일반기술
전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
반도체 소자의 방열은 대부분 소자 뒷면에 히트싱크를 부착하여 실현하게 되는데 이때 히트싱크와 실리콘 칩 사이의 계면에서의 열 저항이 열전달 효율을 결정하는 중요한 요소가 된다. 본 기술은 두꺼운 실리콘 기판을 이용하여 기판 뒷면에 핀 모양의 히트싱크를 식각함으로써 단일체 형태의 히트싱크를 제작하는 방법이다. 이 경우 발열 표면적이 증가하면서도, 단일 기판으로 이루어져 계면이 존재하지 않으므로, 효과적인 열 전달이 가능하게 된다. 반도체 칩의 집적도가 높아지고, 동작속도가 고속화되면서 필연적으로 칩의 전력소모가 증가하게 된다. 이는 결국 열 에너지의 형태로 칩을 빠져나가게 되는데, 이때 발생되는 열을 효과적으로 제거하지 않으면 소자의 작동오류가 발생하거나 고열로 소자가 파괴되는 경우가 생긴다. 결국 고성능 칩의 설계에서 저전력 문제와 더불어 방열부분은 매우 중요한 요소가 된다. 이러한 기술은 공냉 또는 수냉 방식의 냉각이 필요한 반도체 소자에 대부분 응용될 수 있다.
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- 한국표준과학연구원
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
고체 내부에서 열 에너지가 전달되는 경로는 금속에서는 전자를 통해서, 그리고 부도체에서는 격자진동인 포논을 통해서 일어난다. 소자의 방열은 대부분 소자 뒷면에 히트싱크를 부착하여 실현하게 되는데 이때 히트싱크와 실리콘 칩 사이의 계면에서의 열 저항이 열전달 효율을 결정하는 중요한 요소가 된다. 본 기술은 이온 임플란트를 이용하여 칩 뒷면에 전도도가 높은 전도성 층을 형성하고, 그 위에 금속을 입혀 실리콘 기판에서 발생하는 열이 포논에 의한 전달경로 외에도 전자에 의한 전달경로를 추가하는 방법이다. 이때 실리콘 기판 내에서 반도체-도핑층 전도체 간의 열전달은 동일 기판 내부에서 일어나는 일이므로 매우 효율적이 되며, 도핑층에서 금속으로의 열전달은 전자를 통한 채널이 추가되므로 효율이 높아진다.
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- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2008-06-11
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전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
증착공정(화학증착법, 물리적 증착법, 원자층 증착법 등)을 통해 증착된 질화막 게이트 전극(대표적인 예 :HfN)를 사용하는 경우 후속공정을 진행하기 위하여 대기하는 시간 동안 대기 및 반응기내 잔류하고 있는 수분이 침투하여 질화막의 조성비가 변하고, 또한 침투된 수분(산소)에 의하여 저항이 커지게 되어 반도체의 성능을 저하시킨다. 본 발명은 질화물 게이트 전극을 차세대 반도체 소자에 사용할 경우 발생하는 수분침투에 의한 비저항 증가문제를 해결하기 위한 방법이다. 질화막 게이트 전극 표면 상태를 친수성에서 소수성으로 바꾸면 수분침투가 억제될 것이다. 친수성 기능기로 구성된 표면을 소수성 기능기로 치환하기 위하여 게이트 전극을 만든 후 다양한 증착 및 흡착공정을 이용해 소수성 기능기를 포함한 분자를 표면에 주입하여야 한다. 흡착방법, 흡착조건 및 흡착정도에 따라 반도체 소자 특성에 영향을 미칠 수 있다. 차세대 새로운 소자의 경우 수분에 민감하여 수분에 노출되는 순간 그 특성이 변질되어 그 특성이 감소되어 제대로 된 특성을 보이지 못하는 경우가 많다. 이는 반도체 소자 뿐만 아니라 디스플레이 소자의 경우도 마찬가지이다. 이 기술은 반도체 및 디스플레이 산업에 넓게 활용될 수 있다는 점에서 그 시장성이 크다고 할 수 있다.
