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□ 기술개요초음파 마감(UF)은 나사절삭선반을 작동시킨 후 금속 표면의 질을 향상시키기 위해 사용된다. 해당 기술은 표면 소성 변형에 속한다. 본 UF 기술은 표면 평활도, 경도 및 초미세 경도를 향상시키고 재료의 강도 저항, 내마모, 내부식, 내피로성을 증가시키는 표면층 압축응력 수치를 높여 준다. □ 기술 명세 전원, V 220 주파수, Hz 50 전원 소모, W 250 냉각 (압축 공기), MPa 0.4 출력 전원 제어기, W 110,120,140,160 크기, mm:발전기 370x230x120 기계 305x120x70 무게, kg 5.7 □ 기술 평가 및 경제성 해당 기술은 표면 평활도를 처음과 비교했을 때 2-3 등급 정도 질적으로 향상시키고 경도는 2-3배 증가시키며, 초미세 경도는 1.8-2.2배 증가시켜 준다. 그뿐 아니라 재료의 강도와 내마모성을 증가시켜 주는 표면층 압축응력도 제공한다. □ 응용분야본 초음파 마감 기술은 철로 운송 부분의 수선, 전력 공학, 그리고 경화 및 품목의 마감이 요구되는 다양한 분야의 산업에 응용 된다.
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건축 유리 위로 열-반사 코팅을 침착 시키는 기술은, 건축 유리 위로 산화 금속 필름을 마그네트론 스프레이(magnetron spraying)하는 법과 고 에너지 가스 이온 빔에 의한 표면 충격법을 결합한 것이다. 본 처리 공정은 두 개의 확장 평면 마그네트론 스프레이와 하나의 확장 평면 가스 이온 소스로 구성된 이온-마그네트론 스프레이 시스템(ion-magnetron spraying system)의 도움으로 진공 체임버의 압력이 2 х 10-³Pa인 곳에서 진행된다. 하나의 확장 평면 가스 이온 소스는 또한 코팅 침착 전 평면 유리의 세척 및 활성을 위해 사용된다. 스프레이로 인해 유리의 표면으로 고 접착성을 보이는 안정적인 다층 나노결정 코팅이 형성된다. 건축 유리 위로의 이온 충격에 의한 진공 마그네트론 침착 시설 □ 기술 명세 - 파장 범위의 가시광선 투과율 0.3 μm ≤ Λ ≤ 0.8 μm - 0.80 ÷ 0.85; - 파장 범위의 적외선 방사율 2.5 μm ≤ Λ ≤ 25 μm - 0.08 ÷ 0,10; - 유리 기질로의 코팅 점착 - 15 ÷ 19 MPa. □ 기술 평가 및 경제성 기존 유사품과는 대조적으로 해당 기술은 높은 내마모성, 내화학성, 그리고 유리표면으로의 점착성을 가진 열-절감 코팅 침착을 가능하게 한다. 이러한 코팅이 되어 있는 건축 유리는 봉인 이중-유리 이외에도 창문의 기존 창틀 유리를 만들기 위해 사용될 수 있다. □ 응용분야구조용재, 자동차 산업, 운송 기계 제작, 항공기 제작, 전자 산업 □ 개발 단계 생산의 초기 단계, 설비의 파일럿 샘플
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열 전달, wт/м (1,3-2,0)*10Е2 별도의 전기 저항,1*10Е14이 넘지 않은 Ом/см, 세라믹은 판, 작은 구, disk 모양으로 생산된다.
