일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
다음 구조식(IV)의 화합물을 포스포러스 옥시클로라이드와 N,N- 디메틸포름아미드와 반응시켜 다음 구조식(III)의 화합물을 제조하는 제1 공정, 구조식(VIII)의 화합물을 수용액에서 트°옛틜및 이 소티오요소 황산염과 반응시켜 다음 구조식(IX)의 피리미딘 화합물을 제조하는 제2 공정, 구조식(IX)의 화합물을 아세 트산 용매에서 산화제와 반응시켜 다음 구조식(X)의 화합물을 제조한 제3 공정, 구조식(X)의 화합물을 2(S)-메틸노릴알코올에 n-부틸리튬을 첨가하여 얻어진 용액과 반응시켜 다음 구조식(XI)의화합물을 제조하는 제4 공정, 구조식(XI)의 화합물을 삼염화철(III), 활성탄, 및 히드라진과 반응시켜 다음 구조식(XII)의 화합 물을 제조하는 제5 공정, 및 구조식(XII)의 화합물을 디아조화 반응시켜 디아조늄 염을 생성시킨다음, 구조식(II)의 화합물과 반응시켜 다음 구조식 (I)의 키랄 에스테르 화합물을 제조하는 제6 공정으로 이루어진 구조식(I)의 키랄 에스테르 화합물의 제조방법:1. 다음 구조식(4)의 화합물을 포스포러스 옥시클로라이드와 N,N-디메틸포름아미드와 반응시켜 다음 구조식(3)의 화합물을 제조하는 제1공정, 구조식(8)의 화합물을 수용액에서 트리에틸아민 및 이 소티오요소 황산염과 반응시켜 다음 구조식(9)의 피레미딘 화합물을 제조하는 제2공정, 구조식(9)의 화합물을 아세트산 용매에서 산화제와 반응시켜 다음 구조식(10)의 화합물을 제조한 제3공정, 구조식(10)의 화합물을 2(S)-메틸노릴알코올에 n-부틸리튬을 첨가하여 얻어진 용액과 반응시켜 다음 구조식(11)의 화합물을 제조하는 제4공정, 구조식(11)의 화합물을 삼염화철(3), 활성탄, 및 히드라진과 반응시켜 다음 구조식(12)의 화합물을 제조하는 제5공정, 및 구조식(12)의 화합물을 디아조화 반응시켜 디아조늄 염을 생성시킨다음, 구조식(2)의 화합물과 반응시켜 다음 구조식(1)의 키랄 에스테르 화합물을 제조하는 제6공정으로 이루어진 구조식(1)의 키랄 에스테르 화합물의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 제2공정에서 반응 용해가 증류수 또는 피리미딘인 것이 특징인 제조방법.3. 제1항에 있어서, 제3공정에서 산화제가 m-클로로퍼옥시벤조산, 과망간산칼륨 또는 과산화수소인 것이 특징인 제조방법.4. 제2 또는 제3항에 있어서, 제 2공정의 반응 용매가 증류수이고, 제 3공정의 산화제가 과산화수소인 것이 특징인 제조방법.5. 제1항에 있어서, 제6공정에서 추가로 구조식(2)의 화합물을 (S)-(-)-α-메틸벤질아민과 반응시켜 염을 얻고, 정제한 다음 산처리하여 광학적 순도가 높은 구조식(3)의 화합물을 제조하는 단계를 포함하는 것이 특징인 제조방법.6. 제1항에 있어서, 제6공정에서 디아노늄 염을 생성시키기 위해 구조식(12)의 화합물을 이소아밀니트리트와 반응시키는 것이 특징인 제조방법.
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- 2000-12-15
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일반기술
에너지·자원 > 기타 에너지 절약 기술
본 발명은 폐열을 효과적으로 이용할 수 있는 화학반응 열 펌프 장치에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 화학 반응 열 펌프에 사용할 수 있는 가역 반응계, 즉 2-프로판올/아세톤/수소 반 응계를 이용하여, 폐쇄 회로를 이루고 있는 하나의 장치에는 흡열 반응과 발열 반응을 동시에 행함은 물론이고, 고순도의 반응 생성물을 분리 공급함으로써 화학 반응 열 펌프의 효율을 극대화시키고, 또한 반응물의 재공급 없이 반영구적으로 사용이 가능한 장치를 개발하는 것이다. 특히, 본 발명의 화학 반응 열 펌프 장치는 열이 이동되는 과정에서 열 손실이 극대화되고 반응과 분리를 하나의 장치에서 처리함으로써 운전비 및 장치비를 절감함과 아울러, 조작상의 위험이 적어 상업적인 이용 가능성이 매우 높다.1. 각각 촉매로 채워진 흡열 반응부(A)와 그의 제어부(C) 및 발열 반응부(B)와 그의 제어부(D)로 구성되고, 저온에서의 흡열 반응과 고온에서의 발열 반응을 연속적으로 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 화학 반응 열 펌프 장치.2. 제1항에 있어서, 반응계는 가역적 화학 반응이 가능한 계이고, 2-프로판올/아세톤/수소 또는 사이클로헥산/벤젠/수소인 것인 화학 반응 열펌프 장치.3. 제1항에 있어서, 촉매는 루테늄, 백금, 아크롬산구리, Cu-Zn 및 라니 니켈로 이루어지는 군 중에서 선택된 것 1종 이상을 알루미나, 활성탄 또는 제올라이트에 담지시킨 것인 화학 반응 열 펌프 장치.4. 제1항에 있어서, 흡열 반응부(A)는 흡열 반응기 주반응부(11)과 반응 증류부(12 및 13)이 동일한 하나의 경로로 연결되어 반응과 증류가 동시에 일어나는 반응 증류 장치인 것인 화학 반응 열 펌프 장치.5. 제1항에 있어서, 발열 반응부(B)는 그 크기가 발열 반응기(26) 내경의 0.1~0.9배인 발열 반응기 내부 경로(25)를 한 개 이상 포함한 것인 화학 반응 열 펌프 장치6. 제1항에 있어서, 저온은 60~150℃인 것인 화학 반응 열 펌프 장치7. 제1항에 있어서, 고온은 150~300℃인 것인 화학 반응 열 펌프 장치.
