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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

레이저 유기 충격파와 액막의 기화를 이용한 세정방법 및 그 장치

본 발명은 세정물의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 방법에 관한 것으로, 상기 세정물에 액막을 도포하는 단계; 하나 이상의 광학부를 통과한 레이저 펄스를 상기 세정물위의 소정 거리로 떨어진 곳에서 포커싱(focusing)하여 플라즈마를 발생시켜 충격파를 생성하는 단계; 상기 액막이 도포된 세정물 표면에 레이저를 조사(照射)하여 액막을 기화시키는 단계; 상기 충격파가 상기 불순물에 도달되는 시간과 상기 세정물 위에서 액막의 증발이 일어나는 시간을 동기화하는 단계; 그리고, 도달시간이 동기화된 증발압력과 충격파로 불순물을 제거하는 단계;를 포함해서 이루어진다. 세정물의 표면에 부착된 불순물을 제거하는 방법으로, 상기 세정물에 액상 물질을 분사해서 액막을 도포하는 단계; 하나 이상의 광학부를 통과한 레이저 펄스를 상기 세정물위의 소정 거리로 떨어진 곳에서 포커싱(focusing)하여 플라즈마를 발생시켜 충격파를 생성하는 단계; 상기 액막이 도포된 세정물 표면에 레이저를 조사(照射)하여 액막을 기화시키는 단계; 상기 충격파가 상기 불순물에 도달되는 시간과 상기 세정물 위에서 액막의 증발이 일어나는 시간을 동기화하는 단계; 그리고, 도달시간이 동기화된 증발압력과 충격파로 불순물을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.

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포항공과대학교
등록일
2007-08-10
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

이산화티타늄 나노입자의 멸균코팅막의 제조방법

본 발명은 이온간 인력에 의한 자기조립법을 이용하여 세라믹, 유리, 금속과 같은 무기재료 뿐만 아니라 고분자 재료에까지 이산화티타늄 나노입자의 멸균코팅막을 형성시키는 방법에 관한 것으로서, (A) 박막이 형성될 기판을 준비하는 단계와, (B) A단계의 기판을 고분자양이온 수용액에 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (C) B단계의 기판을 고분자음이온 수용액에 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (D) C단계의 기판을 나노입자의 이산화티타늄 용액에 일정시간 침지하여 표면에 흡착시킨 후 증류수로 세척 및 건조시키는 단계와, (E) D단계의 기판을 상기의 C단계 공정, B단계 공정, C단계 공정을 순차적으로 수행한 후에 D단계 공정을 수행하는 단계와, (F) 상기의 E단계 공정을 반복하는 단계를 포함하는 멸균 코팅막의 제조방법을 제공함으로써, 코팅될 기질의 크기와 형태에 대한 제약이 거의 없으며, 코팅될 기질의 원색과 투명도를 그대로 유지시키면서 멸균코팅이 가능할 뿐만 아니라 플라스틱과 같은 범용 고분자 재료에까지 확대시킬 수 있어 병원과 같은 공중시설 환경에서 사용되는 많은 고분자 제품에 유용하게 사용될 수 있다.(A) 세라믹 재료, 금속 재료, 고분자 재료 중 어느 하나의 재료로 구성되며, 그 표면에 박막이 형성될 기판을 준비하는 단계와, (B) 폴리알릴아민 하이드로클로라이드를 증류수에 용해시킨 후 pH 2.5 정도의 강산성이 되도록 조절하여 제조된 고분자양이온 수용액에 A단계의 기판을 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (C) 폴리아크릴산을 증류수에 용해시킨 후 pH 2.5 정도의 강산성이 되도록 조절하여 제조된 고분자음이온 수용액에 B단계의 기판을 일정시간 침지한 후 증류수로 세척하여 건조시키는 단계와, (D) C단계의 기판을 나노입자의 이산화티타늄 용액에 일정시간 침지하여 표면에 흡착시킨 후 증류수로 세척 및 건조시키는 단계와, (E) D단계의 기판을 상기의 C단계 공정, B단계 공정, C단계 공정을 순차적으로 수행한 후에 D단계 공정을 수행하는 단계와, (F) 상기의 E단계 공정을 반복하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노입자의 멸균코팅막의 제조방법.

