일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명은 초고주파 집적회로의 전력용 GaAs MESFET(metal-semiconductor field effect trasistor) 및 수동소자에서 격리된 전극을 상호 연결하기 위한 에어브리지(air-bridge) 제조 방법에 관한 것으로 형성된 소자 패턴에서 구조상 발생하는 기생 캐패시턴스를 작게하여 소자의 주파수의 특성을 개선하기 하기 위한 소오스간의 전기적인 연결 장치의 갭에 에어를 채워넣는 에어브리지 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 초고주파 집적회로의 전력용 GaAs MESFET(metal-semiconductor field effect trasistor) 및 수동소자에서 격리된 전극을 상호 연결하기 위한 에어브리지(air-bridge) 제조 방법에 관한 것으로 형성된 소자 패턴에서 구조상 발생하는 기생 캐패시턴스를 작게하여 소자의 주파수의 특성을 개선하기 하기 위한 소오스간의 전기적인 연결 장치의 갭에 에어를 채워넣는 에어브리지 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 또 다른 목적은 격리된 소오스 상호간을 전기적으로 접속시키는 금속층 간의 거리를 크게 하기 위하여 상기 금속층이 아아치형으로 되는 에어브리지를 제공하는 것이다.상기 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 에어브리지 제조 방법은 에어 브리지용 포스트를 형성하는 공정, 금속 박막 형성 공정, 표면 포토 레지스트를 리소그라피하는 공정, 금속박막을 리프트-오프에 용이하도록 에칭하는 공정, 에어브리지용 금속을 증착하고 리프트-오프하는 공정등으로 구성된다.
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 기타 전력전자 기술
본 발명은 단일 트랜지스터(즉 단일소자)를 이용한 자기 발진 주파수 혼합기(self oscillating mixer)에 관한 것으로서, 종래의 상향 또는 하향 신호 변환기가 주파수 혼합기(mixer) 부분과 국부 주파수 신호 발진기 부분으로 나뉘어 작동하던 것을 마이크로스트립 라인 커플러와 마이크로스트립 라인 피드백 회로를 이용하여 상기 두 부분을 결합함으로써 단일소자만으로 두 가지 작동을 동시에 할 수 있도록 구현한 것이다.또한 본 발명은 주파수 혼합기와 주파수 발진기 역할을 동시에 담당하는 단일 소자 연결부분의 드레인에 직류 바이어스(bias)를 연결하고 게이트단과 소스단을 접지함으로써 모든 바이어스가 드레인 바이어스 하나로 해결되므로 전력 절감 효과를 가지고 있고, 마이크로 스트립 라인 피드백 스터브에 컨트롤 회로의 추가 장착이 용이하여 주파수 발진기의 성능을 더욱 향상시키는 것이 용이하며, 원하는 주파수 신호만을 전송하고 파생 주파수를 차단하는 역할을 하는 커플러를 사용하여 직류 차단효과까지 아울러 가지고 있으므로 타 회로로부터의 전원을 차단하므로 별도의 전압차단장치가 필요 없다.본 발명에 의하면 무선 통신용 반도체 회로의 핵심인 상향 또는 하향 신호 변환기(up or down converter)의주파수 혼합기와 발진기의 구조를 단일 소자만으로 간단히 통합하여 구현함으로써 무선 통신용 반도체 회로의 저가격화와 고집적, 초경량화를 가능하게 한다.또한 본 발명은 IEEE논문에 게재된 종래 자기 발진 주파수 혼합기가 가진 한정적인 주파수 범위와 불안정한 발진의 단점을 해소하기 위하여 소자(5)의 소스단의 피드백 스터브(6) 및 λ/4 마이크로 스트립 라인 스터브(7)와 게이트단의 피드백 스터브(11)를 접지함으로써 저주파에서부터 초고주파까지의 넓은 범위의 주파수에서 발진과 혼합이 가능한 회로를 튜닝작업량을 줄이면서 설계ㆍ제작할 수 있게 하며 국부발진 주파수의 정확도도 높여 안정적이며 신뢰성 있는 고품질의 발진과 혼합이 가능한 회로를 구현하게 한다.이에 더불어 커플러에 의해 입력단과 직류 전류가 차단되므로 전류에 의한 회로 손상을 방지하기 위해 별도의 외부 전류차단 구성요소를 설치하지 않아도 되며, 두 부분으로 나뉘었을 때 필요했던 각각의 전원 공급원을 하나의 바이어스만으로 가능하게 함으로써 상당한 전력 절감 효과를 가져올 수 있다.
