내열성 초합금 재료의 표면처리 방법, 및 이를 이용한 내열초합금 재료
본 기술은 반복 열응력에 의해서 일어나는 코팅층의 파손을 최대한 억제하기 위한 것으로, 내열 초합금 모재에 제1금속 및 제2금속을 층상을 이루도록 도금하거나, 합금 형태로 도금한 후, 이 내열 초합금 모재에 알루미늄을 확산 코팅하는 내열 초합금 재료의 표면처리방법 및 이를 이용한 내열 초합금 재료에 관한 것이다.
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- 2008-01-25
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23 / 38 페이지진공청소기용 진공호스의 릴 장치
본 기술은 진공청소기의 흡기구와 브러시의 사이를 연결하고 있는 호스를 용이하게 감았다 일정한 크기의 작은 힘으로 풀 수 있도록 하고, 용도에 맞는 브러시를 외측부에 탈부착이 가능하도록 하여 사용자에 대한 청소의 편리성을 향상시키기 위한 진공청소기용 진공 호스의 릴 장치를 제공하는데 그 특징이 있다. 또한, 본 기술은 외측 하단부에 이동바퀴를 구비하여 사용자로 하여금 청소 시의 이동을 용이하게 하는 동시에 실리콘부재를 구비하여 청소하고자 하는 바닥면의 손상 없이 이동이 가능하게 하며, 호스에 제어 스위치단을 부착하여 청소 시의 사용자에 의한 청소기의 용이한 제어로 사용자에게 조작 및 운용상의 편리성을 제공하는데 있다.또한, 본 기술은 전체적인 제품에 대한 생산성과 경제성을 향상시켜 이를 설치하여 사용하는 중앙 집중식 청소 시스템에 대한 사용자로 하여금 사용상의 신뢰도 및 만족도를 극대화시키는 진공청소기용 진공 호스의 릴 장치를 제공하는데 있다.
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- 2008-01-28
ＳｉＯ₂박막 내 금속 나노 결정체의 형성 방법
본 기술은 플래시 메모리 소자의 제조에 있어서, SiO2 박막 내 금속 나노 결정체의 형성방법에 관한 것이다.플로팅 게이트를 가지는 플래시 메모리 소자의 제조에 있어서, SiO 2 박막 내에 금속 나노 결정체를 형성할 수 있는 방법이 제시되어 있다. 본 기술의 방법에 의하면 간편하게 SiO 2 박막 내 금속 나노 결정체를 형성하고 그 크기를 제어할 수 있으므로 저비용으로 고효율의 플래시 메모리 소자를 제작하는데 유용하게 사용될 수 있다.
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- 2008-01-28
코발트 피티 나노입자 형성방법
<기술의 개요>본 기술은 코발트 피티 나노입자 형성방법에 관한 것으로서 절연체전구체(insulator polyamic acid)와 물리적 증착 및 열처리를 이용하여 코발트 피티 나노입자를 형성 및 성장시키면서, 입자 크기 내지 밀도 증가를 조절하고, 상대적으로 증가된 보자력을 갖도록 하는 코발트 피티 나노입자 형성방법에 관한 것이다.본 기술은 복수 차에 걸쳐 증착 및 열처리를 수행함에 따라서, 상대적으로 구분된 상태의 나노입자의 평균 크기의 증가를 조절할 수 있고, 보자력을 상대적으로 증가시킬 수 있는 코발트 피티 나노입자 형성방법을 제공한다.본 기술의 코발트 피티 나노입자 형성방법은 기판 위에 폴리이미드로 이루어진 절연체전구체 층을 형성하고, 절연체전구체 층 위에 코발트(Co)와 피티(Pt)를 배치하여 미리 정한 두께의 코발트 피티 박막(CoPt film)을 증착하고, 코발트 피티 박막과 상기 절연체전구체 층을 미리 정한 열처리 온도로 열처리하여 절연체전구체 층 위에 코발트 피티(CoPt) 나노입자를 형성하고, 코발트 피티 나노입자와 절연체전구체 층에게 복수 차에 걸쳐 증착 및 열처리를 수행하여, 증착 및 열처리 사이클 차수에 대응하게 나노입자 평균 크기를 증가시켜 성장된 코발트 피티 나노입자를 형성한다.
