일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 고종횡비 팁을 갖는 압전 캔티레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 캔티레버의 팁이 낮을 경우 빔 자체 또는 빔이 갖는 전압이 미디어에 영향을 미치는 것을 막기 위한 고종횡비의 팁을 제조함에 있어서, 캔티레버의 팁과 지지부 상부에 응력 보정막을 추가하여 다층의 캔티레버 막을 형성함으로써 캔티레버 자체의 내부 응력을 보정하여 캔티레버가 휘어지는 것을 막을 수 있다. 또한 본 발명은 광투과 케이스를 지지부에 연결된 접합용 패턴에 접합시키기 때문에 양극 접합을 이용한 캔티레버의 접합시 상/하부 전극과 케이스가 분리되어 케이스에 인가된 전압이 직접적으로 상/하부 전극에 전달되지 않게 된다. 이로 인해, 상/하부 전극 및 압전물질에 고전압이 걸리는 위험을 막을 수 있고 상부 전극의 표면 산화 현상을 방지할 수 있다. 압전 캔티레버에 있어서, 상기 캔티레버의 고종횡비 팁; 상기 팁에 수직으로 연결된 지지부; 상기 팁과 지지부 상부에 형성된 적어도 1층 이상의 응력 보정막; 상기 지지부 및 응력 보정막이 오픈된 캔티레버의 오픈 영역; 상기 응력 보정막 상부에 순차적으로 형성된 하부 전극, 압전물질층 및 상부 전극; 상기 지지부의 외곽 상부에서 전체 구조물을 덮되, 상기 캔티레버의 와이어가 연결될 부분이 오픈된 광투과 케이스; 상기 광투과 케이스의 오픈된 부분을 통해 상기 하부 전극 및 상부 전극에 각각 연결된 와이어를 구비하는 것을 특징으로 고종횡비 팁을 갖는 압전 캔티레버.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 금속산화물의 박막증착에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속산화물의 박막 제조시 기존의 방법보다 휠씬 낮은 플루언스(fluence)의 레이저를 이용하여 박막에서 생성되는 섬(island) 형태 입자군의 크기를 작게 조절하여 낮은 온도에서의 층흐름형 박막증착을 유도하고, 상기 박막증착후 열처리를 하여 층모양의 일정성을 유지하여 잘 정의되어진 기판표면의 제조를 가능하게 하며, 또한 상기한 저온 층흐름형 증착모드를 이용한 나노선 합성방법에 관한 것이다. ; 이를 위하여 본 발명은 레이저를 표적물질에 입사시켜 상기 표적물질을 기화시키는 단계와, 기화된 상기 표적물질의 입자들이 소정온도의 기판에 증착되어 입자군을 형성하는 단계와, 상기 입자들이 에너지가 상기 기판의 층방향으로 이동하는 층흐름모드 형성단계와, 상기 증착된 기판의 열처리 단계를 포함하는 저온 층흐름형 금속산화물 박막증착방법을 제공함을 그 특징으로 한다. 0.7 J/㎠ 이하의 저플루언스의 펄스형태 레이저를 표적물질에 입사시켜 상기 표적물질을 기화시키는 단계; 기화된 상기 표적물질의 입자들이 800℃ 정도의 기판에 증착되어 불안정한 에너지 상태의 작은 크기의 입자군을 형성하는 단계; 상기 입자들이 상기 기판의 층방향으로 이동하여 안정화되는 층흐름모드 형성단계; 및 상기 증착된 기판의 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 층흐름형 금속산화물 박막증착방법.
