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물리학 > 기타 입자 / 장물리
<목적> Nanosecond purse duration의 ultrawideband (spectrum edge 진동수 ratio = 4) 전자기 방사의 고출력 (100~1000MW) 선형 편광 일방향성 wave beams generators는 ultrawideband 레이더 및 전자시스템의 시험에 사용되고 있음.<현황>제안된 본 source의 특성은 고출력 양극 nanosecond voltage pulses로 여기되고, 방사체들을 기반으로 하는 안테나 arrays와의 새로운 복합 방사체(radiators)를 사용하는 것임. 에너지와 peak power에 의한 electric pulses의 electromagnetic radiation으로의 전환 효율은 90%임<유사품 없음>개발된 동 시스템의 가장 큰 특징은 전자기 radiation으로 변환하는 효율이 90%이상인 것으로 장치의 소형화를 달성할 수 있으며, 또 이는 실험 설비의 구매 단가를 줄일 수 있는 것이다. 본 시스템의 full scale 테스트 결과, ultrawideband radiation pulse를 높은 신뢰성과 재현성으로 생산할 수 있는 능력이 있음이 확인되어, ultrawideband 레이더 및 전자 시스템의 시험에 적용이 가능한 것으로 판정되었음. 특히 광대역 주파수의 상용화가 많은 영역에서 이루어지고 있는 통신 장비에 대한 다목적 테스트 장비로 활약이 예상된다.
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- 티알씨코리아
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- 2005-07-20
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물리학 > 초전도
본 발명의 초전도체 상온 결합공정은 전자 초전도율을 촉진시키기 위한 초전도체 결합공정이다. 본 발명의 초전도결합은 저온 초전도체와 고온 초전도체 양측을 위한 초전도 유지접합부를 만드는 상온과정이다. 상기한 상온과정의 결과물은 그 두께가 극도로 얇지만 거의 절대온도 0도에 해당하는 냉온을 견딜 수 있을 만큼 견고하다. 상온에서는 금속에 의해 전기적으로 연결되며 저온에서는 초전도체에 의해 전기적으로 연결된다. 임계전류값은 여러 유용한 응용장치들을 허용하기에 충분할 만큼 높다.본 발명은 초전도율을 촉진시키기 위한 초전도체 결합공정으로, 저온 초전도체와 고온 초전도체 양측을 위한 초전도 유지접합부를 만드는 상온과정을 제공한다. 이와 같이 이루어지는 본 기술은, 1. 금속의 저온 및 고온 초전도 물질을 결합하는데 있어서 초전도성을 유지할 수 있다.2. 높은 전단변형강도를 가지고 있어서 기계적 충격이나 열에 강하다.3. 결합과정이 단순하면서도 쉽기 때문에 성공률이 높다.4. 상온에서 공정을 수행하기 때문에 공정단가가 낮다.5. 임계전류값은 여러 유용한 응용장치들을 허용하기에 충분할 만큼 높다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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물리학 > 초전도
본 발명은 고온 초전도 연결 및 초전도 마이크로웨이브 소자 및 리소네이터를 이용한 실리콘 집적회로에 관한 것으로, 실리콘 기판에 고온 초전도체를 증착하기위한 장벽층은 표면에 형성된 고온의 초전도층을 갖는 집적회로와 같은 실리콘 기판을 제공하기 위한 것이다. 본 발명은 또한 전자소자와 회로 응용장치에 필요한 기술적으로 양호한 특징을 갖는 상기한 초전도층을 실리콘 기판 상에 에피택시 형성하기 위한 방법을 제공하기 위한 것이다. 상기한 본 발명의 제조과정에 있어서, 초전도 물질의 에피택시 형성을 촉진시키기 위하여 장벽층이 사용된다.본 발명은 적어도 85°K에서 zero저항을 나타내는 실리콘 집적회로에서 사용될수 있는 고온 초전도 연결에 관한 것으로, YSZ(Yttria stabilized zirconia)를 이용한다. 단결정 실리콘 주표면을 세정하고, 상기 단결정 실리콘 기판의 주표면에 YSZ 버퍼층을 epitaxial 방법으로 형성한 후, 상기 버퍼층 상에 고온 초전도 물질을 도포한다. 전자소자와 회로 응용장치에 필요한 기술적으로 양호한 특징을 갖는 상기한 초전도층을 실리콘 기판 상에 에피택셜 방법으로 형성하기 때문에 공정이 간단하고, 또한 실리콘과 집적이 용이한 장법이 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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물리학 > 초전도
