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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

광학활성인N,N'-다이(치환벤조일)-2,3-다이아미노-1,4-부탄다이올을기저로한 키랄고정상

본 발명은 키랄 의약품과 같은 라세미 생리활성 물질을 구성하는 두 개의 광학이성질체를 광학분할하는데 유용한 새로운 LC 용 키랄고정상과 상기 키랄고정상의 제조, 상기 키랄고정상으로 충진한 키랄칼럼 및 이들을 이용한 라세미 화합물의 광학분할에 관한 것이다.즉 본 발명은 C2 대칭성이며 광학활성인 (2R,3R)-N,N'-다이(치환벤조일)-2,3-다이아미노-1,4-부탄다이올의 유도체 혹은 (2S,3S)-N,N'-다이(치환벤조일)-2,3-다이아미노-1,4-부탄다이올의 유도체를 LC 용 실리카 젤에 공유결합시킨 화학식 1로 표시되는 키랄고정상 (CSP 1)과 (2R,3R)-(+)-1,4-다이벤질옥시-2,3-부탄다이올 혹은 (2S,3S)-(-)-1,4-다이벤질옥시-2,3-부탄다이올을 출발물질로 사용하여 상기 (2R,3R)-N,N'-다이(치환벤조일)-2,3-다이아미노-1,4-부탄다이올의 유도체 혹은 (2S,3S)-N,N'-다이(치환벤조일)-2,3-다이아미노-1,4-부탄다이올의 유도체을 합성하고 이것을 실리카 젤에 공유결합시키는 단계를 포함하는 상기 키랄고정상 (CSP 1)의 제조 방법, 상기 키랄고정상 (CSP 1)으로 충진된 키랄칼럼 및 이들을 이용한 라세미 화합물들의 광합분할 방법을 제공함에 요지가 있다.본 발명은 키랄 의약품과 같은 라세미 생리활성 물질을 구성하는 두 개의 광학이성질체를 광학분할하는데 유용한 새로운 LC 용 키랄고정상과 상기 키랄고정상의 제조, 상기 키랄고정상으로 충진한 키랄칼럼 및 이들을 이용한 라세미 화합물의 광학분할에 관한 것이다. 기술특징으로는 다음의 화학식으로 표현되는 키랄고정상 (CSP1):상기 식에서, R은 수소, 하나 혹은 두 개의 메틸기, 하나 혹은 두 개의 메톡시기, 하나 혹은 두 개의 T-부틸기, 하나 혹은 두 개의 니트로기, 하나 혹은 두 개의 클로로기를 나타내며, X는 NH 혹은 CH2를 나타내고, N은 1-16의 정수이고, 두 개 키랄중심의 절대배열은 (R,R) 혹은 (S,S)이다.

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2005-07-28
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키랄 크라운에테르를 기저로한 LC용 키랄 고정상, 이의키랄 칼럼 및 이의 제조방법

본 발명은 일차 아미노기를 가지고 있는 라세미 생리활성물질을 구성하는 두 개의 광학이성질체를 분리하는데 유용한 7키랄 크라운에테르 화합물들의 제조, 상기 광학활성 키랄 크라운에테르 화합물을 LC 용 실리카 젤에 공유결합시킨 LC 용 키랄고정상들과 이들로 충진된 LC 용 키랄 칼럼의 제조에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 광학활성인 (R)-3,3'-이치환-1,1'-바이-2-나프톨 [(R)-3,3'-DISUBSTITUTED-1,1'-BI-2-NAPHTHOL] 혹은 (S)-3,3'-이치환-1,1'-바이-2-나프톨 [(S)-3,3'-DISUBSTITUTED-1,1'-BI-2-NAPHTHOL]을 광학활성인 (2R,3R)-타르타르산 혹은 (2S,3S)-타르타르산과 결합시켜 제조되는 화학식 1로 표시되는 광학활성 키랄 크라운에테르 화합물들의 제조방법, 상기 광학활성 키랄 크라운에테르 화합물을 LC 용 실리카 젤에 공유결합시킨 화학식 2로 표시되는 LC 용 키랄고정상들의 제조방법, 상기 LC 용 키랄고정상으로 충진된 LC 용 키랄컬럼의 제조방법, 상기 LC 용 키랄칼럼을 이용한 라세미 생리활성물질의 광학분할 방법을 제공함에 요지가 있다. 발명은 일차 아미노기를 가지고 있는 라세미 생리활성물질을 구성하는 두 개의 광학이성질체를 분리하는데 유용한 7키랄 크라운에테르 화합물들의 제조, 상기 광학활성 키랄 크라운에테르 화합물을 LC 용 실리카 젤에 공유결합시킨 LC 용 키랄고정상들과 이들로 충진된 LC 용 키랄 칼럼의 제조에 관한 것이다. 기술특징으로는 하기의 화학식 1로 표시되는 키랄 크라운에테르 화합물: 화학식 1 상기 화학식에서 R = H, 알킬, 혹은 아릴기를 나타내고, 상기 화합물의 절대배열은 바이나프틸 부분의 절배배열 (R 혹은 S)을 앞에, 타르타르산 부분의 두 개 키랄중심의 절대배열 (R,R 혹은 S,S)을 뒤에 표시하여 (R,R,R), (S,S,S), (R,S,S) 혹은 (S,R,R)이다.

