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전자도금기술은 전문용 전자도금전원을 사용하는데 전원의 +극에 도금펜(鍍筆)을 연결하여 도금 시 양극으로 사용하고 전원의 -극에 work piece을 연결하여 도금 시 음극으로 사용한다. 도금펜은 일반적으로 고 순도 가는 흑연조각을 양극 재료로 사용하는데 흑연 외부에는 솜 및 내마모성이 탁월한 테릴렌(terylene) 솜으로 감는데 이렇게 하면 도금 시 도금액이 가득 묻은 도금펜을 일정한 상대적인 운동속도로 work piece표면에서 이동하도록 하여 적당한 압력을 유지하도록 한다. 도금펜과 work piece이 접촉하는 부위에서 도금액중의 금속입자는 전계력의 작용하에 work piece표면으로 확산되고 work piece표면에서 금속원자로 환원된 전자를 얻게 되는데 이러한 금속원자는 침적된 후 결정상태로 변하여 도금층을 형성하게 되며 도금시간의 연기에 따라 도금층이 두꺼워진다.전자도금전원은 직류도금전원 및 펄스도금전원 등 두 가지 유형이 있다. 이외 여러 가지 전자도금액(예를 들면 쾌속 니켈, 빛이 나는 니켈, 니켈 텅스턴(tungsten), 니켈 린, 동, 복합도금액 등)을 제공 가능하다.- 전자도금전원 동작전압: 0~30v, 동작전류: 30A, 60A, 250A.- 코팅 두께: 10~50um전자도금설비는 부피가 작고 가볍고 조작이 간편하며 유연성이 있다. 전자도금의 전기소모량과 물 소모량은 槽鍍에 비해 훨씬 적다. 도금층 침적이 빠르다. 또한 각종 내마모성, 내부식성, 장식성을 띤 코팅을 할 수 있다. 축류, 캠, 활좌로, 부싱 및 각종 거푸집 표면의 내마모성의 제고 및 표면수정 등에 적용 가능할 뿐만 아니라 일부 공예품 및 일용품의 표면장식 도금에도 사용 가능하다.
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- 중국청화대학교
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- 2002-12-13
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분말복합 아크코팅기술은 금속표면의 내마모성, 내부식성을 향상시키는 일종 표면처리 신기술이다. 동 기술은 철사에 대한 아크융해, 합금이나 세라믹분말을 추가하여 금속표면에 대한 고속 코팅을 통해 고 내마모성, 고 내부식성 복합 도금층을 얻는다. 이러한 방법은 탄소강, 합금강, 주철 등 자재로 만들어진 부속품이나 부재에 사용되어 표면강화 및 표면 방호 목적에 도달한다. 동 분말복합 아크코팅기기는 중국의 실용신안 특허출원을 하였다.[기술규격]분말복합 아크코팅기기의 출력전압은 30~40v, 작동전류는 200~300A이다.시간당 5~10kg의 금속 및 분말을 코팅 가능하다.코팅 결합강도: 2Mpa.틈새율: <5%동 기술은 쉽게 마모되는 부품에 대한 표면강화 및 수복에 사용된다. 즉 대형 스핀들, 크랭크 샤프트, 활좌로, 봉 피스톤 등 부품에 적용 가능하다. 또한 교량, 철탑, 기중기, 용기 등 부재의 표면 방부식성 처리에도 사용 가능하다.