본 발명의 초전도체 상온 결합공정은 전자 초전도율을 촉진시키기 위한 초전도체 결합공정이다. 본 발명의 초전도결합은 저온 초전도체와 고온 초전도체 양측을 위한 초전도 유지접합부를 만드는 상온과정이다. 상기한 상온과정의 결과물은 그 두께가 극도로 얇지만 거의 절대온도 0도에 해당하는 냉온을 견딜 수 있을 만큼 견고하다. 상온에서는 금속에 의해 전기적으로 연결되며 저온에서는 초전도체에 의해 전기적으로 연결된다. 임계전류값은 여러 유용한 응용장치들을 허용하기에 충분할 만큼 높다.본 발명은 초전도율을 촉진시키기 위한 초전도체 결합공정으로, 저온 초전도체와 고온 초전도체 양측을 위한 초전도 유지접합부를 만드는 상온과정을 제공한다. 이와 같이 이루어지는 본 기술은, 1. 금속의 저온 및 고온 초전도 물질을 결합하는데 있어서 초전도성을 유지할 수 있다.2. 높은 전단변형강도를 가지고 있어서 기계적 충격이나 열에 강하다.3. 결합과정이 단순하면서도 쉽기 때문에 성공률이 높다.4. 상온에서 공정을 수행하기 때문에 공정단가가 낮다.5. 임계전류값은 여러 유용한 응용장치들을 허용하기에 충분할 만큼 높다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-12
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물리학 > 분광학(C13, C44)
기존의 가간섭성 반스토크스 라만 분광법(CARS)의 감도는 측정하고자 하는 신호를 압도하고, 관찰하고자 하는 공명신호를 왜곡시키는 비공명 백그라운드의 존재로 인해 제한되는 문제점을 가지고 있다. 전체 CARS 신호는 분자의 라만 단면과 직접적으로 관련될 수 없는 공명과 비공명이 복잡하게 혼합되어 있어서, CARS 스펙트럼의 분석을 매우 복잡하게 한다. 본 기술은 비공명 백그라운드가 완전히 억제되고 전체 공명 진동 신호가 분리되어 증폭되는 이미징 가간섭성 반스토크스 라만 분광법을 제공한다.본 기술은 CARS 신호의 헤테로다인 검출에 기초를 두고 있다. 헤테로다인 필드는 독립적으로 생성되며, 샘플로부터 나오는 신호와 혼합되는 특징적인 CARS 필드이다. 헤테로다인 필드의 위상을 조절함으로써, 서로 다른 신호들을, 간섭을 통해 억합하거나 증폭할 수 있다. 본 기술은 헤테로다인 위상 조절을 이용하여 공명신호에 대한 영향은 전적으로 억압하면서 공명신호를 선택적으로 증폭한다. 따라서, 크기가 분자의 라만 단면과 선형적으로 스켈일링되는 공명 진동 신호만으로 이루어진 CARS 이미지와 스펙트럼을 생성할 수 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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물리학 > 분광학(C13, C44)
주기적인 천공을 통해 표면 플라즈몬이 존재하는 표면에 수직한 포인팅 벡터의 광자에 의해 표면 플라즈몬의 공명 여기가 발생한다. 이러한 공명으로 인한 대칭적인 금속 필름에서 실질적으로 미세파장 크기의 홀들을 통한 광자 전송의 향상은 여러 광학 분야에서 유용하게 사용될 수 있다. 대칭적인 전도성 필름은 발광 파장에 비해 넓은 영역에 걸쳐 광자를 모으면서도 파장보다 큰 영역에 비발광면에서 광자를 방출하는 문제점이 있다. 본 기술은 비조사면에서 간극으로 방출을 구속하면서 미세파장의 간극을 통해 특별한 광자 전송 광원을 제공한다. 그와 같은 간극은 점광원으로 역할을 하는 것이 아니라 세미 시준광을 방출하고 방출된 광은 사라지는 것이 아니라 전파되기 때문에, 원방영역에서 사용할 수 있다.일반적인 전도성 필름은 발광 파장에 비해 넓은 영역에 걸쳐 광자를 모으게 되고, 파장보다 큰 영역의 비발광면에서 광자를 방출하는 단점이 있다. 그러나, 본 기술은 비조사면에서 간극으로 방출을 구속하면서 미세파장의 간극을 통해 특별한 광자 전송 광원을 제공할 수 있음을 특징으로 한다. 본 기술의 표면 플라즈몬 향상 조명(SPEI)은 광학 데이터 저장장치, 포토리소그래피 및 매우 높은 분해능을 가지는 광학 현미경에 대한 새로운 해결수단으로서 사용될 수 있으며, 특별한 광자전송의 기초가 되는 공명현상의 직접적인 결과로써, 표면 플라즈몬 향상 조명은 매우 민감하고 다중화된 바이오센서의 기본적인 기술로서 사용될 수 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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물리학 > 분광학(C13, C44)