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전기·전자 > 전력시스템
본 발명은 플라이휠을 이용한 비상발전시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평상시에는 계통전원에 의해 부하 및 플라이휠이 구동되며, 계통전원에 이상이 발생하는 경우에는 최초 소정시간동안은 플라이휠의 회전관성을 이용하여 부하에 양질의 전원을 공급하며, 계통전원의 이상이 지속되는 경우에는 모터/발전기부를 구동하여 부하에 전원을 공급하는 플라이휠을 이용한 비상발전시스템에 관한 것이다.; 이를 위하여 본 발명은 모터/발전기부와, 상기 모터/발전기부의 기계적 에너지원으로 사용하기 위한 엔진과, 상기 엔진과 상기 모터/발전기부를 체결하기 위한 체결수단과, 상기 모터/발전기부에 계자전류를 공급하기 위한 계자권선전류 공급장치와, 상기 모터/발전기부, 상기 엔진 및 상기 체결수단을 제어하기 위한 제어장치와 비상발전시스템의 최초 기동시에 계통전원과 상기 모터/발전기부를 차단하기 위한 회로차단기 및 상기 계통전원 이상시 소정시간동안 상기 계통전원의 전압을 유지시키기 위해 상기 모터/발전기부에 체결된 플라이휠을 포함하고, 상기 제어장치는 상기 회로차단기도 제어하는 것을 특징으로 한다. 모터/발전기부; 상기 모터/발전기부의 기계적 에너지원으로 사용하기 위한 엔진; 상기 엔진과 상기 모터/발전기부를 체결하기 위한 체결수단; 상기 모터/발전기부에 계자전류를 공급하기 위한 계자권선전류 공급장치; 상기 모터/발전기부, 상기 엔진 및 상기 체결수단을 제어하기 위한 제어장치; 비상발전시스템의 최초 기동시에 계통전원과 상기 모터/발전기부를 차단하기 위한 회로차단기; 상기 계통전원 이상시 소정시간동안 상기 계통전원의 전압을 유지시키기 위해 상기 모터/발전기부에 체결된 플라이휠; 및 외부에서 원격 제어 및 감시를 위한 외부기기를 포함하고, 상기 제어장치는, 무정전 전원공급시스템의 최초 기동시에 상기 계통전원과 상기 모터/발전기부를 차단하기 위한 회로차단기 제어장치; 상기 계통전원의 이상시 상기 엔진을 기동시키기 위한 엔진조속기; 상기 엔진의 동력을 상기 모터/발전기부로 전달하기 위한 상기 체결수단을 제어하기 위한 체결수단 제어장치; 상기 계통전원의 전압 및 위상을 측정하는 계통전원 전압 및 위상 측정부; 상기 모터/발전기부의 출력전압 및 위상을 측정하는 모터/발전기부 출력 전압 및 위상 측정부; 및 상기 모터/발전기부의 회전속도를 측정하기 위한 모터/발전기부 회전속도 측정부를 구비하며, 상기 제어장치는 상기 회로차단기도 제어하는 것을 특징으로 하는 플라이휠을 이용한 비상발전시스템.
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 광학용 초소형 구조물 어레이 금형의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 LIGA(in german, Lithographie-노광, Galvanoformung-전기도금, Abformung-사출성형) 공정과 열처리 공정을 이용하여 마이크로 렌즈 등의 구조물이 있는 광학용 초소형 구조물 어레이 금형의 제조방법에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 방사광 가속기의 X-선 1차 노광과 현상, X-선 2차 노광 그리고 열처리의 방법으로 마이크로 렌즈 등의 특정한 구조물이 있는 광학용 초소형 구조물 어레이 형태를 구현하고, 이를 바탕으로 전기도금을 통해 초정밀 금형을 제작하는 광학용 초소형 구조물 어레이 금형의 제조방법에 관한 것이다. LIGA 공정을 이용하여, 소정의 특정한 구조물이 있는 광학용 초소형 구조물 어레이를 사출성형하기 위한 금형 제조방법에 있어서, X-선 마스크를 이용하여 한번 또는 두번 이상 노광하는 단계; 상기 노광단계에서 노광된 시편을 현상하여 원하는 소정의 초소형 광학용 구조물 어레이 형태의 감광재 PMMA를 제작하는 PMMA 제작단계; 상기 PMMA 제작단계에서 제작된 초소형 광학용 구조물 어레이 형태의 감광재 PMMA에 다른 마스크를 사용하여 원하는 부분에 X-선 2차 노광하는 단계; 상기 2차 노광단계를 실시한 후에 열처리를 실시하여 상기 X-선에 의해 노광된 감광재의 부분만을 비노광된 부분에 대해 선택적으로 표면을 녹여 변형시켜 소정의 모양을 갖는 구조물을 제조하는 단계; 및 상기 제작된 PMMA 형상에 니켈 도금을 한 후 상기 PMMA를 녹여 실리콘 기판을 제거하여 해당하는 구조물 어레이 형태의 니켈 금형을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학용 초소형 구조물 어레이 금형의 제조방법.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 기타 산업용 전기전자