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- 2002-12-13
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재료 > 부방식·표면처리 기술
입자 질소 탄소 침투 및 중온 입자황산침투 복합처리기술은 일종 금속자재 표면의 마모를 줄이고 내마모성을 강화하기 위한 표면처리 신기술이다. 본 기술의 공정과정에는 아래의 과정이 포함된다. 즉 처리해야 할 부품을 입자 충격로에 방치해둔다. 진공상태로 만든 후 특수 매질을 넣고 적당한 공정파라미터를 이용해 입자 질소와 탄소가 함께 스며들도록 한다. 침투층 두께요구에 따라 침투시간을 2~6시간으로 제한한다. 그 다음 황산매질을 침투시키고 공정 파라미터를 조정한 후 입자 황산 침투과정을 진행하는데 시간은 0.5~2시간으로 잡는 것이 바람직하다. 동 기술은 탄소강, 합금강, 주철자재로 제작된 각종 부품, 거푸집, 절삭도구에 응용되어 황화물 및 질소탄소 화합물 복합 침투층을 얻게 됨으로써 부품이나 도구의 표면 마모를 줄이고 내마모성을 대폭 향상시킬 수 있으며 부품 혹은 거푸집, 절삭도구의 사용수명을 연장할 수 있다. 질소탄소 공동 침투시간은 2~6시간, 입자 황산 침투시간은 0.5~2시간, 침투층 두께는 5~200um(부품기술요구에 따라 결정)이다. 질소 탄소 공동 침투층의 경도는 700~1000HV이다.동 기술은 기계, 교통, 석유탐사부문 등 각종 부품의 표면강화, 거푸집(펀치다이, hot extrusion 모듈), 절삭도구(주철 절삭도구, 드릴) 등 표면강화에 사용된다. 자동차, 모터사이클, 휘발유 엔진, 디젤 엔진 등에 응용 가능하다. 이외 기어, 크랭크 샤프트, 실린더세트, 피스톤 링 등 부품의 표면처리에도 응용 가능하다.- 부품이나 도구의 표면 마모를 줄이고 내마모성을 대폭 향상- 부품 혹은 거푸집, 절삭도구의 사용수명을 연장
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- 2002-12-13
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재료 > 부방식·표면처리 기술
저 진공 中희박기체 글로(Glow) 방전에 의해 생긴 입자 및 고 에너지 중성입자를 통해 티타늄합금 표면을 충돌하여 부품을 일정한 온도로 가열함으로써 티타늄합금의 시효를 발생한다. 또한 표면에 합금원소를 첨가해 전반 시효를 강화하는 한편 표면의 내마모성 층을 얻어 티타늄 합금의 부품 사용수명을 연장하는 목적에 도달한다.동 기술의 특성을 살펴보면 기체원(源)을 절약하고 무공해 오염, 원가를 낮출 수 있다. 별도의 가열원(源)이 필요 없고 처리 시간이 짧고 침투속도가 빠르며 에너지자원 소모가 적다. 처리부품의 변형이 적어 기타 가공을 필요로 하지 않으며 직접 조립 가능하므로 시간을 단축시키고 공정절차를 간소화하였다. 부품의 내마모성이 현저하게 제고되었다.[기술규격]침투층 두께: 50~200um.침투층 경도: 400~800hv.동 기술은 우주항공기, 항해 군함의 티타늄합금 부품, 그리고 내산성 펌프, 내산성 밸브 티타늄합금 부품에 적용되어 표면의 내마모성을 대폭 향상시킬 수 있다.