본 기술은 증폭되지 않은 펨토초 레이저를 이용하여 투명 물질 내에 점열원을 형서하여 3차원으로 도파로와 광학소자를 직접 라이트하는 방법을 제공한다. 기존에는 레이저 발진기로부터 출력되는 초단파 펄스는 물질 내에 조밀하게 포커싱되어, 가열이 국부적으로 되며 물질 전체에서 굴절률이 변하게 된다. 본 기술은 증폭되지 않은 레이저를 사용하여 장비에 드는 비용을 줄일 수 있으며 공정을 쉽고 신뢰성 있게 사용할 수 있다. 또한, 레이저 발진기를 사용하여, 증폭된 레이저로 달성할 수 있는 것보다 더 높은 매칭 속도를 얻을 수 있다.본 기술은 증폭되지 않은 레이저를 사용함으로써, 비용을 절감할 수 있고, 레이저 발진기를 사용함으로써, 높은 매칭 속도를 얻을 수 있는 기술에 관한 것이다. 본 기술은 열유도 굴절률 변화의 메커니즘으로 인한 누적 열효과를 이용할 수 있도록 한것을 특징으로 한다. 더 많은 펄스들이 단일점에 인가될수록 온도가 상승한 물질의 부피가 증가됨에 따라, 변화된 굴절률을 가지는 물질의 부피를 증가시키게 된다. 따라서, 최소 배선폭을 레이저의 초점에 의해 결정하는 기존의 기술과는 달리, 본 기술은 작업자가 각 최소 배선폭을 결정할 수 있는 등 다수의 장점을 가지고 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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물리학 > 가속기 / 빔물리 (P74, R14)
본 기술은 10나노앰프(nanoamps) 정도의 이온빔 전류를 생산하는 동안 0.1um만큼 작은 최종 빔 스팟을 생산할 수 있는 이온빔 시스템의 포커싱구조에 관한 것이다. 종래의 이온빔 포커싱장치는 마스크 수리를 위한 나노앰프 또는 피코앰프 전류를 가지지만, 본 기술은 전극의 두께와 플라즈마 전극내에서 틈새나 홀의 직경비율이 종래의 시스템에 의해 생산된 것보다 훨씬 더 큰 전류를 생산하기 위한 크기로 디자인되어 있으며, 추가의 전극이 가속을 위해 사용되어 포커스가 최종빔을 생산한다. 본 기술은 반도체 제조공정에 있어서, 필름의 스퍼터링과 도핑을 마스크없이 직접 행하는데 사용될 수 있다. 패턴은 전극이 빠져나가는 개별 이온빔 출구를 편향시키고 기판을 조작해서 만들 수 있다. 단일의 이온소스는 생산량을 증가시키기 위해 다수의 빔출구를 제조하도록 디자인된다. 이온빔 포커싱 시스템은 0.1.mu.m이하의 최종 빔 스폿 사이즈를 생산하고 이온빔은 주문 마이크로앰프상에서 전류를 생성한다.본 기술은 제1 및 제2 전극을 적절하게 배열함으로써 이온소스 밝기를 증가시킨다. 이때 제1 전극(플라즈마)은 전극두께와 구멍직경이 높은 비율을 가지도록 배열된다. 추가적인 가속기와 포커싱 전극들은 최종 빔을 제조하기 위해 사용된다. 20mm만큼 짧고 소형인 이온빔 가속 시스템을 제공함으로써 5개정도로 적은 수의 전극이 사용될 수 있다. 단일 이온소스를 가지는 다중빔 출구는 생산량을 증가시키는데 제조될 수 있다. 이온 빔 포커싱 시스템은 0.1 .mu.m이하의 최소 크기를 가지는 반도체장치의 제조를 위한 도핑과 나노리스그래피공정에 사용될 수 있다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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물리학 > 가속기 / 빔물리 (P74, R14)
본 기술은 동축 RF 구동 플라즈마 이온소스를 이용하여 고전류 밀도를 가지고 원자 듀테륨이나 트리튬 이온종을 생산하는 콤팩트한 원통형 중성자 발생기에 관한 것으로, 이 원통형 중성자 발생기에는 동축 RF 구동 플라즈마 이온 소스와 타겟이 형성되어 있다. 듀테륨 플라즈마는 RF안테나를 사용하는 원통형 이온 발생기에서 RF여자에 의해 생성된다. 원통형 중성자 발생 타겟은 이온발생기와 동일한 축상에 위치되며, 많은 슬롯을 포함하는 플라즈마와 추출전극에 의해 분리된다. 플라즈마와 추출전극들은 이온소스가 나가는 이온들의 경로를 정전제어(electrostatic control)한다. 이들 전극들은 원주를 따라 긴 슬롯을 구성함으로써 이온들이 360도 패턴에서 소스밖으로 방출된다.본 기술에 따른 상기 플라즈마 발생기는 중심부와 외부의 중성자 타겟내에 위치하거나, 외측 및 내측의 중성자 타겟상에 위치될 수 있으며, 중첩된 배열에서, 여러개의 원심 타켓과 플라즈마 발생 지역들은 중성자 플럭스를 증가시킨다. 또한, 3개의 측정체계를 갖는 동축 중성자발생기를 이용하므로 종래의 소형 중성자 발생기보다 중성자 생성을 증가시킬 수 있고, 이온소스와 타겟층이 중성자 생성을 증가시키기 위해 중첩될 수 있다. 특히, 본 기술은 방사성 중성자를 제조하는데 유용하다.