본 발명은 역률을 개선한 단일단 컨버터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단일단 컨버터는, 브리지 다이오드부(bridge diodes), 전압평활 콘덴서, 변압기 회로부, 메인스위치 및 역률 개선부를 포함하여 구성되는데, 브리지 다이오드부는 역률 개선부에 전류 통로를 제공하고 전기 에너지를 전압평활 콘덴서로 전달하며, 전압평활 콘덴서는 브리지 다이오드부에서 전달되는 전기 에너지를 저장한다. 메인스위치는 변압기 회로부와 함께 플라이백형, 포워드형 또는 하프브리지형 컨버터로 응용 가능하게 구성된다. 역률 개선부는 LC필터를 포함하며 입력전원에 연결된 두 개의 다이오드를 포함하며 이 다이오드들의 공통연결점이 궤환인덕터와 다이오드를 통해 변압기 회로부의 변압기 일차권선의 소정 위치에 연결되어 입력전류를 입력전압의 변화에 따라 증감시킨다. ; 이로써, 본 발명에 따른 단일단 컨버터는 입력단의 역률을 개선시킬 수 있다. 소정의 입력전원에 연결되는 역률개선부; 상기 역률개선부의 후단에 배치되어 이 역률개선부의 전류통로를 제공하는 브리지 다이오드부; 상기 브리지 다이오드부를 경유한 전기 에너지를 저장하는 전압평활 콘덴서; 상기 브리지 다이오드부와 전압평활 콘덴서 사이에 개재되는 변압기 회로부; 및 상기 브리지 다이오드부와 전압평활 콘덴서 및 변압기 회로부 각각에 연결되어 상기 변압기 회로부에의 전압 인가를 제어하는 메인스위치를 포함하고, 상기 역률개선부는 상기 입력전원에 연결된 두개의 다이오드와, 그 일단은 상기 두 다이오드의 공통접점에 연결되고 그 타단은 소정의 다이오드를 통해 상기 변압기 회로부의 변압기 일차권선의 소정 부위에 연결되는 궤환인덕터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 역률보상 단일단 컨버터.
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 산화아연과 이와 유사한 물질의 이종접합구조(heterostructure)의 산화아연계 나노선, 그 제조방법 및 응용에 관한 것이다. ; 본 발명 방법에 따라 제조되는 이종접합 나노선은 매우 뚜렷한 접합계면을 가질 뿐만 아니라 결함이 적어 전기적 특성과 광학적 특성까지 향상된다. 특히 산화아연 나노선에 다양한 물질을 접합하여 차세대 나노소자 제조가 용이하다. 예를 들어 이종 접합이 가능한 물질로 산화아연에 마그네슘(Mg), 카드늄(Cd) 및 망간(Mn) 등을 첨가하면, 밴드갭을 변화시킬 수 있을 뿐만 아니라 자성 특성을 띄기 때문에 이종접합 나노선을 이용하여 다양한 구조를 가지는 나노스케일의 전자소자 및 광소자를 제작하기가 용이하다. 이종접합구조의 산화아연(ZnO) 구성부재를 포함하되, 상기 산화아연(ZnO)은; 금속 또는 반도체 또는 유전체가 입혀진 산화아연 구성부재를 포함하거나, 또는 상기 산화아연(ZnO)에 망간(Mn) 또는 코발트(Co)의 전이금속을 도핑하여 자성 특성을 띄게 한 산화아연망간(Zn 1-x Mn x O(0≤x≤1)) 또는 산화아연코발트(Zn 1-x Co x O(0≤x≤1)) 또는 산화아연(ZnO)에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)이 첨가되어 밴드갭의 조절이 가능하도록 형성된 이종접합구조의 산화아연마그네슘(Zn 1-x Mg x O(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn 1-x Cd x O(0≤x≤1)) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합구조의 산화아연계 나노선.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 발명은 산화아연계 나노선에 관한 것으로서, 더 상세하게는 산화아연과 유사한 격자상수를 갖는 물질을 교대로 쌓아 만들어진 양자우물 및/또는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 질화물 반도체, 실리콘 카바이드, 산화아연마그네슘(Zn 1-x Mg x O(0≤x≤1))과 산화아연카드늄(Zn 1-x Cd x O(0≤x≤1)), 산화아연망간(Zn 1-x Mn x O(0≤x≤1)) 등의 물질로 되는 초격자 구조물을 지니는 산화아연계 나노선에 관한 것이다. ; 이를 위한 본 발명은, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(Mg) 또는 카드늄(Cd)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(Zn 1-x Mg x O(0≤x≤1)) 또는 산화아연카드늄(Zn 1-x Cd x O(0≤x≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지는 양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 점에 그 특징이 있다.양자 우물 또는 초격자 구조를 갖는 산화아연계 나노선으로서, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조는, 산화아연과 산화아연에 마그네슘(MG) 또는 카드늄(CD)을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 산화아연마그네슘(ZN 1-X MG X O(0≤X≤1)) 또는 산화아연카드늄(ZN 1-X CD X O(0≤X≤1)) 같은 두가지 이상의 물질들이 교대로 적층되어 이루어지고, 상기 양자 우물 또는 초격자 구조의 직경이 1~500NM이고, 상기 산화아연계 나노선은 금속촉매를 이용하지 않는 유기화학기상증착법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 산화아연계 나노선.
