산업기술 통합검색
본 기술은 반도체 장비와 호스트 사이에 전송되는 메시지 변환 방법에 관한 것으로, 특히 여러 반도체 장비들에 대한 효율적인 모니터링이 수행될 수 있도록 SECS-Ⅱ 메시지를 규격화된 데이터 포맷으로 변환하는 반도체 장비와 호스트 사이에 전송되는 메시지 변환 방법을 제공하는데 있다. 본 기술은, 반도체 장비와 호스트 사이에 전송되는 SECS-Ⅱ 메시지를 수신받아 SECS-Ⅱ 메시지의 헤더 및 데이터를 분석하는 단계, 그 메시지 내에 포함된 데이터를 기 설정해 놓은 자기기술(Self Description) 각 요소에 매핑하는 단계, 그리고 자기기술 요소에 매핑시킨 메시지 데이터를 XML 형태로 변환하는 단계로 구성된다.
원리및 구성 : 본 기술은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 관통전위를 줄이기 위해 많은 방법의 하나로 기판상에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 형성하여 줌으로써 그 꼭지점 주위로 관통 전위를 집중시킨 후에 여러 가지 방법을 통하여 전위가 성장하는 것을 막아주어 관통전위가 적은 질화물을 이용한 발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패터닝 된 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 기판상에 요철을 가지는 결함이 적은 질화물 박막을 사용하여 발광소자를 구현함으로써 기판상의 산란 회절 효과를 증대 시켜 광 추출효율을 증대 시킬 수 있으며 결함이 적어짐으로 인해 고신뢰성, 고휘도의 질화물계 발광 소자를 제공할 수 있다중요성 및 독창성 : 본 기술은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써, 본 발명의 목적은 기판에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 적용하여 관통전위를 줄이기 위한 것으로 관통전위가 적은 고품위 질화물계 발광소자를 제공하는 데 있다.발명의 구성 : 본 기술의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패터닝 된 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 기판은 실리콘, 실리콘카바이드 및 사파이어 중 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 꼭지점을 가지는 패턴의 평면은 원형, 삼각형, 사각형 및 다각형 중 선택되는 1종의 형상을 구비한다. 기판 상부에는 제 1질화물 박막이 성장되고, 상기 제 1질화물 박막 중 하부에 기판에 형성된 꼭지점이 위치한 부분은 선택적으로 식각되거나, 상기 제 1질화물 박막 중 하부에 기판에 형성된 꼭지점이 위치한 부분은 하부에 위치한 꼭지점의 일부와 동시에 선택적으로 식각되는 것이 바람직하다. 본 기술에서 상기 기판에 형성된 꼭지점 주위에 유전체막을 패터닝 하고, 상기 유전체막은 단일층 또는 복층으로 구성되는 것이 바람직하다. 적용 제품 및 경쟁 제품 : 일본 니치아와 국내 삼성에서 패턴된 사파이어 기판을 이용한 고휘도 발광소자에 대한 기술을 갖고 있다. 이 기술은 이것들에 대응하여 광산란을 증가 시킴과 동시에 결함이 적은 에피를 성장 할 수 있는 방법을 제공한다. 따라서 이 기술을 적용하여 고휘도 발광소자를 개발 할 수 있으며, 신뢰성 향상등을 기대 할 수 있다. 주로 , 신호등이나 BLU등에 들어가는 고휘도, 고신뢰성 발광소자 제작에 사용 될 수 있을것이다.
본 발명은 기존의 LED교통신호등의 문제점인 수명 및 이빨빠짐 현장과 과다한 유지비용을 개선하기 위해 LED조광기의 이중회로 설계로 수명을 두배 향상시키고 균일한 빛의 분포를 위한 광섬유을 이용한 광확산판 및 광도파를 설계하여 보다 적은 전력소모와 유지 및 설치의 간편화를 꾀하여 LED교통신호등을 대체할 수 있는 기술임.
