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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

1~2GHz 대역 RF CMOS 집적회로 기술

1~2GHz대역 CMOS Rx/Tx IC 설계 1~2GHz대역 RF IC와 관련한 RF CMOS 관련한 수동소자기술- 개인휴대단말기용 RF IC의 대량 생산 체계구축 - RF IC의 저가격화 - PCS단말기용 RF IC에 응용 - 기타 L-band RF IC에 응용

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한국전자통신연구원
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2000-11-22
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

디스플레이 구동형 100V급 파워 IC

"300V DMOS 및 고속 BCD 전력소자 기술 개발(1997.1.~1999.12.)" 사업의 일환으로 개발된 디스플레이 구동용 100V급 Bulk 파워IC 기술은 CMOS 제어회로와 LDMOS 전력소자를 동일 칩위에 집적화 한 기술로써 PDP Data 구동, FED 및 LCD 게이트 구동 그리고 LED 구동에 적용할 수 있어 국내 기업에 기술이전 하여 foundry 환경을 구축함으로써 디스플레이 구동용 각종 IC 개발 및 대량생산 등에 활용하고자 함.100V급 bulk 파워IC 기술- LDMOS 및 CMOS 소자구조 및 Test Pattern 설계도- 100V급 bulk 파워IC 종합공정 흐름도 및 규격- 디스플레이 구동IC 설계를 위한 LDMOS 및 CMOS 설계룰 및 소자변수- 자기격리 및 RESURF 형성을 위한 well 시뮬레이션 data- 기술검증물(PDP Data구동IC) 설계data - 100V급 bulk 파워IC 관련 특허 및 기술문서 제공

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한국전자통신연구원
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2000-11-22
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

GaAs HBT 전력소자기술

근래 폭발적인 수요 증가세를 나타내는 각종 휴대 단말기 핵심 부품의 국산화는 극히 미미한 실정이다. 특히 전력증폭기(Power MMIC)는 미국의 Conexant나 RFMD 등 일부 회사에서 기술적인 독점권을 과시하고 있다. 전력증폭기 개발을 위해서는 설계 제작을 위한 기반시설이 준비되야 하는 관계로 초기 투자비용이 크며, 회로설계, 고집적 MMIC 공정, 고품위 패키징 등 최첨단 기술개발이 필요한 바 이에 따른 위험성이 높고, 투자 비용 회수에도 2 ~ 3 년 정도의 기간이 소요될 것으로 예상되어 기업의 경제적 부담이 상당히 크다. 현재 이러한 전자부품을 개발하기 위한 생산시설과 설계 및 공정 전문가를 확보하고 있는 업체는 국내에 전무한 실정이다. 국내 유일하게 최첨단의 화합물반도체 공정시설과 GaAs HBT 전력소자의 설계 및 제작경험을 가지고 있는 ETRI의 연구결과를 관련 산업체에 전수할 경우 상용화 기간의 단축과 함께 관련 기술의 국제경쟁력 확보에 초석이 될 수 있으므로 기술이전을 조기에 수행하는 것이 필요하다.- GaAs HBT 에피 및 소자 설계기술 - 0.9 ~ 2 GHz급 전력증폭기에 적용 가능한 GaAs HBT 전력소자 제작기술- 수동소자 설계 및 제작기술 - 회로설계를 위한 소자변수 추출 기술 - 초고주파 측정기술

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한국전자통신연구원
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2000-11-22
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