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- 2002-12-13
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재료 > 부방식·표면처리 기술
동 기술의 원리는 아래와 같다. 즉 진공실 내에 진공 아아크 방전기술을 이용해 음극자재 표면에 많은 아아크 글로(glow) 포인트를 생성시켜 음극자재를 증발시켜 원자 및 입자를 형성한다. 전력계 작용하에 원자 및 입자 빔의 고속충돌을 양극의 부품표면으로 하고 진공실내에 반응기체를 주입시킨다. 즉 부품표면에 우수한 성능을 가진 도금층을 형성시킨다. 음극자재(티깃자재라고도 함.)는 통상 티타늄, 지르코늄 등 금속을, 일반적인 반응기체는 질소 및 탄화수소물 기체를 사용한다. 이로부터 얻게 되는 도금층은 IiN, TiC, ZrN등이 있다.진공화학도금기술은 아래의 특성을 갖고 있다.(1) 고 경도의 도금층, 도금마찰계수가 작으며 내마모성을 제고할 수 있다.(2) 도금층 화학성질의 안정성이 양호하고 고온 산화에 견디며 내부식성이 양호하다.(3) 도금층이 미관적이다. 18K의 금황색 칼라 및 기타 칼라 막을 얻을 수 있다.(4) 도금층과 기초자재 결합력이 우수하다. 그 결합력은 전통적인 마그네틱분사, 진공증발도금(蒸鍍) 등 코팅보다 탁월하여 도금층은 쉽게 떨어지지 않는다.(5) 생산과정은 환경에 오염을 주지 않는다. 도금층 형성 속도가 빠르고 전기와 물을 절약할 수 있다.[기술규격]도금층 두께: 5~20UM.도금층 경도: 800~1500HV.본 기술은 다음과 같이 폭넓은 분야에 응용이 가능하다.(1) 절삭도구, 거푸집 등 도구의 표면처리에 사용된다. 고속도강, 경질합금으로 만들어진 절삭도구(예를 들면 드릴, 주철절삭도구, 바이트) 및 거푸집에 대한 표면처리를 통해 초고 경도의 TiN, TiC, ZrN 등 도금층을 얻을 수 있어 절삭도구, 거푸집의 내마모성과 외관 품질을 한층 향상시킬 수 있다.(2) 기계부품의 표면강화에 사용된다. 즉 캠, 날개, 門, 압연롤러에 대한 표면처리를 통해 내마모성이 강한 도금층을 형성하고 사용수명을 연장한다.(3) 칼라 막 강판제조에 사용 가능하다. 사이즈가 1m 2m, 두께 0.2mm~0.6mm의 스테인레스강판과 저 탄소강판에서 금황색 TiN 혹은 기타 칼라 막을 얻을 수 있고 내마모성과 내부식성이 탁월하다. 칼라 막 강판은 고급호텔, 여관, 오피스텔 등 장식용으로 사용된다.(4) 일용품의 장식도금에도 적용 가능하다. 즉 시계 케이스, 시계줄, 안경틀, 식기, 고급 화장실도구, 펜덴트 등, 문 손잡이 등 장식품에도 사용할 수 있다.
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- 2002-12-13
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재료 > 부방식·표면처리 기술
고 에너지 레이저 빔 및 고 효능 TH1흡광페인트 및 TH2합금화 페인트를 이용해 엔진 주요마찰副(실린더 커버, 피스톤 링, 캠, 크랭크 샤프트, 지지대, 門등)의 마찰표면에 대한 국부적인 phase change경화, 쾌속융해 및 응축, 합금화 혹은 세라믹 합금화 표면처리를 통해 층 깊이와 경도에 대한 컨트롤 가능한, 작고 균일한, 여러 가지 介穩相 및 과포화相이나 고 경도 세라믹 과립이 확산된 강화층을 얻는다. 강화층 표면에는 결함이 없고 금속본체와 단단한 야금결합을 형성한다.피스톤 링의 표면의 강화층 깊이는 0.45~0.8mm에 달하고 현미 경도는 HV0.2 1020~1400, 내마모성 성능은 수입제품 噴몰리브덴링의 3~4배에 달한다. 레이저 합금화 캠의 표층의 rockwell hardness는 HRC 63~65, 마모량은 감응담금질의 1/3에 해당된다.레이저 표면강화처리는 거의 변형현상을 초래하지 않으며 마찰副의 내마모성과 사용수명을 대폭 향상시킨다.
