산업기술 통합검색
본 기술은 금속용기에 탄소나노튜브가 잘 분산 되어있는 용액을 떨어뜨리고 용액표면에 팁 끝의 반경이 100nm 미만인 텅스텐 팁을 용액의 표면에 위치시킨후 전기영동법을 이용하여 탄소나노튜브를 붙이는 것에 관한 것이다. 탄소나노튜브 팁 제조 장치는 AC 또는 DC 펄스를 공급하는 AC/DC 전원공급기, AC/DC 전원공급기로부터 전원을 공급받고 그 끝단에 탄소나노튜브가 부착되는 텅스텐팁 및 AC/DC 전원공급기에 연결되어 있고, 탄소나노튜브 용액이 담겨져 있는, 금속용기를 포함한다. 그리고 금속용기와 텅스텐 팁 사이의 전기장의 방향과 세기, 팁 끝과 용액의 경계면에서의 메니스커스 (meniscus)를 제어하여 팁의 형성 방향을 결정할 수 있고 다른 휘발온도를 가진 유기용매의 사용으로 전기영동시간을 제어하여 부착되는 탄소나노튜브의 길이를 제어할 수 있다
본 기술은 전기집진장치와 살균장치를 구비함으로써 분진과 악취가 배출되는 것을 방지하고 세균의 번식을 효과적으로 억제할 수 있다.전기집진식 쓰레기통은, 윗면이 개방된 외부 케이스, 외부 케이스의 내부에 장착되고, 적어도 한 측면에 다수의 흡입구가 형성되어 있는 내부 케이스, 외부 케이스의 측면에 장착되고, 각 흡입구를 통해 내부 케이스 내부에서 외부로의 공기의 흐름을 형성하여 쓰레기에 포함된 먼지를 집진장치로 보내기 위한 흡입팬 및 외부 케이스에 설치되며, 흡입팬에 의해 내부케이스로부터 공급되는 공기를 정화하여 내부 케이스로 재순환시키는 전기집진장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 탄소나노튜브를 이용한 도전성 볼의 제조 방법에 관한 것으로, 중합체 비드에 직접 술폰화 과정을 통해 표면을 술폰기로 개질시키고, 개질된 표면에 반복적 자기집합 단층막을 통해 아민기가 노출된 다층막을 형성시키고, 다층막 표면에 카르복실기로 개질된 탄소나노튜브를 적층시켜 도전성 볼을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 기술의 의해 제조된 도전성 볼은 전기전도성이 우수한 탄소나노튜브를 표면에 코팅시킴으로써, 도전성 볼의 전기전도성을 향상시킬 수 있어 미세패턴 응용에 유리하며, 또한 반복적 자기집합 단층막에 의해 이온결합된 다층막으로 형성시키므로써, 중합체와 금속간의 특성차이로 인해 발생되는 도전막의 균열을 방지할 수 있으며, 제조 공정 또한 단순화할 수 있다.
본 기술은 갈바닉 전류를 이용해 지중에 매설된 철구조물의 부식속도를 측정해 구조물이 부식에 의해 손상되거나 누출되는 등의 문제를 미연에 방지할 수 있는 배관의 부식감지장치용 음극에 관한 것이다.배관의 부식감지장치용 음극에 있어서,양극은 측정되는 금속과 동일하게 형성되며, 음극은 갈바닉 전류를 발생시키는 양극의 금속과 이종을 이루는 갈바닉 계열의 금속으로 이루어지고, 갈바닉 계열의 금속인 음극과 양극의 전위차가 200∼900MV이며,배관은 토양에 매설되고, 토양의 비저항은 5,000 Ω-CM 내지 10,000 Ω-CM인 것을 특징으로 한다.
본 기술에 따른 대면적 처리용 중성빔 소스는 이온빔 소스, 이온빔 소스에서 이온빔을 추출하여 가속시키는 그리드 및 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함하는 중성빔 소스에 있어서, 이온빔 소스는 플라즈마가 생성되는 공간을 형성하고 하단부가 그리드와 연결되는 챔버와, 선형이며 챔버 내부를 폭방향으로 관통하여 양단부가 챔버의 측면 외부로 노출되는 적어도 하나의 유도 코일부 및 각 유도 코일부 일측 단부에 고주파 전원을 인가하여 챔버내에서 플라즈마를 발생시키는 전원 공급부를 포함한다. 본 기술에 따른 대면적 처리용 중성빔 소스는 플라즈마 발생 챔버 내부 공간에서 선형이며 독립된 루프를 가지는 복수의 유도 코일로 구성되는 ICP 소스를 이온 소스로 사용함으로써 유도 코일의 길이를 최소화하여 중성빔 소스가 대형화되는 경우에도 ICP 이온 소스의 절연에 사용되는 비용을 저감할 수 있으며, 정상파 효과도 배제할 수 있는 장점이 있다. 또한, 플라즈마 발생 효율을 최대화할 수 있으며, 각 선형 유도 코일에 인가되는 전원을 독립적으로 제어하는 것이 가능하기 때문에 플라즈마의 밀도를 균일하게 제어할 수 있는 장점이 있다.
