일반기술
전기·전자 > 기타 전기시스템
본 기술은 반도체 소자의 사용을 최소화한 전자식 안정기의 전력 공급 회로에 관한 것이다.기존의 전자식 안정기는 정류기, 승압 변환기 및 인버터로 구성된 3단의 전력변환을 사용한다. 그러나, 이러한 3단 전력변환의 구성을 위해서는 많은 반도체 전력소자 및 역률 제어용 반도체 소자를 필요로 하기 때문에 가격이 높고 많은 수의 반도체 부품으로 인해 신뢰성이 낮아진다는 문제가 있었다.반면, 본 기술에서는 반도체 전력소자의 개수를 최소화하고 역률 제어용 반도체 소자를 사용하지 않으면서 고성능 전자식 안정기에 맞는 전력을 공급하는 고성능 전자식 안정기의 전력회로를 구현할 수 있다본 기술에 의한 전자식 안정기 전력 공급 회로는 교류 전원 입력부, 교류 전원 입력부로부터 입력된 교류 전압을 소정 직류 전압으로 충전시키는 충전부, 교류 입력부로부터 입력된 교류를 정류하고, 소정 스위칭 주파수에 의해 주파수 변환된 제2교류 전압을 발생하는 정류 및 스위칭부를 구비하며, 정류 및 스위칭부의 스위칭 주파수에 따라 충전부로부터의 소정 전류 전압이 스위칭 주파수를 갖는 교류 전압으로 변환되어 전자식 안정기의 형광등에 공급되도록 구성되어 있다. 교류 전원 입력부는 부하전류를 필터링하여 정현파 입력전류를 발생시키는 필터부, 정류 및 스위칭부의 스위칭 상태에 따라 필터부로부터 출력된 정현파 교류로부터 불연속 전류를 생성하는 인덕터를 포함한다. 정류 및 스위칭부는 4개의 다이오드가 브릿지 형태로 배열되고, 브릿지의 입력부는 교류 전원 입력부의 출력단과 연결되고, 브릿지의 출력부는 충전부의 양단에 연결되며, 이때 브릿지 입력부 중 한 노드는 전자식 안정기의 형광등 회로에 연결되고 또한 노드 양옆의 두 다이오드에는 각각 스위치가 하나씩 병렬로 연결되어, 스위치가 교대로 스위칭함에 따라 소정 인버터 전압이 전자식 안정기의 형광등 회로로 공급되도록 구성한다. 충전부는 전자식 안정기의 형광등 회로로 연결되고, 스위치가 교대로 온 오프됨에 따라 충전부의 직류 전압이 스위치 주파수와 같은 주파수의 인버터 전압으로 되어 전자식 안정기의 형광등 회로로 공급되도록 구성한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 정류 및 인버터 기능을 동시에 수행하는 회로구성으로 전력소자의 개수를 최소화할 수 있고, 신뢰도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-23
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 선택적 재결정 성장된 에미터 구조의 이종접합 쌍극자 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transister : HBT)의 제조방법에 관한 것이다.HBT의 가장 중요한 속도특성인 최대동작 주파수(Maximum Oscillation Frequencyifmax)를 향상시키기 위해서는 베이스 저항을 줄여야 한다. 기존의 기술은 베이스 불순물 농도가 높아야 하나 베이스 불순물 농도가 증가할 경우 베이스 내에서 전자의 생존시간이 짧아져서 트랜지스터의 전류이득이 감소하게 된다. 또 다른 방식으로 베이스 두께를 늘리는 방법이 있는데 이는 역시 전자가 베이스를 통과하는 시간을 증가시켜 트랜지스터의 전류이득을 감소시키게 되므로 최대동작 주파수를 감소시키는 결과를 초래하게 되는 문제점이 있다. 본 기술은 베이스 저항을 줄여 HBT의 속도특성을 향상시킴에 있어 HBT의 전류이득을 감소시키지 않고 베이스 접촉 및 스프레딩 저항성분을 동시에 줄일 수 있도록 함을 목적으로 한다.본 기술은 화합물 반도체 초고속 소자인 HBT의 베이스 구조를 외부베이스와 내부베이스로 구분하여 반도체 에피결정 성장기술의 일종인 선택적 재결정성장(Selective- area regrowth)기술을 에미터 구조에 응용하여 베이스 저항을 감소시키게 함으로써 HBT의 속도 특성을 향상시키도록 하는 것이다. 이와같이 제조되는 HBT는 수십 또는 수백 GHz의 마이크로웨이브 또는 밀리미터웨이브 주파수 대역에서 동작하는 초고속 전자소자의 일종으로서 Gbps급 데이터를 처리하는 초고속 광정보통신용 집적회로와 수십 GHz 대역의 마이크로웨이브 또는 밀리미터웨이브를 이용한 무선통신용 마이크로웨이브 집적회로(MMIC)의 제작에 널리 응용되고 있고, HBT를 이용한 광정보통신 및 무선통신용 집적회로 기술을 차세대 초고속 정보통신용 시스템기술의 개발을 위한 핵심기술로 응용되고 있다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-11
