일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 유기금속화학증착(MOCVD)법에 의해 에피층을 성장시킬 때 CCl4 또는 CBr4 가스를 소량 유입시켜 수평 방향으로 PN 접합 어레이 구조를 제조할 수 있게 한 수평 방향 반도체 PN 접합 어레이 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 수평 방향으로의 PN 접합을 형성할 수가 없었다. 이러한 점을 감안하여, N형 GaAs 기판에 V형 또는 U형의 홈을 형성하고, 이후 상기 N형 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착(MOCVD)법으로 P형 에피층을 성장시키되, CCl4 또는 CBr4 가스를 유입시켜 수평방향의 P-GaAs/N-GaAs 또는 P-AlGaAs/N-GaAs PN 접합 어레이를 제조함으로써 입사된 광이 손실이 거의 없이 PN 접합부분에 곧바로 도달되고, 광전소자의 효율을 높이거나 낮은 문턱전류의 레이저 다이오드 또는 도파손실이 작은 광도파로의 제작 등에 응용될 수 있게 한 것이다.1. N형 GaAs 기판에 비평면 성장을 이용하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 N형 GaAs 기판에 형성된 홈에만 유기금속화학증착(MOCVD)법으로 에피층을 성장시키되, CCl4 또는 CBr4 중 선택된 하나의 가스를 유입시켜 P형 GaAs 및 P형 AlGaAs 에피층중 선택된 하나의 에피층을 형성함으로써, 수평 방향의 P-GaAs/N-GaAs 및 P-AlGaAs/N-GaAs중 선택된 하나의 PN 접합 어레이를 제조하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN접합 어레이 제조방법.2. 제1항에 있어서, N형 GaAs 기판에 형성된 홈은 V자 및 U자 모양의 패턴중 하나의 패턴에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법.3. 제2항에 있어서, N형 GaAs 기판의 홈은 N형 GaAs 기판 위에 광감광제 및 마스크를 사용하여 사진 식각 방법으로 V자 및 U자 모양중 선택된 하나의 패턴을 형성하고, 이후 습식 에칭법에 의해 에칭시켜 V자 및 U자 모양중 하나의 모양으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법.4. 제3항에 있어서, 상기 습식 에칭법에 H2SO4, H2O2, H2O의 혼합용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 수평 방향 PN 접합 어레이 제조방법.
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 광학 변조기 및 광학 스위치의 제조에 사용될 수 있는 신규한 2차 비선형 광학 고분자로서 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 내열성이 크고 유리 전이 온도가 높으며 유기 용매에 대한 용해성이 우수하고 전기 광학 계수의 열안정성이 우수한 2차 비선형 광학 활성을 갖는 폴리이미드를 제공한다.식 중, R1, R2 및 R3는 수소, 플로라이드, 또는이다.(식 중, m은 2 내지 6이다)1. 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖는 측쇄형 이차 비선형 광학 특성 고분자 화합물.화학식1-(-MO-)10-----(-ITCN-NLO-)8-식 중, m과 n은 그의 합이 5내지 10000이고 m/(m+n)=0.05~0.95를 충족시키는 값이며; ITCN-NLO는 ......이며; X는 존재하지 않거나, 또는 탄소수 1내지 6의 알킬렌 또는 탄소수 6내지 12의 방향족 탄화수소이고;Y는 에테르, 에스테르, 아미드, 탄소수 1내지 5의 알킬아미노, 카르바메이트 및 설폰으로 구성되는 군에서 선택되는 2가 결합단이며; NLO는 공역 방향족 고리가 비치환되거나 또는 전자 주게 및(또는)전자 받게로 치환될 수 있는 일반적인 이차 비선형 광학 특성 화학단으로서, 벤젠, 스틸벤, 아조벤젠 및 디페닐로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화학단이고, MO는 ITCN-NLO와 공중합가능한 임의의 모든 중합성 단량체이다.2. 제 1항에 있어서, 상기 m과 n의 합이 15내지 1000인 것인 고분자 화합물.3. 제 1항에 있어서, 상기 화합물이 전장 분극화 후의 열처리에 의해 사슬내 및 사슬간 열 가교 현상 또는 광 가교 현상을 나타내는 화합물인 고분자 화합물.4. 제 1항에 있어서, 상기 MO가 메틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐 말레이미드 또는 글리시딜 메타크릴레이트인 고분자 화합물.5. 제 1항 기재의 고분자 화합물로 제조되는 비선형 광학 재료.6. 제 1항에 있어서, 공역 방향족 고리가 벤젠인 고분자 화합물.7. 제 1항에 있어서, 공역 방향족 고리가 스틸벤인 고분자 화합물.8. 제 1항에 있어서, 공역 방향족 고리가 아조벤젠인 고분자 화합물.9. 제 1항에 있어서, 공역 방향족 고리가 디페닐인 고분자 화합물.10. 제 1항에 있어서, 전자 주게가 산소, 황, 탄소수 1내지 6의 알킬아미노 또는 시클릭 알킬 아민인 고분자 화합물.11. 제 10항에 있어서, 시클릭 알킬 아민이 피페리딘 또는 피롤리딘인 고분자 화합물.12. 제 1항에 있어서, 전자 받게가 니트로, 말로니트릴, 트리시아노에틸렌, 탄소수 1내지 3의 퍼플루오로알킬, 니트로페닐술포닐 또는 메틸술포닐인 고분자 화합물.13. 제 1항에 있어서, 하기 고분자 1의 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물.14. 제 1항에 있어서, 하기 고분자 2의 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물.15. 제 1항에 있어서, 하기 고분자 3의 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물.16. 제 1항에 있어서, 하기 고분자 4의 반복 단위를 포함하는 고분자 화합물.
