정수기 폐필터를 이용한 고농도 폐수처리 장치
정수기 폐필터를 이용하여 폐수 및 하수를 여과토록 하여 안정적으로수질을 관리함으로써 처리 효율을 극대화 하였음 특허 제0372807호(2003.2.6) 참조 생물막법
- 등록일
- 2003-06-16
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정수기 폐필터를 이용하여 폐수 및 하수를 여과토록 하여 안정적으로수질을 관리함으로써 처리 효율을 극대화 하였음 특허 제0372807호(2003.2.6) 참조 생물막법
본 기술은 플립형이나 폴터형의 휴대폰전화 있어서, 덮개의 개폐나 접힌 휴대전화를 펼치고 접는 동작이 자동으로 이루어질 수 있도록 한 장치이다. 덮개가 설치되거나 접을 수 있도록 된 휴대전화의 힌지부 내부에 소형모터를 내장하고 소형모터의 축에 감속수단을 연결하여 회전속도를 감속시키며, 감속수단의 회전축을 덮개의 힌지부에 결합하여 구성하며, 소형모터의 작용을 위한 버튼은 전화기의 외부에 별도로 구성하거나 외부에 설치된 기존의 버튼에 기능을 추가하여 작용시킨다.-감속수단으로는 유성기어식이나 또는 하모닉드라이버를 사용함-휴대전화의 외부에 구성한 버튼을 누르면 모터의 작용으로 덮개를 자동으로 열거나 닫을 수 있도록 함
본 기술은 플라즈마 형성방법으로 균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 제작하는 것에 관한 것이다. 본 기술의 목적은 플라즈마 화학기상증착방법을 이용하여 균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 전극 위에만 선택적으로 증착하는 것이다. 본 기술은 고밀도 플라즈마 화학기상증착법을 이용한다. 나노튜브 제작시 기판의 온도는 500 oC ~ 800 oC로 유지하며, 나노튜브의 생성 기판으로써 전이금속(Ni, Co 등)이 있는 실리콘 기판이나 전이금속(Ni, Co 등)이 증착된 절연기판을 사용한다. 나노튜브의 균일성과 생성밀도를 높이기 위하여 절연기판 위에 전이금속(Ni, Co 등)이 증착된 다결정 실리콘을 증착하여 기판으로 사용한다. 나노튜브 제작시 사용되는 가스는 CH4, C2H2, C2H6, C3H8 등(이하 CH4로 표기)의 탄소를 포함한 탄화수소 계열을 사용하며, 플라즈마 생성 및 나노튜브 공정을 최적화시키기 위하여 He, H2, N2, CF4 등을 사용한다. 나노튜브의 높은 생성밀도를 이루기 위해, 탄소 나노튜브를 증착하는 모우드와 증착시에 포함된 흑연상을 없애기 위한 에칭 모우드로 구성된, 증착ㆍ에칭ㆍ증착ㆍ에칭의 공정이 반복되는 층ㆍ층ㆍ층 증착방법과, 동시에 플라즈마를 형성하는 전극과 기판 사이에 한 개 이상의 금속 그물망을 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 제조한다. -CH4가스를 사용하여 500 oC ~ 800 oC의 온도에서 탄소 나노튜브를 기판 위에 선택적으로 패턴된 금속 위에만 제작 가능-균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 제작 가능-탄소 나노튜브를 전계효과 디스플레이(FED)의 전계방출 소자로 응용 가능-다양한 변경 실시가 가능
본 기술은 길항균주 슈도모나스 플루오레센스 2112(Pseudomonas fluorescens 2112)(기탁번호 KCTC 8944P) 및 이를 이용한 생물학적 방제법에 관한 것이다. 본 기술은 항생물질과 사이드로포어를 생산하여 식물병원균을 효과적으로 방제하는 신규한 길항균주 슈도모나스 플루오레센스 2112 및 이를 이용한 생물학적 방제법에 관한 것이다. 