일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
1.48마이크로 및 1.75마이크로 빛살의 방출방법으로서, 레이저 유리의 광원으로서 800 나노미터의 레이저 다이오드를 사용하는 방출방법을 제공한다. [구성]방출시 레이저 유리에서 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하기 위하여 펌핑 광원으로 800 나노미터의 소형 레이저 다이오드를 사용한다. 즉 펌핑 방식은 1.06 마이크로미터의 Nd-YAG레이저를 사용하는 기존의 2단계 펌핑과 달리 1단계로서 펌핑하므로 더 우수한 효율을 기대할 수 있다. 이때 레이저의 펌핑효율은 레이저의 출력 에너지를 펌핑 에너지로 나눈값인데 1 보다 작은 값이므로 2단계 펌핑인 경우는 더욱 작은 값이 된다.1. 다음식의 조성으로 이루어진 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하는 레이저 유리 : 53ZrF4-25BaF2-(4-x)LaF3-3AlF3-15NaF-xTmF3 상기식에서 x는 0.02x≤4이며, LaF3 및 TmF3의 총 함량이 4몰%이다.2. 1.48 및 1.75 마이크로미터 형광을 방출하는 방법으로서, 제1항에 따른 레이저 유리에 펌핑 광원으로서 800나노미터 레이저 다이오드를 사용하는 적외선 방출방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 계측기기
4개의 반사경을 가진 레이저자이로(Laser Gyro)장치에 있어서 비이상적인 반사경표면으로 부터 발생한 후방 산란파의 전체강도를 최소화시키고 링공진기의 반사경들에 의하여 후방으로 산란된 파의 영향을 감소시키므로서 록 인(Lock In) 효과로 인하여 발생하는 레이저 자이로에러를 극소화시키기 위한 방법과 장치를 제공하는 데 있다. [구성]레이저자이로(Laser Gyro)장치의 4개의 반사경(1,2,3,4)에서 3개의 반사경의 상호위치를 특수전자회로에 의해 조절하도록 공진기의 피에조 구동기(5,6,7)가 3개의 반사경에 부착되어 이동이 가능하고 두 개의 광검지기(9,10)가 나머지하나의 반사경에 부착되며, 증폭기(11,12,13,14)가 광검지기의 신호를 증폭하여 변환기(15,16)가 변환시키며 제어기(17)가 적절한 양만큼 반사경을 움직이기 위하여 변환기로부터 신호를 수신하여 구동용신호를 피에조 구동기에 제공하는 것을 특징으로 한다.1. 록-인 영역의 폭을 제어하기 위한 레이저 자이로에 있어서, 4개의 반사경 중 3개의 반사경에는 피에조 구동기가 부착되어 이동이 가능하고 나머지 하나의 반사경에는 결합 프리즘과 두 개의 광검지기가 부착된 공진기; 상기 광검지기의 신호를 증폭하는 증폭기; 상기 증폭된 신호를 변환하는 변환기; 및 상기 변환기로부터 신호를 수신하여 상기 반사경을 적절한 양만큼 움직이기 위하여 피에조 구동기에 구동용 신호를 제공하는 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는레이저 자이로.2. 제1항에 있어서, 상기 결합 프리즘은 반투명 코팅된 면과 전반사가 일어날 수 있도록 서로 평행한 면을 가진 직사각형의 결합 프리즘인 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.3. 제1항에 있어서, 상기 두 개의 광검지기 중 하나는 두 개의 분리된 광검지부를 가지며, 다른 하나는 한개의 광검지부만 가지는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.4. 제1항에 있어서, 상기 광검지 신호 증폭기가 협대역 증폭기 및 3개의 광대역 증폭기를 포함하고, 상기 변환기는 주변 길이 신호 변환기 및 록-인 영역 신호 변환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.5. 제1항에 있어서, 상기 제어기로부터의 구동 신호를 증폭하기 위한 3개의 동일한 증폭기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.6. 제4항에 있어서, 상기 주변길이 신호 변환기가 동기 검출기, 발진기 및 합성 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.7. 제4항에 있어서, 상기 록-인 영역 신호 변환기는 각각의 입력에 위상차가 π/2인 기준 신호를 갖는 두개의동일한 동기 검출기와, 상기 동기 검출기의 출력 A1,A2가 입력되어 X= 을 출력하는 변환 소자 및 상기 변환 소자의 출력이 입력되는 또 다른 동기 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.8. 제1항에 있어서, 상기 제어기가 5개의 합성 소자, 2개의 기억 소자, 두개의 스위치, 제어 소자 및 발진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로.9. 제1항 또는 제4항에 있어서, 반사경을 구동시키는 상기 3개의 피에조 구동기가 록-인 영역폭을 제어하기위한 전자 장치에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 레이저 자이로
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 저온 용융 광섬유 인출 장치에 관한 것으로, 수직형 전기로의 내부에 금속으로 된 보조 온도 조절 수단을 설치하여 다중 조성 화합물 또는 할라이드계 화합물의 길이 10cm 정도의 소형 광섬유 모재를 안정적으로 인출할 수 있게 한 것이다. 보조 온도 조절 수단은 원주형 금속의 윗면과 밑면에 중심부를 향한 원추형 홈부를 형성하여 전기로 내부에서의 기류의 흐름이, 하부에서는 아래로 흐르게 하고 상부에서는 위로 흐르게 하며 복사열의 반사경 역할을 하게 하여 수직형 전기로의 온도 특성을 향상시킨다. 보조 온도 조절 수단은 전기로 내부에서의 위치를 상하로 조절가능하게 설치함으로써 전리로의 최고 온도 위치를 조절할 수 있고, 일반적인 전기로와 비교하여 온도 분포의 반치폭을 1/3, 외부의 환경 변화에 대한 온도 변화를 1/2로 감소시킬 수 있는 것이다.1. 광섬유 모재 가열을 위해 금속 재료로 된 보조 온도 조절 수단을 수직형 전기로의 내부에 상하로 위치 가변 가능하게 설치하여 상기 전기로의 최고 온도 위치를 가변시킬 수 있도록 함과 아울러 온도 분포의 반치폭과 외부의 환경 변화에 대한 온도 변화를 감소시킬 수 있도록 한 저온 용융 광섬유 인출 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 보조 온도 조절 수단은 원주형 금속의 윗면과 밑면에 주임부를 향한 원추형 홈부를 형성하고 그 중심부에 광섬유 모재가 관통되는 모재관통공을 천공하여서 된 것임을 특징으로 하는 CBr₄개스를 이용한 반도체 패턴 측면의 에피성장율 조절방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl4 또는 CBr4를 특정공정조건에서 주입하여, CCl4 또는 CBr4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.1. 