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 다음 조성식으로 표시되며 평균 입경이 5 내지 20nm인 결정립으로 된 것을 특징으로 하는, 자심 손실이 적고 고주파 특성이 우수한 철계 극박형 초미세 결정 합금 및 그의 극玟박대의 제조 방법에 관한 것이다. Fe100-x-y-z-wBwNbyCuzMw 식중, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Y, Zr, Mo, Hf 및 Ta 중에서 선택된 1개 이상의 원소이며, x, y, z 및 w는 각각 원자 %로서 5≤x≤15, 5≤y≤15,0≤z≤5, 0≤w≤5 및 10≤x+y+z+w≤40을 만족시키는 수이다.1. 다음 조성식으로 표시되며 평균 입경이 5 내지 20nm인 결정립으로 된 것을 특징으로 하는, 자심 손실이 적고 고주파 특성이 우수한 철계 극박형 초미세 결정 합금.Fe(100-x-y-z-w) BxNbyCuzMw식중, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Y, Zr, Mo, Hf 및 Ta 중에서 선택된 1개 이상의 원소이며 x,y,z 및 w는 각각 원자 %로서 5≤x≤15, 4≤y≤15, 0≤z≤5, 0≤w≤5 및 10≤x+y+z+w≤40을 만족시키는 수이다.2. 제1항에 있어서, M이 Al, Mo 및 Cr 중에서 선택되고, x=9, y=7, z=1 및 0.5≤w≤1.5인 합금.3. 1) 다음 조성식으로 표시되는 합금을 공지의 진공 아크로에서 용해시켜 용탕을 얻는 단계Fe(100-x-y-z-w) BxNbyCuzMw식중, M은 Al, Si, Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni, Y, Zr, Mo, Hf 및 Ta 중에서 선택된 1개 이상의 원소이며 x,y,z 및 w는 각각 원자 %로서 5≤x≤15, 4≤y≤15, 0≤z≤5, 0≤w≤5 및 10≤x+y+z+w≤40을 만족시키는 수이다. 2) 용탕이 1,000내지 1,500℃에 도달하였을 때 공지의 단일롤형 액체 급냉 방법에 따라서 용탕 분사 압력을 0.01 내지 0.16kg/㎡로, 냉각롤의 선속도를 30 내지 65m/s로, 및 용탕 분사실내의 진공도를 5x/10exp(2)토르 이하로 하여 박대를 제조하는 단계, 및 3) 박대를 진공중에 약 500 내지 650℃에서 20내지 120분 동안 열처리 하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 자심 손실이 적고 고주파 특성이 우수한 철계 극박형 초미세 결정 합금 박대의 제조 방법.4. 제3항에 있어서, 상기 용탕 분사 압력을 0.02 내지 0.16kg/㎠로 하는 것인 제조 방법.5. 제3항에 있어서, 상기 냉각롤의 선속도를 35 내지 60m/s로 하는 것인 제조 방법.
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재료 > 기타 금속재료
본 발명은 Tb-Fe 2원계 및 Tb-Fe-B 3원계 자기 변형 합금에 관한 것이다. 본 발명의 자기 변형 합금은 Tb 28.3∼33.3 원자%, Fe 56.7∼66.7 원자% 및 B 0∼15 원자%로 이루어진 모합금용해시킨 용탕을 불활성 분위기하에서 10 내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각 롤 위로 분사시켜 급냉시킴으로써 제조된다. 본 발명에서 제시한 자기 변형 합금은 10nm 크기의 TbFe2결정립이 균일하게 분포되어 있는 초미세 결정립 구조를 가지며 낮은 자기장 영역내에서도 우수한 자기 변형 특성을 나타낸다.1. 하기 조성으로 나타내어지는 초미세 결정립 구조의 Tb-Fe계 자기 변형 합금. TbxFeyBz상기 식에서 x,y 및 z는 각각 원자%로서 28.3≤x≤33.356.7≤y≤66.79≤z≤15(다만, x+y+z=100임) 의 조건을 만족시킨다.2. 하기 조성으로 나타내어지는 초미세 결정립 구조의 Tb-Fe계 자기 변형 합금Tb(33.3)Fe(66.7)
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 TbFe3에 소량의 B가 첨가되어 이루어진 삼원계 Tb-Fe-B 자기 변형 합금에 관한 것이다. 본 발명의 자기 변형 합금은 Tb 21.25 내지 23.75 원자%, Fe 63.75 내지 71.25 원자% 및 B 5 내지 15 원자%로 이루어진 모합금을 용해시킨 용탕을 불활성 분위기하에서 10 내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각 롤 위로 분사시켜 급냉시킴에 의해 박대 형태로 제조된다. 본 발명에 의해 제조된 자기 변형 합금은 낮은 자기장에서 우수한 자기 변형 특성을 나타낸다.1. 다음의 조성식으로 표시되는 주된 상으로서 TbFe3상을 가진 TbFe3-B계 자기 변형 합금. TbxFeyBz 여기서 x,y 및 z는 각각 원자%로서 21.25≤x≤23.75, 63.75≤y≤71.25, 5≤z≤15, x+y+z=100을 만족시키는 수이다.2. Tb 21.25 내지 23.75 원자%, Fe 63.75 내지 71.25 원자%, B 5 내지 15 원자%로 이루어진 모합금을 진공 아크 용해법으로 용해시키고, 아르곤(Ar) 기체 분위기 하에서 상기 용탕이 들어 있는 석영관에 아르곤 기체를 1.85x/10Mpa의 압력으로 가해, 10 내지 50m/초의 선속도로 회전하는 냉각롤 위로 상기 용탕을 분사시켜 급냉시킴에 의해 박대 형태로 제조함을 특징으로 하는 TbF3-B계 자기 변형 합금의 제조 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 특히 (110) 면지수를 갖는 단결정 실리콘 기판에 대해 결정의존성 식각을 행하여 기둥모양을 갖는 실리콘 구조물을 행하고, 이 기둥의 끝부분을 뾰족하게 함으로써 전계방출소자용 실리콘 팁 어레이의 제조에 응용할 수 있도록 한 것이다. 본 발명에 의한 실리콘 팁은 바늘(needle) 모양을 하고 있으며, 제조방법은 먼저 (110) 실리콘 기판상에 결정방향을 고려하여 평행사변형 또는 사각형의 식각마스크를 형성한 뒤, 이를 결정의존성 식각하고, 다음으로 샤프닝(sharpening) 공정을 통하여 팁을 제작하는 것으로, 팁의 밑 부분이 차지하는 면적이 작아지게 되므로, 고밀도 팁 어레이를 제작할 수 있으며, 아울러 팁의 종횡비를 매우 크게 할 수 있는 효과가 있다.1. (110) 실리콘 기판 상에 끝부분이 뾰족한 4각기둥으로 형성됨을 특징으로 하는 결정의 존성 습식식각을 이용하여 제조된 시리콘 팁.2. (110) 실리콘 기판 상에 결정 방향에 따라 평행사변형의 식각마스크를 형성하는 제1공정과, 결정의 존성 식각용액으로 상기 실리콘 표면을 식각하여 4각기둥의 형상을 갖는 실리콘 구조물을 형성하는 제2공정과, 상기 4각기둥으로 형성된 실리콘 구조물의 끝부분을 뾰족하게 형성하는 제3공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.3. 