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□ 기술개요시스템의 작용은 헬륨-네온 레이저에 의해 발광된 물체의 두 스페클 이미지 사이 무상관 관계를 결정하는데 근거하고 있다. 이 이미지들은 소프트웨어 수준으로 처리되고 얻어진 결과는 모든 변형과 그 시간의 변화를 결정하는데 사용될 수 있다. 해당 시스템은 다음을 위해 고안되었다. ● 금속 구조와 기계적 요소에 대한 강도 분석 ● 균열 핵생성 지점(fracture nucleation site) 결정 ● 소성 변형 불균일성 조사 ● 물질 유동 연구 ● 소성 변형 시작 결정 ● 균열 인성 결정 ● 열팽창 측정 ● 소성 변형 국소화 조사 ● 물체의 소규모 변위 측정 ● 균열 가능 지점 예측 해당 시스템은 실시간으로 작동한다. □ 기술 평가 및 경제성 해당 시스템은 레이저 빔에 의한 물체의 간섭성 조사를 수반하는데 이는 역시간창(lag window)의 크기를 증가시키고 사상 변형장(the mapped strain field)을 완화시켜 변형-국소화 영역을 이미지화할 때 에러를 줄일 수 있도록 해 준다. □ 응용분야해당 시스템은 기계 제작, 연구소 내 소성 변형 및 균열의 연구에 사용될 수 있다.
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□ 기술개요본 소재는 1500 V에 달하는 전압의 교류 및 직류 회로에 사용되는 고-전류 접촉부분을 낡은 터미널에 납땜시키기 위해 고안되었다. 이것은 임의 크기(소비자의 요구에 따라)의 소결된 플레이트 형태로 공급된다. 이 플레이트는 금속 가공 기계를 사용하여 요구된 크기의 가공 판재 조각으로 쉽게 분할되며 이 조각들은 전기 접촉법 또는 버너 불꽃에 의해 낡은 접촉부분에 땜질 된다. 용제 없는 전기 접촉법을 사용한 납땜 시 구리-인 솔더 PF07, PMF7, PMF9, PMF0Tsr6-4-0.03)를 사용할 것이 권장된다. 청동 또는 구리-은에 기초한 땜납을 이용한 납땜도 가능하다. □ 기술 평가 및 경제성 본 재료는 은을 기반으로 한 전기 접촉 소재보다 내아크성에 있어서 우수하며 가격도 3-5배 저렴하다. □ 응용분야본 소재는 작동 조건 상 전원 회로의 빈번한 전류 차단을 필요로 하는 크레인, 굴착기, 광산 트럭, 그리고 기타 전동차를 끌어 올리는 데 사용되는 전원 회로 접촉 부분에 적용 된다.
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□ 기술개요다목적 플라즈마 토치가 분말 재료의 스프레이, 코팅, 표면 변형을 위해서 개발되었다. 전극 간 삽입(IEI) 및 양극성 아크 등 광범위한 부속장치를 가지고 있는 플라즈마 토치의 기본 응용 영역은 다음과 같다. ● 임의 분말 소재, 주로 내화 소재 코팅 ● 분말 구상화 및 치밀화 등을 포함한 플라즈마 처리 가공 ● 코팅 용융, 표면 경화 및 변형, 표면 질화 등을 포함한 고농축된 층류 플라즈마 제트 열처리 가공 □ 기술 명세 다용도 플라즈마 토치● 정격 전압 - 50 kW (25와 100 kW 도 가능); ● 열효율 - 최대 80%; ● 아크 전류 - 200 A 미만 ● 작동 가스 - 공기, 천연 가스, 아르곤 질소, 헬륨, 및 이들의 혼합물 ● 테스트 -가스(공기)유속 - 0.5 - 2.5 g/초 ● 일반 노즐 직경 - 8 - 10 mm; ● 디자인 형태 - 고정형 및 휴대형 다용도 플라즈마 토치-휴대용 □ 기술 평가 및 경제성 ● 난류 및 층류 플라즈마 제트(a turbulent and laminar plasma jet)와의 연계가 가능, 이는 임의 분말 소재(금속, 세라믹, 구성물 등)의 코팅에 응용된다. ● 층류 제트에서 처리된 소재로 고 전력 밀도 열 유입, 이는 플라즈마 토치를 더 우수한 접착과 낮은 다공성을 위한 코팅 용해에, 또한 표면경화, 플라즈마-역학 처리, 내화성 분말의 구상화에 이용하도록 해 준다. ● 모든 순수 작동 가스(아르곤, 질소, 헬륨, 천연 가스, 및 이들의 혼합물) 이외에 공기를 사용할 수 있어 자본 회수 기간이 현저히 줄어든다. □ 응용분야플라즈마 토치의 주요 사용자는 전력 공학이나 재생에 중점을 두고 있는 기계 제작 기업들, 새로운 물질 생산 기술을 다루는 연구원 및 회사들이다. 해당 영역은 다음과 같다. ● 다양한 기계와 장비의 낡은 장치나 부품에 대한 차원 회복과 동시 경화 ● 내부식성, 내마멸성, 앤티캐버테이션(anticavitation), 내마모성 코팅의 응용 ● 층류 제트가 적용된 세라믹 고 접착 물질의 열보호, 열장벽, 내열, 절연 코팅 ● 수하물 충격 저항 코팅 ● 임플란트 생의학 코팅