본 기술은 차량 내부를 자외선으로 살균할 수 있는 차량의 살균장치에 관한 것으로, 시동 상태 검출부와 도어록 상태 검출부가 발생하는 신호에 따라 제어신호를 발생하는 살균제어모듈과, 살균제어모듈이 발생하는 제어신호에 따라 미리 설정된 시간을 카운트하는 타이머부 및 타이머부가 카운트함에 따라 자외선을 방사하여차량 내부를 살균하는 자외선 살균부를 포함한다. 본발명의 효과는 차량 내부를 항상 청결하게 유지할 수 있게 된다.
본 발명은 객차내의 승객들에게 객차의 운행관련 정보 등과 같은 안내정보를 복수의 모니터에 표시하는 승객 안내시스템에 에러가 발생하여 동영상 파일을 재생 하지 못할 경우에 이를 검출하여 리셋시키는 것으로서 동영상 재생 제어부의 제어 에 따라 동영상 재생부가 동영상 파일을 재생할 때 방영시간 해석기가 동영상 재생 제어부로부터 해당 동영상 파일의 방영시간을 제공받아 최대 대기시간을 결정하고, 결정한 최대 대기시간이 경과될 때까지 다음에 재생하는 동영상 파일의 방영시간을 동영상 재생 제어부가 제공하지 않을 경우에 에러 처리부가 시스템 리셋 신호를 발 생하여 승객 안내시스템을 리셋시킨다. 승객 안내시스템의 동작에 에러가 발생하여 동영상 파일을 재생하지 못할 경우에 에러의 발생을 바로 확인하고, 시스템 리셋 신호를 발생 하여 시스템을 초기화시킴으로써 에러의 발생으로 인하여 데이터베이스에 저장된 다음의 동영상 파일들을 모두 재생하지 못하게 되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
본 기술은 웨이퍼 척에 관한 것으로, 공기압에 의해 비접촉식으로 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척 조립체에 관한 것이다.본 기술에 따른 비접촉식 웨이퍼 척 조립체는, 디스크 형상이고, 내부에 형성된 팬챔버와, 상면으로 개방되며 방사상 등간격으로 배치된 복수의 지지챔버와, 팬챔버와 복수의 지지챔버를 연결하는 연결통로가 각각 형성된 척과, 척의 팬챔버에 삽입되어 회전하는 원심팬을 포함하여 이루어진다. 본 기술은 지지챔버 내에서 공기의 소용돌이가 형성되도록 함으로써, 지지챔 버의 중심부는 웨이퍼를 하향시키는 힘을, 주변부는 웨이퍼를 상승시키는 힘을 각각 작용시키도록 할 수 있다. 따라서 얇은 웨이퍼에 대해서도 그 변형을 최소로하면서 비접촉식으로 지지하는 것이 가능하고, 결과적으로 최종 완제품으로서의 반도체칩에 대한 불량율을 현저히 감소시킬 수 있다.
본 기술은 웨이퍼 척에 관한 것으로, 전자기력을 이용하여 웨이퍼와 접촉되는 부분을 최소화함으로써 웨이퍼의 변형을 최소화하고, 웨이퍼의 손상에 따른 파티클 발생을 최소화하도록 한 웨이퍼 척 조립체에 관한 것이다. 전자기력을 이용하여 웨이퍼와 접촉되는 부분을 최소화하도록 웨이퍼를 지지함으로써 웨이퍼의 변형을 최소화하고, 웨이퍼의 손상에 따른 파티클 발생을 최소화함으로써 반도체 소자의 공정불량률을 최소화할 수 있는 이점이 있다.