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에서 반절연성 GaAs기판 대신 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물의 강유전 반도체를 기반 물질로 사용하여 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합시키면 공핍층이 자발 분극에 의해 넓어져서 드레인 전류의 높은 온/오프 비율을 크게 가져올 수 있도록 한 강유전 반도체를 기반으로 한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 관한 것이다.금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서, Si 기판 위에 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물CdZnTe, CdZnS와 같은 강유전 반도체를 형성하면서 강유전 반도체 채널영역을 형성하고, 상기 강유전 반도체 채널영역의 소스 접촉영역에는 소스 전극을 오믹 접촉(ohmic contact)에 의하여 형성하며, 상기 강유전 반도체 채널영역의 드레인 접촉 영역에는 드레인 전극을 오믹 접촉에 의하여 형성하고, 상기 강유전 반도체 채널영역의 중앙에는 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합하여 게이트 전극을 형성하여 구성됨을 특징으로 한다.본 발명의 강유전 반도체를 기반으로 한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 의해서는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에서 Si 기판에 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물의 강유전 반도체를 형성하면서 채널영역으로 하여 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합시키면 공핍층이 자발 분극에 의해 넓어져서 드레인 전류의 높은 온/오프 비율을 가져올 수 있는 잇점이 있는 것이다.본 발명의 강유전 반도체를 기반으로 한 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에 의해서는 금속-반도체 전계효과 트랜지스터에서 Si 기판에 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물의 강유전 반도체를 형성하면서 채널영역으로 하여 쇼트키 배리어를 통해 금속과 접합시키면 공핍층이 자발 분극에 의해 넓어져서 드레인 전류의 높은 온/오프 비율을 가져올 수 있는 잇점이 있는 것이다.
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전기·전자 > 광전자
먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 두께 200 μm 이상의 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 두께 200 μm 이상의 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선 배향된 에피텍셜층이 된다. 그 다음에 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.본 발명에 의하면, 먼저 GaN 나노막대(120)를 에피텍셜 성장시키고 그 다음에 GaN 나노막대(120)를 씨앗층으로 하여 GaN 나노막대(120) 상에 GaN 후막(30)을 성장시키면 GaN 후막(30)도 GaN 나노막대(120)와 동일한 방향으로 우선배향된 에피텍셜층이 된다. 따라서 GaN 후막(30)을 조심스럽게 분리해 내면 이를 차후에 GaN층을 에피텍셜 성장시키기 위한 기판으로 사용할 수 있다.본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
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전기·전자 > 소자응용 기술
본 발명에 따른 GaN막 형성방법은, 기판이 장입된 반응기 내로 In기체를 흘려보내 상기 기판 표면을 In 기체로 처리하는 단계(S12); 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 교번하여 흘려보내 상기 기판 표면을 NH3 기체와 GaCl 기체로 번갈아 가면서 처리하는 단계(S18); 및 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 동시에 흘려보내 상기 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시키는 단계(S20); 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, GaN막 성장(S20) 전에 기판표면 처리단계(S10)를 더 거침으로서 사파이어 등의 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다. 특히, 기판표면 처리단계(S10)는 처음에는 In 기체를 이용하고, 그 이후로는 GaN막을 에피텍셜 성장시키는데 사용되는 NH3와 GaCl 기체를 번갈아 가면서 이용하기 때문에 GaN막의 성장과 기판표면처리를 하나의 반응기 안에서 연속적으로 수행할 수 있어서 간단하게 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다는 잇점이 있다.본 발명에 의하면, GaN막 성장(S20) 전에 기판표면 처리단계(S10)를 더 거침으로서 사파이어 등의 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다. 특히, 기판표면 처리단계(S10)는 처음에는 In 기체를 이용하고, 그 이후로는 GaN막을 에피텍셜 성장시키는데 사용되는 NH3와 GaCl 기체를 번갈아 가면서 이용하기 때문에 GaN막의 성장과 기판표면처리를 하나의 반응기 안에서 연속적으로 수행할 수 있어서 간단하게 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다는 잇점이 있다.