본 기술은 저병해 경작지 토양으로부터 분리선발하여 동정한 본 길항균주 슈도모나스 플루오레센스 2112(기탁번호 KCTC 8944P)는 항진균성 항생물질과 사이드로포어(siderophore)를 생산하여 식물병원성 진균의 RNA 합성 및 단백질 합성을 저해하므로써 식물병원균의 생육을 억제하고 특히 산성 pH 및 고온의 조건에서도 식물병원균 억제 활성을 유지할 뿐만 아니라 실제 토양에서도 그 활성을 유지하는 뛰어난 효과가 있다.- 길항균주 슈도모나스 플루오레센스 2112는 항진균성 항생물질과 사이드로포어를 생산하여 식물병원성 진균의 RNA 합성 및 단백질 합성을 저해하므로써 식물병원균의 생육을 억제- 산성 pH 및 고온의 조건에서도 식물병원균 억제 활성을 유지- 실제 토양에서도 그 활성을 유지하는 효과가 있으므로 생물농약 산업상 매우 유용
본 기술은 박막트랜지스터-액정디스플레이(TFT-LCD)의 제조방법에 있어서 불소가 함유된 실리콘 산화막(SiOF)를 식각마스크 및 이와 동시에 층간 절연막으로 사용하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 역스테거드형 박막트렌지스터를 사용한 TFT 어레이 제조에 있어서 게이트전극, 게이트절연막, 채널활성층 및 SiOF 채널식각마스크가 절연기판상에 형성된다. 제조된 TFT 어레이에서 SiOF 층은, TFT의 채널 상단 부위에서는 채널식각마스크의 역할을 수행하며, 배선의 교차지점에서는 배선간의 층간절연막의 역할을 동시에 수행한다.-계면 특성을 좋게함-층간정전용량이 크게 줄임-대면적의 TFT-LCD 패널의 설계가 크게 용이-화질 개선-고해상도
본 기술은 비반응성 기체를 이용한 플라즈마를 사용하여 금속 입자를 비정질 실리콘에 입사 시킨다. 그 후 UV를 조사시키면서 전계를 인가하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 플리즈마에 의한 금속의 형성과 전계을 인가하면서 UV에 의한 열처리로 비정질 막을 결정화 한다. 유리기판 위에 절연막을 형성하고 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 5x1012 ~ 5x1014cm-2의 금속 입자들을 입사시킨다. 파장이 100~400nm 사이의 UV를 조사한 상태에서 1~1000V/cm 사이의 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 시키거나, UV를 조사시키고 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 한다.-전계와 UV을 이용하여 결정화 시간을 단축-대면적 기판에 적용함에 따른 기판 변형의 문제 최소화-낮은 온도에서 박막 전체를 균일하게 결정화 가능-저온에서 제작 가능-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
본 기술은 회전체에 내장된 작동실에 곡옥형태로 만곡되고 일단에 축핀이 있는 피스톤이 하우징의 타원형 안내대를 따라 회전하면 피스톤의 전면과 꼬리부가 접촉 회전하면서 왕복운동이 일어난다. 피스톤의 꼬리부가 하우징안내대의 상사점에서 하사점으로 이동하면서 하우징의 흡입구에서 회전체의 흡배기공을 통해 흡입이 일어나고 하사점에서 상사점으로 이동하면서 흡배출공을 지나 하우징의 배출구를 통해 압출이 일어난다.안정된 압축기를 만들기 위해 본인이 발명한 로타리피스톤과 피스톤 안내장치를 하여 추가기술 이전함으로서 안전한 압축기로 공급된다.1. 타원형의 하우징안내대를 일단이 축핀으로 고정되고 타단이 자유로운 회전체에 내장된 작동실내 곡외형 피스톤이 회전접촉함으로 흡입과 압출이 이루어진다.2. 압축과 흡입시 타원형 안내대에 각 피스톤이 대칭형으로 마주함으로 균등한 힘이 작동함으로서 저소음 저진동읠 이룰수 있는 로타리 압축기이다.3. 독립된 윤활기능이 있어 작동실과 피스톤 사이에 실을 함으로서 고압의 압축력을 얻을 수 있다.4. 토출을 얻기위해 가해지는 회전수와 회전력을 감안하여 하우징 안내대의 곡율을 정할 수 있다.