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□ 기술개요해당 기술은 특수 공기 추진 장치(공기-추진 발생기)를 사용하여 매우 짧은 시간 안에 만들어진, 펄스 공기 흐름의 강력한 충격파에 근거하고 있다. □ 기술 명세 압력 30 - 50 bar 작용 가스 공기 효율 하나의 가열기구 당 10분 □ 기술 평가 및 경제성 ■ 고 효율 세척 ■ 높은 신뢰성 및 안정성 ■ 생태학적 안전성 ■ 광범위 충격 파라미터 □ 응용분야다양한 종류의 산업. 주거 및 공동 서비스
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□ 기술개요해당 기술은 작동 수명 향상을 목적으로 강철 및 주철 품목을 표면경화 시키기 위해 고안되었다. 이 처리 작업은 강력한 고주파 펄스에 의해 표면을 신속하게 가열시킨 다음 금속 내면으로 열을 방출함으로써 가열된 층을 급속하게 자기 유도 경화시키는 것이다. 분산된 경화 구조(마텐자이트, 카바이드 등)의 형성은 재료의 경도 및 내마모성을 증가시켜 준다. 200 kW의 일반적인 HF 발생기를 연속 펄스 작동 모드로 변환시키는 장비와 일련의 특수 유도장치가 개발되었다; 타 종류의 강철 및 주철로 이루어진 품목의 경화 처리 공정이 고안 되었다. 강철판 경화는 65 HRC에 이르고 경화 깊이는 1.5 mm(발생기 주파 수 440 kHz)에서 3 mm(발생기 주파수 66 kHz)로 다양하다. 본 공정의 효율은 초당(60kW의 발생기) 경화된 표면이 최대 15 cm²에 달한다. □ 기술 평가 및 경제성 ― 휨 현상 부재 또는 매우 낮은 정도 ― 플라스틱 코어 및 입자 분산으로 인한 적은 부서짐 ― 다양한 품목의 외면 및 내면의 국소적 경화 ― 낮은 가열 에너지 비용 ― 엔지니어링의 단순함, 자동화의 편이함 □ 응용분야축 표면, 롤러, 바퀴, 회전체, 슬리브관의 내면, 디젤 실린더의 경화, 유도장치, 프레임, 임의의 면, 도구, 스탬프, 칼날, 곡선 모양 품목 등의 경화
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신유형의 자기센서전계효과 홀센서(FEHS)가"실리콘 온 인슐레이"(SOI)기술 기반으로 개발되었다. *SOI 구조의 초박막 실리콘 층(약 0.1Mcm)과 수평 더블 게이트 MOS 구조는 독특한 FEHS 특성과 FEHS 파라미터의 유동적 제어를 제공한다. FEHS의 특색"자기유도 신호의 탐지와 증폭의 결합, -"독특한 자기민감성(탐지 제한이 10-7T 이상);"광범위한 운용 온도(300℃까지);"낮은 에너지 소비(전통적인 반도체 홀 센서보다 10-1000배 가량 절약);"높은 이레디에이션 강도;"자기민감성의 동적 범위, 자기민감성의 온도계수, 동작 전류, 방사능 안정성의 전기장 제어;"자기유도 신호 처리의 새로운 가능성;"자기제어 IC 개발 가능성. FEHS
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전기 동력 시스템(HSC EPS)의 완전 가변식 실시간 하이브리드 시뮬레이션 복합기는EPS의 평상시 및 위급 상황 처리 분석, 중계 보호 장치의 제어 및 현대화, 기술 및 위급상황 자동화에 응용 된다. □ 개요 및 운전율하이브리드 시뮬레이션 복합기는 병렬식, 다중처리, 하이브리드 유형의 프로그램-기술실시간 시스템이다. 이는 EPS 시뮬레이션 설계 장치와 정보 제어 시스템(ICS)의 특정한하이브리드 프로세스를 응용할 수 있는 그룹으로 구성되어 있다."