본 기술은 금 나노 선 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘(Si) 칩 상에 디엔에이(DNA)를 형판(template)으로 사용하여 금 나노 선을 제조하는 방법에 관한 것이다.기판위의 용액 고착을 촉진 시키는 부착층(adhesion layer)을 형성하는 단계, 환원제와 금 나노 입자를 합성하여 제1 합성 용액을 만드는 제1 합성단계 및 금 나노 입자와 환원제의 제1 합성 용액에 다시 디엔에이(DNA)를 합성하여 제2 합성 용액을 만든 후, 이 제2 합성 용액을 기판위에 도포하는 제2 합성/도포 단계를 포함하는 제조방법을 제공함으로써, 나노 선 형성 방법이 간단하고, 직경 제어를 통해 나노 선의 선폭을 정확하게 조절이 가능한 효과가 있다. 또한, 금 나노 입자뿐만 아니라 다른 금속 나노 입자를 사용하여 다양한 금속 나노 선 제작이 가능하고, 나노 선을 선형으로 정렬이 가능하기 때문에 반도체 소자의 소형화 및 집적화를 더욱 효율적으로 하도록 하는 효과가 있다.
본 기술은 고경도를 지닌 전도성 탄소 박막의 제조 방법 및 전극으로써 박막 전계 발광 소자에 전극에 전도성 탄소 박막을 응용에 관한 것이다. 본 기술에서는 고경도, 전도성 탄소박막 제작시 비대칭 마그네트론 스퍼터링 (Closed-field unbalanced magnetron sputtering) 방식을 제시하였으며, 제작된 탄소 박막은 높은 강도, 낮은 마찰력, 낮은 마모율, 부드러운 표면, 내부식성 및 내 산화성 등의 우수한 물리적인 특성들을 지니며, 장치 및 공정상의 특성으로 인해 어떠한 도핑 없이 낮은 비저항 (< 5 mΩ·cm )과 좋은 전도 특성을 지닌다. 또한, 본 기술에서는 이 전도성 탄소 박막을 박막 전계 발광 소자 적층 구조물의 전극으로써 이용하였다. 본 기술의 특징은 박막 전계방출소자의 금속 전극을 전도성 탄소박막으로 대체함으로써 전극의 물리적인 특성이 향상되어 전극으로써 수명이 연장되며, 이 전극이 다른 층을 보호함으로써 전자소자의 수명 향상에도 도움이 된다. 결국, 본 기술의 목적은 새로운 전도성 소재를 박막 전계 방출 소자의 전극으로써 도입하고 소자의 물리적, 전기적 특성을 향상을 기대하며 여러 전자소자에 전도성 탄소 전극의 맞춤형 채용을 목적으로 한다.
본 기술은 촉매 금속을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법에 있어서 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판을 저온 상태에서 촉매 금속을 포함하는 용액으로 코팅한 후 이를 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 하는 방법에 관한 것으로, 촉매 금속을 포함하는 금속 용액을 제조하는 제1단계, 제1단계에서 제조된 금속 용액으로 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판을 코팅하는 제2단계 및 제2단계에서 코팅된 기판을 열처리하여 비정질 실리콘 박막을 결정화하는 제3단계를 포함한다. 촉매 금속을 이용한 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법을 이용하는 것에 의하여 종래의 결정화 방법과 비교하여 결정화 과정이 현저하게 단순해지고 그 결과 제품의 생산 수율을 향상시킬 수 있으며, 제품의 생산 비용 저감 및 기판의 변형이나 손상을 방지할 수 있다.
본 기술은 무손실 데이터 은닉을 위한 부호화 및 복호화에 관한 것으로 보다 상세하게는 무손실 압축방법 중 가장 잘 알려진 LZW 압축을 이용한 무손실 데이터 은닉을 위한 부호화 및 복호화에 관한 것이다. 본 기술은 LZW의 딕셔너리(DICTIONARY)를 업데이트하는 방식을 이용한 것으로써, 업데이트 되는 문자열의 길이를 은닉하고자 하는 데이터의 패리티와 같은 경우는 그대로 업데이트하며, 다른 경우는 문자열의 길이를 줄이는 강제적 업데이트를 통해 기존 딕셔너리에 존재하는 코드와 같은 코드를 업데이트해 코딩 자체의 중복성을 가지게 하여 데이터를 은닉한다.