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
[구성]자동차, 항공기, 선박 등의 각종 항행체에서 운전자가 시선을 돌리지 않고도 주변 광경과 컬러 영상으로 주어지는 항행 정보를 동시에 투시가능하게 하는 천연색 홀로그래픽 표시 장치에 관하여 기술하였다. 주변 광경과 항행 정보를 동시에 투시가능하게 해주는 홀로그래픽 결합기는 렌즈 또는 구형 반사경의 특성을 가진 홀로그래픽 광학 소자가 매트릭스 형태로 된 것을 사용하며, 각 광학 소자는 대응하는 정보표시판의 천연색 화소로부터의 빛만을 눈통으로 입사시킬 수 있게 아주 좁은 대폭을 가진다. 본 발명의 표시 장치는 밝고 또한 상호 변조 잡음에 의한 화질 저하가 없는 천연색 영상의 표시가 가능하다.1.투사될 정보를 표시하기 위한 정보 표시판, 상기 정보 표시판에 표시된 상(image)을 전달하기 위한 중계 광학계(Relay Optical System),및 상기 중계 광학계로부터의 상을 관찰자의 시야를 형성하는 눈통(Eye Box)에 전달하기 위한 홀로그래픽 결합기(Holographic Computer)를 포함하여 구성된 홀로그래픽 결합기가 상기 정보 표시판의 화소수와 동일한 수의 홀로그래픽 광학 소자들로 구성되면, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 상기 정보 표시판의 화소 배열과 동일한 매트릭스 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 투명 유리나 투명 플라스틱 기판에 접착된 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 적색, 청색, 및 녹색에 해당하는 발광 대폭(Spectral Bandwidth)의 빛 중에서 어느 하나만 선택적으로 반사시키는 구형 반사경(Spherical Reflecting Mirror)의 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.4. 제 1항에 있어서, 상기 관찰자의 시야를 형성하는 눈통의 크기가 상기 홀로그래픽 광학 소자의 가로, 세로 길이와 초점 거리에 따라 정해지는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.5. 제 1항에 있어서, 상기 중계 광학계는 상기 정보 표시판의 천연색 화소 각각을 상기 홀로그래픽 결합기 내의 대응하는 홀로그래픽 광학 소자에 입사시키는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.6. 제 1항에 있어서, 상기 홀로그래픽 광학 소자들이 렌즈특성을 갖는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.7. 제 1항에 있어서, 차량의 뒷창에 장착된 정지 지시기용으로 사용되는 것을 특징으로 하는 천연색 홀로그래픽 헤드 업 표시 장치.
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
[구성]기존의 구형 반사경 대신 역반사체판을 사용하여 각종 용도에 맞는 홀로그래픽 스크린을 제작하는 방법과 역반사체판을 제작하는 방법을 개시하였다. 구형 반사경을 사용하여 홀로 그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법을 개시하였다. 구형반사경을사용하여 홀로그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법은 스크린의크기및 초점거리가제한되고 스크린 특성을 최적화하기가 어려운 단점이 있다, 본 발명에서는 초서형 코너 큐브(corner cube) 가 면 배열된 평판으로 서각각의 코너 큐브에서 반사된 반사광이 입사광의 진행 방향을 역으로 되돌아 나가는 특성을 갖는 역반사체판을 사용하여 홀로그래픽 스크린 만들었다. 이에 따라 구형 반사경을 이용하여 스크린을 만들 때와 비교하여 가변 초점 거리를 가지며 회절 효율이 뛰어나고 또한 크기에 제한이 없는 홀로 그래픽 스크린을 만들 수 있었다. 대형 홀로그래픽 스크린은 역반사체판의 조합이나 필름형 홀로 그래픽 스크린을 사용하여 제작가능하다. 산광기와 창이 열린 마스크를 사용하면 주사레이저 빔에 의해서도 시역의 재생이 가능한 홀로그래픽 스크린을 만들 수 있다.기존의 구형 반사경 대신 역반사체판을 사용하여 각종 용도에 맞는 홀로그래픽 스크린을 제작하는 방법과 역반사체판을제작하는 방법을 개시하였다. 구형 반사경을 사용하여 홀로 그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법을 개시하였다. 구형반사경을사용하여 홀로그래픽 스크린을 제작하는 종래의 방법은 스크린의크기및 초점거리가제한되고 스크린 특성을 최적화하기가 어려운 단점이 있다, 본 발명에서는 초서형 코너 큐브(corner cube) 가 면 배열된 평판으로 서각각의 코너 큐브에서 반사된 반사광이 입사광의 진행 방향을 역으로 되돌아 나가는 특성을 갖는 역반사체판을 사용하여 홀로그래픽 스크린만들었다. 이에 따라 구형 반사경을 이용하여 스크린을 만들 때와 비교하여 가변 초점 거리를 가지며 회절 효율이 뛰어나고 또한 크기에 제한이 없는 홀로 그래픽 스크린을 만들 수 있었다. 대형 홀로그래픽 스크린은 역반사체판의 조합이나필름형 홀로 그래픽 스크린을 사용하여 제작가능하다. 산광기와 창이 열린 마스크를 사용하면 주사레이저 빔에 의해서도시역의 재생이 가능한 홀로그래픽 스크린을 만들 수 있다
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
[구성]본 발명은 액정배향성능 및 배향안정성이 우수하며 대량생산이 가능한 간단한 액정배향막 제조방법으로서 투명전극위에 열가소성 고분자에 의한 고분자막을 두께가 5Å 이상이 되도록 코팅시키는 단계, 상기 고분자막이 코팅된 두 장의 투명전극을 서로 부착하고 그 사이에 액정을 주입하여 유리/투명전극/고분자막/액정/고분자막/투명전극/유리의 구조를 가지는 임시셀을 만들거나, 또는 상기 고분자막위에 액정을 접촉시켜 유리/투명전극/고분자막/액정의 구조를 가지는 적층기판을 만드는 단계, 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 0.2 테슬러 이상의 자기장을 가하면서 액정과 고분자막의 상혼합온도 이하로 가열하고 방치하는 단계, 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 자기장하에서 100℃/분 이하의 냉각속도로 냉각시키는 단계로 이루어지는 자기장 처리에 의한 액정배향막의 제조방법을 제공한다.1. 액정배향막 제조방법에 있어서,(1) 투명전극위에 열가소성 고분자에 의한 고분자막을 두께가 5Å 이상이 되도록 코팅시키는 단계, (2) 상기 고분자막이 코팅된 두 장의 투명전극을 서로 부착하고 그 사이에 액정을 주입하여 유리/투명전극/고분자막/액정/고분자막/투명전극/유리의 구조를 가지는 임시셀을 만들거나, 또는 상기 고분자막위에 액정을 접촉시켜 유리/투명전극/고부자막/액정의 구조를 가지는 적층기판을 만드는 단계, (3) 상기 임시셀 또는 상기 적층기판을 0.2 테슬러 이상의 자기장을 가하면서 액정과 고분자막의 상혼합온도 이하로 가열하고 방치하는 단계, (4) 상기 임시셀 똔ㄴ 상기 적층기판을 자기장하에서 100℃/분 이하의 냉각속도로 냉각시키는 단계로 이루어지는 자기장 처리에 의한 액정배향막의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 열가소성 고분자는 폴리비닐포름알 [poly(vinyl formal): poly(1,3-dioxa-4, 6-cyclohexylenemethylene)], 폴리비닐부틸알 [poly(vinyl butyral): poly(1,3-dioxa-2-propyl-4, 6-cyclyhexylenemethylene)], 아크릴계 고분자, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체(SAN), 폴리에틸렌 테레푸탈레이트, 폴리카보네이트, 비결정성나일론 및 실리콘계 고분자로 이루어지는 군중에서 선택되는 어느 하나를 사용하는 자기장 처리에 의한 액정배향막 제조방법.
