일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 초전도 집적 회로에 유용한 고온 초전도 박막 필름 조셉슨 장치 개발이다. 집적 회로에서 사용된 조셉슨 장치는 제어할 수 있고, 반복할 수 있는 특성이 요구된다. 삽입(dope)된 박막 산화물 층은 고온 조셉슨 접합을 만들기 위하여 고온 초전도 전극 사이에 정상 초전도 장벽으로서 사용되었다. 금속성-장벽 조셉슨 접합에 있어서, 전극 사이의 파장 작용의 결합은 장벽을 횡단하는 초전도 전자쌍의 부족 (소위 “근접 효과”)의 결과라고 한다. 앞에서 언급한 초전도체는 Re1Ba2Cu3O7-d이며, 여기서 Re는 지구상의 드문 요소들 그리고 0<d<0.3, BiSrCaCuO 그리고 TiBaCaCuO를 포함한다. 이러한 목적에 알맞은 박막 산화물 층을 위한 삽입물들 (dopants)은 많이 있다. 스퍼터링, 레이저 용발, 전자 빔 증착 그리고 금속-유기 화학 침전 등으로 초전도 박막 필름을 얻을 수 있다. 초전도 층은 같은 방법으로 침전될 수 있다. 삽입은 출발물질에 대해 어떤 농도의 삽입물을 추가함으로써, 또는 필름이 형성된 후에 삽입물을 끼워넣음으로써 이루어진다. 필름에서 모든 삽입물들이 활동성을 갖도록 하기 위하여 추가적인 과정이 요구된다. 삽입한 후, 필름의 밀착 길이는 상대적으로 길어진다. 더 두꺼운 장벽층은 통제력을 가져오고, 장치에 대하여 반복적으로 작용한다. 상대적으로 큰 저항력 때문에 접합의 정상 저항은 SNS 접합보다 상당히 커진다. 주요 전류와 정상 저항은 크기 때문에 IcRn 결과는 크다. IcRn 결과는 조셉슨 접합의 진가를 나타내는 형태이다. 그것은 전압 수위를 결정하고, 그 전압 수위는 가능한한 커야 한다. 큰 IcRn 때문에, 본 기술은 초전도 전자공학 분야에서 중요하다고 판단된다.본 기술은 다시 요약한다면, 첫번째와 두번째 층들과 일치된 격자를 갖는 삽입된, 사방체의 전도성 물질의 장벽층으로 분리된 고온 초전도 물질의 두개 이상의 층을 가지는 조셉슨 장치에 대한 기술이다. 초전도 물질은 절대온도 25도 이상에서 임계 온도를 갖고, 장벽층은 삽입된SrTiO3이다. HTSC/삽입된SrTiO3/HTSC 에피탁시 삼중층 구조는 조셉슨 장치를 위해 사용된다. SNS는 이러한 장치를 나타내는 것으로서, S는 HTSC물질 그리고 N은 전도성 장벽이다. 본 장치에서 삽입된SrTiO3은 전도성을 갖는 퇴보된 반도체이다. 조셉슨 효과는 DC와 AC 모두에서 생겨나며, 조셉슨 접합은 초전도 전자공학에서 필수적이라 할 수 있다.다른 고온 초전도 장치보다 더 통제력 있고, 반복적임상대적으로 큰 정상 저항과 주요 전류에 의한 큰 IcRn 때문에 전자적인 응용에 실용적임고온 초전도체 이므로 고온에서 장치의 이용 가능큰 유전 상수
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 영상 탐지자를 이용하여 기존의 기술에 비해 15,000배나 빠르게 이차원 표면을 분석할 수 있다. 본 기술의 ChemMap 프로그램은 먼저 영상 탐지자를 통해 얻은 공간적으로 분석된 분광학적 정보로부터 일차원적인 화학 구성요소를 빠르게 계산한 후, 계산된 일차원적인 윤곽으로부터 만들어진 샘플에 대하여 이차원적인 화학 구성요소의 지도로 바꾸게 된다. 기존 기술이 화학적 구성요소에 대해 최종 분석까지 11시간이 걸리는 것에 비해 본 기술은 10분 정도의 짧은 시간 내에 화학적 지도를 그려낼 수 있다. 또한, 일반적으로 많이 사용되고 있는 IBM PC에서 사용할 수 있고, 운영 방법이 편리하다는 장점을 가지고 있다. 그리고, 데이터를 저장하기 위하여 40kB 정도의 작은 용량으로도 가능하고, 현재 사용되고 있는 전류 영상 탐지자 장치를 보충 할 수 있다. 본 기술은 일차원적 데이터를 가지고 이차원적 입체를 그릴 수 있기 때문에 반도체나 박막 필름 등과 같은 다양한 물질의 제조 공정에 사용할 수 있다.10분 정도의 짧은 시간에 데이터 수집40kB의 작은 데이터 저장 용량 필요IBM PC에서 운용 가능