본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 마이크로파 및 밀리미터파 대역의 높은 주파수를 이용하는 통신 시스템의 능동 소자로 사용되는 고전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT) 소자에 조절용 게이트(control gate)를 추가함으로써 음성미분저항(Negative Differential Resistance) 효과를 억제하고 소자의 선형특성을 향상시키는 방법이다. PHEMT에서 일반적인 음성미분저항 효과는 InGaAs 층과 같이 높은 전자이동도를 가지는 층에서 AlGaAs와 같이 낮은 전자이동도를 갖는 층으로 여기된 전자가 이동하면서 속도가 감소되거나, 건 효과(Gunn effect)로 인하여 전류-전압 특성에서 음성미분저항 효과가 나타난다. 전력 소자와 같은 응용 소자의 안정적인 동작을 위해서는 높은 드레인 인가전압에서 음성미분저항 효과에 의해 발생하는 마이크로파 발진을 억제하여야 한다.본 발명은 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터 구조에서 소스, 드레인, 게이트 외에 2개의 조절용 게이트를 형성함으로써 조절 게이트의 영역에서 매우 높은 전계가 형성된다. 이렇게 형성된 전계로 인하여 캐리어들의 충돌(scattering)현상이 발생하지 않게 되어 음성미분저항 효과가 없어지게 한다. 이러한 효과로 부정합 고전자이동도 트랜지스터의 선형 특성을 향상시켜 전력 소자와 같은 응용 소자의 안정적인 동작을 가능하게 한다.본 발명은 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 음성미분저항 효과를 억제하기 위한 조절용 게이트를 추가함으로 써 소자의 선형성을 증가시킨 음성미분저항 효과 억제용 부정합 고전자이동도 트랜지스터에 대한 것이다. 일반적인 부정합 고전자이동도 트랜지스터에서 일반적인 음성미분저항 효과는 InGaAs 층과 같이 높은 전자이동도를 가지는 층에서 AlGaAs와 같이 낮은 전자이동도를 갖는 층으로 여기된 전자가 이동하면서 속도가 감소되거나, 건 효과(Gunn effect)로 인하여 전류-전압 특성에서 음성미분저항 효과가 나타나지만, 본 발명에 따른 음성미분저항 효과 억제용 트랜지스터는 조절 게이트를 형성함으로써 드레인 조절 게이트의 영역에서 매우 높은 전계가 형성되고 이렇게 형성된 전계로 인하여 캐리어들의 충돌(scattering) 현상이 발생하지 않게 되어 음성미분저항 효과가 없어지게 된다.본 발명에 따른 음성미분저항 효과 억제용 트랜지스터는 소자의 선형성을 증가시킴으로써 전력증폭기 등의 전력소자에 응용에 안정적인 동작을 가능케 할 수 있다.
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
반도체 소자의 게이트 주파수 특성을 향상시키는 구조를 가진 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 게이트 전극 제조방법은, 식각제에 대해 서로 다른 식각선택성을 갖는 물질층들을 게이트 전극 하부에 위치시키고 상기 물질층들 중의 어느 하나를 언더컷 식각함으로써 게이트 전극 오버행 부분에서 발생하는 커패시턴스를 줄일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.본 발명에 따른 화합물 반도체 소자의 게이트 전극 제조방법에 의하면, 게이트 전극의 오버행에 의해 발생하는 커패시턴스를 감소시켜 게이트의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법에 관한 것으로, 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(metal semiconductor field effect transistor: MESFET), 고전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor:HEMT) 등의 초고주파 및 밀리미터파용 반도체 소자 제조에 있어서, 게이트 다리 패턴용 유전체에 게이트 머리를 지지하는 지지용 축을 형성하여 게이트 다리를 중심으로 양쪽으로 게이트 머리를 받침으로써 게이트 머리가 지지되도록 한 넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법이다.본 발명에 따른 지지용 축을 사용한 넓은 게이트 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법에 의하면, 유전체를 사용한 미세한 크기의 게이트 길이를 가지면서도 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트의 단면적을 크게 함으로써 기생 정전 용량에 의한 반도체 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 종래의 게이트 제조 방법에서 패턴만 추가하였기 때문에 제조 방법의 변화가 없으면서도 소자의 특성이 저하되지 않은 안정적인 게이트를 제조할 수 있고, 게이트의 신뢰성 및 재현성이 향상되는 효과가 있다.본 발명에 의한 넓은 머리를 갖는 게이트 및 그 제조방법은, 초고주파 및 밀리미터파용 반도체 소자 제조에 있어서, 유전체를 사용한 미세한 크기의 게이트 길이를 가지면서도 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트의 단면적을 크게 함으로써 기생 정전 용량에 의한 반도체 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 종래의 게이트 제조 방법에서 패턴만 추가하였기 때문에 제조 방법의 변화가 없으면서도 소자의 특성이 저하되지 않은 안정적인 게이트를 제조할 수 있고, 게이트의 신뢰성 및 재현성이 향상되는 효과가 있다.