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
본 발명은 나노선과 이를 이용한 나노소자에 관한 것으로서, 특히 나노선 위에 p 타입과 n 타입의 동종접합, 혹은 이종 접합 구조나 양자우물 구조를 가지는 나노선 및 이를 이용한 나노소자에 관한 것이다. 여기서, 본 발명의 나노소자에는 나노 어레이(array) 및 나노 어레이를 통해 만들어진 고집적 회로가 포함된다.; 본 발명에 따른 나노선은 단일 나노선 안에 정공을 형성시키는 p-타입 영역과 전자를 생성시키는 n-타입 영역을 가짐으로써 나노선 하나 하나가 전계트랜지트터가 되며, 나노선 안에 이종접합구조로 이루어진 매우 얇은 층들을 겹겹이 쌓여진 양자우물구조 또는 초격자구조를 삽입하면 각각의 나노선이 레이저 다이오드나 공명터널링다이오드(resonant tunneling diode, RTD) 등의 나노소자가 된다. 또한 이러한 나노소자들의 어레이를 이용해 고집적회로를 제작할 수 있다. 증착법을 통해 동종접합 구조, 이종접합 구조, 양자우물 구조 또는 초격자 구조중에서 적어도 어느 한 구조를 가지는 나노선으로서, 상기 동종접합 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 p 타입 도핑을 하고 난 후에, n 타입 도펀트를 함유하는 전구체를 반응기로 주입하여 n 타입 도핑을 한 구조로 되고, 상기 이종접합 구조의 나노선 및 양자우물 구조 또는 초격자 구조의 나노선은, p 타입 도펀트를 첨가해서 p 타입 영역을 만들고 난 후, 밴드구조 혹은 밴드갭이 서로 다를 물질들에 해당하는 반응 전구제를 반응기로 교대로 주입하여 양자우물구조 또는 초격자 구조를 가지는 영역을 만들고, 그 다음 n 타입 도펀트를 첨가해서 n 타입 영역을 형성한 구조로 된 것을 특징으로 하는 나노선.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 Ni/Sb/Au 금속화 공정을 이용한 n-type 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서 저 접촉저항 오믹 메탈 전극 구조 및 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 메탈 전극 제조에 있어서, 실리콘 게르마늄 층상에 실리콘 캡핑 레이어를 형성하지 않고, Ni/Sb/Au 구조의 금속 전극을 직접 형성한 후, 열처리에 의한 Ni 실리사이드 형성 및 Sb 도핑효과의 결합을 통해 반도체 기판과 메탈 전극간 저 접촉 저항 특성을 구현할 수 있도록 하는 이점이 있다. 또한 상기 저 접촉 저항 특성을 이용하여 소오스와 드레인 전극을 증착하고, 열처리를 통해 오믹 접합을 형성시킨 후, 게이트 전극을 형성하는 일반적인 HEMT 제작 공정과는 반대로 게이트 전극을 소오스 및 드레인 전극 형성전에 형성하므로 폭이 더 미세한 게이트 전극의 형성이 가능하게 되며, 특성의 개선이 용이하게 되는 이점이 있다. 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서의 저 접촉저항 구현을 위한 메탈 전극 구조에 있어서, 실리콘 서브스트레이트와, 상기 실리콘 서브스트레이트층상에 형성되는 실리콘 시드 층과, 상기 실리콘 시드 층상에 형성되는 실리콘 게르마늄 층과, 상기 실리콘 게르마늄 층상에 저항 접촉을 위한 Ni 층과, 상기 니켈 층상에 증착되며 니켈 층에의 도펀트 작용을 위한 Sb 층과, 상기 안티몬 층상에 증착되어 전극을 연결하는 Au 층 을 포함하는 실리콘 게르마늄 반도체 기판에서 저 저항 메탈전극 구조.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기(deep-level transient spectroscopy)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 장비는 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조, 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침, 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부, 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 시료 지지부를 냉각하기 위해 시료 지지부 하부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부, 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부, 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대, 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 진공조 내에 고정 설치되는 수평 지지대, 및 탐침을 통해 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 온도 변화에 따른 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하여 구성된다.