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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

오프셋을 제거한 승자독점 회로.

본 발명은 승자독점 회로에 관한 것으로서, 기존의 승자독점(winner-take-all) 회로에서 발생하는 여러 가지 문제 중, 특히 각 트랜지스터의 역치 전압(threshold voltage) 크기 간의 편차에 의한 오프셋 에러를 해결하기 위한 회로를 제공한다. 이를 위해 본 발명은, 오프셋을 제거하기 위하여 두 가지의 동작 모드를 가지는 승자독점 회로를 제안한다. 모든 가지에 독점 전류에 해당하는 전류를 동시에 흘려준 뒤 각 트랜지스터의 역치 전압에 의한 오프셋을 저장하는 제 1 모드와, 종래 기술의 승자독점 회로와 동일하게 동작시키도록 하는 제 2 모드를 갖는다. 이를 위해 기존의 승자독점 회로에 오프셋 제거 회로와 제 1 모드 시 추가적으로 필요한 전류를 흘려주기 회로를 추가로 구비한다. 오프셋 제거 회로는 입력을 인가받는 트랜지스터의 역치 전압 간의 오프셋을 저장하기 위한 커패시터와 승자독점 회로를 두 가지 모드로 동작하기 위한 스위치들로 구성된다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

루테늄 옥사이드 수화물 박막 전극 제조 방법 및 장치

본 발명은 슈퍼캐패시터(supercapacitor)용 루테늄 옥사이드(ruthenium oxide) 박막 전극에 관한 것으로 강한 전기장이 형성된 가운데 루테늄 전구(前驅) 용액(ruthenium precursor solution)을 분사시켜 매우 미세한 입자의 다공성 박막전극을 형성시키는 방법에 관한 것으로, 전구(前驅)용액이 장입되고 상기 전구 용액을 분사하는 주사기; 상기 전구 용액이 분사되는 기판; 상기 기판을 지지하며, 상기 기판을 가열하기 위해 내부에 할로겐 램프를 포함하는 기판 지지대; 상기 기판 지지대와 주사기에 연결된 직류전원 장치; 상기 기판 지지대와 상기 주사기 사이의 거리를 조절하는 거리조절 장치 및 상기 기판 지지대의 온도를 조절하는 온도조절기로 구성되며, 기존의 슈퍼캐패시터(supercapacitor)용 루테늄 옥사이드(ruthenium oxide) 전극 또는 루테늄 옥사이드와 활성화 탄소를 혼합한 복합전극과 비교시 우수한 성능의 전극을 제조하는 것이 가능하면서도 종래의 제조법에 비해 훨씬 간단하며 공정 시간도 단축시킬 수 있는 루테늄 옥사이드 수화물 박막 전극 제조 방법 및 장치에 관한 것이다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

복합소재를 이용한 의사커패시터의 제조방법

본 발명은 복합소재를 이용한 의사커패시터의 제조방법에 관한 것으로서, 전극 활물질인 탄소 소재 표면에 망간산화물을 화학적인 방법으로 수 nm의 두께로 코팅하되, 과망간산 칼륨(KMnO4)을 탄소 소재 위에 화학적으로 코팅하고, 그 망간산화물/탄소의 복합소재에 바인더 및 도전제로 각각 PVDF(Polyvinylidene fluoride)와 아세틸렌 블랙 등을 혼합하여 의사커패시터용 망간산화물/탄소의 복합소재의 전극을 형성함으로써, 상기 망간산화물이 대부분 비축전용량에 기여할 수 있도록 하여 그 망간산화물의 전기 화학적 활용도가 증대되고, 망간산화물 내의 탄소 소재로 인해 전기 전도성이 향상되는 효과를 극대화시킨 복합소재를 이용한 의사커패시터의 제조방법에 관한 것이다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