제2항에 있어서, 상기 결정의 존성 식각 용액은 85℃의 44% KOH:H2O용액 또는 F-etchant 용액 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 틉의 제조방법.4. 제2항에 있어서, 상기 제3공정은 습식식각법, 실리콘의 열 산화에 의한 방법 또는 건식식각법 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.5. (110) 실리콘 기판 상에 끝부분이 뾰족한 6각기둥으로 형성됨을 특징으로 하는 결정의존성 습식식각을 이용하여 제조된 실리콘 팁.6. (110) 실리콘 기판 상에 결정방향에 따라 직사각형 혹은 정사각형의 식각마스크를 형성하는 제1공정과, 결정의존성 식각용액으로 상기 실리콘 표면을 식각하여 6각기둥의 형상을 갖는 실리콘 구조물을 형성하는 제2공정과, 상기 6각기둥으로 형성된 실리콘 구조물의 끝부분을 뾰족하게 형성하는 제3공정의 순서로 수행함을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.7. 제6항에 있어서, 상기 결정의존성 식각용액은 F-etchant용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.8. 제6항에 있어서, 상기 제3공정은 습식식각법, 실리콘의 열 산화에 의한 방법 또는 건식식각법 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 팁의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
고감도 고해상성 내열성을 만족시키는 초미세가공용 레지스트 재료로서 t-부톡시 분호기 함유 말레이미드 고분자를 새로운 단량체인 t-BuDMI와 스티렌 및 스티렌 유도체 다른 단량체를 통상적이 라디칼 공중합 반응에 의하여 효율적으로 제조하는 것이다. <구성>N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체를 디큐밀퍼옥사이드 존재하에 가열 라디카 중합시키는 N-t-부톡시말레이미드 단독 중합체 제조;N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체와 스티레계 유도체를 벤조일 퍼옥사이드 아조비스(이소부티로니트릴)같은 라디칼 개시제 존재하에 라디칼 공중합시키는 N-t-부톡시말레이미드와 스티렌 유도체의 몰비가 1:1로 조성된다.1.N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체를 디큐밀퍼옥사이드 존재하에 가열 라디칼 중합시키는 N-t-부톡시말레이미드 단독 중합체 제조방법.2. N-셔터리-부톡시말레이미드 단량체와 스티렌계 유도체(X-St)를 벤조일 퍼옥사이드, 아조비스(이소부티로니트릴) 같은 라디칼 개시제 존재하에 라디칼 공중합시키는 N-t-부톡시말레이미드와 스티렌 유도체의 몰비가 1:1로 조성된 공중합체 P(c-BuOMI/X St)제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 하기 조성식 (I) 및 (II)로 표시되는 조성을 갖는 용융 상태의 모합금을 초급냉시켜 비정질상을 만든 다음, 이를 이 비정질상의 결정화 온도 이하 및 이상의 온도에서 각각 열 처리하여 제조한 구조 이완된 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금 및 결정립의 입도가 약 5 내지 20nm인 bcc상 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금에 관한 것이다. 본 발명의 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금은 약 10,000~30,000의 실효 투자율, 35 mOe 이하의 보자력 및 0.5~1.2 T의 포화 자속 밀도를 나타내며, 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금은 10,000~30,000의 투자율, 40 mOe 이하의 보자력 및 1.3~1.5 T의 큰 포화 자속 밀도를 나타내어 각종 전기·전자 기기에서의 에너지 변환 소자, 출력 제어 소자, 노이즈 감쇄 소자 및 센서 소자 등의 기능 부품으로서 사용이 가능하다.1. 약 10,000~30,000μe의 실표 주타율, 35mOe이하의 보자력 및 0.5~1.2T의 포화 자속 밀도를 나타내는, 하기 조성식 (1)로 표시되는 비정질상 Fe-Al계 연자성 합금. Fe(100-a-b-c)AlaBbMc 상기 식에서, M은 Zr 및 Nb 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내며, a,b 및 c는 각 합금 조성 원소의 원자%로서, 각각 2≤a≤12, 5≤b≤20, 0≤c≤10 및 10≤b+c≤20이다.2. 약 10,000~30,000μe의 실효 투자율, 40mOe 이하의 보자력 및 1.3~1.5T의 포화 자속 밀도를 나타내는, 하기 조성식(2)로 표시되는 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금. Fe(100-d-e-f-g)AldBeMfNg 상기 식에서, M은 Zr 및 Nb 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내고, N은 Cu 및 Mg 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 나타내며, d,e,f 및 g는 각 합금 조성 원소의 원자%로서, 각각 2≤d≤12, 5≤e≤15, 2≤f≤10, 100≤e+f≤20 및 1≤g≤30이다.3. 제2항에 있어서, 상기 초미세 결정립은 입도가 5~20nm이고 결정 구조가 bcc 구조인 것인 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금.4. 제2항에 있어서, 상기 초미세 결정립은 체적 분율이 50% 이상이고, 그 나머지는 비정질상으로 구성되는 것인 초미세 결정립 Fe-Al계 연자성 합금.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
