일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 기술은 실리콘 기판상에 패터닝된 탄화규소 박막 및 패터닝된 탄화수소 박망사에 적어도 1이상의 질화물 박막층이 순차 적층된 구조체를 포함하는 질화물계 발광소자를 제공한다. 질화물계 발광소자는 갈륨 질화물의 성장과정에서 박막내의 결정결함과 응력을 동시에 줄여 에너지의 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.실리콘 기판 위에 탄화규소 박막을 패터닝하여 갈륨 질화물 박막을 성장시키는 것에 의해, 패터닝된 탄화규소가 결정결함 및 응력 등이 갈륨 질화물의 결정으로 진행되는 것을 막아 고품질의 갈륨 질화물 결정을 성장시킬 수 있다. 이에 따라 에너지의 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2007-12-06
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
본 기술은 실리콘 기판 상에 갈륨 질화물 박막 성장 및 갈륨 질화물 박막의 패터닝, 식각된 부분에 유전체 DBR 성장, 패턴된 갈륨 질화물 박막 상에 적어도 1이상의 질화물 박막층이 순차 재 적층된 구조체를 포함하는 질화물계 발광소자를 제공한다. 질화물계 발광소자는 갈륨 질화물의 성장과정에서 박막내의 결정결함과 응력을 동시에 줄여 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하고, 고반사율의 DBR에 의한 발광효율을 증가시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하다.식각 부분에 유전체 DBR을 갖는 패터닝된 질화물 박막 상에 갈륨 질화물 박막을 재 성장시키는 것에 의해, 패터닝된 갈륨질화물 박막의 결정결함 및 응력 등이 갈륨 질화물의 결정으로 진행되는 것을 막아 고품질의 갈륨 질화물 결정을 성장시킬 수 있다. 또한 유전체 DBR이 고반사율을 갖기 때문에 발광효율이 증가된 발광 소자를 얻을 수 있다. 이에 따라 에너지 손실을 감소시켜 고효율의 광소자 및 전기소자를 구현하는 것이 가능하고, 결정성을 향상시켜 갈륨 질화물 소자의 신뢰성을 향상시키는 것이 가능하다.
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2007-12-06
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
<기술의 개요>본 기술은 금속 촉매의 이용과 질소 열처리법을 통해 나노 와이어를 제조하여 가스 감응 특성을 높일 수 있는 금속 산화물 나노와이어 및 그 제조방법에 관한 것이다.이를 위해 본 기술은, 기판상에 금속을 증착시키는 단계와, 기판상에 금속 증착 후, 금속 촉매를 금속층 위에 증착시키는 단계와, 금속 촉매 증착 후에 질소 분위기의 열처리를 하여 나노와이어를 성장시키는 단계와, 질소 분위기의 열처리 후 산소 분위기의 열처리를 하는 단계를 포함하는 나노와이어 및 그 제조방법을 제공한다.<기술의 특징>본 기술에 따른 금속 산화물 나노와이어 및 그 제조방법은 고진공의 분위기가 요구되는 기존의 화학 기상 증착법이나 레이저 증착법과는 달리, 열증착법과 간단한 N2 열처리 방법으로 금속 산화물 나노 와이어를 제조하여 제작 공정이 보다 간단하여 제조 단가를 낮출 수 있다.또한, 금속을 촉매로 사용하기 때문에 나노 사이즈 직경의 와이어를 고르게 얻을 수 있으며, 나노와이어 센서를 연속해서 제작할 수 있다.이를 통해, 기존의 센서에 비해 높은 감도 특성을 가질수 있으며 그 반응 속도도 빨라 향상된 수준의 나노와이어 센서를 제공할 수 있다.