직경 4mm, 12W급 초소형 Heat Pipe 기술

초소형 Heat Pipe 기술은 Notebook PC CPU 냉각용, Desktop PC CPU 냉각용, Workstation PC CPU 냉각용, 고발열 ASIC 부품 냉각용, 통신시스템 옥외용함체 냉각용, 고출력 Power Supply 냉각용 등 다양한 응용분야에 적용할 수 있는 기술임.그러나, 국내에서는 에너지 산업 분야, 우주항공 분야, 대형 교환기 분야에서 일부 연구 사례가 있으나 극히 초보적인 단계여서 상용화가 되지 못하고 있으며, 특히 고발열 IC 냉각을 위한 초소형 Heat Pipe에 대한 연구개발 사례가 전혀 없어서 전량 수입에 의존하고 있음.그러므로 초소형 Heat Pipe 기술개발을 통한 상용화를 위해 관련기술의 기술전수가 절실히 필요함. 또한 PC류의 수요 증가와 더불어 CPU의 성능 증가로 인한 발열량이 급격히 증가하고 있으므로 이를 냉각하기 위한 초소형 Heat Pipe 기술개발은 더욱 요구될 것임.o 직경 4mm, 냉각용량 12W급의 전자부품을 냉각시킬 수 있는 초소형 Heat Pipe를 설계 및 제작하는데 필요한 기술 - 편조형 wick 구조 설계 기술 - Heat Pipe 설계 및 제작 기술 - Heat Pipe 시험평가 기술 - Heat Pipe 노트북 PC 패키징 기술

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한국전자통신연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

강유전체 게이트를 가지는 전계효과트랜지스터를 이용한 불휘발성 기억소자 및 그 제조방법

반도체표면에 CeO2/SrBi2Ta2O9이중막을 형성시키고 이중막의 강유전체인 SrBi2Ta2O9막상에 백금전극을 부착하며, 상기 CeO2/SrBi2Ta2O9/Pt의 삼중층 주위에 산화방지막을 도포하여 형성되는 게이트를, 전계효과트랜지스터의 게이트로 이용하므로서커패시터가 필요없는 강유전체게이트를 가지는 전계효과트랜지스터(FET)기억소자를 제공한다.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

회전체의 밸런싱장치

본 발명기술은 회전체의 회전시 적재질량의 불균형에 의한 편심력으로 인해 발생되는 진동및 소음을 방지하기 위하여 능동적인 제어로 밸런싱할 수 있도록 된 회전체의 밸런싱에 관한 기술임.-.회전체의 질량불균일을 검출하여 제어신호로 변환-.제어신호에 의한 밸런싱장치의 위치제어에의한 질량보정기능-.밸런싱장치의 구동매카니즘

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전자부품연구원
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2000-11-22
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

파이프 라인구조의 다단 아날로그/디지탈변환기

1. 12Bit 10MHz Monolithic A/D converter 2. Hard IP 제공 3. 0.8um CMOS 공정 ( Technology Transfer available : 별도협의 ) 4. Pipelined Multi-stage architecture 1. chip size : 2.6mm * 3.2 mm ( 0.8um 공정 기준 ) 2. Full custom design

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전자부품연구원
등록일
2000-11-22
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치

본 발명은 고온부 전기로 주위에 링형 전자석을 설치하여 결정성장축 방향으로 약 1600 가우스의 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만법의 단결정 성장장치로서, 결정성장시 민감한 온도구배의 변화를 기할 수 있을 뿐만 아니라 고온부 전기로를 내부로 냉각수가 순환되는 이중관으로 형성하여 그 내주면에 금박막을 코팅하고, 안쪽으로 열선으로부터 방출되는 적외선을 일차적으로 흡수하도록 열선과 이중관 사이에 원통형의 단열담요 또는 보호석영관을 설치하여 상기 전자석의 자기장이 효과적으로 인가되도록 함으로써 저결함, 대직경의 갈륨비소 단결정을 성장시킬 수 있도록 한 것이다.1. 상부측의 고온부와 전기로와, 하부측의 저온부 전기로 및 고온부 전기로 내부에 설치됨과 아울러 그 내부에 반응용기가 내장되는 결정성장용 반응관 및, 상기 고온부 전기로의 중간부 외주를 포위하는 전자석을 구비하여서 됨을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.2. 제 1항에 있어서, 상기 고온부 전기로는 내면에 금박막이 코팅된 내부관과, 이 내부관을 포위하는 외부관 및 내, 외부관 사이에 냉각수 순환공간을 가지는 이중관으로 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.3. 제 2항에 있어서, 상기 이중관은 스텐레스관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.4. 제 2항에 있어서, 상기 이중관은 석영관인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고온부 전기로 및 저온부 전기로의 내주면과 그 내주면에 근접설치되는 열선 사이에는 비교적 얇은 단열담요가 설치된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.6. 제 5항에 있어서, 상기 열선에는 열선간의 접촉을 방지하는 단열 스페이서가 끼워지며 이 단열 스페이서를 프레임에 수직설치된 지지관에 접착고정하여 열선의 변형이 방지되도록 구성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.7. 제 1항에 있어서, 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석은 베이스 플레이트에 수직 입설된 가이드 레일을 따라서 승강가능한 승강대에 정착되어 승강가능하게 설치되는 것임을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.8. 제 7항에 있어서, 상기 승강대는 상기 가이드 레일에 안내되는 상, 하 한쌍의 슬라이더와 이 상, 하 한쌍의 슬라이더가 결합되어 상기 전자석을 지지하는 상부 받침대와, 상기 저온부 전기로를 지지하는 하부 받침대와, 이 상, 하부 받침대를 연결하는 연결간으로 구성되어 연결간을 결합 및 분리하는 것에 의하여 상기 고온부 전기로와 저온부 전기로 및 전자석이 동시 또는 독립적으로 승강되도록 구성됨을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.9. 제 1항에 있어서, 상기 전자석은 링형으로 형성되며, 그 내경이 고온부 전기로의 외경보다 3cm이하로 크게 형성된 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.10. 제 1항에 있어서, 상기 전자석의 높이는 성장시키고자 하는 단결정 길이의 2배인 것을 특징으로 하는 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직부릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-12-15
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