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일반기술
환경 > 수질오염제어·관리 기술
[구성]본 발명은 간단한 전처리를 추가함으로써, 과산화수소의 양을 종래의 펜톤산화반응에 사용한 양과 비슷하게 사용하면서도 기존의 펜톤산화 공정보다 높은 COD 제거율을 얻을 수 있을 뿐 아니라, COD 값을 배출허용 기준치인 90ppm 이하로 낮출 수 있는 폐수처리방법에 관한 것으로, 처리할 폐수의 pH를 2.5∼7로 조절하고 여기에 2가 철염을 첨가하여 유기물을 응집시켜 제거하고, 얻어진 1차 처리수를 pH 2∼5로 조정한 후 펜톤시약을 첨가하여 반응시키고, pH를 6∼9로 조정하여 응집물을 침전시켜 제거하여 2차 처리수를 얻는 것으로 이루어지는 폐수처리 방법을 제공한다.1. 폐수의 펜톤 처리법에 있어서, 처리할 폐수의 pH를 2.5-5로 조절하여 여기에 2가 철염 또는 2가의 철염과 화학적 산화보다 소량의 과산화수소를 첨가하여 유기물을 응집 및침전에 의해 제거하고, 이어서 얻어진 1차 처리수에 기존의 펜톤시약을 첨가하여 산화반응시키는 것으로 이루어지는 폐수처리 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 2가 철염이 황산철(Ⅱ)또는 염화철(Ⅱ)인 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 2가 철염이 200-300ppm첨가하는 방법.
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 광학 변조기, 광학 스위치에서 이용가능한 새로운 2차 비선형 광학 활성을 갖는 고분자로서 하기 화학식 1로 나타내는 비선형 광학 폴리벤족사졸에 관한 것이다. 본 발명의 2차 비선형 광학 폴리벤족사졸은 우수한 내열성, 높은 유리 전이 온도, 및 열안정성이 우수한 전기 광학 계수를 갖는다. 상기 식에서, R은 -C(CN)=C(CN)2 또는 -N=N-Ph-NO2기를 나타내고, n은 10n1000 범위 내이다.1. 하기 화학식 1로 나타내는 2차 비선형 광학 폴리벤족사졸.화학식1.상기 식에서, R은 -c(CN)=C(CN)2또는 -N=N-Ph-NO2기를 나타내고, n은 10n1000범위 내이다.2. 제 1항 기재의 2차 비선형 광학 폴리벤족사졸로 제조되는 비선형 광학 재료.
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]본 발명은 간접천이형 에너지 밴드갭 구조를 가진 실리콘 반도체를 미세결정 구조화함으로써 직접천이형 반도체 재료에서와 같은 고효율의 광특성을 갖게 하여 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 한 실리콘 미세결정 제조방법에 관한 것으로, 특히 전기화학부식법 및 후열처리 공정에 의한 실리콘의 나노(nano) 결정립을 제작함에 있어 실리콘 웨이퍼 및 비정질 실리콘 박막으로부터 상온에서 아주 안정되고 강한 적색발광(파장 680)과 황색발광(파장 543)을 얻도록 하였다.즉, 본 발명은 간접천이형 에너지 밴드갭 구조를 갖는 반도체 재료로부터 발광 특성을 나타내는 미세결정 구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 실리콘 광소자의 가능성을 제공하는 것이다.1. 실리콘 기판 위에 비정질 실리콘을 부분적으로 증착하는 제1공정과, 상기 비정질 실리콘이 부분적으로 증착된 시료를 전기화학부식 시키는 제2공정과, ㅅ아기 전기화학부식된 시료를 급속열처리 하는 제3공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 미세결정 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘은 직류 마그네트론 스퍼터링법(magnetron sputtering)으로 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 미세결정 제조방법.3. 제1항에 있어서, 상기 전기화학부식은 HF:H2O:Ethanol이 1:1:2의 비율로 혼합된 용액에 넣고 백금전극을 이용하여 200㎃/㎠ㄹ의 전류밀도로 30초간 급속처리함을 특징으로 하는 실리콘 미세결정 제조방법.4. 제1항에 있어서, 상기 급속열처리는 질소가스 분위기로 800℃의 온도에서 10분간 행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 미세결정 제조방법.
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
[구성]본 발명은 광통신 산업에서 광신호를 처리하기 위한 광변조기,광학 스위치 등의 전기 광학 소자로 이용될 수 있는 새로운 유기비선형 광학 재료로서 다음식으로 표시되는 벤족사졸계 유도체와 이로부터 얻어지는 비선형 광학 고분자에 관한 것이다. 본 발명은 보다 안정한 비선형 광학 재료를 제조하기 위하여 파이 콘쥬게이션으로서 기존의 스틸벤이나 아조벤젠기 대신 내열성이 우수한 벤족사졸기로 치환시킨 것으로 본 발명의 합성 방법을 이용하여 다양한 비선형 광학 재료를 제조할 수 있다.상기식에서 D는 전자주게로서 NR1R2, 혹은 X1R3이며; 여기서R1, R2, 및 R3는 각각 수소, 알킬, 히드록시알킬, 알킬 유도체, 아릴, 혹은 아릴 유도체이고, X1은 산소 혹은 황이며; R4는 수소, 혹은 전자받게로서 니트로, 시아노, 디시아노비닐렌, 트리시아노비닐렌, SO2R5이고, R5는 알킬, 플르오로알킬, 혹은 아릴기이며; R6, R7, R8, R9, R10, 및 R11은 각각 수소, 히드록시, 할로겐, 알킬, 아릴, 알콕시, 아릴옥시, 혹은 전자받게이며; X2는 황, 산소 혹은 NR12이고, R12는 수소, 알킬, 히드록시알킬, 알킬 유도체, 아릴 또는 아릴유도체 이다.1. 다음 일반식(Ⅰ)을 갖는 벤족사졸계 비선형 광학 유도체:상기식에서 D는 NR1R2를 나타내고; 여기서 R1,R2는 각각 수소, 알킬 히드록시알킬, 또는 알킬 유도체이고(단 R1과 R2동시에 수소인 경우를 제외함);Ar은 다음식으로 표시되는 방향족기이며; 여기서 R4는 수소, 혹은 니트로, 시아노, 디시아노비닐렌, 트리시아노비닐렌, SO2R5이고; R5는 알킬 또는 플루오로알킬이며; R6,R&,R8,R9,R10 및 R11 은 각각 수소, 히드록시, 할로겐 알킬 또는 알콕시이고; X2는 황, 산소 혹은 NR12이고, R12는 수소, 알킬 히드록시알킬 또는 알킬 유도체이다.2. 