산업기술 통합검색
본 기술은 자기 복구형 과전류 차단기로서 리튬 이온 배터리, PC 및 주변기기, 통신장비, 자동차 등의 전기회로보호용 핵심 부품으로 배터리용과 PCB용으로 분류할 수 있다.본 기술은 PTC(Positive Temperature Coefficient) 즉, 온도 상승에 따라 저항이 증가하는 특성을 이용한 것으로, PTC 특성은 전도성 물질과 비전도성 물질의 혼합물에서 기인하며 온도상승에 따라 비전도성 물질이 부피 팽창을 하여 전도성 사슬을 절단함에 따라 저항이 증가하게 된다.
기술의 개요 - 본 기술은 다이내믹 레인지(DYNAMIC RANGE)를 증대시켜 저잡음 고품질 영상을 획득할 수 있는 실제 이미지를 전기적 신호로 바꾸는 장치 및 그 방법, 그리고 이미지센서를 제공하기 위한 것으로 이를 위해 본 기술은 이전 프레임의 광원에 의해 추정된 현재 프레임의 광전류 누적시간을 저장하기 위한 다수의 화소로 구성된 화소 어레이와, 화소에 저장된 광전류 누적시간에 따라 현재 프레임의 광전류 누적시간을 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 실제 이미지를 전기적 신호로 바꾸는 장치를 제공함.기술의 특징 - 이전 프레임의 광원에 의해 추정된 현재 프레임의 광전류 누적시간을 저장하기 위한 다수의 화소로 구성된 화소 어레이와 광전류 누적시간을 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 함.기술의 장점 - CMOS 이미지센서의 다이내믹 레인지를 넓히고 랜덤 리셋 노이즈를 제거할 수 있는 트루 CDS 방식을 적용시킬 수 있어 CMOS 이미지센서의 성능을 향상시킬 수 있음. - 화소 공유 개념을 적용하여 단위화소 당 트랜지스터의 수를 최소화함으로써 집적도를 높일 수 있음.
<기술의 개요>“통신용 직류전원장치” 기술은 다양한 통신용 직류전원장치의 규격을 표준화하고 KT현업 실정에 맞게 전원공급방식(집중형 또는 분산형)을 채택가능하게 하였으며, 전압변동에 유연한 고품질의 전원을 유지할 뿐만 아니라 전원집중관리시스템과의 인터페이스 등 새로운 기능을 갖으므로서 경제성, 효율성, 신뢰성 등이 향상된 통신용 직류전원장치에 관한 것이다주요이전기술은 정류유니트, 제어유니트, 분전반 등이다.정류유니트 개발기술의 특성은25A(220V, 단상)모듈, 50A(380V,삼상), 100A(220V,삼상 380V,삼상)모듈 등 4종류이며 복합공진회로를 채택한다.본 기술의 지적재산권으로는 특허1건과 관련 다수의 프로그램이 있다<기술의 특징>본 기술의 특징은 KT에 적합하도록 정류정치를 규격화 한 것으로 본 기술이 적용된 제품은 BMT를 통해 KT에서 구매 및 사용되고 있는 상용화 기술이다.본 기술의 초기 기술을 최근 일부 개량하였으며, 개량기술을 포함하여 기술이전을 추진하는 것이다.본 기술은 KT와 ㈜동아일렉콤이 공동소유(지분 각 50%)의 기술로 기술이전지도와 지원은 ㈜동아일렉콤에서 실시할 예정이다.