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2005-08-01
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이중 연결가지를 가진 LC 용 키랄 크라운 에테르 키랄고정상 및 이들로 충진된 키랄 칼럼

본 발명은 광학활성인 (18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산을 LC 용 실리카 젤에 공유 결합시켜 합성된 키랄 고정상 및 이들로 충진된 키랄 칼럼들의 수명이 제한적인 것을 개량하여 광학분할 성능을 그대로 유지한 채 그 수명을 향상시킨 키랄 고정상 및 이들로 충진된 키랄 칼럼의 제조에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 광학활성인 (18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산 [(2R,3R,11R,12R)- 혹은 (2S,3S,11S,12S)-1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane- 2,3,11,12-tetracarboxylic acid]으로부터 합성된 광학활성인(18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산 무수물을 비스아미노알킬실리카 젤과 반응시켜 제조된 화학식 1로 표현되는 키랄고정상들(CSP 1 및 CSP 2)과, 상기 키랄고정상들(CSP 1 및 CSP 2)로 충진된 LC 용 키랄 칼럼 혹은 HPLC 용 키랄 칼럼에 관한 것으로서, 모노아미노알킬실리카 젤을 사용하여 제조된 키랄고정상들과 이들로 충진된 키랄칼럼의 수명을 획기적으로 증진시키는데 그 요지가 있다.이중 연결가지를 가진 LC 용 키랄 크라운 에테르 키랄고정상 및 이들로 충진된 키랄 칼럼인 본 발명의 기술특징으로는 광학활성인 (18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산 [(2R,3R,11R,12R)- 혹은 (2S,3S,11S,12S)-1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane-2,3,11,12-tetracarboxylic acid] 의 무수물과 비스아미노알킬실리카 젤을 반응시켜 제조된 다음의 화학식(CSP 1)으로 표현되는 이중 연결가지를 가진 LC 용 키랄 크라운 에테르 키랄 고정상 및 이들로 충진된 키랄 칼럼CSP 1 상기 화학식에서 n 은 1-18의 정수이다.

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2005-08-01
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키랄 의약품의 광학분할을 위한 개량된 LC 용 키랄크라운 에테르 키랄 고정상의 제조방법 및

광학활성인 (18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산을 LC 용 실리카 젤에 공유 결합시켜 합성된 키랄 고정상 및 이들로 충진된 키랄 칼럼을 개량하여 광학분할 성능을 향상시킨 키랄 고정상 및 이들로 충진된 키랄 칼럼의 제조에 관한 것이다. 즉, 광학활성인 (18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산 [(2R,3R,11R,12R)- 혹은 (2S,3S,11S,12S)-1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane- 2,3,11,12-tetracarboxylic acid]으로부터 합성된 광학활성인 (18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산 무수물을 긴 사슬을 가진 아미노알킬실리카 젤과 반응시켜 제조된 화학식 1로 표현되는 키랄고정상들(CSP 1)과, 키랄고정상들(CSP 1)로 충진된 LC 용 키랄 칼럼 혹은 HPLC 용 키랄 칼럼의 제조방법에 관한 것으로서, 일차 아미노기를 가지고 있는 키랄 의약품들을 제조하고 생산하는 과정에서 필수적으로 요구되는 광학활성 물질의 획득 및 광학활성 물질의 광학순도 측정 기술을 제공함에 요지가 있다.광학활성인(18-크라운-6)-2,3,11,12-테트라카복시산[(2R,3R,11R,12R)-혹은 (2S,3S,11S,12S)-1,4,7,10,13,16-hexaoxacyclooctadecane-2,3,11,12-tetracarboxylic acid] 의 무수물과 긴 사슬을 가진 아미노알킬 실리카 젤을 반응시켜 제조된 키랄 고정상 (CSP 1)과 이들 키랄 고정상으로 충진된 LC 용 혹은 HPLC 용 키랄 칼럼인 것을 특징으로 하는 키랄 의약품의 광학분할을 위한 개량된 LC 용 키랄 크라운 에테르 키랄 고정상들로 충진된 키랄 칼럼.본 기술에 의하여 제조된 LC용 키랄고정상 혹은 HPLC용 키랄고정상으로 충진된 키랄 칼럼들은 일차 아미노기를 가지고 있는 생리활성 라세미 화합물을 구성하는 두개의 광학이성질체를 아주 효과적으로 광학분할 할 수 있음을 알 수가 있으며, 특히 라세미 아미노산의 광학분말에 있어서 광학분할의 정도는 기존의 키랄고정상으로 충진된 키랄 칼럼에 의한 광학분할 보다 우수한 것이다.