본 발명은 좌변기에 있어서, 전자식 자동출수조절 시스템을 구비하여 사용자의 조작없이 대소변에 따라 적당한 양의 물만을 배출시켜 물을 절약할 수 있는 좌변기를 제공하는 데 그 목적이 있다. 배설물을 배출하는 배출부와, 배출부의 상부에 설치되어 상하로 선회하는 안착부와, 안착부를 덮으며 상하로 선회하는 덮개부 및, 물을 저장하는 저수조를 포함하는 좌변기에 있어서, 저수조의 주위에 설치되어 사람의 접근을 감지하는 접근감지센서 와, 배출부의 안쪽 측면에 설치되어 빛을 투광하는 투광소자 와, 투광소자 와 대응하는 위치에 설치되어 투광된 빛을 수광하는 수광소자 및, 접근감지센서로부터 사람이 접근한다는 제 1 신호를 입력받고 접근한 사람이 멀어진다는 제 2 신호를 입력받으면 저수조에 저장된 물을 배출시키며, 수광소자에서 수광된 빛의 형태에 따라 저수조에서 배출하는 물의 양을 달리하도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자식 자동출수조절 시스템을 구비한 좌변기가 제공된다.
본 기술은 로봇손가락(Robot finger) 및 로봇손(Robot hand)에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 연동하는 각 관절의 베벨기어 메카니즘으로 인간의 자연스러운 손동작을 구현함으로써 의수(義手)에 적용되거나 휴머노이드 로봇(Humanoid robot)의 로봇손가락 및 로봇손에 적용될 수 있는 로봇손가락 및 이를 포함한 로봇손에 관한 것이다. 본 기술에 따른 로봇손가락은 하나의 모터로 베벨기어가 구비된 3개의 관절을 연동시킬 수 있어 손가락구조가 단순해지고 제조비용을 낮출 수 있는 이점이 있다. 또한, 본 기술에 따른 로봇손가락을 포함한 로봇손은 베벨기어 및 평기어로 이루어지는 비교적 단순한 메카니즘으로 인간의 손동작과 유사한 동작을 효율적으로 수행할 수 있는 이점이 있다.
<기술의 개요>본 기술은 마이크로파를 이용한 폴리에테르 술폰 수지의 제조방법에 관한 것으로, 2가 페놀 화합물의 디알칼리 금속염과 디할로게노디페닐 술폰을 유기용매에 용해시킨 후 중합시켜 폴리에테르 술폰 수지를 제조함에 있어서, 유기용매로서 비양자성 극성 유기 용매를 사용하고, 마이크로파를 조사하여 저온에서 중합반응을 수행할 수 있으며, 빠른 시간 내에 품질이 우수한 고분자량의 폴리에테르 술폰 수지를 제조할 수 있고, 제조된 폴리에테르 술폰 수지의 정제가 용이하게 이루어지므로 제조 공정상에 다양한 이점을 기대할 수 있는 개선된 폴리에테르 술폰 수지의 제조방법에 관한 것이다.폴리에테르 술폰 수지는 전기, 전자 부품 및 기타분야에 유용한 슈퍼 엔지니어링 플라스틱이다. 최근 들어, 이들의 뛰어난 내열성, 기계적 특성, 전기적 특성, 성형 안정성, 가공성, 광학 특성 등을 이용하여, 회로판, 광학디스크, 자기 디스크 등과 같은 디스크용지지 기질, 전기 절연 보호 필름, 다중층 판용 절연 필름, 폐쇄 회로용 적층간 절연 필름 등을 포함하는 전기 및 전자 부품 분야에서 그의 수요가 급격히 중가하고 있다.<기술의 특징 및 장점>본 기술에 의하면 유기용매 중에서 2가 페놀 화합물의 디알칼리 금속염과 디할로게노디페닐 술폰의 중합반응에 의하여 폴리에테르 술폰 수지를 제조함에 있어서, 비양자성 극성 유기 용매를 사용하고, 900 MHz ∼ 2.45 GHz의 주파수를 갖는 마이크로파를 조사함으로써, 저온에서 중합이 가능하며, 중합속도를 높일 수 있다. 고순도이면서 점도가 높은 폴리에테르 술폰 수지를 제조할 수 있으며, 외부가열 장치를 간략화 할 수 있으므로 그 활용 효과가 매우 클 것으로 기대된다.비양자성 극성 유기 용매를 사용함에 따라 폴리에테르 술폰 수지의 정제 역시 기존의 경우보다 간단한 공정에서 수행될 수 있으므로, 본 발명이 산업공정에 적용될 경우 경제적 효과가 우수할 것으로 예상된다.