본 기술은 인(P) 이온 도핑된 비정질 막 상에 니켈 등의 아주 얇은 금속 층을 비정질 막 전체에 형성시켜 전계를 인가하면서 열처리하여 비정질 실리콘을 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 인 이온을 도핑하여 금속 유도 결정화 방법으로 비정질 막을 결정화 하는데 있다. 유리 등의 절연기판 위에 인 이온을 포함된 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 얇은 금속층을 증착하고, 전기장을 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 금속 유도 결정화 한다-다결정 실리콘의 결정성을 향상-박막내의 잔류 금속의 양을 최소화 -박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD), 태양전지, 이미지 센서 등에 필요한 다결정 실리콘 박막으로 대체 가능-저온에서 제작-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
본 기술은 항암물질 카텝신 B 저해제를 생산하는 균주 스트렙토마이세스 sp. KH-1(Streptomyces sp. KH-1)와 이들이 생산하는 카텝신 B 저해제의 동정에 관한 것이다. 본 기술은 토양에서 단백질 분해효소 저해제를 생산하는 균주를 분리하여 배양한 후 배양액을 여과하는 단계, 배양여과액을 카텝신 B 용액 및 기질용액과 혼합하여 반응시킨 후 흡광도를 측정하여 상기 배양여과액의 카텝신 B 저해활성을 측정하는 단계, 국제 스트렙토마이세스 프로젝트(International streptomyces Project; ISP)에 의해 제안된 배지를 사용하여 상기 토양에서 분리한 균주의 화학분류학적 및 형태학적 특성을 조사한 후 이 균주를 스트렙토마이세스 sp.KH-1로 명명하는 단계, TAXON 프로그램을 사용하여 본 기술의 신규 균주 스트렙토마이세스 sp. KH-1를 동정하는 단계, 본 기술의 신규 균주 스트렙토마이세스 sp. KH-1가 생산하는 카텝신 B 저해제의 동정을 위해 13C-NMR 스펙트럼분석, 원소분석, UV 스펙트럼분석 및 IR스펙트럼분석을 실시하는 단계로 구성된다.- 본 기술의 신규한 스트렙토마이세스 sp.KH-1 균주의 배양 여과액은 카텝신 B의 단백질 분해활성을 뚜렷하게 저해하는 뛰어난 효과가 있음- 본 기술은 폴리하이드록시아민(polyhydroxylamine)으로 구성된 신규한 카텝신 B 저해제를 제공하는 뛰어난 효과가 있음- 생물의약산업상 매우 유용함
본 기술은 액정 표시소자(LCD)에 사용하는 박막 트랜지스터의 제작 공정에 필요한 마스크 수를 줄이는 방법 및 고농도 불순물층과 화소 전극 사이에 니켈 실리사이드 혹은 니켈 실리사이드와 금속층(Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd. Ag 등)이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터(TFT)구조에 관한 것이다. 본 기술의 TFT는 절연 기판상에 게이트, 활성층 및 소오스/드레인 전극이 형성된 TFT에 있어서, 소오스/드레인 전극이 실리사이드 혹은 실리사이드와 금속층으로써 형성된다. TFT 제작에 있어서 기존 공정보다 1∼2 장의 마스크 수를 감소시켜서 스윗칭 소자인 TFT를 형성할 수 있다. 소오스/드레인 전극은 실리사이드층 및 투명전극 혹은 실리사이드층, 금속층 및 투명전극의 적층으로 이루어진다.- 저 마스크수 공정에 의한 TFT를 제작 가능- 생산성 향상- LCD 제작 비용을 크게 절감