- 보유기관
- 경북대학교
- 등록일
- 2008-01-03
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
<기술의 개요>본 기술은 인장력 또는 압축력 하의 질화갈륨층 성장에 따라 상기 질화갈륨층의 대역 특성을 조절할 수 있는 질화갈륨 반도체 및 그 제조방법에 관한 것이다.<기술의 특징>기판상에 버퍼층을 형성하는 단계와, 버퍼층의 상부에 인위적으로 도핑을 하지않은 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하고; 인장력하에서 질화갈륨층을 성장시켜 질화갈륨층이 p형 대역 특성을 갖게 하고, 압축력하에서 질화갈륨층을 성장시켜 질화갈륨층이 n형 대역 특성을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 및 그 제조방법을 제안한다
- 보유기관
- 경북대학교
- 등록일
- 2008-01-03
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 개요본 발명의 일측면은 확산물질층, 반도체 확산층 및 반도체 확산배리어층을 구비하는 화합물반도체 구조물로서, 반도체 확산배리어층은 상기 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질을 포함하고 확산속도가 서로 다르게 구성되어 상기 확산물질층으로부터 확산되는 원소의 확산속도가 상기 반도체 확산배리어층에서 감소되도록 하는 화합물반도체 구조물을 제공한다.o 기술특징 및 효과- 화합물 반도체 소자의 제조공정 중에 채용가능한 확산배리어층을 제공- 이 확산배리어층은 화합물 반도체 물질로 구성되어 손쉽게 확산을 방지하는 기능 수행할 수 있으며 그 결과 확산에 의한 p-n 접합의 위치를 보다 정밀하게 조절 가능
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-08-19
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징 본 발명은 AWG 소자의 중심 파장 트리밍 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 실리카 하부 클래드층, 코어 및 폴리머 상부 클래드층을 포함하는 도파로를 형성하고, 폴리머 상부 클래드층의 일부 영역에 자외선(UV 레이저광)을 조사하여 폴리머 상부 클래드층의 굴절률을 변화시킴으로써, 파장이 변화하여 온도 조절 장치를 사용하지 않고도 중심 파장을 트리밍할 수 있으며, 제작과정에서 AWG의 ΔL(인접한 어레이 도파로 간의 길이차)가 설계대로 만들어지지 않고 치수가 서로 달라 불량이 발생한 경우 UV 레이저 광의 조사로 굴절율을 조절(trimming)하여 원하는 규격(spec)의 중심 파장을 얻을 수 있음o 관련기술정보 및 현황 종래의 기술은 온도조절장치를 부착하는 방법을 주로 사용해 왔으며, 펠티어 소자 및 히터 등의 온도 조절장 치는 항상 전력을 필요로 할 뿐만 아니라 사용 가능한 외부환경도 제한적인 문제점이 있음
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징본 발명의 길이 측정 센서 및 이를 이용한 길이 측정 장치는 측정 대상의 길이 변화에 따라 광섬유 브래그 격자가 휘어져 빛의 파장을 변화시키는 길이 변화 감지 센서를 구비하고, 이를 이용하여 길이 또는 길이 변화를 측정함으로 써, 측정 부위와 전기적으로 직접적인 접촉 없이도 측정이 가능하고, 전자기장의 간섭에 대한 영향을 받지 않으면서 고감도 및 폭넓은 주파수 특성을 가짐o 관련기술정보 및 현황 - 전기저항식 변위센서가 이용되고 있으나, 이는 주변 전자기파의 영향을 쉽게 받아 잡음이 많이 발생하고, 눈, 비등 습기등에 취약함. - 기존 광센서에 비해 저가형으로 제작할 수 있으며, 측정범위 확장 시에 용이하게 조정할 수 있음.
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징광도파로를 이용한 변위 측정 장치는 변위 측정 센서가 측정 부위와 전기적으로 직접 접촉할 필요가 없고 전자기장의 간섭에 영향을 받지 않는다는 장점이 있다. 또한, 광의 고감도와 폭넓은 주파수 특성 등으로 변위의 측정에 보편적으로 사용될 수 있다. 뿐만 아니라, 광도파로를 이용한 변위 측정 센서는 그 측정 범위가 10-9m 범위의 미세 변위 범위까지 측정이 가능하다는 장점이 있어 종래 변위 측정 장치의 단점들을 보완함o 관련기술정보 및 현황 - 전기저항식 변위센서가 이용되고 있으나, 이는 주변 전자기파의 영향을 쉽게 받아 잡음이 많이 발생하고, 눈, 비등 습기 등에 취약함. - 기존 광센서에 비해 저가형으로 제작할 수 있으며, 측정범위 확장 시에 용이하게 조정할 수 있음.