양극산화 알루미늄 템플레이트와 전기도금법을 이용하여 나노로드를 제조하는 방법으로 나노크기의 미세공들이 형성된 양극산화 알루미늄템플레이트를 이용하여 이를 전기도금욕에 넣고 직류 전기도금법으로 금속이 충진시켜 나노로드를 제조하는 것으로 종래의 채움특성이 좋지 않은 문제점을 해결한 기술임.
컬러 브라운관의 부품인 새도우마스크의 재조방법에 관한 기술로 기존의 새도우마스크에 열차단층과 전자반사층을 구성하는 재료에 대한 제조방법 기술로 브라운관 생산이 중국과 인도로 이전되고 있으나 그 원천 기술과 설비를 제공하는 것은 일본과 한국의 브라운관 제조업체임. 국내 브라운관 업체의 해외 설비 투자와 더불어 평가기술을 새로운 적용하는 기회를 찾을 수도 있을 것으로 보인다.
<기술의 개요>본 기술은 비활성 기체를 포함하는 혼합 기체가 충진된 금속 이온 챔버를 이용하여 철판 두께를 측정할 수 있는 철판 두께 측정용 방사선 센서에 있어서 내부에 와이어 형태의 수집 전극을 사용하는 것을 특징으로 하는 내부 압력이 낮고 효율적인 측정이 가능한 철판 두께 측정용 방사선 센서 및 상기 방사선 센서를 이용하여 철판 두께를 측정하는 방법에 관한 것이다. 본 기술에 의하면 이온 챔버 내부의 수집 전극으로 인한 공간의 손실을 보완하여 이온 챔버의 내부 압력을 줄이 수 있고, 나아가 이온 챔버 내부의 이온화된 기체 이온 및 전자의 트리프트 속도를 향상시켜 적은 양의 비활성 기체로도 높은 측정 감도를 나타낼 수 있는 효율적인 방사선 센서를 제공할 수 있다.<기술의 특징>비활성 기체가 충진된 금속 이온 챔버, 이온 챔버의 방사선 입사면에 위치한 방사선 입력부, 이온 챔버 내벽면측에 내벽과 접촉하지 않도록 설치되는 금속 고전압 전극, 고전압 전극을 지지하는 세라믹 지지대 지지 볼트, 이온 챔버 내부에 설치된 금속 수집 전극 및 신호처리부를 포함하는 철판 두께 측정용 방사선 센서에 있어서, 수집 전극은 이온 챔버의 후면으로부터 별도의 지지 장치 없이 내부에 삽입된 와이어 형태의 전극을 사용하는 것을 특징으로 하는 내부 압력이 낮고 효율적인 측정이 가능한 철판 두께 측정용 방사선 센서이다.