다중고착 고장 진단을 위한 매칭 방법

본 발명은 다중고착 고장 진단법에 관한 것으로, 단일고착 고장 시뮬레이터를 사용함에도 정확하게 다중고착 고장을 진단할 수 있도록 한다. 본 발명의 다중고착 고장 진단법은 후보고장의 점수 계산, 완전일치공통부분 테이블 생성, 최종 고장 후보 집합의 결정 과정을 거친다. 후보고장의 점수 계산 과정과 완전일치공통부분 테이블 생성 과정은 고장 시뮬레이션 과정 중에 병렬적으로 진행된다. 고장의 점수 계산 과정은 고장의 경우를 완전일치공통부분, 공통부분, 잘못된 예측, 예측실패, 무고장 영역의 5가지 경우로 나누고 각각의 경우에 따른 점수 계산법으로 후보고장의 점수를 계산한다. 고장의 점수가 높을수록 후보고장과 실제 결함의 유사도가 높음을 의미한다. 완전일치공통부분 테이블 생성 과정은 실제 고장이 낮은 점수로 계산될 경우에 진단을 하기 위해서 필요하게 된다. 고장 시뮬레이션이 끝나게 되면, 후보고장의 점수 계산, 완전일치공통부분 테이블 생성과정이 종료되고 이전 단계에서 계산된 후보고장의 점수와 완전일치공통부분 테이블로 최종 고장 후보 집합을 결정하게 되어 이를 최종 출력하게 된다. 다중고착 고장을 진단하기 위하여 다중고착 시뮬레이션을 사용할 경우에는 고장 진단 시간이 오래 걸리며, 단일고착 고장 시뮬레이터를 사용할 경우에는 정확도가 떨어지는 문제점이 있으나 본 발명은 이러한 단점을 해결하였다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

강유전 캐패시터의 제조방법

본 발명은 기판 상단면 일측에 소자격리층을 형성하는 단계; 상기 소자격리층이 형성되지 않는 기판 상단면 일측에 불순물접합층을 형성하는 단계; 상기 소자격리층 및 상기 불순물접합층 상단에 하부절연막을 형성하는 단계; 상기 하부절연막 상단 일측에 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 확산방지막을 형성하는 단계; 상기 확산방지막 상단에 전극물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상단 일측에 강유전 물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 코팅하고 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 강유전막을 형성하는 단계; 상기 강유전막 상단 일측에 전극물질을 포함하는 전자빔 감응성 졸을 증착시킨 후 전자빔을 조사하여 패턴함으로써 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전 캐패시터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 강유전 캐패시터의 제조방법은 전자빔 감응성 물질로 강유전막, 상ㆍ하부전극, 확산방지막을 제조하는 것으로서, 전자빔 감응성 물질을 기판에 박막형태로 코팅한 후 에너지가 조절된 전자빔 조사에 의해 패터닝하는 동시에 패턴부의 결정화를 가능하도록 하여, 강유전 캐패시터 막 형성을 위한 후속 고온열처리 공정이 생략될 수 있고, 저온공정이 필수적인 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있으며, 공정이 간소화되는 효과가 있다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법

본 발명은 기판 상단면 일측에 게이트 전극이 형성되는 단계; 상기 게이트 전극이 포함되는 상기 기판 상단면에 절연막이 형성되는 단계; 상기 절연막 상단면에 저온 원자층 증착방법을 사용하여 무기 채널층이 형성되는 단계; 상기 무기 채널층 상단면 양측에 금속전극 소스와 금속전극 드레인이 형성되는 단계; 및 상기 절연막 상단면, 무기 채널층의 상단면과 측면 및 금속전극의 상단면과 측면에 무기 절연보호막이 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기-무기 혼성 전계효과 트랜지스터는 종래의 유기 전계효과 트랜지스터와 비교하여 높은 이동도를 갖는 무기 채널층이 형성되어 소자 동작속도가 크게 향상되고, 소자 동작 전압을 줄일 수 있는 효과가 있다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