직류전원플라즈마화학증착법에 의한 다이아몬드막 합성장치

본 기술은 일정한 합성면적에서 합성된 막의 결정도 및 균일성을 극대화시키고 각 음극에서의 온도차를 최소화하여 음극온도 뷸균일에 기인된 합성장치의 불안정성을 완전히 제거함으로써 100%에 가까운 장치의 신뢰성을 실현할 수 있는 직류전원플라즈마화학증착법에 의한 다이아몬드막의 합성장치에 관한 것이다.기존의 기술에서 사용된 음극의 수 3개는 직경 4' 기판에서 합성될 경우 막의 결정도가 위치에 따라 불균일하였으며, 막 두께 균일성이 50% 이상까지 유지되는 문제가 있다. 또한, 음극으로 디스크 형태를 사용할 경우 인접한 음극에서 형성된 플라즈마의 영향으로 음극의 온도가 불균일하게 분포하여 4% 이상의 고메탄조성에서 음극에 고상탄소가 형성되어 안정한 합성이 불가능하다는 문제가 있다.반면, 본 기술에서는 화학증착법에 의한 막상 다이아몬드 합성방법 중의 하나의 직류전원플라즈마화학증착법에서 음극을 여러 개 사용하여 합성면적을 직경 수 인치로 증가시키며, 일정의 합성면적에서 막 두께 균일성이 5∼10% 정도로 유지되도록 음극의 수 및 배열을 최적화하고, 또한 8%까지의 고메탄 조성에서도 수 백 시간 이상동안 안정한 플라즈마가 형성될 수 있도록 음극을 설계하여 장치의 신뢰성을 높여 재현성 있게 막 두께 1mm 이상의 후막합성이 가능하도록 구현할 수 있다.본 기술에 의한 다이아몬드막 합성장치는 진공챔버와, 진공챔버와 0-ring 결합되는 상판에 고정되어 있고 안정저항을 거쳐 외부의 서로 독립된 직류전원장치에 연결된 다수의 구리블럭과, 구리블럭에 한 쪽이 연결된 다수의 현수봉과, 현수봉의 다른 한 쪽에 연결되어 있는 다수의 음극, 진공챔버의 한 쪽 벽에 위치하는 진공 펌프 및 가스 유입구로 이루어지는 직류전원플라즈마화학증착법에 의한 다이아몬드막 합성 장치에 있어서, 음극의 수는 7개이고 음극 구조는 가운데 하나의 음극을 기준으로 여섯 개의 음극들이 60°간격으로 위치한 방사선 모양으로 배열되어 정삼각형의 각 꼭지점에 각 음극을 배치하는 형태로 구성되어 있다.이와 같이 이루어진 본 기술에 의하면, 일정한 합성면적에서 합성된 막의 결정도 및 균일성을 극대화시킬 수 있고, 각 음극에서의 온도차를 최소화하여 음극온도 불균일에 기인된 합성장치의 불안정성을 완전히 제거함으로써 100%에 가까운 장치의 신뢰성을 실현할 수 있다. 따라서, 더욱 용이하고 경제적인 후막 다이아몬드 합성이 가능한 효과가 있다.