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- 2007-03-15
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 초고주파 반도체 소자 분야에 쓰이며 게이트 머리와 게이트 발로 구성되고 게이트 단부가 일(一)자로 끝나는 게이트에 있어서, 게이트 길이가 작아짐에 따라 게이트가 기울어지거나 쓰러지는 것을 방지하고 물리적인 안정성을 보완하기 위해 게이트 단부 또는 활성영역에 가로와 세로의 길이가 상기 게이트 머리 크기보다 큰 금속 축을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속축을 포함하는 게이트에 관한 것이다.본 발명에 의한 금속축을 포함한 게이트는 유전박막을 사용하지 않음으로써 소자특성 감소를 방지할 수 있으며 단순히 게이트 레이아웃만을 변화시킴으로써 일반적인 전자빔 묘화공정을 비롯한 여러 가지 방법의 묘화공정을 이용한 직접형성법으로 제작 가능하므로 유전박막의 적용에 따른 추가적인 복잡한 게이트 형성공정 없이 안정적이고 재현성 있는 게이트 형성이 가능한 효과가 있다.이와 같은 구조로 형성되는 본 발명의 금속축을 포함한 게이트는 0.1 ㎛ 이하의 초미세 게이트를 반도체 단일소자의 특성 감소 없이 또한 복잡한 공정과정이 필요 없이 재현성 있게 형성할 수 있다.본 발명에 따른 금속축을 포함한 게이트로 인하여, 부정합 고전자이동도 트랜지스터 혹은 변형 고전자이동도 트랜지스터 등의 반도체 단일소자에 직접 적용하여 밀리미터파 대역이상의 초고주파 대역에서 동작 가능한 고효율, 고신뢰성 특성을 갖는 능동소자를 개발이 가능하다. 또 이를 통하여 초고속, 광대역 특성을 갖는 무선통신용 밀리미터파 대역용 단일칩 집적회로(millimeter -wave monolithic integrated circuit; MIMIC)를 개발할 수 있는 핵심 기술을 확보할 수 있으며, 이로인한 수입대체 효과 및 기술이전을 통한 경쟁력 확보 및 나아가 광대역 무선 통신 서비스 관련 고부가가치 산업 창출 효과도 예상된다. 또한 국내외 협력 연구기관과의 학술 연구 결과를 교류하며 우수논문 발표를 통한 밀리미터파 분야에서의 위상을 재고할 수 있다.또한 본 발명에 따른 금속축을 포함한 게이트는 기존의 구조와는 달리 유전박막을 사용하지 않고 제조됨으로써 소자특성 감소를 방지할 수 있으며 단순히 게이트 레이아웃만을 변화시킴으로써 일반적인 전자빔 묘화공정을 이용한 직접형성법으로도 제작 가능하므로 유전박막의 적용에 따른 추가적인 복잡한 게이트 형성공정 없이 안정적이고 재현성 있는 게이트 형성이 가능한 효과가 있다.
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- 효성특허법률사무소
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 열교환기에 적층 형성되며, 대각선 방향 모서리에 형성된 유입구 및 유출구와 부분적으로 연통되는 유체 유입부및 유체 유출부를 구비하고, 상기 유체 유입부와 유체 유출부 사이에 형성되어 유입구로부터 유입된 유체를 유체 유입부로부터 유체 유출부를 통해 유출구로 흐르도록 하는 마이크로 채널을 구비하는 플레이트로서, 상기 마이크로 채널은: 상기플레이트의 전방면에 소정의 간격을 가지고 배열 형성되는 다수개의 전방면 오목홈들과; 상기 플레이트의 후방면에 소정의 간격을 가지고 배열 형성되되, 상기 전방면 오목홈들의 형성방향과는 어긋나는 방향으로 형성되는 다수개의 후방면 오목홈들과; 그리고 상기 전방면 오목홈들의 저부와, 상기 전방면 오목홈들과 어긋나는 방향으로 형성되는 후방면 오목홈들의 저부가 만나는 부분에서 상기 플레이트가 관통 형성되어, 전방면 오목홈을 흐르는 유체와 후방면 오목홈을 흐르는 유체가 혼합되도록 하는 복수개의 혼합공간들을 구비하는 것을 특징으로 하며, 상기 혼합공간에서 주유동 방향과 다른 방향을가지는 2차 유동인 와류를 발생시키는 플레이트를 제공하며, 상기 2차 유동에 의해서 이웃하는 플레이트 사이에 열교환효율을 높일 수 있는 열교환기를 제공한다.상기 살펴본 바와 같이 본 발명은 플레이트에 유체가 이동하는 3차원 마이크로 채널을 구비하여, 서로 다른 유동방향을 가지는 유체가 혼합공간에서 혼합되어 주유동 방향과는 다른 방향을 가지는 2차 유동인 와류를 발생시킴으로써 이웃하는 플레이트에서 흐르는 유체와 열교환을 활발하게 진행할 수 있도록 한다.또한 본 발명은 플레이트의 전방면과 후방면에 동일한 패턴을 가지고 거울 대칭인 오목홈들로 형성할 수 있도록 함으로써가공이 용이한 이점을 가지고 있다.상기 살펴본 실시예는 본 발명에 따르는 기술사상에 대한 하나의 예시에 불과하며, 본 발명의 기술 사상은 후술하는 청구범위에 기재된 내용에 의해서 정해지며, 상기 실시예를 통해서 당업자가 용이하게 설계변경할 수 있는 범위를 포함한다.