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- 2008-01-30
고분자 나노 입자의 제조방법 및 이로써 제조된 고분자 나노 입자와 이의 용도
본 기술은 고분자 나노 입자의 제조방법 및 이로써 제조된 고분자 나노 입자와 이의 용도에 관한 것으로, 리포좀과 고분자 하이드로겔을 사용하여 제조된 하이드로겔/리포좀 복합체를 다공성 막이 구비된 압출기를 이용하여 압출하는 공정을 수행함으로써 고분자 나노 입자의 입자 크기의 제어가 가능한 고분자 나노 입자의 제조방법 및 이로써 제조된 고분자 나노 입자와 이의 용도에 관한 것이다.제조된 고분자 나노 입자는 그 표면에 효소, 단백질, 미생물, DNA, 약물, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 특이물질을 첨가하여 고분자 나노 입자의 표면에 특이물질을 고정화하여 바이오센서, 약물전달 시스템 및 분석 분야 등 다양한 분야에 적용될 수 있다.
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- 2008-01-30
산 첨가에 의한 고밀도 나노 입자 형성 방법과 이를 이용한 나노 입자 및 소자
본 기술은 금속 또는 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 방법에 관한 것으로 절연체 내부에 금속 또는 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 방법, 이를 이용한 나노 입자 및 다양한 소자와 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술에 따른 나노 입자 형성 방법에서는 절연체 전구체, 금속 분말 및 산(acid)이 첨가된 혼합물을 기판 상에 도포하여 막을 형성한 다음, 이 막을 큐어링하여 절연체 내부에 포함된 나노 입자를 형성한다. 또는 기판 위에 증착된 금속 박막 위에 산을 첨가한 절연체 전구체를 도포하여 막을 형성한 다음, 이 막을 큐어링하여 절연체 내부에 나노입자를 형성시킬 수 있다. 본 기술에 따르면, 산 첨가에 의해 종래보다 고밀도의 나노 입자를 형성시킬 수 있다. 본 기술에 따른 나노 입자 형성 방법의 일 태양은 절연체 전구체, 금속 분말 및 산(acid)이 첨가된 혼합물을 기판 상에 도포하여 막을 형성하는 단계 및 막을 큐어링하여 절연체 전구체로부터 절연체를 형성하고 절연체 내부에 금속 분말로부터 나노 입자를 형성하는 단계를 포함한다.
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- 2008-01-30
암체어형 탄소나노튜브 및 이를 포함하는 장치
본 기술은 암체어형 탄소나노튜브 및 이를 포함하는 장치에 관한 것으로 탄소나노튜브 내 질소가 일렬로 위치하도록 도핑되어, 장축 방향의 응력에 의해 밴드 구조가 변화하여 나노 센서, 반도체 장치 등에 적용 가능한 암체어형 탄소나노튜브와 이를 포함하는 장치에 관한 것이다.본 기술은 탄소나노튜브 내 질소가 일렬로 위치하도록 도핑되어, 장축 방향의 응력에 의해 밴드 구조의 변화가 발생하는 암체어형 탄소나노튜브를 제공한다.
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- 2008-01-30
박막 형성 방법
본 기술은 박막 형성방법에 관한 것으로, 특히 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착에서 DC 바이어스를 적용하여 박막 품질을 향상시키고 선택적으로 트랩 사이트의 수를 제어하는 박막 형성방법에 관한 것이다.기판 위에 고유전 산화막의 박막을 형성하는 방법으로서, DC 바이어스를 인가한 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착으로 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.게이트 산화막이나 고유전 산화막 성장시 플라즈마 밀도가 높고 이온의 영향을 극소화한 원거리 플라즈마 원자층 증착법 또는 화학기상증착법을 실행함으로써 박막 밀도가 높고 누설전류가 적은 박막을 성장시킬 수 있다.
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- 2008-03-28
자기조립 다층 분자막의 제조방법
본 기술은 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은, (S1) 기판 표면에 분자층 증착법(MLD; Molecular Layer Deposition)을 이용하여 기상 반응에 의해 자기조립 유기 단분자막을 형성하는 단계, (S2)기판을 UV/O3 또는 O3로 처리하여 자기조립 유기 단분자막의 말단기를 -OH 또는 -COOH로 치환하는 단계 및 (S3)자기조립 유기 단분자막 상에 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 금속 전구체를 반응시켜 금속 수산화물 단분자층을 형성하는 단계를 수행하되 (S1) 내지 (S3) 단계를 1사이클로 하여 반복 수행하는 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 대한 것이다.