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한국과학기술연구원
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2001-05-04
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

COD (화학 산소 요구량)온라인 측정 장치

Alicante 대학의 분석 화학 학부는 단지 10분 안에 값을 얻을 수 있는 COD (화학 산소 요구량) 자동 측정 장치를 개발하였다. 이 장치는 극초단파 방사선이 가열 방법으로 사용되었다는 사실 때문에 반응 시간을 상당히 단축하였다.COD (화학 산소 요구량)는 수질을 측정하기 위한 잘 알려진 표준이다. 유기물질에 의한 수질 오염을 측정한다. 이 표준은 화학적으로 산화될 수 있는 모든 물에 포함되어 있는 모든 유기물질들을 산화시키는데 필요한 산소량으로 정의된다. COD 값을 얻기 위해 전통적으로 적용되었던 방법은 크롬산 칼륨을 산화제로 사용하는 표준화된 방법으로 알려져 있다. 이 방법은 초과량의 산화제를 주입한 후 Hach digestor에서 약 두 시간 동안 표본에 대한 열처리가 실시된다. 하지만 여기서 중요한 문제는, 반응 시간이 너무 오래 걸리기 때문에, 반응 혼합물을 열처리하기 위해 사용되는 이 방법의 효율이 낮다는 것이다. Alicante 대학의 분석 화학 학부에 의해 개발된 COD 자동 측정 장치는 이 값을 단지 10분 안에 얻을 수 있다. 이 장치는 극초단파 방사선이 가열 방법으로 사용되었다는 사실 때문에 반응 시간을 상당히 단축하였다.이 장치는 완전 자동화 되어 있으며 PC상에서 이 응용 분야를 위하여 특별히 설계된 소프트웨어를 사용하여 제어된다. 두 가지 중요한 장점들은 사용자 친화적인 소프트웨어와 각각의 파라미터가 개별적으로 변경될 수 있다는 것이다.혁신적인 사항:이 장치의 주요 혁신적인 사항들은 다음과 같다:-기존 방법과는 달리, 상당한 시간 단축을 하였다.-완전 자동화 된 유연하고 사용하기 쉬운 장비.주요 장점:이 장치의 주요 장점들은 다음과 같다:-최대 8.000 ppm까지의 농축까지도 염화 이온의 간섭이 없다-페놀 표본과 같이 산화가 매우 힘든 표본을 포함하여 모든 종류의 표본에 대하여 유용하다. 이 장치는 최고 3.000 ppm의 페놀까지 측정이 가능하다.-표본 처리를 위하여 어떠한 이전의 시스템도 요구되지 않는다.-소량의 폐기물을 발생시키며 염화 이온의 간섭이 없기 때문에 Hg 염분의 사용은 필요가 없다.

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특허법인충정
등록일
2001-07-23
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