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-01-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
기준시료의 분광반사율을 가시광선영역에서 측정한 후 이와 근접한 분광반사율분포를 갖는 최적의 염료 배합 처방을 산출하는 기술이다. 발색하려는 색채를 짧은 시간에 정확하고 저렴하게 생산할 수 있는 배색처방을 할 수 있어 발색공정의 단축과 비용산출이 간편하며 다양한 광원에서도 異色(color difference)이 발생하지 않는다. 특정 색채의 발색에 필요한 염료의 고속산출로 정확한 색채 일치 및 신속한 원가분석과 효율적인 발색 공정이 가능하다.(1) 특정한 색채의 발색에 필요한 염료들의 처방을 고속으로 산출하는 장치로 정확한 색채일치, 원가분석, 발색공정 등이 빠르고 정확하게 시행된다. (2) 다양한 광학기술과 현장적용기술이 축적되어 있으며, 최신형의 장비 개발이 가능하다.- 섬유, 페인트, 인쇄산업에서 색채관리와 배색처방- 정확한 발색, 공해감소 및 원가절감, 효율적 공정관리
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- 한국표준과학연구원
- 등록일
- 2003-01-02
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
먹는 물을 활성화시켜 음용 시 몸에 유익함을 주는 활성수를 제조할 수 있는 활성수 제조장치가 구비된 냉온수기에 관한 것으로서, 일정량의 물이 저수되는 저수탱크와 저수탱크에 저수될 물을 공급하는 급수수단과 저수탱크에 저수된 물을 배수하는 배수 수단과 특정소재로 구성된 방사제가 함유된 원적외선과 음이온과 氣 방사체 전구유리에서 방사되는 기능성 빛 에너지를 저수탱크 내에 저수된 물에 복사시키는 복사장치와 저수된 물을 살균하는 자외선램프와 배수되는 물을 자화 처리하는 영구자석을 포함하여 이루어진 냉온수기활성수 제조장치가 구비된 냉온수기는 고효율의 원적외선과 음이온과 기의 복사와 자외선 살균을 통해 저수탱크에 저수된 물이 단시간에 몸에 좋은 물인 활성수로 변화되고 살균 처리되고 자화 처리 된다.따라서, 사용자가 냉수 또는 온수 어느 것을 선택하여 음용 하더라도 항상 활성화되고 위생적인 물의 음용이 가능하게 되고, 이에 따라 건강증진에 많은 도움을 주게 된다.
- 등록일
- 2003-02-27
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전기·전자 > 기타 반도체
전주기술은 반도체 공정기술과 접목하여 초미세 마이크로머신을 구현할 수 있는 기술로 미국, 일본, 유럽 등의 국가에서 독점하다 시피 한 기술로 반도체, 디스플레이, 정밀기계 등의 수많은 영역에서 사용되어 오고 있다. 유사기술인 에칭이나 레이저머시닝에 비해 고도의 정밀도와 생산성을 확보하고 있는 기술이다.당사는 회사 설립 후 동 기술을 국내최고 수준으로 확보하고 있으며, 세계 수준의 기술로 인정을 받고 있다.관련 기술은 국제 학술대회인 MAP 등에도 발표된 바 있다.전주기술은 크게 마스터의 제작기술과, 전주도금 기술 및 분리기술로 구분되며 당사에서는 일반 마스터에서부터 포토리소그라피 기반의 마스터 제작기술까지 확보하고 있으며, 니켈 금 은 구리 등의 전주도금 기술도 확보하고 있다. 또한 제품으로 적용하기 위한 다양한 분리기술을 확보하고 있는 상황이다.주된 적용분야는 다음과 같다.반도체 분야 : CSP용 범프형성용 스텐실 마스크, COB대응 마스크 CSP용 metal mask, Ceramic 기판용 mask, CSP용 FPC, Screen 제판 메쉬 패키징 전극인쇄마스크 디스플레이 분야 : 유기EL증착마스크, LCD용 도광판, LCD spacer인쇄용 마스크,PDP용 전극 인쇄 마스크,정밀 shadow mask, FED용 그리드 정밀기계 : 마이크로머신, 분급용 쉬브,잉크젯 노즐, 전자부품용증착마스크 정밀위치결정 치구, 액정용 probe device, Encoder disc 가정 : 쥬스기, 면도기, 각종 필터 기타최소홀 사이즈 : < 0.5um최대두께 : >1mm사이즈 : >50cm재질 : 니켈, 금, 은, 구리 등전주방식 : S type(수직), T type(태퍼)니켈 : 광택, 무광택