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- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 용액 성분 분석을 위한 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 혼합채널, 반응채널과 측정채널을 연속적인 미세한 홈으로 하나의 기판에 형성시켜 용액 성분 분석을 위한 소자를 구현함으로써, 소형화시킬 수 있으며, 이동하여 신속히 시료를 분석할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 기술의 용액 성분 분석을 위한 소자의 측정채널과 광섬유 사이에 투명한 실리콘 산화막을 형성함으로써, 광섬유 삽입이 용이하게 되어 시료 분석을 위한 광학계 구성을 단순화할 수 있는 효과가 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 마이크로 머시닝 기술과 반도체소자 제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술의 목적은 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계, 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계, 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를노출시키는 단계, 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계, 탐침의 첨두부에 금속점을 증착시키는 단계 및 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조 방법에 의해 달성된다.따라서, 본 기술의 양자점 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 마이크로 머시닝 기술과 반도체 소자제작 공정을 응용하여 끝이 뾰족한 탐침을 제작하고 리프트 오프 공정을 이용하여 탐침의 첨두부에 금속 양자점을 형성함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 바이오 분자를 분석할 수 있고, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel) 효과의 발생을 방지할 수 있으며, 탐침의 종횡비를 크게 하여, 정보의 센싱도를 향상시키는 원자간력 현미경용 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.본 기술의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법은 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계, 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계, 기판 상부에 동일한 두께의 포지티브 포토레지스트를 도포하여 탐침의 첨두부만 보이도록 하거나 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후에 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계, 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후에 마스크를 패터닝하여 탐침의 첨두부의 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계, 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계 및 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 액체에서 사용가능하고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.따라서, 본 기술의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 바이오 분자들 간의 상호작용에 따른 전기적 효과를 측정함으로써 단일 분자를 탐침에 부착하는 장점이 있고, 수신 감도가 증대되는 효과가 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환 장치(SAR ADC)에 관한 것으로서, 아날로그 신호를 입력받고, N 비트의 디지털 코드에 따라 기준 전압을 분배하여 입력 신호와 비교하며, 비교 결과에 따라 입력 신호에 대응하는 N 비트의 디지털 코드를 비트별로 순차적으로 판정하는 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기와, N 비트 축차 근사형 아날로그-디지털 변환기에 의해 N 비트의 디지털 코드 판정이 완료되면, 판정 오차를 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기에 입력하고 기준 전압을 2N배로 분주하며, M 비트 디지털 코드의 판정이 완료될 때까지 후속비트를 순차적으로 판정하도록 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기를 제어하는 제어 수단과, N 비트 판정이 완료되면, 제어 수단의 제어에 의하여 판정 오차를 인출하여 저장하고, 그 저장된 전압을 N 비트 축차근사형 아날로그-디지털 변환기의 캐패시터 어레이에 입력하는 저장 수단을 포함한다.본 기술에 따르면, SAR ADC를 단위 블록으로 사용하여 보다 큰 해상도의 SAR ADC를 용이하게 구현할 수 있으며, SAR ADC에서 사용되는 캐패시터의 수와 면적을 감소시켜서 높은 해상도의 SAR ADC를 적은 면적으로 구현할 수 있다.