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- 고려대학교
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- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 전원소자(전지포함)기술
본 발명은 ZnS:(Pr, Mn) 나노입자를 발광층으로 사용하여 전계발광 효율이 증가하고, 전류-전압 특성이 개선된 유무기 하이브리드 전계발광소자에 관한 것이다.본 발명에 의한 유무기 하이브리드 전계발광소자 구조는 Al/Ca/BaF2/ZnS:(Pr,Mn)나노입자/PVK/ITO로서 정공수송층의삽입과 양극/발광층 사이에 더 낮은 일함수(work function)를 가진 금속과 buffer layer를 삽입하는 것을 포함한다. 본 발명에 의하면, ZnS:(Pr,Mn) 나노입자 전계발광소자에 정공수송층을 삽입하고 양극/발광층 사이에 buffer layer를 도입하는 것은 발광층의 전계발광 효율을 증대시키고 전류 수준을 증가시켜 전류-전압 특성을 개선시킨다.본 발명에 의하면, 비교적 경제적이고 간단한 공정인 액상 콜로이드 방법으로부터 합성되고 도핑된 고효율의 발광재료인ZnS 나노입자를 발광층으로 이용하고,OLED구조와 메커니즘이 응용된 유무기 하이브리드 전계발광소자에 대하여 유기반도체 정공수송층을 채용하고, metalfluoride 계열의 절연체 buffer layer를 함께 사용함으로써,소자의 전류-전압특성을 개선하고 효율을 증가시킬 수 있어 기존의 나노입자 단일층 소자나 정공주입만을 고려한 나노입자 유무기 하이브리드 전계발광소자의 접근방법들 보다 효율 및 성능 면에서 우수한 소자를 제작할 수 있다는 장점이 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 촉매를 원하는 패턴으로 형성시키고, 특정 위치에 반도체 나노선을 선택적으로 측면성장 시키기 위한 촉매의 패터닝을 통한 ZnO 나노선의 측면성장방법에 관한 것으로서, 반도체 나노선을 성장시키는 방법에 있어서, (1) 전기적으로절연된 기판 상부에 리소그래피 공정을 이용하여 패터닝한 후 촉매금속을 적층시켜 촉매금속층을 형성하는 과정; (2) 상기촉매금속층 상부에 리소그래피 공정을 이용하여 패터닝한 후 성장억제층을 형성하는 과정; 및 (3) 상기 촉매금속층 사이에Thermal CVD 방식을 이용하여 나노선을 측면성장시키는 과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 촉매 금속의 패터닝과 성장억제층의 패터닝을 이용한 반도체 나노선의 측면성장 방법은 접촉 저항을 줄일수 있고, 제조 과정이 간단하며, 다른 기타의 처리과정을 필요로 하지 않으므로 오염물질에 대한 노출을 최소화 할 수 있도록 하는 효과가 있다.또한 본 발명은 반도체 나노선을 전극 사이에 직접적으로 성장시킴으로써, 균일한 두께와 전기적 특성을 가진 반도체 나노선을 전극 사이에 접촉 시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 금속 촉매를 이용하여 ZnO 나노선을 합성하여 낮은 접촉 저항을 가지고 전극에 접촉시킴으로써 나노 디바이스 제조에 유용하게 이용될 수 있도록 하는 효과가 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
개시된 본 발명은 나노입자를 core로 하고 산화물이나 core 물질보다 에너지갭이 큰 물질을 shell로 하는 core-shell 구조의 나노입자를 나노 부유 게이트 메모리 소자(NFGM, Nano-Floating Gate Memory)에 관한 것으로서, 실리콘 웨이퍼상부에 core-shell 구조의 나노입자 막을 형성하는 것을 특징으로 하며, 기존의 채널과 나노입자 사이에 존재하는 터널링산화막을 나노입자 주위의 shell이 대체하고자 하는 것이다. 상기와 같은 core-shell 구조의 나노입자를 이용할 경우 기존의 터널링 산화막 형성 공정을 줄일 수 있으며 터널링 산화막과 나노입자 사이의 계면 특성도 향상시킬 수 있다. 또한 다양한 종류의 core와 shell의 이용이 가능하여 core와 shell 물질이 최적의 양자우물 구조를 형성하여 나노입자에서의 전하의누설을 막아주며, 메모리 소자의 저장 시간을 향상시킬 수 있다.