본 발명은 가스등을 열원으로 하는 가열체에 솥, 냄비 등과 같은 조리 용기를 올려놓고 음식물을 조리중 사용자의 부주의로 조리용기가 과열되거나 화재가 발생될 경우 이를 아주 적절하게 자동 감지 후 가열체의 화력을 즉각 소화시켜 조리기구의 손상은 물론 화제(가스화제 발생율 80%이상)로 부터 인적 물적 피해를 미연에 방지 할수 있는 과열방지장치 및 그 방법에 관한 것이다. 위험상황인 과열상태는 조리용기 속 내용물 중 100도 이상의 온도로는 상승하지 않는 물이 모두 증발되어 100도 이상의 고온으로 상승하는 상태의 그 시점을 적절하게 정확히 판단한 다음 지시에 의해 열원인 Gas를 차단하여 조리기구의 손상은 물론 화재까지 미연에 방지할 수 있다. 1) 적외선 온도 감지센서로 조리기구의 상부온도를 감지 상황판단(조리 내용물에 수분이 있으면 섭씨100도이상 오르지 않는 원리를 이용, 내용물이 섭씨 100도 이상이면 수분이 없어진 상태를 감지) 2) 물체감지센서(실용신안 20-0427338호)로 전체의 작동을 지시 3) 물체감지센서, 구역설정으로 인해 키 작은 어린이는 가스렌지를 켤 수 없다. 4) 가스렌지를 사용하지 않을 경우 항상 가스관이 닫혀 있는 상태이여서 가스렌지의 노후 및 오작동으로 인한 가스 누출을 미연에 방지 5) 양이 많은 음식물을 조리할때는 시간 설정 후 사용하며 모든 작동은 자동, 작동이 이루어진다. 6) 가스렌지 교체에도 관계가 없으며 전자제어부는 벽체 배관부에 장착, 감시 비접촉식온도계는 천정에 설치 본 기술은 특허등록(10-0779429)된 상태이다.
기술의 개요 - 본 기술은 다이내믹 레인지(DYNAMIC RANGE)를 증대시켜 저 잡음 고품질 영상을 획득할 수 있는 실제 이미지를 전기적 신호로 바꾸는 장치 및 그 방법, 그리고 이미지센서를 제공하기 위한 것으로 이를 위해 본 기술은 이전 프레임의 광원에 의해 추정된 현재 프레임의 광전류 누적시간을 저장하기 위한 다수의 화소로 구성된 화소 어레이와, 화소에 저장된 광전류 누적시간에 따라 현재 프레임의 광전류 누적시간을 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 실제 이미지를 전기적 신호로 바꾸는 장치를 제공함.기술의 특징 - 이전 프레임의 광원에 의해 추정된 현재 프레임의 광전류 누적시간을 저장하기 위한 다수의 화소로 구성된 화소 어레이와 광전류 누적시간을 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 함.기술의 장점 - CMOS 이미지센서의 다이내믹 레인지를 넓히고 랜덤 리셋 노이즈를 제거할 수 있는 트루 CDS 방식을 적용시킬 수 있어 CMOS 이미지센서의 성능을 향상시킬 수 있음. - 화소 공유 개념을 적용하여 단위화소 당 트랜지스터의 수를 최소화함으로써 집적도를 높일 수 있음.
본 고안은 운전자가 주행 중에 전방의 환경이 차량을 정지시켜야 할 상황이 왔을 때, 운전자가 급제동을 위해서 브레이크 페달만 급하게 밟아도 본 발명의 관성 모듈이 작동하여 비상등 스위치가 자동으로 도통 모드로 전환하여 비상등이 깜박거리기 때문에 차량의 위급한 상황을 후방에 알려주어서 후방추돌사고를 미연에 예방시켜 주는 효과를 거둘 수가 있다. 또 다른 방법으로는, 운전자가 주행 중에 전방의 환경이 차량을 정지시켜야 할 상황이 왔을 때, 운전자가 급제동을 위해서 브레이크 페달만 급하게 밟아도 본 발명의 관성 모듈이 작동하여 전후방에 장착되어 있는 적어도 하나의 램프가 깜박거려서 차량의 위급한 상황을 후방에 알려주기 때문에 또한 후방추돌사고를 미연에 예방시켜 주는 효과를 거둘 수가 있다.즉, 운전자가 비상등 스위치를 조작할 여유가 없는 급박한 상황에서도 상기 비상등의 역할을 점멸식브레이크등 및 기타 램프가 대신해 주기 때문에 2차 추돌 사고를 미연에 방지해 주는 중대한 효과를 볼 수 있다
