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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 박막 트랜지스터 및 포토다이오드의 제조방법에 관한 것이다.보호막으로 사용되는 SiNx 막은 강도가 낮아 강한 충격에 약하기 때문에 신뢰성에 문제가 있으며, 또한 장시간의 증착시간이 요구되며 그 증착속도가 100옴스트롱/MIN 이하로 낮기 때문에 양산시 병목 구간을 형성하여 원활한 제품제작에 지장을 주어 생산성 감소를 초래하는 문제를 해결하기 위한 것으로, 양질의 보호막을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공한다.본 기술은 문제를 해결하기 위한 것으로, 양질의 보호막을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.목적을 달성하기 위해 본 기술은 반도체 소자를 제조함에 있어서, 소자를 보호하기 위해 형성하는 상부의 보호막을 다이아몬드 박막으로 형성하는 것을 특징으로 한다.본 기술에 의하면, TFT 및 포토다이오드의 보호막을 DLC로 형성함으로써 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, DLC의 빠른 증착속도(500Å/min)로 인한 공정시간의 단축으로 생산성을 향상시킬 수 있다.또한 TFT의 경우에는 차광막이 필요없게 되므로 공정이 단순화되는 효과도 있다.
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- 한국산업기술진흥원
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- 2008-01-02
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.종래에는 반도체 레이저 다이오드의 활성층 성분조성이 균일하게 이루어져 있기 때문에 전압을 인가하면 활성층내의 전도대와 가전자대의 포텐셜 형태가 변화되어 전자와 정공의 분포가 분리되므로 레이저 발진을 좌우하는 광학이득이 감소되는 문제점이 있었다.본 기술은 반도체 레이저 다이오드의 활성층을 성분조성이 변화(graded)되는 활성층으로 사용하여 외부전압이 인가되더라도 활성층 중심에 전자와 정공이 집중되도록 한다.이중이종 접합구조를 활성층으로 사용하는 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 전자와 정공의 분포를 활성층 중심에 집중시키기 위해 상기 활성층을 성분조성이 변화되는 활성층으로 구성하는 것을 특징으로 한다.
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- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2008-01-02
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로, InGaAlP 재료를 이용한 반도체 레이저 제조시 각 층간의 계면에 발생하는 결함을 최소화시키기 위한 것이다.본 기술을 이용하면 연속되는 MOCVD 성장시 표면에 노출되는 층의 5족 원소를 한가지원소로 유지함으로써 각층 사이의 계면에 발생하는 결함을 얻을 수 있으므로 신뢰성이 우수한 반도체 레이저를 제조할 수 있으며, 클래드층을 이루는 InGaAlP층 위에 전류차단층 및 캡층을 이루는 GaAs를 상장할 때 발생할 수 있는 계면의 거칠음(Roughness)을예방할 수 있다.따라서 반도체 레이저 다이오드의 계면결함을 감소시킴으로써 수명을 증가시키고 신뢰성 및 특성을 향상시킴으로써 레이저 다이오드의 응용영역을 확장시킬 수 있게 된다.제1도전형의 기판 위에 버퍼층, 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형의 1차 클래드층, 식각저지층, 제2도전형의 2차 클래드층, 전류주입층을 차례로 성장시켜 더블헤테로 구조를 형성하는 단계와, 더블헤테로 구조를 식각저지층까지 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 단계 릿지가 형성된 웨이퍼상에 전류차단층을 성장시키는 단계, 전류차단층을 선택적으로 식각하여 릿지상에 전류주입영역을 형성하는 단계, 결과물 전면에 캡층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2008-01-02