"이온빔 및 플라즈마에 의한 재료의 표면 물성 개질" 기술은 고분자, 세라믹. 금속재료등에 친수성 및 소수성의 기능을 증진시켜 신기능을 부여함으로서 신소재 및 신제품 생산에 획기적인 기여를 할 수 있는 신기술로서 전자재료분야, 의료재료분야, 합성섬유재료분야, 열전달기제조 분야 등 실업 전반에 응용될 수 있는 기술임.1. 증착할 구리를 도가니에 채우는 단계와,기판을 증착위치에 올려 놓은 후, 증착조건의 진공을 유지하는 단계와, 구리가 채워진 도가니를 도가니 필라멘트와 도가니 밤바드먼트를 조절함으로써 클러스터 이온 빔을 형성시키는 단계와, 이온화 필라멘트와 이온화 전압을 조절하여 이온 빔의 일부분을 이온화시키는 단계와, 가속 전압을 조절하여 이온화된 클러스터 이온을 가속시켜 가속된 클러스터 이온 빔과 중성 클러스터 이온 빔을 기판에 증착시키는 단계의 순서로 진행함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 반도체 소자용 구리박막 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 증착조건은 10...~10...torr의 고진공 영역을 유지함을 특징으로 하는 이온 클러스터 빔을 이용한 반도체 소자용 구리박막 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2005-06-13
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일반기술
기계 > 기타 에너지·환경기계
다층 필터 수단을 이용한 효과적이고 더욱 안전한 차량용 공기 정화 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 차량용 공기 정화 장치는 오염 원인별로 선택적으로 정화하기 위한 다층 필터 수단 을 사용하므로써 오존의 발생과 같은 역기능이 없을뿐 아니라, 공기가 차량내에 유입되기 전에 정화되므로 매우 효과적이다. 본 발명에 따른 바람직한 실시예에서 공기 정화 장치는 여과 필터, 활성탄, 홉칼라이트(Hopcalite), 제올라이트(Zeolite)를 차례대로 동시에 포함하는 다층 필터 수단으로 이루어져 있다. 본 발명에 따른 공기 정화 장치는 차량 공기 조화 시스템 내부의 공기 유입부에 장착되므로, 외부에 돌출된 부분이 없어 사고시 2차적인 부상의 우려가 없고, 공기가 차량 내로 유입되기 전에 정화되므로 정화 효과가 더욱 높다. 본 발명에 따른 공기 정화 장치가 장시간 사용되어 공기 정화 능력이 저하되는 경우에는 필터 수단의 일부를 교체하거나, 가열 수단에 의하여 필터 수단에 흡착된 공기를 탈리시킴으로써 필터 수단을 재생시켜 반영구적으로 사용할 수 있다.1. 차량의 실내로 유입되는 공기를 정화하는 장치에 있어서, 공기중의 입상 오염 물질을 여과하기 위한 교환 가능한 여과필터를 포함하는 제1필터 수단, 휘발성 물질과 기상(氣狀) 오염 물질인 오존 및 이산화황을 여과하기 위한 활성탄을 포함하는 제2필터 수단, 기상 오염 물질인 일산화탄소를 여과하기 위한 홉칼라이트(Hopcalite) 촉매를 포함하는 제3필터 수단, 그리고 기상 오염 물질인 이산화질소를 여과하기 위한 제올라이트(Zeolite)를 포함하는 제4필터 수단을 포함하고, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4필터 수단은 적층되어 다층 필터 수단을 형성하는 것을 특징으로 하는 차량용 공기 정화 장치.2. 제1항에 있어서, 상기 다층 필터 수단은 공기중의 입상 오염 물질을 여과하기 위한 교환 가능한 여과필터를 포함하는 제5필터 수단을 더 포함하며, 상기 제5필터 수단은 상기 제1,제2,제3 및 제4필터 수단을 통과한 공기를 여과하는 것인 차량용 공기 정화 장치.3. 제1항에 있어서, 상기 여과 필터는 주름진 형태인 차량용 공기 정화 장치.4. 제3항에 있어서, 상기 여과 필터는 약 150g/㎡의 기본 중량을 가지고, 입도가 0.3μm인 입자에 대해 제거 효율이 70~99.99%인 것인 차량용 공기 정화 장치.5. 제1항에 있어서, 상기 제2필터 수단은 입도가 60~80메시(mesh)인 활성탄 입자를 포함하고, 압력 강하가 40mmH2O를 넘지 않으며, 100lpm 이상의 유동률로 공기가 통과할 수 있는 것인 차량용 공기 정화 장치.6. 제1항에 있어서, 상기 제3필터 수단은 입도가 50~400메시인 홉칼라이트를 포함하고, 압력 강하가 40mmH2O를 넘지 않으며, 100lpm 이상의 유동률로 공기가 통과할 수 있는 것인 차량용 공기 정화 장치.7. 제1항에 있어서, 상기 제4필터 수단은 입도가 50~400메시인 제올라이트를 포함하고, 압력 강하가 40mmH2O를 넘지 않으며, 100lpm 이상의 유동률로 공기가 통과할 수 있는 것인 차량용 공기 정화 장치.8. 제1항에 있어서, 상기 차량용 공기 정화 장치는 차량 공기 조화 시스템의 공기 유입부에 설치되는 것인 차량용 공기 정화 장치.9. 제1항 또는 제5항 내지 제7항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2, 제3 또는 제4필터 수단을 가열하여 흡착된 오염 물질을 탈리시키기 위한 가열 수단을 포함하는 것인 차량용 공기 정화 장치.10. 제9항에 있어서, 상기 가열 수단은 상기 제2, 제3 또는 제4필터 수단을 200~500℃의 온도로 가열하여 흡착된 오염 물질들을 탈리시키는 것인 차량용 공기 정화 장치.11. 제9항에 있어서, 상기 가열 수단은 상기 제2, 제3 또는 제4필터 수단을 감싸고 있는 전기 열선인 차량용 공기 정화 장치.12. 차량내의 공기를 정화시키는 방법에 있어서, 공기가 차량내로 유입되기 전에, 공기중의 입상 오염 물질을 제1필터 수단에 의하여 여과하는 단계, 휘발성 물질과, 기상 오염 물질인 오존 및 이산화황을 제2필터 수단에 의하여 여과하는 단계, 기상 오염 물질인 일산화탄소를 촉매인 제3필터 수단에 의하여 제거하므로써 여과하는 단계 및 기상 오염 물질인 이산화질소를 제4필터 수단에 의하여 환원시켜 여과하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공기 정화 방법.13. 제12항에 있어서, 상기 제2,제3 및 제4필터 수단을 가열하여 흡착된 오염 물질들을 탈리시킴으로써 재사용하는 것인 공기 정화 방법.14. 제13항에 있어서, 상기 제2, 제3 및 제4 필터 수단은 200~500℃의 온도로 가열되는 것인 공기 정화 방법.
