방법에 따르면, 조대한 금속간 화합물의 부피 분율이 최소화되고 미세한 고온 석출상들의 부피 분율이 최대로 되어 개선된 경면 가공 특성을 갖는, 열처리 후 합금 내부의 조대한 금속간 화합물의 부피 분율이 1.5 ~ 3.5%이고 압출 가공 후 내부 금속간 화합물의 크기가 3 ~ 20㎛인 감광 드럼용 A3003알루미늄 합금이 제공된다.레이저 프린터 드럼에 적합한 초정밀 소재 열처리법, 결함이 없고 미려한 표면을 내는 합금의 열처리에 관한 기술이다.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
상세보기