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- 중국청화대학교
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- 2002-12-13
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재료 > 부방식·표면처리 기술
레이저 phase change경화,레이저 융해 및 응축, 레이저합금화 및 레이저 熔覆을 통해 거푸집의 마모가 쉬운 표면을 강화함으로써 신 거푸집의 사용수명을 대폭적으로 연장시킨다. 이미 마모로 손실된 각종 중요한 거푸집에 대해 레이저 熔覆 원 상태 복구기술을 이용해 형태복구, 기능복구 및 기능강화 복구를 통해 폐기 거푸집을 새롭게 단장함으로써 상응한 비용을 대폭 줄일 수 있음은 물론 거푸집을 제작하는데 소요되는 대량의 시간도 절약하게 된다. 레이저 熔覆은 일종 신형의 코팅기술로서 고 에너지 레이저 빔을 이용해 자재표면의 일부분을 용해하는 동시에 한가지 혹은 몇 가지 합금분말을 첨가하여 고 성능의 코팅을 형성한다. 따라서 합금분말 자체가 구비하고 있는 우수한 성능을 그대로 유지시키며 기본적으로 형성된 야금과 결합된다.동축送粉멀티트랙superposed레이저熔覆기술은 양호한 원 상태 복구기능을 가지고 있는데 주요 특성은 아래와 같다. 즉 합금성분에 대한 선택범위가 넓어(코발트基합금, 니켈基합금, 철基합금, 스테인레스 강, 유색금속 심지어 세라믹 자재 및 경질합금 등) 다중 기능을 구현 가능하다. 기존의 금속본체와 단단한 야금결합을 형성하며 본체에 대한 열변형 및 열 손해가 극히 적으며 수복구역의 합금성분, 형태 및 구역의 크기에 대해 컨트롤 가능하다.(1) 레이저 강화층 경도- HRC59-60(레이저phase change경화, 융해 응축)- HRC60-65(레이저 합금화, 세라믹 합금화)- HRC60-65(레이저熔覆)(2) 레이저 강화층 깊이- 0.2~0.8mm(레이저phase change경화, 융해 응축)- 0.3~1.5mm(레이저 합금화)- 0.5~2스택킹(stacking) (레이저熔覆)(3) 레이저층 조직- 超細마씨체, 고밀도dislocation- 작고 균일하며 여러 가지 介穩相 및 과포화相이나 확산된 고 경질포인트를 포함.- 작고 균일한 枝晶조직, 과포화 고용체, 확산된 탄소화물, 붕소화물 등 여러 가지 경질相을 포함.(4) 레이저 강화층은 파열되었거나 꺼져 들어간 현상이 없음.(5) 레이저강화처리는 거의 변형 현상을 초래하지 않는다.
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- 중국청화대학교
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- 2002-12-13
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재료 > 부방식·표면처리 기술
장축 류 부품은 일반적인 담금질 처리를 할 경우, 쉽게 뒤틀림 변형 현상을 초래하게 되는데 동 기술은 특수 제작한 THI페인트를 이용해 축류 부품의 사용요구에 따라 전면적의 경화나 백분비에 따라 경화작업을 진행한다. 최적화 경화경로 및 공정조건을 통해 부품의 변형현상을 방지하고 최적의 경화효과에 도달한다.모 광산기계에 사용되는 길이 2.2m, 45# 강 공심축에 대해 동 기술을 통해 처리한 후, 경도는 HRC60에 도달하였고 뒤틀림 변형은 0.15mm이하다.- 부품의 변형현상을 방지- 최적의 경화효과- 부품의 사용요구에 따라 전면적의 경화나 백분비에 따라 경화작업을 진행
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- 중국청화대학교
- 등록일
- 2002-12-13
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재료 > 부방식·표면처리 기술
서로의 마음(호흡)을 불어넣어 특별한 날의 기억을 오랫동안 간직하는 장식용 풍선1) 뒷면에 있는 2개의 기체주입구가 받침대로 작용2) 기체주입구를 안으로 삽입하여 쿠션으로 사용3) 재질, 크기를 다양하게 하여 사용
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- 2003-04-23
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
메쉬형의 플라즈마 화학기상증착장치를 이용한 탄소나노튜브의 저온 대면적 성장메쉬를 사용하여 저온 대면적에서 탄소나노튜브를 성장시킴, 메쉬에 전압을 인가하여 탄소나노튜브의 성장을 제어함
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-29
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
극자외선 노광용 반사형 미러로서 Ru/Mo/Sr/Si로 이루어진 4층 구조를 다수의 박막에 적층시킴으로서 극자외선 영역의 빛에 대해 고반사율을 갖는 다층박막 미러를 제작극자외선 노광공정용 다층 미러에 있어서, 기판 위에 각각 Ru/Mo/Sr/Si의 4층 구조로 이루어진 다수층의 다층박막으로 구성되어, 극자외선 영역의 빛에 대해 고반사율을 갖는 것을 특징
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-29
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 발명은 AFM 리소그래피에서 유기물 박막과 탐침 사이의 인가전압을 바꾸어줌으로서, 양각 및 음각 패턴 형성을 동시에 구현할 수 있으며, 수십 nm수준의 미세 패턴을 제조하는 기술에 대한 것이다.본 발명은 AFM 산화 전사법을 개선하여 탐침과 시료사이의 전압의 방향을 임의로 조절함으로써, 레지스트의 기능기 특성에 따라 기판에 형성되는 양/음각 패턴이 임의로 조절되는 것을 특징으로 한다.