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
본 발명은 기체-고체 접촉장치에 관한 것이다. 종래에도 다양한 종류의 기체-고체 접촉장치가 안출되어 있으나, 이들은 기체-고체 접촉효율이 저하되거나 압력강하가 발생되고, 고체입자 의 제류량분포의 제어가 어렵고, 고체입자의 크기 및 입자강도의 범위에 한계가 있었다. 본 발명은 수직으로 설치되는 통형의 접촉장치 본체에 상부로부터 고체입자를 투입하여 낙하시키면서 기체를 하부측에서 상부로 상향 유동시킴과 아울러 본체 내부에는 다단의 제어밸브를 설치하여 이 제어밸브의 상, 하부측 압력을 측정하여 그 차압에 따라 제어밸브의 개폐정도를 제어함으로써 기체-고체의 접촉효율이 향상되고 압력의 강하가 배제되며 고체입자의 크기와 입자강도의 범위에 한계가 없게 되며 고체입자의 체류량을 최적한 상태로 제어할 수 있도록 한 것이다.1. 통형으로 된 접촉장치 본체와, 상기 접촉장치 본체의 상부에 회전식 고체입자 투입밸브를 통하여 연결되는 고체입자 저장조와, 상기 본체의 하부에 연결되는 회전식 고체입자 방출밸브와, 상기 접촉장치 본체의 하단측에 연결되는 기체 공급관과, 상기 접촉장치 본체의 상단측에 연결되느 ㄴ기체 방출관과, 상기 접촉장치 본체의 내부에 설치되는 다수개의 동기(同期)회전판을 가지는 다단의 제어밸브 및, 상기 본체의 일측벽을 관통하여 상기 각 단의 제어밸브의 상하측에 강지관으로 연결되어 상기 각 제어밸브의 상, 하부측의 압력을 감지하는 차압센서들로 구성됨을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 접촉장치 본체는 중단부의 통형 기체 -고체 접촉부와, 이 접촉부의 상단에 고깔형으로 형성되어 상기 고체입자 투입관과 기체 방출관이 연결되는 고체입자 투입부와, 접촉부의 하단에 깔데기 형으로 형성되어 상기 고체입자 방출관과 기체 공급관이 연결되는 고체입자 방출부로 구성됨을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.3. 제 1항에 있어서, 상기 다단의 제어밸브는 다수계의 밸브판들이 상기 본체내에 본체의 길이방향에 수직인 방향으로 배열되어 그 양단이 본체의 양측벽에 좌, 우 각 90℃이내에서 회동가능하게 지지된 것임을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.4. 제 3항에 있어서, 상기 밸브판의 양단에는 본체의 양측벽에 회전가능하게 지지되는 지지축이 돌출형성되고, 각 밸브판의 일단측에는 지지축으로부터 이격된 위치에 연결로드가 힌지로 연결되어 이 연결로드의 직선왕복 운동에 의하여 각 밸브판이 동기적으로 회동되도록 한 것을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.5. 제 1항, 제 3항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 밸브판은 지지축(62)를 중심으로 밸브판(61)의 양측을 서로 반대방향으로 만곡형성됨과 아울러 그 양단이 예리한 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.6. 제 5항에 있어서, 상기 밸브판이 외곽의 프레임과 이 프레임의 내측에 부착되는 그물망으로 형성되어 기체통과시 압력 강하를 감소할 수 있게 된 것을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.7. 제 1항, 제 3항 및 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 각 단의 제어밸브를 구성하는 밸판들의 설치 높이를 서로 다르게 하여서 됨을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.8. 제 7항에 있어서, 상기 밸브판중 중앙측의 것이 가장 높은 위치로 되고 양측으로 갈수록 그 높이가 낮아지는 상태로 배열된 것을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.9. 제 7항에 있어서, 상기 밸브판중 중앙측의 것이 가장 낮은 상태로 되고 양측으로 갈수록 그 높이가 높아지는 상태로 배열된 것을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 본체(10)의 상측 고체입자 투입부(12)의 내부에 고체입자 분산수단(80)을 설치함으로써 고체입자 투입밸브(22)를 통하여 투입되는 고체입자(SP)들이 최상단 제어밸브(60)위에 전면적으로 균등하게 분산 투입되도록 한 것을 특징으로 하는 다단 기체-고체 접촉장치.
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- 2000-12-15
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
다음 일반식(Ⅰ)의 신규한 3-프로페닐 세팔로스포린 화합물 및 그의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 암모니오프로페닐 세팔로스포린 화합물은 특히 세팔로스포린계 항생제에 내성이 강 한 균주인 엔테로박터 클로아케 P99에 대해 기존의 광범위 항생제로서 널리 알려진 세프타지딤보다 월등한 항균력을 보일 뿐 아니라 그램 양성균에 대해서도 세프타지딤보다 우수한 항균력을 나타낸다. 식중, P는 상기 정의된 바와 같다.1. 다음 일반식(Ⅰ)의 신규한 3-프로페닐 세팔로스포린 화합물 또는 이들의 약학적으로 허용되는 염. 식중 P는 메조-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘,(3S,4S)-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (3R,4R)-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (2S,4R)-4-히드록시-1-메틸-2-피롤리딘메탄올, N-메틸-비스(2-히드록시에틸)아민,3,4,-시스-디히드록시-1-메틸피페리딘,3,4-트란스-디히드록시-1-메틸피페리딘,4-히드록시-1-메틸피페리딘,2-히드록시메틸-1-메틸피페리딘 및 트로핀 중에서 선택된다)2. 다음 일반식(Ⅲ)의 아민 화합물 P를 다음 일반식(Ⅱ)의 화합물과 반응시키는 것으로 이루어지는 제1항에 따른 일반식(Ⅰ)의 세팔로스포린 화합물의 제조 방법. (식중, X는 할로겐 원자이다.)(P는 메조-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘,(3S,4S)-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (3R,4R)-3,4-디히드록시-1-메틸피롤리딘, (2S,4R)-4-히드록시-1-메틸-2-피롤리딘메탄올, N-메틸-비스(2-히드록시에틸)아민,3,4,-시스-디히드록시-1-메틸피페리딘,3,4-트란스-디히드록시-1-메틸피페리딘,4-히드록시-1-메틸피페리딘,2-히드록시메틸-1-메틸피페리딘 및 트로핀 중에서 선택된다) P (Ⅲ)3. 제2항에 있어서, 일반식(Ⅲ)의 아민 화합물 P를 일반식(Ⅱ)의 화합물과 반응시키기 전에 2 내지 5당량의 실릴화제에 의해 실릴화시키는 것이 특징인 방법.4. 제3항에 있어서, 실릴화제가 N-메틸트리메틸실릴트리플루오로아세트아미드(MSTFA), N,O-비스트리메틸실릴트리플루오로아세트아미드(BSTFA), 헥사메틸디실라잔(HMDS), N,0-비스트리메틸실릴아세트아미드(BSA), 비스트리메틸실릴유레아, 및 N-메틸트리메틸실릴아세트아미드 중에서 선택되는 것이 특징인 방법.