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2005-08-01
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졸-겔/탄소분말/수은이온 전극 및 그 제조 방법

본 기술은 중금속 이온, 유기물, 무기물 및 생체 물질 분석을 위한 졸-겔/탄소분말/수은이온 전극의 제조 방법에 관한 것이다.수은 이온을 졸-겔(sol-gel)에 고정시키도록 하나의 반응 용기 내에서 알콕시실란(alkoxysilane), 물, 산 촉매 및 수은화합물을 동시에 넣고 교반하는 단계와, 교반 단계에서 얻어진 졸-겔/수은이온 혼합물에 전도성 탄소분말을 첨가하고 반죽 상태로 혼합하는 단계와, 혼합 단계에서 얻어진 반죽 상태의 졸-겔/탄소분말/수은이온 혼합물을 관 형태의 전극 몸체 말단에 소정량 밀어넣고 전선을 상기 졸-겔/수은/탄소분말 혼합물에 접촉시키고 그 전선을 상기 전극 몸체 외부로 빼내는 전극 제작 단계를 포함한다.중금속 이온, 유기물, 무기물 및 생체 물질 분석을 위한 졸-겔/탄소분말/수은이온 전극의 제조 방법에 있어서, 수은이온을 졸-겔(sol-gel)에 고정시키도록, 하나의 반응 용기 내에 알콕시실란(alkoxysilane), 물, 산 촉매 및 수은화합물을 동시에 넣고 교반하는 단계와, 교반 단계에서 얻어진 졸-겔/수은이온 혼합물에 전도성 탄소분말을 첨가하고 반죽 상태로 혼합하는 단계와, 혼합 단계에서 얻어진 반죽 상태의 졸-겔/탄소분말/수은이온 혼합물을 관 형태의 전극 몸체 말단에 삽입하고 전선을 상기 졸-겔/수은/탄소분말 혼합물에 접촉시키고 상기 전선을 상기 전극 몸체 외부로 빼내는 전극 제작 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔/탄소분말/수은이온 전극 제조 방법.본 기술에 따른 수은이온 전극 및 그 제조방법은 졸-겔/탄소분말 혼합물에 수은이온을 고정시키는 방법을 채용함으로써 재상이 가능하고 휴대가 간편할 뿐만 아니라 전극에 수은 이온을 고정하는 단계가 단 한번의 반응과정으로 이루어지므로 제조가 쉽고 간단하며, 또한 폐수은의 함량을 절감시키는 효과를 갖는다.

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2005-08-01
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아세텔렌카본블랙이 첨가된 1,5-디아미노나프탈렌 중합체를 이용한 습도센서 감지막 제조 방법

본 기술은 아세텔렌카본블랙이 첨가된 1,5-디아미노나프탈렌 중합체로 제조된 습도센서에 관한 기술이다.1,5-디아미노나프탈렌 단량체와 Fe3+를 0.8-1.2:0.8-1.2의 몰비율로 메탄올에 각각 녹이고, 단량체 용액에 Fe3+ 용액을 천천히 가하여 22-26시간 동안 반응시켜 1,5-디아미노나프탈렌 중합체의 침전물을 생성하고, 1,5-디아미노나프탈렌 중합체의 침전물을 걸러 에탄올 및 증류수로 세척한 후 45-55 ℃에서 2.5-3.5일간 진공건조시키고, 1,5-디아미노나프탈렌 중합체 및 아세텔렌카본블랙을 혼합하고, 혼합된 1,5-디아미노나프탈렌 중합체 및 아세텔렌카본블랙에 대하여 5-7 wt%의 폴리비닐리덴을 혼합한 후 N-메틸피롤리돈 용매에 혼합하여 1,5-디아미노나프탈렌 중합체/아세텔렌카본블랙 혼합물을 제조하고, 1,5-디아미노나프탈렌 중합체/아세텔렌카본블랙 혼합물을 유리판 상의 금 박막들 사이의 간격에 가한 후 유리판을 140-160 rpm으로 회전시켜 혼합물의 박막을 입히고, 혼합물이 입혀진 유리판을 95-105 ℃에서 5-7시간 동안 진공건조시키는 것을 특징으로 한다.본 기술은 아세텔렌카본블랙이 첨가된 1,5-디아미노나프탈렌 중합체로 제조된 슴도센서에 의하여, 아세렌 카본블랙을 고분자에 첨가함으로써 습도센서로 사용되는 고분자의 전도성 및 안정성이 개선되어 저항측정형 및 전류측정형 습도센서 모두로 사용이 가능하다.특히 전류측정형 습도센서에서 에너지가 적게 소비되는 효과를 가진다.