일정한 크기로 제작된 배터리의 규격을 변환 시켜주는 장치에 관한 것으로서, 전기/전자 기기에서 요구하는 건전지의 크기와 다른 건전지를 활용하기 위하여, 요청되는 건전지 규격으로 변환하여 전기/전자 기기내에서 요구하는 크기와 다른 크기의 건전지 사용이 가능하며, 건전지의 불량이나 오랜 장착에 따른 부식 및 방전등을 비롯하여 부식액 누출 등에 의한 접촉단자나 기기내의 손상을 방지할 수 있는 변환장치에 관한것으로 다양한 규격에 대한 변환이 가능한 장치를 제공하는 것입니다. 기존 AAA 사이즈의 건전지를 AA 사이즈나 다른 규격의 사이즈로 변환하는 것이 가능하여, 잉여 건전지 이용 효율성을 높인 것으로, 구조가 간단하고 제작이 용이하여, 더 나아가 건전지에서 발생할 수 있는 방전과 누액에 따른 독성물질이 인체에 닿거나 기기내에손상을 줄 수 있는 것에 대해 하우징을 구비하고 있어 예방효과가 있습니다.필요한 건전지가 없을 경우 필요 건전지를 구입할 필요없이 건전지 규격 변환장치를 활용해 쉽게 실생활에 적용할 수 있는 범용적인 제품입니다.실용신안등록번호 : 제 20-0432719 호
<기술의 개요> 본 기술은 신 시스템에 관한 것으로서, 본 기술은 DC 오프셋, I/Q회로 간 정합 특성, 및 잡음 특성이 개선된 수신 감도가 우수한 직접 변환 수신기에 관한 것이다. 본 기술에 따른 깊은 엔웰을 갖는 3중웰 씨모스 공정으로 구현된 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터 제조방법은 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터를 포함하는 바이-씨모스(BICMOS) 트랜지스터 제조방법에 있어서, 깊은 N웰을 갖는 3중웰 CMOS 공정에서 구현되며, 에미터는 CMOS 공정의 N+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되고, 베이스는 CMOS 공정의 P웰 및 P+ 소스-드레인 확산영역에 의하여 형성되며, 콜렉터는 CMOS 공정의 깊은 N웰, N웰 및 N+ 콘택트에 의하여 형성되며, 수직형 바이폴라 접합 트랜지스터의 P웰은 쉘로우(SHALLOW) P-베이스 임플란트(P-BASE IMPLANT) 공정에 의하여 P웰의 두께가 감소되는 것을 특징으로 함.<기술의 특징>에미터 : CMOS 공정의 N+소스-드레인 확산영역에 의하여 형성됨.베이스 : CMOS 공정의 P웰 및 P+소스-드레인 확산영역에 의하여 형성됨.콜렉터 : CMOS 공정의 깊은 N웰, N웰 및 N+콘텍트에 의하여 형성됨.<기술의 장점>DC 오프셋, I/Q 신호간 정합 특성 및 1/f 잡음 특성이 개선됨.
<기술의 개요>본 기술은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 성장된 탄소나노튜브를 홈에 채워 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 기술에 따른 반도체 소자를 제조하는 방법은, 기판 위에 몰드를 패터닝하는 단계 패터닝에 의해 형성된 홈 및 몰드 전면에 탄소나노튜브를 도포하는 단계 몰드 전면에 도포된 탄소나노튜브를 홈에 채워 넣는 단계 및 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법인 것을 특징으로 이루어진다.<기술의 특징> 기판 상면에 몰드를 패터닝하여 선택적으로 홈을 형성시킨 후 홈 및 몰드 상면에 성장된 탄소나노튜브를 도포하여 탄소나노튜브 구조체를 형성하며, 몰드 상면에 도포 된 탄소나노튜브 구조체를 평평한 도구를 이용하여 홈에 채워 넣어 몰드를 제거하여 반도체 기판상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 선택적으로 형성시키는 것을 특징으로 한다.<기술의 장점>대량 합성 및 성장된 우수한 탄소나노튜브를 원하는 부위에 선택적으로 형성시킬 수 있으며, 금속 촉매를 쓰지 않고도 형성할 수 있다.
<기술의 개요>본 기술은 커패시터용 전극층과 커패시터용 전극층의 제조방법으로, 그 전극층을 이용한 단위센서 및 그 단위센서를 이용한 촉각센서에 관하여 개시하며 본 기술의 전극층은 폴리머 기판과 폴리머 기판상에 형성되는 전극 및 신호 전달선이 구비되는 것을 특징으로 하고 단위센서는 상술한 전극층으로 이루어진 상부 및 하부 전극층과 폴리머로 이루어진 스페이서층이 구비되는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 의하면, 유연성이 뛰어나고 제조가 용이하며, 확장이 용이한 센서를 구현할 수 있다.<기술의 특징> 폴리머 기판과 폴리머 기판 상에 형성되는 전극과 이 전극과 연결되도록 폴리머 기판 상에 형성되는 신호 전달선이 구비되는 것을 특징으로 한다.<기술의 장점>액상의 폴리머를 이용하여 기판을 형성함으로써 유연성이 뛰어나고 제조가 용이함.단위센서의 스페이서층의 형성시 사진식각 공정을 도입함으로써 1mm 이하의 해상도도 구현할 수 있음.