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 반도체 레이저를 이용한 다기능센서에 관한 것이다.종래에는 온도측정의 대표적인 센서로써 열전쌍을 이용하는데, 열전쌍은 잡음 발생원이기도 하기 때문에 고정밀을 요구하는 센싱 (sensing)장치에서는 사용하기 적합하지 않고, 결함이 없는 고정 밀도의 온도센서장치를 제작하려면 고가의 장치를 갖추어야하며, 장치가 복잡해진다. 또한 습포, 진동, 압력등 다른 측정 대상의 경우에도 정밀도가 요구되는 장치에서는 상대적으로 장비의 고가화와, 복잡성을 피할 수 없게 된다. 또한 각각의 측정 대상에 따라 서로 다른 조절회로및 측정회로가 필요한 문제점이 있었다.본 기술은 레이저를 이용하여 온도, 진동, 습도등의 양을 거리의 변화 양으로 변환시켜 변화거리를 측정함으로써 고정밀성이 요구되는 곳에서 사용할 수 있도록 하고, 상황의 변화에 의존하지 않는 독립적장치인 레이저다이오드를 이용한 다기능 센서를 창안한 것이다.광원인 레이저를 발산하는 반도체레이저와, 반도체레이저로부터 발산하는 레이저를 일부는 통과시키고, 일부는 반사시키는 빔 스프리터와, 빌스프리터를 통과한 레이저가 측정 대상 매개체에 촛점이 맺히도록 레이저를 접속하는 렌즈와, 측정대상의 변형을 거리의 변화로 변환하여 측정하도록 렌즈에서 접속한 레이저를 반사하는 반사부와, 빔스프리터에서 접속한 기준광을 측정하는 기준측정용광검출기와, 반사부에 의해 반사된 레이저가 빔스프리터에 의해서 다시 반사되는 광을 접속하는 원통렌즈와, 원통렌즈와, 원통렌즈에서 접속한 광을 측정하는 포토다이오드와, 포토다이 오드의 출력신호를 거리탐지신호로 변환시키는 촛점 거리탐지회로부와, 기준광측정요광검출기의 기준광양과 촛점거리탐지회로부의 반사광양의 비를 계산하여 반사광의 상대적 광량을 측정하는 정규화회로부와, 정규화회로부에서 정규화된 측정랑을 이용하며 각 목적에 필요한 제어신호를 발생하는 제어회로부로 구성한 것을 특징으로 한다.
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- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2008-01-02
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전기·전자 > 기타 반도체
(1) 개요도파로간의 내부굴절률 차이에 의한 내부반사 문제를 제거한 Evanescent형 반도체 광증폭기 칩 기술임 (2) 목적 및 필요성Evanescent형 반도체 광증폭기 기술은 정보통신부 선도기반기술개발 사업으로 2001년 11월 1일부터 2006년 10얼31일 종료한 “반도체 기반 완전광 3R 재생기 모듈” 과제에서 초고속 광신호 처리용으로 개발된 광소자로 Evanescent형 구도 채택으로 인한 내부반사율 저하에 따른 고속 광신호 처리용 광부품이나 최근 많은 관심을 가지고 있는 WDM-PON용으로의 활용 가능이 있어 기술이전을 통하여 완성도를 확보하여 상용화 시도를 통해 침체된 국내 광통신 산업 활성화에 기여하고 다가올 시장 활성기에 대비 국제적 기술우위를 점하는데 목적이 있다.(1) 활용방안 및 기대성과-광통신 네트워크의 in-line 증폭기 -Receiver의 pre-Amp -WDM-PON용 광부품 (2) 기술이전범위① Evanescent형 반도체 광증폭기 설계 기술 -광소자 칩 제작을 위한 설계도 ② Evanescent형 반도체 광증폭기 공정 기술 -광소자 칩 제작을 위한 공정 흐름도 ③ Evanescent형 광증폭기 측정 및 특성 평가 기술 - 반사형 광증폭기 특성 평가를 위한 측정 항목 및 평가 방법 ④ Evanescent형 광증폭기 패키징 기술 -TO CAN를 이용한 모듈 패키징 기술
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- 한국전자통신연구원
- 등록일
- 2007-07-31
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전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 광을 조사하는 광원;상기 광원에 의하여 조사되는 광을 회절시키는 회절 유닛;마름모꼴로 힌지 결합되어 조정간에 의해 대각선의 길이가 변하는 제1 내지 제4 연결부재와, 상기 제1 및 제2 연결 부재에 각각 부착되어 상기 회절광을 반사시키기 위한 제1 및 제2 반사 미러를 포함하며, 상기 조정간으로 상기 대각선의 길이를 조절하여 상기 회절 광의 반사각을 조절하는 반사 유닛; 및 상기 반사 유닛에 의하여 반사되는 광을 대상체측에 재반사시키도록, 고정되는 제1 고정 미러 및 제2 고정 미러를 포함하는 브래그 격자 형성 장치로서 본 발명에 의하면 브래그 격자가 형성되는 대상체의 위치가 변하거나 브래그 격자의 간격을 반사 유닛을 이용하여 대상체로 입사되는 광의 입사각을 용이하게 조절할 수 있다.본 발명은 브래그 격자가 형성되는 대상체의 위치가 변하거나 브래그 격자의 간격을 조절하고자 하는 경우 대상체로 입사되는 광의 입사각을 용이하게 조절할 수 있는 브래그격자 형성 장치를 제공한다.본 발명은 조정간이나 스크류바를 회전시키는 동작만으로, 대상체로 입사되는 광의 입사각을 용이하게 조절할 수 있다. 또한, 종래와 같이 브래그 격자 형성 장치에 설치되는 각각의 미러를 회전가능하게 설치할 필요가 없기 때문에 브래그 격자 형성 장치의 제조 비용을 절감시킬 수 있다.