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2005-08-01
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1,3,4-옥사디아졸 및 알콕시페닐옥시 치환기를 갖는폴리(1,4-페닐렌비닐렌)계 고효율 전기 발광 고분자 및고분자 전기발광 다이오드

국문: 발광고분자 상호작용을 감소시킬 수 있는 치환기가 도입됨으로 인해서 발광고분자의 용해도 향상과 1,3,4-옥사디아졸 치환기를 도입하여 전자수송층의 특성을 향상시킨 새로운 형태의 폴리(p-페닐렌비닐렌)계 발광고분자를 합성하였다. 발광고분자의 경우 일반적인 유기용매에 잘 녹았으며 고분자 박막 또한 defect가 없는 우수한 박막을 형성할 수 있었다. 단층형 소자를 제작한 결과 구동전압은 4 10 V 정도이며 전자수송 특성을 나타내는 단량체와 발광층의 역할을 하는 단량체의 공중합체를 형성함으로 인해서 발광고분자 단독보다 발광소자의 특성을 향상 및 발광색을 조절할 수 있었다. 최대 발광휘도와 발광효율은 약 19500 cd/m2와 21 cd/A로 매우 우수한 고분자 발광다이오드 특성을 나타내었다.국문: 발광고분자 상호작용을 감소시킬 수 있는 치환기가 도입됨으로 인해서 발광고분자의 용해도 향상과 1,3,4-옥사디아졸 치환기를 도입하여 전자수송층의 특성을 향상시킨 새로운 형태의 폴리(p-페닐렌비닐렌)계 발광고분자를 합성하였다. 발광고분자의 경우 일반적인 유기용매에 잘 녹았으며 고분자 박막 또한 defect가 없는 우수한 박막을 형성할 수 있었다. 단층형 소자를 제작한 결과 구동전압은 4 10 V 정도이며 전자수송 특성을 나타내는 단량체와 발광층의 역할을 하는 단량체의 공중합체를 형성함으로 인해서 발광고분자 단독보다 발광소자의 특성을 향상 및 발광색을 조절할 수 있었다. 최대 발광휘도와 발광효율은 약 19500 cd/m2와 21 cd/A로 매우 우수한 고분자 발광다이오드 특성을 나타내었다. 기술특징으로는 본 발명은 폴리(p-페닐렌비닐렌)계 발광고분자의 골격에 1,3,4-옥사디아졸 유도체 또는 alkoxyphenyloxy 치환기가 도입된 발광고분자

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2005-08-04
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황화수소 제거용 재생 가능한 망간계 탈황제(엠오에이) 및 이의 제조방법

고온에서 황화수소를 제거하기 위한 탈황제 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 황화수소 제거용 탈황제는 Mn Ore 75중량% 와 Al2O3 20중량% 및 벤토나이트 5중량%로 이루어지고, 분말상태의 각 시료를 혼합하는 단계, 항량이 될 때까지 건조하는 단계, 소성하는 단계, 경화하는 단계 및 경화된 탈황제를 분쇄 및 체거름 하는 단계를 포함하므로써 이루어지는 것으로, 고온에서 우수한 황화수소 제거효과가 있다.550-800℃에서 황화수소와 반응하는 망간계 탈황제 물질인 MOA 탈황제는 Mn Ore 75중량% + Al2O3 20중량% + 벤토나이트 5중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 황화수소 제거용 탈황제. 석탄연료가스로부터 망간계 산화물을 주성분으로 하는 황화수소 제거용 탈황제에 있어서, 탈황제는 Mn Ore 75중량%, 지지체 Al 2 O 3 20∼23중량%, 바인더 벤토나이트 5∼2중량%로 이루어지고, 온도범위는 550-800℃에서 황화수소를 제거하는 황화수소 제거용 탈황제.

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2005-08-08
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황화수소 제거용 재생 가능한 망간계 탈황제(엠에이) 및 이의 제조방법

본 기술은 고온에서 황화수소를 제거하기 위한 탈황제 및 이의 제조방법에 관한 것이다.황화수소 제거용 탈황제는 MnCO3 80중량% + Al2O3 15중량% + 벤토나이트 5중량%로 이루어지고, 분말상태의 각 시료를 혼합하는 단계, 항량이 될 때까지 건조하는 단계, 소성하는 단계, 경화하는 단계 및 경화된 탈황제를 분쇄 및 체거름 하는 단계를 포함하므로써 이루어지는 것으로, 고온에서 우수한 황화수소 제거효과가 있다.550-800℃에서 황화수소와 반응하는 망간계 탈황제 물질인 MA 탈황제는 MnCO3 80중량% + Al2O3 15중량% + 벤토나이트 5중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 황화수소 제거용 탈황제. 석탄연료가스로부터 망간계 산화물을 주성분으로 하는 황화수소 제거용 탈황제에 있어서, 탈황제는 MnCO 3 80중량%에 지지체 Al 2 O 3 15∼18중량%, 바인더 벤토나이트 5∼2중량%로 이루어지고 온도범위는 550∼800℃에서 황화수소를 제거하는 황화수소 제거용 탈황제이다.