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- (주)멤스웨어
- 등록일
- 2003-03-15
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 경계주사 테스트 기법에 사용되는 테스트벡터를 생성하는 방법에 관한 것으로서, 테스트벡터를 전체 네트에 대해서 Ng 개의 그룹으로 분할하고, 테스트벡터의 길이를 그룹비 일치 시퀀스, 그룹일치 시퀀스, 간격 시퀀스로 나누는 테스트벡터 생성방법에 관한 것이다.본 기술은 종래의 워킹원 시퀀스와 마찬가지로 aliasing이나 confounding의 고장증후 없이 고장검출 및 진단이 가능하면서도, 네트 수가 증가할수록 테스트벡터의 길이가 비약적으로 줄어들 수 있다-분할그룹 워킹원 시퀀스에서는 종래의 워킹원 시퀀스와 마찬가지로 aliasing이나 confounding의 고장증후 없이 고장검출 및 진단이 가능하면서도, 네트 수가 증가할수록 테스트벡터의 길이가 비약적으로 줄어든다.-일반적으로 테스트 비용은 테스트 시간과 밀접한 관계를 갖는다. 특히 경계주사 환경에서는 그 구조가 갖는 직렬성이 테스트에 드는 시간을 길게 하는 단점을 갖고 있기 때문에 테스트벡터의 길이를 줄이는 것은 경제적인 측면에 있어서도 유용한 일이라 할 수 있을 것이다. 본 기술에 의한 인쇄회로기판의 상호연결선 테스트 시퀀스는 종래의 방법에 비해서 상당한 테스트 크기의 감소를 기대할 수 있다. 이런 측면에서 최근과 같이 짧은 라이프사이클로 변하는 전자 시장을 생각해 볼 때 경제적으로 많은 비용의 감축을 기대할 수 있을 것이다.
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-04-01
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 근접장 기록(Near Field Recording)용 광학 유닛에 관한 것으로 고체함침렌즈(Solid Immersion)와 부상용 슬라이더(Slider)가 일체형으로 된 광학 유닛에 관한 것이다.- 고체함침렌즈와 슬라이더 일체형 공학유닛은, 고체함침렌즈로 이루어지는 광학 픽업이 슬라이더의 끝단에 설치됨- 고체함침렌즈의 광특성을 얻기 위해 렌즈부분의 가장 높은 부분과 가장 낮은 부분은 렌즈와 임의의 거리를 가짐- 고체함침렌즈의 바닥면과 슬라이더의 바닥면이 디스크 기판면을 기준으로 일치하고, 고체함침렌즈에서 빛이 원할하게 들어올 수 있도록 그 렌즈에는 동질의 광을 입사하는 임의의 임계각을 둠- 광학 슬라이더를 간편- 저가- 대량생산 가능- 조립공차등의 공차를 없앰- 근접장기록용으로 사용할 부상 광학 슬라이더에 적합한 크기와 무게로 제작이 가능- 광학적 효과를 충분히 누릴 수 있는 고체함침렌즈의 탑재가 가능
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-05-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
플라즈마의 밀도와 균일도를 향상시킨 고품위 플라즈마 리액터로서 현재 반도체와 평판디스플레이 소자의 제조 공정 가운데 플라즈마를 이용한 박막의 증착과 식각 공정은 가장 중요한 비중을 차지한다. 이와 같은 공정을 위해 플라즈마를 발생시키기 위한 장치를 통상적으로 플라즈마 소스라고 부르며, 최종 제작된 소자의 특성에 큰 영향을 주게 된다. 오래 전부터 사용되어온 축전 결합형 플라즈마소스(Capacitive Coupled Plasma)를 필두로 하여 1990년대 중반부터 개발되어진 Electron Cyclotron Resonance (ECR), Helicon, Helical Resonance, Inductively Coupled Plasma (ICP) 등의 고밀도 플라즈마소스가 속속 개발되어 현재 광범위하게 사용되고 있다. 이들 고밀도 플라즈마 소스들은 축전 결합형 플라즈마소스에 비해 상대적으로 낮은 저압에서도 높은 플라즈마 밀도를 유지할 수 있어, 생산성과 제품특성에 큰 향상을 이룰 수 있었다. 