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- 전남대학교
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- 2007-08-09
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전기·전자 > 기타 반도체
본 기술은 발광 장치에 관한 것으로, LED칩 등 반도체 발광소자에 발생하는 기본파장의 자극에 의해 기본파장과 다른 파장의 빛을 방출하는 형광체를 이용해 백색 등 특정한 색의 광을 방출하는 발광 장치에 있어서 다이크로익 필터(dichroic filter)를 사용하는 것이다. 광학 필터는 하나 이상의 반도체 발광 소자에서 방출된 빛의 발광파크에 해당하는 파장의 광을 통과시키고 형광체에서 방출된 빛의 발광파크에 해당하는 파장의 광은 반사하는 다이크로익 필터 이다.서로 다른 파장의 빛을 방출하는 반도체 발광 소자와 형광체를 구비한 발광 장치의 발광효율이 향상되며, 본 기술은 후방산란으로 인한 반도체 발광 소자의 손상을 감소시켜 발광 장치의 상태를 안정화 할 수 있는 특징이 있다.
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- 한국광기술원
- 등록일
- 2007-12-06
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자구조와 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 계열의 기재의 상측에 트리 테트라메틸 헵타네디오나토 이트륨(Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato)Yttrium(Ⅲ))과 메틸사이크로 펜타디에닐 망간 트리카보닐((CH3C5H4)Mn(CO)3)을 각각 열분해한 후 화학반응기안에서 산소와 함께 반응시켜 이트륨망간네이트(YMnO3)층을 형성한후, 이트륨망간네이트(YMnO3)층을 절연층으로 사용하여 이 상측에 스트론튬비스무스탄탈레이트(SrBi2Ta2O9)층을 물리적인 증착방법으로 형성하여 이루어지는 반도체 기억소자구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을수 있으며 고온에서 안정한 계면상태를 유지하여 실리콘의 산화도 억제되고 각층의 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이러한 구조는 탁월한 신뢰성을 가진 반도체 기억소자로서 활용될 수 있는데, 특히 비휘발성 강유전체 전계효과 기억소자로서 뛰어난 기능을 가진다.
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- 충남대학교
- 등록일
- 2007-12-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 계열(폴리 실리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 열분해에 의해 증착하여 루테늄(Ru)층을 형성한 다음, 루테늄(Ru)층의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 산화루테늄(RuO 2 )층을 형성한 후, 산화루테늄(RuO 2 )층의 상측에 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH 3 ) 3 (CH 3 C 5 H 4 )Pt )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 백금(Pt)층을 형성하여 이루어 지는 반도체 기어소자용 전극구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 넓은 면적의 증착과 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을 수 있으며, 고온에서 안정한 계면상태를 유지하며 폴리실리콘의 산화도 억제되고 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이 전극구조는 유전체와 폴리실리콘과의 적층을 위한 하부전극 및 장벽층으로 활용할 수 있다.