제 1항에 있어서, Ar이 다음식의 방향족기인 벤족사졸계 비선형 광학 유도체:식 중, R4,R10R11및 X2는 제 1항에서 정의된 것과 같다.4. 다음식(3)의 아미노페놀과 다음식의 알데히드를 축합반응시켜 다음식(4)의 히드록시이민 화합물을 얻고 이를 산화시키는 것으로 이루어진 제 1항의 벤족사졸계 비선형 광학 유도체의 제조방법:상기식에서 D와 Ar은 제 1항에 정의된 것과 같다.5. 다음 식으로 표시된 비선형 광학 유도체의 비닐 단량체:식 중, Ⅰ는 제 1항에서 정의된 바와 같으며;R13은 알킬 또는 페닐이고; V는 다음식으로 표시되는 비닐 유도체이며; 여기서, R14는 -C(R16)=CH12이며; R15는 -C(CH3)2C6H4이고; 여기서 R16은 수소 또는 메틸이다.6. 다음 식으로 표시된 제 1항의 비선형 광학 유도체의 고분자;상기 식에서 R17은 알킬 또는 페닐이며; Ar은 제 1항에서 정의된 바와 같고; R18은 다음 식으로 표시되는 방향족기이며; 여기서 R18및 R20은 수소, 메틸, 또는 메톡시이며; X3는 메틸렌, 에테르 또는 술폰이다.7. 다음 식으로 표시된 제 5항의 비닐 단량체의 고분자;상기 식에서 R21은 -COOR13R,-R15NHCOOR13R;R22는 -COOCH3, 페닐, 글리시딜, 카바졸이고; R23은 수소, 메틸 및 페닐이며; 여기서 R,R13,R15및 R16은 제 1항 및 제 5항에서 정의된 바와 같다.
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 세라믹재료
[구성]본 발명은 네트워크 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 도선단자형 네트워크 어레이는 캐패시터 칩이나 단체 캐패시터를 단순히 조합하여 사용함으로써 회로에서 차지하는 면적이 크며, 표면실장 마운터로 인쇄회로기판에 표면실장하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 절연기판 또는 유전체 기판을 사용하여 그 절연기판, 유전기판의 상부에 후막스크린 인쇄를 이용하여 도체 전극 및 저항체를 구성하며, 필요에 따라 다수의 기판을 적층하여 다수의 저항, 캐패시터 또는 저항 및 캐패시터를 하나의 칩에 제조함으로써, 그 어레이 면적을 최소화하는 효과와 아울러 표면실장 마운터를 사용하여 용이하게 표면실장함으로써 제조원가를 절감하는 효과가 있다.일반적으로, 네트워크 어레이는 세라믹 기판위에 저항, 캐패시터 또는 저항 및 캐패시터의 조합으로 제조되며, 브이티알,오디오기기, 컬러티브이, 라디오 등에 구비되어 정전노이즈 방지에 사용되고, 컴퓨터 관련기기에서는 전자장해 방지용,통신기기에서는 노이즈 제거용으로 사용되며, 종래의 네트워크 어레이는 캐패시터 칩이나 단체 캐패시터를 단순히 조합하는 도선단자형을 사용하여 상기한 전자기기의 노이즈 제거, 정전노이즈 및 전자장해를 방지하였다. 그러나, 상기한 바와 같이 도선단자형 네트워크 어레이는 캐패시터 칩이나 단체 캐패시터를 단순히 조합하여 사용함으로써 회로에서 차지하는 면적이 크며, 표면실장 마운터로 인쇄회로기판에 표면실장하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 네트워크 어레이의 면적을 줄이고 인쇄회로기판에 자동으로 실장하는 것이 가능한네트워크 어레이 및 그 제조방법의 제공에 그 목적이 있다.
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
[구성]본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.1. 실리콘 위에퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하고, ECR-CVD법으로, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 10nm이하가 되도록 비정질 실리콘 박막을, 후속 공정 없이 성장 조절함으로써 상온에서 안정된 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 실리콘 박막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 성장은, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7-9×10/(4)Torr로 유지하여 행해지는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
<목적>새로운 광전지 물질인 폴리시안아미드 화합물 및 그의 제조 방법을 제공한다. <구성>신규한 폴리시안아미드 화합물은 일반식(I)로 표시된다. 이 화합물은 전도성인 폴리시안아미드와 가시 광선을 흡수하여 광전류를 생성하는 염료 화합물로부터 생성되는데, 즉 일반식(II)의 폴리시안아미드를 진한 황산에 용해시킨 후 아질산나트륨과 섭씨 0도에서 반응시켜 디아조화하고, 이를 알리자린 옐로우 GG나 수단 III 또는 오렌지 II, 아크리플라빈, 보르도 R 등과 커플링시켜 제조한다. 일반식(I)의 폴리시안아미드 화합물을 브롬으로 도핑하게 되면 폴리시안아미드 사슬의 전도성이 더욱 증가되어 발명의 효과를 향상시키게 된다. <효과>일반식(I)의 폴리시안아미드 화합물은 가시 광선에 의한 광전류의 생성은 물론 전도성도 가지고 있으므로 광전지 물질 등으로 유용하게 사용할 수 있다.1. 일반식(Ⅰ)의 신규한 폴리시안아미드 화합물.상기 식에서, A는x는 10 내지 30의 정수이다. 2. 제1항에 있어서, 상기 폴리시안아미드 화합물이 추가로 브롬으로 도핑된 것인 폴리시안아미드 화합물. 3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 폴리시안아미드 화합물이 광전지 물질로서 사용되는 것인 폴리시안 아미드 화합물.4. 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리시안아미드를 진한 황산 중에서 디아조화하고, 이를 구조식(Ⅲa)의 알리자린 엘로우 GG, 구조식(Ⅲb)의 수단 Ⅲ, 구조식(Ⅲc)의 오렌지 Ⅱ, 구조식(Ⅲd)의 아크리플라빈, 구조식(Ⅲe)의 보르도 R, 또는 구조식(Ⅲf)의 K2와 커플링시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 폴리시안아미드 화합물의 제조 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 기타 고분자재료