하지만 최근에 초미세 패턴 형상과 12″웨이퍼를 적용한 반도체공정이나 1m 이상의 대형 유리기판을 가공하는 평판디스플레이 소자의 가공에 있어서 종래의 플라즈마 소스가 가지는 문제점이 하나 둘씩 나타나기 시작하였으며, 이들 가운데 플라즈마의 균일도와 초미세 패턴식각에 있어 플라즈마에 의한 손상에 대한 문제가 크게 제기되었다. 본 발명은 위와 같은 현재의 고밀도 플라즈마 소스의 문제점들을 해소하기 위해 고안된 고품위 유도결합 플라즈마 리액터로서, 반응 챔버의 외부에 웨이퍼를 중심으로 대칭인 헬름홀쯔 코일을 상하에 설치하고, 30 가우스 미만의 약한 자기장을 인가함으로써 축방향으로 일정한 자기장을 반응 챔버내에 인가할 수 있다. 이 때 상 하부 코일에 직류와 교류를 조합하여 시간에 따라 변하는 축방향 자기장을 다양한 주기로 조절함으로써, 생성된 플라즈마의 밀도를 향상시키고 반면에 전자온도는 효과적으로 제어하여 미세 패턴의 가공에 있어 손상을 극소화 시킬 수 있는 효과가 있다. 실제 본 장비를 이용하여 Ashing이나 식각공정에서 기존의 유도결합 플라즈마(ICP)에서의 공정보다 월등히 향상된 균일도와 식각율등을 나타내는 효과를 확인하였다- 축방향 시변자기장의 조절을 통한 고품위 플라즈마 발생기술- 높은 공정속도와 대면적 기판에서 높은 균일도 확보- 플라즈마에 의한 손상을 최소화
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- (재)송도테크노파크
- 등록일
- 2003-04-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
water chip의 본래 용도인 package의 2중 leak 방지용이 추가된 projection- water package와 cover의 2차 leak 방지용- breaking시 불량율 감소, 열충격 및 내열 cycle성 양호
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- (재)송도테크노파크
- 등록일
- 2003-04-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
기존의 chip package의 경량화 및 컴펙트화와 열충격 강화제품- 고온 실장(850도 - 1000도)에서 저온 실장(280도 - 300도)제조- 경박단소형, 저온 실장, 불량율 감소, 세라믹의 크랙감소
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- (재)송도테크노파크
- 등록일
- 2003-04-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
Ta/M/Ta(상기 M은 W, Zr, Nb 및 V 중 어느 하나)의 확산 방지막 박막 구성을 가짐으로써, 상기 박막의 증착 후 행해지는 후속 열처리에 따른 상기 확산 방지막의 면저항의 급속한 증가가 650℃이상에서 이루어지는 반도체 소자 배선 재료용 확산 방지막 및 이온선 보조 증착법에 의한 상기 확산 방지막의 제조 방법을 제공한다.또한, 본 기술은, Ta/M/Ta(상기 M은 W, Zr, Nb 및 V 중 어느 하나)의 확산 방지막 박막 구성을 가짐으로써, 상기 박막의 증착 후 행해지는 후속 열처리에 따른 상기 확산 방지막의 면저항의 급속한 증가가 650℃ 이상에서 이루어지는 DRAM 및 FRAM 소자의 캐패시터용 확산 방지막 및 이온선 보조 증착법에 의한 상기 확산방지막의 제조 방법을 제공한다- 단일 확산 방지막 재료로 알려진 Ta를 확산 방지막 재료로 사용하여 650℃이상의 온도에서의 후속 열처리에서도 상술한 구리 실리사이드 내지 탄탈실리사이드의 형성이 없어서 면저항의 뚜렷한 변화가 없는 확산 방지막을 제공하는 것이다.- 이온선 보조 증착법으로, 이온빔 에너지 및 이온빔 에너지를 각각 100 내지 250eV 및 0.1 내지 0.15mA로 제어하면서 Ta/M/Ta(상기 M은 W, Zr, Nb 및 V중 어느 하나)구조를 가지는 확산 방지막 박막을 적층하는 것이다.