본 기술은 금속 박막의 위 아래에 얇은 알루미늄 질화막(AlN)을 형성하여 박막 격리 방지에 관한 것이다. 본 기술은 알루미늄 질화막을 전체적으로 증착하여 형성한다. 형성된 알루미늄 질화막은 패턴형성을 하지 않고 남겨둔 상태에서 다른 금속(게이트 금속)을 증착한다. 알루미늄 질화막은 다른 박막에 전혀 영향을 주지 않으면서 쉽게 제거가 가능하다. 이러한 방법에 의해 복잡한 공정과 금속의 특성 저하없이 유리와 금속의 접착력을 향상시키고, 금속의 확산도 막을 수 있다. 이 기술은 새로운 게이트 금속 물질인 APC(Ag-Pd-Cu)합금과 구리의 접착력 향상과 확산 방지에 알루미늄 질화막을 사용하여 박막 트랜지스터를 제조한다.-접착력, 확산및 금속의 변형이 우려되는 금속을 알루미늄 질화 버퍼층을 이용하여 유리 기판 위에 증착하여 후속 공정시의 신뢰도를 높임-대부분의 금속이 특성변화 없이 게이트 금속 사용을 가능-낮은 저항 금속들 중의 일부인 구리와 APC가 유리 기판에 접착력이 우수한 금속 특성을 보임
본 기술은 배기를 재순환시켜 사용에너지를 절약하는 배기 재순환형 회전드럼 골재 건조기에 대한 것이다.회전드럼 골재 건조기에서 투입된 골재는 회전드럼 속에서 회전하는 동안 버너에서 공급된 뜨거운 연소가스에 의하여 건조된다. 지금까지 개발된 기존의 회전드럼 골재 건조기의 경우 버너에서 공급된 연소가스는 회전드럼을 1회 통과하면서 골재와 열교환을 한 후 대기 중으로 배출하게 되어있다. 따라서 기존의 골재 건조기는 배기에 포함된 상당량의 이용 가능한 에너지를 폐열로 대기 중에 배출하는 구조로 되어 있다. 그러므로 기존 회전드럼 골재 건조기에서 배기의 폐열을 회수하여 이용함으로써 건조시 소비되는 연료를 크게 줄일 수 있다. 즉 적당량의 배기를 재순환시켜 외기와 혼합하여 버너로 투입함으로써 적은 연료의 연소로도 건조에 요구되는 온도와 유량을 갖는 연소가스를 얻을 수 있다. 재순환되는 배기의 유량은 재순환 팬과 재순환 유량조절 밸브에 의하여 조절된다. 본 발명의 기술은 골재 건조기의 연료소비를 줄이기 위하여 배기의 일부를 재순환시켜 배기의 폐열을 회수하는 방법과 이를 골재 건조기에 적용하는 것이다..- 회전드럼 골재 건조기의 에너지 이용 효율을 극대화- 고효율 배기 재순환형 - 배기 재순환형 회전드럼 골재 건조기의 보급 및 사용은 골재 건조에 소비되는 연료를 크게 줄이고 에너지 이용효율 역시 크게 높여줌- 적당량의 배기를 재순환시켜 외기와 혼합하여 버너로 투입함으로써 적은 연료의 연소로도 건조에 요구되는 온도를 얻음- 골재 건조에 낭비되어왔던 많은 에너지를 회수하게 되므로 많은 양의 에너지를 절약
본 기술은 고분자계 전계 발광(Electroluminescence, 이하 EL이라 칭함)소자의 제조시 발광재료로서, 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함한 PPV계 유도체 및 이를 발광재료로서 사용한 전계 발광 소자에 관한 것이다. 지금까지 많이 연구된 E L소자로서는 GaAs와 같은 무기계 반도체를 들 수 있는데 이들은 작은 크기, 낮은 소모전력 등의 장점으로 현재 작은 면적의 디스플레이, 발광 다이오드(Light Emitting Diode, 이하 LED라 칭함)램프 및 반도체 레이저 등으로 사용되고 있다. 그러나 이들 소자는 넓은 면적의 LED를 제조하기가 곤란하며 금속 화합물의 형광이온이 첨가된 무기반도체 및 이들을 고분자에 분산시킨 무기계 EL 소자의 경우 구동 전압이 높을 뿐아니라 높은 전기장에서 작동되어 반도체의 안정성에 문제점을 갖고 있다. 