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- 한양대학교
- 등록일
- 2003-04-29
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술은 플라즈마 형성방법으로 균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 제작하는 것에 관한 것이다. 본 기술의 목적은 플라즈마 화학기상증착방법을 이용하여 균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 전극 위에만 선택적으로 증착하는 것이다. 본 기술은 고밀도 플라즈마 화학기상증착법을 이용한다. 나노튜브 제작시 기판의 온도는 500 oC ~ 800 oC로 유지하며, 나노튜브의 생성 기판으로써 전이금속(Ni, Co 등)이 있는 실리콘 기판이나 전이금속(Ni, Co 등)이 증착된 절연기판을 사용한다. 나노튜브의 균일성과 생성밀도를 높이기 위하여 절연기판 위에 전이금속(Ni, Co 등)이 증착된 다결정 실리콘을 증착하여 기판으로 사용한다. 나노튜브 제작시 사용되는 가스는 CH4, C2H2, C2H6, C3H8 등(이하 CH4로 표기)의 탄소를 포함한 탄화수소 계열을 사용하며, 플라즈마 생성 및 나노튜브 공정을 최적화시키기 위하여 He, H2, N2, CF4 등을 사용한다. 나노튜브의 높은 생성밀도를 이루기 위해, 탄소 나노튜브를 증착하는 모우드와 증착시에 포함된 흑연상을 없애기 위한 에칭 모우드로 구성된, 증착ㆍ에칭ㆍ증착ㆍ에칭의 공정이 반복되는 층ㆍ층ㆍ층 증착방법과, 동시에 플라즈마를 형성하는 전극과 기판 사이에 한 개 이상의 금속 그물망을 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브를 제조한다. -CH4가스를 사용하여 500 oC ~ 800 oC의 온도에서 탄소 나노튜브를 기판 위에 선택적으로 패턴된 금속 위에만 제작 가능-균일하고 생성밀도가 높은 탄소 나노튜브를 제작 가능-탄소 나노튜브를 전계효과 디스플레이(FED)의 전계방출 소자로 응용 가능-다양한 변경 실시가 가능
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-04-23
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술은 박막트랜지스터-액정디스플레이(TFT-LCD)의 제조방법에 있어서 불소가 함유된 실리콘 산화막(SiOF)를 식각마스크 및 이와 동시에 층간 절연막으로 사용하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 역스테거드형 박막트렌지스터를 사용한 TFT 어레이 제조에 있어서 게이트전극, 게이트절연막, 채널활성층 및 SiOF 채널식각마스크가 절연기판상에 형성된다. 제조된 TFT 어레이에서 SiOF 층은, TFT의 채널 상단 부위에서는 채널식각마스크의 역할을 수행하며, 배선의 교차지점에서는 배선간의 층간절연막의 역할을 동시에 수행한다.-계면 특성을 좋게함-층간정전용량이 크게 줄임-대면적의 TFT-LCD 패널의 설계가 크게 용이-화질 개선-고해상도
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-04-23
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술은 비반응성 기체를 이용한 플라즈마를 사용하여 금속 입자를 비정질 실리콘에 입사 시킨다. 그 후 UV를 조사시키면서 전계를 인가하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 플리즈마에 의한 금속의 형성과 전계을 인가하면서 UV에 의한 열처리로 비정질 막을 결정화 한다. 유리기판 위에 절연막을 형성하고 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 5x1012 ~ 5x1014cm-2의 금속 입자들을 입사시킨다. 파장이 100~400nm 사이의 UV를 조사한 상태에서 1~1000V/cm 사이의 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 시키거나, UV를 조사시키고 전계를 인가하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 한다.-전계와 UV을 이용하여 결정화 시간을 단축-대면적 기판에 적용함에 따른 기판 변형의 문제 최소화-낮은 온도에서 박막 전체를 균일하게 결정화 가능-저온에서 제작 가능-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-04-23