<목적>난연성이 우수한 고분자 고체 전해질, 전고체형 박막 밧데리, 스마트 윈도우, 센서 재료 등에 이용되는 인을 함유하는 폴리에틸렌옥시드 유도체를 제공한다. <구성>분자량 300인 것과 1,000인 폴리에틸렌글리콜을 1 대 1 내지 6 대 1의 공중합비로 변화시키면서 아세토니트릴, 클로로포름, 벤젠, 테트라히드로푸란 등의 단일 용매 또는 디에틸에테르를 1 대 1 내지 1 대 7의 비로 혼합한 공용매에 용해시켜 트리에틸아민, 피리딘과 같은 3급 아민과 함께 반응 용기에 넣는다. 저온 장치를 사용하여 용기를 섭씨 영하 15 내지 영상 15도의 저온 상태로 유지한 다음, 인 화합물로서 메틸포스포로디클로리데이트를 디에틸에테르에 용해시켜서 반응기 중의 폴리에틸렌글리콜 용액에 적가시킨다. 적가 후 상온에서 48 내지 72시간 동안 더 반응시키고 석출된 염화 수소와 트리에틸아민 염을 여과하여 분자량 1,000 내지 10,000범위의 알카리금속염의 해리능력이 뛰어나고 결정성이 없으며 유리전이온도가 낮은 투명한 일반식(1)과 같은 점성체를 제조한다.1. 일반식(I)로 표시되는 폴리에틸렌옥사이드 유도체.상기 식에서, R은 메틸, 옥틸, 도데실, 스테아릴, 아라키딜이고, m은 4,7, 13, 23 이며, n은 3~26이고, X는 산소 또는 황을 나타낸다.2. 하기 일반식(Ⅱ)의 디할로인 화합물과 하기 일반식(Ⅲ)의 폴리에틸렌글리콜을 반응시키는 것을 특징으로 하는 제 1항 기재의 폴리에틸렌옥사이드 유도체의 제조방법.상기 식에서, R은 메틸, 옥틸, 도데실, 스테아릴, 아라키딜이고, m은 4,7, 13, 23 이며, n은 3~26이고, X는 산소 또는 황을 나타낸다.3. 제 2항에 있어서, 상기 반응이 아세토니트릴, 테트라히드로푸란, 클로로포름, 벤젠의 단일 용매 또는 디에딜 에테르와의 공용매 중에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.4. 제 3항에 있어서, 상기 공용매의 혼합 비율이 1:1~1:7인 것을 특징으로 하는 방법.5. 제 2항에 있어서, 상기 반응기-15℃~25℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.6. 제 2항에 있어서, 상기 폴리에틸렌글리콜로서 각각 분자량 300 및 1000의 폴리에틸렌글리콜이 1:1~6:1의 공중합 비율로 사용되는 것을 특징으로 하는방법.7. 제 2항에 있어서, 상기 디할로인 화합물이 메틸포스포로디클로리데이트, 옥틸포스포로디클로리데이트, 도데실포스포로디클로리데이트, 스테아릴포스포로디클로리데이트, 또는 아라키딜포스포로디클로리데이트 중에서 선택되는 것이 특징인 방법.8. 제 1항 기재의 폴리에틸렌옥사이드 유도체와 리튬, 나트륨, 칼륨중에서 선택된 알칼리 금속염의 양이온 및 퍼클로레이트, 트리플루오로메탄술포네이트, 테트라플루오로보레이트, 헥사플루오로포스포네이트 중에서 선택된 음이온과의 착체로 이루어진 고분자 고체 전해질.9. 제 7항에 있어서, 에틸렌옥사이드 단위와 알칼염과의 염착비가 1:4~1:36인 범위인 고분자 고체 전해질.
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
<목적>AC FTEL을 이용한 휴대형 표시 시스템의 구성시 리프레쉬 구동법 및 주사 순서 반전 구동법 위해 요구되는 전원의 종류 수를 감소시키며, AC TFEL 구동시 AC TFEL 소자 양 전극간의 전위에 의해 빛을 발하게 되는 것을 감안하여 AC FTEL 소자에서 요구되는 상대 전위차를 이용한 구동 전압을 제공한다. <구성>2개의 전원 공급부와 이들 전압간의 상대 전위차를 이용하여 리프레쉬 구동에 필요한 3개의 전원을 공급함에 있어서, 전원 공급부(21)는 +Vth+Vm의 전압을, 전압 공급부(22)는 +Vth의 전압을 각각 출력하고, 상대 전위차 발생부(23)는 전원 공급부의 출력 전압(+Vth+Vm), +Vth을 이용하여 열전극에 공급한 전압 Vc, 기준 전압 Vg, 행전극 전압 Vr을 생성하게 된다. 그리고, 상대 전위차 발생부에서 출력되는 전압 Vc은 푸쉬풀 구조의 구동 집적 소자인 피모스의 소오스에 공급되고, 출력 전압 Vg는 피모스와 직렬 접속된 엔모스의 소오스에 공급된다. 그 피모스 및 엔모스의 게이트 신호에 따라 그 피모스의 드레인과 엔모스의 드레인 공통 접속점에서 열전극 전압이 출력되고, 또한, 상대 전위차 발생부에서 출력되는 전압 Vr은 오픈 드레인 구조의 회로 소오스에 공급되므로, 엔모스의 게이트 신호에 따라 이의 드레인에서 행전극 전압이 출력된다.1. 발광문턱전압+변조전압(+V..+V..)을 출력하는 전원공급부(21)와, 발광문턱전압(+V..)을 출력하는 전원공급부(22)와, 입력클럭신호를 직접, 지연 및 반전시켜 공급받고 상기 전원공급부(21), (22)의 출력전압(+V..+V..),(+V..)의 레벨로 스위칭한 후 오아, 앤드조합하여 연전극전압(V0), 기준전압(V..)을 공급받아 입력게이트신호에 따라 푸쉬풀동작하면서 연전극 전압을 출력하는 푸쉬풀구조의 구동 집적소자(PM21,NM21)와, 상기 상대전위차 발생부(23)로부터 행전극전압을 공급받아 입력 게이트신호에 따라 그 행전극 전압을 출력하는 오픈드레인구조의 구동 집적소자(NM22)로 구성한 것을 특징으로 하는 상대 전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.2. 제 1항에 있어서, 상대전위차 발생부(23)는 입력클럭신호 소정시간 지연시키는 RC지연소자(R31,C31)와, 상기 RC지연소자(R31, C31)의 출력신호를 반전출력하는 인버터(I31)와, 상기 입력클럭신호를 반전출력하는 인버터(I32)와, 상기 입력클럭신호, 인버터(I31)의 출력신호에 따라 각기 스위칭되면서 발광문턱전압(V..)~GND레벨의 교류전압을 출력하고, 그 각 경로의 출력전압을 오아연산하여 기준전압(V..)을 생성하는 기준전압 발생부(4I)와, 상기 입력클럭신호, 인버터(I31)의 출력신호에 따라 각기 스위칭되면서 발광문턱전압+변조전압(+V..+V..)