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- (주)피앤아이비
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- 2005-07-20
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물리학 > 가속기 / 빔물리 (P74, R14)
본 기술은 전자빔 및 이온 시스템에 관한 것으로 더욱 상세하게는 플라즈마 이온소스에 기초한 전자빔 및 이온 시스템에 관한 것이다. 여기서의 상기 이온 소스는 무선 주파수 유도 방전에 의해 형성된 플라즈마를 가진 소형 챔버이다. 본 기술은 소형 챔버와, 상기 챔버 내측에 플라즈마를 발생시키기 위해서 상기 챔버의 외부둘레에 감겨진 RF안테나와, 상기 챔버내에 감금된 플라즈마에 대한 솔레노이드 B-필드를 제공하기 위하여 RF안테나 위의 챔버 외측에 감겨진 코일에 제공되는 교류전류와, 챔버 내측의 플라즈마로부터 추출된 이온빔 또는 전자빔을 가속화하기 위한 소형 가속 및 촛점 칼럼을 포함한다. 상기와 같이 구성된 본 기술에서 전자는 플라즈마 이온소스 예를들면 다중 플라즈마 이온소스의 플라즈마 음극으로부터 추출된다. 상기 빔은 x, y 양방향에서 주사될 수 있으며, 상기 시스템은 다중의 소형 빔을 가지고 작동될 수 있다.본 기술은 초점이 맞춰진 이온 또는 전자빔 시스템은 플라즈마 이온 소스와 정전형 빔 가속 및 초점 칼럼을 구비하되, 상기 RF안테나가 챔버 외측에 감겨져 RF공급기에 연결됨으로써, 이온 또는 전자는 상기 소스로부터 용이하게 추출될 수 있을 뿐만 아니라, 다른 종의 여러 가지 소스와 전자빔 소스를 가지는 다중빔을 추출할 수 있다. 또한, 긴 라이프타임을 가지고. 쉽게 설치가 가능하여 플라즈마 챔버 벽상에 낮은 스퍼터링을 형성할 수 있으며, 소형화된 이온소스를 디자인할 수 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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물리학 > 가속기 / 빔물리 (P74, R14)
본 기술은 자기보호막과 전자제거수단이 구비된 음이온주입장치에 관한 것이다. 음이온이 이온발생장치를 빠져나가도록 충분한 직경을 이탈구멍을 가즌 음이온 발생수단과; 부정극화(negatively-charged)된 파티클을 추출하는 수단과; 상기 이온발생수단 와부에 위치되는 전자제거수단; 자계 보호수단 및 빔 이송수단을 포함한다. 본 기술에서의 음이온 소스는 세슘의 사용없이 강력한 이온을 생산하기 위해 제조된다. 추출된 이온을 수반하는 전형적인 2차 전자는 가속의 초기단계에서 영구자석에 의해 상기 빔이 경사져 제거되고, 자기보호막을 형성한다. 이에 따라, 영구자석으로부터 이온 소스로 자계가 침투하는 것이 최소화된다. 이것은 음이온의 생산과 소스로부터의 추출에 대하여 가질 수 있는 자계의 파괴효과를 감소시킨다. 따라서, 추출기내에서의 빔 확장의 선택에 따라 최종 빔이 강력하게 한곳에 집중된다.본 기술에 의한 음이온 주입장치는 소형이면서 효율이 우수한 음이온빔 소스에 의하여 전자의 오염없이 강력한 이온빔이 제조되어 이동되고, 포커싱을 맞출 수 있다. 특히, 음이온 소스로부터 추출된 이온을 수반하는 전형적인 2차 전자는 가속의 초기단계에서 영구자석에 의해 상기 빔이 경사져 제거되고, 자기보호막을 형성하게 된다. 이에 따라 이온 빔으로부터의 전자를 효과적으로 차단할 수 있으며, 이온추출 마그네트가 이온 발생을 방해하지 않으므로, 각 용도의 필요에 따라 포커싱을 맞출 수 있게 된다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
물리학 > 가속기 / 빔물리 (P74, R14)
본 기술은 비규칙적인 형상을 갖는 전도성 물체에 이온을 주입하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 타겟에 가해지는 일정한 전기 바이어스를 사용하되, 전압강하를 최소화하며, 타겟을 과열시키지 않으면서 깊이를 조절할 수 있도록 비규칙인 형상의 물체에 이온을 주입하는 맥동화된 플라즈마 주입장치에 관한 것이다. 상기 타겟에 가해지는 전압을 맥동화하는 것 대신에 플라즈마 소스 예를들면 텅스텐 필라멘트 또는 RF안테나가 맥동화될 수 있다. 상기 타겟에는 전기전도성 및 절연성 물질이 주입될 수 있다.본 기술에 따른 RF도입 플라즈마 시스템은 다음과 같은 특징이 있다. 1. 깨끗하고, 불순물이 주입된 낮은 등급으로 분류된 텅스텐과 같은 음극물질없이도 제조될 수 있어 새로운 무선 주파수(RF) 도입 플라즈마 발생 시스템에 적용이 가능하다. 2. 자동차 엔진에서의 표면마모와 부식을 감소시키며, 의료기구의 강도를 크게 할 수 있다. 3. 비규칙적인 형상의 물체에 적용할 수 있다.4. 제어공정효율을 높일 수 있다.5. 다른 시스템보다 더 깨끗한 RF 플라즈마를 발생할 수 있다.6. 특히 상기 주입이온은 쉽게 제어될 수 있어 타겟은 과열되지 않는다.