<기술의 개요>본 기술은 기존의 CMOS 공정에 있어서, 소스와 드레인 영역위에 게르마늄(GE)을 증착하고 후속 열공정(RAPID THERMAL ANNEALING; RTA)을 통하여 SI1-XGEX 물질의 융기된 소스/드레인(ELEVATED SOURCE/DRAIN; ESD)을 형성함으로써 소스/드레인간의 저항을 줄이고, SI1-XGEX와 SI사이의 불순물 확산율의 차이를 통해 얕은 소스/드레인 접합영역(SHALLOW SOURCE/DRAIN JUNCTION DEPTH)을 형성하며, SI1-XGEX에서 GE의 성분비가 증가함에 따라 상승하는 가전자 에너지대역(VALANCE ENERGY BAND)의 변화로 에너지 밴드갭(ENERGY BAND GAP)을 작게하여 전위장벽을 높이는 효과가 있다. 이로서 펀치드루우(PUNCHTHROUGH)와 같은 단 채널 효과(SHORT CHANNEL EFFECT)를 효과적으로 억제시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제시한다.<기술의 특징> 제 1 단계 : 반도체 기판 상에 게이트 산화막과 폴리실리콘막, 하드마스크를 순차적으로 형성. 제 2 단계 : 하드마스크 상에 감광막을 도포한 후 포토마스크를 이용하여 게이트가 형성될 영역으로서 게이트 산화막과 폴리실리콘막 및 하드마스크 패터닝.제 3 단계 : 패터닝 후, 반도체 기판 상에 유전물질을 전면에 걸쳐 증착하고 비등방성 식각 공정을 이용하여 스페이서를 형성.제 4 단계 : 스페이서를 중심으로 양쪽에 게르마늄(Ge)을 증착.제 5 단계 : 소스/드레인 영역을 형성하기 위해 증착된 게르마늄에 불순물을 주입.제 6 단계 : 불순물을 주입한 후, 후속열공정을 통하여 게르마늄과 반도체 기판간의 경계면에 Si1-xGex층을 형성하고, 소스/드레인 영역을 활성화.<기술의 특징>반도체 소자가 집적화됨에 따라 야기되는 단채널 효과를 억제하여 소자의 특성을 더욱 개선시킴.
<기술의 개요> 본 기술은 유기발광소자인 OLED의 밝기를 효과적으로 정확히 제어함과 더불어 픽셀간의 미스 매칭에 의한 계조 불균일성을 극복할 수 있도록 하는 액티브 매트릭스 유기발광소자의 픽셀회로 및 그 구동방법과 이를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다. 이러한 본 기술의 유기발광소자의 픽셀회로는 OLED를 구동하는 전압제어전류원인 VCCS와, VCCS의 제어입력신호가 온 또는 오프 상태에 있도록 하기 위한 고이득 증폭기, VCCS의 온 시간을 지정하기 위하여 고이득 증폭기의 입력과 데이터 라인 사이에 위치하는 스토리지 캐패시터와, 스토리지 캐패시터에 전압을 저장하고 OLED의 발광 시간을 제어하기 위하여 스캔 라인으로 제어되는 제1, 제2 스위치를 고이득 증폭기 입력과 VCCS의 입력에 각각 구성되어 있는 것이 특징이다.<기술의 특징> - VCCS : OLED를 구동하는 전압제어전류원. - 고이득 증폭기 : VCCS의 제어입력신호가 온 또는 오프 상태에 있도록 함. - 스토리지 캐패시터 : VCCS의 온 시간을 지정하기 위하여 고이득 증폭기의 입력과 데이터 라인 사이에 위치.<기술의 장점>데이터 라인과 스캔 라인만을 사용하여 픽셀 선택 및 계조 구현을 동시에 구현할 수 있도록 함과 더불어 픽셀간 계조의 불균일성을 해소할 수 있도록 함.