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술은 인(P) 이온 도핑된 비정질 막 상에 니켈 등의 아주 얇은 금속 층을 비정질 막 전체에 형성시켜 전계를 인가하면서 열처리하여 비정질 실리콘을 결정화 시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 다결정 실리콘 박막을 얻기 위한 방법은 인 이온을 도핑하여 금속 유도 결정화 방법으로 비정질 막을 결정화 하는데 있다. 유리 등의 절연기판 위에 인 이온을 포함된 비정질 실리콘 박막을 증착한 후 얇은 금속층을 증착하고, 전기장을 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 금속 유도 결정화 한다-다결정 실리콘의 결정성을 향상-박막내의 잔류 금속의 양을 최소화 -박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD), 태양전지, 이미지 센서 등에 필요한 다결정 실리콘 박막으로 대체 가능-저온에서 제작-고온 고상 결정화 방법에 의한 다결정 실리콘 박막의 대체도 가능
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- 등록일
- 2003-04-23
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술은 액정 표시소자(LCD)에 사용하는 박막 트랜지스터의 제작 공정에 필요한 마스크 수를 줄이는 방법 및 고농도 불순물층과 화소 전극 사이에 니켈 실리사이드 혹은 니켈 실리사이드와 금속층(Mo, Cr, Al, Ti, Au, Pd. Ag 등)이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터(TFT)구조에 관한 것이다. 본 기술의 TFT는 절연 기판상에 게이트, 활성층 및 소오스/드레인 전극이 형성된 TFT에 있어서, 소오스/드레인 전극이 실리사이드 혹은 실리사이드와 금속층으로써 형성된다. TFT 제작에 있어서 기존 공정보다 1∼2 장의 마스크 수를 감소시켜서 스윗칭 소자인 TFT를 형성할 수 있다. 소오스/드레인 전극은 실리사이드층 및 투명전극 혹은 실리사이드층, 금속층 및 투명전극의 적층으로 이루어진다.- 저 마스크수 공정에 의한 TFT를 제작 가능- 생산성 향상- LCD 제작 비용을 크게 절감
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- 등록일
- 2003-04-23
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술은 금속 박막의 위 아래에 얇은 알루미늄 질화막(AlN)을 형성하여 박막 격리 방지에 관한 것이다. 본 기술은 알루미늄 질화막을 전체적으로 증착하여 형성한다. 형성된 알루미늄 질화막은 패턴형성을 하지 않고 남겨둔 상태에서 다른 금속(게이트 금속)을 증착한다. 알루미늄 질화막은 다른 박막에 전혀 영향을 주지 않으면서 쉽게 제거가 가능하다. 이러한 방법에 의해 복잡한 공정과 금속의 특성 저하없이 유리와 금속의 접착력을 향상시키고, 금속의 확산도 막을 수 있다. 이 기술은 새로운 게이트 금속 물질인 APC(Ag-Pd-Cu)합금과 구리의 접착력 향상과 확산 방지에 알루미늄 질화막을 사용하여 박막 트랜지스터를 제조한다.-접착력, 확산및 금속의 변형이 우려되는 금속을 알루미늄 질화 버퍼층을 이용하여 유리 기판 위에 증착하여 후속 공정시의 신뢰도를 높임-대부분의 금속이 특성변화 없이 게이트 금속 사용을 가능-낮은 저항 금속들 중의 일부인 구리와 APC가 유리 기판에 접착력이 우수한 금속 특성을 보임
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- 등록일
- 2003-04-23