깊은 준위 과도 전기 용량 분광기에 있어서, 측정될 시료인 전극 패드가 노출된 반도체 소자 칩을 담는 진공조; 상기 진공조 내로 도입되어 전기적 연결을 위해 상기 반도체 소자 칩의 전극 패드에 접촉하는 탐침; 상기 진공조 내에서 상기 반도체 소자 칩을 지지하는 시료 지지부; 상기 시료 지지부의 냉각에 의해 상기 반도체 소자 칩을 77K까지 냉각시키기 위해 상기 시료 지지부에 연결되고 내부에 냉매가 순환되는 냉각부; 상기 시료 지지부의 가열에 의해 상기 반도체 소자 칩을 700K까지 승온시키기 위한 가열부; 상기 냉각 또는 가열에 따른 온도 변화에 의해서 상기 시료 지지부가 수평 방향으로 열 팽창 또는 수축하는 것을 억제하기 위해 상기 시료 지지부의 측면에 잇대어진 수평 지지대; 상기 수평 지지대가 고정되게 지지하기 위해 상기 진공조 내에 고정 설치되어 상기 수평 지지대에 연결된 수평 지지대; 및 상기 탐침을 통해 상기 반도체 소자의 전극 패드에 전기적으로 연결되어 상기 온도 변화에 따른 상기 시료의 정전 용량 변화를 측정하는 정전 용량 측정기를 포함하는 것을 특징으로 하는 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
Ir을 열처리에 의해 산화시켜 형성된 전도성 산화물을 포함하는 게이트 전극을 갖춘 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 위에 형성되고 상기 제1 질화물계 반도체층과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제2층과, 상기 제2층 위에 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 상기 제2층 위에 형성되고, Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 포함한다. Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 형성하기 위하여, 먼저 상기 패터닝된 질화물계 반도체층 위에 Ir 함유 금속층을 형성한다. 그 후, 상기 Ir 함유 금속층을 열처리한다. 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 200 ∼ 600℃의 온도로 행해진다. 상기 Ir 함유 금속층의 열처리는 RTP 장치를 이용하여 행해지며, 산소, 질소 또는 아르곤 분위기하에서 행해진다.기판과, 상기 기판 위에 형성된 제1 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제1층과, 상기 제1층 위에 형성되고 상기 제1 질화물계 반도체층과는 다른 격자 상수를 갖는 제2 질화물계 반도체층으로 이루어지는 제2층과, 상기 제2층 위에 형성된 소오스 및 드레인 전극과, 상기 제2층 위에 형성되고, Ir 함유 물질로 이루어지는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 알리아스 효과(alias effect)를 이용한 심박동 변이 신호의 내삽 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 예를 들어 성인과 태아의 심박동 변이 신호에서 발생되는 신호의 손실을 알리아스 효과를 이용하여 내삽함으로써 손실된 신호의 내삽 과정에서 신호의 선형적인 특징을 최대로 반영하고 잡음의 영향을 최소화함은 물론 FFT(Fast Fourier Transform)를 이용해서 빠른 속도로 신호 처리할 수 있도록 한 알리아스 효과를 이용한 심박동 변이 신호의 내삽 방법에 관한 것이다. ; 이를 위한 본 발명은 심박동의 비정상 변이에 대한 문턱치를 결정하기 위해 심박동 신호의 차분에 대한 절대값을 히스토그램으로 표현하는 단계와; 상기 심박동 신호의 변이의 폭이 증가함에 따라 감소하는 데이터 개수의 감소율이 최소가 되는 곳을 비정상 변이의 문턱치로 결정하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 한다.심박동 변이 신호의 내삽 방법에 있어서, 심박동 신호의 비정상 변이에 대한 문턱치를 결정하기 위해 심박동 신호의 차분에 대한 절대값을 히스토그램으로 표현하는 단계; 상기 심박동 신호의 변이의 폭이 증가함에 따라 감소하는 데이터 개수의 감소율이 최소가 되는 곳을 비정상 변이의 문턱치로 결정하는 단계; 상기 심박동 변이에 포함된 비정상 변이를 찾아서 0으로 처리하는 단계; 상기 심박동 변이에 포함된 비정상 변이의 구간중에서 0을 포함하고 있는 각 구간에서 0의 개수와 0이 시작되는 데이터 인덱스를 저장하는 단계; 상기 심박동 변이 신호에 포함된 0을 제거한 후 0이 없는 데이터를 구성하는 단계; 0의 개수에 따라 내삽 순서를 결정하는 단계; 0이 작은 구간부터 내삽을 하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 심박동 변이 신호의 내삽 방법.