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2005-08-08
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황화수소 제거용 재생 가능한 망간계 탈황제(엠에프티) 및 이의 제조방법

본 기술은 고온에서 황화수소를 제거하기 위한 탈황제 및 이의 제조방법에 관한 것이다.황화수소 제거용 탈황제는 MnCO3 55중량% 와 Fe2O3 20중량% 및 TiO2 20중량% 및 벤토나이트 5중량%로 이루어지고, 분말상태의 각 시료를 혼합하는 단계, 항량이 될 때까지 건조하는 단계, 소성하는 단계, 경화하는 단계 및 경화된 탈황제를 분쇄 및 체거름 하는 단계를 포함하므로써 이루어지는 것으로, 탈황제는 고온에서 우수한 황화수소 제거효과가 있다.550-800℃에서 황화수소와 반응하는 망간계 탈황제 물질인 MFT 탈황제는 MnCO3 55중량% + Fe2O3 20중량% + TiO2 20중량% + 벤토나이트 5중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 황화수소 제거용 탈황제. 석탄연료가스로부터 망간계 산화물을 주성분으로 하고 이차활성성분으로 철산화물인 황화수소 제거용 탈황제에 있어서, 탈황제는 MnCO 3 55중량% + Fe 2 O 3 20중량% + TiO 2 20∼23중량% + 벤토나이트 5∼2중량%로 이루어지고, 2차활성성분은 Fe 2 O 3 20중량%, 지지체는 TiO 2 20∼23중량%, 바인더는 벤토나이트 5∼2중량% 포함되며, 온도범위는 550∼650℃에서 황화수소를 제거하는 황화수소 제거용 탈황제이다.본 기술은 황하수소를 고온에서 흡착 제거하는 망간계 탈황계 및 이의 제조 방법으로서, 모든 연료가스에 적용하여도 원소망간으로서의 환원저항이 크고 고온에서도 조업할 수가 있으며, 특히 반응속도가 빠른 장점을 가진다.

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2005-08-08
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하수처리장 영양염류 제거공정에서 외부 탄소원 절감을 위한 자동 제어 장치

낮은 유입수 C/N비의 특성을 가지는 하수등에서 탈질조(제 2무산소)로의 외부탄소원의 주입을 ORP를 이용한 외부탄소원 자동제어 시스템을 이용하여, 안정적이며, 경제적으로 제어하는 것이다. 이 시스템은 피드백(Feedback) 제어 방식중 PID제어기를 사용했으며, 안정화상태(Steady state) 상태에서 제2 무산소반응조의 ORP 세트포인트(set-point)를 -120mV로 설정하여 90% 이상의 안정적인 탈질율을 확보하면서 외부탄소원 주입을 최소로 한다. 실험은 HRT 6시간에서 이루어졌으며, 외부탄소원으로는 메탄올이 사용되었다.외부 탄소원 자동제어시스템에 있어서, 제1,2 호기조반응기에서 질산화된 처리수를 탈질시키는 제2 무산소반응조와 무산소반응조 내의 산화환원전위의 측정을 위한 ORP 센서 및 미터(meter)와 측정된 ORP값의 세트 포인트(set-point) 유지를 위한 PID제어기와 변경된 출력값을 외부탄소원 탱크와 연계되어 외부 탄소원을 무산소반응조로 주입하는 디지털 펌프를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 외부 탄소원 자동 제어장치.

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2005-09-21
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폐플라스틱분해용 촉매 및 이촉매를 이용한 폐플라스틱의 분해방법

본 발명은 국내에 다량으로 부존하고 있는 천연의 클리놉틸로라이트형 제올라이트로 된 폐플라스틱 분해용 촉매 및 이 촉매를 이용한 폐플라스틱의 분해방법에 관한 것이다. 본 발명의 클리놉틸로라이트형 제올라이트 촉매는 망상형의 3차원 입체 구조로서, 산소 원자 하나를 공유하는 (Si, Al)O4의 테트라히드랄 구조를 가지며, Si/Al비가 4 이상이며 알칼리 금속, 알칼리 토금속류 및 결정수인 물분자를 포함한다. 본 발명의 촉매를 이용하는 경우, 기존의 단순 열분해에 비해서 낮은 분해 온도, 분해 생성물의 높은 선택도 등의 장점을 얻을 수 있으며, 폐플라스틱으로부터 부가가치가 높은 화학 물질을 회수할 수 있으며, 이에 따라서 난분해성 폐플라스틱에 의한 환경오염을 방지하는 효과도 동시에 얻을 수 있다.본 발명은 국내에 다량으로 부존하고 있는 천연의 클리놉틸로라이트형 제올라이트로 된 폐플라스틱 분해용 촉매 및 이 촉매를 이용한 폐플라스틱의 분해방법에 관한 것이다. 기술특징으로는 망상형의 3차원 입체 구조로서, 산소 원자 하나를 공유하는 (Si, Al)O4의 테트라히드랄 구조를 가지며, Si/Al비가 4 이상이며 알칼리 금속, 알칼리 토금속류 및 결정수인 물분자를 포함하는, 천연의 클리놉틸로라이트 (clinoptilolite)형 제올라이트로 된 폐플라스틱 분해용 촉매.