<기술의 개요>본 기술은 방사선 측정용 반도체 센서와 현장에서 센서의 방사선 피폭값을 비접촉 방식으로 시간 측정하기 위한 RF-ID(Radio Frequency- Identification)모듈로 구성된 RF-ID 방식 비접촉 실시간 방사선 측정기에 관한 것으로 방사선의 측정시간 단축과 정확성 향상, 그리고 측정 작업자의 안전성 제고를 목적으로 한다.<기술의 특징>고준위 방사선 작업 환경에 대한 보다 정밀한 방사선 정보를 제공하기 위해서는 다양한 지역에 설치할 많은 수의 방사선 센서가 필요하다. 그러나 다수의 센서 설치로 인해 방사선에 피폭된 방사선 센서의 수거 및 측정에는 상당한 시간이 소요됨. 또한 센서 자체가 방사화되어 방사선원으로 작용하므로 수거 및 측정 시 작업자가 예기치 않게 방사선에 피폭될 수 있으며 작업중 방사선환경에서의 노출 위험성 또한 상존한다.이와 같은 문제점을 해결하기 위해 방사선 측정에서의 정확성과 실험자의 안전성을 향상시키고 방사선 측정 시간을 감소시킬 수 있는 비접촉식 실시간 방사선 측정기를 고안하였다.위와 같은 목적을 달성하고 종래의 결점을 제거하기 위한 과제를 수행하는 본 기술제안의 구성은 다수의 방사선 센서로부터 방사선 정보를 측정하는 장치에 있어서, 피폭 방사선의 누적량 정보를 제공하는 pMOSFET(p-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)칩과, 방사선 피폭시 pMOSFET에서 요구되는 정전압 인가회로와 방사선 피폭량 추출시 필요한 정전류 인가 및 출력회로, Reader 모듈이 접근할 경우 태그(Tag) 모듈내 생성된 유도된 전압을 시용하여 pMOSFET 인가모드로부터 측정 모드로 변환시키는 스위칭 회로, 그리고 추출된 방사선 값을 기록하는 RF-Tag 칩(Chip)을 포함하는 TAG 모듈과 TAG에 기록된 방사선량의 정보를 비접촉 방식으로 실시간 읽어오는 리더(Reader)모듈로 구성되어 고준위 지역에서의 방사선 정보를 추출용 pMOSFET 센서의 측정에 있어 비접촉 방식을 도입함으로써 안전하고 신속 정확한 RF-ID 방식 비접촉 실시간 방사선 측정기이다.본 기술은 RF-ID 방식의 방사선 측정에의 적용하여 비접촉식으로 측정할 수 있는 기술을 구성함에 있어 Reader에서 Tag로 전달되는 유기전압을 Tag에서의 전원으로 사용하는 일반적인 RF-ID 방식의 적용과는 달리 유기된 전압을 pMOSFET에 대한 모드(Mode)의 변환 신호로서 발명한 점이 특징이다.
○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자구조와 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 계열의 기재의 상측에 트리 테트라메틸 헵타네디오나토 이트륨(Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato)Yttrium(Ⅲ))과 메틸사이크로 펜타디에닐 망간 트리카보닐((CH3C5H4)Mn(CO)3)을 각각 열분해한 후 화학반응기안에서 산소와 함께 반응시켜 이트륨망간네이트(YMnO3)층을 형성한후, 이트륨망간네이트(YMnO3)층을 절연층으로 사용하여 이 상측에 스트론튬비스무스탄탈레이트(SrBi2Ta2O9)층을 물리적인 증착방법으로 형성하여 이루어지는 반도체 기억소자구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을수 있으며 고온에서 안정한 계면상태를 유지하여 실리콘의 산화도 억제되고 각층의 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이러한 구조는 탁월한 신뢰성을 가진 반도체 기억소자로서 활용될 수 있는데, 특히 비휘발성 강유전체 전계효과 기억소자로서 뛰어난 기능을 가진다.
○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 계열(폴리 실리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 열분해에 의해 증착하여 루테늄(Ru)층을 형성한 다음, 루테늄(Ru)층의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 산화루테늄(RuO 2 )층을 형성한 후, 산화루테늄(RuO 2 )층의 상측에 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH 3 ) 3 (CH 3 C 5 H 4 )Pt )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 백금(Pt)층을 형성하여 이루어 지는 반도체 기어소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 넓은 면적의 증착과 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을 수 있으며, 고온에서 안정한 계면상태를 유지하며 폴리실리콘의 산화도 억제되고 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이 전극구조는 유전체와 폴리실리콘과의 적층을 위한 하부전극 및 장벽층으로 활용할 수 있다.