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 기술은 인터넷을 무선 단말기로 이용할 때 주소록 기능을 부여햐여 한번 입력한 위치정보를 차후에 사용할때 주소록에서 찾아 사용하는 서비스를 제공하는 방법에 관한 것이다.무선인터넷에서의 가장 큰 장점은 위치정보 서비스를 이용하여 각종 정보를 이용할 수 있다는 점이지만, 이동통신사에서 모든 사용자에게 위치정보 서비스 제공하고 있지 않으며, 위치정보 서비스를 무선인터넷에서 사용할 때마다 주소를 직접 입력해야한다는 불편함이 있었다.본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 한번 입력한 위치정보를 주소록에 저장하여 차후에 입력하지 않고도 주소록에서 찾아 사용할 수 있도록 한 것이다본 기술에 따르면, 무선인터넷을 단말기로 사용할 때 주소록기능을 부여하여 한번 입력된 위치정보를 차후에 사용할 때 주소록에서 찾아 사용하게 함으로써 사용자가 보다 빠르게 위치정보 서비스를 이용한다.또한, 본 기술에 따르면 ez-i서비스 제공 (019 LG텔레콤), 019무선 홈⇒위치교통⇒택배배달⇒바로114 등의 서비스를 구현할 수 있
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 강유전체 게이트를 가지는 전계효과트랜지스터를 이용한 불휘발성 기억소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 반도체 표면에 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt 이중막을 형싱시키고, 이중막의 강유전체인 SrB2Ta2o9 막상에 백금전극을 부착하며, CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전게효과트랜지스터의 게이트로 이용함으로써, 캐패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET) 기억소자를 제공할 수 있다.본 기술에 따르면, 자연산화규소막의 영향을 최소화하여 제조공정시 산소 및 수소열처리에 따른 특성열화를 막을 수 있으며, 전원공급이 끊어져도 지속적으로 정보를 저장할 수 있는 불휘발성기억소자이므로 반도체 기억소자 및 정보저장소자로 이용될 수 있다본 기술은 CeO2 및 강유전체의 정전용량비를 제어하여 강유전체에 걸리는 전계효과를 극대화하고, 자연산화막의 악영향제거할 수 있으며, 텅스텐질화막(WN)을 게이트구조에 도포하여 추가산화막 및 산소, 수소열처리영향을 막음으로써 전기적특성의 열화를 방지할 수 있다
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-11
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 알루미늄 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride, DMAH)의 점도 저하방법에 관한 것이다.본 기술은 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 3차 아민을 첨가함으로써 디메틸 알루미늄 하이드라이드 액체의 점도를 현저히 저하시킨다. 본 기술에 따른 디메틸알루미늄 하이드라이드 혼합 용액은 유기금속 화학 증착법에 의한 박막의 제조에 있어 유기금속 전구체(meta.-organic precursor)로 사용될 경우, 버블러형 전구체 이송시스템에서의 버블링 효과가 뛰어날 뿐 아니라 직접 액체 주입형 이송시스템에의 적용이 용이하고, 단위 시간당 증기화되는 디메틸알루미늄 하이드라이드 양이 증가되어 알루미늄 박막의 대량생산에 유용하다본 기술은 반도체 공정용 전구체 DMAH 액체의 점도를 첨가제를 사용하여 혁신적으로 낮춘 기술로써 DMAH를 이용한 AI 박막 증착 연구 및 향후 DMAH 의 대량 생산라인에의 도입시 반드시 적용가능하
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- 포항공과대학교