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2005-09-21
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HDPE(고밀도 폴리에틸렌) 일체형 컬러 방음벽

- HDPE(고밀도 폴리에틸렌)를 이용한 일체형 사출식 컬러방음판 생산기술 - 뛰어난 흡음기능(NRC : 1.07)을 위한 방음벽 구조설계기술(EM마크 획득) - 방음벽의 친환경적 구조설계기술(제품폐기시 단일재질의 합성수지로 쉽계 분리할 수 있는 구조) - 대형사출물 구조설계기술(KT마크 획득)- 성능향상 : 기존의 방음벽보다 흡음성능이 20-25% 향상 - 다양한 디자인 구현 : 기존의 방음벽은 별도의 도장(분체도장)과정을 거쳐 디자인 구현 - 경량으로 인한 시공비의 절감 : 알루미늄방음벽(25kg/m2), HDPE방음벽(15kg/m2) - 친환경성 : 국내방음벽업계중 유일한 환경제품(환경마크, 환경신기술 획득)- HDPE(고밀도 폴리에틸렌)를 이용한 일체형 사출식 컬러방음판 생산기술 - 뛰어난 흡음기능(NRC : 1.07)을 위한 방음벽 구조설계기술(EM마크 획득) - 방음벽의 친환경적 구조설계기술(제품폐기시 단일재질의 합성수지로 쉽계 분리할 수 있는 구조) - 대형사출물 구조설계기술(KT마크 획득)- 성능향상 : 기존의 방음벽보다 흡음성능이 20-25% 향상 - 다양한 디자인 구현 : 기존의 방음벽은 별도의 도장(분체도장)과정을 거쳐 디자인 구현 - 경량으로 인한 시공비의 절감 : 알루미늄방음벽(25kg/m2), HDPE방음벽(15kg/m2) - 친환경성 : 국내방음벽업계중 유일한 환경제품(환경마크, 환경신기술 획득)

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2005-09-21
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반응고(Semi-solid) 공정 기술

본 기술은 교반에 의한 전단력이 입자의 가지를 잘라서 입자를 미세화하는 방법이 아닌, 온도의 균일 분포에 의한 핵생성 밀도의 증가 방법을 이용한 입자의 미세화 방법이다. 지금까지 액상의 교반은 핵생성에 영향을 미치는 않는 것으로 인식했으나, 본 발명의 전자기 교반법을 이용하면 온도와 농의 분포가 일정하게 되어 핵이 액상전체에서 동시에 발현되고 국부적으로 과열된 액상에 의한 핵의 소멸을 막을 수 있기 때문에 액상선위에서 액상선까지 또는 고상율 0.4되는 곳까지 전자기장을 걸어주는 방법을 이용하여 미세한 입자를 얻을 수 있다. 본 기술로 얻은 입자의 크기는 평균 25㎛에서 50㎛의 크기를 갖는다. 또한 교반에 걸리는 시간은 1/2 이하로 단축시킬 수 있어 경제적으로 상당한 이점을 갖는다. 도입기술이 Pechiney보다 20배이상, UBE 보다 10배 빠름본 기술은 교반에 의한 전단력이 입자의 가지를 잘라서 입자를 미세화하는 방법이 아닌, 온도의 균일 분포에 의한 핵생성 밀도의 증가 방법을 이용한 입자의 미세화 방법이다. 지금까지 액상의 교반은 핵생성에 영향을 미치는 않는 것으로 인식했으나, 본 발명의 전자기 교반법을 이용하면 온도와 농의 분포가 일정하게 되어 핵이 액상전체에서 동시에 발현되고 국부적으로 과열된 액상에 의한 핵의 소멸을 막을 수 있기 때문에 액상선위에서 액상선까지 또는 고상율 0.4되는 곳까지 전자기장을 걸어주는 방법을 이용하여 미세한 입자를 얻을 수 있다. 본 기술로 얻은 입자의 크기는 평균 25㎛에서 50㎛의 크기를 갖는다. 또한 교반에 걸리는 시간은 1/2 이하로 단축시킬 수 있어 경제적으로 상당한 이점을 갖는다. 도입기술이 Pechiney보다 20배이상, UBE 보다 10배 빠름

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(재)송도테크노파크
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2005-09-21
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메탈페이스트 디스펜싱(metal paste dispensing) 방법을 이용한 가속도센서