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- 2008-01-30
박막 형성 방법
본 기술은 박막 형성방법에 관한 것으로, 특히 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착에서 DC 바이어스를 적용하여 박막 품질을 향상시키고 선택적으로 트랩 사이트의 수를 제어하는 박막 형성방법에 관한 것이다.기판 위에 고유전 산화막의 박막을 형성하는 방법으로서, DC 바이어스를 인가한 원거리 플라즈마 원자층 증착 또는 원거리 플라즈마 화학기상증착으로 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.게이트 산화막이나 고유전 산화막 성장시 플라즈마 밀도가 높고 이온의 영향을 극소화한 원거리 플라즈마 원자층 증착법 또는 화학기상증착법을 실행함으로써 박막 밀도가 높고 누설전류가 적은 박막을 성장시킬 수 있다.
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- 2008-01-30
자기조립 다층 분자막의 제조방법
본 기술은 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 관한 것이다.본 기술은, (S1) 기판 표면에 분자층 증착법(MLD; Molecular Layer Deposition)을 이용하여 기상 반응에 의해 자기조립 유기 단분자막을 형성하는 단계, (S2)기판을 UV/O3 또는 O3로 처리하여 자기조립 유기 단분자막의 말단기를 -OH 또는 -COOH로 치환하는 단계 및 (S3)자기조립 유기 단분자막 상에 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)으로 금속 전구체를 반응시켜 금속 수산화물 단분자층을 형성하는 단계를 수행하되 (S1) 내지 (S3) 단계를 1사이클로 하여 반복 수행하는 자기조립 다층 분자막의 제조방법에 대한 것이다.단시간 내에 고품질의 다층 분자막을 제조할 수 있으며, 자기조립 유기 단분자막 사이에 금속 수산화물 단분자층이 물리적이 아닌 화학결합으로 결합되어 다층 분자막이 보다 안정화될 수 있다. 반도체 또는 전자소자 제조를 위한 나노패터닝, 화학적 센서 및 생체 센서, 나노트라이볼로지, 표면 개질, 나노전자기계 시스템(NEMS), 마이크로전자기계 시스템(MEMS), 비휘발성 메모리 등 다양한 분야에 응용이 가능하다.
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- 2008-01-30
상온 강자성 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자
본 기술은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 특히 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자에 관한 것이다. 본 기술의 일 측면에 따르면, 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법을 제시할 수 있다. 반도체 소자 제조 장치가 상온 강자성 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서, 스퍼터링 증착 방식에 의해 챔버 안에서 기판 상에 타겟 물질을 박막 증착하여 반도체 박막을 형성하는 단계, 반도체 박막에 도너 역할을 수행하는 이온화된 수소를 주입하는 단계 및 수소가 주입된 반도체 박막을 미리 설정된 온도하에서 열처리하여 재결정화하는 단계를 포함하는 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법이 제시된다. 본 기술에 따른 상온 강자성 반도체 소자 제조 방법 및 그에 의해 제조된 반도체 소자는 다결정 자성반도체에 이온주입장치를 이용하여 수소이온을 주입하고, 낮은 온도의 급속 열처리를 통해, 기존의 강자성 특성은 그대로 유지하며, 전하이동도를 높일 수 있는 효과가 있다.
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- 2008-01-30
플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법
본 기술은 미세 패턴의 상부가 노출되며, 편평한 기판 표면을 갖도록 a) 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계, 및 b) 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 플라스틱 기판 내로 매립하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성방법에 관한 것이다.본 기술에 의해 금속 미세 패턴이 플라스틱 기판 표면에 그 어떤 요철을 형성하지 않음에 따라, 금속 미세 패턴이 유체와 접촉하는 경우 와류가 형성되지 않는다.본 기술에 따른 플라스틱 기판 상의 미세 패턴 형성 방법은 금속 미세 패턴의 상부가 노출되며 편평한 기판 표면을 갖도록, 플라스틱 기판 상에 포토리소그래피 공정으로 박막 형태의 돌출된 금속 미세 패턴을 형성하는 단계 및 플라스틱 기판을 가열 및 가압하여 돌출된 금속 미세 패턴을 플라스틱 기판 내로 매립하는 단계를 포함한다.본 기술에 따른 플라스틱 기판은 각종 전기전도도 검출기, 전류법 검출기, 바이오 센서, 온도 감지 센서, 마이크로 방열기, 반응장치 등 플라스틱 칩 위에서 구현할 수 있는 랩온어칩(lab-on-a-chip)과 플렉서블 디스플레이(flexible display) 등의 플라스틱 기판 상에 금속배선이 구현되는 모든 장치에 적용된다.