보유기관
포항공과대학교
등록일
2007-08-10
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

급냉-급건조 공정을 이용한 무기복합막의 제조방법

<종래의 문제점>일반적으로 무기복합막을 합성하기 위해서 사용하는 스테인레스 스틸, α-알루미나와 같은 다공성 무기 지지체들은 그 기공크기가 크고 균일하지 못해서 결함없는 코팅층을 형성하기 위해서는 많은 시간이 소요되는 코팅-건조-소성 과정을 수차례 반복해야만 한다. 또한, 복합막의 제조에 앞서 지지체의 기공크기를 줄이기 위한 추가적인 개질단계를 거치기도 한다. 이와 같이 수많은 코팅과정을 거치면서 복합막의 투과도는 급격히 감소하게 되는 문제점이 있음.<기술의개요>-기존의 복합막의 제조방법에서 결함없는 코팅층을 얻기 위해 행해지는 수많은 코팅과정의반복으로 인해 투과도가 감소하는 문제점을 해결하고자 연구한 결과, 콜로이드 용액을 다공성 무기 지지체에 코팅하고, 이를 급냉 및 급건조한 다음 소성할 경우 크렉이나 핀홀 등의 결함이 없는 코팅층을 쉽고 빠르게 형성할 수 있고 그로 인해 복합막의 투과도가 향상됨을 알게 되어 본 기술을 완성함-본 기술은 급냉-급건조 공정에 의하여 종래에 비해 손쉬운 방법으로 투과도가 높은 무기복합막을 제조하는 방법을 제공하는 데 그 목적이 있음<기술의 기대효과>-본 기술에 따라 급냉-급건조 방법에 의해서 무기 복합막을 합성하게 되면 기존의 무기 복합막 합성법에 비해 제조시간을 크게 단축시킬 수 있음-코팅층의 결함이 최소화되고 높은 투과도를 갖는 무기 복합막을 쉽고 빠르게 제조할 수 있음

보유기관
한국화학연구원
등록일
2007-12-11
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

저항가열식 박막증착장치

○ 기술발명의 목적 : 본 기술의 도가니의 상부에 원료 물질이 뭉치는 현상을 제거하고 균일한 가열이 가능하도록 상부와 하부의 면적을 다르게 형성한 판상 히터를 사용하는 저항가열식 박막증착장치를 제공하기 위한 것이다.○ 기술 요약 및 특징 : 도가니의 상부에 원료 물질이 뭉치는 현상을 제거하고 균일한 가열이 가능하도록, 박막증착용 고체 원료가 장입되는 도가니와, 도가니에 밀착되어 설치되고 판형상으로 이루어지며 상부의 단면적은 작고 하부의 단면적은 크게 형성하는 히터와, 히터를 지지하며 하부로의 열방출을 차단하는 지지체와, 도가니 및 히터의 외부를 감싸며 외부로의 열방출을 차단하는 열차폐판을 포함하는 저항가열식 박막 증착장치를 제공한다.

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충남대학교
등록일
2007-12-18
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

FeSmO계 연자성 박막 및 그 제조방법

○ 기술 요약 및 특징 : 본 기술은 일반식 FexSmyOz으로 표시되며, x, y, z는 각각 원자%로서, 72≤x≤84, 3≤y≤7, 11≤z≤23(단, x+y+z=100)인 것을 특징으로 하는 고투자율, 고비저항, 고포화자속밀도의 FeSmO계 초미세결정 연자성 박막합금 조성물에 관한 것이다. 본 기술에 의한 산화물계 초미세결정 연자성 박막합금은 기존의 연자성 박막합금보다 제조방법이 간단하고 고주파 자기특성과 열정 안정성이 매우 우수하여 박막 인덕터, 박막 변압기 등과 같은 각종 고주파 대역의 박막자기소자의 코어재료 및 VTR 헤드 등에 적용이 가능하다.