- 보유기관
- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
물리학 > 기타 입자 / 장물리
본 기술은 높은 이온화 전위를 갖는 원하지 않은 이온종들을 배제하기 위해 추출될 수 있도록 이온을 선택하는 이온소스 선택기술과, P.sup.+ from PH.sub.3와 같은 혼합물로부터 선택된 이온들을 생산하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 플라즈마 챔버, 전자소스, 전자소스로부터 추출된 전자에 의해 이온화되어지도록 가스를 도입하는 수단, 전자소스로부터 선택된 이온종의 이온화에너지와 원치 않는 이온종의 거대한 에너지 사이의 값까지 전자에너지를 제한하는 수단; 상기 플라즈마 챔버로부터 목표이온종을 추출하는 수단을 포함한다. 본 기술에서, 상기 전자는 플라즈마 챔버에 인접하여 있는 플라즈마 캐소드 챔버내에서 발생된다. 소형 추출기는 플라즈마 캐소드 챔버로부터 비교적 양이온을 발생하는 플라즈마 챔버내로 전자를 끌어들인다. 상기한 방식으로 추출된 전자에너지는 쉽게 제어된다.본 기술은 본질적으로 원하지 않은 수소 이온을 제거하되, 추가로 질량분광계를 사용하여 빔으로부터 발생된 CO+, CO2+, 및 H2O+와 같은 이온 불순물들을 제거하는 공정을 없앴다. 이러한 이온 소스는 원하지 않은 불순물이 제거된 빔을 발생시킬 수 있으며, 반도체 제조공정 및 반도체 장치에서 실리콘의 양이온 도핑에 적용할 수 있다. 특히, 본 기술은 수소, 헬륨, 물, 탄산이온없이 P.sup.+, AS.sup.+, and B.sup.+을 가진 실리콘 도핑에 사용할 수 있다.
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- (주)피앤아이비
- 등록일
- 2005-07-20
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일반기술
물리학 > 기타 열 / 통계물리
본 고안은 히트파이프에 관한 것으로 특히, 히트파이프의 구조를 다중관의 형태로 제작하여 적은 연료비로 더 많은 열량을 발산할 수 있도록 하는 즉, 열을 발산하는 파이프의 표면을 넓게 하기 위하여 히트파이프의 굵기를 최대한 크게한 다중관 구조의 히트파이프에 관한 것이다. 본 고안은 종래의 히트파이프에 비하여 투입한 에너지 보다 많은 양의 열에너지를 방출하기에 열효율이 높은 유용한 고안이다. 따라서 본 고안의 히트파이프는 염색공장의 원단건조기와 차량도색공장의 페인트 건조기 및 각종의 농수산물 건조기 등에 이중 삼중식 히트파이프를 활용하여 그 건조시간도 절감하며, 그에 따른 에너지 절감 효과가 높은 활용가능성이 높은 고안이다. 또한 그 제작방법과 설치방법에서 종래의 히트파이프는 적은 직경의 다수의 히트파이프를 절곡하여 장착하여 발열면적을 넓히는 것에 비하여, 본 고안은 일자형의 히트파이프 자체의 발열면적을 높히는 다중관 방식을 체택하기에 설치가 간편하고 그 제작이 용이하다.열 전도율이 높은 관형상의 히트파이프(100)에 있어서, 긴 장형의 관형상이며, 돌출된 개구부인 양에 결합된 전기히터(19)와, 상기 전기히터(19)를 감싸는 케이싱(K)과, 타측단에 구성된 밀봉부(11)로 폐공간이된 메인히트파이프(10)와; 상기 메인히트파이프(10)의 외주면 둘레를 관형상으로 감싸고, 양부에 제1보조밀봉부(21)를 갖는 제1보조히트파이프(20)와; 상기 메인히트파이프(10)와 제1보조히트파이프(20) 양측단을 마감하는 원형의 파이프마개(30,31)와; 중심부에 메인히트파이프(10)를 두고, 그 외부는 제1보조히트파이프(20)로 감싸고, 양측단은 파이프마개(30,31)로 마감을 하되 양의 마개(31)는 메인히트파이프(10)가 관통되는 관통구(32)를 갖고, 각각의 파이프(10,20)에는 그 체적의 2% 정도의 열매체(1)가 주입되고 진공 밀봉처리 됨을 특징으로 하는 다중관 구조의 히트파이프.