본 기술은 무선 통신 환경의 변화에 따라 내부 연산량을 동적으로 조절하여 에너지를 효율적으로 사용하는 적응형 비터비 복호기 및 그 방법에 관한 것이다.브랜치 메트릭 값을 계산하여 출력하는 브랜치 메트릭 계산부, 브랜치 메트릭 계산부에 의해 계산된 브랜치 메트릭 값을 이용하여 경로 메트릭 값을 구하고, 구해진 경로 메트릭 값 중에서 최소값을 선택하여 그 상태값과 결정 벡터를 출력하는 가산 비교 선택부, 가산 비교 선택부의 결정 벡터와 최소 상태값을 이용하여 입력되는 데이터를 복호하여 출력하는 시스톨릭 어레이 및 구속장 길이, 연판정 비트수, 복호 깊이를 설정 제어하는 제어부로 구성된다.
본 기술은 RF 플라즈마 반응관 내에 식각가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 식각 방법으로 실리콘 기판 표면을 건식 식각하여 10 ~ 30nm의 나노 구조를 형성하고, 형성된 나노 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시기 위한 방법이다. 본 기술은, 폴리스타일렌(PS)-b -폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)가 나노 마스트로써 증착된 실리콘 기판의 식각을 위하여 불화유황(SF6) 가스를 주입하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 7~10W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 실리콘 기판을 나노 구조 형태로 건식 식각하는 것이다. 본 기술은 건식 식각 기술을 통하여 폴리스타일렌(PS)-b-폴리메틸메탈크릴레이트(PMMA)가 나노 마스크로써 증착된 실리콘 기판 표면을 나노 구조의 형태로 만들 수 있으며, 이를 이용하여 기존 차세대 플래시 메모리 중 하나인 부유 게이트 메모리에서 양자점의 밀도를 증가시켜 효율적인 데이터 읽기와 쓰기가 가능하다.
본 기술은 RF 플라즈마 반응관 내에서 반응가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 에칭 방법으로 실리콘 웨이퍼를 건식 식각하여 실리콘 웨이퍼 표면에 나노 피라미드 형태의 구조를 형성하고, 형성된 나노 피라미드 형태의 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시켜 플래시 메모리의 데이터 저장 용량을 증대시키기 위한 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법에 관한 것이다.본 기술은, 진공 상태의 RF 플라즈마 반응관내부의 전극에 실리콘 웨이퍼를 투입하는 웨이퍼 투입 단계, RF 플라즈마 반응관 내부에 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스를 주입하는 가스 주입 단계,, 가스가 주입된 RF 플라즈마 반응관 내부에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 단계, 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량이 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 20~25sccm : 10~15sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 90~110W로 조정함으로써 조정된 플라즈마를 통하여 실리콘 웨이퍼를 나노 피라미드 형태로 건식 식각하는 실리콘 웨이퍼 표면 식각 단계를 포함하는 것이다.
본 기술은 실리콘을 기판으로 하는 태양전지의 표면상에 비정질 물질인 다이아몬드상 카본(DIAMOND-LIKE CARBON; DLC) 박막층을 마이크로웨이브 PECVD(PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)법 또는 RF-PECVD 증착법을 이용하여 증착시킴으로서 태양전지의 반사 방지막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 기술에 의한 태양전지 DLC 반사 방지막은 실리콘계 태양전지의 표면 반사율을 줄여서 단락 전류밀도를 향상시키는 효과를 얻음과 동시에 변환 효율 향상을 기대할 수 있으며, DLC 박막의 고유특성인 단단함 때문에 실리콘 표면을 패시베이션 함으로써, 표면 재결합 속도를 낮추어 소수 반송자의 수명을 연장시켜 변환효율 향상효과를 기대할 수 있다. 그리고, 비교적 간단한 제조 공정과 낮은 가격으로 효율을 올릴 수 있기 때문에 태양전지의 광범위한 실용화에도 기여할 수 있으며, 태양전지 외에 저반사율이 필수적인 기타 광학 기기에도 응용이 가능하다.