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- 대일기업평가원
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- 2003-04-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)에 관한 것으로서 2개의 기판이 소정 간극을 두고 마주하고, 상기 간극에는 불활성 가스가 봉입되어 있으며, 불활성 기체와 접촉하는 하나 이상의 상기 기판의 표면상에 방전유지 전극, 유전체층 및 보호막이 순차적으로 적층되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 보호막이 보론 나이트라이드(BN)로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다. 보론 나이트라이드는 광투과성 및 유전특성이 우수할 뿐만 아니라 높은 강도와 낮은 수분흡착 특성을 가지므로 보호막의 수명이 크게 연장될 수 있다.- 광투과성, 유전특성, 2차전자 방출특성 등 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 재료로서 사용되는데 필요한 기본적인 물성을 만족할 뿐만 아니라, 높은 강도와 낮은 수분흡착 특성으로 인해 장수명 특성을 갖는 보론 나이트라이드로 보호막을 형성하므로써 수명과 경시변화와 같은 문제점을 해결하였다.- 보호막은 MgO, SrO, CaO, BaO, MgSrO, CaSrO 및 SrBaO로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 산화물로 이루어진 제1 보호층과, 상기 제1 보호층 상에 적층되는 보론 나이트라이드로 이루어진 제2 보호층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 적용하였다
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- 대일기업평가원
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- 2003-04-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
유기전기발광소자(OELD:Organic E1ectro Luminescence Display)에 관한 것으로, 자세하게는 유기물로 형성되는 발광층에 양전극층이나 기판으로부터 확산되거나, 외부 대기로부터 유기전기발광소자에 유입될 수 있는 산소나 수분의 침투를 방지하기 위해, 특정한 산소화합물질로 상기 유기전기발광소자의 외부를 감싸도록 봉지(encapsulation)하거나 양전극(anode)의 상부에 증착하여 형성하는, 산화방지구조의 유기전기발광소자를 제시한 것이다.<산화방지구조의 유기전기발광소자의 구성>-투명성이 있는 기판-기판 상부에 산소화합물계 물질에 의해 증착되는 양전극층-유기전기발광소자에 형성된 양전극층 및 음전극층으로부터 주입된 전자 및 정공에 의해 발광되는 발광층-외부의 음전위에 연결되고 발광층의 상부에 증착되는 음전극층을 주요 동작구성층으로 하는 유기전기발광소자에서 기판 및 양전극에 포함될 수 있는 산소계 입자와의 반응을 방지하기 위해 소정의 확산방지물질에 의해 양전극층의 상부에 증착되는 확산방지막-외부의 산소나 수분의 흡수를 차단하기 위해 유기전기발광소자의 각 구성층들의 외부를 감싸도록 소정의 확산방지물질에 의해 각 구성층들의 외부를 감싸 증착되는 확산방지봉지층
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-04-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
이온 건 스퍼터링 증착 시스템에서 사용되는 일 부재에 관한 것으로, 표면 이온화 방식을 채용한 Cs(Cesium) 이온 건 스퍼터링 증착 시스템의 일 구성요소인 표면 이온 발생자에 대한 것이다.- 이온 발생자를 IGSD 시스템에 적용함에 있어서, 이온 발생자 본체의 가로폭 및/또는 세로폭의 크기를 증가시키고 일자형 와이어 또는 U자형 와이어의 길이를 이에 맞게 조절하면 대면적 Cs+이온빔을 생성할 수 있음- 따른 이온 발생자에 구비된 와이어를 2선권선 이상의 다선권선으로 구성하게 되면 Cs표면 이온화 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로 Cs+이온빔의 농도를 더욱 증가시킬 수 있음- 이온 발생자의 사용 중 일부 와이어가 취성에 의해 끊어진 경우 끊어진 와이어만을 교체할 수 있기 때문에 IGSD 시스템 전체의 보수 및 유지가 매우 간단함