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- 한양대학교
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- 2008-01-30
탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법
본 기술은 탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 기술에 따른 메모리 소자는, 기판, 기판 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상에 형성되고 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층, 전하포획층 양측의 기판 내에 형성된 소스와 드레인 및 전하포획층, 소스와 드레인 상에 각각 형성된 전극을 포함한다. 이러한 메모리 소자의 제조 방법에서는, 용매에 분산시킨 탄소 나노튜브를 기판에 스핀코팅하여 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층을 형성한다. 본 기술에 따른 메모리 소자는 소자의 동작이 기본의 플래시 메모리 소자와 거의 동일하기 때문에 기존의 구동 회로를 재활용할 수 있는 장점이 있다. 본 기술에 따른 메모리 소자 제조 방법은 기존의 무기물을 사용한 플래시 기억 소자에 비해 훨씬 간단하며 제작 비용과 공정 시간을 최대한 단축시킬 수 있다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-30
원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법
본 기술은 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법에 대한 것으로서 원자 힘 현미경의 음극 산화 리소그래피 방법을 이용하여 일정 식각 선택비를 갖는 두 층의 박막 중 상층 박막에 대하여 산화물 패턴을 형성하고, 산화물 패턴과 하층 박막을 차례로 건식 식각함으로써, 박막 패턴의 깊이를 획기적으로 증가시키고, 기존의 나노 패턴 리소그래피를 위한 유기물 레지스트 및 고 진공 환경을 필요로 하지 않는 박막 패턴 제작 방법에 관한 것이다.본 기술인 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작 방법에 의하면, 레지스트의 코팅, 현상 제거 등의 공정 단계를 제거할 수 있으므로, 간편하고 저렴한 공정을 통해 박막 패턴을 제작할 수 있고, 레지스트 두께에 따른 패턴의 해상도 변화가 일어나지 않으며, 원자 힘 현미경을 활용함으로써 수 Å단위의 미세한 조작이 가능하고, 곡선과 같은 복잡한 패턴의 제작이 가능하다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-31
오스테나이트 내침식 철계 합금
본 기술은 오스테나이트 내침식 철계 합금에 관한 것으로 1.5∼2.0 중량%의 C, 0.2∼1.5 중량%의 Si, 16∼25 중량%의 Cr, 10∼15 중량%의 Mn, 0.1∼0.4 중량%의 B, 및 잔부로 Fe을 포함하는 오스테나이트 내침식 철계 합금에 관한 것이다.오스테나이트 내침식 철계 합금은 Mn과 함께 B을 첨가하여 변형유기 마르텐사이트 상변태를 촉진시켜 종래 고가의 합금과 비교하여 캐비테이션 저항성이 크게 향상됨에 따라, 별도의 표면 처리를 수행하지 않더라도 해수용 펌프, 임펠러, 선박용 러더 뿐만 아니라 증기터빈 부소재, 밸브류, 펌프 샤프트 등 캐비테이션 침식이나 마식에 의한 손상이 심한 부품에 적용된다.본 기술은 1.5∼2.0 중량%의 C, 0.2∼1.5 중량%의 Si, 16∼25 중량%의 Cr, 10∼15 중량%의 Mn, 0.1∼0.4 중량%의 B, 및 잔부로 Fe을 포함하는 오스테나이트 내침식 철계 합금을 제공한다. 여기서, 오스테나이트 철계 합금은 변형 유기 마르텐사이트 상변태가 가능하며, 1.6∼1.8 중량%의 C, 0.9∼1.1 중량%의 Si, 19.1∼20.7 중량%의 Cr, 10.1∼10.9 중량%의 Mn, 0.2∼0.3 중량%의 B, 및 잔부로 Fe을 포함할 수 있다.또한, 오스테나이트 내침식 철계 합금은 Fe-20Cr-1.7C-1.0Si의 합금과 10∼15 중량%의 Mn 및 0.1∼0.4 중량%의 B을 포함한다.본 기술에 따른 오스테나이트 내침식 철계 합금은 Fe-Cr-C-Si 철계 합금에 Mn 및 B을 첨가하여 내마모성뿐만 아니라 캐비테이션 저항성을 크게 향상시키고 가공성이 우수할 뿐만 아니라 종래 고가의 합금에 비해 내구성이 우수하며 경제적이다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2008-01-31