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□ 목적 및 응용 분야 전압 전류 분석기는 직/반전 전압 전류 방식을 사용하여 여러 대상의 샘플을 분석하는 동안 활성 원소의 질량 농도를 평가하기 위한 것이다. 다음과 같은 원소들과 물질들은 분석기에 의해 결정된다아연, 카드뮴, 납, 구리, 주석, 아연, 안티몬, 창연, 망간, 비소, 수은, 셀레늄, 코발트, 철, 니켈, 크롬, 인듐, 백금, 오스뮴, 이리듐, 로듐, 팔라듐, 루테늄, 금, 은, 줄, 퀴리, 브롬, 몰리브덴, 리튬, 칼륨, 나트륨, 바륨, 베릴륨, 우라늄, 바나듐, 텅스텐, 탈륨, 칼슘. 아닐린, 페놀 및 유도체, 비타민(B1, B2, B6, B12, C, E, PP) □ 기술개요전압 전류 분석기 TA-4는 내장형 UV소스와 세 개의 계량 채널이 장착된 자동화 탁상용 장치이다. 작동 원리는 분극 전압의 직류, 순차적, 차등 펄스, 분극 전압의 네모파 편향 전압의 직/반전 전압 전류에 기반을 둔다. □ 응용분야전압 전류 분석기 TA-4는 분석적, 생태학적, 조사, 검정, 연구, 그 외 다른 유형의 연구실 및 센터에서 사용이 가능하다. □ 장점 내장형 UV소스와 세 개의 계량 채널을 갖춘 다른 전압 전류 분석기들과 분석기 TA-4와의 가장 구별되는 특징은: 분석기 내 전극의 저장과 조립이며 전극 캡은 외장과 전극 표면과의 접속 보호를 위해 사용 된다; 분석기 내 전극을 고정시키는 모든 방법들은 간단하고, 편리하며 안전하다; 분석된 용액의 이중 보호: 전기 화학 전지는 각각의 덮개를 가지고 세 개의 전지들은 함께 덮혀있다. 이로 인해 결과의 재현성과 분석의 안전성이 증가된다; 내장형 UV 램프는 오존 형성을 예방한다; 카드뮴, 납, 요오드, 셀레늄 검출을 위한 신형 지시 전극(개선된 은 전극)은 수은과 염분이 필요 없다. □ 상용 단계 소량 생산, 생산 판매
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- 2009-02-20
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□ 응용분야이 검사기는 케이블 생산 업체에서 싱글 절연 케이블 전도체와 싱글 및 멀티 절연 케이블 전도체 외장의 절연 작업 관리를 위해 사용된다.□ 기술개요이 검사기는 다음 사항에 상용 주파수의 높은 테스트 전압과 개선 사항을 제공한다.제어 케이블의 절연 표면, 테스트 주파수 진폭 측정과 표시, 테스트 전선 절연체 결함의 램프와 음향 신호, 결함 산정, 외부 자동화와 신호 장비를 위한 전기 신호“결함”, 두 개의 모드 작동“라인”과“다시 감기”, 테스트 주파수로부터의 세밀한 보호.□ 기술의 특성- 전압 방식 및 주파수: sin 50 Hz- 테스트 주파수 절연 범위 3...30 kV- 테스트 전선 지름의 허용치 30 mm- 전선 이동의 속도 허용치 300 m/min- 전극 조립의 적재 허용치 300 pF 3 MOhm- 고압 단말기의 총 길이 660 mm- 디딤대 포함 무게 72 kg- 테스트 타입“전송 모드”, EI-2□ 기술의 경쟁력- 저비용- 높은 신뢰도
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- 2009-02-20
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전기·전자 > 기타 전기/전자