<기술의 개요>본 기술은 탄소나노튜브와 금속으로 이루어진 나노복합분말 제조방법과 그에 의하여 제조된 나노복합분말 및 그 나노복합분말을 이용한 전계방출디스플레이용 에미터에 관하여 개시하며, 본 기술의 나노복합분말은 탄소나노튜브를 비극성 용매에 투입 및 분산시키고, 탄소나노튜브가 분산된 용매에 환원제와 금속 전구체 분말을 투입하고 가열하여 금속 전구체를 환원시켜 탄소나노튜브 표면에 금속을 코팅시킴으로써, 팁 형태로 탄소나노튜브 소정영역이 노출되도록 나노 크기의 금속 분말 덩어리에 탄소나노튜브들이 박혀있는 형상을 이루는 것을 특징으로 하고 전계방출디스플레이용 에미터는 그 나노복합분말을 ITO 글라스 및 소다석회유리가 포함된 세라믹 기판 상에 스크린 프린팅하여 제조되는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 의하면, 탄소나노튜브의 안정성이 확보되고 수명이 증가하며, 전계방출 효율이 증대된다.<기술의 특징> 탄소나노튜브를 비극성 용매에 투입하고 초음파를 가하며 분산시킨 후, 환원제와 금속 전구체 분말을 투입하고 분산 상태가 유지되도록 초음파를 가하며 가열함으로써 금속 전구체를 환원시켜, 탄소나노튜브 표면에 금속을 코팅시키는 것을 특징으로 한다.<기술의 장점> - 전계방출 효율이 증대되도록 함. - 탄소나노튜브를 분산시키는 공정의 도입으로 탄소나노튜브를 금속기지 내에 분산시킬 수 있음. - 나노복합분말의 제조공정 중 탄소나노튜브의 손실을 미연에 방지할 수 있음.
기술의 개요 - 본 기술은 내부에 실리카 또는 실리카와 금속산화물의 복합체가 존재하며, 외부에 관능성 유기그룹이 존재하는 무기/유기 혼성 올리고머 및 이로부터 제조되는 무기/유기 나노혼성고분자 및 그 제조방법을 제공한다.기술의 장점 - 광특성, 내열성, 투명성, 절연성 및 내마모성이 매우 우수함. - 광소자 또는 디스플레이용 유전체, 격벽, 보호막의 제작에 매우 유용하게 사용될 수 있음. - 광소자 또는 플라즈마 디스플레이용 유전체, 격벽, 보호막의 제작에 매우 유용.
기술의 개요 - 본 기술은 미소 유체 칩(MICROFLUIDIC CHIP)에 관한 것으로, 본 기술에 따른 고속 스크리닝 또는 고속 분석을 위한 미소 유체 칩은 1차원 또는 2차원으로 배열되며 시료를 고립시키기 위한 웰(WELL)들, 웰들 상단에 위치되며 상하로 이동이 가능한 시료 고립 수단, 시료 고립 수단의 상단부에 위치되며 시료 고립 수단을 상하로 이동시키기 위한 개폐 수단, 시료가 주입되는 입구 및 주입된 시료의 여분이 배출되는 출구 및 웰들 내에 시약이 주입되는 시약 주입로 및 시약이 배출되는 시약 배출로를 포함하는 것을 특징으로 함.기술의 특징 - 시료 고립 수단은 웰들 상단에 위치되며, 상하로 이동이 가능하고 시료 고립 수단을 상하로 이동시키기 위한 개폐 수단, 시료를 웰들로 주입하기 위한 시료 주입구 그리고 주입된 시료의 여분을 배출하기 위한 시료 배출구, 시료와 반응시키기 위한 시약 주입로 및 시약을 웰들로부터 배출하기 위한 시약 배출로로 구성되는 것을 특징으로 함.기술의 장점 - 반도체 공정 및 MEMS 기술을 이용하여 칩 상에 웰들을 고집적할 수 있으므로, 많은 실험분석을 동시에 할 수 있음.