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-04-04
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은, 반도체 칩 위에 솔더필을 먼저 부착하거나, 혹은 인쇄회로기판 위에 솔더필을 먼저 부착하여 일체형으로 만든 상태에서 반도체 칩, 솔더필 및 인쇄회로기판이 잘 정렬되도록 한 후, 리플로우(reflow) 공정을 통하여 반도체 칩과 인쇄회로기판이 전기적으로 서로 연결되도록 하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 탑재 방법에 관한 것이다.여기서 솔더필은, 솔더 범프 소재와 언더필 소재가 인쇄회로기판 및 반도체 칩의 연결부와 조화되도록 만들어진 박편(slice)이다. 좀더 구체적으로 말하면, 솔더필은 반도체 패키지 제조공정의 반도체 칩과 기판 사이의 충진 재료로 사용되는 언더필 소재와, 상기 언더필 소재 내부에서 상기 반도체 칩의 패드(pad) 형상과 일치하도록 기둥모양으로 만들어지고 상기 언더필 재질과 동일 높이를 갖는 솔더 범프 소재를 구비하는 것을 특징으로 하는 복합체로써, 본 발명에서 처음으로 고안해 낸 것이다.첫째, 기존 장비의 변경없이 단 한번의 열처리 공정을 통한 간단한 공정으로 플립 칩 탑재를 구현할 수 있기 때문에 플립 칩 탑재 공정을 단순화시킬 수 있다. 둘째, 단 한번의 열처리 공정을 통해 솔더 범프와 언더필을 사용하여 반도체 칩과 인쇄회로기판을 연결하기 때문에, 플립 칩을 탑재하는 과정에서 솔더 범프 결합부에서 발생할 수 있는 손상을 방지할 수 있다. 따라서 솔더 범프 결합부에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있다.셋째, 반도체 칩에 솔더 범프를 추가로 형성해야 할 필요가 없다. 이에 따라 반도체 칩 제조공정을 줄일 수 있다.
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- 서울대학교
- 등록일
- 2003-04-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
반도체CVD 공정의 Silicon계열 Byproducts를 기체상태에서 분리포집하여 반도체의 공정이상 발생요인인 Particle제거, 진공Pump의 전단에 Silicon Byproducts를 사전에 분리포집하여Vacuum Pump 의 Particulation 현상을 제거하여 공정개선,Yield-Up,생산성 향상에 크게 기여하는 장치이다.고온 기체 상태인 SiH4 Gas를 150도 이하로 하강시켜 기체상태인 SIO2 미립자를 고형화시켜 여러개의 집진DISK에 포집한 다음 고형화된 BYPRODUCTS을 일정속도의 회전 및 SLICING을 통해 초미립자로 만들어 고밀도로 분리포집 한다.특징: 무 필터,무 소모성,365일 연속운전,대용량 파우더 포집(CVD,LCD)
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- (주)한본
- 등록일
- 2003-04-24
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 디스플레이 및 조명용 도광판(빛을 반사시키는 판)에 관한 것으로서, 원형의 도광판 주변에 링모양의 광원을 두어 균일한 휘도분포를 갖는 원형 면광원을 구성하도록 소정의 산란패턴을 형성한 원형 도광판에 관한 것이다. 본 기술은 가장 자리에 링 모양의 광원이 설치된 원형 도광판에 있어서 도광판의 저면에는 광원이 위치한 가장자리에서 원의 중심으로 이동하면서 광원으로부터의 거리가 멀어질수록 패턴의 크기 또는 피복율이 점차 감소되는 방식의 산란패턴이 형성된다. 도광판은 장단축 길이비(a/b)가 2이하인 유사 원형 도광판을 사용할 경우, 가장자리의 광원으로의 거리가 멀어질수록 패턴의 크기 또는 피복율이 점차 감소되도록 산란패턴이 형성된다.- 소정의 패턴을 형성한 원형 도광판의 도입에 의해 기존의 사각형 도광판의 제약에서 벗어나 다양한 디자인의 LCD와 같은 화면 표시기구나 특수한 용도의 조명 및 면광원 장치로 응용할 수 있음