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충남대학교
등록일
2007-12-20
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

초 친수성 박막 형성 방법

○ 기술발명의 목적 본 발명은 친수성 작용기(Hydrophilic)를 가진 화합물을 렌즈표면에 화학적으로 결합시킴으로서 영구적인 친수성 표면화하여 항상 수접촉각을 10°미만으로 낮추어 김서림을 방지하도록 한 것이다.○ 기술 요약 및 특징 본 발명은 플라스틱 안경렌즈에서 무반사 코팅기능은 유지시키면서도 김서림을 방지해주도록 내구성 및 재현성이 우수한 초 친수성 박막을 형성시키는 초 친수성 박막 형성방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 플라스틱 안경렌즈의 표면에 코팅된 실리카(SiO2)로 인하여 형성된 Si-OH 와 반응결합 할 수 있고 다른쪽은 다양한 화학적 반응이 가능한 표면작용기를 갖는 화합물로 코팅시킨후 상기된 표면작용기와 반응할 수 있는 작용기를 한쪽 끝에 가지고 있고 다른쪽은 친수화 작용기를 가진 화합물로 코팅하여 초친수성 박막을 형성시킴으로써 이루어진다.

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충남대학교
등록일
2007-12-20
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

화학 기상 증착법에 의해 제조된 리튬 2차 박막 전지

○ 기술발명의 목적 본 발명은, 미세 전자 소자에 구동 전원으로서 기존의 박막전지 구조와는 달리 고용량의 전지를 구현하기 위해 모든 전지의 구성요소를 고상으로 하여 트렌치(Trench)구조위에 화학 기상 증착법을 통하여 단차 피복성을 증가함으로써 컬렉터, 캐소드 및 전해질을 형성하였고 전지의 정전 용량을 향상시키는 방법을 제공○ 기술 요약 및 특징 본 발명은, 화학 기상 증착법에 의해 제조된 리튬 2차 박막 전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 박막 전지가 형성되는 평탄 기판(Substrate) 또는 트렌치 기판 위에 순차적으로 형성되는 각 단계의 컬렉터(Collector), 캐소드(Cathode) 및 전해질(Electrolyte)을 형성함에 있어 단차 피복성의 증가를 통해 전지의 정전 용량을 향상시키기 위해 화학 기상 증착법을 사용한 것을 특징으로 하는 리튬 2차 박막 전지에 관한 것이다. 3차원 트렌치 구조 형성 시 화학 기상 증착법을 이용함으로써 기존의 물리적 증착법이 가지고 있는 단점인 단차 피복성의 기술적 한계를 극복하였으며 평탄 전지에서 3차원 구조의 전지 구조를 제작함에 있어 면적 증대로 인한 전지 용량의 증대와 대면적 증착이라는 장점이 있음

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충남대학교
등록일
2007-12-20
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