기판의 상부에 특정 형태의 홈을 형성하고, 그 기판의 상부에 단차를 갖는 알루미늄갈륨비소를 증착한 후, 그 단차의 측면에 유기금속화학증착법을 사용하여 갈륨비소 에피층을 성장시키는 양자세선 제조방법에 있어서, 상기 갈륨비소 에피층 성장시 농도의 비에 따라 갈륨비소의 성장률을 변화시키는 성장제어 화합물을 주입하고, 5족원소와 3족원소를 혼합하여 주입하며, 특정 성장온도분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.2. 제 1항에 있어서, 성장제어 화합물은 CCl4또는 CBr4인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.3. 제 1항에 있어서, 상기 성장온도는 600내지 700℃인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 발명은 1년중 1주 단위의 적위 계산부와 일출, 일몰시간 계산부에 의한 타이머 방식 및 조도량 센서방식을 함께 적용한 혼합형 가로등 점멸 제어시스템에 퍼지이론 방식을 적용함으로써 안락한 환경조성, 에너지 절감 및 램프의 수명 연장을 고려하여 가로등 점멸시간을 최적으로 제어할 수 있게한 퍼지형 가로등 자동점멸장치 및 그 방법에 관한 것으로, 일찍부터 가로등 및 보안등으로 인한 전기에너지 소비의 절약을 위하여 많은 연구를 수행하고 있으며, 최근에는 원격제어 및 자기고장진단등 첨단기능을 가지고 있는 각종 가로등 자동점멸기를 타이머 방식 및 광센서 방식등으로 실용화하고 있으나, 각 제품마다 서로 다른 특성을 내포하고 있으며, 가로등의 점멸시간을 최적으로 제어하는데 제한을 받는 문제점이 있었다. 이러한 점을 감안하여, 일출, 일몰시간 데이타를 메모리에 저장할 필요없이 각지역의 일출, 일몰시간으로부터 적위를 구해, 그 적위 및 위도값을 메모리에 저장해둠으로써 그 적위 및 위도값으로부터 일출, 일몰시간을 직접계산하고, 측정각도를 각기 달리한 4조의 조도량 센서에 의해 조도량을 감지하며, 상기 계산된 일출, 일몰시간 및 상기 조도량 감지신호에 퍼지이론을 적용하여 가로등의 점멸을 최적으로 제어하게 하고, 정전압 전원장치를 가로등에 적용하여 램프의 수명연장 및 에너지 절감효과를 동시에 이루도록 한다.1. 실기간 시계를 이용하여 각종 시간정보를 출력하는 실시간부와, 측정각도가 각기 다른 다수의 조도량 센서에 의해 조도량을 감지한 후 기준전압과 비교하여 조도량 검출신호를 출력하는 조도량 센서부와, 위도 및 적위값으로부터일출, 일몰시간을 계산하고, 상기 실시간부의 시간정보 및 상기 조도량 센서부의 조도량 검출신호를 입력받아 퍼지이론의적용에 의해 가로등의 점멸제어신호를 출력하는 중앙제어부와, 상기 중앙제어부에서 처리된 각종 데이타를 저장하는 메모리부와, 상기 각부에 정전압을 공급함과 아울러 상기 가로등에 정격의 구동 전원전압을 공급하는 전원장치부로 구성하여된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.2. 제1항에 있어서, 중앙제어부의 제어를 받아 일출, 일몰시간, 현재시간 및 지역번호 등을 표시하는 표시장치부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.3. 제1항에 있어서, 조도량 센서부는 주위의 빛을 각기 다른 각도로 입사 받아 전압으로 검출한 후 소정 조도량에 따른 기준전압과 비교하여 그에 따른 비교 결과 신호를 각기 출력하는 4조의 조도량 검지 비교부와, 상기 4조의 조도량 검지 비교부의 출력신호를 앤드 조합하는 앤드부와, 상기 앤드부의 출력신호를 중앙제어부에 전달하는 전원 분리용의 포토커플러부로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.4. 제3항에 있어서, 4조의 조도량 검지 비교부는 조도량 검출전압을 기준전압과 연산증폭기에 의해 비교하여히스테리시스 특성을 부여하게 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.5. 제3항에 있어서, 앤드부는 포토커플러부의 입력측을 다이오드를 각기 통해 4조의 조도량 검지 비교부의 출력측에 각기 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.6.제1항에 있어서, 중앙제어부는 실시간부의 시간정보 및 조도량 센서부의 조도량 검출신호를 입력받음과 아울러 키보드의 출력데이타를 버퍼 및 디코더를 통해 입력받아 시스템 전체동작을 제어하는 중앙처리장치와, 상기 중앙처리장치에서 처리할 일출, 일몰시간 계산 프로그램과 퍼지 프로그램을 저장하고 있는 이피롬과, 상기 중앙처리장치에서 처리된 정보데이타를 저장하는 램등으로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.7. 제1항에 있어서, 전원장치부는 션트 타입 철공진 변압기를 사용하여 가로등에 램프 정격전압의 -5% 전압을공급하게 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.8. 제7항에 있어서, 션트 타입 철공진 변압기는 그의 마그네틱 션트의 단면적을 중앙철심단면적 40% 범위로형성하여 구성된 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸장치.9. 소정지역에 대한 년중 일출시간 또는 일몰시간으로 부터 년중 적위를 미리 구하여 저장함과 아울러 위도를저장하여 놓고, 실시간부의 시간정보를 입력받아 현재시간을 판단함과 아울러 년중 날자 변화를 판단하는 단계와, 상기년중 날자변화에 따라 상기 적위 및 위도로 부터 일출시간 및 일몰시간을 계산하는 단계와, 조도량 센서로부터 조도량 검출신호를 입력받아 조도상태를 판단하는 단계와, 상기 일출시간 및 일몰시간에 대한 퍼지 집합과 상기 조도량 센서에 대한 퍼지 집합을 추론하여 가로등의 점등, 소등시간을 결정한 후 그에 따라 가로등의 점멸을 제어하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸방법.10. 제9항에 있어서, 일출시간 및 일몰시간에 대한 퍼지 집합은 점등시간에 가깝다, 점등시간에 좀 멀다, 소등시간에 가깝다, 소등시간에 좀 멀다의 4가지로 이루어지고, 조도량 센서에 대한 퍼지 집합은 밝다, 어둡다, 보통이다의 3가지로 이루어짐을 특징으로 하는 퍼지형 가로등 자동 점멸방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 반도체