해당 기술은 관통전위를 줄이기 위해 많은 방법의 하나로 기판상에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 형성하여 줌으로써 그 꼭지점 주위로 관통 전위를 집중시킨 후에 여러 가지 방법을 통하여 전위가 성장하는 것을 막아주어 관통전위가 적은 질화물을 이용한 발광소자에 관한 것이다.- 해당 기술의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패커닝 된 기판을 포함하는 특징을 가지고 있다.- 해당 기술은 기판에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 적용하여 관통전위를 줄이기 위한 것으로 관통전위가 적은 고품위 질화물계 발광소자를 제공한다.- 해당 기술은 기판상에 요철을 가지는 결함이 적은 질화물 박막을 사용하여 발광소자를 구현함으로써 기판상의 산란 회절 효과를 증대 시켜 광 추출효율을 증대 시킬 수 있으며 결함이 적어짐으로 인해 고신뢰성, 고휘도의 질화물계 발광 소자를 제공한다.- 기판상에 요철 구조를 가짐으로 인해 광의 산란, 회절 효과 등에 의하여 광 추출 효율이 증가하는 장점도 있다.
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- 2009-02-25
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전기·전자 > 기타 전기/전자
□ 기술개요 해당 기술은 발광소자에 대한 것으로 고반사층을 형성하여 발광손실을 최소화 하는 동시에 우수한 정전기방전(ESD) 특성을 갖는 플립칩형 질화물 반도체 발광소자에 대한 것이다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 투광성 기판과 상기 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1질화물 반도체층, 활성층 및 제2질화물 반도체층을 포함한 플립칩 형태의 발광소자에서 제2질화물 반도체층의 부분에 제1굴절율을 갖는 제1절연체막과 제1굴절률보다 큰 제2굴절률을 갖는 제2절연체막이 교대로 적층되어 이루어진 절연체 반사막을 갖는 발광소자에 대한 것이다.- 해당 기술은 절연체 반사막의 고반사율 특성을 이용하여 발광 손실을 최소화 할 뿐만 아니라, 그 절연 특성으로 ESD 특성이 크게 개선된 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다.- 절연체 반사막을 사용함으로써 원하지 않는 방향으로 손실 되는 광을 줄여 발광 효율을 높일 수 있으며 절연의 특성을 이용하여 보호막으로도 사용이 가능하다. 또한 스크라이브(scribr) 공정을 거친 후에 칩의 옆면에 까지 절연체 반사막을 형성 할 경우에는 소자의 ESD 특성 향상도 기대 할 수 있다.
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- 2009-02-25
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전기·전자 > 기타 전기/전자
□ 기술개요 해당 기술은 칩 수준에서 열 방출에 있어 장벽층인 솔더 범프를 없이 열이 발생하는 발광 다이오드를 열 전도성이 높은 기판에 직접 실장하고, 플립 칩 하단에 형성되는 서브 마운트 없이도 와이어 본딩 만으로 신호 및 전력을 인입하는 배선부와 연결하여 발광 다이오드의 전기 연결부와 열 방출부를 분리하며, 플립 칩 본딩을 하지 않고도 패키징이 가능한 고방열 기판을 구비한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 발광다이오드 소자의 접합 온도와 열 저항을 향상하여 열적인 피로의 감소 및 열 방출 특성을 향상시키며, 플립칩 본딩을 하지 않음으로써, 서브 마운트의 제작 비용 및 공정 비용을 줄일 수 있는 발광다이오드 패키징 기술이다.- 한 개 이상의 발광 다이오드 소자를 캐비티가 형성된 열 전도도가 높은 금속 및 비금속 고방열 기판 위에 실장하고, 고방열 배면에 배선 기판을 부착하여 캐비티 내로 와이어 본딩을 실시함으로써 플립칩 본딩에 대한 비용 감소와 발광다이오드 소자의 접합 온도와 열저항을 감소시키며, 열적인 피로를 감소시키고, 고신뢰성 및 우수한 열 방출과 고휘도 특성에 있어 탁월한 효과가 있다.