MOD법에 의한 ITO 투명전도성 박막의 제조

○ 기술발명의 목적 : 본 발명은 MOD(Metal-Organic Decomposition)법을 이용하여 ITO(Indium Tin Oxide) 투명전도성 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.○ 기술 요약 및 특징 : MOD(Metal-Organic Decomposition)법을 통하여 ITO(Indium Tin Oxide) 투명전도성 박막을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 기존의 ITO(Indium Tin Oxide) 박막의 제조방법은 물리적방법인 진공증착, 전자 beam 증착, 스퍼터링 등과 화학적방법인 sol-gel법, 염화물 등의 열분해를 이용한 방법 등이 사용되고 있다. 습식화학적 방법들은 원료준비 단계에서부터 분자단위에 이르는 혼합이 이루어져 복잡한 조성의 성분도 제조가 가능하고 박막의 조성을 쉽게 조절할 수 있으며, 용액의 농도, 점도, 표면장력 등을 조절이 쉬워 박막 제조방법도 dipping, spinning, spraying 등으로 CVD나 PVD에서는 적용하기 힘든 대용적이나 복잡한 형상의 기판에도 가능하다는 이점이 있다. 또한 장치와 공정이 간단하고 제조비용도 상대적으로 저렴하다는 장점이 있다. 또 같은 습식법 중 sol-gel법은 금속알콕사이드의 수화반응을 이용하므로 원료비가 비싸고, 원료용액이 수분에 민감하기 때문에 조절된 분위기가 필요한 반면 MOD(Metal-Organic Decomposition)법은 소수성 용매를 사용하기 때문에 수분에 대한 안정성이 뛰어나며, 코팅 후 건조과정에서도 용매가 모두 증발한 후 중합반응이 발생하기 때문에 박막의 수축이 기판과 평행하게 일어남으로서 균열이 없는 박막을 얻을 수 있다.본 발명에서는 이러한 여타 습식법의 단점을 극복하고, 고특성의 투명전도성 ITO(Indium Tin Oxide) 박막을 제조할 수 있는 방법으로 MOD법을 채택하여 (CH3CO2)3In와 C16H36Sn로부터 ITO(Indium Tin Oxide) 투명전도성 박막을 제조하였다. 본 발명에 따르면, 전술한 각각의 출발물질과 공통용매인 C8H16O2를 혼합하여 일정 몰비로 200℃의 온도범위에서 교반하면서 5시간 이상 유지한다. 그 결과로서 생성된 투명한 노란색의 sol은 시간이 지나면서 적갈색의 sol이 되는데 여기에 소수성 용매인 2-Ethyl-1-hexanol을 첨가하여 수분에 대해 안정적인 ITO(Indium Tin Oxide) sol을 얻을 수 있다. 이 sol을 점도를 조절한 후 도3에서 보인 Coater를 사용하여 코팅 후 건조와 열처리를 통하여 투명전도성 박막을 얻을 수 있다.

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충남대학교
등록일
2007-12-20
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

고밀도 나노구조 이산화티탄 세라믹 코팅

저가의 Anatase상 이산화티탄 분말을 사용하여 나노구조의 고밀도 이산화티탄 세라믹 코팅을 제조하는 기술로 제작된 코팅층은 기판과의 결합력이 우수하고 살균, 오염물질 분해, 탈취 등의 기능이 우수함. 대면적 고속코팅이 가능하여 경제성이 높으며, 코팅층의 두께는 1 - 100 마이크로미터까지 제어가 가능하고 코팅층의 표면 거칠기가 커서 (Ra > 0.5 마이크로미터) 광촉매 반응을 위한 표면적이 넓고 태양전지를 위한 염료 부착지점이 많음. 저가의 원료를 사용하며 (기존 광촉매 나노 분말의 1/5가격), 저가의 코팅장비를 사용하고, 코팅속도가 빠름 (5cm X 5cm 면적, 1 마이크로미터/분 이상). 상온 저진공 분위기에서 코팅되어 원료 분말의 재사용이 가능하여 경제성이 높은 코팅임. 살균능력, 유기물 분해능력, 자정 (self-cleaning) 능력이 우수하며 기존 spray coating 방식과 비교하여 100배 이상의 유효 반응 표면적을 가짐.