유기금속화학증착법에 의하여 실리콘기판위에 성장된 GaAs에피택셜층에서 700-750도씨의 성장온도로 델타-도핑을 하는 방법을 제공하는데 있다. <구성>실리콘기판위에 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정;GaAs에피택셜층의 성장을 중단한 상태에서 그 위에 유기금속화학 증착법에 의해 700-750도씨의 성장온도에서 델타-도핑하는 공정;이후 700-790도씨에서 덮개층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정으로 구성한다. <효과>델타-도핑층내의 델타-도핑층에 있는 도우펀트의 열확산이 GaAs/Si계면에서 발생된 전위결합에 의하여 가속되는 것을 방지할 수 있다.청구항 1. 실리콘기판위에 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정과, 이 GaAs에피택셜층의 성장을 중단한상태에서 그 위에 유기금속화학 증착법에 의해 700-750℃의 성장온도에서 델타-도핑하는 공정과, 이후 700-790℃에서 덮개층으로서의 GaAs에피택셜층을 성장시키는 공정으로 구성됨을 특징으로 하는 실리콘기판상의 성장된 GaAs에피택셜층의유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑형성방법.청구항 2. 제 1 항에 있어서, 상기 완충층으로서의 GaAs에피택셜층을 3㎛이상의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘기판상에 성장된 GaAs에피택셜층의 유기금속화학증착법에 의한 델타-도핑 형성방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 반도체 금속박막의 배선방법에 관한 것으로, 저압 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 하여 구리를 증착시키도록 한 것이다.이러한 금속배선방법은 먼저 기판(3)상에 플라즈마 화학증착법으로 질화 텅스텐 확산 방지막(7)을 도포하고, 금속층(1)(6)인 Cu를 증착시키며, 접촉창으로서의 비아콘택 영역(5)과 금속층(1)을 연결시킬 때는 역시 플라즈마 화학증착법으로 증착된 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 사용하여 금속배선하도록 한 것으로, 확산방지막인 질화 텅스텐 박막은 실리콘 기판(3)과 금속층(1)이 접촉되는 콘택 영역(2), 금속층(1)(6)과 절연막(4)사이, 금속층(1)(6)이 접촉되는 비아콘택 영역(5)에 적용되는 것이다. 이와 같이 Cu 확산방지를 위한 확산방지막으로 텅스텐 질화박막이 우수한 특성을 지님을 알 수 있다.1.실리콘 기판상에 화학 기상 증착법으로 500Å 이상의 두께를 가진 질화텅스텐을 사전 도포한 후, 구리를금속 배선하여 600℃ 이상의 고온에서 후속 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 금속 박막의 배선방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 저압 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법.3. 제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 플라즈마 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 발명은 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 화합물 반도체를 이용하여 반구형 구조를 가진 발광 및 수광소자의 제작시 기판위에 두꺼운(약 300μm) 에피층을 성장시킨 후 이를 반구형으로 만들기 위하여 기계적으로 랩핑(lapping)하는 방법을 이용하였는데, 이러한 랩핑(lapping) 공정은 대단히 복잡하고 힘들며 기계적인 가공으로 계면이 손상되기 쉬울 뿐 아니라 수율도 떨어지게 되는 문제가 있었다.이에 본 발명은 유기금속 화학기상증착법(MOCVD)으로 에피층을 성장시킬 때, 기판 위에 특별한 모양의 실리콘산화박막(SiO2)이나 실리콘질화박막(Si3N4)의 박막 마스크 패턴을 만들어 준 다음 반구형 에피층을 형성하는 방법을 제공하는데, 상기 박막 마스크 주변에서 선택적으로 에피층의 높이와 넓이를 조절할 수 잇는 특성을 이용하여 반구형 구조, 반구형 어레이 구조의 제조를 가능하게 한다.곁국, 본 발명은 고효율의 발광 및 수광 소자를 제조 공정을 단순화시키고 광건소자의 광전변판 효율을 높이며 반구형(도움형) 고출력 발광 소자 제조를 가능하게 하며 기계적인 가공에 의한 표면손상 등을 방진할 수 있는 염解있다.1.갈륨비소(GaAs)기판위에 에피층을 증착하는 제1공정과, 포토레지tm트 이용한 사진 식각(Photolithography)방법으로 상기 에피층의 식각 될 부분을 정의하는 제2공정과, 상기 에피층을 식각하여 박막 마스크를 형성하는 제3공정과, 상기 포토레지스트를 제거하는 제 4공정과, 상기 박막 마스크를 이용하여 반구형 에피층을 형성하는 제 5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 장전 소자용 반구형 구조의 제조방법.2.제 1항에 있어서, 상기 에피층은 실리론산화박막(SiO₂)을 1000~1500Å성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.3.제 1항에 있어서, 상기 에피층은 실리콘질파박막(Si₃N₄)을 1000~1500Å성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.4.제 1항에 있어서, 상기 반구형 에피층은 AlGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효울 공전호사용 반구형 구조의 제조방법.5. 제 1항에 있어서, 상기 반구형 에피층은 InGaAs를 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 고효율 광건노자용 반구형 구조의 제조방법.6.제2항 내지 제5항에 있어서, 상기 에피층 및 반구형 에피층은 유기금속 화학기상증착법(Metalorganic chemical vpor deposition, MOCVD)으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.7.제 1항에 있어서, 상기 박막 마스크의 모양과 폭을 조정하여 반구형 에피층의 수직 성잘률을 조절할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 고효율 광전소자용 반구형 구조의 제조방법.