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징광대역 다파장 레이저 발진 튜닝모듈장치는 페브리-페롯 레이저다이오드와 브래그격자의 수축팽창작용을 이용하여 브래그격자가 형성된 광섬유가 통과하는 가요성빔에 외력을 가하여 광브래그격자의 간격을 강제로 조정함으로써 기존의 온도제어만으로 광브래그격자의 간격을 조정하는 방식에 비하여 광파장 선택범위를 확대할 수 있다. 나아가, 브래그격자의 격자간격을 외력으로 직접 제어하여 광대역으로 광파장을 선택함과 아울러 온도를 이용하여 페브리-페롯 레이저다이오드의 발진파장을 미세하게 제어하여 광파장 선택의 정밀도를 높임o 관련기술정보 및 현황 - 페브리-페롯 레이저다이오드특성 기술 - 광섬유 브래그격자의 수축 팽창 장치 제작기술 - 광대역 다파장 레이저 발진 튜닝모듈장치 설계기술
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징섬유 상에 격자를 형성하는 장치로서, 광을 조사하는 광원과 광원에 의하여 조사되는 광을 0차와 ±1차로 회절시키는 회절 유닛과 회절 유닛에 의하여 ±1차로 회절된 광을 반사시키는 반사유닛 및 반사 유닛에 의하여 반사되는 광을 광섬유 측으로 재 반사시키도록, 고정되는 제1 고정 미러 및 제2 고정 미러를 포함한다. 이에 의하면, 스크류 바를 회전시키는 한번의 동작으로서 최종적으로 대상체로 입사되는 광의 입사각을 용이하게 조절할 수 있게 된다. 또한 종래와 같이 브래그 격자 형성 장치에 설치되는 각각의 미러를 회전가능하게 설치할 필요가 없기 때문에 브래그 격자 형성 장치의 제조비용을 절감할 수 있음o 관련기술정보 및 현황 - 회절광의 반사유닛 설계기술 - 빛의 회절, 반사, 간섭에 의한 빛의 경로예측기술 - 최적의 브래그격자 파장형성을 위한 광정렬 기술
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징광섬유를 이용하여 변위를 측정함과 아울러 물체의 이동량에 대응하여 광손실이 선형적으로 증감될 수 있도록 한 광섬유를 이용한 변위 측정 센서 및 이를 이용한 변위 측정 방법을 제공함o 관련기술정보 및 현황 - 전기저항식 변위센서가 이용되고 있으나, 이는 주변 전자기파의 영향을 쉽게 받아 잡음이 많이 발생하고, 눈, 비등 습기등에 취약함. - 기존 광센서에 비해 저가형으로 제작할 수 있으며, 측정범위 확장 시에 용이하게 조정할 수 있음.
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징광섬유를 이용하여 경사도를 측정함과 아울러 물체의 경사도에 대응하여 광손실이 선형적으로 발생될 수 있도록 한 광섬유를 이용한 경사센서 및 이를 이용한 경사 측정 방법을 제공하여 광섬유를 이용한 경사센서 및 이를 이용한 경사 측정 방법에 관한 것으로 특히, 광섬유를 이용하여 경사도를 측정함과 아울러 물체의 경사도에 대응하여 광손실이 선형적으로 발생되게 함을 특징으로 함o 관련기술정보 및 현황 - 광섬유의 굽힘 손실을 이용한 장치제작기술 - 광섬유 굽힘 손실과 경사도 측정의 복합기술 - 광섬유 굽힘 손실값이 선형적으로 발생될 수 있도록 한 장치의 설계기술
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징Ne을 포함하는 레이저가스가 봉입되고 그 양단에 각각 제 1, 제 2윈도우가 설치된 방전관과, 방전관 제 2윈도우의 후방에 설치되고 발진된 레이저빔을 평행 빔으로 출사하기 위한 오목거울과, 오목거울로부터 출사된 레이저빔을 분할하기 위한 선속분할기와, 선속분할기를 통하여 분할된 레이저빔을 오목거울측으로 피드백시키기 위한 평면거울과, 평면거울을 통하여 피드백되는 레이저빔의 퍼짐각을 제어할 수 있도록 평면거울 전방에 마련된 조리개를 포함한다. 또한, 오목거울 및 선속분할기, 평면거울에 의해 반공초점공진기를 구성하고, 조리개와 선속분할기는 반공초점 공진기내에 구비됨을 특징으로 함o 관련기술정보 및 현황 - 색소레이저의 펌핑광원으로 활용가능하고, 반도체 및 광집적회로, 그리고 레이저 가공분야에 활용 - 반도체 및 광집적회로분야에서는 집속성이 우수하고 보다 짧은 파장의 광식각용 광원에 대한 개발이 요구 - 레이저 가공분야에서는 보다 다양한 파장, 작은 퍼짐각(beam divergence), 우수한 강도분포(field-pattern)를 갖는 고출력 레이저 요구