본 발명 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법에 의하면 비교적 정확한 질량을 원하는 부분에 선택적으로 다량 올릴 수 있으며, 형성된 질량의 미세편차는 하이브리드집접회로(hybrid IC)출력단의 저항크기를 트리밍(trimming)할 때 완전히 보정되는 장점뿐만 아니라 집적회로 공정이나 미세 구조공정과는 독립적으로 수행될 수 있기 때문에 공정이 간편하고 양산적용에 이상적이며, 다량의 질량을 형성할 수 있고 하나의 칩위에 서로 다른 질량을 가지는 여러가지의 센서를 함께 제조하기 쉬운 공정상의 장점도 있다.본 발명은, 실리콘웨이퍼(1)를 세척한 후 압전저항(2)을 제조하고, 실리콘웨이퍼(1)전면에 질량패들(mass paddle)로써 Ni박막(3)을 증착하며, 사진식각법과 습식식각으로 Ni박막(3)을 패터닝(patterning)한 후 RTP(rapid thermal processing)방법으로 열처리하여 Ni실리사이드(3')을 형성하고, RTP방법에 의한 열처리시산화도니 Ni의 표면산화층을 NH4OH수용액으로 제거하며, Ni실리사이드(3')상에 디스펜서(dispenser)를 이용하여 메탈페이스트(4 : metal paste)를 정량올리고, 180℃∼200℃의 온도로 열처리하여 메탈페이스트(4)를 경화시키는 것을 특징으로 하는 메탈페이스트 디스펜싱(metal paste dispensing)방법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법에 관한 것이다.

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대구기술이전센터
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2005-08-29
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선택적인 금속도금법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법

본 발명의 진동질량 제조방법에 의하면 정확한 질량을 원하는 부분에 선택적으로 용이하게 전기도금할 수 있고, 하이브리드 IC(hybrid IC) 출력단의 저항 크기를 트리밍(triming) 할 때 완전히 보정될 수 있는 장점 뿐만 아니라, 질량형성부분의 크기를 리소그라피(lithography)방법으로 정의할 수 있기 때문에 하나의 칩 위에 서로 다른 질량을 가지는 여러가지 센서를 함께 제조하기 편리한 공정상의 장점이 있다. 따라서 선택적인 금속도금법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법은 아주 유용한 기술로 활용되어 질것이다.본발명은, 세척한 실리콘기판(1)상에 Ni막을 증착시킨 후 포토레지스트를 도포하여 Ni패턴(2)을 정의한 후 RTP(rapid thermal processing)방법으로 어닐링(anealing)하여 니켈실리사이드(3)를 형성하며, 이어 스핀온형(spin-on type) 포토레지스트(photo-resist)(4)로 질량패들(mass paddle) 영역을 정의한 다음 하드베이크(hard bake)한 후 상기 포토레지스트(4) 위에 2차에 걸쳐 드라이 필름 포토레지스트(5,6)를 형성하여 질량패들영역을 정의하며, 계속하여 상기 니켈 실리사이드(3)상의 니켈산화층을 NH4OH등으로 제거한 후 금속도금 장치를 이용하여 전해 혹은 무전해 전기도금방법에 의한 밀도와 두께의 정확한 제어하에 니켈전기도금으로 진동질량(7)을 형성하여 다층 드라이 필름 포토레지스트(5,6)와 포지포토레지스터(4)를 제거함으로써 원하는 부분에 정확한 질량을 선택적으로 용이하게 형성시킬 수 있고 하나의 칩 위에 서로 다른 질량을 가지는 여러가지 센서를 함께 제조하기에 편리한 것을 특징으로 하는 선택적인 금속도금법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량제조방법에 관한 것이다.

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대구기술이전센터
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2005-08-29
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스테인에칭기법을 이용한 마이크로머시닝방법

본 발명에 따른 스테인 에칭기법을 이용한 마이크로머시닝 방법에 의하면 짧은 식각시간으로 다양한 모양의 미세구조를 만들수 있으면서도 마이크로머시닝 공정을 간단히 할 수 있는 장점이 있다.본발명은, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 확산마스크용 실리콘 산화막을 성장시킨후 인(phosphorus)을 확산 시켜 n+층(2)을 형성하고, n+층(2)상에 n형 실리콘에피층(3)을 성장시켜 n/n+/n 3 구조를 만들고 표면에 LPCVD법으로 질화막(4;Si3N4)을 증착시키는 단계와; 상기 질화막(4)을 사진식각법으로 패터닝하고 질화막(4)과 n형 실리콘 에피층(3)을 식각하여 n+층(2)을 노출시키는 단계와; 노출된 n+층(2)을 스테인 에칭을 실시하여 다공질 실리콘으로 만드는 단계와; 스테인 에칭된 n+층(2' )을 제거하여 미세기계구조를 형성하는 단계로 이루어지는 마이크로머시닝 방법이다.본발명은, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 확산마스크용 실리콘 산화막을 성장시킨후 인(phosphorus)을 확산 시켜 n+층(2)을 형성하고, n+층(2)상에 n형 실리콘에피층(3)을 성장시켜 n/n+/n 3 구조를 만들고 표면에 LPCVD법으로 질화막(4;Si3N4)을 증착시키는 단계와; 상기 질화막(4)을 사진식각법으로 패터닝하고 질화막(4)과 n형 실리콘 에피층(3)을 식각하여 n+층(2)을 노출시키는 단계와; 노출된 n+층(2)을 스테인 에칭을 실시하여 다공질 실리콘으로 만드는 단계와; 스테인 에칭된 n+층(2' )을 제거하여 미세기계구조를 형성하는 단계로 이루어지는 마이크로머시닝 방법이다.