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- 충남대학교
- 등록일
- 2007-12-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
○ 기술 요약 및 특징 :본 기술은 반도체 기억소자용 전극구조의 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 계열(폴리 실리콘, 산화 실리콘, 실리콘)의 기재의 상측에 루테늄 카보닐(Ru 3 (CO) 12 )을 열분해에 의해 증착하여 루테늄(Ru)층을 형성한 후, 루테늄층의 상측에 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금( (CH 3 ) 3 (CH 3 C 5 H 4 )Pt )을 산소와 함께 반응시켜 증착하여 백금(Pt)층을 형성하여 이루어 지는 반도체 기억소자용 전극구조의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 구성에 의하면, 넓은 면적의 증착과 치밀한 미세구조를 갖는 박막을 얻을 수 있으며, 고온에서 안정한 계면상태를 유지하며 폴리실리콘의 산화도 억제되고 구성 원소들의 상호확산도 거의 일어나지 않아 이 전극구조는 유전체와 폴리실리콘과의 적층을 위한 하부전극 및 장벽층으로 활용할 수 있다.
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- 충남대학교
- 등록일
- 2007-12-18
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
*기술의 개요 본 기술의 목적은 잉크젯 프린터용 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 형성 방법을 제공하는데 있다. 보다 구체적으로 본 발명의 목적은 잉크젯 프린터에 의한 패턴 구조체 형성을 위한 나노입자를 합성하고, 이를 적절한 물리화학적 특성을 갖도록 분산성과 점도특성을 제어하여 안정적 잉크젯 분사가 가능한 금속 나노입자 잉크를 제공함으로써, 궁극적으로 잉크젯 프린팅을 통한 최적의 금속 패턴을 구현하는데 있다. * 구성 및 작용 본 기술의 잉크젯 프린터용 전도성 잉크 조성물은 잉크의 주용매로서 금속 나노입자 합성 시 사용된 용매를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 기술의 잉크젯 프린터용 전도성 잉크 조성물은 기판 표면에 잉크젯 프린팅하고, 상기 기판 표면에 프린팅된 잉크 조성물을 열처리하여 금속패턴을 형성할 수 있다. 본 기술에 따른 잉크 조성물은 드롭-온-디맨드 방식의 잉크젯 프린터에 사용 가능하며, 압전 방식의 잉크젯 프린터의 경우에 요구되는 유체의 물성들을 만족하고, 각 첨가물의 조성에 따라 열전사 방식의 잉크젯 프린터의 경우에도 사용 가능하다.* 기대효과 본 기술의 잉크젯 프린터용 전도성 잉크 조성물은, 잉크젯 프린터의 노즐로부터 분사되기 위한 유체의 물성을 만족하고, 전도성 금속패턴을 형성하기 위한 물성을 동시에 만족하므로, 잉크젯 프린팅 기술에 의하여 직접묘화방식(direct-writing)으로 다양한 재료의 기판상에 자유롭게 전도성 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 본 기술에 의하면 종래의 노광/식각에 의한 에너지 집약적이고, 고비용의 반도체 제조 공정 기술을 대체하여, 공정이 간단하고 저비용의 친환경적으로 인쇄회로기판을 제조할 수 있다. 또한 본 기술의 잉크 조성물은 고농도의 안정하게 분산된 금속 나노입자를 포함하고, 저온 열처리에 의하여 낮은 비저항을 얻을 수 있으므로, 다양한 재료의 기판에 금속패턴을 형성할 수 있다. 따라서 전기/전자 소재 산업분야에서 차세대 기술로써 적용할 수 있다. 뿐만 아니라, 잉크젯 프린팅 기반 기술로부터 단백질 생체 칩 제조 등의 바이오 산업과 같은 다양한 산업분야로의 응용이 기대된다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-26
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
음식점 등에서 음식물의 제공에서부터 식기의 반환까지의 전체적인 과정이 자동으로 이루어지는 다이닝 서비스 시스템에 관한 것