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전기·전자 > 전자부품
본 발명은 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래의 양자점 어레이 형성방법은 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자 또는 U자형의 홈을 파고, 그 홈의 하부에 양자점을 형성하였으나, V자 또는 U자형의 홈을 파는 공정에서 기판에 손상을 주어 그 양자점을 이용한 광전소자의 출력이 작아 그 광변환효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판상에 갈륨비소 및 알루미늄갈륨비소로 구성되는 양자구조를 형성하고, 불순물유도에 의한 격자무질서방법을 사용하여 그 양자구조에 양자세선을 형성한 후, 그 양자세선이 형성된 갈륨비소기판을 벽개하여 양자점 구조를 형성하고 그 양자점 구조에 유기금속 화학증착법으로 고밀도 양자점을 형성하여 갈륨비소기판에 손상을 주지 않고 용이하게 고밀도 양자점 어레이를 형성하여 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시킴으로써, 그 광전소자의 광변환효율을 증가시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판(1)의 상부에 알루미늄 갈륨비소막(3)및 갈륨비소막(2)를 다층으로 증착한 후, 피엠엠에이(Poly Methyl Methacrylate, 4)를 상기 형성된 다층구조의 최상층인 갈륨비소막(3)의 상부에 증착하고, 그 피엠엠에이(4)를 이온주입 마스크로 하여 아연 또는 실리콘이온을 주입하여, 상기 아연 또는 실리콘이온이 주입되는 부분을 알루미늄갈륨비소막(3)으로 변형시키는 단계와;상기 공정 후 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(2)가 양자구조로 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 열처리하여 상기 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄 갈륨비소(3)의 격자를 무질서하게 함으로써, 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(3)가 그 상부에 형성된 갈륨비소기판(1)을 수직방향으로 벽개하는 단계와;상기 벽개한 무질서한 격자를 갖는 양자구조의 갈륨비소(2)및 알루미늄갈륨비소(3)가 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 상기 알루미늄갈륨비소(3)를 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소 또는 산화알루미늄(5)을 형성하는 단계와; 상기 산화알루미늄갈륨비소(5)를 선택적 성장마스크로 사용하는 유기금속화학증착법(MOCVD)을 사용하여 알루미늄갈륨비소막과 갈륨비소막을 반복적으로 성장시켜 갈륨비소(2)의 위에 양자점을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.2.제 1항에 있어서, 상기 벽개한 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(3)을 산화시켜 산화알루미늄갈륨비소막(5)을 형성하는 방법은 그 벽개한 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착하고, 약95℃의 수증기가 포함된 고순도 질소개스를 반응로 온도 450℃의 분위기에서 1시간동안 흐르게 하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.3. 제 1항에 있어서, 갈륨비소막(2)에 고밀도 양자점을 형성시키는 방법은 유기금속화학증착법을 이용하여 상기 갈륨비소막(2)에 그 알루미늄의 몰비가 0.1내지 0.5인 알루미늄갈륨비소막과 갈륨비소막을 순차 반복적으로 성장시켜 고밀도 양자점을 형성시키는 것을특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.4. 제1항 또는 제3항에 있어서 유기금속 화학증착법은 고순도 수소개스를 수송개스로 하고, 총 유량은 분당 5내지 8리터로 하며, 3족 유기금속원소는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원소로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도 양자점 어레이 형성방법.
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녹색 및 적색 방출효율이 각각 2배 및 500배 이상 향상된 매우 우수한 성질을 가지는 녹색 및 적색을 방출하는 레이저 유리를 제공한다. [구성]백금 도가니에 무수 플루오라이드를 넣고, NH4F, HF를 첨가하여 후드안에서 혼합 및 분쇄한다. 혼합된 원료를 백금 도가니 뚜껑을 덮어 전기로에 넣고, 온도를 높인 뒤 N2 가스를 유입하고 가열한 뒤, 원료중에 포함된 산화물을 플로오라이드 화합물로 반응시키기 위해 1시간동안 유지시킨다. 다음 섭씨 800도 에서 질소분위기로 가열하여 1시간 용융시킨 뒤, OH기를 제거하고, 스트레스를 제거한 뒤, 레이저 유리를 제조한다.1. 다음식의 조성으로 이루어진 녹색 및 적색을 방출하는 레이저 유리: 53ZrF4-25BaF2-(4-x)LaF3-3AlF3-15NaF-xTmF3 상기식에서 x는 0≤x≤2이며, LaF3, ErF3 ㅁ치 TmF3의 총 함량이 4몰%이다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 계측기기
비교기 및 적분기로 이루어지는 주파수 발생원리에 의해 형광물질의 여기동작을 제어하고 그 형광물질의 여기동작에 따른 주파수를 곧바로 측정한 후 그 주파수로부터 온도를 산출하도록 하기 위한 것이다. <구성>비교전압을 기준전압과 비교하는 비교기(10);이 비교기(10)의 출력신호에 따라 여기광을 발생하는 광원(21);이 광원(21)에서 발생되는 여기광에 의해 여기되어 형광을 발생하는 형광물질(22);이 형광물질(22)에서 발생되는 형광을 전기적인 신호로 검출한 후 증폭하여 비교기(10)에 비교전압으로 인가하는 광검지기(23);비교기(10)의 출력신호로부터 주파수를 측정하여 온도를 산출하는 주파수 측정 및 연산장치(27)로 구성한다. <효과>온도측정장치가 간단히 구성되고 주파수를 측정할 때의 시간간격이 바로 발광수명시간의 누적과 같게되어 평균화가 자동적으로 이루어지므로 그 온도 연산과정이 간단해진다.1. 비교전압을 기준전압과 비교하는 비교기(10)와, 이 비교기(10)의 출력신호에 따라 여기광을 발생하는 광원(21)과, 이 광원(21)에서 발생되는 여기광에 의해 여기되어 형광을 발생하는 형광물질(22)과, 이 형광물질(22)에서 발생되는 형광을 전기적인 신호로 검출한 후 증폭하여 상기 비교기(10)에 비교전압으로 인가하는 광검지기(23)와, 상기 비교기(10)의 출력신호로부터 주파수를 측정하여 온도를 산출하는 주파수 측정 및 연산장치(27)로 구성된 것을 특징으로 하는광학을 이용한 온도측정장치.2. 제1항에 있어서, 광원(21)에서 발생되는 여기광이 이색성필터(24), 렌즈(25) 및 광섬유(26)를 통해 형광물질(22)에 입사되고, 상기 형광물질(22)에서 발생되는 형광이 상기 광섬유(26) 및 렌즈(25)를 통한 후 상기 이색성필터(24)에서 반사되어 광검지기(23)에 입력되게 구성된 것을 특징으로 하는 광학을 이용한 온도측정장치