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- 경기기술이전센터
- 등록일
- 2005-08-24
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일반기술
물리학 > 기타 열 / 통계물리
본 고안은 히트파이프를 이용한 농작물 재배하우스의 난방장치에 관한 것으로, 좀더 상세하게는, 상부에는 열매체 보충구, 열매체 출구와 입구를 각 형성하고 하부에는 히터를 장착한 열매체 탱크와, 상기 열매체 탱크의 출구와 입구에 연결된 다수의 히트파이프로 구성된 것이다. 상기 본 고안의 히트파이프를 이용한 농작물 재배하우스의 난방장치에서는, 메탄올과 물의 혼합물을 열매체로 사용하면서 진공상태로 하여 가열함으로써, 기화된 가스가 다수의 히트파이프에 전달이 되어 실내를 가온시키는 시스템으로, 내부에 온수를 통과시키는 기존의 히트파이프 시스템에 비하여 열효율이 높고 시설비가 저렴하며 설치가 용이하다상부에는 열매체 보충구(5), 열매체 출구(9)와 입구(10)를 각 형성하고 하부에는 히터(12)를 장착한 열매체 탱크(11)와, 상기 열매체 탱크(11)의 열매체 출구(9)와 입구(10)에 연결되어 결합된 다수의 히트파이프(1,3,4,6)로 이루어진 것을 특징으로 하는 히트파이프를 이용한 농작물 재배하우스의 난방장치이다.시중에 유통되고 있는 일반 자제를 활용하여 초기 시설비용을 줄이고 이동도 간편하며, 하우스 규모의 증가에 따른 자재비 부담을 줄이면서, 내부에 온수를 통과시키는기존의 히트파이프 시스템에 비하여 열효율이 높고 시설비가 저렴하며 설치가 용이한 새로운 형상의 히트파이프를 이용한 농작물 재배하우스의 난방장치를 제공하고자 한다.
- 보유기관
- 경기기술이전센터
- 등록일
- 2005-08-24
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일반기술
물리학 > 레이저 광학(R12)
- 필름을 사용하는 사진 제판 방식의 인쇄롤 제판공정을 CTR(Computer To Roll) 기술을 접목한 레이저 제판 공정으로 대체하기 위한 공정 및 장비 설계 기술- 필름 공정을 대체하여 공정 단계 축소 및 자동화율 향상 기술(기술의 응용범위)- 그라비아 인쇄롤 광경화- 플렉소 인쇄롤 광경화 및 각인- 직물 날염용 로터린 스크린 제판- 무늬 강판 각인용 압연롤 제작- 반도체 패터닝용 롤 제판 (플렉시블 프린팅 전자 소자-RFID, E-paper, PEMS 소자)- 레이저 빔 초점크기 6 μm 수준의 레이저 빔 전송 광학계 설계 기술- 레이저 빔 고속 펄스화 제어, 그래픽 데이터 고속 처리공정 설계기술 *360,000 pixel/rotation (1200rpm)- 망점 변환 s/w- 제판 정밀도 300LPI (2540DPI)- CTR, CTP 겸용 장치 설계 기술 확보 *복합시스템 *filmless real time processing for computer to printing roll (or plate)(사업성)- 롤 관련 응용 분야가 넓음 (인쇄롤, 날염, 압연롤, 반도체 소자 패터닝)- 인쇄 제조 원가의 40%를 차지하는 필름사용 배제- 친환경적 공정 기술의 필요- 수성잉크 활용 식품포장재 생산 분야로 진출
- 보유기관
- 한국기계연구원
- 등록일
- 2005-11-01
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일반기술
물리학 > 기타 물리학