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일반기술
재료 > 기타 금속재료
본 발명은 초경합금의 제조 과정 중에서 분쇄가 끝난 초경합금 분말을 진공중 300℃ 내지 500℃에서 1시간 이상 열처리하는 것으로 이루어지는 초경합금 제조시의 초경합금 분말의 산화를 감소시키는 방법에 관한 것이다.1. 분쇄된 초경합금 분말을 0.1토르 이하의 진공중 300℃내지 500℃에서 1시간 이상 10시간 이하 열처리하는 것을 특징으로 하는 초경합금 제조시의 초경합금 분말의 산화 방지 방법.
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
본 발명은 저온열화거동(low temperature degradation)을 억제하여 고강도ㆍ고인성을 유지할 수 있는, 재료의 표면에 질소를 고용체로 함유하고 내부소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 가지는 지르코니아 복합재료 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명이 제조방법은 지르코니아 소재 또는 지르코니아 복합소재를 질소원 존재하에서 1200~1700℃의 온도에서 열처리하는 것으로 이루어진다.1. 질소를 고용체 형태로 함유함으로써, 내부소재보다 저온열화가 억제되는 안정한 표면층을 갖는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료2. 제 1항에 있어서, 상기 지르코니아의 일부 또는 전부가 TZP(ftetragonal zirconea polycrystals)형태인 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료.3. 제 1항에 있어서, 상기 표면층은 지르코니아가 내부보다 안정화된 전이성 정방정(t-ZrO₂),입방정(cubic),이들의 혼합체 또는 단사정과 이들의 혼합체로 존재하는 것을 특징으로 하는 지를코니아 재료.4. 지르코니아 재료의 표면에 질소화합물을 공급한 후 불활성 가스 또느 질소 가스 분위기에서 열처리함으로써, 상기 소재의 표면을 내부 소재보다 저온열화가 억제되는 표면층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.5. 제 4항에 있어서, 상기 소재의 표면에 질소화합물로서 질소화합물 또는 질소화합물과 타원소와 복합체를 분말형태로 공급한 후 질소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.6. 제 4항에 있어서, 상기 소재의 표면에 질소화합물을 함유하는 슬러리 형태로 공급한 후 질소분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.7. 제 4항에 있어서, 상기질소화합물이 2A, 3A,4A,4B족 원소와 N을 함유한 질소화합물인 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.8. 지르코니아 재료를 질소 분위기에서 1200~1700℃의 온도에서 열처리함으로써, 상기 소재의 표면을 내부 소재보다 저온열화가 억제되는 표면층으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 지르코니아 재료의 제조방법.
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- 2000-12-15
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일반기술
재료 > 전기·전자기 기능재료
본 발명은 전계방출표시소자(field emission display:FED) 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 내에 오목한 홈을 형성하고, 상기 홈 밑면에 에미터를 형성한 뒤, 발광층이 형성 되어 있는 유리기판과 접합시켜 소자제조를 완료하므로써, 별도의 스페이서(spacer) 없이도 소자의 양극-음극간 거리 및 픽셀(pixel)의 면적이나 피치(pitch)등을 서브-마이크론(sub-micron) 수준의 정밀도를 가지도록 조절할 수 있고, 또한 픽셀이 물리적으로 격리되어서 전기-광학적인 크로스-토크(cross-talking) 현상을 방지할 수 있으며, 두 기판이 접합에 의해 연결되므로 실장이 간단할 뿐만 아니라 물리적인 내구성이 강한 장점을 가진다.임의의 깊이를 갖는 홈이 형성된 반도체기판과 상기 홈 밑면의 반도체기판에 형성된 n형 우물과 상기 n형 우물 상에 형성된 에미터와 홈이 형성되지 않은 상기 반도체기판 상에 형성된 절연막과 상기 절연막위에 접합된 투명전극과 상기 에미터 상측부에 배열되도록 투명전극 내측에 형성된 발광층 및 상기 투명전극 상에 형성된 유리기판으로 이루어짐을 특징으로 하는 전계방출표시소자.