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- 2007-08-10
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
갈륨 나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판 상에 p형 갈륨 나이트라이드층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 p형 갈륨 나이트라이드층 상에 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 형성한다. 상기 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 열처리하여 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 p형 오믹 전극을 형성한다. 갈륨 나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극으로 Ni/Au/ITO막의 삼중막으로 구성할 경우 Ni/Au막으로 인해 접촉 저항을 낮출 수 있고 투명 전도성 산화물인 ITO막으로 인해 투명성도 높일 수 있고 발광 효율도 높일 수 있다. 기판 상에 P형 갈륨 나이트라이드층을 형성하는 단계; 상기 P형 갈륨 나이트라이드층 상에 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 열처리하여 삼중막(NI/AU/ITO막)으로 P형 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 P형 오믹 전극의 제조방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 기술은 빛 손실 문제를 해결하기 위한 반사 억제층을 구비하여 빛 발산이 향상된 갈륨 나이트라이계 광소자에 관한 기술로, 갈륨 나이트라이드계 광소자는p-GaN막 상의 p형 전극 위에 반사 억제층을 형성함으로써 광출력이 증가되고, 제조 공정시는 금 와이어 본딩시 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율저하를 방지할 수 있다.이를 위해 본 기술은 기판 상에 형성된 n-GaN막, 상기 n-GaN막 상에 형성된 활성층, 상기 활성층 상에 형성된 p-GaN막, 상기 p-GaN막, 활성층 및 n-GaN막을 선택적으로 식각하여 상기 n-GaN막을 노출하도록 마련된 트랜치 내에 형성된 n형전극, 상기 p-GaN막 상에 형성된 p형 전극, 상기 n형 전극 및 p형 전극의표면 일부에 형성된 본딩 금속 패턴 및 상기 p형 전극의 표면, 트랜치의 측벽 및 n형 전극 상에, 상기 활성층에서 발산된 빛이 반사되지 못하게 함과 아울러 금 와이어 본딩시 금 와이어 본딩 금속과 상기 트랜치의 측벽이 단락되는 것을 방지하도록 Si3N4층 또는 SiOxNy층으로 형성된 반사 억제층을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자로 구성된다.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 비수용성 고분자의 금속-고분자 나노복합체에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 금속-고분자 나노복합체는 (a) 금속염 또는 금속 산화물염과 이소프로필 알코올 (Isopropyl Alcohol), 에탄올 (Ethanol) 및 에틸렌 글리콜 (Ethylene Glycol)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매와 물 및 고분자 안정제를 혼합하는 단계; (b) 상기 (a) 단계로부터 얻어진 결과물을 질소 가스로 정화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계로부터 얻어진 결과물에 감마선 처리를 하여 침전물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계의 결과물로부터 용매를 제거하고 진공 건조시켜 금속-고분자 나노복합체를 제조하는 단계에 의하여 제조된다. ; 본 발명에 의하면, 실온에서 균일한 입자 특성 (입자 크기 및 크기 분포, 입자 모양 등)을 갖는 금속-고분자 나노복합체를 제조할 수 있다. 또한, 기존에 보고된 모노머를 이용하여 금속-고분자 나노복합체를 제조하는 방법이 아니기 때문에, 고분자의 종류를 더욱 다양하게 할 수 있고 분자량의 조절도 용이하게 할 수 있다.청구항 1항 금속-고분자 나노복합체를 제조함에 있어서, (a) 금속염 또는 금속 산화물염과 이소프로필 알코올, 에탄올 및 에틸렌 글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매와 물 및 고분자 안정제를 혼합하는 단계; (b) 상기 (a) 단계로부터 얻어진 결과물을 질소 가스로 정화하는 단계; (c) 상기 (b) 단계로부터 얻어진 결과물에 감마선 처리를 하여 침전물을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 (c) 단계의 결과물로부터 용매를 제거하고 진공 건조시켜 금속-고분자 나노복합체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속-고분자 나노복합체의 제조 방법.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 전기전자재료