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 단결정 기판과, RBa2Cu3O7로 표현되며, R은 Sm, Nd, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb로 구성되는 그룹으로부터 선택되며, 단결정 기판 위에 증착되어 하부 전극으로 작용하며 고온 초전도 특성을 가지는 전도성 산화물 박막과, 전도성 산화물 박막 위에 증착되는 강유전체 박막을 포함하는 초전도 전극을 이용한 나노스토리지 강유전체 매체구조에 관한 것이다.본 기술에 따르면 나노스토리지 강유전체 매체구조에서 요구되는 특성인 표면 거칠기가 나노미터 정도일 것과 결정학적 정렬성이 우수할 것과 강유전체 도메인의 표면 전위가 충분히 클 것과 같은 조건을 만족하는 매체구조를 실현할 수 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 가스 센서 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 가스 센서가 만들어지는 기판의 뒷면을 식각하여 생기는 홈을 그대로 이용하여 감지물질을 도포 시킴으로써, 종래 기술과 같은 가스 감지물질 지지대를 별도로 제작하여 접합하는 공정이 필요하지 않고, 감지물질을 고온에서 소결할 때 지지부가 분리되는 문제를 제거할 수 있으며, 또한 반도체 포토 리소그래피공정을 이용하여 감지 물질 지지를 위한 홈을 형성하기 때문에 별도의 가스 감지물질 지지대의 정렬장치가 필요 없는 효과가 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 제1 노드, 제2 노드, 제3 노드 및 제4 노드로 전류를 출력하는 복수의 PMOS를 포함하는 제1 캐스코드(cascode) 전류 발생기(current mirror)와, 제1 노드, 제2 노드, 제3 노드 및 제4 노드를 통하여 제1 캐스코드 전류 발생기에 연결되고, 제3 노드를 통하여 출력 전압(VOUT)을 출력하는 복수의 NMOS를 포함하며 제2 노드에 게이트가 연결되는 NMOS들은 약한 반전(weak inversion) 영역에서 동작하는 것인 제2 캐스코드 전류 발생기를 포함하는 온도 특성을 개선한 기준전압 발생기에 관한 것이다.본 기술에 따르면, 온도 변화에 대한 특성을 보상하기 위한 별도의 추가 구성없이 종래의 기준전압 발생기 내의 각 소자를 포화영역 대신 약한 반전 영역에서 동작하도록 함으로써 온도 변화에 따른 특성을 반영하여 기준전압을 발생시킬 수 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 그리퍼 및 그를 구비한 그립 장치에 관한 것으로, 공기가 흡입되고 배출되는 입구(Inlet)홈과, 입구홈에 연결된 채널홈과, 채널홈에 연결된 그립홈이 형성되어 있는 하부 기판과, 입구홈에 대응되는 관통홀이 형성되어 있고, 하부 기판에 접합되어 있는 상부 기판으로 구성된다.그러므로, 본 기술은 공기를 흡입 및 배출하여 그립홈에 대상물을 흡착하여 그립할 수 있고, 대상물을 쉽게 이탈시킬 수 있는 효과가 있다.또한, 본 기술은 그립홈의 일부 영역이 상부 기판의 끝단의 선상으로부터 돌출되어 있으면, 대상물을 그립홈에 안착시켜 보다 안전하게 그립할 수 있는 효과가 있다.더불어, 본 기술은 아답터를 구비하여, 공기의 누출됨이 없이 그립퍼를 아답터를 통하여 펌프에 연결시킬 수 있는 효과가 있다. 게다가, 본 기술은 그립홈의 폭을 채널홈의 폭보다 크게 하여, 채널홈의 폭보다 큰 대상물을 원활하게 흡착하여 그립할 수 있는 효과가 있다.
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 포토리소그라피 공정으로 제작된 유효 채널 길이가 나노 스캐일인 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 관한 것이다.따라서, 본 기술은 유효채널의 길이를 정밀하게 제어할 수 있어, 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버를 제조하기 위한 시뮬레이션을 용이하게 할 수 있으며, 저가의 포토리소그라피 장비를 적용하여 수십 내지 수백 나노미터 이하의 유효채널을 가지는 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 원자간력 현미경 캔틸레버를 제조할 수 있어 제조 공정의 정확성 및 수율을 향상시키고 공정비용을 대폭 절감할 수 있는 효과가 있다.
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 흡착형 마이크로 그리퍼 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 제 1 층과 제 2 층이 순차적으로 형성되어 있고, 제 1 층을 관통하는 제 1 관통홀이 형성되어 있고, 제 2 층에 제 1 관통홀과 연통되어 있는 제 2 관통홀이 형성되어 이루어진다.따라서, 본 기술은 그립면에 공기를 흡입할 수 있는 관통홀을 구비하여, 세포와 같은 미세 대상물을 그립할 수 있는 효과가 있다.또한, 본 기술은 관통홀 주위의 그립면에 트랜치(Trench)를 형성하여, 트랜치 주위의 돌출부위로 대상물을 가이드하여 보다 정확히 대상물을 그리핑할 수 있는 효과가 있다. 게다가, 본 기술은 SOI 기판을 이용하여, 흡착으로 대상물을 그립할 수 있는 그리퍼를 쉽게 제조할 수 있는 효과가 있다.