따라서, 본 발명은 기존의 나노입자를 core로 하고 산화물이나 다른 wide-bandgap 반도체 물질을 shell로 하는 coreshell구조의 나노입자를 이용함으로써 기존의 채널과 나노입자 사이에 존재하는 터널링 산화막을 나노입자 주위의 shell이 대체하고, 또한 나노입자 사이의 shell이 에너지 장벽을 형성하여 나노입자 사이에서의 전하의 누설을 막아주어 전하의저장시간을 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 다양한 종류의 나노입자와 shell을 소자의 재료로 이용하므로써 기존의 Si 나노입자/SiO2 구조보다 효율적인 양자 우물 구조를 형성할 수 있어서 현재의 나노 부유 게이트 메모리 소자의 메모리 저장 시간의 문제점을 해결할 수있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 core-shell 구조를 이용함으로써 터널링 산화막의 형성 공정을 줄일 수 있으며, 나노입자의 shell을 터널링 산화막 층으로 이용하여 나노입자와 터널링 산화막 사이의 계면 특성도를 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 화학 습식법을 이용함으로써 나노 부유 게이트 메모리 소자의 제조공정이 단순화 될 뿐만 아니라 다양한나노입자(반도체, 금속)를 저가로 합성할 수 있으며, 대량 생산이 가능하여 향후 산업화의 측면에서도 매우 뛰어난 경쟁력이 있을 것으로 기대된다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
개시된 본 발명은 네트워크(network) 형태로 연결된 반도체 나노선을 이용하여 산소나 질소, 일산화탄소, 이산화탄소를네트워크 접촉면에 존재하는 공핍층의 증가와 감소를 통하여 검출할 수 있는 소자를 제작하는 방법에 관한 것으로서, 본발명은 반도체 나노선을 이용한 가스센서 제작방법에 있어서, 전기적으로 절연된 기판상부에 스핀코팅(spin coating)방법을 이용해서 금속촉매를 배열시키는 촉매 배열과정; 상기 기판상부에 형성된 금속촉매를 핵으로 하여 반도체 나노선을 네트워크 형태로 성장시키는 성장과정; 및 상기 반도체 나노선에 열 증착방법을 이용해서 실린더(cylinder)형으로 금속전극을 코팅시키는 코팅과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 발명의 목적은 상기와 같은 요구에 의해 안출된 것으로서, 전기적으로 절연된 기판상에 네트워크 형태의 반도체 나노선을 성장시키고, 실린더형으로 금속전극을 형성한 네트워크 형태로 연결된 반도체 나노선을 이용한 가스센서 제작방법을제공함에 있다.따라서, 본 발명에 따른 네트워크 형태의 반도체 나노선을 이용한 가스센서제작 방법으로 인하여, 반도체 나노선 가스센서를 비교적 간단한 공정으로 대량생산할 수가 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 반도체 나노선에 실린더형의 금속전극을 형성시키는 제작방법이 여러 가지 반도체 나노선 전자소자의 제작에서 금속전극을 형성하는 방법으로 사용될 수 있도록 하는 효과가 있다.
- 보유기관
- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 기존의 실리콘 웨이퍼 대신 나노선을 채널로 하여 나노선 주위에 실린더 형태의 플로팅 게이트를 형성하여 전하를 저장할 수 있는 나노입자의 수를 증가시킬 수 있도록 하는 나노선을 이용한 나노 부유 게이트 메모리 소자에 관한 것으로서, 나노 부유 게이트 메모리 소자의 제작 방법에 있어서, (1) 반도체 나노선 상부에 ALCVD(Atomic Layer ChemicalVapor Deposition)를 이용하여 터널링 산화막을 코팅하는 단계; (2) 상기 터널링 산화막이 형성된 나노선 상부에 나노입자를 접합시키는 단계; (3) 상기 터널링 산화막과 나노입자가 형성된 나노선 상부에 ALCVD를 이용하여 콘트롤 산화막을형성하는 단계; (4) 상기 콘트롤 산화막 상부에 포토리소그래피나 전자빔 리소프래피 방식을 이용하여 나노선의 가운데 부분에 게이트 전극을 형성하는 단계; (5) 상기 나노선/터널링 산화막/나노입자/콘트롤 산화막/게이트 전극 구조의 시료를SiO2가 형성된 실리콘 기판 상부에 도포하는 단계; 및 (6) 상기 실리콘 기판 상부에 포토리소그래피나 전자빔 리소프래피방식을 이용하여 소스전극과 드레인 전극을 상기 나노선 양단에 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 한다.따라서, 본 발명은 나노선 주위에 실린더 형태의 나노입자 층을 포함하는 플로팅 게이트를 형성하므로써 전하를 저장할 수있는 나노입자의 수가 기존의 이차원적인 면 위에 형성하였을 경우보다 현저히 증가할 것이며, 이에 따른 문턱전압의 변화의 증가를 통해 소자의 신뢰성 향상에도 도움을 줄 수 있다. 즉, 2차원적인 나노입자 층이 아닌 실린더 형태의 3차원적인나노입자 층을 가지고 있어 정보 저장 능력이 우수하며 동작 속도가 빠른 비휘발성 메모리소자를 제공할 수 있도록 하는효과가 있다.또한, 본 발명은 나노선을 소자의 채널로 이용할 경우 별도의 포토리소그라피 공정 없이 수 nm~수 십 nm 직경의 나노선을합성할 수 있고, 이들의 직경을 제어하므로써 채널의 폭을 조절할 수 있도록 하는 효과가 있다.또한, 본 발명은 수직 성장된 나노선 배열 소재를 이용할 경우 3차원 구조의 메모리 소자 개발이 가능하여 소자의 집적도의 큰 향상을 가져올 수 있어 차후 경제, 산업 발전에 큰 파급 효과를 줄 수 있다는 효과가 있다.