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- 한국광기술원
- 등록일
- 2009-02-25
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전기·전자 > 기타 전기/전자
해당 기술은 지향각 및 배광분포 조정이 가능한 LED 용 조명시스템으로, 보다 상 세하게는 LED에서 방출되는 빛의 발산각을 조정해 줄수 있는 광학렌즈의 위치 를 광축방향에서 조정이 가능토록 하여 사용환경과 요구에 따라 배광패턴이나 LED 단품 모듈의 지향각 조정이 가능토록 한 구성이다.- 해당 기술은 LED 를 이용한 각종 조명기기에서 LED에서 발광되는 빛의 지향각이나 그 분포를 목적에 맞도록 변화시키기 위해 별도의 광학렌즈를 사용하는 경우에 그 광학렌즈의 광축방향의 위치를 변화시킬 수 있도록 광학렌즈와 기구물을 배치하여 광효율을 향상시킨 것이다.- 해당 기술을 적용하여 LED용 조명시스템을 제작할 경우에 single LED Lamp 의 배광형태 및 지향각의 임의 조정이 가능하고 모듈 제품의 경우에는 모듈 system 내의 single lamp의 위치별 배광조정을 통해 모듈전체의 배광을 자유롭게 조정할 수 있다.- 해당 기술과 같은 기구적인 구성의 적용을 통해 LED 광원을 사용하는 각종 조명시스템의 광효율등 광학 특성을 향상시키거나 하나의 제품 구성으로 다양한 용도의 조명요구에 대응 가능한 제품을 가능하게 할 수 있다.
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- 한국광기술원
- 등록일
- 2009-02-25
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전기·전자 > 기타 전기/전자
해당 기술은 아발란치 광검출기의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 식각중지층을 이용하여 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있을 뿐만 아니라 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 공정을 제시하여 신뢰성 있는 아발란치 광검출기 제조가 가능하도록 하는 것이다.- 해당 기술은 아발란치 광검출기 제조 공정에서 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 방식으로서, 기판 상에 광흡수층과 식각중지층이 삽입된 클래드층을 구비하는 화합물 반도체 구조물을 준비하는 단계와, 상기 클래드층 상부에 형성될 본접합 영역의 식각중지층이 노출되도록 상기 식각중지층의 상측에 구비된 클래드층을 식각하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 확산물질층을 형성하되, 상기 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하는 단계와, 상기 클래드층의 식각깊이에 따라 상기 본접합 영역과 상기 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록, 상기 확산물질층을 확산시키는 단계와, 상기 확산물질층의 패턴 및 상기식각중지측의 상측에 구비된 클래드층을 제거한 후, 상기 본접합 영역 상에 형성된 식각중지층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함함으로써, 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.- 식각중지층의 사용으로 인해 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있는 이점이 있다.