~GND레벨의 교류전압을 각각의 경로로 출력하고, 그 각 경로의 출력전압을 오아연산하여 열전극전압(V..)을 생성하는 열전극전압 발생부(42)와, 상기 인버터(I32)외 출력신호, RC지연소자(R31,C31)의 출력신호에 의해 각기 스위칭되면서 발광문턱전압+변조전압(+V..+V(m))~GND레벨의 교류전압을 각각의 경로로 출력하고, 그 각 경로의 출력전압을 앤드연산하여 행전극전압(V..)을 생성하는 행전극전압 발생부(43)로 구성한 것을 특징으로 하는 상대전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.3. 입력클럭신호에 따라 구동전압(V..)을 스위칭하여 V..~GND레벨로 증폭 출력하는 전압 스위칭회로(Ⅱ)와, 상기 입력클럭신호를 반전출력하는 인버터(I11)와, 상기 인버터(I11)의 출력신호에 따라 구동전압(V.)을 스위칭하여 V..~GND레벨로 증폭되고, 상기 스위칭회로(11)의 출력신호와 반전관계의 전압을 출력하는 전압 스위칭회로(12)를 이용하여 상기 전압 스위칭회로(11),(12)의 출력전압으로 스위칭하여 그의 차전압(V..~-V..)을 얻을 수 있게 구성한 것을 특징으로 하는 상대전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.4. 제 3항에 있어서, 전압 스위칭회로(11)는 입력클럭신호에 따라 온, 오프되는 포토커플러(PC11)와, 상기 입력클럭신호를 반전출력하는 인버터(I10)와, 상기 포토커플러(PC11)및 인버터(I10)의 출력신호에 의해 스위칭 구동되면서 상기 입력클럭신호에 동기된 V..~O[V]레벨의 전압을 출력하는 트랜지스터(Q11),(Q12)로 구성한 것을 특징으로 하는 상대전위차를 이용한 교류구동형 박막 전계발광소자 구동회로.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
[구성]크롬(Cr)이 코팅된 기판에 포토레지스트(10)를 스핀 코팅한 후레이저 리소그라피 장비로 제1노광을 수행하는 단계와, 제1노광후 제2노광을 한 다음 현상을 하여 제1노광에 의해 성질이 변하지 않은 상기 포토레지스트(10)를 제거하는 단계와, 상기 크롬(2)는 에칭한 후 잔존하는 포토레지스트(10)를 제거하는 단계로이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.1. 크롬(Cr)이 코팅된 기판에 포토레지스트(10를 스핀 코팅한 후 레이저 리소그라피 장비로 제1노광을 수행하는 단계와, 이 단계 후 제2노광을 한 다음 현상을 하여 제1노광에 의해 성질이 변하지 않은 상기 포토레지스트(10)를 제거하는 단계와, 상기 포토레지스트(10)가 제거된 부분의 크롬(2)을 에칭한 후 잔존하는 포토레지스트(10)를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.2. 제1항에 있어서, 포토레지스트(10)는 포지티브 포토레지스트가 사용됨을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.3. 제1항에 있어서, 제1노광은 444nm 파장을 갖는 He-Cd 레이저를 광원으로 사용하는 것을 특징으로 하는 레이저 리소그라피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2001-01-17
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
[구성],6-트리플루오르-1,3,5-트리아진의 제조방법15194구조식(II)의 2, 4, 6-트리클로로-1, 3, 5-트리아진과 불화알카리엄 (DF 또는 NAF)을 극성용매중에서 상간이 도촉매존재하에 반응시키는 것을 특징으로 하는 구조식(I)의 2, 4, 6-트리플루오로-1, 3, 5-트리아진의 제조방법.1. 구조식(Ⅱ)의 2,4,6-트리플루오로-1,3,5-트리아진과 불화알카리염(KF 또는 NaF)을 극성용매 중에서 상간이 동촉매존재하에 반응시키는 것을 특징으로 하는 구조식(Ⅰ)의 2,4,6-트리플루오로-1,3,5-트리아진의 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 극성용매로 디메틸슬폭시드, 디에틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 벤조니트릴, 아세토니트릴, 테트라메틸렌술폰으로 구성된 군에서 선택 사용하는 것을 특징으로 하는 2,4,6-트리플루오로-1,3,5-트리아진의 제조방법.3. 제 1항에 있어서, 상간 이동촉매로 테트라에틸암모늄클로리드, 테트라에틸암모늄브로미드, 테트라부틸암모늄클로리드, 테트라부틸암모늄브로미드, 벤질트리메틸암모늄클로리드, 벤질트리메틸암모늄브로미드, 벤질트리에틸암모늄클로리드, 벤질트리에틸암모늄브로미드, 디부틸디메틸암모늄클로리드, 디부틸디메틸암모늄브로미드, 디부틸디에틸암모늄클로리드, 디부틸디에틸암모늄브로미드, 헥실트리에틸암모늄클로리드, 헥실트리에틸암모늄브로미드, 트리옥틸메틸암모늄클로리드, 트리옥틸메틸암모늄브로미드, 트리옥틸에틸암모늄클로리드, 트리옥틸에틸암모늄브로미드, 트리옥틸프로필암모늄클로리드, 트리옥틸프로필암모늄브로미드, 데실트리에틸암모늄클로리드, 데실트리에틸암모늄브로미드, 도데실트리에틸암모늄클로리드, 도데실트리에틸암모늄브로미드, 헥사데실트리메틸암모늄클로리드, 헥사데실트리메틸암모늄브로미드, 헥사데실트리에틸암모늄클로리드, 헥사데실트리에틸암모늄브로미드, 메틸트리페닐암모늄클로리드, 메틸트리페닐암모늄브로미드, 벤질트리페닐포스포늄클로리드, 벤질트리페닐포스포늄브로미드, 헥사데실트리에틸포스포늄클로리드, 헥사데실트리에틸포스포늄브로미드, 헥사데실트리부틸포스포늄클로리드, 헥사데실트리에틸포스포늄클로리드, 헥사데실트리에틸포스포늄브로미드, 헥사데실트리부틸포스포늄클로리드, 헥사데실트리부틸포스포늄브로미드, 테트라부틸포스포늄브로미드, 테트라부틸포스포늄클로리드, 테트라페닐포스포늄클로리드, 테트라페닐포스포늄브로미드, 트리옥틸에틸포스포늄클로리드, 트리옥틸에틸포스포늄브로미드로 구성된 군에서 선택 사용하는 것을 특징으로 하는 2,4,6-트리플루오로-1,3,5-트리아진의 제조방법.4. 제 1항에 있어서, 60~100℃에서 2~3시간 반응시키는 것을 특징으로 하는 2,4,6-트리플루오로-1,3,5-트리아진의 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
정보 > 컴퓨터 본체