기술의 개요 - 본 기술은 결합전극과, 감지전극과, 검출회로를 포함하는 픽셀들의 그룹으로 이루어지되, 자신에 속하는 감지전극들 각각은 서로 전기적으로 연결되며 각각의 결합전극들은 서로 전기적으로 연결되는 픽셀 그룹들과 픽셀 그룹들에 속하는 감지전극을 외부에 마련된 전압원과 연결하는 제1 감지전극용 스위치들과, 픽셀 그룹들에 속하는 감지전극을 서로 전기적으로 연결하는 제2 감지전극용 스위치들과, 모든 픽셀 그룹에 속하는 감지전극들이 전기적으로 연결되도록 픽셀 그룹과 픽셀 그룹을 연결하는 제3 감지전극용 스위치들과, 모든 픽셀 그룹에 속하는 결합전극들을 전기적으로 연결시켜주는 결합전극용 스위치들을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며 본 기술에 의하면, 종래의 지문센서 내부의 구성요소에 의하여 발생되는 정전용량들을 2단 전극을 사용하여 차단하거나 보정하여 줌으로써 불필요한 신호를 제거하여 더욱 명확한 지문 영상을 얻을 수 있으며, 손가락의 건습 상태 등에 따른 영향을 보정하여 줌으로써 지역적으로 다르게 나타나는 지문의 영상을 보다 균일하게 표시할 수 있음.기술의 특징 - 절연층으로 둘러싸인 각각의 픽셀들과 결합전극과 대응되도록 결합전극의 상측에 위치되는 감지전극과, 그 감지전극을 둘러싼 절연층에 사용자의 손가락이 접촉되면 감지전극과 손가락 사이의 가변 정전용량을 각각 검출하는 검출회로를 특징으로 함.기술의 장점 - 2단 전극을 사용하여 정전용량을 차단하거나 보정하여 줌으로써 지문 형상과 관계없는 불필요한 신호를 제거하여 더욱 명확한 지문 영상을 얻을 수 있음. - 손가락의 건습 상태 등에 따른 영향을 보정하여 줌으로써 지역적으로 다르게 나타나는 지문의 영상을 보다 균일하게 표시함.
<기술의 개요> 본 기술은 리소그래피 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마이크로미터에서 나노미터 수준의 패턴까지 형성할 수 있는 나노 트랜스퍼 몰드 또는 마스터 기판을 이용하여 패턴을 전이하는 리소그래피 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 리소그래피 방법은, 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 마스크 층을 스핀 코팅하여 마스크 층의 표면을 균일하게 하는 단계와, 그 단계를 통해 마스크 층이 균일하게 도포된 나노 몰드를 박막이 증착되어 있는 기판 위에 붙이는 단계, 나노 몰드를 제거하고 기판 위의 박막이 나타날 때까지 마스크 층을 식각하는 단계 및 이전 단계를 통해 식각되지 않은 마스크 층 패턴을 마스크로 하여 박막을 식각하고 마스크 층패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것이다.<기술의 특징> - 제 1 단계 : 나노미터 수준의 패턴이 형성되어 있는 나노 몰드 위에 마스크층을 스핀 코팅하여 마스크층의 표면을 균일하게 함. - 제 2 단계 : 마스크층이 균일하게 도포된 나노 몰드를 박막이 증착되어 있는 기판 위에 붙임. - 제 3 단계 : 나노 몰드를 제거하고 기판 위의 박막이 나타날 때까지 마스크층을 식각. - 제 4 단계 : 식각되지 않은 마스크층 패턴을 마스크로 하여 박막을 식각하고 마스크층 패턴을 제거.<기술의 장점> - 시간과 비용을 극소화하면서 양산성 있는 나노미터 수준의 리소그래피까지 수행할 수 있음.
기술의 개요 - 본 기술은 퍼스널 로봇 제어 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 로봇에 대한 전문적인 지식을 갖지 않는 일반 사용자들도 한글 텍스트 명령을 사용하여 퍼스널 로봇을 제어할 수 있도록 하는 한글 텍스트 명령에 의한 퍼스널 로봇 제어 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 기술에서는 미리 등록된 어휘를 저장하기 위한 어휘사전 저장부와, 미리 정해진 문법을 저장하기 위한 문법 저장부와, 일반 한글 텍스트 명령을 로봇이 이해할 수 있는 명령어로 변환하는 한글 텍스트 명령 처리모듈을 제공함으로써 손쉽게 퍼스널 로봇을 제어할 수 있다.기술의 특징 - 사전 저장부 : 미리 등록된 어휘를 저장. - 문법 저장부 : 미리 정해진 문법을 저장. - 파서 : 사용자가 입력한 한글 텍스트 명령을 어휘단위로 분리. - 어휘 분석기 : 어휘사전 저장부에 저장된 어휘사전을 참조하여 분리된 어휘들이 등록된 어휘인지를 판단하고, 등록된 어휘일 경우에 분리된 어휘들의 타입을 할당. - 문법 분석기 : 문법 저장부에 저장된 문법을 참조하여 한글 텍스트 명령이 문법에 맞는지를 조사. - 의미 분석기 : 한글 텍스트 명령이 문법에 맞는 경우에, 타입이 할당된 어휘들을 로봇이 이해할 수 있는 로봇 제어신호로 변환. - 주관리기 모듈 : 의미 분석기로부터의 로봇 제어신호에 따라 로봇의 동작을 제어하고, 통신모듈을 통해 외부와의 통신을 수행하여 필요한 데이터를 교환하도록 제어.기술의 장점 - 로봇에 대한 전문적인 지식이 없는 일반 사용자가 퍼스널 로봇에게 일련의 제어명령들을 손쉽게 전달할 수있도록 함.