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- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명의 낸드 플래시 메모리 인터페이스는 기존 Read Enable Bar(REB) 신호를 Data Valid Strobe(DVS)로 변경하고, Write Enable Bar(WEB)를 클록 입력으로 변경하였으며 더블 데이터 레이트를 적용하여 데이터의 전송속도를 높여 전체적인 성능이 향상되도록 하였다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 Flash ADC를 대체할 수 있는 Hysterisis를 가진 Tracking ADC를 제안한다. 제안된 Hysterisis를 가진 Tracking ADC는 Flash ADC에 비해 적은 수의 quantizer를 사용하여 면적과 소비 전력을 줄이고, 기존의 Tracking ADC에 비해서는 Hysterisis 특성으로 안정적인 출력 비트를 갖는다. Tracking ADC 내부의 Counter에 Hold operation을 추가하여 Hysterisis 특성을 만든다. 이는 입력 신호가 1 LSB 이내로 변화할 때 Counter가 저장하고 있는 정보를 유지시켜서 출력 비트가 진동하는 것을 막는다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 플래시 메모리 장치 및 그 인터페이스 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 외부 환경 변화에 민감하지 않은 플래시 메모리 장치 및 그 인터페이스 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 호스트 프로세서로부터 리드(Read) 커맨드와 상응하는 어드레스 정보를 전달받아 상응하는 리드(Read)된 데이터를 메모리 인터페이스부를 통하여 출력하는 플래시 메모리 장치는 복수개의 메모리 셀들로 구성된 메모리 셀 어레이, 메모리 셀 어레이로부터 리드(Read)된 데이터를 저장하는 데이터 버퍼부, 메모리 인터페이스부로 출력되는 DVS(Data Valid Strobe) 신호를 생성하는 DVS 생성 로직 및 리드(Read)된 데이터를 데이터 버퍼부로부터 메모리 인터페이스부로 출력하기 위한 제어신호를 생성하는 컨트롤 로직을 포함하되, 리드(Read)된 데이터는 DVS(Data Valid Strobe) 신호에 동기되어 메모리 인터페이스부로 출력될 수 있다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 측정하고자 하는 샘플의 특정 단층을 선택적으로 측정할 수 있는 광학 단층 측정 장치에 관한 것이다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 입사광을 제공하는 광원; 다수의 돌출부 및 상기 돌출부 사이에 형성된 홈을 가지며 상기 입사광을 투과시키는 기판; 상기 돌출부 및 상기 홈 표면에 부착되며 상기 입사광을 반사시키고, 상기 입사광에 의해 표면 플라즈몬 공명(SPR) 현상을 일으키는 금속박막; 및 상기 금속 박막에서 반사된 반사광을 측정하는 측정부를 포함하는 광학 단층 측정 장치가 제공된다. 따라서, 본 발명에 의해, 샘플의 특정 단층을 선택적으로 측정할 수 있다.
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- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 전기전도도 및 이온전도도가 우수하여 중금속 이온 감지 센서로 적용되는 유리전극의 망목 구조를 강화 시킴으로서 기계적,화학적으로 안정된 중금속 이온 선택성 전극 재료를 제공하고, 이온선택성과 민감성 유지를 위한 박막 형성에 있어서 응답속도 단축과 사용온도 범위가 증가되고 저가로 박막 제조가 가능한 중금속 이온 선택성 전극 재료를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 중금속 이온 선택성 전극재료는, 출발물질로서 Ge-Se-Te-Si3N4를 사용하여 제조된 칼코나이트라이드 모유리에 CdS 및 HgTe가 도핑되어 Ge-Se-Te-Si3N4-CdS/HgTe 박막이 형성된 것을 특징으로 하고, 본 발명의 이온 선택성 전극재료의 제조 방법은, 출발물질로 