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- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 반도체 주요 공정장비 중의 하나인 반응성 이온 식각 장비인 차세대 고성능 식각기로 연구되고 있는 헬리킬 공진기형 식각기에서 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스코일을 이용하여 반응로 내부의 플라즈마 균일도를 조절하는 방법에 관한 것이다.본 기술은 고효율의 고밀도 플라즈마를 비교적 쉽게 얻을 수 있는 헬리컬 공진기형의 식각기에 대해 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스 코일을 사용하여 탭 위치변화에 따라 공진기 내의 전자장 및 플라즈마 밀도 분포를 임의로 변화시킴으로써 기존의 평행 평판형 식각기에서는얻기 힘들었던 높은 균일도의 플라즈마를 얻을 수 있다.본 기술은 (2n+1)/4 파장길이의 헬릭스 코일을 갖는 헬리컬 공진기형 식각기에서 기타 식각 공정 변수들의 변화에 대응하여 적절한 탭 위치를 선택함으로써 차세대 대구경 웨이퍼 사용시에 요구되는높은 식각 균일도를 얻을 수 있다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-15
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 알루미늄 박막의 제조에 전구체로 유용한 디메틸알루미늄 하이드라이드(dimethyl aluminum hydride, DMAH) 의 점도 저하방법에 관한 것이다.알루미늄 박막은 반도체소자의 제조시 전기회로를 구성하는 배성공정에 사용되는 중요한 소재이다. 현재 주로 사용되고 있는 알루미늄 박막은 물리 증착법에 따라 제조된 것으로 층덮힘 특성이 저조하여 그 사용에 한계점을 가지고 있다. 이러한 물리증착법을 대체할 새로운 알루미늄 박막의 제조공정으로 유기금속 전구체를 이용한 알루미늄 유기금속 화학증착법이 주목받고 있다.본 기술은 액상 디메틸알루미늄 하이드라이드에 방향족 아민을 0.1 내지 5몰%로 첨가하여 디메틸아루미늄 하이드라이드 액체의 점도를 저하시킴으로써, 알루미늄 박막을 대량 생산할 수 있다.본 기술에 따라 얻어진 디메틸알루미늄 하이드라이드 혼합용액은 유기금속 화학증착법에 의한 박막의 제조에 있어 유기금속 전구체로 사용될 경우 버블러형 전구체 이송 시스템에서 버블링 효과가 뛰어날 뿐 아니라 직접 액체 주입형 이송 시스템에도 용이하게 사용할 수 있고 단위 시간당 증기화되는 디메틸알루미늄 하이드라이드 양이 증가되므로 알루미늄 박막의 대량 생산에 매우 유용하다
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- 포항공과대학교
- 등록일
- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 질소플라즈마를 이용한 선택적 금속박막 증착방법 및 그를 이용한 다층 금속 연결배선 방법에 관한 것이다선택적 구리 증착을 위해 선행된 질소 플라즈마(plasma) 처리는 기존에 박막제조장비에 부착이 되어 있어 새로운 장치를 설치해야 하는 비용이나 플라즈마 처리에 따른 공정상의 문제점은 없다. 현재까지 웨이퍼 세정은 습식세정법으로 해 왔으나 반도체 회로의 고집적화와 다층화가 요구되면서 미세 구조가 증가했고 이런 구조에 대한 습식세정법이 한계를 맞고 있다. 이러한 이유에서 이를 보완할 새로운 세정법으로 플라즈마세정법이 대두되고 있다.본 기술은 기억소자 및 비기억소자(이하 "소자") 제조시 실리콘 및 화합물 반도체와 저항성접합공정 및 소자간의 전기적 접속을 위한 상호연결선로 제조 공정으로 금속 및 층간 절연체위에 연결배선으로 구리를 사용함으로써 소자의 정보처리속도, 대전류밀도 및 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 건식 식각 공정 없이 패터닝된 구리박막을 제조 할 수 있으므로 공정 감소에 따른 원가 절감 효과를 얻을 수 있다.본 기술은 건식 식각방법을 사용하지 않고도 원하는 부분에만 금속박막을 증착하는 선택적 박막증착 기술을 제안한 것으로서, RF 질소플라즈마를 질화티타늄(TiN)패턴된 실리콘산화막에 처리함으로써 질화타타늄위에만 구리박막이 선택성장되는 기법을 제시하였다. 또한, 플라즈마 처리후 제조된 금속박막은 처리하지 않은 막보다 낮은 표면 거칠기, 향상된 부착력 및 낮은 비저항값을 나타내었다. 따라서, 본 발명은 건식 및 습식식각법에 의한 패터닝이 어려운 금속의 배선패터닝에 그 응용성을 제공하는 것이다.