[구성]m개의 n비트 데이타(d0dm-1)를 m/2씩 분할하여 어드레스로 특업 테이블(11)(12)과 이 록업테이블(11)(12)의 출력신호를 합 및 캐리로 구성되는 수치계에 의해 각기 누적 연산하는 케리저장 누적기(13)(14)와 이캐리저장 누적기(13)(14)의 출력신호를 비트순차가산하는 1비트 전가산기(15)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는캐리저장형 분할 연산 처리장치1. m개의 n비트 데이타(D5-D...)를 m/2씩 분할하여 어드레스로 인가받는 룩업테이블(11),(12)과, 이 룩업테이블(11),(12)의 출력신호를 그 룩업테이블(11),(12)의 출력비트 L에 따른 L개의 전가산기 와 가 전가산기의 합 및 캐리출력을 각각 저장하는 2L개의 래치로 구성된 시프트-앤드-애드구조 동작의 합 및 캐리로 구성되는 수치계에 의해 각기 누적 연산하는 캐리저장 누적기(13),(14)와, 이 캐리저장 누적기(13),(14)의 출력신호를 비트순차 가산하는 1비트 전가산기(15)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 캐리저장형 분할 분산연산 처리장치.2. m개의 n비트 데이타(D0-D(M-1))를 M/2씩 분할하여 어드레스로 인가받는 룩업테이블(100),(200)과, 이 룩업테이블(100),(200)의 출력신호(PSA),(PSB)를 각기 인가받아, 그 룩업테이블(100),(200)의 출력비트 L에 따른 L개의 전가산기와 각 전가산기의 합 및 캐리출력을 각각 저장하는 2L개의 래치로 구성되는 캐리저장 누적기를 N단 사용하여 누적연산 및 캐리저장 수치계의 2진수치계로 변환을 N단계로 나누어 수행하는 N단 파이프라인 캐리저장 누적기(300),(400)과, 이N단 파이프라인 캐리저장 누적기(300),(400)의 출력신호(AS(N)),(BS(N))를 비트순차 가산하는 N단 파이프라인 비트순차 가산기(500)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 파이프라인 캐리저장형 분할 분산연산 처리장치.3. 제 2항에 있어서, 상기N단 파이프라인 캐리저장 누적기(300)는 룩업테이블(100)의 출력신호(PSA0-PSA15)를 입력받아 n싸이클동안 합신호(Sl0-Sl15)및 캐리신호(Cl0-Cl14)를 선택하여 누적연산한 후 상기 합신호(Sl0)를 제 1단계 출력신호(AS1)로 출력하고, 이후 싸이클에서는 가산연산을 통해 2진수치계로 변환하여 합신호(S20)를 제 2단계 출력신호 (AS2)로 출력하게 구성된 것을 특징으로 하는 파이프라인 캐리저장형 분할 분산연산 처리장치.4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 N단 파이프라인 비트순차 가산기(500)는 N단 파이프라인 캐리저장 누적기(300),(400)의 제 1단계 출력신호(AS2)로 출력하게 구성된 것을 특징으로 하는 파이프라인 캐리 저장형 분할 분산연산 처리장치.4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 N단 파이프라인 비트순차 가산기(500)는 N단 파이프라인 캐리저장 누적기(300),(400)의 제 1단계 출력신호(AS1),(BS1)및 이전 캐리신호(C1)를 비트순차 가산하여 합신호(S)를 제 1단계 출력신호(S1)로 출력하고, n싸이클마다 상기 이전 캐리신호(C1)를 선택하고 이후 싸이클에서는 이전 캐리신호(C2)를 선택한 후 그 선택된 신호와 상기 N단 파이프라인 캐리저장 누적기(300),(400)의 제 2단계 출력신호(AS1),(BS1)를 비트순차 가산하여 합신호(S)를 제 2단계 출력신호(S2)로 출력하게 구성된 것을 특징으로 하는 파이프라인 캐리 저장형 분할 분산연산 처리장치.5. m개의 n비트 우수비트 데이타(DE0-DE(m-1))와 기수비트 데이타(DO0-DO(m-1))를 m/2씩 분할하여 어드레스로 인가받는 룩업테이블(600),(800)과, 이 룩업테이블(600),(800)의 출력신호(PAS),(PSB)를 각기 입력받아 누적연산 및 캐리저장 수치계의 2진수치계로 변환하여 다중 출력하는 다중출력 파이프라인 캐리저장 누적기(700),(900)과, 이 다중출력 파이프라인 캐리저장 누적기(700),(900)의 출력신호(ASI,ASⅡ),(BSI,BSⅡ)를 비트순차 가산하는 다중 파이프라인 비트순차 가산기(1000)로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 다중 입출력 파이프라인 캐리저장형 분할 분산연산 처리장치.6. 제 5항에 있어서, 상기 다중출력 파이프라인 캐리저장 누적기(700)은 룩업테이블(600)의 출력신호(PSA0,PSA15)를 입력받아 n싸이클동안 합신호(Sl0-Sl15)및 캐리신호(Cl0-Cl15)를 선택하여, 캐리신호(Cl(1+1))및 합신호(Sl(1+1))를 입력으로 누적연산하고, 상기 합신호(Sl1)및 캐리신호(Cl0)를 가산처리하여 제 1단계 출력신호(ASI2)로 출력함과 아울러 그 가산처리에 따른 캐리신호 및 상기 합신호(Sl0)를 가산처리하여 제 1단계 출력신호(ASI1)로 출력하며, 상기 n싸이클 이후 싸이클에서 상기 제 1단계에서의 캐리신호(Cl1-Cl15)및 합신호(Sl2-Sl16)를 입력받아, 상기 제 1단계에서와 동일방식으로 처리하여 제 2단계 출력신호(ASⅡ1),(ASⅡ2)를 출력하게 구성된 것을 특징으로 하는 다중 입출력 파이프라인 캐리저장형 분할 분산연산 처리장치.7. 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 다중 파이프라인 비트순차 가산기(1000)는 다중출력 파이프라인 캐리저장 누적기(700),(900)의 제 1단계 출력신호(ASI1),(BSI1)및 이전 캐리신호(Cl2)를 비트순차 가산하여 그의 합신호(S)를 제 1단계 출력신호(SI1)로 출력하고, 상기 비트순차 가산에 따른 캐리신호(C)및 상기 다중출력 파이프라인 캐리저장 누적기(700),(900)의 제 1단계 출력신호(ASI2),(BSI2)를
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일반기술
에너지·자원 > 기타 자원 탐사 기술