보유기관
한국재료연구원
등록일
2007-12-27
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

전기전도성 산화물 세라믹 코팅

연료전지의 저가화는 상용화를 위한 필수 기술임. 연료전지의 구성요소들 중 가장 높은 가격을 차지하는 것으로 접속자를 들 수 있음. 실제로 고체산화물 연료전지의 경우, 금속 접속자를 사용하여야만 가격 경쟁력을 갖춘 연료전지가 가능하고 고분자 전해질 연료전지의 경우에도 고가의 흑연계 접속자를 금속 접속자로 대체하여야 할 필요가 있음. 그러나, 금속 접속자는 기존의 세라믹 또는 흑연 접속자보다 산화에 취약하여 이를 보완하여야 함. 본 코팅은 이를 위한 전기전도성을 가진 산화물 세라믹을 이들 접속자 표면에 치밀하게 형성한 것임. 전기 전도성 산화물 세라믹 분말을 사용하여 고속으로 치밀한 전도성 세라믹 코팅을 함. 스테인레스 스틸을 비롯한 금속과 세라믹 코팅층간의 결합력이 우수하고 1000℃까지 가열 후 냉각하여도 박리나 균열 등의 결함이 없음. 800℃-900 시간 공기 중 노출 시험에서도 전기 저항 (Area Specific Resistance)는 스테인레스 스틸 대비 1/20 수준임. 고분자 전해질 연료전지 접속자용 산화물 세라믹 코팅의 경우에도 상온에서 충분히 낮은 전기저항을 나타냄.

보유기관
한국재료연구원
등록일
2007-12-27
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

polyol법에 의해 제조된 니켈분말 및 제조방법(암모니아수)

본 기술은 폴리올법에 의해 제조된 니켈분말 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 기술은 암모니아수에 소정의 니켈염을 용해시켜 출발물질을 제조하는 제1단계, 출발물질에 분산매와 유기환원제 역할을 동시에 하는 에탄올아민계의 반응매질을 일정 비율로 혼합하여 반응시키는 제2단계, 제2단계에 반응에 의해 생성된 생성물에 환원제로서 히드라진(N2H4) 또는 히드라진 수화물(N2H4·H2O)을 첨가하여 환원반응시키는 제3단계, 제3단계에 의해 제조된 니켈분말을 세척, 여과한 후 소정의 온도에서 건조시키는 제4단계를 포함하는 폴리올법에 의한 니켈분말의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 니켈분말을 제공한다. 니켈염은 바람직하게는 염화니켈육수화물이, 반응매질로인 에탄올아민계 화합물은 디에탄올아민, 트리에탄올아민 또는 이들의 혼합물이 바람직하다. 폴리올법에 의해 제조된 니켈분말은 그 입경은 0.3~0.5㎛서 미세할 뿐만 아나라 분산성이 양호하므로 MLCC(MULTI LAYER CERAMIC CONDENSER)용 내부전극 재료로 사용할 수 있다.

보유기관
부산대학교
등록일
2007-12-28
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

미소기계소자의 전공 실장방법 및 이 방법에 의해 진공 실장된 미소시계소자

본 기술은 미소기계(MEMS) 소자의 진공 실장방법 및 이 방법에 의해 제조된 미소기계소자에 관한 것으로 오링을 이용하여 진공상태에서 미소기계소자를 진공 실장하는 방법 및 이 방법에 의해 제조된 미소기계소자에 관한 것이다. ○ 기술 개요 및 특징: 오링을 이용하여 진공상태에서 미소기계소자를 실장하는 방법 및 이 방법에 의해 진공 실장된 미소기계소자가 개시된다. 본 기술의 미소기계소자의 진공 실장 방법은 동공이 형성된 기판과 미소기계소자가 형성된 하부기판을 준비하여 진공챔버에 인입하고, 하부기판의 미소기계소자의 가장자리 상에 오링을 개재하여 하부기판과 상부기판을 정렬한 한 후에 상부기판과 하부기판 사이에 압력을 가하여 오링이 상부기판과 하부기판 사이에서 압착하게 한다. 이어서, 진공챔버를 벤트(vent)시켜서 진공과 대기압의 압력차이로 상부기판과 하부기판을 진공실장하고, 상부기판과 하부기판 사이의 압력을 제거한다. 본 기술은 동공의 가스누설과 동공 내로의 가스방출이 없으면서도 공정이 간단하게 미소기계소자를 진공실장할 수 있다.