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- 한국과학기술연구원
- 등록일
- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 베이스 도핑소스를 이용한 이종접합 쌍극자소자구조에 관한 것이다.이종접합 쌍극자소자는 갈륨비소(GaAs) 또는 인듐인(InP) 계통의 화합물 반도체로서 초고속 전자소자의 데이터를 처리하는 초고속 광정보통신용 또는 무선통신용 집적회로에 널리 사용된다. 그러나, 기존의 이종접합 쌍극자 소자에서는 베이스의 p형 불순물의 이상확산현상에 의한 유효베이스 폭의 증가와 수소페시베이션 현상으로 인해 전기적 특성이 열화될 수 있다는 문제점이 있다. 본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결할 수 있는 것으로, 이종 p형 불순물을 이용한 베이스 도핑구조를 이용하여 이상확산 현상이 적은 탄소와 수소 페시베이션 현상이 적은 아연(또는 베릴륨)의 장점을 적절히 조합하여 베이스를 도핑함으로써 이종접합 쌍극자소자의 초고속 성능과 신뢰도를 향상시킨다.본 기술에 따르면, 베이스에 이종 불순물을 사용함으로써 두께를 줄일 수 있으므로 결과적으로 유효베이스 폭이 감소되어 이종접합 쌍극자 소자의 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 초고농도의 p형 불순물을 베이스 위쪽에 둘 수 있어 베이스 오믹전극 형성시 매우 낮은 접촉저항을 얻을 수 있으므로, 베이스 시리즈 저항이 감소되어 이종접합 쌍극자 소자의 속도를 향상시킬 수 있다. 게다가, 베이스에 이종불순물을 사용함으로써 탄소만을 베이스 분순물로 사용할 때 발생하는 수소 페시베이션 현상에 의한 문제점들을 최소화시킬 수 있다.본 기술의 이중 베이스 도핑소스를 이용한 이종접합 쌍극자 소자는 베이스의 영역별로 성질이 다른 불순물을 도핑하여 에미터 방향을 불순물의 확산을 감소시켜 유효베이스 두께와 시리즈 저항 감소 및 속도특성과 신뢰도를 향상시키는 것을 특징으로 한다. 또한, 에미터 부근영역에 초고농도의 탄소를 도핑하고 콜렉터부근영역에 고농도의 아연 또는 베릴륨을 도핑하거나, 에미터부근영역에 초고농도의 탄소를 도핑하고 중앙영역에 고농도의 아연 또는 베릴륨을 도핑하고 콜렉터부근영역에 고농도의 탄소를 도핑함으로써, 수소 페시베이션 현상을 최소화시키는 것을 특징으로 한다
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- 특허법인충정
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- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 어븀이온 및 툴륨이온이 공동첨가된 코어를 이용한 광 증폭기 및 광원에 관한 것이다.기존의 광증폭기는 넓은 이득대역을 갖기 위해 두개의 병렬 EDFA 단을 조합하거나, 중금속 산화물 유리인 TeO2를 바탕으로 낮은 포논 에너지를 이용하거나, 여러개의 고출력 펌프를 사용하는 등의 방법을 사용한다. 그러나, 이러한 기존의 광증폭기는 증폭기 내부에 여러가지 광소자가 필요하고, 일반 광섬유와의 융착접속이 불가능하며, 여러파장의 펌핑광을 방출하는 펌프가 다수 필요하다는 문제점이 있다.본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결할 수 있는 것으로, 비교적 적은 개수의 광소자를 채용하면서도 광대특성을 가지며, 비교적 약한 세기를 갖는 펌핑수단을 사용하더라도 유효하게 광을 증폭하거나 방출할 수 있는 광증폭기 및 광원을 제공할 수 있다.본 기술에 따르면, 적은 개수의 광소자로 광대역특성을 가지는 광증폭기 및 광원을 만들 수 있으므로 장치를 소형화할 수 있으며, Er 이온에서 Tm 이온으로 에너지를 전달하는 메커니즘을 이용할 경우 광펌핑수단의 수를 줄일 수 있으며 적은 세기의 광펌핑으로도 유효하게 장치를 동작시킬 수 있다본 기술의 광증폭기 및 광원은 서로 다른 이득대력을 갖는 두 희토류 이온, 즉, 어븀(Er)이온과 툴륨(Tr)이온을 동시에 첨가한 코어를 갖는 광도파로에 단일 파장 또는 2개의 파장의 광펌핑원으로 광펌핑을 행하는 것을 특징으로 한다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 대용량의 데이터 전송을 위해 스위칭 용량을 대용량화하여 대용량 광교환을 수행할 수 있는 시간-파장 혼합형 광 ATM 스위치에 관한 것이다.