Ge,Se,Te,Si3N4을 사용하여 석영 앰플에 장입, 봉합하여 수평관로에서 용융, 급냉시켜 모유리를 제조하는 단계와; 상기 단계를 통해 제조된 모유리에 CdS/HgTe를 도핑하고, 석영앰플에 장입, 봉합하여 수평관로에서 용융, 급냉시켜 전극용 유리를 제조하는 단계와; 상기 단계에서 제조된 전극용 유리를 분쇄하여 코팅액을 합성하고, 스핀코팅법에 의하여 박막을 제조하고 열처리하는 전극용 유리의 박막화 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 잉크젯 프린팅용 전도성 잉크 조성물에 관한 것으로, 잉크의 주용매로서 금속 나노입자 합성 시 사용된 용매를 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 잉크 조성물은 금속 나노입자, 주용매, 점도 조절과 패턴된 막질 향상을 위한 부용매, 상기 금속 나노입자를 잉크 내에서 안정하게 분산된 상태로 유지하기 위한 분산제 및 잉크젯 프린터의 노즐부분에서의 클로깅을 방지하기 위한 습윤제를 포함하며, 점도가 0.5 내지 40 mPa·s 범위 조건, 뉴토니안 흐름거동 조건, 표면장력이 20 내지 70 mN/m의 범위 조건을 만족한다. 본 발명에 따르면 금속 나노입자를 용매 내에 매우 안정하게 분산시킬 수 있으며, 저온 열처리에 의하여 낮은 비저항을 얻을 수 있어 전기/전자 소재, 바이오 테크놀로지 등 다양한 산업 분야로 응용이 가능하다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 유황화 및 수소화 처리를 이용한 금속/GaAs 쇼트키 접합 계면 불순물 제거 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소자 특성을 개선하기 위해 유황화 및 수소화 처리를 이용하여 게이트(gate)와 같은 쇼트키 접합(Schottky contact)부의 금속/GaAs 계면 부산물을 완벽히 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 계면 산화물 발생 억제를 위한 유황화 처리 및 계면 반응부산물 제거를 위한 수소화 처리를 복합적으로 적용함으로써, 종래의 HCl 용액으로 표면 처리(습식 세정)하는 경우에 비해 계면 불순물(산화물 및 반응부산물)을 효과적으로 제거할 수 있으며, 계면 불순물을 완전히 제거할 수 있게 됨에 따라 종래에 비해 특성이 우수한 소자를 제조할 수 있게 된다. 또한 원자 단위로 제어된 안정된 금속/GaAs 쇼트키 접합 형성으로 소자의 고속/고주파 동작의 신뢰성 및 재현성이 향상될 수 있고, 제품의 높은 수율을 보장할 수 있게 된다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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일반기술
전기·전자 > 기타 반도체
본 발명은 아날로그-디지털 변환 장치에 관한 것으로서, 저전력 고속 AD변환 및 적은 면적을 위한 구조이며, 기존의 AD 변환기의 구조 분류에 속하지 않는 새로운 카테고리의 구조를 갖는 아날로그-디지털 변환 장치를 제공한다. 이를 위해 본 발명은, 변환 사이클 클럭에 따라 기준 전압을 순차적으로 1/2 배로 분할하여 출력하는 분할기와, 분할기의 전압을 가산 또는 감산하여 다음 비트를 결정하기 위한 비교 전압을 출력하는 누적기 및, 누적기의 출력과 입력 신호를 비교하여 해당 비트의 디지털 논리값을 결정하는 비교기, 비교기의 출력값을 순차적으로 저장하는 레지스터로 구성된다. n 번째 비트를 결정하기 위한 비교전압을 얻기 위하여 선택기는 (n-1)번째 비트의 비교기 출력에 따라 분할기 출력을 누적기에 가산할 것인지 감산할 것인지를 선택한다. 이러한 과정을 반복 수행하여 상위 비트부터 순차적으로 AD 변환된 디지털 출력값을 얻는다. 또한, 다수의 아날로그 입력을 다수의 채널로 AD 변환 시, 분할기는 전체 시스템에 1개를 구현하여 공유하고, 누적기 및 비교기만을 각각의 입력 신호에 대하여 배치하여 각 채널의 입력에 따라 각기 다른 비교 전압을 출력한 뒤, 비교기에 의해 디지털 변환하여 레지스터에 저장한다.
- 보유기관
- 연세대학교
- 등록일
- 2007-12-27
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