본 발명은 작은 물체를 이동 및 조립 할 수 있는 초소형 그리퍼(micro gripper)에 관한 것으로서, 특히 정전력을 이용한 초소형 그리퍼에 관한 것이다.; 이를 위한 본 발명은, 대상물체를 정전기력으로 고정하기 위하여 동일 기판위에서 제조된 외부전극 및 내부전극과; 상기 내부전극의 움직임이 가능하도록 상기 기판과 연결되어 상기 내부전극을 지지하는 적어도 하나 이상의 탄성지지체와; 상기 내부 전극을 상기 대상 물체로부터 소정 거리 이동시켜 상기 대상 물체를 원하는 위치에 놓기 위하여 상기 기판에 상기 외부전극 및 내부전극과 같이 형성된 초소형 액츄에이터를 포함하여 된 것을 특징으로 한다. ; 이로써, 본 발명은 상기 내부전극, 외부전극, 탄성지지체 및 초소형 액츄에이터를 초소형기계가공기술을 이용하여 일괄공정에 의하여 대량생산 할 수 있으며, 정전형 그리퍼의 소형화, 대량생산으로 인한 가격절감, 배열배치를 통한 작업속도 향상 등을 할 수 있으므로 초소형 그리퍼 어셈블리의 가격절감 등의 이점을 제공한다. 정전력을 이용한 초소형 그리퍼에 있어서, 대상물체를 정전기력으로 고정하기 위하여 동일 기판위에서 제조된 외부전극 및 내부전극; 상기 내부전극의 움직임이 가능하도록 상기 기판과 연결되어 상기 내부전극을 지지하는 적어도 하나 이상의 탄성지지체; 상기 내부 전극을 상기 대상물체로부터 소정 거리 이동시켜 상기 대상 물체를 원하는 위치에 놓기 위하여 상기 기판에 상기 외부전극 및 내부전극과 같이 형성된 초소형 액츄에이터;를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 정전력을 이용한 초소형 그리퍼.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 전기전자재료
본 발명은 압전체(piezoelectric material) 및/또는 음극축전기 분기회로를 이용하여 진동 및/또는 소음 등을 다중모드로 감쇠시킬 수 있는 음극축전기 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 관한 것이다. 한편, 본 발명은 가볍고 설치가 용이하고 제조 및 설치단가가 저렴한 압전체 재료를 사용하여 스키, 테니스라켓, 골프채 등과 같은 스포츠용품과 자동차, 선박, 항공기, 우주선 등의 소음과 진동을 다중모드로 감쇠할 수 있는 음극축전기 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 관한 것이다. ; 이를 위한 본 발명은, 저항 소자와 음극축전기 소자로 이루어진 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 있어서, 힘과 압력 및 스트레스와 같은 기계적 에너지에 의해 진동과 소음을 일으키는 구조물과; 상기 구조물에 부착되며 상기 진동 및 소음으로 인한 스트레스에 의해 전기에너지를 발생하고 소정의 전기에너지가 그 자신에 인가될 때 형태의 변형을 일으키는 압전체; 및 상기 압전체에 연결되어 상기 압전체에서 발생된 전기에너지를 상기 압전체에 피드백시켜 상기 압전체의 변형을 유도하는 분기회로 수단;을 포함하여 된 것을 특징으로 한다. 저항 소자와 음극축전기 소자로 이루어진 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기에 있어서, 힘, 압력 및 스트레스와 같은 기계적 에너지에 의해 진동과 소음을 일으키는 구조물; 상기 구조물에 부착되며 상기 진동 및 소음으로 인한 스트레스에 의해 전기에너지를 발생하고 소정의 전기에너지가 그 자신에 인가될 때 형태의 변형을 일으키는 압전체; 상기 압전체에 연결되어 상기 압전체에서 발생된 전기에너지를 상기 압전체에 피드백시켜 상기 압전체의 변형을 유도하는 분기회로 수단;을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 음극축전기 분기회로를 이용한 다중모드 감쇠기.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 광전자
본 발명은 양극 산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조 전계방출 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 즉 본 발명은 유리 및 웨이퍼 기판위에 각 전극과 알루미늄층을 형성하고 양극 산화를 통해 알루미나층에 다수의 나노미터 단위 미세 홀을 형성한 후, 각 미세 홀내에 전계방출을 위한 에미터를 제조하고 양극용 최상부 전극을 알루미나 층위에 밀폐 형성시켜 일체화된 진공 미세 3극 구조의 전계방출 소자를 구현함으로써, 종래의 전자 빔 리소그라피 방법을 이용하지 않고도 일정한 크기와 배열을 가지는 미세 홀을 얻을 수 있으며, 또한 낮은 전압에서도 높은 전류밀도를 가지는 소자를 얻을 수 있게 되는 이점이 있다.양극산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조를 가지는 전계방출 소자로서, 지지층 상부에 증착 형성되어 전계 방출 소자의 음극으로 사용되는 하부 전극층과; 균일한 전계방출 특성을 위해 상기 하부 전극 상부에 증착 형성되는 저항층과; 게이트 홀로 사용되는 다수의 미세 홀이 형성된 게이트 절연층과; 상기 게이트 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극층과; 상기 게이트 전극 상부에 절연층으로, 게이트 절연층의 홀과 단일채널을 이루는 알루미나층과; 구조의 밀폐와 양극으로 사용되는 상부 전극층과; 상기 게이트 절연층에 형성된 각 미세 홀 내 생성되며, 고 전계에서 전자를 방출하는 에미터 를 포함하는 일체형 3극 구조 전계방출 소자.