시간분할 다중화방식이나 파장분할 다중화방식의 광통신 및 광교환 시스템에서는 성형결합기를 사용한 방송 방식의 기술이 주류를 이루고 있다. 그러나, 성형결합기를 이용한 스위치는 입력단에서의 구조는 간단하지만, 출력단에서는 전체 입력에 대한 신호를 처리하기 위해 대용량의 버퍼와 주파수 가변 필터 등이 추가되어야 하고, 이를 이용하여 대용량의 광 ATM 스위치를 구현할 경우에는 성형결합기의 차원이 매우 커지게 되므로 용량을 증가시키는데 많은 제약이 뒤따르게 될 분만 아니라 광손실이 크다는 문제점이 있다. 또한, 방송방식은 초단 광펄스 발생기술의 한계로 인하여 압축할 수 있는 셀의 제한을 가져오며, 이에 따라 스위칭 시스템의 용량에 제한이 생기며, 압축된 셀의 길이가 매우 짧기 때문에 셀버퍼, 셀확장기, 제어기 등을 구현하는 데 어려움이 있다.본 기술은 앞서 설명한 문제점을 해결할 수 있는 것으로, 대용량 광교환 시스템을 구현할 수 있도록 미래에 확정성뿐만 아니라 신호의 손실이 적고 간단한 구조를 갖는 시간-파장 혼합형 광 ATM 스위치를 제공한다.본 기술에 따르면, 하드웨어적으로 소자의 수를 줄임으로써 신호의 손실을 줄일 수 있고, 적은 개수의 파장을 이용함으로써 확장성이 뛰어나며, 스위칭 용량을 대용량화함으로써 대용량의 광스위칭 시스템을 구축하여 대용량의 정보를 서비스할 수 있다.본 기술의 시간-파장 혼합형 광 ATM 스위치은, 일정속도로 입력되는 파장의 개수만큼 구비되어 파장 다중화된 신호를 입력하는 서브노도와, 파장 다중화된 신호를 파장별로 분리하는 입력측 파장 분리부와, 파장별로 분리된 신호를 라우팅시키기 위해 파장을 변환시키는 입력측 파장 변환부와, 변환된 파장의 신호를 시간분할 다중화된 신호로 변환시키는 입력측 신호 변환부와, 시간분할 다중화된 신호를 출력측 노드로 라우팅시키는 입력측 라우팅부를 포함하는 다수의 입력측 노드를 구비한 입력신호 처리수단과, 시간분할 다중화된 신호를 입력받아 파장별로 분리하는 출력측 파장 분리부와, 파장 분리된 신호의 충돌을 피하기 위해 임시 저장시킴과 동시에 원래의 입력신호로 파장분할 다중화시키는 출력측 신호 변환부와, 파장분할 다중화된 신호를 라우팅시키기 위해 파장변환을 수행하는 출력측 제1파장 변환부와, 변환된 파장을 서브노드내로 라우팅시키는 출력측 제1라우팅부와, 출력측 제1라우팅부로부터 라우팅된 신호를 라우팅시키기 우해 파장 변환을 수행하는 출력측 제2파장변환부와, 변환된 파장을 목적지로 라우팅시키는 출력측 제2라우팅부를 포함하는 입력측 노드에 대응하는 다수의 출력측 노드를 구비한 출력신호 처리수단으로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 기술에 따르면, 시간분할과 파장분할 혼합형 형태의 구조는 파장을 각 노드에서 동일하게 사용하므로 동일 용량을 구현하는 데 적은 수의 파장이 소요되며, 사용된 파장의 개수만큼만 압축함으로써 높은 압축율을 요구하지 않는다는 장점이 있어 기존의 압축기술을 그대로 적용할 수 있다.또한, 손실이 많은 성형결합기를 가급적 사용하지 않고 손실이적은 도파료열 격자(AWG)를 여러번 사용함으로써 시스템 전반의 손실을 줄이고, 미래에 확장이 용이한 스위치 구조를 갖는다는 잇점이 있다
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- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-14
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 패키징 공정을 단순화하고 솔더 범프 자기 정렬을 하는 광소자 패키징을 위한 플립칩 본딩기술에 관한 것이다.본 기술은 패키지의 크기 및 무게를 SOP 기준의 1/10,Area bonding을 할 수 있고, 전기적 특성이 inductance(0.1nH)으로 양호하며 자기 정렬과 견고성이 높은 장점이 있는 기술이다. 본 기술에 의하면 솔더 선택 및 범프 형성 후 플립칩의 본딩 공정을 거쳐 광결합 모듈을 제작하여 특성 및 신뢰성을 측정하는 공정으로 이루어져 있으며, 고속(10 Gbps급) 광소자와 대량생산용 광모듈에 응용가능하다.본 기술에 의한 광소자 패키징을 위한 플립칩 본딩기술의 특징은 부품수를 감소시킬 수 있으며, 공정의 단순화와 신뢰성을 보장할 수 있고 수동정렬 방법을 이용한 광결합 모듈 제작과 고속 광소자의 성능을 향상할 수 있는 장점이 있다.