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 전자제품
소자제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와의 저항성 접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층 구조 금속 배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 탄탈륨실리나이트라이드 (TaSiNx)의 삼원소계 확산 방지막을 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산 방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적 특성의 열화를 막을 수 없는데 반하여 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지할 수 있으며, 전기적 특성을 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는 특징이 있다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억 소자의 제조방법에서 새로운 다층 금속 배선 구조로써 기존의 확산 방지막을 사용한 다층 금속 배선보다 월등히 우수한 특성을 가진다.1. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막내의 질소 농도가 0내지 43원자농도%로 제어되는 것을 특징으로 하는 탄탈륨실리나이트라이드 박막 제조 방법.2. 제 1항에 의하여 제조되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막을 두께 500-2000Å로 증착하여, 실리콘(Si),갈륨비소(GaAs), 갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 어느 하나와의 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법.3. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착함으로써, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 28원자농도%이하인 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 확산방지 및 접착력 향상을 위하여, 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자.4. 탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 0내지 43원자농도%가 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 반도체 소자중의 층간절연층 및 하부금속사이에 확산 방지막으로 사용되므로써, 층간절연층/탄탈확사낭지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층이상으로 되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자.5.탄탈륨실리사이드(Ta5Si3)타겟을 사용한 스파터링 방법으로, 질소 및 알곤 가스의 전체 유량에 대한 질소 가스의 유량을 0에서 10%까지 변화시키면서 탄탈륨실리나이트라이드(TaSiN(x))를 증착하여, 상기 탄탈륨실리나이트라이드내의 질소 농도가 40원자농도%이상이 되는 상기 탄탈륨실리나이트라이드 박막이, 구리금속아래에 직접 접촉하는 금속 배선을 구비하는 집적 반도체 소자.6. 제 1항에 의하여 제조된 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 단계 및 상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정.7. 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈륨실리나이트라이드 확산방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 열산화막으로 덮는 제 1단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2단게와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 제 1항에 의하여 제조되는 탄탈확산 방지막을 도포하는 제 4단계와, 상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5단계와, 상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6단계와, 상기 드레인 측의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 탄탈확산방지막을 도포하는 제 7단계와, 상기 탄탈확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8단계 및 층간절연막/탄탈확산방지막/주배선금속층이 2층이상이 되도록, 상기 6내지 8단계를 2회鵑반복한 후, 그 위에 보호마ㅏㄱ을 형성시키는 제 9단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 다층 금속배선 방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 발명은 고진공 장치 내에서의 유리기판 사이의 접합을 이용한 전계방출표시소자의 진공 실장(Vacuum Packaging)에 관한 것으로, 종래의 배기용 관을 사용하는 경우에 발생하는 여러 가지 문제점, 즉, 봉입시 발생하는 미세한 가스에 의해서도 패널 내부의 진공도가 크게 영향을 받게 되며, 또한 배기용 관의 일부가 전계방출표시소자에 남아 패널의 두께가 두꺼워지게 되고, 관의 길이와 구멍 크기에 의해서 가스 배기가 방해를 받는 등의 문제점을 해결하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 의한 전계방출표시소자 진공실장(Vacuum Packaging) 장치 및 방법은 배기를 할 수 있는 구멍이 미리 형성되어 있는 전계방출표시소자를 고진공 장치 내부에 장착하고, 고온 배기를 통해 전계방출표시소자 패널 내부의 가스분자를 모두 배기한 후, 유리 기판 조각을 전계방출표시소자의 구멍에 맞닿게 하고 일정한 온도에서 직류 전압을 인가하여 유리-유리 접합을 수행하므로써, 전계방출표시소자의 진공 실장이 이루어진다.이로써, 전계방출표시소자의 진공실장이 용이하게 달성될 수 있고, 소자 패널 사이의 진공도가 향상되는 등 우수한 특성의 전계방출표시소자 제공할 수 있다.1. 