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- 2009-02-25
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전기·전자 > 기타 전기/전자
해당 기술은 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 기 판상에 알루미늄을 포함하는 활성층과 클래드층을 메사형으로 형성하기 위한 식각 단계 이후에, 메사 측면으로 드러나는 활성층의 알루미늄 산화 를 방지하는 폴리머 보호막을 메사 측면에 형성하는 공정을 추가하고, 메 사 측면의 재성장 공정 전에 상기 폴리머 보호막을 진공장비 내에서 고 온으로 열분해하여 제거하는 공정을 추가하는 제조방법 이다.- 해당 기술은 InGaAlAs계 매몰이종접합구조형의 레이저 다이오드 제작 공정에 있어서 메사 형성을 위한 식각 후 식각 공정의 말단에 메사의 측면에 산화방지를 위한 보호막을 형성하는 공정과 재성장에 앞서 진공 장비에서 열분해를 이용하여 제거하는 공정을 추가하므로써 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 특성 및 신뢰성을 향상시키는 방법이다.- 해당 기술은InGaAlAs계 또는 GaAlAs계 활성층을 포함하는 매몰이종접합구조형 레이저 다이오드의 제조방법에 있어서 레이저 다이오드 제조과정에서 발생되는 메사 측면을 통한 알루미늄의 산화를 방지할 수 있으므로 레이저 다이오드의 특성이나 신뢰성이 우수한 제품을 제조할 수 있는 효과가 있다.- 해당 기술은 식각 단계 말미에 간단한 단계를 추가하는 것이어서 기존의 메사 활성층의 산화방지를 위해 사용되는 p형인듐인 커버구조 형성방법에 비하여 레이저 다이오드 제조 공정이 간편하며, 따라서 레이저 다이오드의 수율이 높아지는 효과가 있다.
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- 한국광기술원
- 등록일
- 2009-02-25
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□ 기술개요 해당 기술은 수직형 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물 반도체 단결정 성장을 위한 기판과 상기 기판 상면에 순차적으로 형성된 제1질화물 반도체층, 활성층 및 제2질화물 반도체층을 포함한 발광소자에 웨이퍼 본딩을 통하여 뒷면의 성장을 위한 기판을 제거하는 것에 대한 것이다.해당 기술은 특히 웨이퍼 본딩공정에서 칩의 손상에 의한 수율 저하 방지와 반사메탈 면적을 늘려 주어 광 추출이 향상된 반도체 발광소자를 제공한다.□ 기술의 특징- 해당 기술은 웨이퍼 본딩 메탈 증착 전에 보호막을 형성 함으로써 칩의 단락을 방지하고 본딩 공정의 수율 향상과 반사 메탈을 증대시켜 발광소자의 광 추출 효율을 크게 증대 시킨다.- 해당 기술에의하면 본딩 전에 보호막을 형성 하여 줌으로써 본 공정이나 이후 칩 가공시에 발생 될 수 있는 칩의 단락문제를 해결 할 수 잇으며, 반사 메탈을 크게 할 수 잇어 광 추출을 증대 시킬수 있다. 특히 본딩 웨이퍼간에 발생되는 응력을 완화 할 수 있는 구조를 가지게 되어 본딩 공정에서 발생되는 웨이퍼의 손상을 방지하여 칩 수율을 향상 시킬 수 있다.
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2009-02-25
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해당 기술은 실리콘 기반 질화물계 반도체 발광다이오드 제조방법 및 이에 따른 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 실리콘 기판을 기용한 질화물계 발광다이오드 제작에 있어서 기판의 일부를 식각하여 금속 반사막을 증착함으로서 발광다이오드의 전기적 특성과 발광효율을 높이는 발광다이오드 제조방법에 관한 것이다.- 해당 기술의 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법은 기판 상부에 질화물계 발광다이오드를 성장시키는 단계, 기판 하부에 반사막을 증착하는 단계를 포함한다. 실리콘 기반 질화물계 발광다이오드는 전력소모를 줄이고 고휘도 구현을 가능하게 한다.- 해당 기술은 값싸고 대형 사이즈가 가능한 실리콘 기판을 이용하여 질화물계 발광다이오드를 제조함으로서 저가형 발광다이오드를 제작가능한 발광다이오드 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.- 해당 기술은 고반사율 반사막에 의한 추출효율이 증가되고, 오믹 반사 금속에 의한 작동전압 감소한다.- 해당 기술은 실리콘과 질화물의 접합은 두 재료의 에너지 갭차이가 크므로 동작전압이 높게 되는데 질화물계 재료가 금속과 직접 전기접촉을 함으로서 전기저항을 낮추므로 동작전압의 감소효과도 볼 수 있다.
- 보유기관
- 한국광기술원
- 등록일
- 2009-02-25
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