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-17
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일반기술
전기·전자 > 전력설비
본 기술은 습식법에 의한 나노입자 산화물 콜로이드 제조 방법과 산화물 막 제조용 코팅액 제조 방법 (코팅법 포함), 염료 흡착 방법 (염료 합성 기술 제외), 습식법에 의한 금속 박막 제조 방법 (물리증착법에 의한 박막제조 기술 제외), 요오드계 산화-환원 전해질 제조 방법 (이미다졸계 요오드 화합물 합성 방법 포함), 전해질 주입 및 디바이스 씰링 방법에 관한 기술로 저가의 투명한 태양전지를 양산할 수 있는 기술이다.본 기술은 기존의 실리콘 태양전지 제조단가의 1/5수준으로 제조공정이 간단하며, 환경적으로 무해한 재료를 사용하여 고효율 나노입자 산화물 태양전지를 생산가능한 기술로 통신분야 및 건물 유리창등 다양한 분야에 적용가능한 기술이다.
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-06-07
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일반기술
전기·전자 > 소자응용 기술
본 기술인 MMIC형 LNA 및 HPA 증폭기 기술은 B-WLL용 송수신 RF Module에 사용될 수 있는 핵심 부품 설계 및 제작 기술이다. 현재 세계적으로 B-WLL용 RF 송수신 모듈 제품들이 시제품으로 출시되고 있으나, 아직 시장이 성숙되지 않고, 성능도 우수하지 못하다. 따라서 효과적인 개발 기술의 전수로 업체에서 B-WLL용 Transceiver에 사용되는 MMIC형 증폭기를 자체 개발/생산하는데 사용될 수 있도록 하는 것 뿐만 아니라, Ka 대역을 사용하는 지상 무선통신시스템의 핵심 부품 개발에 사용될 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.본 기술은 B-WLL용 RF Transceiver에 직접 활용가능하고, Ka 대역 주파수를 사용하는 지구국 그리고 지상 무선시스템의 핵심부품으로 활용 가능하기 때문에 Ka 대역을 사용하는 급신장하고 있는 위성 및 지상무선통신 시장을 선점 가능하다.
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 ATM 인터페이스에 관한 기술로 ALTERA FLEX 10K series FPGA로 구현하였으며, CAM(Content Addressable Memory) control에 의한 Connection ID와 Dual GCRA(Generic Cell Rate Algorithm)으로 구현한 UPC, AIS/RDI(Alarm Indication Signal/Remote Defect Indication)와 CC(Continuity Check)와 LB(Loop Back)과 PM(Performance Monitoring)으로 구성된 OAM(Operation and Maintenance), 새로운 VPI/VCI와 64Bytes 스위칭을 위한 Attach routing tag, Cell Count 기능과 ACE256 ATM 교환기에 적용 가능한 ATM 계층 송수신 기술이다.ACE256 교환기의 ATM 정합 보드 2종에 적용이 완료되었으며, ACE256 교환기의 ATM 정합 보드 upgrade와 ACE64 ATM 교환기의 ATM 정합 보드 upgrade와 ATM 게층 기능 소자의 ASIC 개발 및 ACE64/256 교환기에 적용할수 있는 기술이다.
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-07-13
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일반기술
전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
본 기술은 ATM상의 Conventional Voice Service에 필요한 기술에 관한 것으로, 모든 Existing and future services를 지원하는 것에 의해 Network 운영자는 common unique network infrastructure를 제공하고, NISDN, PSTN과 같은 기존의 networks의 backward compatibility를 제공한다.본 기술은 ATM장비를 구성하는데 있어서 필수적으로 요구되는 안정성과 우수한 성능을 발휘할 수 있도록 하였다.