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
락트산과 4가 이사으이 다가 알콜로부터 제조된 스타형(STAR FORM) 분자 구조를 갖는 분자량 30,000 이상의 생분해성 폴리락트산1.락트산과 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된 스타형(star form) 분자 구조를 갖는 분자량 30,000 이상의생분해성 폴리락트산. 2.제1항에 있어서, 락트산이 L-락트산, D-락트산, DL-락트산 및 락트산 올리고머로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 폴리락트산. 3.제1항에 있어서, 다가 알콜의 각각의 히드록실기가 1차 히드록실기인 폴리락트산. 4.제3항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 폴리락트산. 5.제3항에 있어서, 다가 알콜이 펜타에리트리톨인 폴리락트산. 6.제3항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 폴리락트산. 7.제6항에 있어서, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트의 알킬기가 에틸기 또는 프로필기인 폴리락트산. 8.제3항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인 폴리락트산.9.락트산에 4가 이상의 다가 알콜을 가하고, 촉매 부재하에 감압 가열하여 락트산을 탈수 반응시켜서 저분자량의 폴리락트산을 얻고, 이를 촉매 존재하에 감압 가열하여 직접 중축합시키는 것을 특징으로 하는 분자량이 30,000 이상인 스타형 고분자량 폴리락트산의 제조 방법. 10.제9항에 있어서, 락트산이 L-락트산, D-락트산, DL-락트산인 폴리락트산 및 락트산 올리고머로 이루어진군 중에서 선택되는 것인 방법. 11.제9항에 있어서, 다가 알콜의 각각의 히드록실기가 1차 히드록실기인 방법. 12.제9항에 또는 제11항에 있어서, 다가 알콜이 펜타에리트리톨, 펜타디에리트리톨, 솔비톨, 리비톨, 폴리비닐알콜, 폴리히드록시메틸 메타크릴레이트, 폴리히드록시프로필 메타크릴레이트, 글루코오스 및 프룩토오스로 이루어진군 중에서 선택되는 것인 방법. 13.제9항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 방법. 14.제9항에 있어서, 다가 알콜이 펜타에리트리톨인 방법. 15.제9항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 방법. 16.제15항에 있어서, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트의 알킬기가 에틸기 또는 프로필기인 방법. 17.제9항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인 방법. 18.제9항에 있어서, 다가 알콜의 사용량이 락트산 단량체의 양을 기준으로 0.01∼2중량%인 방법. 19.제9항에 있어서, 탈수 반응은 100∼150℃의 온도 및 350∼30mmHg의 압력에서 2시간 이상 수행되는 것인방법. 20.제9항에 있어서, 중합 반응은 150∼200℃의 온도 및 10∼1mmHg의 압력에서 10∼100시간 수행되는 것인 방법. 21.제9항 또는 제20항에 있어서, 중합 촉매가 염화제일주석, 황산제일주석, 테트라페닐주석, 이소프로필티타네이트, 사염화티탄, 삼산화안티몬으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.
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화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
물에 잘 용해되고, 혈액 적합성이 우수하며, 항응혈성 활성이 높을 뿐만 아니라 생체내에서 장기간 사용하여도 거의 분해되지 않는 술폰화 폴리에틸렌옥사이드 유도체를 제공한다. [구성]헤파린의 항응혈 활성의 원천인 술폰산기를 친수성 중합체인 폴리에틸렌옥사이드 유도체의 한쪽 또는 양쪽 말단에 결합시키므로서 일반식(I)의 술폰화 폴리에틸렌옥사이드 유도체를 제조한다. 이때 사용된 PEO는 수용성으로서 혈액 적합성이 우수하며, 분자량은 100 내지 20,000이고, 폴리에틸렌옥사이드 유도체는 브롬화 술포닐과 반응시켜서 브롬기로 전환시키거나, 브롬기를 암모니아와 반응시켜 아미노기로 전환시키므로서 제조된다. R1은 COOH, SO3H, SO3Na로 이루어진 군으로부터 선택된 기이고, R2는 SO3H, SO3Na로 이루어진 군으로부터 선택된 기이며, PEO는 분자량 10 내지 20,000의 폴리에틸렌옥사이드를 나타낸다.1.한쪽 말단 또는 양쪽 말단이 술폰화된 하기 식(Ⅰ)의 술폰화 폴리에틸렌옥사이드 유도체R1-PEO-R2 (Ⅰ)식 중, R1은 COOH, SO3H 및 SO3Na로 이루어진 군으로부터 선택된 기이고, R2는 SO3H 또는 SO3Na로 이루어진 군으로부터 선택된 기이며, PEO는 분자량 100 내지 20,000, 바람직하게 분자량 200 내지 10,000의 폴리에틸렌옥사이드를 나타낸다.2.제1항에 있어서 상기 술폰화가 알킬술톤, 중아황산나트륨, 아황산나트륨, 히드록시알킬술폰산 및 아미노술폰산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 화합물에 의해 수행된 것이 특징인 술폰화 폴린에틸렌옥사이드 유도체.3.제1항에 있어서, NaO3S-PEO2000-SO3Na, HO3S-PEO8000-SO3H, NaO3S-PEO3400-SO3Na, HOOC- PEO1000-SO3H 및NaO3S-PEO2000-SO3Na로 이루어진 군으로부터 선택된 술폰화 폴리에틸렌옥사이드 유도체.4.제1항에 있어서, PEO의 분자량이 200 내지 10,000인 것이 특징인 술폰화 폴리에틸렌옥사이드 유도체.5.한쪽 말단 또는 양쪽 말단이 술폰화된 하기 식(1)의 술폰화 폴리에틸렌옥사이드 유도체의 유효량을 함유하는 항응혈제,R1-PEO-R2 (Ⅰ)식 중, R1은 COOH, SO3H 및 SO3Na로 이루어진 군으로부터 선택된 기이고, R2는 SO3H 또는 SO3Na로 이루어진 군으로부터 선택된 기이며, PEO는 분자량 100 내지 20,000, 바람직하게 분자량 200 내지 10,000의 폴리에틸렌옥사이드를 나타낸다
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일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