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징설명하면, 투명기판 상에 에칭공정을 통하여 격벽을 형성하고 격벽을 중심으로 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 굴절률이 다른 박막을 순차적으로 증착하여 그린(GRIN : Graded index) 구조가 액정 디스플레이 패널의 상부기판에 형성되도록 하는 분포형 굴절률을 갖는 마이크로렌즈 어레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 박막이 여러 층 쌓이게 되고 그 상부에 마이크로 렌즈 어레이가 형성되면 박막의 균열이 생길 수 있지만, 수직격벽 사이에서 박막이 수직방향으로 쌓이게 되므로 박막의 균열을 막을 수 있다. 따라서, 열팽창 계수의 차이가 있는 물질들을 이용하여 박막을 형성할 수 있어 다양한 물질을 이용하여 박막을 형성함o 관련기술정보 및 현황 - 종래의 기술에서는 복수개의 픽셀로 구성되는 액정디스플레이 패널에서 픽셀과 픽셀 사이에 광차단부가 위치하도록 함으로써 광차단부의 영역이 넓어지면 그에 상응하여 개구율이 감소되어 표시 자체가 어두워지는 문제점이 발생함 - 문제점 해결을 위하여 광투과율을 높이기 위하여 액정디스플레이 패널에 마이크로렌즈 어레이를 부착하여 마이크로렌즈에 의해 빛을 개구부에 모아주는 방법이 제시되었으나, 마이크로렌즈 어레이를 부착하는 과정에서 정렬오차(Misalign)의 문제점이 발생하여 액정 디스플레이 패널의 생산성이 떨어졌으며, 마이크로렌즈 어레이와 액정 디스플레이 패널의 사이에 거리 유지용 구조물을 형성하는 공정이 필요로 하여 공정이 복잡해지고 제조원가가 비싸지게 되는 문제점이 대두됨
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징본 발명은 안정적인 P형 특성을 보이는 Ⅲ족 원소와 질소(N)가 코도핑(co-doping)된 P형 산화아연 박막의 제조방법에 관한 것으로서 갈륨(Ga)과 질소(N)의 코도핑을 이용함으로써 결정성 및 전기적 특성이 우 수한 P형 산화아연 박막을 제조방법을 제공함. 또한, 시간에 따른 전기적 특성이 저하되지 않는 안정적인 P형 특성을 보여주는 산화아연 박막을 제조할 수 있음. 따라서 산화아연계 발광다이오드나 광응용소자 등을 제조하는데 효과적으로 적용할 수 있으며, 스퍼터링법을 이용하기 때문에 저렴한 가격으로 제조할 수 있음o관련기술정보 및 현황 - 최근 산화아연(ZnO)은 자외선 발광장치 등의 청색 재료로 주목받고 있음 - 광전자소자 등을 제조하기 위하여는 N형 및 P형의 에피택셜(epitaxial) 박막을 구현하는 것이 필수적이며, 산화아연의 경우 고품질의 N형 박막은 Ⅲ족 원소의 도핑에 의하여 용이하게 구현할 수 있으나 P형의 경우 상기 산화아연은 균형 잡히지 않는 도핑한계 때문에 얕은 억셉터 레벨의 형성에 어려움이 있음 - 따라서 안정적인 P형 특성을 보이는 산화아연을 제조하기 위한 연구가 진행중임
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징본 발명은 온도특성을 개선한 양자우물 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, SCH층의 외곽영역에 각각 n형 및 p형 변조도핑을 쌍으로 함으로써, SCH층의 에너지 밴드 모양을 변화시켜 반도체 레이저 다이오드의 온도특성이 향상될 수 있는 이점이 있음o 관련기술정보 및 현황 - 최근 들어 광 가입자망의 발전에 따라 저가의 통신용 광원에 대한 요구가 증대되고 있다. 저가의 통신용 광원을 제작하기 위해서는 온도특성이 좋아 높은 온도에서도 열전냉각장치가 없는 레이저의 필요성 대두 - 통상적으로, 광통신에 사용하는 약 1.3∼1.6㎛ 파장대에서 반도체 레이저 다이오드를 제작하기 위해서 InGaAsP/InP 계열의 물질이 사용되나, 이 물질은 전도대의 밴드 오프셋(band offset)이 작아 양자우물에 주입된 전자가 쉽게 장벽층(3b) 내지 SCH(Separat Confinement Heterostructure) 구조로 빠져나가게 된며, 이때 빠져나가는 전자의 양이 온도에 따라 크게 증가하므로, 고온에서 레이저의 특성이 저하되는 원인이 됨 - 위의 문제점을 해결하기 위해 InGaAlAs/InP의 새로운 물질계에 대한 연구가 진행중임