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2001-07-13
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 다중 모드 광섬유로 도파하는 광의 모드를 제어하며 기가비트 이더넷 통신의 대역폭을 증가시키기 위한 광섬유 광도파로 및 이에 사용되는 접합용 광섬유에 관한 것이다.개선된 화학기상증착법으로 잘 제조된 다중모드 언덕형 굴절률 광섬유라 할지라도 중심부분의 굴절률이 함몰되는 현상이 발생한다. 이 때문에, 신호가 단일모드 광섬유를 통하여 다중모드 광섬유로 전송될 때, 도파 모드를 간에는 시간지연이 일어나서 광신호가 변형되는 문제가 생긴다.따라서, 본 기술은 단일 모드 광섬유와 다중 모드 광섬유를 연결함에 있어서 발생하는 접합손실을 최대한 줄이면서 최대의 입사 파워가 다중 모드 광섬유로 전달되어 대역폭을 증가시키고자 한다.본 기술에 의한 접합용 광섬유는 단일 모드 광섬유와 다중 모드 광섬유 사이에 삽입되어 이들을 연결함으로써 광도파로를 형성하는 용도로 사용되는데, 접합용 광섬유 코어는 그 일단이 폐쇄되는 동시에 그 타단이 개방된 중공부를 가진다.본 기술에 의한 광섬유 광도파로는 자신의 일단에서 타단으로 갈수록 점차 줄어드는 직경의 코어를 가지는 단일 모드 광섬유와, 단일 모드 광섬유의 타단에 연결되는 접합용 광섬유로서, 접합용 광섬유의 코어가 단일 모드 광섬유와 연결되는 단부쪽은 폐쇄되는 동시에 그 반대쪽은 개방되는 중공부를 가지는 접합용 광섬유와, 접합용 광섬유의 반대쪽과 연결되는 다중 모드 광섬유를 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 광섬유의 단일 모드 광섬유와 다중 모드 광섬유 사이에 중공부를 가지는 접합용 광섬유를 연결함으로써 개선된 화학기상 증착법으로 광섬유를 제조할 때 나타나는 다중 모드의 굴절률 함몰현상을 피하고 모드 분산을 줄일 수 있다
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
본 기술은 하나의 플라스틱 물질에 구멍을 뚫고 다른 물질의 플라스틱을 삽입하는 방법으로 매우 간단하면서도 광섬유 생산의 수율을 크게 향상시킬 수 있는 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유 모재에 관한 것이다.플라스틱 광섬유는 실리카 다중모드 광섬유에 비해 다루기 쉽고 위험하지 않다는 장점을 가진다. 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유를 제작하는 방법으로는 크게 연속 압출 방법에 의해 한번에 광섬유를 뽑아내는 방법과 광섬유의 모재를 제작한 후에 그 모재를 가지고 광섬유를 뽑아내는 방법으로 나눌 수 있다. 그레이디드 인덱스 구조를 갖는 플라스틱 모재를 제작하는 방법으로는 두 가지 물질을 섞고 원심력을 이용하여 그레이디드 인덱스를 얻는 방법이 잘 알려져 있지만, 그레이디드 인덱스 형태의 플라스틱 광섬유의 제조는 그 방법이 복잡하고 생산 수율이 낮은 단점을 가지고 있다.따라서, 본 기술은 상용화된 기존의 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유의 모재 제작 방법에 비하여 제작방법이 매우 간단하며 구멍의 크기나 배열구조를 변경함으로 여러 가지 다른 특성을 가지는 광섬유를 얻고자 한다.본 기술에 의한 그레이디드 인덱스 플라스틱 광섬유 모재는 서로 다른 굴절율을 갖는 두가지 플라스틱 소재 중 어느 하나의 소재를 사용하여 원기둥형상을 이루고 그 길이방향으로 다수의 실린더형 구멍이 촘촘히 형성된 제 1 소재와, 다른 하나의 소재를 사용하여 실린더형 구멍에 삽입된 제 2 소재로 구성된다. 단위면적당 제 1 소재와 제 2 소재가 차지하는 면적의 비에 따라 굴절율의 분포가 조절된다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 하나의 플라스틱 물질에 구멍을 내고 다른 물질의 플라스틱을 삽입하는 방법으로 매우 간단하면서도 광섬유 생산 수율을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 실린더형태에 구멍이 뚫린 금형을 제작하여 광섬유 모재의 대량 생산 및 자동화를 기할 수 있으며, 동일한 특성을 가지는 광섬유 모재를 손쉽게 재현할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-05-18
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일반기술
전기·전자 > 전자부품