본 기술에 사용한 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함한 PPV계 유도체의 중합도 및 이의 제조방법은 특별히 한정시킬 필요는 없다. 유도체의 중합도는 유기용매에 가용성이 있어서 스핀코팅 방법으로 박막이 형성될 수 있는 정도이면 된다. 단지 본 기술은 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함한 PPV계 유도체를 형성한다.- PLED 소자로의 응용 가능- 광 스위치나 모듈 및 광흡수체 등으로 응용 가능- 본 기술은 고분자계 EL 소자를 제조할 때 곁가지(side chain)에 아다만탄을 포함하는 PPV계 유도체를 발광재료로 사용하는 것을 특징임- 발광 재료를 함유하는 전계 발광 소자를 제조함
본 기술은 수소 플라즈마를 사용하여 니켈 등의 아주 얇은 전이금속층을 비정질 실리콘 박막 위에 형성시킨 후, 전계를 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 방법에 관한 것이다, 본 기술은 유리등의 절연기판 위에 비정질 실리콘 박막을 증착하고, 반도체 층위에 수소(H2)가스를 사용하여 RF 또는 DC 플라즈마를 노출시킨 후, 전기장을 가해주면서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화한다. 이 때, RF 또는 DC 플라즈마의 세기, 노출시간, 반응로 내부의 압력등을 조절하여 박막내의 금속량을 조절하게 된다. 결정화 속도를 증가시키기 위하여 DC 또는 AC 전압을 플라즈마 노출상태에서 가하거나, 플라즈마 노출이 종료된 후에 비정질 실리콘의 양단에 가해준다. 플라즈마에 의해 특정 금속만이 비정질 실리콘 층위에 도포하기 위하여, 반응로 내부에 금속봉 또는 금속판을 통해 플라즈마를 생성시킨다. 이 때 사용되는 금속물질로는 Au, Ag, Al, Sb, In 등의 귀금속과 Ni, Mo, Pd, Ti, Cu, Fe, Cr 등의 실리사이드를 형성하는 전이금속을 사용한다.-결정화시간을 단축-낮은 온도에서 박막전체를 균일하게 결정화-다결정실리콘 표면 혹은 바닥에 존재하는 니켈량을 수소(H2) 플라즈마의 조건으로부터 조절가능-저온에서 제작 이점
회전제에 내장된 작동실에 곡옥형태로 만곡되고 일단에 축핀이 있는 피스톤이 하우징의 타원형 안내대를 따라 회전하면 피스톤의 전면과 꼬리부가 접촉회전하면서 왕복운동이 일어난다. 피스톤의 꼬리부가 하우징안내대의 상사점에서 하사점으로 이동하면서 흡입이 일어나고 하사점에서 상사점으로 이동하면서 압축이 일어난다. 압축 후 폭발시키고 작동실의 체적이 늘어나면서 회전체는 추력을 얻은 다음 회전체의 흡배기공을 통하여 하우징의 배기구로 폭발가스를 배출한다.상기 기관에 추가기술이전 할 본인이 발명한 로타리피스톤과 피스톤안내장치, 디젤 연료분사장치 그리고 압력식 로타리기관의 여닫이 개폐밸브를 장착하여 추력을 증강할 수 있다.1. 타원형의 하우징안내대를 일단이 축핀으로 고정되고 타단이 자유로운 회전체에 내장된 작동실내 곡옥형 피스톤이 회전접촉함으로 흡입과 압출이 이루어진다.2. 압축과 흡입시 타원형 안내대에 각 피스톤이 대칭형으로 마주함으로 균등한 힘이 작동함으로서 저소음 저진동을 이룰수 있는 로타리 기관이다.3. 독립된 윤활기능이 있어 작동실과 피스톤 사이에 씰을 함으로서 고압의 압축력을 얻을 수 있어 가솔린기관 및 디젤기관으로 만들수 있다.4. 적정한 RPM을 얻기위해 회전력을 감안하여 하우징 안내대의 곡율을 할 수 있다.