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징본 발명은 서로 다른 파장의 빛을 각각 영역별로 발광하도록 서로 다른 크기를 갖는 양자점을 동일 기판상에 실질적으로 동시에 형성함으로써, 고휘도의 백색광을 효율적으로 발광하는 다중파장 발광다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로서 서로 다른 파장의 빛을 각각 영역별로 발광하도록 서로 다른 크기를 갖는 양자점을 동일 기판상에 실질적으로 동시에 형성함으로써, 저비용의 단순화된 제조공정으로 고휘도의 백색광원을 효율적으로 제공함o 관련기술정보 및 현황 - LED 칩 표면에 수백나노 크기의 구조물을 형성하여 발광효율을 향상시키는 연구가 활발히 진행됨 - 나노 구조물에 의해 발광효율은 크게 증가하는 결과가 보고되었으나, 제작비용의 상승으로 실제 제품생산에 적용되지 못 함 - 저가로 나노구조를 제작하는 공정기술에 대한 요구가 증대되고 있음
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징 본 발명은 표면에 색깔을 입히기 위하여 형성하는 나노구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 표면 상부에 형성되며, 나노 홀이 소정 간격으로 어레이 형상으로 형성된 나노 홀 어레이 구조물; 및 나노 홀들의 적어도 상부와 바닥면에 소정 두께로 형성된 금속층을 구비하는 나노 구조물을 제공함으로써 저렴한 비용과 단순한 공정으로 표면 채색을 가능하게 하고, 채색된 표면이 방향에 따라 색깔이 변하도록 하여 사용자의 다양한 욕구를 충족시킬 수 있는 수단을 제공함o 관련기술정보 및 현황 최근, 나노 기술을 이용한 다양한 적용방향에 대해 연구가 진행되고 있으나, 나노 기술을 이용하여 표면에 다양한 색채를 채색하기 위한 연구는 거의 없는 실정이고, 일명 '카멜레온 도료'라는 상용화된 제품이 판매되고 있으나, 그 제작 과정이 복잡한 문제점이 있음
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
o 기술 요약 및 특징광결정 발광다이오드의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 알루미늄 애노다이징을 이용하여 광결정이 제조된 광결정 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공하는 것으로서 본 발명에 의하면, 대량생산이 용이하여 생산단가가 저렴한 광결정 발광다이오드를 제공할 수 있게 되고, 광추출 효율이 향상된 발광 다이오드를 제공할 수 있게 되는 효과가 있음o 관련기술정보 및 현황 - LED 칩 표면에 수백나노 크기의 구조물을 형성하여 발광효율을 향상시키는 연구가 활발히 진행됨 - 나노 구조물에 의해 발광효율은 크게 증가하는 결과가 보고되었으나, 제작비용의 상승으로 실제 제품생산에 적용되지 못 함 - 저가로 나노구조를 제작하는 공정기술에 대한 요구가 증대되고 있음
- 보유기관
- 전남대학교
- 등록일
- 2008-12-09
상세보기
일반기술
전기·전자 > 화합물반도체 (B63)
화합물 반도체를 선택적으로 제거하여 형성하는 마이크로렌즈의 제조 및 마이크로렌즈가 집적된 광전소자를 제조하는 방법이 개시된다. 마이크로렌즈를 형성하기 위해 화합물 반도체는 패터닝되고, 측면 부위는 제거되어 대략 반구형의 렌즈로 형성된다. 화합물 반도체의 측면 부위의 제거를 위해 디지털 합금 방법이 사용된다. 특히, 습식식각을 이용하여 화합물 반도체의 측면부위는 제거된다.
- 보유기관
- 광주과학기술원
- 등록일
- 2009-04-24
상세보기