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- 2008-06-11
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전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 반도체 기판 관통형 전극 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판을 식각하여 관통홀을 형성하는 단계, 유리 기판의 상부에 금속층을 형성하는 단계, 반도체 기판과 유리 기판을 접합하는 단계, 관통홀을 도금하여 관통홀 내에 도금층을 매립하는 단계, 유리 기판을 제거하는 단계 및 금속층을 제거하는 단계를 포함한다.따라서, 본 기술은 관통홀을 도금하기 위한 공정이 단순하여 공정 수율의 향상 및 공정 비용을 절감할 수 있으며, 반도체 기판에 작용하는 스트레스를 최소화하여 소자의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 나노와이어소자 제조를 대량으로 가능하게 하는 방법에 관한 것으로 실리콘 웨이퍼에 종래의 사진식각공정과 실리콘 건식 식각 공정으로 직경이 수백 ㎚ 정도의 나노와이어 패턴을 제작한 후 실리콘 열산화 공정과 산화막 제거 공정을 이용하여 직경 수 나노미터 내지 수십 나노 크기의 나노와이어를 제작한다. 그리고 이를 절연막이 형성된 다른 기판에 전사시켜 나노와이어소자를 제작하는 방법을 제시한다. 나노와이어를 제조한 웨이퍼에서 절연막이 형성된 다른 웨이퍼로 나노와이어를 전사하는 방법을 이용함으로써 의도한 곳에 나노와이어를 위치시키려는 나노와이어 정렬과정이 불필요하며 SOI 웨이퍼를 사용할 필요가 없다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 다층 인쇄회로기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 절연층과, 절연층에 매립되어 하부면이 노출되어 있는 회로 패턴과, 회로 패턴 상부에 절연층을 관통하며 형성된 비아홀과, 비아홀을 충진하며 절연층의 상부면으로부터 돌출되어 있는 범프로 각각 이루어지는 제1적층판 및 제2적층판을 형성하고, 제1적층판과 제2적층판을 범프가 대응되도록 위치시킨후, 제1적층판과 제2적층판을 열압착하는 것을 특징으로 한다.본 기술에 의하면, 회로 패턴이 안정적으로 절연층에 매립되어 표면이 매우 평탄하며, 외부 충격에 우수한 신뢰성을 나타내는 효과가 있다. 그리고, 절연층 상부에 형성된 보호 필름을 통해 범프의 높이가 균일하게 형성되므로, 층간 접속이 원활히 이루어질 수 있으며, 적층판들을 별도로 형성시킬 수 있어 일괄 적층 전에 사전 검사를 통해 제품의 수율을 향상시킬 수 있으며, 제조 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술의 나노와이어 소자는 제1실리콘 기판에서 트랜스퍼를 위해 릴리즈된 나노와이어, 제2기판의 상부에 트랜스퍼된 나노와이어, 나노와이어와 전기적으로 연결된 전극 및 나노와이어소자, 전극의 상부에 형성되어 분석 대상물에 노출되는 것을 방지하는 절연층, 나노와이어의 표면에 형성된 산화막, 산화막의 표면에 유기 실란기로 이루어진 유기 실란층 및 유기 실란층 상부에 형성되어 분석 대상물에 감응하는 수용기를 포함한다. 따라서, 본 기술은 나노와이어 릴리즈 과정에서 발생되는 스트레스 영향을 최소화하여 나노와이어 트랜스퍼 시 나노와이어의 소실 및 위치변화를 방지할 수 있어 나노와이어 소자의 양산성을 향상시킬 수 있으며, 나노와이어 소자 제조에서 필수적인 나노와이어 배열 및 정렬을 용이하게 하는 이점이 있다. 이로 인하여 본 기술은 향후, 나노와이어 바이오센서뿐 아니라, 나노와이어 FET, 플렉시블 디스플레이 등의 분야에 용이하게 적용 가능한 이점이 있다.