본 발명은 누전 감지용 신발에 관한것으로 상세하게는 산업현장의 사람들이 착용하는 안전화에 있어서, 신발 바닥에 설치되어 누전된 전기가 흐르는 도전부와; 상기 도전부에 연결되며, 도전부에서부터 흐르는 전류를 통해 착용자가 걸을시 생기는 전위차로 누전을 감지하고, 착용자에게 경고를 하는 제어부와; 상기 제어부에 연결되어 전원을 공급하는 배터리부;를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 누전 감지용 신발에 관한것이다. 일반적으로 각종 건설 현장 예를 들면 건축물의 축조나 송전탑의 설치 및 전철이나 기타 고속철도 거설 등의 건설 현장에서는 필연적으로 전기 배선 작업과 여러 기기를 사용하기 위하여 전선이 다수 배열 설치된다. 한편, 작업자들은 안전을 도모하기 위하여 규정화된 안전화와 안전모등을 필수적으로 착용하도록 하고 있다. 그러나 이와 같이 작업자들이 안전화와 안전모를 착용한다고 할 지라도, 현장에서 발생되는 누전에 의한 감전사고로 부터는 안전하지 못하였다. 즉, 건설현장에서 누전 여부를 감지하기 위해서는 별도의 장비를 갖고 수시로 검사를 행하여야 하지만, 대부분의 건설현장의 여건상 이를 대비할 수 있는 수단을 강구하고 있는 실정이나 마땅한 방법이 제시되지 못하고 있다.본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 신발 바닥에 설치되어 누전된 전기가 흐르는 도전부와, 상기 도전부에 열결되며, 도전부에서부터 흐르는 전류를 통해 착용자가 걸을시 생기는 전위차로 누전을 감지하고, 착용자에게 경고를 하는 제어부와, 상기 제어부에 연결되어 전원을 공급하는 배터리부로 구성되는 누전 감지용 신발을 제공하는데 그 목적이 있다.본 발명은 신발 바닥에 설치되어 누전된 전기가 흐르는 도전부와, 상기 도전부에 연결되며, 도전부에서부터 흐르는 전류를 통해 착용자가 걸을시 생기는 전위차로 누전을 감지하고, 착용자에게 경고를 하는 제어부와, 상기 제어부에 연결되어 전원을 공급하는 배터리부를 포함하여 구성된다.
본 기술은 희토류 원소가 첨가된 고밀도 초미립의 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스의 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술의 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스의 제조 방법은 통상의 고상 반응법에 따라 BaTiO 3 분말에 La 2 O 3 및(또는) M 2 O 3 (M은 Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er 및 Yb으로 이루어진 군 중에서 선택된 희토류 원소이다) 분말을 5 mol% 이하의 양으로 첨가하여 혼합 분말을 제조한 후, 이를 산소 분위기 하에서 소결시키는 것을 특징으로 한다. 본 기술에 따르면, BaTiO 3 에 희토류 원소를 첨가하고 소결 공정을 산소 분위기로 제어함으로써 고밀도 초미립의 BaTiO 3 계 유전체 세라믹스를 얻을 수 있다.
본 기술은 유기금속 화학증착법에 의한 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막의 성장 방법에 있어서 질소의 공급원으로서 활성 상태의 질소 원자 (N * , 질소 원자-활성종)를 사용하는 것에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 종래의 III족 금속 질화물의 유기금속 화학증착법에서 질소 공급원으로 사용되는 암모니아 기체 (NH 3 ) 대신, 질소 원자-활성종, 특히 유전체 장벽 방전에 의한 질소 원자-활성종을 사용함으로써, 약 700 ℃ 내지 1000 ℃의 저온에서 단결정 사파이어 (α-Al 2 O 3 ) 뿐만 아니라, 실리콘 (Si), 갈륨비소 (GaAs) 또는 석영 웨이퍼, 또는 다결정의 실리카 유리 (SiO 2 -유리) 기판 위에도 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막을 성장시킬 수 있다. 또한, 암모니아를 사용하는 경우처럼 질소 원자-활성종을 불필요하게 많은 양으로 공급하지 않아도 될 뿐 아니라, 필요에 따라 충분한 양의 질소 원자-활성종을 공급할 수 있기 때문에 III족 금속 질화물 박막의 성장 속도가 빨라진다.