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2005-08-29
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다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법

본 발명의 다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법에 따르면, 기판의 종류나 결정방향에 관계없이 원하는 형상의 실리콘 다이아프램이나 이를 이용한 압력센서를 정확하게 제조할 수 있는 효과가 있다.본 발명은, n형 실리콘기판을 제조하는 단계와: 상기 실리콘기판에 1018/cm3 농도의 n+ 불순물을 확산시켜 상기 기판 상면의 소정 부분에 n+ 확산영역을 형성하는 단계와: n+형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와: 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와; 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와: 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 : 적어도 폴리머(polymer), 메탈페이스트(metal paste), SOG(siliconon glass)중 어느 하나의 밀봉물로 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함하는 다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은, n형 실리콘기판을 제조하는 단계와: 상기 실리콘기판에 1018/cm3 농도의 n+ 불순물을 확산시켜 상기 기판 상면의 소정 부분에 n+ 확산영역을 형성하는 단계와: n+형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와: 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와; 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와: 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 : 적어도 폴리머(polymer), 메탈페이스트(metal paste), SOG(siliconon glass)중 어느 하나의 밀봉물로 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함하는 다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.

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2005-08-29
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기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법

본 발명에 따른 산화막의 형성방법은 종래 여타 산화막 형성방법에 비해 값싸고 간편한 방법으로 짧은 시간에 두꺼운 산화막을 선택적으로 성장시킬 수 있는 장점이 있다. 따라서 본 발명의 방법에 의해 얻어진 산화막은 특히 FED(field emittion display)나 파워디바이스(power device)등과 같은 높은 전압이 요구되는 소자의 절연막으로 활용하거나 실리콘 마이크로웨이브 집적회로의 제조시 전기적인 분리층이나 기판재료로 이용하기에 이상적이라고 기대되어 진다.본 발명은, n형 실리콘기판에 선택적으로 n+ 불순물을 확산시켜 상기 n형 실리콘 기판의 상면 소정부분에 n+ 확산영역을 형성하는 단계와; 양극반응을 수행하여 상기 n+ 확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계 및; 상기 다공질실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법에 관한 것이다.따라서 본 발명의 방법에 의해 얻어진 산화막은 특히 FED(field emittion display)나 파워디바이스(power device)등과 같은 높은 전압이 요구되는 소자의 절연막으로 활용하거나 실리콘 마이크로웨이브 집적회로의 제조시 전기적인 분리층이나 기판재료로 이용하기에 이상적이라고 기대되어 진다.

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2005-08-29
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실리콘 가속도 센서의 제조방법

*원리 및 구성실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서, 마스크 패턴에, 메스의 높이를 C로 했을 때, 메스의 각변이 일치하는 네 귀퉁이의 모서리 점에 각 변의 폭이 메스 높이의 두배의 폭을 가지는 사각형의 보상 패턴을 그 중점을 C에 대해 10퍼센트 이내의 범위 내에서 상기 모서리 점에 일치시키고, 상기 보상 패턴의 각 변의 폭을 2C로 결정하도록 한다.*개발배경유효한 보상 구조에 의해 KOH 식각 수용액에 의한 메스의 모서리에 있어서의 언더컷팅을 억제 할 수 있는 가속도 센서의 제조 방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성가해진 가속도 g에 대한 출력 전압 특성은 0∼8g 의 낮은 질량(g)에서 약 0.8mV/9V·g 출력을 갖는 감도 좋은 선형특성을 나타내고 있다.*응용분야본 기술은 진동, 충격, 가속도 등의 물리량을 전기적 신호로 감지하는 센서인 실리콘 가속도 센서에 응용가능하며, 이 가속도 센서는 자동차, 비행기, 선박 등 각종 수송 수단, 그리고 공장 자동화 및 로봇 등의 제어 시스템에 있어서 필수적인 소자이고, 그 소자의 적용 및 활용 분야의 가능성은 무한하다.*특징 및 장점-메스의 정량화와 가속도에 따른 저항변화의 측정 등에 대한 연구가 보완된다면 보다 특성이 우수한 압저항형 가속도 센서를 제조할 수 있는 것으로 기대된다.

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대구기술이전센터
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2005-08-29
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