챔버(1)와, 상기 챔버를 고진공 상태로 만드는 진공펌프(3), 상기 챔버내부의 일측에 배치되어 있는 전계방출표시소자 수용부로서, 상기 수용부는 양 패널중 하나에 배기용 구멍이 형성되어 있는 전계방출표시소자(14)를 가열하기 위한 소자 가열장치(6)와, 전계방출표시소자를 지지하기 위한 고정대(10)를 포함하는 전게방출표시소자 수용부와, 상기 전계방출표시소자 수용부에 대향하여 상기 챔버내에 배치되며, 전계방출표시소자의 상기 배기용 구멍에 접합될 유리기판 조각(17)를 지지하는 유리기판 조각 고정대(11)와, 상기 유리기판 조각 고정대를 상기 전계방출표시소자 수용부방향으로 구동하기 위한 고정대 구동 받침대(12)및 상기 유리기판 조각을 가열하기 위한 유리기판 조각 가열장치(7)를 포함하는 유리기판 조각 수용부와, 상기 소자 가열장치(6)와 전계방출표시소자 고정대(10)에 연결되어, 상기 소자의 온도를 측정하고 소자 가열장치를 통하여 소자를 소정온도로 조절하는 소자 온도 조절장치(5)와, 상기 유리기판 조각 가열장치(7)와 유리기판 조각 고정대(11)에 연결되어, 유리기판 조각의 온도를 측정하고 유리기판 조각 가열장치를 통하여 유리기판 조각을 소정온도로 조절하는 유리기판 조각온도 조절장치(4), 및 상기 전계방출표시소자에는 양극(+)이, 접합되어야 하는 유리기판 조각에는 음극(-)이 연결되어 소자 및 유리기판 조각에 직류전압을 공급하기 위한 전원공급장치(13)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 장치가 상기 전계방출표시소자 고정대(10)에 부착되어 전게방출표시소자(14)의 온도를 측정하기 위한 센서(8)및 상기 유리기판 조각 고정대(11)에 부착되어 유리기판 ㅗㅈ각(17)의 온도를 측정하기 위한 센서(9)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 장치.3. 상기 제 1항 또는 2항에 의한 장치를 사용하여 전게방출표시소자를 진공실장하는 방법으로서, 상기 전계방출표시소자의 양 패널 중 하나에 배기를 할 수 있는 배기용 구멍을 미리 형성하는 공정과, 상기 전계방출표시소자의 배기용 구멍이 형성된 캐소드 뒷면에 상기 배기용 구멍을 둘러싸는 전극용 금속 박막을 형성하는 공정과, 상기 금속 박막상에 접합에 관여하는 실리콘 박막을 형성하는 공정과, 상기 전계방출표시소자 및 구멍을 실장하기 위한 유리 기판 조각을 진공챔버 내부에 장착하는 공정과,상기 챔버내부가 10/(8)~3×10/(8)torr의 진공도를 가지도록 상기 챔버내부를 배기하고, 350℃~400℃의 온도에서 상기 전계방출표시소자 패널 내부의 가스분자 및 유리기판 조각 내부의 가스분자를 모두 고온 배기하는 공정과, 상기 전계방출표시소자와 유리기판 조각의 온도를 서서히 감소시켜 250~300℃정도의 유리-유리 접합온도를 유지하는 공정과, 상기 유리 기판 조각을 전계방출표시소자의 배기용 구멍에 맞닿게 하는 공정과, 상기 전계방출표시소자측과 접합될 유리기판 조각 사이에 200~400V의 직류 전압을 인가함으로써 유리-유리 접합을 수행하는 平ㅐ막이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.4. 제 3항에 있어서, 드릴을 이용한 방법 및 아크를 이용한 바업ㅂ중에서 선택되는 한 방법에 의하여 상기 배기용 구멍을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 배기용 구멍을 1내지 4개 형성하는 것을 특징으로 하는 전게방출표시소자 진공 실장 방법.6. 제 3항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 및 유리기판 조각을 상기 전계방출표시소자 고정대 및 유리기판 조각 고정대에 각각 고정시키므로써 챔버내에 장착하는 것을 특징으로 하는 전게방출표시소자 진공 실장 방법.7. 제 3항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 고정대를 이용하여 상기 전게방출표시소자의 전극용 금속 박막에 양극(+)을 인가하고, 유리기판 조각 고정대를 이용하여 유리기판 조각에 음극(-)을 인가하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.8. 제 3항 또는 제 6항에 있어서, 상기 전계방출표시소자 고정대 및 유리기판 조각 고정대에 온도 센서를 장착하여 전계방출표시소자 캐소드 뒷면 및 유리기판 조각의 온도를 측정하고, 상기 온도조절장치 및 가열 장치를 이용하여 전계방출표시소자 및 유리기판 조각을 소정 온도로 조절하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.9. 제 3항에 있어서, 상기 유리-유리 접합시 전계방출표시소자와 유리 기판 조각의 온도를 같게 유지하는 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자 진공 실장 방법.10. 제 3항에 있어서, 상기 진공펌프로 로타리 펌프, 터보 펌프, 크라이오 펌프에서 선택되는 하나의 펌프를
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 전자부품
PECVD와 같이 플라즈마상태속에서 반도체등의 기판표면에 금속을 증착할 경우 플라즈마의 간섭현상, 금속박막에 의한표면반사도변화등에 의해서 PYROMETER, 열전대등으로 기판의 온도를 정확히 알아내기 어렵다. 본특허는 기판에 열전대를 삽입할 수 있는 최적의 구멍을 뚫어서 그안에 열전대를 매몰시켜서 플라즈마 및 금속증착과정에 상관 없이 기판의표면온도를 측정할 수 있도록 구성된 기구이다.1. 반응기(1)내부에 확산전극(2)과 열선(3)으로 가열되는 열판(4)이 구비된 플라즈마 화학증착장치에 있어서, 증착용 실리콘웨이퍼(5)와 함께 표면에 홈(5a′)(5a″)이 형성된 두개의 측정용 실리콘웨이퍼(5)(5′)를 열판(4)상에 위치시킨 상태에서 고주파전자기장 차단을 위한 보호용판(6)(6′)관으로 둘러싸인 열전대(7)(7′)를 상기 측정용 실리콘웨이퍼(5′)(5″)의 홈(5a′)(5a″)에 직접 삽입하는 한편 반응기(1의 외측으로 연장된 보호용관(5)(6′)을 접지시켜 증착용 실리콘 웨이퍼(5)의 표면온도를 측정하도록 구성됨을 특징으로 하는 텅스텐 박막 제조용 플라즈마 화학증착 온도 측정장치.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 고집적 실리콘 반도체 소자의 금속 배선 형성에 관한 것이다. 최근에 개발된 저압 화학 증착법을 이용하여 텅스텐 박막을 증착시키는 금속 배선 기술은 열적 안정도, 일렉트로 미그레이션, 스탭 커버리지 등이 우수한 반면 실리콘, 산화막 및 산화막/실리콘 계면에서 침식이 발생 함으로써 텅스텐이 산화막/실리콘 계면으로 파고 들어 가거나 실리콘 기판 내부로 침투하게 되어 결과적으로 누설 전류가 높아지고 정선의 단락이 발생하여, 절연 파괴 전압이 낮아지는 등의 문제점이 발생하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 텅스텐 박막의 형성 이전에 플라스마 화학 증착법을 이용하어 텅스텐 질화 박막을 증착시키는 방법을 제공한다.텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로써 NH /WF 의 입력 분압 조성비를 0.25-2로 하고, 300-600도C의 증착 온도에서 0.1-1 Torr의 증착 압력하에서 플라스마 화학 증착하여 70-300μΩ-㎝의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화 박막을 5-10μm의 두께로 성장 시킴으로써 전압 화학 증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속 배선을 형성하는 공정시에 F원자 들에 의한 실리콘, 산화막 및 산 실리콘 계면의 침식을 방지 하도록 한 고집적 실리콘 반도체 소자의 금속 배선 형성용 텅스텐 질화 박막 증착법이다.1. 저압화학증착법으로 텅스텐 박막을 증착하여 금속배선을 형성함에 있어서, 상기 텅스텐 박막의 증착 전단계 공정으로서 NH₃/WF₄의 입력분압조성비를 0.25-2로 하고, 300-600℃의 증착 온도에서 0.1-1Torr의 증착 압력하에서 플라즈마 화학증착하여 70-300μΩ-cm의 비저항값을 갖는 텅스텐 질화박막을 500-1000Å의 두께로 성장시킴을 특징으로 하는 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법.