본 발명은 4가 이상의 다가 알콜을 사용하여 락티드를 개환 중합시킴으로써, 고분자량의 폴리락티드를 제조하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 스타형(star-shaped) 분자 구조의 생분해성 폴리락티드에 관한 것이다. 본 발명에서 사용된 다가 알콜은 4개 이상의 히드록실기를 갖는 다가 알콜, 예를 들면 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트 및 폴리알콜 등이며, 락티드를 기준으로 0.001~0.5몰%의 양으로 사용된다. 본 발명에 따른 폴리락티드는 분자량이 크고 용융 점도가 낮아 가공성 및 강도가 우수하기 때문에 범용 생분해성 재료로 사용이 가능할 뿐만 아니라 생체 흡수성 재료, 농약이나 의약, 약제의 서방성 매트릭스, 농업용 필름 등으로 광범위하게 사용될 수 있다.1.락티드와, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트 및 폴리비닐 알콜로이루어진 군 중에서 선택된 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된, 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 스타형(star-shaped) 분자구조를 갖는 분자량이 80,000 이상인 생분해성 폴리락티드2.제1항에 있어서, 락티드가 L-락티드, D-락티드, DL-락티드로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 폴리락티드.3.제1항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 폴리락티드.4.제1항에 있어서, 다가 알콜이 트리펜타에리트리톨인 폴리락티드.5.제1항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 폴리락티드.6.제5항에 있어서, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트의 알킬기가 에틸기 또는 프로필기인 폴리락티드.7.제1항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인 폴리락티드.8.락티드에 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트 및 폴리비닐 알콜로이루어진 군 중에서 선택된 4가 이상의 다가 알콜 및 촉매를 가하고, 이를 감압 가열하여 개환 중합시키는 것을 특징으로하는 하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는 분자량이 80,000 이상인 스타형의 고분자량 폴리락티드 제조 방법9.제8항에 있어서, 락티드가 L-락티드, D-락티드, DL-락티드로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.10.제8항에 있어서, 다가 알콜이 디펜타에리트리톨인 방법.11.제8항에 있어서, 다가 알콜이 트리펜타에리트리톨인 방법.12.제8항에 있어서, 다가 알콜이 트리펜타에리트리톨인 방법.13.제12항에 있어서, 다가 알콜이 폴리히드록시알킬 메타크릴레이트인 방법.14.제8항에 있어서, 다가 알콜이 폴리비닐알콜인방법.15.제8항에 있어서, 다가 알콜의 사용량이 락티드 단량체의 양을 기준으로 0.001~0.5몰%인 방법.16.제8항에 있어서, 중합반응은 100~160℃의 온도에서 5~60시간 동안 수행되는 것인 방법.17.제8항 또는 16항에 있어서, 중합 촉매가 테트라페닐 주식, 염화 제1주석, 염화 제2주석, 디에틸아연, 옥토산 아연으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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보건·의료 > 의료용 재료·기기
생체조직에 혈액 적합성, 생체내 안정성 및 항석회화 특성을 갖는 술폰산화 폴리에틸렌옥사이드(PEO-SO3)의 음이온성 친수성 고분자 유도체를 공유결합시키는 것을 특징으로 하는 항석회화 생체 조직 인공 심장 판막의 제조 방법.1.생체 조직에 혈액 적합성, 생체내 안정성 및 항석회화 특성을 갖는 술폰산화 폴리에틸렌옥사이드(PEO-SO3)의 음이온성 친수성 고분자 유도체를 공유 결합시키는 것을 특징으로 하는 항석회화 생체 조직 인공 심장 판막의 제조 방법.2.제1항에 있어서, 생체 조직이 돼지의 대동맥 판막 및 소의 심막 중에서 선택되는 것인 방법.3.제1항에 있어서, 술폰산화 PEO 유도체(X-PEO-SO3)가 X가 아민인 술폰산화 PEO(H2N-PEO-SO3) 및 X가 알데히드인 알데히드화 PEO-SO3(OHC-PEO-SO3) 중에서 선택되는 것인 방법.4.제1항에 있어서, PEO의 분자량이 100 - 20,000인 것인 방법.5.제4항에 있어서, PEO의 분자량이 200 - 10,000인 것인 방법.6.제3항에 있어서, X가 아민인 술폰산화 PEO(H2N-PEO-SO3)가 PEO의 한쪽 말단을 프로판 술톤과 같은 알킬술톤으로 술폰산화시킴으로써 제조된 것인 방법. 7.제3항에 있어서, X가 알데히드인 알데히드화 PEO-SO3(OHC-PEO-SO3)가 술폰산화 PEO의 다른 쪽 말단을 글루타르알데히드와 같은 디알데히드로 알데히드화시킴으로써 제조된 것인 방법. 8.제1항에 있어서, 술폰산화 PEO를 메타 과요오드산나트륨에 의한 산화, 에틸렌글리콜에 의한 중화 또는글루타르알데히드에 의한 알데히드 활성화시 첨가하여 결합시키는 것인 방법. 9.제1항에 있어서, 술폰산화 PEO를 글루다르알데히드 처리 전 또는 후에 결합시키는 것인 방법.10.제1항에 있어서, 술폰산화 PEO를 수용성 1-에틸-3(3-디메킬아미노프로필)카르보디이미드(EDC) 등과 같은카르보디이미드에 의해서 결합시키는 것인 방법. 11.제10항에 있어서, 상기 EDC 수용액의 pH가 3.0 - 5.0 것인 방법. 12.제1항에 있어서, 생체 조직의 고정액, 보관액 및 알데히드 활성화제로서 글루타르알데히드를 사용하는것인 방법. 13.제1항에 있어서, 완충액으로서 인산 완충 식염수(PBS) 용액을 사용하는 것인 방법. 14.제1항에 있어서, 생체 조직의 아민기를 블로킹시키기 위해서 아세트 무수물 등과 같은 블루킹제를 사용하는 것인 방법.15.생체 조직과 이에 공유결합된 혈액 적합성, 생체내 안정성 및 항석회화 특성을 갖는 술폰산화 폴리에틸렌옥사이드(PEO-SO3)의 음이온성 친수성 고분자 유도체로 이루어진 항석회화 생체 조직 인공 심장 판막
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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재료 > 기타 고분자재료
락트산과 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된 스타형 분자 구조를 갖는 폴리락트산을 130-180의 온도에서 용융시키고, 얻어진용융물을 50이상의 온도에서 5배 이하로 연신시키는 것을 특징으로하는 생분해성 폴리락트산 필름의 제조방법.1.락트산과 4가 이상의 다가 알콜로부터 제조된 스타형 분자 구조를 갖는 폴리락트산을 130∼180℃의 온도에서 용융시키고, 얻어진 용융물을 50℃이상의 온도에서 5배 이하로 연신시키는 것을 특징으로 하는 생분해성 폴리락트산필름의 제조 방법.2.제1항에 있어서, 락트산은 L-락트산, D-락트산, DL-락트산 및 락트산 올리고머로 이루어진 군 중에서 선택된 것이 폴리락트산으로부터 제조된 것인 방법.3.제1항에 있어서, 다가 알콜은 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 폴리히드록시에틸메타크릴레이트, 폴리히드록시프로필 메타크릴레이트, 및 폴리비닐알콜로 이루어진 군 중에서 선택된 것인 방법.4.제1항에 있어서, 상기 폴리락트산은 분자량이 30,000이상, 융점이 145∼155℃ 및 유리 전이 온도가 50∼53℃의 것인 방법.5.제1항에 있어서, 연신 온도 및 연신율은 각각 50∼120℃ 및 2∼4배인 것인 방법.6.제1항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.7.제2항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.8.제3항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.9.제4항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름.10.제5항의 방법에 따라 제조된 3.5∼6.0Kg/mm2의 인장 강도 및 3.5∼6.0%의 연신율을 갖는 생분해성 폴리락트산 필름
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