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2008-06-11
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 IEEE 1491.1 규격을 사용하여 경계 스캔 셀(Boundary Scan Cell, BSC) 사이의 연결선 지연 고장(IDFT)을 테스트하는 제어 신호를 발생하는 연결선 지연 고장 테스트 제어기로서, IEEE 1491.1 규격의 데이터 레지스터 쉬프트 신호(ShiftDR)와 데이터 레지스터 갱신 신호(UpdateDR)와 데이터 레지스터 클럭 신호(ClockDR)를 입력받아 시스템 클럭(SysCLK)을 기초로 경계 스캔 셀 내에서 1 시스템 클럭 구간 내에서 갱신(Update)과 캡쳐(Capture)가 수행되도록 갱신 신호(UpDR)와 캡쳐 신호(CapDR)를 생성하는 연결선 지연 고장 테스트 제어기에 관한 것이다.본 기술에 따르면, IEEE 1149.1 기반의 보드 상의 연결선 뿐만 아니라, SoC내의 IEEE P1500 랩드(Wrapped) 코어 사이의 연결선 지연 고장 테스트를 1 시스템 클럭 또는 코어 클럭 구간 내에서 갱신과 캡쳐를 수행하도록 구성할 수 있으며, 또한 시스템 클럭 또는 코어 클럭이 다수개 있는 경우에도 각 시스템 클럭 또는 코어 클럭에 대응하여 한 번의 테스트 사이클에 서로 다른 시스템 클럭 또는 코어 클럭을 사용하는 여러 연결선의 지연 고장 테스트를 동시에 수행할 수 있다.
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- 전자부품연구원
- 등록일
- 2008-06-11
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 주화성 측정장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 웰, 채널, 마이크로 채널 및 유리기판으로 이루어진 웰 유닛에 상부하우징과 하부하우징을 구성하여, 상부하우징의 돌출부에 의하여 마이크로 채널을 누름으로써 웰과 채널의 연결을 차단하거나, 상부하우징에 형성된 2중막구조의 돌출부를 웰 내부에 삽입함으로써 웰과 채널의 연결을 차단하기 위한 주화성 측정장치에 관한 것이다. 또한, 본 기술은 채널의 형태를 웰부분으로 갈수록 채널 폭이 점차 좁아지는 구조 및 유리기판에 격자가 형성된 구조로 된 주화성 측정장치에 관한 것이다.본 기술은 액체시료를 수납하기 위한 웰유닛, 웰유닛의 상부에 위치하고, 웰유닛을 개폐하기 위한 상부하우징, 및 웰유닛의 하부에 위치하여 웰유닛을 지지하기 위한 하부하우징을 포함하는 주화성 측정장치로 이루어짐에 기술적인 특징이 있다.따라서, 기존의 수평구조로 고안된 세포의 주화성 측정장치의 단점을 최소화하면서, 간단한 구조의 돌출부에 의하여, 웰에 세포부유액 주입시 세포부유액이 채널로 유입됨을 방지하고, 피펫팅(pipetting) 에러에 의한 주화성물질이 채널로 유입되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 웰의 중심에만 세포부유액을 피펫팅(pipetting)하게 하기 위해 웰 크기를 키울 필요가 없으므로, 사용되는 세포와 배양시료의 양을 줄일 수가 있고, 마이크로채널 부근 가까이에 세포를 위치시키는 것이 가능한 효과가 있다. 또한, 채널과 주화성물질주입 웰 사이의 연결부위 폭을 감소시켜 세포의 이동에 매우 중요한 주화성 물질의 농도기울기 형성과 유지를 가능하게 하는 효과가 있으며, 격자가 포함된 유리기판을 통하여 시간에 따른 세포의 위치 파악이 용이하고 이동한 세포의 수를 계산함에 편리한 효과가 있다.
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- 등록일
- 2008-06-11
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일반기술
전기·전자 > 기타 전기/전자
본 기술은 가스 감지용 마이크로 스펙트로미터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 가스 감지를 위하여 광이 이동되는 채널 홈을 절곡시켜 동일한 크기에서 광의 이동거리를 증가시켜, 흡광도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.또한, 본 기술은 절곡된 홈을 적용하여 이 홈을 수용할 수 있는 기판의 크기가 줄어들어서, 스펙트로미터의 크기를 줄일 수 있어, 장치를 휴대할 수 있는 효과가 있다.더불어, 본 기술은 광의 이동거리를 증가시켜, 저농도의 가스 성분을 측정할 수 있는 효과가 있다.
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- 전자부품연구원
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- 2008-06-11
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