보유기관
서울대학교
등록일
2008-03-18
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

2축 집합조직(Biaxial texture)을 갖는 니켈 도금층과 그 층을 제조하기 위한 전기도금공정 및 장치

본 발명은 전기도금법으로 2축 집합조직을 갖는 Ni 전착층을 제조하는 방법에 관한 것으로, 전기도금시 도금층의 수직배향성이 매우 뛰어난 도금층을 제조하는 도금용액의 조성 및 도금조건과 그때에 도금 셀 외부에서 적절한 자기장을 가함으로써 도금층이 2축 집합조직을 갖도록 하는 것과 도금 후 열처리를 하는 것에 의하여 이 2축 집합조직이 더욱더 발달한 Ni 도금층을 제조하는 기술이다. 특히 2축 집합조직을 갖는 Ni 전착필름은 YBCO 초전도체의 증착을 위한 기판으로서 사용되며, 미국의 RABiTS 기술보다 훨씬 저가로 연속생산할 수 있는 기술이다. 고온초전도 제조공정에 압연공정을 통해 Ni 판재를 2축 집합조직화하여 중간층과 초전도층을 진공증착하는 RABiTS 기술은 YBCO 박막 고온초전도 장선재의 기판으로서 매우 중요한 기술임. 그러나 이 기술의 핵심인 압연공정에 의한 2축 집합조직화는 원천 특허화(미국, ORNL) 되어있기 때문에 새로운 방법이 요구됨. 본 기술은 전기도금법을 이용하여 Ni 등의 도금층을 2축 집합조직화된 금속 박판으로 제조하는 것으로 초전도선재용 기판, 자성재료용 및 새로운 수요를 창출해 낼 수 있을 것으로 기대됨. 이 기술은 전기도금법의 이용은 압연설비 등의 대형설비 없이 간단한 설비로 고품질의 2축 집합조직을 갖는 Ni 판재를 제조할 수 있기 때문에 생산원가 및 생산속도, 설비비 면에서 경제성이 유리하다고 판단됨.

보유기관
한국재료연구원
등록일
2008-04-16
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

진공증착법을 이용한 플라즈틱 소재의 알루미늄 피막 제조방법

1. 기술의 개요 목적 : 기판을 이온빔으로 전처리 한 후 알루미늄의 증발을 위한 가열을 2단계로 나누어 순간적인 고속 증발법을 개발하여 플라스틱 소재의 열 변형을 방지함과 동시에 높은 밀착력 및 반사율을 확보할 수 있는 진공 증착법을 이용한 플라스틱 소재의 알루미늄 피막 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. 구성 : 진공실을 대기압 미만으로 진공시키는 단계, 플라스틱 소재의 기판에 이온빔을 조사하여 전처리하는 단계, 알루미늄이 장입된 저항가열 증발원에 1차전력을 인가하여 알루미늄을 증가시키는 단계, 저항가열 증발원에 2차전력을 인가하면서 기판에 알루미늄이 증착되도록 셔터를 개방하는 단계, 알루미늄의 시간당 증발율이 최고점에 도달한 직후 셔터를 닫는 단계로 구성된다. 효과 : 알루미늄의 증발이 순간적으로 이루어지게 되어 플라스틱 소재에 변형을 주지 않으면서 코팅이 가능하므로 실수율이 현저히 상승되어 경제성이 높으며, 얇은 피막두께에서도 고 반사율의 피막제조가 가능하게 되는 효과가 있다. 2. 기술의 특징지금까지 알루미늄 피막의 반사율은 피막의 두께로 조절하는 것이 일반적이었다. 그러나 피막의 반사율은 두께 뿐만 아니라 피막의 밀도나 평탄도, 피막내에 함유된 불순물 등 다양한 요인에 의해서 결정된다. 즉 두께를 아무리 증가시켜도 피막내에 불순물이 포함되어 있으면 반사율이 일정 값이상으로 증가하지 않는다는 문제점이 있었다. 본 기술에서는 필요한 전력량이 되도록 전원을 설정하고 셔터를 개방하여 기판에 알루미늄 피막을 형성시키는데, 먼저 저항가열 증발원을 예열한다. 이는 저항가열 증발원이 가열되면서 발생되는 각종 가스가 피막에 혼입되어 피막의 특성을 저하시키는 것을 막기 위해서이다. 또한 최고 증발율을 100Å/s 내지 500Å/s로 하여 증착시 발생되는 응축열에 의한 손상을 막는다. 이러한 공정과정 특성으로 인하여 알루미늄 증발율이 변화하게 되며, 증발율이 최고점에 도달한 직후 셔터를 닫아 피막형성을 멈추게 되면, 피막내의 잔류가스로 인한 불순물 혼입을 방지하여 반사율이 높은 피막을 얻을 수 있다.