[구성]미생물이 함유된 슬러지를 압력 펌프를 사용하여 5기압 이상의 압력을 가하여 연결관을 통해서 분사구에 도달시키고, 그 슬러지를 가압하에 분사구를 통해 분사시켜 슬러지 저장 용기 상부에 장착된 충돌판에 충돌시킴으로써 슬러지 내의 미생물 세포의 세포벽 또는 세포막을 파괴시키는 것이 특징인 미생물 함유 슬러지의 기계적 전처리 방법.1. 미생물이 함유된 슬러지를 압력 펌프를 사용하여 5기압 이상의 압력을 가하여 연결관을 통해서 분사구에 도달시키고, 그 슬러지를 가압하에 분사구를 통해 분사시켜 슬러지 저장 용기 상부에 장착된 충돌판에 충돌시킴으로써 슬러지 내의 미생물 세포와 세포벽 또는 세포막을 파괴시키는 것이 특징인 미생물 함유 슬러지의 기계적 전처리 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
[구성]다음 일반식(I)의 옥사졸리논계 유도체.상기 식에서 r은 저급 알킬기 또는 할로겐,저급 알킬 또는 트리플루오로메틸기를 함유하는 페닐기를 나타내며,x는 같거나 서로 다르고,할로겐, 카보메톡시,니트로기 또는 할로겐이나 트리플루로로메틸기가 피환된 페녹시기를 나타내며,a는 질소 또는 탄소를 나타낸다.n은 1-3의 정수를 낱타낸다.1. 다음 일반식(1)의 옥사졸리논계 유도체. 상기 식에서 R은 저급 알킬기 또는 할로겐, 저급 알킬 또는 트리플루오로메틸기를 함유하는 페닐기를 나타내며, X는 같거나 서로 다르고, 할로겐, 카보메톡시, 니트로기 또는 할로겐이나 트리플루오로메틸기가 치환된 페녹시기를 나타내며, A는 질소 또는 탄소를 나타내며, n은 1-3의 정수를 나타낸다.2. 출발물질로서 다음 일반식(2)의 α-아미노산을 치환기가 있는 다음 일반식(3)의 산 클로라이드와 축합반응시켜 다음 일반식(4)의 아미노가 치환된 α-아미노산을 얻은 다음 무수초산과 반응시킨 후 탈수반응시키는 것으로 이루어진 제1항의 옥사졸리논계 유도체의 제조방법. 상기 식에서 R은 저급 알킬기 또는 할로겐, 저급 알킬 또는 트리플루오로메틸기를 함유하는 페닐기를 나타내며, X는 같거나 서로 다르고, 할로겐, 카보메톡시, 니트로기 또는 할로겐이나 트리플루오로메틸기가 치환된 페녹시기를 나타내며, A는 질소 또는 탄소를 나타내고, n은 1-3의 정수를 나타낸다.3. 유효 성분으로서 제1항의 옥사졸리논계 유도체를 함유한 제초제.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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일반기술
재료 > 분리·환경·생체기능재료
<목적>열유도 상분리법을 이용하여 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀과 희석재로서 천연산 대두유, 올레인산, 리놀레인산 또는 팔미틴산의 혼합 용액으로부터 다공성 분리막을 제조하기 위한 것이다. <구성>폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌으로부터 선택된폴리올레핌과 천연산 대두유,올레인산, 리놀레인산 또는 팔미틴산으로부터 선택된 희석재의 용융 혼합물을 방사하여 폴리올레핀 다공성 분리막을 성형하는 과정; 응고 추출 용매를 사용하여 막을 응고시키고 희석재를 추출하는 단계; 잔존 희석재 및 추출 용매를 증발시키는 단계 등으로 구성된다. <효과>응고액으로서 희석재의 추출 용매를 상온에서 직접 사용함으로써 추출 효과를 향상시킬 수 있다.1. a) 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌으로부터 선택된 폴리올레핀과 천연산 대두유, 올레인산, 리놀레인산 및 팔미틴산으로부터 선택된 희석제의 용융 혼합물을 방사하여 중공사형 폴리올레핀 다공성 분리막을 성형하는 단계, b) 응고/추출 용매를 사용하여 막을 응고시키고 희석제를 추출하는 단계, 및 c) 잔존 희석제 및 추출 용매를 증발시키는 단계로 이루어지는 중공사형 폴리올레핀 다공성 분리막의 제조방법.2. 제1항에 있어서, 상기 폴리올레핀의 용융 지수가 0.1 내지 30이고, 용융 혼합물 중의 농도가 10 내지 80중량%인 것을 특징으로 하는 방법.3. 제1항에 있어서, 응고/추출 용매가 알코올류, 케톤류, 지방족 탄화수소 또는 할로겐화 탄화수소로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.4. 제3항에 있어서, 상기 알코올이 에틸 알코올 또는 이소프로필 알코올이고, 상기 케톤이 아세톤이며, 상기 지방족 탄화수소가 노르말 헥산이고, 상기 할로겐화 탄화수소가 염화탄화수소, 불화탄화수소 및 염화불화탄화수소로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.5. 제1항에 있어서, 응고 조건을 변화시킴으로써 제조된 다공성 분리막의 기공의 크기를 조절하는 것이 특징인 방법.6. 제1항에 있어서, 상기 성형 과정에서 2중 노즐 구조로 된 방사구금(11)을 사용하여 외부 노즐로는 기어 펌프(9)를 사용하여 용융액을 일정량씩 공급하고, 내부 노즐로는 질소(5)를 일정 유량씩 공급하여 중공을 형성함으로써 중공사형의 폴리올레핀 다공성 분리막을 제조하는 것을 특징으로 하는 방법.7. 제6항에 있어서, 용융 방사시 방사 속도를 조절함으로써 막 표면의 기공의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 방법.8. 제6항에 있어서, 용융 방사시 권취 속도를 조절함으로써 제조된 다공성 막에 피브릴 구조를 형성하고, 기공률을 향상시키는 것임을 특징으로 하는 방법.9. 제6항, 제7항, 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용융 방사 및 희석제 추출 후 재연산 공정을 추가하여 막의 외경 및 내경을 거의 변화시킴이 없이 막 표면 및 막 내부의 다공도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 방법.10. 제9항에 있어서, 제조된 중공사형 폴리올레핀 다공성 분리막의 내경이 100 내지 500㎛이고, 막두께가 10 내지 100㎛이며, 기공의 크기가 0.1 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-01-17
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