*원리 및 구성본 기술은 표시되는 이름이나 직위를 선명하고 효과적으로 전달될 수 있는 조립식명패에 관한 것이다. 본 기술은 명패부와, 보조명패부를 포함하며, 명패부는 전면부가 일정 각도로 기울어진 입상 형상으로, 상측면에 일정 넓이로 관통된 태양전지 장착부와, 양측면에는 보조명패부가 부착 및 이탈될 수 있는 결합홈이 형성된 본체프레임과, 본체프레임의 일측면에 삽입되고 반사판으로 형성된 표식패널과, 표식패널의 전면에 형성되는 액정패널과, 액정패널의 전면에 부착되는 편광필름과, 태양전지 장착부에 장착되어 빛에너지를 전기에너지로 변환하는 태양전지와, 태양전지로부터 공급된 전기에너지를 액정패널 또는 표식패널로 공급을 제어하는 제어칩이 장착된 기판으로 구성된다. *개발배경기존의 명패는 단순히 사용자의 직위나 이름을 알리는 수단으로만 사용되기 때문에 더욱 효율적인 명패의 사용이 요구되고 있는 실정이다. 본 기술은 표식패널의 전면에 액정표시장치와 편광필름을 구비하여 상기 표식과 더불어 다양한 광고가 동시에 표출될 수 있으며, 필요한 경우에는 고가장비인 카메라를 쉽게 장착할 수 있는 것이다.*중요성 및 독창성표시되는 이름이나 직위를 액정표시장치와 반사판 및 편광필름을 사용하여 더욱 선명하고 효과적으로 전달될 수 있으며고, 필요한 경우에는 상담 대상자를 촬영할 수 있다.*응용분야각종 간판과 같은 광고 표지판에 적용될 수 있다.*특징 및 장점본 기술은 표시되는 이름이나 직위를 액정표시장치와 반사판 및 편광판을 사용하여 더욱 선명하고 효과적으로 전달될 수 있도록 하고, 사용자가 변경되는 경우에는 이름이나 직위가 표식된 표식패널을 용이하게 교체하여 사용할 수 있기 때문에 환경친화적이고 저렴한 관리 또는 유지비용을 소모할 수 있다.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2005-12-29
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일반기술
물리학 > 기타 물리학
스포츠 경기, 공연장 등 여러 공공장소에서의 관람,감상을 하기 위해서는 그곳에 참석을 해야 하거나 아니면 방송 등에 의한 중계 방송을 통하여 듣거나 봐야 하는 수단이 있는데 이는 개인마다 각기 다른 취향과 시간에 의한 제약이 뒤따르기 마련이고 또한 공공 장소의 모든 곳의 상황을 전부 중계할 수는 없는 상황이어서 간혹 전화를 이용한 실황정보 서비스를 하고 있긴 하지만 이는 음성 서비스만을 전재로 하고 있어 현장감 있는 실제상황을 전달 하기에는 한계가 있을 수 밖에 없었다. 따라서 본 발명에서는 무인 카메라(VCR)를 공공장소에 설치하고 이것을 유료 통신망 가입자와 서비스 제공측의 VCR간에 1:1 의 원격조정을 통해 원하는 곳을 확대,축소는 물론 현장의 소리까지 들려줄 수 있게 하여 시간과 경비를 줄일 수 있게 한 유료 통신망의 의한 원격 조정VCR에 관한 것이다.공공 장소에 VCR을 설치 이VCR은 통신 가입자의 조작키로 원격 조정이 가능하게 설치하고 이용의 대가를 통신망 가입자에게 부담하게 하는 원격 조정VCR.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2005-12-29
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물리학 > 기타 물리학
액정 LCD 패널을 이용한 명패 또는 표찰 표시물에 관한 것 입니다. 여러 형태의 표찰,명패 표시물 등은 다양하게 많이 있습니다. 그러나 이번에 발명한 표찰 표시물을 솔라(태양 전기빛 광)을 이용한 명패,표찰,표시물로 기존에 있었던 것보다 얻고자 하는 효과가 월등히 많습니다. 무표시 액정(LCD)을 이용하여 명패, 표찰, 표시물을 설치 하였을 때 움직이는 화면(순차 또는 점멸) 로 연출하며 전원이(태양광,전기빛)을 이용하여 구동비용이 전혀 없는 관계로 별도의 전원 공급을 하지 않아도 되는 관계로 어느 곳에서나 설치가 용이하며 시선을 더욱 끌 수 있는 표찰물, 주의표시(표시물)등에 더욱 효과적으로 표현할 수 있는 인쇄 표현방법에 따라 효과를 얻을 수 있다.무표시 액정패널 뒤에 들어가는 반사판(광학필름)에 하도 흡수 정착제를 도포한 수성,유성 인쇄 반사판 액정을 이용한 명패 표찰 표시물.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2005-12-29
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물리학 > 기타 물리학