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재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술은 수소 플라즈마를 사용하여 니켈 등의 아주 얇은 전이금속층을 비정질 실리콘 박막 위에 형성시킨 후, 전계를 인가한 상태에서 열처리하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 방법에 관한 것이다, 본 기술은 유리등의 절연기판 위에 비정질 실리콘 박막을 증착하고, 반도체 층위에 수소(H2)가스를 사용하여 RF 또는 DC 플라즈마를 노출시킨 후, 전기장을 가해주면서 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화한다. 이 때, RF 또는 DC 플라즈마의 세기, 노출시간, 반응로 내부의 압력등을 조절하여 박막내의 금속량을 조절하게 된다. 결정화 속도를 증가시키기 위하여 DC 또는 AC 전압을 플라즈마 노출상태에서 가하거나, 플라즈마 노출이 종료된 후에 비정질 실리콘의 양단에 가해준다. 플라즈마에 의해 특정 금속만이 비정질 실리콘 층위에 도포하기 위하여, 반응로 내부에 금속봉 또는 금속판을 통해 플라즈마를 생성시킨다. 이 때 사용되는 금속물질로는 Au, Ag, Al, Sb, In 등의 귀금속과 Ni, Mo, Pd, Ti, Cu, Fe, Cr 등의 실리사이드를 형성하는 전이금속을 사용한다.-결정화시간을 단축-낮은 온도에서 박막전체를 균일하게 결정화-다결정실리콘 표면 혹은 바닥에 존재하는 니켈량을 수소(H2) 플라즈마의 조건으로부터 조절가능-저온에서 제작 이점
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-04-23
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일반기술
재료 > 부방식·표면처리 기술
본 기술의 플라즈마 화학 증착방법은 각종 절삭공구의 수명과 절삭 특성을 대폭 개선하기 위하여 공구의 표면에 보호피막으로서 기존의 TiN 코팅보다 공구수명 및 절삭특성이 현저히 우수하다고 알려진 Ti-Si-N을 코팅하는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 플라즈마 화학 증착장치의 구성은 크게 가스공급계, 증착반응부, 진공계 및 RF 제너레이터부(Raido Frequency Generator)로 이루어진다. 가스공급계는 N2, H2 및 Ar의 가스를 반응로 내부로 공급하기 위한 것으로 가스실린더와 상기 각 가스의 유로에 설치되어 반응기체의 유량을 조절하는 콘트롤러와 상온에서 액체 상태인 TiCl4와 SiCl4로부터 증기를 얻기 위한 버블러(Bubbler)와 버블러의 온드제어를 위한 냉각기로 구성된다. 진공계는 반응로 내부에서 Ti-Si-N 코팅 진행중 많은 양의 기체 흐름에도 저압을 유지시켜 주기 위한 로터리 진공펌프로 이루어지는데, Ti-Si-N 코팅 진행중의 증착 반응로의 압력은 콘벡트론(Convectron) 및 피라니(Pirani) 진공 압력계로 측정한다. 플라즈마를 발생하기 위하여 사용되는 RF 제너레이터의 전방에는 RF 파워의 분산효율(Dissipation Efficiency)을 높이기 위하여 반응로와의 사이에 메칭네트워크(Matching Network)가 설치된다. 또한 반응로에는 기존의 커패시터(Capacitor) 형태가 아닌 ICP 형태의 RF 코일이 설치되어 균일한 플라즈마를 발생한다. 그리고 증착반응이 실제로 행해지는 반응로는 석영관으로 챔버를 구성하고 있으며 공구 또는 서셉터를 장착한 후 고주파 유도출력부로부터의 출력을 제어하여 공구를 유도가열에 의한 비접촉식 가열을 하여 공구의 표면에 균일한 온도를 갖도록 제어한다.-입체형상인 공구를 전체적으로 균일한 온도제어-플라즈마 CVD 증착하여 양호한 증착층을 형성 -경제적이면서도 고효율적인 공구 코팅이 가능-공구의 수명연장과 고부가가치의 기술산업에 기여-저렴하고 비교적 안전한 가스인 SiCl4를 사용
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-09-20
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