잉크젯 프린팅용 광결정 잉크 조성물, 이를 이용한 3차원 광결정 조형 방법 및 이에 의해 제조된 3차원 광결정 소자

본 발명에 의한 잉크젯 프린팅용 광결정 잉크 조성물은, 단분산 나노입자; 주용매; 잉크젯 프린터의 노즐부분에서의 클로깅을 방지하기 위한 습윤제; 및 표면장력 제어제를 포함하여, 점도가 0.5 내지 40 mPa·s 범위 조건, 뉴토니안 흐름거동 조건, 표면장력이 20 내지 70 mN/m의 범위 조건을 만족하는 것을 특징으로 한다. 그리고 본 발명에 의한 광결정 조형방법은, 상기 잉크 조성물을 잉크젯 프린터로 기판상에 분사하고, 분사된 액적을 건조하여 3차원 광결정을 조형하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 단분산 나노입자가 포함된 잉크 조성물을 잉크젯 프린팅에 의하여 매질상에 분사함으로써 신속하고 자유롭게 3차원 광결정 패턴을 조형할 수 있다. 따라서, 종래의 식각법 등에 비하여 간단한 공정, 저비용, 친환경적으로 3차원 광결정을 조형할 수 있다. 본 발명에 의해 제조된 3차원 광결정 소자는 차세대 디스플레이, 광센서, 광컴퓨터용 소자 등 다양한 광정보재료 산업분야에 응용될 수 있다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

유무기 하이브리드 솔-젤 용액, 이를 이용하여 제조된 유전체 및 이를 구비한 유기박막 트랜지스터

본 발명에 의한 유-무기 하이브리드 실리카계 솔-젤 용액은 중심원소가 실리콘인 유기관능기를 갖는 전구체를 이용하여 솔-젤 공정(SOL-GEL PROCESS)에 의해 합성한 것을 특징으로 한다.또한 본 발명에 의한 유-무기 하이브리드 실리카계 유전체 제조방법은 유-무기 하이브리드 실리카계 솔-젤 용액을 용액공정에 의해 유전체 박막을 형성하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 첫째 우수한 물성의 유전체를 손쉬운 공정 방법인 용액 공정을 통하여 제조 할 수 있기 때문에 유기박막트랜지스터의 제조 비용을 줄일 수 있다. 둘째 저온 열처리가 가능하므로 유연성이 있는 플라스틱 기판위에서의 성막이 가능하게 되어 산업적으로 OLED, 플라스틱 TFT-LCD, 전자종이와 같은 플렉시블 디스플레이, 스마트카드와 같은 플렉시블 전자소자의 구현할 수 있다.

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연세대학교
등록일
2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

발광소자용 은 도핑된 산화아연 반도체 및 이의 제조방법

본 발명에 의한 발광소자용 은 도핑된 산화아연 반도체는 은이 도핑된 산화아연 박막으로 이루어지며, 이때 상기 은의 도핑은 아연산화물에 은을 1 내지 4WT%의 범위로 첨가하여 이루어진다. 또한, 은을 산화아연에 도핑하여 P형 산화아연 박막을 성장시키고, 이의 상부에 산화아연 박막을 형성하여 N형 산화아연 박막을 성장시켜 P-N 접합소자를 제조할 수도 있다. 또한, 이러한 제조공정을 반복함으로써 NPN형, PNPN형, NPNP형 등의 다층 발광소자를 제조할 수도 있다. 상기 박막은 교류 스퍼터링법, 펄스 레이저 증착법 등을 포함한 물리적 증착법이나 화학적 증착법으로 제조될 수 있다.

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

체험형 개별 키친 시스템 및 그 구동방법

가족이나 모임 단위의 고객들의 전용공간으로 이용할 수 있고, 음식준비 및 조리, 식사 등을 위한 부엌영역과 식탁영역이 갖추어진 개별 고객공간형태의 독립적인 영역을 포함하는 새로운 개념의 음식점 시스템

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연세대학교
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2007-12-27
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막 및 이의 제조방법

본 기술은 반도체 소자에 사용되는 반도체용 절연막에 관한 것으로서, 유전율이 낮고, 반도체 제조공정과 반도체 자체의 내구성에 필요한 열안정성, 기계적 성질, 에칭 특성 등의 물리적 특성이 우수한 반도체용 절연막 및 그 제조방법에 관한 기술이다.본 기술은, 말단기가 에폭시기로 치환된 다면체 구조의 반응성 실세시퀴옥산이 유기 고분자 내에 분산되어 유-무기 복합구조를 갖는 반도체용 절연막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반응성 실세시퀴옥산은 내부 기공에 의하여 유전율을 낮추는 역할을 하고, 유기 고분자 물질을 통해 상기 기공성 무기물 자체의 열악한 기계적 물성을 보완함으로써 반도체용 소자에 필요한 저유전율, 우수한 기계적 물성을 동시에 달성한다는 것을 특징으로 한다.

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연세대학교
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2007-12-27
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