보유기관
포항산업과학연구원
등록일
2008-09-03
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

쌍곡면 드럼형 소자의 이온빔 식각을 이용한 이의 제조방법

본 발명은 이온빔 식각법을 이용하여 활성층(Active region or gain medium)의 직경이 수㎛ 이하에서 수십 ㎚까지의 범위에서 균일한 크기를 가지는 쌍곡면 드럼형 소자를 대량으로 제조할 수 있는 방법과 이로부터 제조된 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 쌍곡면 드럼형 소자의 제조방법은, 기판 상에 n형 반도체와 p형 반도체의 접합으로 이루어지며, 상기 n형 반도체와 p형 반도체 사이의 경계와 그 부근영역에 활성층을 갖는 에피택시층(epitaxial layer)을 형성하는 단계; 및 이온빔 식각법으로 상기 에피택시 층을 상기 활성층에서 최소의 직경을 갖도록 쌍곡면 드럼 형태로 식각하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 제조방법으로 제조된 쌍곡면 드럼형 소자는 매우 균일하고 재연성이 좋으며 대량 생산이 가능하다는 장점이 있다.

보유기관
포항공과대학교
등록일
2008-10-31
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일반기술 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)

질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판, 질화갈륨 박막제조방법 및 질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판으로 제조된 질화갈륨 박막을 포함하는 발광다이오드 및 레이저다이오드

질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판, 질화갈륨 박막 제조방법 및 질화갈륨박막 제조용 단결정 기판으로 제조된 질화갈륨 박막을 포함하는 발광다이오드 및 레이저다이오드가 제공된다. 해당 기술에따른 질화갈륨 박막 제조용 단결정 기판은 사파이어, 실리콘 카바이드, 산화아연, 실리콘 또는 비화갈륨(GaAs)으로 이루어지며, 동일 평면 상에, 복수개의 규칙적으로 반복형성된 패턴을 포함하는 질소이온주입 패턴부 및 상기 패턴을 구획하는 질소이온비주입 구획부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 질화갈륨 박막의 성장을 기존와 다른 방식으로 빠르게 성장시킬 수 있으며, 결과적으로 질화갈륨 박막의 결정성 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 단결정기판을 이용한 질화갈륨 박막 제조방법은 제작이 용이하고 질화갈륨 박막의 결정성 및 광학적 특성을 향상시킬 수 있으며, 상기 질화갈륨 박막 제조용 단결정기판에 의해 제조된 질화갈륨 박막을 포함하는 발광다이오드 및 ㅍ는 광학적 특성이 우수하다는 장점이 있다.