전송 특성에 기초한 중, 박, 코팅 두께의 광집적도 측정

광학 신호의 매체를 통과하는 전송 특성에 기초하여, 두께 또는 광학 밀도와 같은 이 매체의 여러 특징들이 높은 정밀도를 가지고 측정될 수 있다. 매체와의 어떠한 접촉도 필요 없으며 측정은 연속적으로 이루어 질 수 있다. 출력 신호는 직접 디지털 신호로 변환되어 신뢰성을 향상하고 마이크로 컨트롤러와의 연결을 가능하게 한다.이 제안된 기술은 광학 발신 장치와 수신장치의 혼합 사용을 통해서 매체의 특성을 측정하는 방안에 관련되어 있다. 발신장치는 소스의 열적 안정성을 보장하기 위하여 광학적 피드백을 이용하며 수신 장치의 출력은 내부적으로 직접 주파수로 변환된다. 이 주파수는 직접 마이크로 컨트롤러로 연결되며, 따라서 공정 제어 시스템으로 이 센서를 구현할 수 있도록 한다. 높은 수준의 측정 정밀도는 형성된 열적 안정성 및 환경에 의한 간섭에 대한 높은 독립성의 결과로 획득이 가능하다.혁신적인 사항:발신 장치는 소스의 온도를 안정시키며, 따라서 매우 신뢰성 있는 측정을 가능하게 한다. 만일 온도가 일정하지 않으면 발신 장치의 신호 수준은 시간에 따라 변하므로 출력 신호는 언제라도 비교될 수 없을 것이다.시스템은 높은 수준의 전자기적 간섭이 있는 환경에서도 작업을 수행할 수 있다.수신 장치의 출력은 직접 주파수로 변환되어 어떠한 기타 환경적 요인에 의해서도 간섭을 받지 않도록 방지될 것이다.주요 장점:높은 안정성, 심한 조건 하에서도 안정적인 성능, 전자 컨트롤러로의 연결성.

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특허법인충정
등록일
2001-07-27
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

이온 주입장치

반도체 기판(웨이퍼)에 이온을 주입하는 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 반도체 기판 표면에 접촉하듯이 도입함으로써 이온 주입에 의해 帶電된 반도체 기판의 표면이 플라스마에 의해 중성화되어 반도체 기판의 표면 전하의 축적을 방지할 수 있다.이온 주입에 의하여 대전된 웨이퍼 표면이 플라스마에 의해 중성화되어, 웨이퍼 표면 전하의 축적에 의한 전자회로 파괴 등의 문제가 해소된다.

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특허법인충정
등록일
2001-02-19
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

소둔 기구 방법

이 발명품은 소둔 공정 동안 각기 다른 이동 부품들을 녹이지 않고 소둔 기구 그린 부품들을 위한 방법을 제공한다. 통합 설비는 설비들이 각각 접촉하지 않고 정확한 위치와 방향을 가지도록 기계의 부품들을 유지시켜 준다. 덧붙여 통합 설비는 전체적인 구조가 축소하게 되는 부품으로서 동일한 재질로 만들어졌으므로 소둔 공정 동안 부품의 정확한 위치를 유지할 있다. 수동 위치 또는 수동 조작은 필요치 않다. 소둔 후 설비들은 기구의 부품으로 자유롭게 제거되며 이동하는 것이 허용된다.소둔하는 동안 분리를 유지하기 위한 축소, 정렬 또는 수동 위치 조작이 없음

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특허법인충정
등록일
2001-02-28
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

고열전도율을 가진 스트레스 자유, 재사용 가능 인터페이스 기법

반도체칩과 같은 몸체에 생성하는 열을 내려 주는 미소한 채널을 가지는 개선된 히트 싱크이다. 이 채널 저장소는 열을 꺼내기 위한 모세관으로서 계면 액체 기능으로 채워져 있다.반도체칩과 같은 몸체에 생성하는 열을 내려 주는 미소한 채널을 가지는 개선된 히트 싱크

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특허법인충정
등록일
2001-03-01
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

필드 프로그램 가능 MCM 시스템을 위한 회로와 내부 결합 프레임 구조

이 발명품은 전기적으로 프로그래밍 가능한 칩내부 결합 구조이다. 다중칩 시스템은 고정 도체 리드를 포함하는 기판상에 실장된 많은 집적 회로로 구성되었으며 이 구조는 고속이며 집적 회로 사이에 유연한 프로그램 가능 결합을 가지고 있으며 이것이 성능을 개선하고 다중칩 시스템의 유연성을 증가시킨다.사용자 프로그램 가능, 배열에 사용할 때 부가적인 특수 스위칭 필요성 제거

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특허법인충정
등록일
2001-03-01
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

대칭 부하 버퍼 단계

초저지터 위상 동기 루프와 지연 동기 루프 구성을 위한 대칭 부하 버퍼단을 제공한다. 이들 버퍼단은 초고 공급 잡음 내성과 주파수에 대한 초선형 제어를 마련하였다. 그들은 위상 동기 루프와 지연 동기 루프에서 요구하는 전압 제어링 발진기와 전압 제어 지연 선로에서 이상적으로 사용하였다.초저지터 동작을 위한 기판 잡음 거절과 매우 높은 동적과 정적 공급, 다른 전압 제어보다 외부 바이어스 전압을 요구하지 않음, 고주파 전압 제어 발진기 생산 가능, 공급 전압 요구는 오직 직렬 NMOS와 PMOS 다이오드 강하에만 있음.