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- 고려대학교
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전력전자 기술
본 고안은 무선전력송수신방식을 도입한 공중부양형 전기 장치에 관한 것으로서, 홀센서를 사용하여 전자석과 같은 방향과 위치에서 대상물체를 감지할 수 있으면서 감도를 조절할 수 있도록 하여 공중부양되는 대상물체가 외부 환경에 의해 오동작될 수 있는 요인을 구조적으로 없애 안정적인 공중부양이 가능할 수 있도록 하였으며, 허공에 떠있는 대상물체에 무선으로 전력을 공급할 수 있는 무선전력송수신기가 내장되어 있기 때문에, 이를 전원으로 하는 전기 장치를 허공 중에 떠있는 상기 대상물체에 내장시켜, 공중에 떠있는 디지털 시계, 전등, 온도계, 전광판 등의 다양한 전기장치를 동작시킬 수 있기 때문에 더욱 진보된 기술과 미적 가치가 돋보이는 기술이라고 할 수 있다본 고안은 전기 장치를 이용한 고안을 설명 한다. 일반적으로 공중부양하는 대상물체를 갖춘 공중부양장치에 있어서,상기 공중부양장치의 일 측에 무선전력 송신이 가능한 무선전력송신기가 내장되고 허공에 떠서 공중부양해 있는 대상물체의 일 측에 무선전력 수신이 가능한 무선전력수신기가 내장되며 상기 무선전력에 의해 작동되는 적어도 하나의 전기 또는 전자장치가 상기 대상물체의 일 측에 내장되는 것을 특징으로 하는 무선전력송수신방식을 도입한 공중부양형 전기 장치.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자요소 기술
본 고안은 태양에너지를 시스템의 효율적인 이용을 위해 고안한 반법을 설명 한다. 지구 온난화의 주범이며 점차 고갈되어가고 있는 화석연료를 대체할 새로운 에너지원으로 태양전지(솔라셀:SOLAR CELL) 모듈로 만든 솔라 어레이의 수요가 요즘 급격히 증가하고 있다. 햇빛을 이용한 태양전지충전시스템인 솔라 어레이(SOLAR ARRAY)는 미래의 건물에 다양하게 장착될 것이나, 강설 또는 폭설이 쏟아졌을 때에는 솔라셀이 눈에 덮여 그 기능을 다하지 못하는 문제점이 있었다. 본 발명은 자동차 뒷유리에 장착하는 열선(熱線) 방식을 응용하여 태양전지 각각의 셀(CELL)에 히팅 라인(열선:熱線)을 내장하여 만들어지는 일명 히팅솔라셀{SOLAR CELL INCLUDE HEATING LINE}에 관한 것으로서 폭설에도 이상없는 전천후 솔라셀을 제공해 줄 수 있다................................................... .............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................본 발명은 빛에너지를 전기에너지로 바꾸어 주는 솔라셀에 있어서,상기 솔라셀의 상면에 열을 발생시키는 히팅 라인(熱線)을 내장하며;상기 히팅 라인과 솔라셀의 전극은 각각 독립되게 외부와 연결되는 방식으로 구성되는 것을 특징으로 하는 히팅 라인이 내장된 히팅솔라셀 열을 발생하는 히팅 라인을 이용하여 겨울 철 눈으로 인한 태양광 확보의 어려움을 회소시킨다.........................................................................................................................................................................................................................................................................................
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 동작감지센서가 내장된 전등형 스탠드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스탠드의 소정 위치에 형성되는 조명부와, 상기 조명부의 일 측에 동작을 감지하는 센서를 내장시켜 사용자의 동작을 감지하면 상기 조명부를 온/오프(ON/OFF)시키는 동작감지센서가 내장된 전등형 스탠드 구조이기 때문에, 컴퓨터를 사용하는 동안 모니터의 조도에 방해가 되는 조명부를 제어하여 작업환경을 개선할 수 있으며, 불필요한 전력을 절감하는 효과를 기대할 수 있다.본 발명에서는 사용자의 책상에 구비되는 전등형 스탠드에 있어서, 사용자의 동작을 감지하여 자동으로 조명을 제어하는 센서와 제어부를 구비하는데 기술적 과제를 두었다.조명부를 갖춘 스탠드에 있어서, 상기 스탠드의 일 측에 동작을 감지하는 센서와 제어부를 내장하여상기 스탠드 사용자의 동작이 감지되면 상기 센서와 상기 제어부에 의해 상기 조명부를 제어하는 것을 특징으로 하는 동작감지센서가 내장된 전등형 스탠드를 고안 한다.