동공크기 및 비표면적이 제어된 규산염 점토다공체의 제조방법
ㅇ 본 기술의 목적: 규산염 점토의 층 전하밀도를 조절한 후 무기 다핵 착이온과 이온 교환 반응시키고 열처리하므로써 동공 크기 및 비표면적이 제어된 규산염 점토 다공체를 제조한다. ㅇ 기술 요약 및 특징: 본 기술은 동공 크기 및 비표면적이 제어된 규산염 점토 다공체의 제조 방법에 관한 것이으로, 규산염 점토 다공체의 동공 크기 및 비표면적을 제어하기 위해 규산염 점토의 층 전하밀도를 조절한 후 무기 다핵 착이온과 이온교환 반응시키고 열처리하여 규산염 점토 다공체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
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- 이화여자대학교
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- 2008-01-31
다공성 박막의 제조 방법 및 이로부터 제조된 다공성 박막
본 발명은 다공성 제조방법 및 이로부터 제조된 다공성 박막에 관한 것으로서, 방사액 공급 용기(1)내 고분자 방사액을 높은 전압이 걸려 있는 방사 노즐(2)을 통해 고전압이 걸려 있는 컬렉터 용기(6)내에 담겨져 그 표면이 전기방사되는 고분자 방사액의 제트 스트림(4)내에 위치하는 용액(B)을 향해 전기방사 하는 것을 특징으로 한다.; 본 발명으로 제조된 다공성 박막은 평균 직경 크기가 0.02∼10㎛인 기공들이 균일하게 형성되어 있다.; 본 발명은 일정크기의 기공들이 균일하게 형성된 다공성 박막을 보다 간소한 공정으로 제조 가능하다.
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- 전북대학교
- 등록일
- 2008-02-21
나노섬유의 제조 방법
본 발명은 나노섬유의 제조방법에 관한 것으로서, 고분자 방사액을 높은 전압이 걸려 있고 컬렉터(6)와 평행되게 배열된 노즐판(2)에 위치하여 컬렉터의 수평면과 이루는 각도(θ2)가 0.1∼89°인 방사노즐(3)을 통해, 고전압이 걸려 있으며 지면의 수평면과 0.1∼89°의 각도(θ1)를 이루며 표면이 고분자 방사액의 제트 스트림 밖에 위치하는 컬렉터(6)위를 통과하는 기재(7)를 향하여 전기방사하여 나노섬유(4)를 형성한 다음, 상기 기재(7)를 이용하여 제조된 나노섬유(4)를 컬렉터로 부터 분리한 후 건조 및 권취하는 것을 특징으로 한다.; 본 발명은 전기방사시 드롭렛(Droplet) 현상을 방지할 수 있고, 나노섬유의 집속이 용이하고, 나노섬유를 보다 간소한 공정으로 연속해서 제조 가능하다.
- 보유기관
- 전북대학교
- 등록일
- 2008-02-21
지반주입재용 무기결합재 조성물 및 그 제조 방법
본 발명은 지반 그라우팅(grouting) 고강도 및 고내구성 지반주입재용 무기결합재 조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 분말도 8,000~12,000㎠/g인 고로슬래그 미분말 100중량부에 대하여 분말도 8,000~12,000㎠/g인 폐석고와 폐석회로 이루어진 수화반응 활성제 15~40중량부, 알칼리 물질 0.5~10중량% 및 유동화제 분말 1~3중량부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 지반주입재용 무기결합재 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다.; 이와 같은 지반주입재용 무기결합재 조성물은 고로슬래그, 폐석고 등의 산업 폐기물을 최대한 활용하여 고강도, 고내구성을 가질 뿐만 아니라 경제성이 우수하여 범용적으로 널리 사용될 수 있는 이점이 있다.
- 보유기관
- 전북대학교
- 등록일
- 2008-02-21