본 발명은 전자키를 이용하여 기 입력된 시간동안만 컴퓨터를 사용할 수 있도록 한 컴퓨터의 사용시간 제한장치에 관한 것으로, 통신포트가 구비된 부모용 전자키와; 통신포트 그리고 사용시간을 저장받기 위한 메모리가 구비된 자녀용 전자키와; 부모용 전자키 또는 자녀용 전자키를 삽입받기 위한 키 삽입부와, 키 삽입부에 삽입된 자녀용 전자키에 사용시간을 설정하기 위한 키 입력부와, 키 삽입부에 부모용 전자키가 입력되면 대기모드를 수행하고 대기모드 중 키 삽입부로부터 부모용 전자키가 제거되고 자녀용 전자키가 삽입되면 키 입력부의 조작에 따른 사용시간을 자녀용 전자키에 저장하는 제어부가 구비된 시간저장장치와; 컴퓨터상에 구성되며 컴퓨터의 전원을 온/오프 제어하기 위한 전원관리부와, 부모용 전자키 또는 자녀용 전자키를 삽입받기 위한 USB포트와, USB포트에 자녀용 전자키 또는 부모용 전자키가 삽입되었는가를 부팅시 탐색하고, USB포트에 자녀용 전자키가 삽입된 경우 자녀용 전자키에 기 저장된 사용시간을 읽어들여 기 저장된 시간동안만 컴퓨터에 전원이 인가되도록 전원관리부를 제어하고, USB포트에 부모용 전자키가 삽입된 경우 컴퓨터에 전원이 인가되도록 전원관리부를 제어하며, USB포트로부터 부모용 전자키 또는 자녀용 전자키가 탐색되지 않은 경우 전원관리부를 제어하여 컴퓨터의 전원을 오프제어하는 마이크로프로세서가 구비된다.상기의 구성에 따르면, 자녀용 전자키에 사용시간을 미리 설정시켜 두고, 설정된 시간동안만 컴퓨터를 사용할 수 있도록 함으로써, 부모의 부재시에도 컴퓨터의 사용시간을 제한할 수 있다는 효과가 있다. 뿐만 아니라, 입력된 시간동안만 컴퓨터가 작동되도록 함으로써 부모를 대신하여 아이들의 무분별한 컴퓨터 게임이나 음란사이트 접속 등을 제한할 수 있다. 그 결과, 컴퓨터 게임 등의 중독을 방지하고 아이 스스로 여가시간을 적절히 활용하는 생활습관을 기를 수 있다는 효과가 있다컴퓨터의 사용시간 제한장치에 있어서, 고유코드값을 가지며 통신포트가 구비된 부모용 전자키와; 고유코드값을 가지며 통신포트 그리고 사용시간을 저장받기 위한 메모리가 구비된 자녀용 전자키와; 상기 부모용 전자키 또는 상기 자녀용 전자키를 삽입받기 위한 키 삽입부와, 상기 키 삽입부에 삽입된 자녀용 전자키에 사용시간을 설정하기 위한 키 입력부와, 고유코드값을 읽어들여 상기 부모용 전자키와 상기 자녀용 전자키를 판단하며 상기 키 삽입부에 상기 부모용 전자키가 입력되면 대기모드를 수행하고 대기모드 중 상기 키 삽입부로부터 상기 부모용 전자키가 제거되고 상기 자녀용 전자키가 삽입되면 상기 키 입력부의 조작에 따른 사용시간을 상기 자녀용 전자키에 저장하는 제어부가 구비된 시간저장장치와; 상기 컴퓨터상에 구성되며 상기 컴퓨터의 전원을 온/오프 제어하기 위한 전원관리부와, 상기 부모용 전자키 또는 상기 자녀용 전자키를 삽입받기 위한 USB포트와, 상기 USB포트에 상기 자녀용 전자키 또는 상기 부모용 전자키가 삽입되었는지를 부팅시 탐색하고, 상기 USB포트에 자녀용 전자키가 삽입된 경우 상기 자녀용 전자키의 메모리로부터 기 저장된 사용시간을 읽어들여 기 저장된 시간동안만 상기 컴퓨터에 전원이 인가되도록 상기 전원관리부를 제어하고, 상기 USB포트에 부모용 전자키가 삽입된 경우 계속적으로 상기 컴퓨터에 전원이 인가되도록 상기 전원관리부를 제어하고, 상기 USB포트에 부모용 전자키가 삽입된 경우 계속적으로 상기 컴퓨터에 전원이 인가되도록 상기 전원관리부를 제어하며, 상기 USB포트로부터 상기 부모용 전자키 또는 상기 자녀용 전자키가 탐색되지 않는 경우 상기 전원관리부를 제어하여 상기 컴퓨터의 전원을 오프제어하는 마이크로프로세서가 구비된 것을 특징으로 하는 컴퓨터의 사용시간 제한장치
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2005-12-29
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