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 측면후방 경고용 사이드뷰와 닝미러 모듈 및 제어방법에 관한 것으로서, 차량의 차선을 변경할 때 방향지시등에 신호를 인가하는 방향지시스위치로 부터 신호가 본 발명의 모듈에 입력되면, 차선을 변경하고자 하는 방향에 장애물이 있는지의 여부를 감지하는 마이크로웨이브센서에서 장애물의 유무를 감지하고, 미리 설정된 마이콤의 거리감지 알고리즘에 의해 충돌 유무에 대해서 판단하며, 상기 마이콤제어부의 신호를 인가받아 경고음 또는 경고표시등이 작동되게 하는 사이드뷰와닝미러 모듈로 구성하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 측면후방 경고용 사이드뷰와닝미러 모듈 및 제어방법은 차량의 후사경(사이드미러)에 마이크로웨이브센서를 부착하여 차선을 변경할 때 사각지대에 장애물이나 차량이 있을 경우 경고신호가 출력되어 차선을 변경하거나 좌측이나 우측으로 회전할 때 자주 발생하는 충돌사고를 미연에 예방해 주는 효과가 있다.본 발명은 자동차의 측면 후방으로부터 주행해 오는 차량을 감지하기 위하여 자동차의 일 측에 초음파센서를 부착하여 상기 초음파센서에서 감지된 신호를 후사경에 표시하는 장치에 있어서,상기 초음파 센서 및 제어장치 대신에 거리감지센서인 마이크로웨이브를 이용한 마이크로웨이브센서 및 제어장치가 상기 후사경의 일 측에 안치 되며 상기 후사경의 일 측에 장착하는 전원공급부 및 방향지시등 스위치신호 전달부와 적어도 하나의 상기 마이크로웨이브센서 디바이스를 상기 후사경의 일 측에 장착하는 소스부와 상기 후사경의 일 측에 장착하여 상기 소스부에서 발생하는 신호와 방향지시등 스위치 출력신호를 처리해 주는 적어도 하나의 마이콤제어부와 상기 후사경의 일 측에 장착하여 상기 마이콤제어부에서 보내 온 신호를 처리하는 전자제어장치부로 구성되며;상기 감지된 신호를 표시하는 적어도 하나의 표시등이 상기 후사경의 일 측에 안치되며 상기 표시등은 상기 거리감지센서가 무감지(無感知) 상태일 경우 안전모드인 초록색으로 점등하며; 상기 표시등은 상기 거리감지센서가 감지(感知) 상태일 경우 경고모드인 빨강색으로 점등하며;방향지시등을 켜기 위한 방향지시스위치가 온(ON) 상태로 전환하면 상기 거리감지센서의 제어장치가 경고모드 상태에 있을 때, 측면후방에서 주행해 오는 차량이 충돌위험이 있다고 판단할 경우에 상기 경고모드로 점등된 빨강색이 깜박거리면서 점멸하는 비상모드로 전환하는 방식 및 후사경의 일 측 또는 대시 보드의 일 측에 안치된 음향발생기에서 비상용 음향을 발생하는 방식 중에서 적어도 하나를 채택하여 이루어지며 상기 비상모드는 후방차량과의 충돌이 예상되는 빨강원내의 범위를 감지할 때에만 작동하는 것을 특징으로 하는 측면후방 경고용 사이드뷰와 닝미러 모듈 및 제어방법을 고안 하여다.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2007-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 발명은 무선으로 전력을 수신받아 충전을 병행하면서 흡열 또는 발열 중에서 어느 하나의 기능을 선택하여 냉/온장(冷/溫藏)을 가능하게 해 주는 전자볼(電子 BOWL) 용기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 무선으로 전력을 수신하여 직류전원으로 변환시킨 다음 그 전기에너지를 용기 내부의 냉장(冷藏) 또는 온장(溫藏)이 가능한 열발생부에 공급하여 그릇이나 접시 등의 온도를 조절하는 전자볼 용기이기 때문에, 별도의 배터리를 내장하지 않고도 아주 편리하게 대상 음식의 온도를 보온 또는 보냉으로 항상 유지시켜 줄 수 있는 무선전력송수신방식으로 냉/온장(冷/溫藏)이 가능한 전자볼(電子 BOWL) 용기에 관한 것이다본 발명은 일반적으로 식탁에 올려서 사용하는 그릇이나 접시 등의 볼(BOWL) 용기에 있어서,상기 볼 용기의 일 측에 무선전력 수신이 가능한 무선전력 수신부가 내장되고 상기 수신부에서 수신한 전력을 안정화시키는 전원부와 전원을 컨트롤하는 스위치부가 포함된 제어부가 구비되며;상기 제어부에 의해 동작하면서 상부면이 흡열 또는 발열 중에서 적어도 하나의 기능을 선택하여 동작하는 열발생부가 내장되며 상기 열발생부의 일 측에 접촉되는 열전달부로 구성되는 전자볼 용기로 이루어지며 상기 전자볼 용기와 일정한 거리를 두고서 무선전력 송신이 가능한 무선전력 송신부를 추가하여 전체적인 구성이 이루어지는 것을 특징으로 하는 무선전력송수신방식으로 냉/온장(冷/溫藏)이 가능한 전자볼 용기를 고안 하여다.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2007-03-15
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