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- 한국과학기술연구원
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- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선 택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아본드막의 성장 방법.1. Si 기판과 동일한 격자 방향을 갖은 다이아몬드 집합 조직을 선택적으로 성장시키는 제1단계와 다이아몬드의 2차원 성장이 이루어지도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, Si 기판 상에 입자간 또는 입자와 기판간의 미스매치 및 표면 조도가 감소된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.2. (100) Si 기판 상에, <100> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드 (100) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 (100) 다이아몬드면으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.3. (111) Si 기판 상에, <111> 다이아몬드 집합 조직을 성장시키는 제1단계와, 다이아몬드(111) 면의 2차원 성장이 가능하도록 합성 조건을 조절한 제2단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 (111) 다이아몬드만으로만 구성된 단결정 다이아몬드막의 성장 방법.
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- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 다층구조 금속 연결배선에 관한 것으로, 특히, 그에 사용되는 새로운 구조의 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 소자 제조시 실리콘(Si) 및 화합물반도체(GaAs, GaN, InP)와 저항성접합공정 및 개별소자간의 상호연결을 위한 다층구조 금속배선 공정에서 반도체/금속, 금속/금속, 층간절연층/금속 사이에 상호확산을 막을 수 있는 확산방지막으로서, 본 발명에서 제안된 삼원소계 확산방지막인 텅스텐보론나이트라이드 (WBxNy)를 사용하므로써, 종래의 이원소계 확산방지막이 열처리온도 500∼700℃에서 확산방지 기능이 상실되어서 높은 밀도의 결함 및 전기적특성의 열화를 막을 수 없느데 반하여, 850℃이상의 고온에서 후속열처리하여도 반도체 및 구리금속의 확산을 방지하였으며, 전기적 특성의 열화 및 결함이 전혀 발생하지 않는다. 따라서 본 발명은 기억소자 및 비기억소자의 제조 방법에서 새로운 다층금속배선 구조중의 확산방지막으로 텅스텐보론나이트라이드를 사용하므로써, 기존의 확산방지막을 사용한 경우보다 월등히 우수한 전기적특성을 가지는 다층금속배선을 제공한다.1. WF6(육불화텅스텐)의 유량을 2~10sccm, H2(수소)의 유량을 50~300sccm로 하고 B10H14(데가보레인)/NH3(암모니아)가스의 유량비를 2~5까지 변화시키면서, 이 원료기체를 진공반응기에 넣고 압력 1~10/(1)Torr하에서 기판온도를 40~300℃범위에서 가열하는 것으로 이루어지는 텅스텐보론나이트라이드(WB(x)N(y))제조 방법.2. 제 1항에 있어서, 상기 데가보레인과 암모니아 가스의 유량비를 조절하므로써, 상기 텅스텐보론나이트라이드 박막의 비저항을 200μΩcm이하로 조절하는 것을 특징으로 하는 텅스텐보론나이트라이드박막 제조방법.5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한항에 의한 방법으로 제조된 두께 500-2000Å의 텅스텐보론나이트라이드 박막을, 실리콘(Si),갈륨비소(GaAs),갈륨나이트라이드(GaN), 및 인듐인(InP)중 하나와 저항성 접합하기 위한 접합금속으로 사용하는 방법.6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자의 소스 및 드레인 접촉접합의 반도체 및 주배선금속 사이에 확산방지막으로 사용되는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자.7. 제 1항 내지 제 4항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조된 텅스텐보론나이트라이드박막이, 반도체소자중의 층간절연층 및 하부금속 사이에 확산 방지막으로 사용되고, 상기 층간절연층/텅스텐보론나이트라이드 확산방지막/주배선금속으로 이루어진 금속배선이 2층 내지 10층으로 되어 있는 다층 금속 배선을 가지는 집적 반도체 소자.8.제 1항 내지 제 4항 중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조된 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 이용한 반도체 소자의 접합배선 방법으로서, 반도체 기판상에 분리 산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 일산화막으로 덮는 단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산 방지막을 도포하는 단계 및 상기 소스 및 드레인상에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐 중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 소스 및 드레인 접촉공정.9. 제 1항 내지 제 4항중 어느 하나의 항에 의한 방법으로 제조되는 텅스텐보론나이트라이드 확산 방지막을 이용한 집적 반도체 소자의 다층 금속 배선방법으로서, 반도체 기판상에 분리산화막을 형성하고, 소스 및 드레인의 접촉창을 식각한 후, 불순물을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하고, 상기 소스 및 드레인 접촉창을 일산화막으로 덮는 제 1단계와, 게이트부분을 다시 식각하고, 게이트 산화막을 형성하는 제 2단계와, 상기 게이트에 금속을 증착하고, 전 기판상에 게이트 금속보호막을 도포한 후, 상기 소스 및 드레인 접촉창 부분을 다시 식각하는 제 3단계와, 상기 게이트 윗면을 제외한 전 기판상에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 4단계와, 상기 소스부분에 구리, 알루미늄, 은 및 텅스텐중 하나로 구성되는 주금속 배선을 도포하는 제 5단계와, 상기 전 기판면에 층간절연박막을 도포하는 제 6단계와, 상기 드레인 축의 상기 층간절연박막을 다시 식각하고, 전면에 상기 텅스텐보론나이트라이드 확산방지막을 도포하는 제 7단계와, 상기 확산방지막상에 주금속배선을 도포하는 제 8단계 및 층간절연막/텅스텐보론나이트라이瀁源姸嗤주배선금속층이 2내지 10층이 되도록, 상기 6내지 8단계를 2회 내지 10회 반복한 후, 그 위에 보호막을 형성시키는 제 9단게로 이루어지는 것을 특징으로 하는 집적 반도체 소자의 다층 금속배선 방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 양자구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 양자구조 형성방법은 건식식각을 사용하여 기판에 손상을 주어 광전소자의 특성을 저하시키거나, 원하는 분포 및 위치의 조절이 용이하지 않아 광전소자의 광범위한 응용이 불가능한 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소기판의 상부에 갈륨산화막을 증착하는 마스크 증착단계와; 상기 갈륨산화막의 상부에 피엠엠에이를 도포 및 현상하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 피엠엠에이를 식각마스크로 사용하는 습식식각으로 그 하부의 갈륨산화막을 패터닝하는 마스크 패턴 형성단계와: 상기 패턴이 형성된 피엠엠에이를 제거하고, 상기 패턴이 형성된 갈륨산화막의 사이에 노출된 갈륨비소기판에 양자구조를 성장시키는 양자구조 성장단계로 구성되어 특정한 패턴이 형성된 갈륨산화막을 성장마스크로 사용하여 양자구조가 형성될 위치와 크기를 제한하여, 양자구조의 크기 및 분포를 용이하게 조절할 수 있게 됨으로써, 광전소자로의 응용분야를 확대시키는 효과가 있다.1. 