본 기술은 니켈 등의 아주 얇은 금속 층을 비정질 막 전체 형성시키고 그 위의 일부분 위에 제2금속 층을 형성한 후, 전계를 인가하면서 열처리하여 비정질 실리콘을 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 유리 등의 절연기판위에 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 얇은 금속층을 증착하고 전기장을 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 금속 유도 결정화 한다- 결정화된 다결정 실리콘의 결정성을 향상- 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD), 태양전지, 이미지 센서 등에 필요한 다결정 실리콘 박막으로 대체 가능- 저온에서 제작할 수 있다는 이점- 고온고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
본 기술은 연성인쇄회로기판에 복수 개의 IC 칩을 실장하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 복수 개의 집적회로 칩을 연성인쇄회로기판 상에 실장하기 위한 방법에 있어서, 패드에 범프가 형성된 복수 개의 집적회로 칩과 다수의 전극이 형성된 연성인쇄회로기판을 각각 준비하는 단계, 연성인쇄회로기판 상에 이방성도전필름을 형성하는 단계, 패드가 상기 전극에 오버랩되도록 정렬한 후 130∼170℃의 온도하에서 압착하여 패드와 전극을 접착시키는 단계로 구성된다. 집적회로에 범프를 형성하는 방법은, 패드와 범프의 접착을 위하여 패드 상에 UBM(Under Bump Metallurgy)층을 형성하는 단계, UBM층 상에 전기도금법에 의해 납/주석 또는 금 또는 니켈/금을 형성하여 범프를 형성하는 단계로 구성된다.-25` 이상의 대구경 액정디스플레이 모듈의 적용-다중칩모듈(Multichip Module) 기반 기술 확립 -μ-BGA(ball grid array) 기술로의 응용 가능하여 모듈의 고집적 효과-인쇄회로기판의 유연성으로 3차원적인 시스템 구성이 가능-모듈의 실장 면적을 극소화-높은 열 발산율과 낮은 유전율을 적용시켜 전기적 특성을 높임
로타리기관의 피스톤안내장치는 기관에 있어서 흡입행정이 강제흡입이 되어야한다. 그러기 위하여 피스톤(12)과 고정된 축핀(14)과 일체로 형성된 유도막대(30)의 단부에 안내롤러(28)가 안내대와 비슷한 형태인 하우징 상판의 공간의 벽면(26)에 형성된 타원형의 안내면(26)을 따라 감으로서 피스톤(12)이 작동실 내에서 작동실을 진공상태로 이동하게 하여 강제흡입을 이루고 안내롤러가 계속 안내면을 따라 감으로서 유도막대의 안정감을 이룬다. 이장치는 본인이 발명한 로타리기관과 유체를 위한 회전피스톤을 사용한 압축기에 사용되도록 만들었다.1. 강제 흡입함에 있어서 자중 또는 가스압 또는 스프링에 의해 피스톤을 이동하게 한 강제흡입 보다 안전하게 작동실을 진공상태로 피스톤을 이동하게 하여 흡입하게 하는 장치이다. 2. 로타리기관을 비롯하여 유체를 위한 회전 왕복동 피스톤을 사용한 압축기에서도 사용할 수 있다.