보유기관
고려대학교
등록일
2009-01-22
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유기박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 유기박막 트랜지스터

해당 기술은 유기박막 트랜지스터의 제조방법을 개시한다. 해당 기술에 따르는 유기박막 트랜지스터의 제조방법은 평평한 유전체층의 표면에 계면활성제를 도포하여 자기조립 단분자막(Self-Assembled Monolayers, SAM)을 형성하는 단계, 노즐을 구비한 도가니 내부에 올리고티오펜 유도체 화합물을 배치하고, 상기 도가니에 2 내지 15V의 전압을 인가하여 상기 자기조립 단분자막이 형성된 유전체층을 타겟으로 하여 상기 올리고티오펜 유도체 화합물을 증기화하는 단계, 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기가 상기 도가니의 노즐을 통과하며 클러스터를 형성하는 단계, 상기 유전체층의 상부에 상기 올리고티오펜 유도체 화합물의 증기를 20 내지 30℃의 실온에서 증착하여 유기막을 형성하는 단계; 및 상기 유기막의 상부에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 클러스터 빔 증착법을 이용하여 유기박막의 결정도를 높이는 한편, 계면활성제를 이용하여 유기박막이 성장될 게이트 절연층의 표면에 유기물이 균일하게 증착될 수 있다.

보유기관
고려대학교
등록일
2009-01-22
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나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 다이아몬드 박막증착방법

나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법 및 이를 이용한 다이아몬드 박막 증착방법이 제공된다.해당 기술에따른 나노 다이아몬드 입자의 정전하 자기조립 방법을 이용한 기판의 전처리방법은 (a) 나노 다이아몬드 입자의 표면을 상기 나노 다이아몬드 입자 표면의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 코팅하는 단계; (b) 기판의 표면을 상기 기판의 정전하와 반대되는 극성을 갖는 고분자로 표면처리하는 단계; 및 (c) 상기에서 코팅된 나노 다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 표면처리된 기판을 침지시켜 상기 나노 다이아몬드 입자가 정전하에 의한 자기조립을 통해 기판에 증착됨으로써 다이아몬드 박막 증착시 증착핵으로 작용하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 해당 기술에따르면 표면 평활도가 매우 우수한 100nm 이하의 다이아몬드 박막을 제조할 수 있고, 100nm 이상의 다이아몬드 박막의 경우에도 기판에 물리적 충격 또는 잔류응력의 문제없이 균일한 다이아몬드 박막을 제조할 수 있다.

보유기관
고려대학교
등록일
2009-01-22
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광학식 수소 검지 재료용 산화 텅스텐 박막의 제조 방법

최근 석탄이나 석유와 같은 화석연료의 대량 소비로 인해 발생하는 온실효과가스의 배출량을 저감하기 위하여 수소연료전지와 같은 수소를 이용한 연구가 다방면에서 이루어지고 있다. 하지만 수소의 경우 폭발을 동반하는 가연성 가스이기 때문에 취급 시에는 상당한 주의가 필요한데 미량이더라도 누설된 수소가스를 높은 정밀도로 안전하게 검지할 수 있는 저렴한 범용형의 수소검지센서의 개발이 필요한 실정이었다. 하지만 기존의 센서의 경우 반도체 표면의 수소흡착에 의한 전기저항변화 등을 이용하여 검지하는 방법을 주로 이용하여 전기 접점으로 스파크가 발생해 수소가스가 폭발할 가능성이 있었다. 이에 해당 기술은 산화 텅스텐이 실온에서 수소가 함유된 기체에 접촉하면 광학적인 투과율이 감소한다는 성질을 이용하여 산화텅스텐이 막을 형성할 때 기판온도를 제어하여 산화 텅스텐의 결정성을 조절함으로써 우수한 성능의 수소검지재료를 제공하는데 성공하였다. 이로 인해 전기 접점 등으로 인한 발화원이 발생하지 않는 수소가스 검지 장치를 제작할 수 있게 되었다.

보유기관
한국기술벤처재단
등록일
2009-03-27
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