갈륨비소기판의 상부에 갈륨산화막(Ga₂O₃)을 증착하는 마스크 증착단계와; 상기 갈륨산화막의 상부에 피엠엠에이(PMMA. PolyMethylMethAcrylate)를 도포 및 현상하여 패턴을 형성하고, 그 패턴이 형성된 피엠엠에이를 식각마스크로 사용하는 습식식각으로 그 하부의 갈륨산화막을 패터닝하는 마스크 패턴 형성단계와; 상기 패턴이 형성된 피엠엠에이를 제거하고, 상기 패턴이 형성된 갈륨산화막의 사이에 노출된 갈륨비소기판에 양자구조를 선택적으로 성장시키는 양자구조 성장단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.2. 제1항에 있어서, 상기 갈륨산화막은 스퍼터링법, 양극산화법, 전자선 증착법중 하나의 방법으로 30-70nm의 두께가 되도록 증착하는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.3. 제1항에 있어서 갈륨산화막의 페터닝은 전자선 리소그라피법 또는 레이저 홀로그라픽 리소그라피법 또는 레이저 홀로그라픽 리소그라피법을 사용하여 이루어진 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.4. 제1항에 있어서, 양자구조 성장단계는 기판온도를 430-540℃로 유지하며, 빔상당압력(beam equivalent pressure)이 3족원소 대 5족원소의 비를 약 10~20으로 하고, 약 1*10...torr인 비소 속(flux)하에서 실시하는 분자선 에피탁시법에 의해 양자구조를 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.5. 제1항에 있어서 상기 양자구조 성장단계는 분자선 에피탁시법 또는 화학선 에피탁시법 또는 유기금속화학기상증착법으로 양자구조를 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.6. 제1항에 있어서, 상기 양자구조 성장단계로 양자구조가 형성된 후, 패턴이 형성된 갈륨산화막을 계속 잔존시켜, 광전소자의 제조시 전류차단층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 양자구조 형성방법.
- 보유기관
- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 전자제품
본 발명은, 열적으로 안정된 나노 결정립의 실리콘 결정상을 비정질 실리콘내에서 급속 열처리와 같은 후속 공정없이 직접 형성시키기 위하여, 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하는 단계; ECR-CVD 법으로, 상기 기판을 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하고, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하면서, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 나노미터 크기인 비정질 실리콘 박막을 증착하는 단계;로 이루어지는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립 제조 방법을 제공한다.1. 실리콘 웨이퍼 기판 또는 상기 실리콘 웨이퍼 기판 위에 실리콘 산화막이 형성된 기판을 제조하고, ECR-CVD 법으로, 상기 기판 위에, 비정질 실리콘 박막내의 실리콘 결정립의 직경이 10nm 이하가 되도록 비정질 실리콘 박막을, 후속 공정 없이 성장 조절함으로써 상온에서 안정된 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 실리콘 박막을 형성시키는 것을특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법.2. 제 1 항에 있어서, 상기 성장은, 원료 가스로 고순도 실란을 사용하고 운반 가스로 불활성 가스를 사용하여 반응 챔버내의 압력을 7 - 9×10-4 Torr로 유지하여 행해지는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는미세 실리콘 결정립의 제조 방법. 3. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도를 상온 내지 200℃의 온도 범위로 유지하는 것을 특징으로 하는 가시광 범위의 발광 특성을 가지는 미세 실리콘 결정립의 제조 방법
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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전기·전자 > 기타 전자제품
[cox fe1-x]1-n [bysil-y]n의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 비정질 자성 합금을 200-460도씨의 온도 구간에서 대기 중에서 1분 이상 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조 방법.1.［COX Fe1-X］1-n［By Si 1-y］n의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 원자 조성비를 갖는 비정질 자성 합금을 준비하는 단계, 상기 조성의 비정질자성 합금을 200~460˚C의 온도 구간에서 대기 중에서 1분이상 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서제조방법.2.제1항에있어서, 상기 열처리 단계는 외부 자장을 영에 가깝게 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조방법.3.제1항에있어서, 상기 비정질 자성 합금은 5atomic%까지의 Cr,Ni,Mn등의 제 3혹은 제 4의 금속원소를 함유한 비정질 자기 합금인 것을 특징으로 하는 자기 센서 제조 방법.4.제1항에 따른 방법에 의해 제조된 자기 센서 소자.5.제4항에 있어서, 상기 자기센서 소자는 외부 교류자장이 한 주기만큼 변할때 두개의 주피크와 두개의 부피크를 나타내는 것을 특징으로 하는 자기 센서 소자.6.주파스 발진 수단, 특정 주파수의 정현파를 생성하는 수단, 상기 정현파를 전류 증폭하여 자기장을 발생시키는 수단, 상기 자기장 주위에 있으며 이자기장이 가해지는 제4항에 따른 특성을 가지는 자기 센서 소자,상기 자기 센서 소자에 인접하여있고, 상기 자기센서 소자를 감지한 신호를 수신하는 수신기 수단, 상기 수신기 수단에 접속되어 상기 수신기 수단에서 나온 센서 신호의 파형을 기준으로 하여 구형파를 생성하는 제어 신호 발생 수단, 상기 발진기 수단에 결합되어 상기 주파수 발진기 수단에서 나온 신호에 의해 제어신호를 발생하는 제어 신호 발생수단, 상기 제어 신호발생 수단과 상기 구형파 생성 수단사이에 결합되어, 상기 제어 신호의 주파수와 상기 구형파 생성수단에서 나온 신호의 주파수와 펄스의 갯수를 비교하는 비교 수단, 및 상기 비교 수단에 결합되어, 상기 비교수단에서 나온 센서 존재 유무 판정 신호를 받아 경보를 울리는 경보 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 도난 방지 시스템.7.제6항에 있어서, 상기 센서 존재 유무 판정은 외부 교류 자장이 한 주기만큼 변할 때 2개의 주피크와 2개의 부피크를 나타내는 신호를 감지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도난 방지 시스템
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2000-12-15
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