본 기술은 일반적으로 입형개선기 rotor tip의 형상에 관한 것이다. 골재가 회전하는 rotor에 공급되면 rotor로부터 원심력을 얻어 rotor 바깥쪽으로 튀어나가게 된다. 이때 골재는 회전하는 rotor 기준으로 수평 방향 바깥쪽으로 이동하는 것이 아니라 약간 위쪽 또는 아래쪽으로 방향성을 가지면서 튀어나가게 된다. 골재의 이동 방향이 약간 위쪽 또는 아래쪽인가 rotor의 회전수, 공급되는 골재의 공급량 및 rotor 바닥과의 반발력 등에 따라 달라진다. 입형개선기의 운전 조건에 따라 골재가 rotor바깥쪽으로 튀어나갈 때 약간 위로 또는 아래로 향하게 되는데 이때 rotor tip의 형상을 골재의 배출 방향에 따라 위쪽 또는 아래쪽이 좁도록 해주면, 즉 rotor tip의 위쪽과 아래쪽의 면적을 다르게 제작하면 rotor tip의 마모를 현저하게 줄일 수 있게 된다. rotor에서 골재의 배출 방향이 위쪽을 향하는 경우 rotor tip의 위쪽 면적을 작게 해 줌으로써 골재와 rotor tip의 충돌을 줄여주어 마모를 감소시킬 수 있으며, 골재의 배출 방향이 아래쪽인 경우 rotor tip의 아래쪽 면적을 작게 하면 된다. rotor tip의 위쪽과 아래쪽의 면적이 다른 비대칭형 rotor tip은 일자형 뿐만 아니라 삼각형, 사다리꼴 및 U자형 등도 가능하다.- rotor tip의 수명을 연장- 입형개선기의 생산성을 향상
본 기술은 둘 또는 그 이상의 복수의 회로기판을 물리적 및 전기적으로 결합시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 BGA(Ball grid array), Micro BGA, 플립 칩(Flip Chip)등 공납을 이용하여 부품을 지지하거나 전기적 신호를 제공하는 전자 패키징 공정을 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 기술은 다수의 회로기판을 물리적 및 전기적으로 결합시키기 위한 장치에 있어서, 그 표면에 납을 수납하기 위한 다수의 홈을 가지며 어느한 회로기판에 구비된 패드에 비해 젖음성이 낮은 재질로 이루어진 금속판, 홈에 수납된 납을 공납으로 형성하며 패드에 공납을 전이시키기 위하여 금속판을 가열하는 가열수단, 어느한 회로기판의 패드와 금속판의 홈을 정렬시키기 위한 정렬수단으로 구성된다. 본 기술은 다수의 회로기판을 물리적 및 전기적으로 결합시키기 위한 방법에 있어서, 그 표면에 납을 수납하기 위한 다수의 홈을 가지며 어느한 회로기판에 구비된 패드에 비해 젖음성이 낮은 재질로 이루어진 금속판을 준비하는 단계, 금속판의 홈내에 납을 채우는 단계, 어느한 회로기판과 금속판을 서로 정렬시키는 단계, 금속판을 가열하여 납을 공납으로 형성하고 어느한 회로기판을 가압하여 공납의 일측을 패드에 전이 및 부착시키는 단계, 어느한 회로기판에 부착된 공납의 타측을 다른 회로기판에 구비된 패드에 부착시키는 단계로 구성된다. 본 기술은 금속패드를 구비한 회로기판에 공납을 부착시키기 위한 방법에 있어서, 그 표면에 납을 수납하기 위한 다수의 홈을 가지며 금속패드에 비해 젖음성이 낮은 재질로 이루어진 금속판을 준비하는 단계, 금속판의 홈내에 납을 채우는 단계, 어느한 회로기판과 금속판을 서로 정렬시키는 단계, 금속판을 가열하여 납을 공납으로 형성하고 어느한 회로기판을 가압하므로써 금속패드와 금속판의 젖음성 차이로 인하여 공납의 일측이 상기 패드에 전이 및 부착되도록 하는 단계로 구성된다.-개개의 패키지 기판의 수리 및 대량 생산에도 용이하게 적용-공납과 패키지 기판을 동시에 가열하는 종래방법에 비해 열전이 온도가 낮은 기판에서도 패키지 기판의 변형이 작아 높은 신뢰성을 갖음