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에서 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 산화아연 나노막대 및 기타 나노막대에 특정 파장을 가지는 레이저 빔을 조사시켜 나노막대와 기재의 선택흡수에 의해 발생하는 열팽창 차이로 인한 응력을 이용하여 기재와 나노막대를 분리시킴으로써 고밀도 고효율의 나노소자 개발에 적용할 수 있도록 한 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 관한 것이다. ; 본 발명은 레이저를 크게 흡수하지 않고 투과할 수 있는 기재위에 반도체 나노막대를 성장시키고 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 기재에서 분리시킴으로써 크기가 균일한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 방법으로서, 레이저가 크게 흡수되지 않고 투과할 수 있는 기재위에 성장된 반도체 나노막대를 레이저를 이용하여 분리시키는 본 발명의 방법에 의하면 두께가 균일하고 길이가 일정한 나노막대를 대량으로 생산할 수 있는 장점이 있다. 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법에 있어서, 레이저를 흡수하지 않고 투과시키는 기재위에서 나노막대를 성장시키는 단계; 상기 단계에서 성장된 나노막대를 레이저를 이용하여 상기 기재에서 분리시키는 단계를 포함하고, 상기 기재위에서 성장되는 나노막대의 재질은 레이저를 흡수하는 재질인 ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본나노튜브 중의 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저를 이용하여 기재로부터 나노막대를 분리시키는 방법.
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- 2007-08-10
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일반기술
전기·전자 > RF 소자* (F63)
본 발명은 룩어헤드 디시젼 피드백 이퀄라이징 기법을 이용한 수신기에 관한 것으로, 입력데이터의 판정 결과로 나올 복수의 신호를 미리 입력받아 판정 결과 신호별로 외부입력데이터의 고주파 성분을 증폭하여 출력하는 이퀄라이징 블록과, 외부입력데이터에 동기된 외부입력클록을 인가 받아 샘플링 클록의 위치 조정값이 반영된 복수의 샘플링 클록을 출력하는 클록 합성기와, 샘플링 클록의 위상에 동기되어 판정 결과 신호별로 이퀄라이징 블록의 출력을 오버 샘플링하여 출력하는 오버 샘플러와, 피드백된 이전 입력데이터의 판정 결과 신호에 따라 오버 샘플러의 출력 신호 중에서 해당 판정 결과 신호의 데이터를 선택하여 출력하는 막스 블록과, 막스 블록의 출력 데이터에 의거하여 샘플링 클록의 위치 조정값을 판정하는 위상 판정기를 포함하고, 룩어헤드 디시젼 피드백 이퀄라이징 기법을 이용하여 고주파 성분의 감쇠를 보상하여 수신 신호의 시간 마진과 전압 마진을 증가시키는 작용의 고속 구현이 가능하며, 고주파 성분 감쇠를 보상한 결과 신호를 오버 샘플링하여 그 결과로 적절한 클록의 샘플 타이밍을 추출해 냄으로써 전송 채널의 고주파 신호 성분 감쇠를 극복하고, 클록과 데이터의 지연시간 차이를 극복하면서 고속 동작이 가능한 이점이 있다. 입력데이터의 판정 결과로 나올 복수의 신호를 미리 입력받아 상기 판정 결과 신호별로 외부입력데이터의 고주파 성분을 증폭하여 출력하는 이퀄라이징 블록과, 상기 외부입력데이터에 동기된 외부입력클록을 인가 받아 샘플링 클록의 위치 조정값이 반영된 복수의 샘플링 클록을 출력하는 클록 합성기와, 상기 샘플링 클록의 위상에 동기되어 상기 판정 결과 신호별로 상기 이퀄라이징 블록의 출력을 오버 샘플링하여 출력하는 오버 샘플러와, 피드백된 이전 입력데이터의 판정 결과 신호에 따라 상기 오버 샘플러의 출력 신호 중에서 해당 판정 결과 신호의 데이터를 선택하여 출력하는 막스(MUX) 블록과, 상기 막스 블록의 출력 데이터에 의거하여 상기 샘플링 클록의 위치 조정값을 판정하는 위상 판정기를 포함하는 룩어헤드 디시젼 피드백 이퀄라이징 기법을 이용한 수신기.
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- 포항공과대학교
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- 2007-08-10
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