본 기술은 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드(AND) 논리 연산방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 비선형 특성을 갖는 마하젠더 간섭계 형태의 반도체 광증폭기로 구성된 XPM 파장변환기를 이용하여 소형이면서 작은 입력강도의 초고속 논리연산을 구현토록 하는 기술에 관한 것이다. 본 기술에 따르면, 일정 수준의 연산속도를 구현하기 위한 광펄스를 생성하는 광섬유 모드록 레이저와, 광출력을 감쇠시키는 광 감쇠기와, 다중화기와, 제 1광지연선로와, 50 : 50으로 광세기를 분리시키는 3-dB 광섬유커플러와, 최대의 광파장 효율을 얻기 위한 편광상태를 맞추기 위한 편광조절기와, 제 2광지연선로와, 광파장을 전송시키는 광 격리기와, XPM 파장변환기와, 어븀첨가광증폭기와, 광파장 필터와, 광신호분석기를 포함하여 구성됨으로서 XPM 파장변환기에서 도파로 부분의 전류를 조절하여 신호 A의 출력이 정상적으로 신호 C로 출력되도록 간섭계를 구성하는 두 도파로의 전류를 조절하고, 신호 A의 지연시간을 적절히 조절하여 신호 B와 동조시킴으로서 앤드(AND) 논리 연산을 수행하는 것을 특징으로 하는 마하젠더 간섭기형 전광 파장변환기의 전광 앤드 논리 연산방법에 관한 것이다.
본 기술은 광시분할 방식의 광통신에 활용될 수 있는 광 위상 동기 루프 회로에 관한 것으로, 입사하는 광펄스 신호와 위상과 주파수가 동일한 펄스열을 재생시키는 것을 목적으로 한다. 이러한 광 위상 동기 루프 회로는 미리 설정된 제1 고주파 신호를 생성하는 고주파 발생기, 이 고주파 발생기에 의해 구동되어 클럭 광펄스를 출사하는 광원, 제2 고주파 신호를 생성하는 전압 제어 발진기(voltage-controlled oscillator), 입사하는 광펄스 신호와 클럭 광펄스를 혼합함으로써 생성된 광파만을 필터링 및 증폭하여 제1 신호로 변환하는 제1 제어부, 고주파 발생기와 전압 제어 발진기로부터 각기 생성된 제1 및 제2 고주파 신호를 혼합하여 저주파 신호로 하향 변환하는 다운-컨버터 믹서(down-converter mixer), 제1 신호와 저주파 신호를 각기 전기적 펄스 신호로 변환하는 펄스 변환기, 및 펄스 변환기로부터 출력되는 각각의 전기적 펄스 신호의 위상차를 측정하여 이 위상차에 비례하는 제어 전압을 출력하는 제2 제어부를 포함하여, 제어 전압으로 전압 제어 발진기를 제어하여 입사하는 광펄스 신호와 제2 고주파 신호를 동기시키는 것과 광 클럭을 안정되게 구동시키는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 실리카와 금속산화물로 이루어진 세공성 촉매 및 이를 이용하여 시클로헥사논 옥심 (cyclohexanone oxime)으로부터 ε-카프로락탐(ε-Caprolactam)을 제조하는 방법에 관한 것이다.카프로락탐 제조 공정에 종래에 사용되었던 황산 촉매를 대체할 수 있어 환경, 안정성 및 부산물의 발생을 방지할 수 있고, 종래의 고체산 촉매들의 짧은 수명으로 인한 문제점을 해결함과 아울러, 선택도와 전환율이 높은 촉매를 제공하는 장점이 있다.
본 기술은 플라즈마 디스플레이 패널의 미세격벽 제조방법에 관한 것이다.종래 플라즈마 디스플레이 패널의 미세격벽 제조방법은 유리분말에 의한 소결법에 의하여 기공이 남게 되어 플라즈마 디스플레이 패널의 특성이 저하되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 기술은 소다회 유리기판의 상부에 하지층을 형성하고, 그 하지층의 상부에 은전극을 형성한 다음, 적심성과 접합특성이 우수한 유리분말을 도포하는 유리분말 도포단계와, 유리분말의 상부에 연화점이 상대적으로 높고 강산에 대한 에칭특성이 우수한 유리판을 적층한 후 압력과 열을 가해 유리분말과 유리판을 소결 및 접합하여 백색유전막과 그 상부에 격벽용 유리판을 접합하는 소결단계와, 포토레지스트 패턴을 이용하여 격벽용 유리판의 일부영역을 선택적으로 노출시킨 후, 희석된 강산으로 그 하부의 백색유전막이 노출될 때까지 에칭하여 격벽을 형성하는 에칭단계를 포함하여 유리후막을 격벽용 유리판을 적층한 후 소결하여 형성함으로써, 격벽용 유리후막에 내부 기공이 발생하는 것을 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 효과와 아울러 백색유전막을 유전체로 사용함과 아울러 그 백색유전막을 적심성이 우수하고, 접합특성이 우수한 것을 사용하여 상대적으로 낮은 온도에서 소성 및 격벽용 유리후막판을 접합함이 가능하여 기판의 변형을 방지하는 효과가 있다.