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-05-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 디스플레이 및 조명용 도광판에 관한 것으로서, 4변에 4등을 두어 광원의 수를 늘이면서 상호 간섭에 의한 효율저하를 방지하여 고 휘도를 유지하는 산란 패턴을 지닌 도광판(빛을 반사시키는 판)에 관한 것이다. 본 기술은 저면에 소정의 패턴을 구비하는 사각형 도광판의 네 변에 각각 광원이 설치되는 4변-4등식의 패널에 있어서 도광판의 패턴은 상하 좌우 대칭형으로 하는 경우, 중앙에서 각 변이나 모서리 쪽을 향하여 크기가 점차 감소되도록 형성된다. 또한 다른 일면으로서, 저면에 소정의 패턴을 구비하는 사각형 도광판의 네 변에 각각 광원이 설치되는 4변-4등식의 패널에 있어서, 도광판의 패턴은 상하 광원의 단위길이당 밝기,좌우 광원의 단위길이당 밝기의 비율(R)에 따라 산란패턴 동심타원의 가로길이 및 세로길이의 비율(R1)이 도광판의 가로길이 및 세로길이의 비율(R2)과 연동되도록 형성된다.- 본 기술은 소정의 패턴을 형성한 도광판의 도입에 의해 4변에 4등을 두어 광원의 수를 늘이면서도 각 변의 광원을 최대한 활용하여 얇은 도광판에서 고 휘도의 유지가 가능하도록 하는 효과가 있음
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- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-05-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 판형상의 면광원이 내장된 발광모듈프레임의 전면에 사진과 같은 게시물이 수납되는 공간이 형성되어 게시물의 교체와 제작이 용이한 발광모듈프레임을 구비한 액자에 관한 것이다. 본 기술의 발광모듈프레임을 구비한 액자는 판형상인 발광모듈프레임, 일정한 폭과 두께를 가지며 발광모듈프레임의 전면의 일측 가장자리를 제외한 나머지 가장자리에 띠모양으로 설치된 스페이서, 일정한 폭을 갖는 가장자리의 불투명영역과 불투명영역으로 포위된 내부의 투명영역으로 구분된 판형상이며 불투명영역의 내측 가장자리의 후방에 발광모듈프레임의 가장자리의 전방에 위치되도록 불투명영역의 후면의 내측 가장자리 일부가 스페이서의 전면에 부착된 전방투명판으로 구성된다.- 발광모듈프레임을 구비한 액자는 게시물수납공간의 일측방에 개구된 부분을 통하여 게시물을 빼내고 게시물을 삽입하여 장착할 수 있도록 함으로써 게시물의 교체시에도 면광원이나 발광모듈프레임을 분리할 필요가 없으므므로 게시물의 교체가 편리한 장점을 가짐- 발광모듈프레임을 구비한 액자는 게시물수납공간이 별도의 액자틀을 사용하지 않고 발광모듈프레임과 전방투명판 사이에 테이프와 같은 스페이서를 설치함으로써 간단히 형성되기 때문에 제작이 용이
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 등록일
- 2003-05-22
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
의사 고속도 촬영법은 대상물의 주기적 고속현상, 대상물로부터의 신호를 제어하는 자동지연가변장치, stroboscopic lamp(섬광전구), 비디오카메라 등 기억장치로 이루어진다. 주기적 고속현상을 촬영하는 경우, 대상물의 신호를 트리거(trigger, 방아쇠 방식으로 속사할 수 있는 필름을 감는 장치)로서 strobo광을 조사(照射)하여 촬영이 이루어진다. 일반적으로 strobo광의 발광과 고속현상 등을 동시에 찍기위하여 지연회로가 이용된다. 고속주기 현상을 슬로모션으로서 관찰하기 위해서 [자동지연가변장치]를 개발하였다. 자동가변지연장치는 전자회로부, 마이크로컴퓨터부, 액정표시부로 이루어져 있다. 전자회로부는 트리거(trigger) 신호를 받아 마이크로컴퓨터의 제어에 의해 정해진 지연신호 등을 출력한다. 액정표시부는 입력조건, 출력신호의 정보를 표시한다. 이 출력신호는 strobo에 송신하여 발광시키는 것이다. 자동가변장치를 이용하여 주기적 고속현상을 촬영하는 방법을 [의사고속도촬영법]이라 이름 지었다.의사고속도 촬영법에 의해 고속주기현상(예: 주기 0.1sec)을 지연시간 100μsec에서 촬영한 경우, 1초당 10,000매의 화상을 취득하도록 고안되었다. 또한 육안으로의 리얼타임(realtime, 실시간처리) 관찰이 가능하며 1초간 1,000μsec으로 진행되므로 1,000배의 슬로모션상을 눈으로 볼 수 있다. 이 기술을 적용하면 가정용 비디오카메라를 이용하여 값이싼 고속도 촬영이 실현 가능하다. 또 realtime 관찰도 이루어지므로 생산현장에서의 검사작업에 응용될 전망이다.
- 보유기관
- 한국테크노마트(사)
- 등록일
- 2003-05-15
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