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특허법인충정
등록일
2001-03-01
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

펄스 UV 레이저를 이용한 규소 화합물 판막과 관련 실리콘 기질의 도핑

반도체 장치에서 도판트(dopant)의 선택적 유입으로 생성되는 이극성 이형 접합부(얕은 접합부)와 관련된다, 도판트를 포함하는 대기에서 펄스 레이저 광선으로 표면 부위를 주사함으로써 얕은 지역이 반도체내에서 형성된다, 펄스 레이저 광선은 대기로부터 도판트 원자를 끌어낼 충분한 강도를 가지며 불충분한 강도는 반도체 물질을 녹인다, 규소 화합물 층은 대기 유래의 도판트와의 조사 즉, 규소 화합물에서 반도체 표면으로의 조사에 앞서서 반도체 표면에 자리잡는다, 선택적으로, 표면 부위 조사에 앞서서 규소 화합물 층은 도판트 원자를 포함할 수 있다더 얕은 접합부, 더 나은 과정 조절, 펄스당 적은 도판트, 존재하는 도핑 부위의 덜한 파괴

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특허법인충정
등록일
2001-03-03
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

간이전기 도금용장치

본 고안은 전기도금거리를 조절할 수 있고, 다양한 크기의 웨이퍼를 도금할 수 있는 간이전기 도금용 장치에 관한 것임실험실등에서 사용하기 간편하게 제작되어져 있다. 특히 선폭의 길이가 길고 선폭은 좁은광소자의 전극을 형성할때 유용하다.

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전자부품연구원
등록일
2001-09-01
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

표면실장형 후진파 하이브리드 커플러

본 발명은 표면실장형 후진파 하이브리드 커플러를 제공한다. 본 발명에서는 정합패턴 영역의 상하층을 다수의 관통공을 이용하여 연결시킴으로써 서스펜디드 기판구조에서 스트림라인 기판구조로 변경한 커플러를 제공한다. 이로써 포트정합패턴의 폭을 감소시켜 전체 크기를 줄일수 있고 특성을 게선할수 있현재구조보다 소형화를 시킬수있다.전기적 특성을 개선시킬수 있다.

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전자부품연구원
등록일
2001-09-01
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일반기술 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)

인공위성 수신용 고주파 분배기

본 발명은 회로구성요소를 PCB 상에 pattern 화 시킨 후 내장시킨 인공위성 수신용 고주파 분배장치에 관한 것임. 본 고안은 인공위성(BS)용 수신주파수를 분배시키는 장치에 관한 것으로, 특히 표면실장형으로 회로구성요소를 기판상에 제조부착하는 대신에 인쇄회로기판상에 패턴화시킨 후 내장시켜 제작한 인공위성수신용 고주파분배장치에 관한 것으로, 입력소스에 각각 병렬결합된 제1 및 제2 인덕턴스수단들, 상기 제1 및 제2 인덕턴스수단들에 각각 직렬결합되어 고주파노이즈를 제거하기 위한 제3 및 제4인덕턴스수단들, 상기 제1 및 제3인덕턴스수단들의 접속점과, 제2 및 제4 인덕턴스수단들의 접속점들 사이에 연결된 고주파 평활저항수단, 및 상기 제3 인덕턴스수단과 제1출력사이의 접속점과, 상기 제4 인덕턴스수단과 제2출력사이의 접속점 사이에 연결된 고주파임피던스정합수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 인공위성수신용 고주파분배기를 제공함으로써, 신뢰성을 향상시키고 고주파노이즈의 발생을 방지할 수 있다패턴화 하므로써 소형경량화 .특성개선가격저렴

보유기관
전자부품연구원
등록일
2001-09-01
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