○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자용 전극구조의 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 계열(폴리 실리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 열분해에 의해 증착하여 루테늄(Ru)층을 형성한 후, 루테늄층의 상측에 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH 3 ) 3 (CH 3 C 5 H 4 )Pt )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 백금(Pt)층을 형성하여 이루어 지는 반도체 기억소자용 전극구조의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 넓은 면적의 증착과 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을 수 있으며, 고온에서 안정한 계면상태를 유지하며 폴리실리콘의 산화도 억제되고 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이 전극구조는 유전체와 폴리실리콘과의 적층을 위한 하부전극 및 장벽층으로 활용할 수 있다.
○ 기술발명의 목적 본 기술은 이러한 종래의 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로서, 비휘발성 FRAM의 커패시터에 PZT 박막을 적용함에 있어 피로현상을 완화하고 잔류 분극 값을 증가시키며 항전계 값을 감소시킬 수 있는, PZT 박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자와 그의 제조방법을 제공함에 목적이 있다.○ 기술 요약 및 특징 본 기술은 백금층이 형성된 실리콘 계열의 기재 표면에 레드루테늄옥사이드를 형성함으로써, 높은 잔류분극 값과 낮은 항전계 값을 갖는 강유전체 PZT 박막을 얻을 수 있고 백금(Pt)과 PZT의 상호반응을 억제함으로써 PZT의 화학양론을 유지할 수 있으며 온도변화에도 안정된 계면상태를 유지할 수 있는 반도체 소자와 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 반도체 소자는, 표면에 백금층이 형성된 기재(substrate)와; 백금층 위에 형성된 PRO층과; PRO층 위에 형성된 PZT 박막을 포함하며, 필요에 따라, PZT 박막 위에 PRO층 및 또는 백금층이 추가로 형성될 수도 있다.
<기술의 개요>멀티미디어 및 대용량 데이터의 고속전송 표준인 UWB의 주요 응용분야인 Wireless HDMi 및 USB 등에 사용되는 핵심 RF 부품인 안테나, 필터 및 트랜시버 모듈을 제작하기 위한 회로기술<기술의 특성>1. UWB의 경우 국가별로 허용되는 주파수 대역이 달라, 국가별로 최적화된 제품을 제작하기 위해서는 3~10 GHz 대역의 다양한 부품기술이 요구되는데, 3~10 GHz 대역의 Full Band RF Passive 기술을 확보한 국가나 기업은 현재까지 세계적으로 소수에 불과2. 본 기술의 적용 시, RF 부품과 UWB 칩셋을 결합한 다양한 형태의 제품화에 응용되는 모듈 구현이 가능
Haptic Device 기술(촉각 기술)은 인간과 상호 작용하는 컴퓨터 시스템에서 매우 중요한 역할을 담당하는 기술로, 시각이나 청각 정보와는 달리 Force Feedback Device를 통하여 물체의 무게나 단단함 등의 촉감을 전달하는 기술이다. Haptic 기술은 근래에 들어 새롭게 나타난 기술이 아니라, 현재 전 세계적으로 연구가 진행되고 있는 기술로, 일부는 상품화 진행 중이며, 최근 들어 Haptic 기술은 온라인 게임시장 및 홈쇼핑, 수술로봇 등을 중심으로 기존의 기술과 접목하여 발전하고 있다.<적용분야 및 응용분야>의료분야 : - Force Feedback 내시경- 외과수술용 의료장비- 원격수술용 장비- 교육용 수술 시뮬레이션 툴인터넷·웹 : - 인터넷 쇼핑몰(제품의 질감 확인)- 인터넷 가상현실 시스템- 인터넷 전자상거래엔터테인먼트 & 기타 :- Force Feedback 마우스- Force Feedback 조이스틱- Force Feedback 트랙 볼- 가상현실조작디바이스- 민·군용 시뮬레이션 툴