본 기술은 디지털 통신 시스템, 디지털 신호처리 시스템에 사용하는 고성능 직접 디지털 주파수 합성기에 관한 것이다.기존의 고성능 직접 디지털 주파수 합성기는 ROM을 사용하여 구현하고 있다. 그러나, 요구되는 정밀도가 높아짐에 따라 ROM의 크기가 상당히 증가하게 된다. 즉, ROM을 사용하여 구현되는 고성능 직접 디지털 주파수 합성기는 하드웨어 면적에 있어서 상당히 불리하다는 단점을 가지고 있다.따라서, 본 기술은 고속의 디지털 통신 시스템 및 디지털 신호처리 시스템을 위한 코딕 기반 직접 디지털 주파수 합성기를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 직접 디지털 주파수 합성기는 인가되는 주파수 제어 워드를 이용하여 샘플된 위상 데이터를 생성하는 위상 가산기와 샘플된 위상 데이터에 대해 그 위상에 대응하는 디지털 사인 값을 계산하여 출력하는 사인 함수 생성기를 포함한다. 위상 가산기는 주파수 제어 워드를 일시 저장하는 j 비트 주파수 레지스터와, 매 클럭마다 j 비트 주파수 레지스터에 저장된 주파수 제어 워드와 이전의 샘플된 위상 데이터와 가산하여 사인 함수 파형을 생성하기 위한 샘플된 위상을 생성하는 j 비트 가산기와, j 비트 가산기에 의해 생성된 샘플된 위상을 저장하며, 저장된 샘플된 위상 데이터는 다음 클럭에서 j 비트 주파수 레지스터에 저장된 주파수 제어 워드와 가산되는 이전의 샘플된 위상 데이터로서 사용되는 위상 레지스터를 구비한다. 사인 함수 생성기는 위상 레지스터로부터 제공되는 위상 데이터를 반전시키는 제 1 보수기와, 제 1 보수기에 의해 반전된 위상 데이터를 소정의 수학식을 통하여 반복회전 변형하는 코딕 프로세서와, 코딕 프로세서의 출력값을 반전시켜 디지털 사인 값을 생성하는 제 2 보수기를 구비한다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 실제 9 비트 이상의 정밀도를 갖는 코딕에 기반한 고성능 직접 디지털 주파수 합성기의 경우, 기존의 ROM을 이용한 고성능 직접 디지털 주파수 합성기의 구조보다 휠씬 적은 하드웨어 비용을 가지며, ROM을 사용하는 경우와 거의 동일한 동작속도를 지원할 수 있다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-25
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일반기술
전기·전자 > 소프트 스위칭 기술
본 기술은 곱셈기들의 모듈화, 규칙화와 단순화의 기술적 장점을 가지는 표준기저를 기반으로 하는 유한체내 고속 GF(2m) 곱셈기에 관한 것이다.유한체 GF(2m)내 곱셈계산의 알고리즘에는 Berlekamp에 의한 이중 기저 곱셈 알고리즘, Massey와 Omura에 의한 정규 기저 알고리즘과 표준 기저 알고리즘이 있는데, 이 중 표준 기저 알고리즘을 이용한 곱셈기는 다른 알고리즘을 사용한 곱셈기들에 비하여 그 복잡도가 상대적으로 작고 더 큰 유한체로의 확장이 용이하다. 비록 유한체 원소들의 표현을 하는데 관례적이지는 않지만 회로의 아키텍처 부분에서의 표준기저로 표현되는 GF(2m) 곱셈기가 모듈화, 규칙화와 단순화할 수 있다는 장점을 갖기 때문에 실제 VLSI로 구현시 큰 이점을 갖는다.따라서, 본 기술은 규칙적으로 모듈화되어 고속화에 적합한 표준기저를 기반으로 하는 유한체내 고속 GF(2m) 곱셈기를 제공하고자 한다.본 기술에 의한 유한체내 고속 GF(2m) 곱셈기는 m2 개의 기본 곱셈기 셀(Mi,j)들로 구성되어 있으며, 각각의 기본 곱셈기 셀은 일반화된 곱셈기 셀과 고정화된 곱셈기 셀을 포함한다. 일반화된 곱셈기 셀은 두 개의 2입력 AND 게이트와 두 개의 2입력 XOR 게이트의 조합으로 구성된다. 한편, 고정화된 곱셈기 셀은 두 개의 2입력 XOR 게이트와 1개의 2입력 AND 게이트로 구성된다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 표준 기저 기반의 고속 병렬입출력을 갖는 GF(2m) 곱셈기를 디지털 통신 칩이나 디지털 신호처리 칩에 이용할 경우 곱셈기들의 모듈화, 규칙화와 단순화의 기술적 장점 등으로 확장하기 쉽고 VLSI로 구현이 용이하다. 특히, 광대역 무선통신을 위한 고차의 원시다항식을 갖는 채널부호화 회로의 경우 고정화된 곱셈셀을 갖는 GF(2m)내 곱셈기를 사용하면 시스템의 전체의 복잡성을 줄일 뿐만 아니라 고속화에도 적합하다.
- 보유기관
- 특허법인충정
- 등록일
- 2001-06-26
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