기술의 개요 - 본 기술은 터너리 정보를 저장할 수 있는 내용 주소화 메모리 장치에 관한 것으로서, 하나의 CAM 셀에서 0, 1, 무정의 값의 3가지 정보인 터너리(TERNARY) 정보를 저장할 수 있도록 하며 값 비교시 무정의 값이 저장되어 있을 때에는 별도의 비교 과정을 거치지 않고 매치라인이 활성화되도록 함으로써 빠른 비교결과를 얻을 수 있을 뿐만 아니라 작은 면적과 저 전력 동작이 가능한 이점이 있다.기술의 특징 - 에스램셀 : 정 및 부 비트라인과, 정 및 부 비트라인을 데이터 입출력 라인. - 비교기 : 정 및 부 비트라인의 데이터와 에스램셀의 저장 데이터를 비교. - 색인셀 : 정 및 부 무정의라인과, 정 및 부 무정의라인을 데이터 입출력 라인으로 하며 CAM의 데이터 상태를 나타냄. - 매치라인 : CAM에 저장된 데이터의 비교결과를 출력. - 매치라인 제어기 : 비교기의 출력값과 색인셀의 데이터에 의해 매치 결과를 매치라인으로 출력.기술의 특징 - 빠른 비교동작을 얻을 수 있도록 할 뿐만 아니라 작은 면적과 저전력 동작이 가능하도록 한 터너리 정보를 저장할 수 있도록 함.
기술의 개요 - 본 기술은 SOI 웨이퍼가 아닌, 값이 싸고 플로팅 바디 효과나 열전도 문제가 없는 벌크 실리콘기판에 폭이 100nm 이하인 담장형 Fin액티브 영역을 형성하고, 측면에 터널링 산화 막을 형성하며 전하가 저장될 수 있는 플로팅(저장) 전극을 형성하여 플래시 메모리소자를 구현한다. 본 구성의 이중-게이트 플래시 메모리소자 구조에 의해 스케일링 다운 특성이 우수하고 메모리 성능을 향상시킨다.기술의 특징 - 벌크 실리콘기판 - 담장 모양의 Fin액티브 영역 : 벌크 실리콘기판에 연결되고 벌크 실리콘기판 상부에 단결정 실리콘으로 형성됨. - 제2산화막 : 벌크 실리콘기판 표면에서 Fin액티브 영역의 일정 높이까지 형성됨. - 터널링 산화막 : 제2산화막 위의 Fin액티브 영역 양쪽 측벽에 형성됨. - 제1산화막 : Fin액티브 영역의 위쪽 표면에 터널링 산화막의 두께와 같거나 두껍게 형성됨. - 저장 전극 : 제1,2산화막 위에 프로그램에 의해 전하를 저장시키도록 형성됨. - 산화막 : 저장 전극 위에 형성됨. - 컨트롤 전극 : 전극 사이 산화막 위에 형성됨. - 소스/드레인 : 컨트롤 전극과 겹치는 Fin액티브 영역을 제외한 Fin액티브 영역 양쪽에 형성됨. - 콘택영역 및 금속층 : 소스, 드레인, 컨트롤 전극의 콘택 부분에 형성됨. 기술의 장점 - 벌크형 이중-게이트 플래쉬 메모리소자에 의해 결국 플래쉬 메모리의 성능과 집적도를 동시에 근본적으로 개선할 수 있도록 함.